KR100658847B1 - 산화 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 열 처리 장치는 피처리체를 수납할 수 있는 처리 용기를 포함하고, 상기 처리 용기는 개방부를 구비한 하부 끝단부를 갖는다. 이 개방부는 리드에 의해 개폐될 수 있다. 플랜지는 개방부의 주변부에 제공되고, 가스 공급 장치는 상기 처리 용기내로 가스를 공급하기 위해 상기 플랜지에 제공된다. 가열 기구는 상기 처리 용기에 수납된 피처리체를 가열할 수 있다.

Description

산화 처리장치{OXIDATION PROCESSING UNIT}
도 1은 본 발명에 따른 수직 열처리 장치의 실시예의 횡단면도,
도 2는 도 1에 도시한 수직 열처리 장치의 주요 부분의 확대 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>
1 : 열처리 장치 2 : 보트
3 : 처리 용기 4 : 개방부
5 : 플랜지 6 : 가스 공급 장치
7 : 가스 공급 구멍 8 : 원형 지지 프레임
9 : 가스 공급 라인 10 : 가스 공급 포트
11 : 히터 12 : 베이스 플레이트
13 : 로드 14 : 중앙 개방부
15 : 베이스 플레이트 16 : 지지 부재
17 : 플랜지 위치설정기구 18 : 박스 너트
19 : 인젝터 20 : O-링
21 : 원형 잠금 소자 22 : 삽입부
23 : 배출 포트 24 : 리드
25 : 냉각 플레이트 26 : 내부 밀봉 부분
27 : 외부 밀봉 부분 28 : 원형 그로브
29 : 회전가능한 테이블 30 : 회전 기구
31 : 회전가능한 프로프 32 : 회전 전송부
33 : 회전가능한 샤프트 34 : 열 유지 장치
본 발명은 피처리체에 열처리를 수행할 수 있는 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서, 다양한 형태의 열처리장치가 웨이퍼와 같은 피처리체에 산화, 확산 또는 CVD(화학 증착)과 같은 처리를 수행하기 위해 사용된다. 이들 중 하나로서는 수직 열처리 장치가 공지되어 있는데, 이 장치는 한번에 여러 장의 피처리체에 열처리를 수행할 수 있다. 이 수직 열처리 장치는 석영으로 제조된 수직 원통형 처리 용기를 갖는다. 이 처리 용기의 상부 끝단부는 폐쇄되어 있지만, 이 처리 용기의 하부 끝단부는 노 개방부(furnace opening)로서 개방되어 있다. 플랜지가 노 개방부의 주변부에 제공된다. 히터가 처리 용기를 둘러싸도록 배치된다.
이 장치가 확산 처리용으로 설계되는 경우, 처리 온도가 높다는 것을 고려하여야만 한다. 즉, 고 저항 특성을 고려한다면, 석영관으로 이루어지는 가스 공급 장치(가스 공급 포트)는 처리 가스와 같은 가스를 처리 장치내로 유입시키기 위해 (플랜지보다 높은) 처리 장치의 하측부에 제공된다.
이 장치가 CVD 처리용으로 설계된 경우, 금속으로 제조된 매니폴드가 처리 장치의 하부 개방부 끝단에 결합된다. 부수적으로, 금속관으로 이루어지는 가스 공급장치는 매니폴드의 측면부에 제공된다.
처리 용기의 하부 개방 끝단 또는 매니폴드의 하부 개방 끝단은 리드에 의해 개방되도록 되어있고, 기밀하게 폐쇄되도록 되어있다. 소정의 피치로 수직 적층형으로 다수의 웨이퍼 예를 들어 150 매의 웨이퍼를 보유할 수 있는 유지 도구(유지 보트)는 노 개방부 절연 수단인 열 절연 실린더를 경유하여 리드상에 배치된다. 로딩 영역은 유지 도구를 로드 및 언로드하기 위해 처리용기 아래에 배열된다. 승강 기구는 리드를 상하로 움직이므로써 처리 용기내로 및 처리 용기로부터 유지 기구를 로드 및 언로드하기 위해 로딩 영역에 배치된다.
그러나, 상술한 수직 열 처리 장치에 있어서, 처리 용기 아래에 로딩 영역 및 승강 기구를 배열하여 고정되는 공간을 갖는다. 부가적으로 처리 용기의 하부 측면부에 가스 공급 장치(또는 장치가 CVD 처리용으로 설계된 경우에는 매니폴드)를 배치하여 고정되는 공간을 갖는다. 그러므로, 장치가 바람직하지 못하게 크고 높다.
