CN110660701B - 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够在处理基片时减少气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一个方式的基片处理装置具有基片处理部、隔壁部、第一气体供给部和第二气体供给部。基片处理部对基片实施液体处理。隔壁部将从基片被送入的送入送出口到基片处理部的第一空间与第一空间以外的第二空间之间分隔开。第一气体供给部与隔壁部连接，对第一空间供给调节气氛的气氛调节气体。第二气体供给部与隔壁部中的与第一气体供给部不同的部位连接，向第一空间供给上述气氛调节气体。

Description

基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法。
背景技术
一直以来，在处理半导体晶片(以下称为晶片。)等的基片的基片处理装置中，对箱体内供给使用FFU(Fan Filter Unit，风机过滤单元)清洁化后的大气气氛(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-319845号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明提供能够减少处理基片时的气氛调节气体的使用量的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置具有基片处理部、隔壁部、第一气体供给部和第二气体供给部。基片处理部对基片实施液体处理。隔壁部将从上述基片被送入的送入送出口到上述基片处理部的第一空间与上述第一空间以外的第二空间之间分隔开。第一气体供给部与上述隔壁部连接，对上述第一空间供给调节气氛的气氛调节气体。第二气体供给部与上述隔壁部中的与上述第一气体供给部不同的部位连接，向上述第一空间供给上述气氛调节气体。
发明效果
根据本发明，能够减少处理基片时的气氛调节气体的使用量。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的概要结构的示意图。
图2是表示实施方式的处理单元的结构的俯视图。
图3是图2的A-A截面图。
图4是图2的B-B截面图。
图5是用于说明实施方式的上板部和扫描上部板的结构的示意图。
图6A是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(1)。
图6B是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(2)。
图6C是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(3)。
图6D是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(4)。
图6E是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(5)。
图6F是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(6)。
图6G是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(7)。
图6H是表示实施方式的液体处理的一工序的示意图(8)。
图7是表示实施方式的液体处理整体的处理顺序的流程图。
图8是表示实施方式的液体处理的详细处理顺序的流程图。
附图标记说明
W 晶片(基片的一例)
1 基片处理系统
15 运送部(共用运送通路的一例)
16 处理单元(基片处理装置的一例)
17 基片运送装置(运送机构的一例)
20 箱体
21 送入送出口
30 基片处理部
31 基片保持部
32 支柱部
33 承液罩体
34 回收罩体
40 隔壁部
41 上板部
41a 贯通孔
41b 凸部
42 侧壁部
43 间隙填充部
44 第一气体供给部
45 第二气体供给部
50 液体供给部
51 处理液喷嘴
60 扫描上部板
A1 第一空间
A2 第二空间。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法的实施方式。另外，本发明不限定于以下所示的实施方式。此外，附图是示意性的，各部位的尺寸关系、各部件的比率等可能与现实不同。而且，在附图之间，也可能含有彼此的尺寸关系、比率不同的部分。
一直以来，在处理晶片等的基片的基片处理装置中，对箱体内供给使用FFU清洁化后的大气气氛。
另一方面，根据处理的不同，有时不是供给大气气氛，而是将晶片周围的气氛调节为低湿度、低氧浓度等规定的条件。但是，在用将气氛调节为规定的条件的气体(以下称为气氛调节气体)来调节箱体的内部整体的气氛时，该气氛调节气体的使用量可能增大。
于是，期待减少在处理晶片时的气氛调节气体的使用量。
<基片处理系统的概要>
首先，参照图1说明实施方式的基片处理系统1的概要结构。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概要结构的示意图。
以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，使Z轴正方向为铅垂向上方向。
如图1所示，基片处理系统1具有送入送出工作台2和处理工作台3。送入送出工作台2和处理工作台3邻接设置。
送入送出工作台2具有载体载置部11和运送部12。在载体载置部11，载置将多个基片、在实施方式中是半导体晶片W(以下称为晶片W)、以水平状态收纳的多个载体C。晶片W是基片的一例。
