KR101392379B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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cooling
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송병규
김경훈
김용기
신양식
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주식회사 유진테크
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판처리장치는 외부로부터 이송된 기판을 수용하는 내부공간을 가지며, 상기 내부공간에서 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정챔버; 상기 공정챔버의 측벽을 따라 설치되며, 상기 내부공간의 둘레에 배치되어 상기 기판을 가열하는 열선히터; 상기 열선히터 사이에 배치되어 상기 공정챔버의 측벽을 따라 설치되며, 외부로부터 공급된 냉매가 흐르는 냉각튜브를 포함한다.

Description

기판처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING BUBSTRATE}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정챔버 내부에 설치된 히터 및 공정챔버 내부의 온도를 용이하게 냉각 가능한 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 기판처리장치는 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 박막에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리 단계를 포함하는 장치이다.
대표적으로, 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우, 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다. 이와 같은 결정화 공정을 수행하기 위해서는 소정의 박막이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능하여야 하며, 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위한 공정온도는 최소한 550 내지 600도의 온도가 필요하다.
이러한 기판처리장치에는 하나의 기판에 대하여 기판에 대한 공정을 수행할 수 있는 매엽식(single wafer type)과 복수개의 기판에 대하여 기판처리를 수행할 수 있는 배치식(batch type)이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나, 생산성이 떨어지는 단점으로 인해 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다.
한국등록특허공보 10-0472341호. 2005. 07. 05.
본 발명의 목적은 기판을 가열하는 히터 및 공정챔버 내의 온도를 용이하게 냉각시키는 데 있다.
본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판처리장치는 외부로부터 이송된 기판을 수용하는 내부공간을 가지며, 상기 내부공간에서 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정챔버; 상기 공정챔버의 측벽을 따라 설치되며, 상기 내부공간의 둘레에 배치되어 상기 기판을 가열하는 열선히터; 상기 열선히터 사이에 배치되어 상기 공정챔버의 측벽을 따라 설치되며, 외부로부터 공급된 냉매가 흐르는 냉매튜브를 포함한다.
상기 공정챔버는 상기 공정챔버의 일측에 형성되어 상기 냉매튜브가 인입되는 인입구를 가지며, 상기 기판처리장치는, 상기 인입구에 설치된 상기 냉매튜브에 연결되어 상기 냉매를 공급하는 공급라인을 더 포함할 수 있다.
상기 기판처리장치는, 상기 내부공간에 설치되어 내부와 외부를 구획하며, 내부에 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정공간이 형성되는 내부반응튜브를 더 포함하되, 상기 냉매튜브는 상기 내부반응튜브의 외부를 향해 냉매를 분사하는 복수개의 분사홀들을 가질 수 있다.
상기 기판처리장치는, 상기 공정챔버의 상부에 형성된 배기홀과 연통되며, 상기 분사홀을 통해 분사되는 냉매를 외부로 배기하는 배기포트를 더 구비할 수 있다.
상기 분사홀은 상향경사지게 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기설정된 온도로 승온된 공정챔버의 온도를 용이하게 냉각시킬 수 있다. 따라서, 기판에 대한 공정의 효율성을 증가시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 기판홀더가 공정위치로 전환된 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시한 공정챔버를 확대한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시한 분사홀의 배치위치를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 내지 도 5를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다. 또한, 실시예에서 설명하는 기판(W) 외에 다양한 피처리체에도 응용될 수 있음은 당업자로서 당연하다.
통상적으로 기판처리장치에는 하나의 기판에 대하여 기판에 대한 공정을 수행할 수 있는 매엽식(single wafer type)과 복수개의 기판에 대하여 기판처리를 수행할 수 있는 배치식(batch type)이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나, 생산성이 떨어지는 단점으로 인해 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다.
이와 같은, 기판처리장치는 결정화 공정을 수행하기 위해서는 소정의 박막이 형성되어 있는 기판의 히팅을 위해 히터가 설치되며, 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위한 공정온도는 최소한 약 550 내지 600도의 챔버 내부의 온도가 필요하며, 각각의 공정에 요구되는 공정온도는 상이하다. 또한, 반도체 소자는 기판, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 증착, 사진(패턴형성), 식각 및 세정공정 등을 반복적으로 수행함으로써 제조될 수 있다.