특히, 로딩 영역이 로드-잠금 타입(load lock type)용으로 설계된 경우, 진공을 유지하기 위한 구조가 보다 높아질 필요가 있다. 장치의 높이 제한 때문에 웨이퍼-피치가 감소된다면, 바람직한 특성을 갖는 막을 얻는 것이 어렵게 된다.
장치가 확산 처리용으로 설계된 경우, 석영관으로 이루어지는 가스 공급 장치(가스 공급 포트)는 이 처리 장치의 측면부로부터 돌출하도록 제공된다. 그러므 로, 가스- 공급 장치는 외부 힘 또는 충격에 의해 쉽게 손상될 수 있다, 즉, 강도가 약하게 된다.
장치가 CVD 처리용으로 설계된 경우, 가스 공급 장치는 금속으로 이루어진 매니폴드가 사용되기 때문에, 강도상의 문제는 없다. 그러나, 이 경우, 시일링(밀봉) 부재로서 O-링이 열적으로 열화되는 것을 방지하기 위해 시일링부를 냉각할 필요가 있다. 부가적으로, 가열 등과 같은 방식에 의해, 시일링부의 냉각에 의해 발생될 수 있는 처리 가스의 분리(증착: deposition)를 방지할 필요가 있다. 결과적으로 구조상 복잡해진다.
본 발명은 상술한 문제점을 효과적으로 해결하기 위한 것이다. 본 발명의 목적은 장치의 높이가 상당히 낮아질 수 있고, 가스 공급 장치의 강도가 향상될 수 있으며, 처리 용기의 구조가 간단해질 수 있고, 처리 성능이 개량될 수 있는 열처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 피처리체를 수납할 수 있고, 개방부를 갖춘 하부 끝단부를 갖는 처리 용기, 상기 개방부를 개폐할 수 있는 리드, 개방부의 주변부에 제공된 플랜지, 상기 처리 용기내로 가스를 공급하기 위해 상기 플랜지에 제공된 가스 공급 장치, 및 상기 처리 용기에 수납된 피처리체를 가열할 수 있는 가열 기구를 포함하는 열처리 장치이다.
이 특징에 따르면, 가스 공급 장치가 상기 플랜지 자체에 제공되기 때문에, 장치의 높이는 상당히 낮아지고, 가스 공급 장치의 강도는 향상될 수 있으며, 처리 용기의 구조는 간단해질 수 있고, 장치의 처리 성능은 개량될 수 있다.
바람직하게는 가스 공급 장치는 플랜지의 외부 모서리로부터 상기 처리 용기의 내측으로 연장하는 가스 공급 구멍을 갖는다.
예를 들어, 상기 처리 용기가 거의 원통형이고, 상기 플랜지가 거의 원형이며, 상기 가스 공급 구멍이 거의 상기 플랜지의 방사 방향으로 연장하여 있다.
바람직하게는, 가스 공급관이 상기 처리 장치내로 연장하도록 상기 가스 공급 구멍을 통해 삽입된다. 그러므로, 처리 가스는 처리 용기내로 효과적으로 공급된다. 이 경우, 바람직하게는 상기 플랜지가 상기 가스 공급관을 상기 플랜지에 고정할 수 있는 고정 기구를 구비한다.
부가적으로, 바람직하게는 상기 가스 공급관이 가스 공급 라인에 밀봉되게 접속된다. 이 경우, 가스 공급 라인은 용이하고, 바람직하게 접속될 수 있다.
부가적으로, 바람직하게는 원형 지지 프레임이 상기 플랜지의 주변 영역에 제공된다. 이 경우, 플랜지의 강도 및 가스 공급 장치는 향상될 수 있다. 예를 들어, 상기 원형 지지 프레임이 금속으로 이루어진다.
별도로, 바람직하게는 원형 지지 프레임이 상기 플랜지의 주변 영역에 제공되고, 상기 원형 지지 프레임이 내부 모서리로부터 외부 모서리로 연장하는 관통 구멍을 가지며, 상기 관통 구멍이 상기 가스 공급 구멍과 연통된다. 이 경우, 또한, 예를 들어 상기 원형 지지 프레임이 금속으로 이루어진다.
