KR101796294B1 - 기판처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판처리 장치(10)가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리 장치(10)는, 적어도 하나의 기판(50)이 로딩/언로딩되는 적어도 하나의 슬롯(s)과, 기판처리 공간을 제공하는 챔버(105)를 포함하는 본체(100), 및 슬롯(s)을 개폐하고, 에어 분사부(115)를 구비하는 적어도 하나의 도어(110, 120)를 포함하며, 슬롯(s)이 개방되도록 도어(110, 120)가 위치하면, 에어 분사부(115)에서 에어(A)를 분사하여 슬롯(s) 전방에 에어 커튼을 형성하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판처리 장치 {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 슬롯이 개방되면 에어 분사부에서 에어를 분사하여 슬롯 전방에 에어 커튼을 형성함으로써, 외기의 유입을 방지하고, 챔버 내부의 열 손실을 최소화 하여 기판처리 공정의 효율성을 향상시킨 기판처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 기판처리 장치는 하나의 기판을 처리하는 매엽식(Single Substrate Type)과 복수의 기판을 처리하는 배치식(Batch Type)이 있다. 매엽식 기판처리 장치는 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어, 대량 생산에는 배치식 기판처리 장치가 많이 사용된다.
도 1은 종래의 배치식 기판처리 장치(10')의 구성을 나타내는 사시도이다.
도시된 바와 같이, 종래의 배치식 기판처리 장치(10')는 기판처리 공간을 제공하는 챔버(105')를 포함하는 본체(100'), 챔버(105')에 로딩되는 복수개의 기판(미도시), 본체(100')의 전면에 배치되는 도어 유닛(110')을 포함한다. 도어 유닛(110')은 상하로 슬라이딩하면서 본체(100')의 전면에 형성된 출입구(101')를 개폐할 수 있다.
종래의 배치식 기판처리 장치(10')는 하나의 도어 유닛(110')이 하나의 출입구(101')만을 개폐하기 때문에, 출입구(101')를 열 때 챔버(105')의 대부분의 공간이 외부에 노출되어, 처리가 완료된 기판(50')을 언로딩시에 챔버(105') 내부의 열이 외부로 모두 손실되는 문제점이 있었다. 특히, 기판처리 중에 소수의 기판(50')만을 언로딩 해야 하는 경우까지 도어 유닛(110')을 슬라이딩 시켜 출입구(101') 전체를 열어야 하므로, 낮아진 챔버(105') 내부의 온도를 공정에 필요한 온도까지 다시 올리기 위해 전력을 낭비해야 하는 문제점이 있었다.
한편, 도어 유닛(110')을 작게 만들거나, 하나의 기판(50') 당 하나의 도어 유닛(110')을 별개로 작동시킨다고 해도 기판(50')의 로딩/언로딩 시에 챔버(105') 내부의 열이 외부로 손실되는 것을 근본적으로 막기는 어려는 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 슬롯을 개별적으로 개폐하여 챔버의 열 손실을 줄일 수 있는 기판처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 슬롯이 개방된 경우에도 챔버로의 외기의 유입을 방지하고, 챔버의 열이 외부로 유출되는 것을 방지하여, 챔버의 열 손실을 최소화하는 기판처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 챔버의 열 손실을 최소화하여 챔버 내부를 가열하기 위한 시간을 단축시키고, 기판처리 공정의 효율성을 향상시킨 기판처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치는, 적어도 하나의 기판이 로딩/언로딩되는 적어도 하나의 슬롯과, 기판처리 공간을 제공하는 챔버를 포함하는 본체; 및 상기 슬롯을 개폐하고, 에어 분사부를 구비하는 적어도 하나의 도어를 포함하며, 상기 슬롯이 개방되도록 도어가 위치하면, 상기 에어 분사부에서 에어를 분사하여 상기 슬롯 전방에 에어 커튼을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 에어 분사부는 상기 슬롯이 형성된 방향과 평행한 방향으로 상기 에어를 분사할 수 있다.
상기 슬롯에 상기 에어 커튼을 형성하여 상기 챔버 내부로의 외기 유입을 방지할 수 있다.
상기 도어는 상기 슬롯의 전면 출입구에 설치되어 회전축을 기준으로 스윙할 수 있다.
상기 에어 분사부는 상기 에어가 분사되는 복수의 에어 분사홀을 포함할 수 있다.
상기 에어 분사홀은 상기 도어의 후면에 형성될 수 있다.