이러한 각각의 공정을 위해서는 고온으로 승온시켜 공정을 진행한 후, 다시 기판의 다른 공정을 위해 챔버 내부에 설치된 히터의 전원을 차단하여 자연 냉각시켜 다음 공정을 준비한다. 즉, 다음 공정에 필요한 온도까지 챔버 내부의 온도를 냉각시키는데 오랜 시간이 소요되며, 이는 기판에 대한 공정을 진행하는데 있어서 가동률이 저하되어 생산성이 떨어지는 문제점이 발생하였다. 따라서, 이하에서는 공정챔버 내부의 온도를 용이하게 냉각가능한 기판처리장치에 대해 설명하기로 한다.
먼저, 본 발명에서 처리될 수 있는 기판의 종류는 특별하게 제한되지 아니한다. 따라서, 반도체 공정 전반에서 일반적으로 이용되는 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸, 사파이어 등 다양한 재질의 기판이 본 발명의 기판처리장치에서 처리될 수 있다. 또한, 본 발명에서 기판을 처리한다 함은 기판 그 자체뿐만 아니라 기판 상에 형성된 소정의 막 또는 패턴 등을 처리하는 경우를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
또한, 본 발명의 기판처리장치의 용도 또한 특별히 제한되지 아니한다. 따라서 본 발명의 기판처리장치를 이용하여 전반적인 반도체공정, 예를 들어, 증착공정, 식각공정, 표면개질공정 등이 수행될 수 있다. 뿐만 아니라, 이하에서는 발명의 주요한 구성요소에 대해서만 설명하며, 이용되는 목적에 따라 다양한 구성요소들이 본 발명의 기판처리장치에 추가적으로 포함할 수 있음은 자명하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 2는 도 1에 기판홀더가 공정위치로 전환된 상태를 나타내는 도면이다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판처리장치(100)는 상부가 개방된 형상을 가지는 하부챔버(70)를 포함할 수 있으며, 하부챔버(70)는 기판이 이송하는 통로를 가진다. 기판은 통로를 통해 하부챔버(70)의 내부에 로딩될 수 있다. 게이트 밸브(도시안함)는 통로의 외측에 설치되며, 통로는 게이트 밸브에 의해 개방 및 폐쇄될 수 있다.
기판처리장치(100)는 복수의 기판들이 적재되는 기판홀더(보트(boat)(60)라고도 함)는 복수의 기판들을 수용하며, 기판들은 기판홀더(60) 상에 상하방향으로 적재된다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판홀더(60)가 하부챔버(70)의 적재공간(72)에 위치하는 동안 기판은 기판홀더(60) 내에 적재될 수 있다. 기판홀더(60)는 회전축(77)에 연결되며, 회전축(77)은 하부챔버(70)를 관통하여 승강모터(80) 및 회전모터(75)에 연결된다. 회전모터(75)는 모터하우징(76) 상에 설치될 수 있으며, 회전모터(75)는 기판에 대한 공정이 진행되는 동안 회전축(77)을 구동하여 회전축(77)과 함께 기판 홀더(60)를 회전시킬 수 있다.
모터하우징(76)은 브래킷(78)에 고정되며, 브래킷(78)은 하부챔버(70)의 하부에 연결된 하부가이드(84) 상에 연결되어 승강로드(82)를 따라 승강한다. 브래킷은 승강로드(82)에 나사체결되며, 승강로드(82)는 승강모터(80)에 의해 회전된다. 즉, 승강모터(80)의 회전에 의해 승강로드(82)는 회전하며, 이로 인해 브래킷(78)과 모터하우징(76)은 함께 승강할 수 있다.
따라서, 회전축(77)과 기판 홀더(60)는 함께 승강할 수 있으며, 기판 홀더(60)는 승강모터(80)에 의해 적재위치 및 공정위치로 전환될 수 있다. 하부챔버(70)와 모터하우징(76) 사이에는 벨로우즈(도시안함)가 설치될 수 있으며, 이를 통해 하부챔버(70) 내부의 기밀을 유지할 수 있다.
공정챔버(20)는 기판에 대한 공정을 수행가능하도록 내부공간(22)을 가지며, 내부공간(22) 상에는 내부반응튜브(25)가 설치된다. 내부반응튜브(25)는 기판에 대한 공정이 이루어지도록 공정공간(27)을 형성하며, 공정챔버(20)의 내부공간(22)과 공정공간(27)을 구획한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 복수개의 기판을 수용하는 기판홀더(60)는 공정공간(27) 내부로 상승하여 공정위치로 전환된 경우, 기판과 공정가스 간의 공간을 최소화하여 공정을 수행할 수 있다.