별도로, 바람직하게는 원형 지지 프레임이 상기 플랜지의 주변 영역에 제공 되고, 상기 원형 지지 프레임이 내부 모서리로부터 외부 모서리로 연장하는 관통 구멍을 가지며, 상기 가스 공급관이 상기 관통 구멍을 관통된다. 이 경우, 또한, 예를 들어, 상기 원형 지지 프레임이 금속으로 이루어진다. 이 경우에, 상기 원형지지 프레임이 상기 가스 공급관을 상기 원형지지 프레임에 고정할 수 있는 고정 기구를 구비는 것이 바람직하다.
(실시예)
이하, 본 발명의 한 실시예에 대해 도 1 및 도 2에 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 수직 열처리 장치의 실시예의 횡단면도이다. 도 2는 도 1에 도시한 수직 열처리 장치의 주요 부분의 확대 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 수직 열처리 장치(1)는 처리 용기(3)(처리관)를 포함한다. 처리 용기(3)는 소정의 피치로 수직 적층형(vertical tier-like manner)으로 복수의 피처리체, 예를 들어, 30-50 장의 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 도구로서 보트(2)를 포함할 수 있다. 그 다음, 처리 용기(3)는 소정의 CVD 처리를 웨이퍼(W)에 수행할 수 있다. 처리 용기(3)는 석영과 같은 열 저항 재료로 이루어지고, 거의 수직 원통형 형상을 갖는다. 처리 용기(3)의 하부 끝단은 노 개방부 (furnace opening)로서 개방부(4)를 구비한다. 플랜지(5)는 개방부(4)의 주변부에 일체로 형성된다. 가스 공급 장치(6)는 처리 용기(3)내로 처리 가스 또는 정화용 N2 가스와 같은 불활성 가스를 도입하기 위해 플랜지(5)에 제공된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 가스 공급 장치(6)는, 방사 방향으로 플랜지(5)에 형성된 가스 공급 구멍(7), 이 플랜지(5)의 외부 주변부에 제공되고, 스테인레스 강과 같은 금속으로 이루어진 원형지지 프레임(8), 및 가스 공급 구멍(7)과 가스 공급 라인(9)을 접속하기 위해 원형 지지 프레임(8)에 제공된 가스 공급 포트(10)(고정 기구)를 갖는다. 가스 공급 구멍(7)이 이곳에 형성되기 때문에 플랜지(5)의 두께는 종래의 것보다 두껍다. 실질적으로, 플랜지(5)에서, 다양한 가스에 각각 대응하는 복수의 가스 공급 구멍(7)이 주변 방향에 적절한 간격으로 형성된다.
원형 지지 프레임(8)은 플랜지(5)의 외부 주변부를 둘러싼다. 원형 지지 프레임(8)은 플랜지(5)의 외부 주변부의 하부 표면을 지지하기 위해 그 하부 부분에 지지부(8a)를 갖는다. 원형 지지 프레임(8)은 현수봉(suspending rod : 13)을 경유하여 히터(11)의 베이스 플레이트(12)의 하부 표면에 부착된다. 히터(11)의 베이스 플레이트(12)는 지지 부재(16)를 경유하여 중앙 개방부(14)를 갖는 베이스 플레이트 (15)의 상부 표면에 부착된다. 부가적으로 플랜지(5)의 상부 주변 표면을 고정 및 위치 설정할 수 있는 플랜지 위치설정기(flange positioner : 17)는 적절한 나사와 같은 패스닝 수단에 의해 원형 지지 프레임(8)의 상부 부분에 배치된다.
가스 공급 구멍(7)의 수와 동일한 수의 가스 공급 포트(10)는 각각의 가스 공급 포트(10)가 가스 공급 구멍(7)과 연통하고, 방사 방향으로 외부로 돌출하는 방식으로 원형 지지 프레임(8)에 제공된다. 가스의 각 형태에 대응하는 각각의 가스 공급 라인(9)은 박스 형 너트(box nut : 18)를 경유하여 각각의 가스 공급 포트(10)에 접속된다. 각각의 가스 공급 라인(9)은 밸브 및 흐름량 조절 기구 (flow-rate adjusting mechanism)를 경유하여 각각의 가스원에 접속된다. L 자형 인젝터(19)는 처리 용기(3)내의 웨이퍼(W)에 각각 가스를 공급하기 위해 각각의 가스 공급 구멍(7)을 통해 삽입된다. 여기서, 인젝터(19)는 반드시 L 자형일 필요는 없다.