상기 도어가 스윙하면서 상기 슬롯이 개방될 때, 상기 에어 분사홀에서 상기 슬롯이 형성된 방향과 평행한 방향으로 상기 에어가 분사되도록 상기 에어의 분사 각도가 조절될 수 있다.
상기 도어는 전후방향 및 상하방향으로 슬라이딩 가능하게 설치되어 상기 슬롯을 개폐할 수 있다.
상기 에어 분사부는 상기 에어가 분사되는 복수의 에어 분사홀을 포함하고,
상기 에어 분사홀은 상기 도어의 상측면 또는 하측면에 배열 형성되거나, 상기 도어의 후면의 테두리에 배열 형성될 수 있다.
상기 챔버 내부의 압력을 감지하는 압력 센서를 더 포함하고, 상기 슬롯이 개방되어 상기 챔버 내부의 압력이 변화하면, 상기 에어 분사부에서 상기 에어를 분사할 수 있다.
상기 슬롯의 개폐 여부를 감지하는 개폐 센서를 더 포함하고, 상기 슬롯이 개방되도록 도어가 구동하면, 상기 에어 분사부에서 상기 에어를 분사할 수 있다.
상기 도어의 후면에는 열 반사판이 설치될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 슬롯을 개별적으로 개폐하여 챔버의 열 손실을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 슬롯이 개방된 경우에도 챔버로의 외기의 유입을 방지하고, 챔버의 열이 외부로 유출되는 것을 방지하여, 챔버의 열 손실을 최소화 할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 챔버의 열 손실을 최소화하여 챔버 내부를 가열하기 위한 시간을 단축시키고, 기판처리 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 배치식 기판처리 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판이 적층된 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도어 및 에어 분사부의 구성을 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬롯 전방에 에어 커튼을 형성하는 과정을 나타내는 부분 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도어의 구성을 나타내는 사시도 및 측단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도어 및 에어 분사부의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬롯 전방에 에어 커튼을 형성하는 과정을 나타내는 측단면도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 하여 과장되어 표현될 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 기판은 LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 기판처리 장치는 매엽식 기판처리 장치, 배치식 기판처리 장치를 모두 포함하는 의미로 이해될 수 있다. 다만, 이하에서는 배치식 기판처리 장치를 상정하여 설명한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 기판처리 공정이란 증착 공정, 열처리 공정 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있다. 다만, 이하에서는 열처리 공정으로 상정하여 설명한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 배치식 기판처리 장치를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(10)의 구성을 나타내는 분해 사시도, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판(50)이 적층된 구성을 나타내는 사시도, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도어(110) 및 에어 분사부(115)의 구성을 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
기판처리 장치(10)에 로딩되는 기판(50)의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼 등 다양한 재질의 기판(50)이 로딩될 수 있다. 이하에서는 평판 표시장치에 가장 일반적으로 사용되는 직사각형 형상의 글래스 기판을 상정하여 설명한다. 기판처리 장치(10)에서 처리되는 기판(50)의 개수는 본체(100)의 크기, 기판(50)의 크기 등으로 고려하여 적절하게 선택될 수 있다.
기판처리 장치(10)는 대략 직육면체 형상으로 형성되어 외관을 이루는 본체(100)를 포함하고, 본체(100)의 내부에는 복수개의 기판(50)이 처리되는 공간인 챔버(105)가 형성될 수 있다. 본체(100)는 직육면체 형상뿐만 아니라 기판(50)의 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있고, 챔버(105)는 밀폐된 공간으로 마련될 수 있다. 챔버(105)에는 히터 유닛(200), 보트(300), 홀더(400), 기판(50), 가스 공급관(미도시), 가스 배출관(미도시) 등이 배치될 수 있으나, 도 2에서는 자세한 도시는 생략한다.
본체(100)의 전면에는 기판(50)이 로딩/언로딩될 수 있는 출입구(101)가 형성될 수 있다. 본체(100)의 전면에는 출입구(101)를 개폐할 수 있는 적어도 하나의 도어(110)가 설치될 수 있다.
본 발명의 기판처리 장치(10)는 본체(100)의 전면에 배치되어 적어도 하나의 슬롯(s)을 개폐하는 적어도 하나의 도어(110)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기에서 슬롯(s)은 도어(110)에 의해서 개별적으로 개폐될 수 있는 출입구(101) 또는 챔버(105)의 일부 영역으로 정의될 수 있다. 더 구체적으로, 슬롯(s)은 기판(50) 및 기판(50)이 안착된 기판 홀더(400)의 1세트가 배치되는 영역으로서, 히터 유닛(200)과 이웃하는 히터 유닛(200)의 사이 공간을 의미하는 것으로 이해될 수 있다.