기판처리장치(100)는 공정공간(27)으로 반응가스를 공급하는 복수개의 공급노즐(63) 및 배기노즐(67)을 구비할 수 있다. 공급노즐(63)은 공급구(도시안함)의 높이가 서로 상이할 수 있으며, 공급노즐(63) 및 공급구(67)는 공정공간(27)에 위치하여 적층된 기판에 반응가스를 공급할 수 있다. 또한, 배기노즐(67)은 공급노즐(63)의 반대편에 설치되어 공정 중 발생하는 미반응가스 및 반응부산물들을 외부로 배출할 수 있다.
배기노즐(67)은 제1 출력라인(90)과 연결되며, 배기노즐(67)을 통해 흡입된 미반응가스 및 반응부산물들은 제1 출력라인(90)을 통해 배출된다. 출력밸브(도시안함)는 제1 출력라인(90) 상에 설치될 수 있으며, 제1 출력라인(90)을 개폐할 수 있다. 또한, 제1 출력라인(90) 상에는 터보펌프(도시안함)가 설치되어 미반응가스 및 반응부산물들을 강제 배출할 수 있다. 하부챔버(70) 또한, 제2 출력라인(95)을 가질 수 있으며, 제2 출력라인(95)을 통해 적재공간(72)은 배기될 수 있다. 또한, 제2 출력라인(95)은 제1 출력라인(90)과 연통될 수 있다.
또한, 베이스(61)는 기판홀더(60)의 하부에 설치되며, 회전축(77)이 승강함에 따라 기판 홀더(60)와 함께 승강한다. 베이스(61)는 내부반응튜브(25)의 개방된 하부를 폐쇄하여 내부반응튜브(25) 내부의 열이 하부챔버(20) 내의 적재공간(72)으로 이동하는 것을 방지한다.
즉, 기판홀더(60)는 승강가능하며, 기판 홀더(60)의 슬롯 상에 기판이 적재되면 기판 홀더(60)는 기설정된 간격으로 상승하여 기판 홀더(60)의 다음 슬롯 상에 기판이 순차적으로 적재될 수 있다. 기판 홀더(60) 상에 기판이 모두 적재되면, 기판 홀더(60)는 공정챔버(20)의 내부로 상승하여 공정공간(27)에 배치되어 기판에 대한 공정을 진행할 수 있다.
즉, 공정챔버(20)는 하부챔버(70)로부터 이송된 기판을 수용하는 내부공간(22)을 가지며, 내부공간(22)과 공정공간(27)을 구획하는 내부반응튜브(25) 내에서 기판에 대한 공정이 이루어진다. 열선히터(5)는 공정챔버(20)의 측벽을 따라 설치되어 내부공간(22)의 둘레에 배치된다. 공정챔버(20)의 일측에는 인입구(30)가 형성되며, 인입구(30)를 통해 냉각튜브(10)가 인입될 수 있다. 또한, 공급라인(35)은 인입구(30)에 설치된 냉각튜브(10)에 연결되며, 공급라인(35)을 통해 냉각튜브(10)에 냉매를 공급할 수 있다. 따라서, 공급라인(35)은 인입구(30)에 설치된 냉각튜브(10)의 유로(도 4의 15)와 연결되어 냉매를 유로 상에 공급가능하다.
냉각튜브(10)는 열선히터(5)와 기설정된 간격으로 이격되어 공정챔버(20)의 측벽을 따라 나선형으로 설치된다. 냉각튜브(10)는 기설정된 두께를 가지는 튜브몸체(도 4의 13)와 튜브몸체의 내부에 형성되는 유로(도 4의 15)를 가진다. 냉각튜브(10)의 단면은 원형을 포함한 다각형 형상일 수 있으며, 내열성이 우수한 재료로 구성될 수 있다. 또한, 공정챔버(20)의 타측에는 인출구(도시안함)가 형성될 수 있으며, 인입구(30)를 통해 인입된 냉각튜브(10)는 인출구를 통해 인출될 수 있다.