인젝터(19)의 베이스 부분(19a)은 수평방향으로 연장한다. 인젝터(19)의 포인트 부분(19b)은 수직으로 직립한다. 인젝터(19)의 베이스 부분(19a)은 처리 용기(3)의 내측으로부터 원형지지 프레임(8)의 가스 공급 포트(10)의 부근으로 가스 공급 구멍(7)을 통해 삽입된다. 예를 들어 플로로화 고무(fluoride rubber)로 이루어진 O-링(20)은 플랜지(5)와 원형지지 프레임(8)사이의 갭 및 이들과 인젝터(19)사이의 갭을 밀봉하기 위해 플랜지(5)와 원형 지지 프레임(8)사이의 인젝터(19)의 베이스 부분(19a)에 배치된다. 박스형 너트(18)는 가스 공급 라인(9)의 끝단부의 외부 표면 위에 제공된다. 박스형 너트(18)는 원형 잠금 소자(21)에 회전가능하게 체결되고 위치설정되며, 가스 공급 포트(10)와 체결(패스닝)되도록 적용된다. 가스 공급 라인(9)의 삽입부분(22)은 원형 잠금 소자(21) 및 박스 너트(18)로부터 돌출하여, 가스 공급 포트(10)를 통해 O-링(20)과 접촉하도록 적용된다.
거의 원뿔 정점부(3a)는 처리 용기(3)의 상부 끝단에 형성된다. 배출 포트(23)는 처리 용기(3)로부터 가스를 배출하기 위해 정점부(3a)의 중앙부에 형성된다. 배출 포트(discharging port : 23)는 배출 시스템의 배출관에 접속되는데, 이곳에는 처리 용기(3)내에 바람직한 레벨로 진공을 형성할 수 있는 진공 펌프 및 압력-제어 기구(도시하지 않음)를 포함한다. 히터(11)는 처리 용기(3)내의 웨이퍼(W)를 가열하기 위해 처리 용기(3)를 둘러싼다. 예를 들어, 히터(11)는 저항 가열 소자에 의해 형성된다. 베이스 플레이트(12)는 히터(11)의 하부 끝단부에 배치된다.
처리 용기(3)의 아래에, 리드(캡)(24)는 리드(24)가 수직 방향으로 이동가능하고, 플랜지(5)의 하부 끝단과 접촉함으로써, 개방부(4)(노 개방부)를 기밀하게 폐쇄할 수 있는 방식으로 배열된다. 리드(24)는 예를 들어 석영으로 이루어진다. 냉각 구조를 갖는 냉각 플레이트(25)가 리드(24) 하부에 배치되는 것이 바람직하다. 리드(24)의 반대 접촉 표면과 플랜지(5)사이의 갭을 기밀하게 밀봉하기 위해, 일본국 특개평 제11-97447호에 기술한 밀봉 구조(밀봉 장치)가 제공된다. 밀봉 구조는 내부 반대 접촉 표면이 표면-접촉 밀봉을 달성하기 위해 미러 종단 표면내에서 끝나는 내부 밀봉 부분(26) 및 원형 금속 시트(도시하지 않음)가 외부 반대 접촉 표면들 사이에 삽입되고, 금속 시트가 외부 반대 접촉 표면들 사이에 형성된 원형 그로브(groove : 도시하지 않음)를 경유하여 진공 흡입에 의해 고정된 외부 밀봉 부분(27), 및 내부 밀봉 부분(26)과 외부 밀봉 부분(27)사이에 형성되어 내부 밀봉 부분(26)의 밀봉 성능을 유지하기 위해 진공 흡입용으로 사용되는 원형 그로브(28)를 포함한다. 외부 밀봉 부분(27)은 통상의 O-링 밀봉으로 대체될 수 있다.
회전가능한 테이블(29)은 보트(2)가 소정 높이로 배치된 회전 스테이지로서 리드(24)의 상부 부분상에 배열된다. 테이블(29)을 회전하기 위한 회전 기구(30)는 리드(24)하부에 배치된다. 회전 테이블(29)은 리드(24)의 중앙 부분으로부터 직립하는 회전가능한 프로프(rotatable prop : 31)를 갖는다. 회전 기구(30)는 도시 하지 않은 모터 및 모터의 회전력을 회전 테이블(29)에 전송할 수 있는 회전 전송부(32)로 주로 이루어진다. 회전 전송부(32)는 회전 샤프트(33)를 갖는데, 이것은 모터의 회전력이 리드(24)의 하부 측면으로부터 기밀한 방식으로 리드(24)의 하부 측면으로 전송될 수 있는 방식으로 회전 테이블(29)의 회전가능한 프로프(31)에 접속된다.