도어(110)로 슬롯(s)을 개별적으로 개폐함에 따라 기판처리 과정 중에 소수의 기판(50)을 언로딩 하여도 챔버(105) 내부에 있는 기판(50)의 처리에 크게 영향을 미치지 않으며, 챔버(105) 내부에서 외부로 손실되는 열의 양이 크게 감소할 수 있다. 자세한 사항은 도 4 내지 도 8을 참조하여 후술한다.
또한, 본 발명의 기판처리 장치(10)는 도어(110)가 에어 분사부(115)를 구비한 것을 특징으로 한다. 에어 분사부(115)는 청정 공기 등의 공기 또는 질소나 아르곤 등의 불활성 기체를 분사(A)할 수 있다. 에어 분사부(115)는 노즐 형태를 가진 복수의 에어 분사홀(115a)을 포함할 수 있다.
외부의 에어 공급 수단(미도시)은 도어 플레이트(112), 회전축(113) 등의 내부에 형성된 에어 공급 경로(미도시)를 통해 에어 분사홀(115a)로 에어(A)를 공급할 수 있다. 에어 분사부(115)에서 에어(A)를 분사할 수 있도록 에어(A)를 공급하고, 에어(A)가 에어 분사홀(115a)까지 흐르는 목적의 범위 내에서, 에어 공급 경로는 사용자가 자유롭게 설계 가능하다.
에어 분사부(115)에서 분사된 에어(A)는 슬롯(s)의 전방에 에어 커튼(Air Curtain)을 형성할 수 있다. 슬롯(s) 전방에 형성된 에어 커튼은 분사 방향으로의 강한 기류에 의한 일종의 벽(Air Wall)을 형성하기 때문에, 외부의 공기가 챔버(105) 내부로 진입되는 것을 막을 수 있다. 뿐만 아니라, 챔버(105) 내부의 열이 외부로 유출되는 것도 막을 수 있다. 그리하여, 챔버의 열 손실을 최소화하여 챔버 내부를 가열하기 위한 시간을 단축시킬 수 있는 이점이 있다. 자세한 사항은 도 4 내지 도 8을 참조하여 후술한다.
본체(100)의 후면에는 챔버(110)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트(300), 가스 공급관(미도시) 및 가스 배출관(미도시) 등의 수리 및 교체를 위하여 커버(미도시)가 개폐 가능하도록 설치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 배치식 기판처리 장치(10)는 챔버(105) 내로 로딩된 기판(50)을 지지하는 보트(300)를 포함할 수 있다.
보트(300)는 본체(100)의 바닥면에 하면이 접촉하는 받침대(310), 받침대(310)의 일측 단부에서 수직으로 연장 형성된 지지대(320), 지지대(320)의 일측면에서 수평으로 연장 형성되며 상호 간격을 가지면서 상하로 적층된 형태로 형성된 복수의 지지리브(330)를 가질 수 있다. 보트(300)는 한쌍이 대향하면서 배치되어 세트를 이루며, 세트를 이루는 보트(300)는 지지리브(330)가 상호 대향하게 배치될 수 있다.
보트(300)의 각 지지리브(330)에는 기판(50)이 안착되는 홀더(400)가 탑재 지지될 수 있다. 홀더(400)는 챔버(105)의 내부에 설치되므로, 기판(50)의 처리시 고온에 견딜 수 있음과 동시에 구조의 변화가 거의 없는 석영 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
홀더(400)는 사각판 형상으로 형성되어 지지리브(330)에 장변(張邊)측 하면 부위가 지지되는 받침판(410)과 받침판(410)의 상면에 설치되어 기판(50)의 하면을 지지하는 복수의 지지핀(420)을 포함할 수 있다. 지지핀(420)의 상단부에 기판(50)이 지지되는데, 지지핀(420)의 상단부는 라운딩지게 형성되어 기판(50)과 점 접촉하는 것이 바람직하다. 그러면, 기판(50)의 하면도 상면과 같이 거의 노출된 상태가 되므로, 기판(50) 전체가 균일하게 처리될 수 있다.
보트(300)의 각 지지리브(330)에 지지된 홀더(400)는 상하로 배치되어 상호 평행을 이루어, 복수개의 기판(50)이 일정한 간격을 가지면서 챔버(105) 내에 적층될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 챔버(100)의 내부에는 기판(50)을 직접 가열하기 위해, 기판(50)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 배치되는 복수개의 히터 유닛(200)이 설치될 수 있다. 기판(50)의 양면이 가열될 수 있도록 기판(50) 및 홀더(400)는 히터 유닛(200)과 이웃하는 히터 유닛(200) 사이에 배치될 수 있다. 전술하였듯이, 기판(50), 홀더(400) 및 기판(50)과 홀더(400)의 상부와 하부에 배치되는 히터 유닛(200)이 하나의 슬롯(s)을 구성할 수 있다.