또한, 배출라인(도시안함)은 인출구에 설치된 냉각튜브(10)에 연결되어 공정챔버(20) 내부를 통과하여 데워진 냉매를 배출할 수 있다. 인출구에 설치된 배출라인 상에는 냉매를 용이하게 배출가능하도록 펌프(도시안함)가 연결될 수 있으며, 공급라인(35) 또는 배출라인 상에는 밸브(47)가 설치되어 냉매의 개폐 및 유량을 조절할 수 있다. 이어지는 도 3 및 도 4를 통해 냉각튜브(10)의 구성 및 작동과정에 대해 설명하기로 한다.
도 3은 도 1에 도시한 공정챔버를 확대한 도면이며, 도 4는 도 3에 도시한 냉각튜브의 다른 실시예를 나타내는 도면이다. 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 튜브몸체(13) 상에는 복수개의 분사홀(17)이 형성되며, 유로(15)를 통해 공급된 냉매를 내부반응튜브(25)를 향해 분사할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 공급라인(35)은 인입구(30)에 설치된 냉각튜브(10)에 연결되며, 공급라인(35)을 통해 냉각튜브(10)에 냉매를 공급할 수 있다. 따라서, 공급라인(35)은 인입구(30)에 설치된 냉각튜브(10)의 유로(15)와 연결되어 냉매를 유로(15) 상에 공급가능하다.
냉각튜브(10)에 형성된 복수개의 분사홀(17)을 통해 내부반응튜브(25)의 외부를 향해 냉매를 분사가능하다. 냉매는 질소를 포함하는 냉매가스일 수 있으며, 분사홀(17)을 통해 분사되는 냉매를 통해 열선히터(5) 및 공정챔버(20)의 내부공간(22)의 온도를 하강시킬 수 있다. 또한, 공정챔버(20)의 상부에는 배기홀(55)이 형성되며, 배기포트(57)는 배기홀(55)과 연통되어 분사홀(17)을 통해 분사된 냉매를 외부로 배출할 수 있다.
도 4(a) 및 도 4(b)에 도시한 바와 같이, 분사홀(17)은 내부반응튜브(25)의 외부를 향해 각각 상향경사지게 배치될 수 있으며, 냉매는 상부를 향해 유동할 수 있다. 냉매가 냉각가스인 경우, 인입구(40)는 인출구(30)의 하부에 형성되어 인입구(40)를 통해 냉각가스를 공급하고 데워진 냉각가스는 배기홀(55)을 향해 원활하게 이동할 수 있는 기류를 형성하여 외부로 배출될 수 있다. 도 4(c)에 도시한 바와 같이, 상하방향에 복수개로 구비될 수 있다. 분사홀(17)이 기설정된 위치에 형성되어 냉매를 내부반응튜브(25)를 향해 분사함으로써 열선히터(5) 및 공정챔버(20) 내부의 온도를 효과적으로 냉각시킬 수 있다.
즉, 기판처리장치(100) 내에서 이루어지는 각각의 공정 진행시 설정되는 온도는 상이할 수 있다. 예를 들어, 열선히터(5)를 이용하여 기설정된 온도로 가열하여 공정챔버 내의 온도를 승온시킨 후 다음 공정을 위해 공정챔버(20) 내부의 온도를 하강시킬 경우, 열선히터(5)에 인가되는 전류의 차단과 함께 냉각튜브(10)의 분사홀(17)을 통해 냉매를 분사함으로써 열선히터(10) 및 공정챔버(20) 내부의 온도를 신속하게 하강시킬 수 있다. 따라서, 공정시간을 효과적으로 단축함으로써 기판에 대한 공정의 효율성을 증가시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 나타내는 도면이다. 이하에서는 설명의 편의상, 생략되는 구성요소 및 작동과정은 도 1 내지 도 4를 통해 설명한 기판처리장치의 설명으로 대체될 수 있으며, 차이점을 중심으로 기술하기로 한다. 도 5에 도시한 바와 같이, 공정챔버(20)의 일측 및 타측에는 각각 인입구(40)와 인출구(30)가 형성되며, 인입구(40) 및 인출구(30)를 통해 냉각튜브(10)가 인입 및 인출된다.
공급라인(45)은 인입구(40)에 설치된 냉각튜브(10)에 연결되며, 공급라인(45)을 통해 냉각튜브(10)에 냉매를 공급할 수 있다. 배출라인(35)은 인출구(30)에 설치된 냉각튜브(10)에 연결되며, 냉매가 냉각수인 경우 인입구(40)는 인출구(30)의 상부에 형성될 수 있다. 상부에 형성되는 인입구(40)로 냉각수를 공급하고 하부에 형성된 인출구(30)로 배출함으로써 냉각수의 하중을 이용하여 냉각수의 유동을 원활하게 할 수 있다.