부가적으로, 열-보유 장치(34)는, 노 개방부(4)로부터 열의 방사에 의해 발생될 수 있는 온도 강하를 방지하기 위해 리드(24)에 배치된다. 열 보유 장치(34)는 회전가능한 테이블(29)하부에 배열되고 저항 가열 소자에 의해 형성된 평면 히터(35), 및 리드(24)의 상부 표면에 대해 소정의 높이로 히터(35)를 지지하고 석영으로 제조된 원형 지지부재(36)로 주로 이루어진다. 회전 테이블(29)의 회전가능한 프로프(31)는 히터(35)의 중앙부분을 느슨하게 통과한다.
처리 용기(3)하부에, 승강 기구(도시하지 않음)는 개방부(4)를 개폐하고, 처리 용기(3)내로 및 처리 용기(3)로부터 보트(2)를 로드 및 언로드하기 위해 리드 (24)를 상하로 이동하도록 배치된다. 승강 기구는 동작 영역으로서 로딩 영역(37)에 배치된다. 로딩 영역(37)은 로드 잠금 구조로 형성될 수 있다.
이하, 상술한 수직 열 처리 장치의 동작을 설명한다. 우선, 웨이퍼(W)가 배치된 보트(2)는 로딩 영역(37)내의 리드(24)상의 회전 테이블(29)상에 배치된다. 이 때, 리드(24)는 승강 기구에 의해 위로 이동되므로, 보트(2)는 개방부(4)를 통해 처리 용기(3)내로 로드된다. 이 때, 개방부(4)는 리드(4)에 의해 기밀하게 폐쇄된다. 그 다음, 소정의 압력 또는 진공은 배출 포트(23)를 통해 배출에 의해 처 리 용기(3)에 형성된다. 부가적으로 소정의 처리 온도는 히터(11)에 의해 제공된다. 한편, 회전 테이블(29)이 회전되어서, 보트(2)가 회전된다. 이 때, 처리 가스는 가스 공급 장치(6)를 경유하여 처리 용기(3)내로 도입되어, CVD 처리와 같은 소정의 열 처리가 웨이퍼(W)에 시작된다.
소정의 열 처리가 완료된 후, 히터(11)의 전원은 오프로 되고, 처리 가스의 도입은 정지되며, 불활성 가스가 처리 용기(3)를 정제하기 위해 도입된다. 이 때, 회전가능한 테이블(29)의 회전은 정지되고, 리드(24)는 처리 용기(3)의 개방부(4)가 개방되고, 보트(2)가 로딩 영역(37)으로 언로드되도록 아래로 이동된다.
상기 수직 열 처리 장치(1)에 따르면, 처리 가스를 처리 용기(3)내로 도입하기 위한 가스 공급 장치(6)가 처리 용기(3)의 플랜지(5)에 제공되기 때문에, 장치(1)의 높이는 현저히 낮아질 수 있다. 부가적으로, 가스 공급 장치(6)의 강도는 향상될 수 있고, 처리 용기(3)의 구조는 간단해질 수 있어서 장치(1)의 성능은 개량될 수 있다.
즉, 처리 용기의 플랜지(5)에 가스 공급 장치(6)를 제공함으로써, 처리 용기 (3)의 측벽에 가스 공급 장치 또는 매니폴드를 제공할 필요가 없게 된다.
그러므로, 처리 용기(3)의 높이 및 장치(1)의 높이는 감소될 수 있다. 부가적으로, 처리 용기(3)의 구조는 간단해질 수 있어서, 장치(1)는 용이하게 및 적은 비용으로 제조 및 유지될 수 있다. 더욱이, 매니폴드가 사용되지 않기 때문에, 냉각 부분이 없어져서, 열 효율이 개량될 수 있다. 부가적으로 장치의 높이에 대한 제한이 없기 때문에, 보트(2)상의 웨이퍼(W)상의 피치는 처리 성능이 개선될 수 있도록 확대될 수 있다.