히터 유닛(200)은 기판(50)의 단변 방향과 평행하게 일정한 간격을 가지는 복수개의 단위 히터를 포함할 수 있다. 단위 히터(201)는 통상적인 길이가 긴 원통형의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 히터 유닛(200)을 구성하는 단위체라고 할 수 있다. 단위 히터(201)는 챔버(110)의 일측면으로부터 타측면까지를 관통하여 배치될 수 있다. 단위 히터(201)의 개수는 챔버(105)의 크기 및 기판(50)의 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
히터 유닛(200)은 챔버(100)에 열공급을 주로 하는 메인 히터 유닛(210) 이외에 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위해서 복수개의 보조 히터 유닛(220)을 포함할 수 있다. 복수개의 보조 히터 유닛(220)은 기판(50)의 단변 및 장변 방향과 평행하게 배치되고, 챔버(105)의 전면과 후면에 배치할 수 있으며, 본체(100) 전면에 형성된 출입구(101)와 본체(100) 후면에 형성된 커버(미도시)로 인한 챔버(105) 내부의 열 손실을 방지하기 위해, 단위 히터의 간격을 더욱 조밀하게 배치할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 배치식 기판처리 장치(10)는 챔버(105) 내부에 수용되는 기판(50)의 전면적을 커버할 수 있도록 복수개의 히터 유닛(200)을 배치함으로써, 단위 히터(201)로부터 기판(50)의 전면적에 걸쳐서 열을 인가 받아 열처리가 균일하게 이루어질 수 있는 이점이 있다.
이 외에도, 도시하지 않았지만, 챔버(105)의 내부 또는 히터 유닛(200)의 내부에는 기판(50) 또는 챔버(105)를 냉각시키는 냉각관 등의 냉각수단이 설치될 수 있다.
한편, 도어(110)의 내측면, 즉 챔버(105) 내부를 향하는 측면에는 열 반사판(미도시)이 설치될 수 있다. 출입구(101)가 형성된 도어 유닛(110, 120)에는 기본적으로 외부로의 열 손실이 일어날 수 있으므로 상기 열 반사판을 설치함으로써 외부로의 열 손실량을 감소시킬 수 있다. 상기 열 반사판 이외에도 내측면에 별도의 히터(미도시)를 설치하여 열 손실량을 감소시킬 수도 있을 것이다.
이하에서는 도 2, 도 4 내지 도 8을 참조하여, 도어(110, 120)의 구성과 동작을 살펴본다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도어(110) 및 에어 분사부(115)의 구성을 나타내는 정면도 및 측단면도이다. 도 4의 (a)는 복수의 닫힌 상태의 도어(110)를 나타내고, 도 4의 (b)는 일부 도어(110)가 열린 상태를 나타낸다.
도 4의 (a)를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리 장치(10)는 복수개의 슬롯(s)에 해당하는 크기의 전면 출입구(111)가 형성되고, 각각의 전면 출입구(111)를 개폐할 수 있는 복수개의 도어(110)를 포함할 수 있다.
본체(100)의 출입구(101)와 도어(110)의 전면 출입구(111)가 접하기 때문에, 본체(100)의 출입구(101)의 개구된 형태는 도어(110)의 전면 출입구(111)와 실질적으로 동일한 형태가 될 수 있다. 본체(100)의 출입구(101)에는 도어(110)와의 긴밀한 잠금을 위해 실링부재(미도시)가 더 설치될 수 있고, 슬롯(s)의 전면 출입구(111)에는 도어 플레이트(112)와의 긴밀한 잠금을 위해 실링부재(미도시)가 더 설치될 수 있다. 본체(100)와 도어(110)의 재질은 스테인레스 스틸인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도어 플레이트(112)는 일정한 회전축(113)을 기준으로 스윙하면서 슬롯(s)을 개폐할 수 있다. 본 명세서에는 회전축(113)이 도어 플레이트(112)의 하부에 결합된 것으로 도시되어 있으나, 도어 플레이트(112)의 상부에 결합되어 상부축을 기준으로 스윙하여도 무방하다.