또한, 공급라인(45)은 인입구(40)에 설치된 냉각튜브(10)의 유로(도 4의 15)와 연결되어 냉매를 유로(도 4의 15) 상에 공급가능하다. 또한, 인출구(30)에 설치된 냉각유로(10)에 배출라인(35)이 연결되어 공정챔버(20) 내부를 통과하여 데워진 냉매를 배출할 수 있다. 기판처리장치(100)는 앞서 설명한 공정챔버(20)에 형성된 배기홀(도 1의 55) 및 냉각튜브의 분사홀(도 4의 17)을 가지지 않을 경우, 공급라인(45)을 통해 공급된 냉매는 배출라인(35)을 통해 전량 배출될 수 있으며, 냉매가 냉각가스인 경우, 인입구(40)는 인출구(30)의 하부에 형성되어 냉각가스의 가열에 의한 비중 차이를 이용하여 냉각가스를 원활하게 배출할 수 있다.
뿐만 아니라, 냉매가 냉각수인 경우, 공급라인(45)과 배출라인(35)은 칠러(chiller)(50)에 연결될 수 있으며, 공정챔버(20) 내부를 통과하여 데워진 냉매는 배출라인(35)을 통해 칠러(50)로 유동하며, 칠러(50)에 의해 냉각된 냉각수는 공급라인(45)을 통해 순환될 수 있다. 반면, 냉매가 냉각가스인 경우에는 칠러(50)가 제거된 상태에서 데워진 냉매는 배출라인(35)을 통해 대기로 방출될 수 있다.
따라서, 본 발명은 기판처리장치(100)의 각기 다른 공정을 진행시, 설정되는 온도가 상이할 수 있다. 즉, 기설정된 온도로 열선히터(5)를 가열하여 공정챔버(20) 내의 온도를 승온시킨 후, 다음 공정을 위해 공정챔버(20) 내부의 온도를 하강시킬 경우, 열선히터(5)에 인가되는 전류의 차단 및 냉각튜브(10)에 냉매를 공급함으로써 공정챔버(20) 내부의 온도를 신속하게 하강시켜 공정시간을 단축함으로써 기판에 대한 공정의 효율성 및 생산성을 증대시킬 수 있다.
본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.
5 : 열선히터 10 : 냉각튜브
13 : 튜브몸체 15 : 유로
17 : 분사홀 20 : 공정챔버
22 : 내부공간 25 : 내부반응튜브
27 : 공정공간 30 : 인입구
35 : 공급라인 60 : 기판홀더
70 : 하부챔버 72 : 적재공간
80 : 승강모터 90 : 제1 출력라인

Claims (5)

  1. 외부로부터 이송된 기판을 수용하는 내부공간을 가지며, 상기 내부공간에서 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정챔버;
    상기 공정챔버의 측벽을 따라 설치되며, 상기 내부공간의 둘레에 배치되어 상기 기판을 가열하는 열선히터;
    상기 열선히터 사이에 배치되어 상기 공정챔버의 측벽을 따라 설치되며, 외부로부터 공급된 냉각가스가 흐르는, 그리고 상기 내부공간을 향해 상기 냉각가스를 분사하는 복수개의 분사홀들을 가지는 냉각튜브를 포함하는, 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공정챔버는 상기 공정챔버의 일측에 형성되어 상기 냉각튜브가 인입되는 인입구를 가지며,
    상기 기판처리장치는,
    상기 인입구에 설치된 상기 냉각튜브에 연결되어 상기 냉각가스를 공급하는 공급라인을 더 포함하는, 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판처리장치는,
    상기 내부공간에 설치되어 내부와 외부를 구획하며, 내부에 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정공간이 형성되는 내부반응튜브를 더 포함하되,
    상기 분사홀들은 상기 내부반응튜브의 외부를 향해 상기 냉각가스를 분사하는, 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판처리장치는,
    상기 공정챔버의 상부에 형성된 배기홀과 연통되며, 상기 분사홀들을 통해 분사된 상기 냉각가스를 외부로 배기하는 배기포트를 더 구비하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 분사홀들은 상향경사지게 배치되는 기판처리장치.
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