특히, 가스 공급 장치(6)는 방사 방향으로 플랜지(5)에 형성된 복수의 가스 공급 구멍(7), 플랜지 (5)의 외부 주변 부분에 제공되고, 금속으로 이루어진 원형 지지 프레임(8), 및 가스 공급 구멍(7)과 가스 공급 라인(9)을 각각 접속하기 위한 원형지지 프레임(8)에 제공된 가스 공급 포트(10)(고정 기구)를 갖는다. 그러므로, 가스 공급 장치(6)의 강도는 보다 향상될 수 있다. 그러므로, 밸브 등이 가스 공급 라인(9)에 부착되는 경우에도, 가스 공급 장치(6)는 로드에 견딜 수 있다. 즉, 가스 공급 장치(6)의 내구력은 개량될 수 있다.
부가적으로, 인젝터(19)는 웨이퍼(W)에 처리 가스 등을 공급하기 위해 각각의 공급 구멍(7)을 통해 삽입될 수 있다. 그러므로, 처리 가스 등이 플랜지(5)의 가스 공급 장지(6)로부터 웨이퍼(W)에 효과적으로 공급될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예에 의해 제한되지 않고, 다양한 형태로 변형될 수 있다. 예를 들어, 원형지지 프레임이 처리 용기의 플랜지에 제공되고 있을지라도, 원형지지 프레임 경우에 따라서는 제공되지 않을 수 있다. 이러한 경우에 있어서, 가스 공급 장치는 방사 방향으로 플랜지에 형성된 가스 공급 구멍 및 가스 공급 구멍과 가스 공급 라인을 접속하기 위한 플랜지에 제공된 가스 공급 포트(고정 기구)를 갖는 것이 바람직하다.
상술한 실시예에 있어서, CVD 처리가 열처리의 한 예로서 설명되었다. 그러나, 본 발명의 열처리 창치는 CVD 처리, 확산 처리, 산화 처리, 어닐링 처리 등에 응용될 수 있다. 피처리체는 반도체 웨이퍼 대신에 유리 기판, LCD 기판일 수 있다.

Claims (14)

  1. 피처리체를 수납할 수 있고, 개방부를 구비한 하부 끝단을 갖는 처리용기와,
    상기 개방부를 개폐할 수 있는 리드와,
    상기 개방부에 위치하고, 그 높이보다 더 큰 사이즈의 높이와 폭을 가지는 플랜지와,
    상기 플랜지는 폭 방향으로 연장되는 내부 가스공급구멍을 가지도록 형성되고,
    상기 플랜지에 위치하여 가스를 상기 처리용기에 공급하는 가스공급장치와,
    상기 피처리체를 가열하여 상기 처리용기에 수납되도록 하는 가열기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 가스공급장치는 상기 플랜지의 외부 모서리로부터 상기 처리용기의 내측으로 연장하는 가스공급구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 처리용기가 원통형이고, 상기 플랜지가 원형이며, 상기 가스공급구멍이 상기 플랜지의 방사 방향으로 연장하여 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 가스 공급관이 상기 처리용기 내로 연장하도록 상기 가스 공급구멍을 통해 삽입되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 플랜지가 상기 가스 공급관을 상기 플랜지에 고정할 수 있는 고정 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 가스 공급관이 가스 공급 라인에 기밀하게 접속되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 원형 지지 프레임이 상기 플랜지의 주변 영역에 제공되고, 상기 원형 지지 프레임이 내부 모서리로부터 외부 모서리로 연장하는 관통 구멍을 가지며, 상기 가스 공급관이 상기 관통 구멍을 관통하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 원형 지지 프레임이 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 원형지지 프레임이 상기 가스 공급관을 상기 원형지지 프레임에 고정할 수 있는 고정 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  10. 제 2 항에 있어서, 원형 지지 프레임이 상기 플랜지의 주변 영역에 제공되고, 상기 원형 지지 프레임이 내부 모서리로부터 외부 모서리로 연장하는 관통 구멍을 가지며, 상기 관통 구멍이 상기 가스 공급 구멍과 연통하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 원형 지지 프레임이 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 원형 지지 프레임이 상기 플랜지의 주변 영역에 제공되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 원형 지지 프레임이 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  14. 피처리체를 수납하여 처리할 수 있고, 개방부를 구비한 하부 끝단을 갖는 처리용기와,
    상기 개방부를 개폐할 수 있는 리드와,
    가스공급장치와 상기 처리용기를 연결하는 연결수단과,
    상기 피처리체를 가열하여 상기 처리용기에 수납되도록 하는 가열기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
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