도어 플레이트(112)의 회전축(113)은 도어(110)의 양측단에 배치된 실린더(114)와 체결되어 회전 운동을 수행하며 도어 플레이트(112)를 스윙하도록 할 수 있다. 실린더(114)는 공지의 동력을 전달하는 실린더라면 제한없이 선택할 수 있으므로 자세한 설명은 생략한다. 또한, 도어 플레이트(112)의 회전축(113)에 회전 동력을 제공하는 수단이라면 실린더(114)에 제한되지 않고, 리니어 모터나, 모터를 이용한 체인 및 스프로킷휠 조합, 기어 조합, 나사봉 조합, 벨트 및 풀리 조합, 와이어 및 도르레 조합, 캠 조합 등 각종 동력원이나 동력 전달 수단 등을 제한없이 적용할 수 있다.
도 4의 (b)를 참조하면, 어느 한 도어(110)의 도어 플레이트(112)를 스윙하여 하나의 슬롯(s)을 개방할 수 있다. 도 4의 (b)에는 하나의 슬롯(s)만을 개방했지만, 이에 한정되지 않고 복수개의 슬롯(s)을 독립적으로 개방하는 것도 가능하다.
대기 상태에서 챔버(105) 내부를 기판처리 공정에 필요한 온도까지 상승시키고, 적어도 하나의 슬롯(s)을 개방한 상태에서, 기판 이송 로봇의 아암(미도시) 등으로 기판(50)을 지지하여 슬롯(s)의 전면 출입구(111)를 통해 챔버(105)로 로딩할 수 있다. 그리고, 도어 플레이트(112)를 닫아 슬롯(s)을 폐쇄한 상태에서, 기판(50)을 기판처리 할 수 있다. 기판처리 공정 중 또는 기판처리 공정 완료 후에 개별적으로 슬롯(s)을 개방하여 기판(50)을 언로딩하는 것도 동일하게 적용할 수 있다.
한편, 하나의 도어(110)가 하나의 슬롯(s)만을 개방하지 않고, 2개 또는 그 이상의 슬롯(s)을 개방하도록 구성할 수도 있다. 이때, 도어(110)의 크기는 2개 또는 그 이상의 슬롯(s)을 개폐할 수 있도록 설정되는 것이 바람직하다. 이때, 출입구(111')의 크기도 도어 플레이트(112')의 크기에 맞도록 설정되어야 함은 물론이다.
다시, 도 4의 (a)를 참조하면, 슬롯(s)이 닫혀있는 상태로 도어(110)[도어 플레이트(112)]가 위치하는 경우에는 에어 분사부(115)에서는 에어(A)를 분사하지 않는다. 이어서, 도 4의 (b)를 참조하면, 슬롯(s)이 개방되도록 도어(110)가 위치하는 경우, 즉, 도어 플레이트(112)가 회전축(113)의 회전에 의해 스윙하는 경우, 에어 분사부(115)에서 에어(A)를 분사하여 슬롯(s)의 전방에 에어 커튼을 형성할 수 있다. 에어 분사부(115)[에어 분사홀(115a)]은 도어(110)[도어 플레이트(112)]의 후면에 형성되어 있으므로, 도어 플레이트(112)가 회전에 의해 스윙할때, 슬롯(s) 전방에 에어(A)를 분사할 수 있는 공간을 확보할 수 있다.
에어 분사부(115)는 슬롯(s)이 형성된 방향과 평행한 방향으로 에어(A)를 분사하는 것이 바람직하다. 즉, 육면체 형상의 본체(100)의 전면 형성 방향과 같은 슬롯(s) 형성 방향으로 에어(A)를 분사할 수 있다. 그리하여 슬롯(s)의 전면 출입구(111) 전방에 에어 커튼을 형성할 수 있다.
도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 에어 커튼은 수직 방향으로의 강한 상승 기류를 형성하기 때문에, 외기(U)가 챔버(105) 내부로 유입되는 과정에서 에어(A)와 혼합되어 같이 수직 방향으로 상승 기류를 형성하게 되거나, 에어 커튼에 의해 반사되게 된다. 따라서, 외기(U)의 챔버(105) 내부로의 유입이 방지될 수 있다.
에어 분사부(115)에서의 에어(A) 분사는 압력 센서(미도시) 및 개폐 센서(미도시)에 의한 제어부(미도시)의 제어 신호에 의해 수행될 수 있다.
압력 센서는 챔버(105) 내부의 압력을 감지할 수 있도록, 챔버(105) 내부 또는 본체(100) 벽에 설치될 수 있다. 특히, 챔버(105) 내부의 압력 변화를 용이하게 감지하기 위해서 압력 센서는 슬롯(s) 부근에 설치하는 것이 바람직하다.
