JP4924395B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
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Description
従って、上述したように、誘導加熱を用いることによって処理容器自体を加熱することなく被処理体を加熱するようにし、もって消費エネルギーを抑制し、処理容器の内面に不要な付着膜等が堆積することを防止し、更には被処理体の高速昇温及び高速降温を行うことができる。
また例えば請求項3に記載したように、前記被処理体は、円板状になされており、前記誘導発熱体は前記被処理体よりも直径が大きな円板状になされている。
また例えば請求項5に記載したように、前記複数のリング部材は、前記被処理体を保持するために内径が小さくなされたリング部材と、該リング部材より内径が大きくなされて前記誘導発熱体を保持するためのリング部材とを含む。
処理容器の外周に巻回した誘導加熱用コイル部からの高周波により処理容器内に設けた誘導発熱体を誘導加熱し、この誘導加熱された誘導発熱体に接近させて被処理体を配置することにより被処理体を加熱することができる。
従って、上述したように、誘導加熱を用いることによって処理容器自体を加熱することなく被処理体を加熱するようにし、もって消費エネルギーを抑制し、処理容器の内面に不要な付着膜等が堆積することを防止し、更には被処理体の高速昇温及び高速降温を行うことができる。
図1は本発明に係る処理装置の一例を示す構成図、図2は処理容器を示す断面図、図3は被処理体と誘導発熱体を支持する保持手段の動作を示す動作説明図、図4は処理容器の下端部の回転機構を示す拡大断面図である。ここでは熱処理として例えば成膜処理を例にとって説明する。
次に、半導体ウエハWを加熱するための上記誘導発熱体Nとしての適格性について検討したので、その評価結果について説明する。
ρ:誘導発熱体の抵抗率(μΩ・cm)
μ:誘導発熱体の比透磁率(非磁性体ではμ=1)
f:周波数(Hz)
尚、SiCではμ=1である。
図5において、横軸には誘導発熱体の断面の中心からの距離を採っており、縦軸には電流密度比を採っている。そして、誘導発熱体の外周面(左右の縦軸に対応)に誘導加熱用コイル部104が巻回されていることになる。ここでは、電流密度比の基準として周縁部(距離”−20”と”+20”)の電流値を基準としている。
図6はガラス状炭素の電流密度比とその周波数依存性を示すグラフであり、図7は導電性SiCの電流密度比とその周波数依存性を示すグラフである。ここでは、図5で示したような重ね合わせ電流Ioのみを示している。また、図5に示したと同様に各グラフの横軸には誘導発熱体の断面の中心からの距離を採っており、縦軸には電流密度比を採っている。
また上記実施例では、誘導発熱体Nの形状は平板状としたが、これに限定されず、図8に示す誘導発熱体Nの断面形状に示すように、ウエハWの温度分布に応じて誘導発熱体Nの中央部を凸状に突出させてウエハWとの間の距離を周辺部と比較して小さくするようにしてもよく(図8(A)参照)、逆に、中央部を凹状に窪ませてウエハWとの間の距離を周辺部と比較して大きくするようにしてもよい。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
22 処理容器
24 保持手段
30 昇降機構
34 第1の保持ボート
36 第2の保持ボート
42A〜42C 支柱
44 溝部
50A〜50C 支柱
52 溝部
54 回転機構
90 ガス供給手段
92 第1のガスノズル
94 第2のガスノズル
102 排気系
104 誘導加熱用コイル部
106 金属製パイプ
110 高周波電源
116 冷却器
N 誘導発熱体
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (6)
- 被処理体に対して熱処理を施す処理装置において、
排気可能になされて複数の前記被処理体を収容することができる縦長の処理容器と、
前記処理容器の外周に巻回された金属製パイプを有すると共に、前記金属製パイプが前記金属製パイプ内に冷媒を流すための冷却器に接続されているようになされた誘導加熱用コイル部と、
前記誘導加熱用コイル部に高周波電力を印加する高周波電源と、
前記処理容器内へ必要なガスを導入するガス供給手段と、
複数の支柱を有すると共に前記支柱間に前記被処理体と前記誘導加熱用コイル部からの高周波により誘導加熱される誘導発熱体とを保持するための複数のリング部材を接合させて設け、前記被処理体と前記誘導発熱体とを交互に保持した状態で前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
を備えたことを特徴とする処理装置。 - 前記保持手段は、回転可能に設けられていることを特徴とする請求項1記載の処理装置。
- 前記被処理体は、円板状になされており、前記誘導発熱体は前記被処理体よりも直径が大きな円板状になされていることを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。
- 前記誘導発熱体は、導電性セラミック材、グラファイト、ガラス状炭素、導電性石英、導電性シリコンよりなる群から選択される1以上の材料よりなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記複数のリング部材は、前記被処理体を保持するために内径が小さくなされたリング部材と、該リング部材より内径が大きくなされて前記誘導発熱体を保持するためのリング部材とを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の処理装置。
- 被処理体に熱処理を施す処理方法において、
排気が可能になされた縦長の処理容器内に、複数の前記被処理体と高周波により誘導加熱される複数の誘導発熱体とを保持手段に設けたリング部材により互いに交互に保持した状態で挿入し、
前記処理容器内へ必要なガスを導入しつつ前記処理容器の外周に巻回した金属製パイプを有する誘導加熱用コイル部から高周波を加えることにより前記誘導発熱体を誘導加熱し、該加熱された前記誘導発熱体により前記被処理体を加熱して前記熱処理を施すと共に前記処理容器を冷却するために前記金属製パイプに冷媒を流すようにしたことを特徴とする処理方法。
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