도어(110)가 스윙하여 슬롯(s)이 개방되면, 외부 공기의 유입 또는 챔버(105) 내부의 가스의 유출 등에 의해 챔버(105) 내부의 압력이 순간적으로 변화할 수 있다. 압력 센서는 이를 센싱하여 에어 분사부(115)가 곧바로 에어(A)를 분사할 수 있도록 제어할 수 있다. 그리하여, 슬롯(s)이 개방되는 즉시, 에어 커튼에 의한 외기(U)의 유입 및 챔버(105) 내부 열 에너지의 유출을 방지할 수 있는 이점이 있다.
개폐 센서는 슬롯(s)의 개폐 여부를 감지할 수 있도록 슬롯(s) 근방에 설치될 수 있다. 개폐 센서는 도어 플레이트(112), 슬롯(s)의 개폐를 직접적으로 센싱하는 레이저 센서 등을 채용할 수도 있으나, 슬롯(s)의 개폐를 간접적으로 센싱할 수도 있다. 예컨대, 회전축(113), 실린더(114) 등이 구동하면 슬롯(s)의 개폐가 수행되므로, 회전축(113), 실린더(114) 등의 구동 신호를 센싱하는 장치일 수도 있다. 개폐 센서는 이를 센싱하여 에어 분사부(115)가 곧바로 에어(A)를 분사할 수 있도록 제어할 수 있다. 그리하여, 슬롯(s)이 개방되는 즉시, 에어 커튼에 의한 외기(U)의 유입 및 챔버(105) 내부 열 에너지의 유출을 방지할 수 있는 이점이 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬롯(s) 전방에 에어 커튼을 형성하는 과정을 나타내는 부분 측단면도이다. 도 5의 (a)는 슬롯(s)이 닫힌 상태, 도 5의 (b)는 슬롯(s)이 개방되는 상태, 도 5의 (c)는 슬롯(s)이 완전 개방된 상태를 순차적으로 나타낸다.
도어 플레이트(112)의 후면에 형성된 에어 분사홀(115a)에서는 도어 플레이트(112)의 면과 수직한 방향으로 에어(A)를 분사할 수 있다. 도 4에서는 슬롯(s)이 완전 개방된 상태, 즉, 도어 플레이트(112)가 수평 방향이 될때까지 스윙하여 슬롯(s)이 완전 개방되고, 도어 플레이트(112)의 면에 수직한 방향으로 에어(A)가 분사되는 것이 도시되어 있다.
하지만, 도 5의 (b)와 같이, 도어 플레이트(112)가 회전축(113)에 의해 스윙하는 중간에 도어 플레이트(112) 면의 수직한 방향으로 에어(A')를 분사하면, 챔버(105) 내부로 에어(A')가 유입되는 일이 발생할 수 있다. 그리하여, 외기(U) 및 에어(A')가 같이 챔버(105) 내부로 유입되어 열 손실을 발생시킬 뿐만 아니라, 외부의 이물질이 챔버(105) 내부로 유입되는 문제점도 발생할 수 있다. 따라서, 도어(110)가 스윙하면서 슬롯(s)이 개방될 때, 에어 분사홀(115a)에서 슬롯(s)이 형성된 방향과 평행한 방향으로 에어(A)가 분사[즉, 수직 방향으로 분사]되도록 에어(A)의 분사 각도가 조절될 수 있다. 이를 위해, 에어 분사홀(115a)의 노즐이 분사 각도를 조절할 수 있는 회전 수단, 각도 조절 수단 등을 에어 분사부(115)에 더 구비할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도어(120)의 구성을 나타내는 사시도[도 6의 (a)] 및 측단면도[도 6의 (b)]이다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도어(120) 및 에어 분사부(115', 115", 115''')의 구성을 나타내는 사시도이다. 이하에서는 상술한 제1 실시예의 기판처리 장치(10)와 차이점만을 설명하고 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리 장치(10)는 복수개의 슬롯(s)에 해당하는 크기의 전면 출입구(111)가 형성되고, 각각의 전면 출입구(111)를 개폐할 수 있는 복수개의 도어(120)를 포함할 수 있다.
도어(120)는 본체(100)의 전후방향 및 상하방향으로 슬라이딩 가능하게 설치되어, 전면 출입구(111)를 개폐할 수 있다. 도어(120)는 전면 출입구(111)와 동일하거나 크게 형성될 수 있고, 도어(120)와 전면 출입구(111)의 긴밀한 잠금을 위해 실링부재(미도시)가 더 설치될 수 있다. 도어(120)의 전후방향 및 상하방향으로의 슬라이딩을 위해서 각종 공압 또는 유압 실린더, 리니어 모터나, 모터를 이용한 체인 및 스프로킷휠 조합, 기어 조합, 나사봉 조합, 벨트 및 풀리 조합, 와이어 및 도르레 조합, 캠 조합 등 각종 동력원이나 동력 전달 수단 등을 제한없이 적용할 수 있다.
도어(120)는 스윙하지 않고, 상하방향으로 이동하거나, 전후방향으로 이동하면서 슬롯(s)을 개폐하므로, 에어 분사부(115', 115", 115''')의 배치가 달라질 수 있다.
도 7의 (a)를 참조하면, 도어(120)가 상하방향으로 슬라이딩하며 슬롯(s)을 개폐하는 경우에는 슬롯(s) 전방에 에어 커튼을 형성하기 위해, 도어(120)의 상측면 또는 하측면에 에어 분사부(115', 115")가 형성될 수 있다. 그리고, 도어(120)의 상측면/하측면에는 에어 분사홀(115a)이 일렬 배열 형성될 수 있다.
도 7의 (b)를 참조하면, 도어(120)가 전후방향으로 슬라이딩하며 슬롯(s)을 개폐하는 경우에는, 도어(120) 후면의 테두리 부분에 에어 분사부(115''')가 형성될 수 있다. 도어(120) 후면에는 에어 분사홀(115a)이 도어(120)의 테두리를 따라서 배열 형성될 수 있다.
한편, 도어(120)가 상하방향 및 전후방향의 조합으로 슬라이딩하는 경우라면, 도 7의 (a) 및 (b)의 조합으로 어 분사부(115', 115", 115''')가 형성될 수도 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬롯(s) 전방에 에어 커튼을 형성하는 과정을 나타내는 측단면도이다.
도 8의 (a)를 참조하면, 슬롯(s)이 닫혀있는 상태로 도어(120)가 위치하는 경우에는 에어 분사부(115', 115")에서는 에어(A)를 분사하지 않는다. 이어서, 슬롯(s)이 개방되도록 도어(120)가 상부로 슬라이딩 하는 경우, 도어(120)의 하부면에 형성된 에어 분사부(115")에서 에어(A)를 분사하여 슬롯(s)의 전방에 에어 커튼을 형성할 수 있다.
에어 커튼은 수직 방향으로의 강한 하강 기류를 형성하기 때문에, 외기(U)가 챔버(105) 내부로 유입되는 과정에서 에어(A)와 혼합되어 같이 수직 방향으로 하강 기류를 형성하게 된다. 따라서, 외기(U)의 챔버(105) 내부로의 유입이 방지될 수 있다.
도 8의 (b)를 참조하면, 슬롯(s)이 개방되도록 도어(120)가 전면으로 슬라이딩 하는 경우, 도어(120) 후면의 테두리에 형성된 에어 분사부(115''')에서 에어(A)를 분사하여 슬롯(s)의 전방에 에어 커튼을 형성할 수 있다. 이때, 도어(120)는 전면 출입구(111)보다는 크게 형성되므로, 도어(120) 후면의 테두리에 형성된 에어 분사부(115''')에서 분사되는 에어(A)는 챔버(105) 내부로 유입되지 않고, 전면 출입구(111) 외주의 본체(100)의 부분으로 분사되어 에어 커튼을 형성할 수 있다.
에어 커튼은 전면 출입구(111) 외주에서 강한 수평 기류를 형성하기 때문에, 외기(U)가 챔버(105) 내부로 유입되는 과정에서 에어(A)와 혼합되어 같이 수평 기류를 형성하게 된다. 따라서, 외기(U)의 챔버(105) 내부로의 유입이 방지될 수 있다.
이와 같이, 본 발명은, 슬롯(s)마다 도어(110, 120)가 개별적으로 작동하여 각각의 슬롯(s)을 개별적으로 개폐함에 따라 챔버(105) 내부의 열이 외부로 손실되는 것을 줄일 수 있는 이점이 있다. 또한, 본 발명은, 슬롯(s)이 개방된 경우에도 챔버(105)로의 외기(U)의 유입을 방지하고, 챔버(105) 내부의 열이 외부로 유출되는 것을 방지하므로, 챔버(105) 내부의 열 손실량을 최소화 할 수 있으며, 이에 따라, 챔버(105) 내부를 가열하기 위한 전력을 절감하고, 기판처리 공정의 효율성을 향상시키는 이점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
10: 기판처리 장치
50: 기판
100: 본체
101: 본체 출입구
105: 챔버
110, 120: 도어
111: 전면 출입구
112: 도어 플레이트
113: 회전축
114: 실린더
115: 에어 분사부
115a: 에어 분사홀
200: 히터
300: 보트
400: 홀더
A: 에어
s: 슬롯
U: 외기

Claims (11)

  1. 적어도 하나의 기판이 로딩/언로딩되는 적어도 하나의 슬롯과, 기판처리 공간을 제공하는 챔버를 포함하는 본체; 및
    상기 슬롯을 개폐하고, 에어 분사부를 구비하는 적어도 하나의 도어를 포함하며,
    상기 슬롯이 개방되도록 도어가 위치하면, 상기 에어 분사부에서 에어를 분사하여 상기 슬롯 전방에 에어 커튼을 형성하며,
    상기 에어 분사부는 상기 에어가 분사되는 복수의 에어 분사홀을 포함하고,
    상기 에어 분사부는 상기 도어의 후면에 형성되거나, 상기 도어의 상측면 또는 하측면에 배열 형성되는, 기판처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에어 분사부는 상기 슬롯이 형성된 방향과 평행한 방향으로 상기 에어를 분사하는, 기판처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 슬롯에 상기 에어 커튼을 형성하여 상기 챔버 내부로의 외기 유입을 방지하는, 기판처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도어는 상기 슬롯의 전면 출입구에 설치되어 회전축을 기준으로 스윙하면서 상기 슬롯을 개폐하는, 기판처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도어가 스윙하면서 상기 슬롯이 개방될 때, 상기 에어 분사홀에서 상기 슬롯이 형성된 방향과 평행한 방향으로 상기 에어가 분사되도록 상기 에어의 분사 각도가 조절되는, 기판처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 도어는 전후방향 및 상하방향으로 슬라이딩 가능하게 설치되어 상기 슬롯을 개폐하는, 기판처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 챔버 내부의 압력을 감지하는 압력 센서를 더 포함하고,
    상기 슬롯이 개방되어 상기 챔버 내부의 압력이 변화하면, 상기 에어 분사부에서 상기 에어를 분사하는, 기판처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 슬롯의 개폐 여부를 감지하는 개폐 센서를 더 포함하고,
    상기 슬롯이 개방되도록 도어가 구동하면, 상기 에어 분사부에서 상기 에어를 분사하는, 기판처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 도어의 후면에는 열 반사판이 설치되는, 기판처리 장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110660701A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
KR20200031185A (ko) * 2018-09-13 2020-03-24 주식회사 케이씨티 에어 커튼 유닛을 구비하는 lpm 및 lpp 시스템
KR20210002928A (ko) * 2019-07-01 2021-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102310343B1 (ko) * 2020-06-08 2021-10-07 주식회사 에스엔씨솔루션 반도체장치용 도어 어셈블리
CN116475034A (zh) * 2022-01-24 2023-07-25 芝浦机械电子装置株式会社 热处理装置及热处理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007180517A (ja) 2005-11-30 2007-07-12 Tdk Corp 密閉容器の蓋開閉システム
KR100807252B1 (ko) 2006-11-03 2008-02-28 삼성전자주식회사 플라즈마 식각장치
KR101670453B1 (ko) 2015-04-29 2016-10-28 주식회사 테라세미콘 배치식 기판 처리 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007180517A (ja) 2005-11-30 2007-07-12 Tdk Corp 密閉容器の蓋開閉システム
KR100807252B1 (ko) 2006-11-03 2008-02-28 삼성전자주식회사 플라즈마 식각장치
KR101670453B1 (ko) 2015-04-29 2016-10-28 주식회사 테라세미콘 배치식 기판 처리 장치

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110660701A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
CN110660701B (zh) * 2018-06-29 2024-03-22 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
KR20200031185A (ko) * 2018-09-13 2020-03-24 주식회사 케이씨티 에어 커튼 유닛을 구비하는 lpm 및 lpp 시스템
KR102143208B1 (ko) * 2018-09-13 2020-08-12 주식회사 케이씨티 에어 커튼 유닛을 구비하는 lpm 및 lpp 시스템
KR20210002928A (ko) * 2019-07-01 2021-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102239362B1 (ko) * 2019-07-01 2021-04-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102310343B1 (ko) * 2020-06-08 2021-10-07 주식회사 에스엔씨솔루션 반도체장치용 도어 어셈블리
CN116475034A (zh) * 2022-01-24 2023-07-25 芝浦机械电子装置株式会社 热处理装置及热处理方法

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