运送部12与载体载置部11邻接设置，在内部具有基片运送装置13和交接部14。基片运送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片运送装置13能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的运送。
处理工作台3与运送部12邻接设置。处理工作台3具有运送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在运送部15的两侧排列设置。运送部15是共用运送通路的一例，处理单元16是基片处理装置的一例。
运送部15在内部具有基片运送装置17。基片运送装置17是运送机构的一例，具有保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片运送装置17能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的运送。
处理单元16对由基片运送装置17运送的晶片W进行规定的液体处理。处理单元16的详情在后面叙述。
此外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。在存储部19存储有控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18将存储于存储部19的程序读出而执行从而控制基片处理系统1的动作。
另外，该程序可以记录在能够由计算机读取的存储介质中，也可以从该存储介质向控制装置4的存储部19安装。作为能够由计算机读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。
在以上述方式构成的基片处理系统1中，首先，送入送出工作台2的基片运送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置至交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理工作台3的基片运送装置17从交接部14取出，向处理单元16送入。
送入了处理单元16的晶片W由处理单元16处理后，由基片运送装置17从处理单元16送出，载置至交接部14。
然后，载置于交接部14的处理完成的晶片W，利用基片运送装置13返回载体载置部11的载体C。
<处理单元的概要>
接着，参照图2～图4说明处理单元16的概要。图2是表示实施方式的处理单元16的结构的俯视图，图3是图2的A-A截面图，图4是图2的B-B截面图。另外，为了容易理解，图3和图4中表示了晶片W被送入的状态，并且在图4中省略了LM(Linear Motion，线性运动)引导件53的图示。
如图2所示，处理单元16具有箱体20、基片处理部30、隔壁部40、液体供给部50和扫描上部板60。箱体20收纳基片处理部30、隔壁部40、液体供给部50和扫描上部板60。
箱体20在与运送部15相接的位置具有送入送出口21。由运送部15的基片运送装置17运送的晶片W从该送入送出口21送入箱体20的内部。此外，箱体20具有构成为能够开闭该送入送出口21的闸门22。
另外，在实施方式中，表示了该闸门22组入后述的隔壁部40而构成的例子，但闸门22并非必须组入隔壁部40而构成。
如图3和图4所示，在箱体20的顶部设置有FFU23。FFU23形成供给到箱体20内的清洁化了的大气气氛的下行气流。此外，在箱体20的底部，形成有将从FFU23供给的大气气氛向处理单元16的外部排气的排气口24。
基片处理部30对晶片W实施规定的液体处理。如图3和图4所示，基片处理部30具有基片保持部31、支柱部32、承液罩体33、回收罩体34和排液口35。基片保持部31将晶片W保持为水平。该基片保持部31例如从侧方保持晶片W的外缘部。
支柱部32是在铅垂方向上延伸的部件，下方侧的基端部被未图示的驱动部可旋转地支承。此外，在图3和图4中虽然没有图示，但支柱部32能够在上方侧的前端部水平地支承基片保持部31。
基片处理部30通过使用驱动部使支柱部32旋转而使支承于支柱部32的基片保持部31旋转。由此，基片处理部30使保持于基片保持部31的晶片W旋转。此外，支柱部32构成为能够上下移动，能够向送入至基片处理部30的上方的晶片W移动而接收晶片W。
承液罩体33是大致圆环状，具有向下侧凹陷的弯曲形状。承液罩体33以包围基片保持部31的外缘部的方式配置，捕集由于基片保持部31的旋转而从晶片W飞散的药液L1(参照图6F)、清洗液L2(参照图6G)等的处理液。
例如，承液罩体33以包围相比于在基片保持部31保持的晶片W的同一平面至少靠上侧的基片保持部31的外缘部的方式配置。另外，承液罩体33也可以与基片保持部31一起旋转。
回收罩体34以包围基片保持部31的方式配置，捕集由于基片保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。另外，在图3和图4中没有图示，但回收罩体34也可以是能够分别捕集多个处理液的多个罩体。
在该回收罩体34的底部形成有排液口35。由承液罩体33或回收罩体34捕集的处理液从该排液口35向处理单元16的外部排出。
如图4所示，隔壁部40在箱体20的内部将从上述送入送出口21到基片处理部30的第一空间A1和该第一空间A1以外的第二空间A2之间分隔开。此外，隔壁部40构成为能够将分隔出的第一空间A1内的气氛调节为规定的条件。
如图3所示，隔壁部40具有上板部41、侧壁部42、间隙填充部43(参照图2)、第一气体供给部44和第二气体供给部45。上板部41具有大致圆板状的形状，以与保持于基片保持部31的晶片W大致平行地相向地方式设置，配置成覆盖晶片W的上方。
此外，上板部41构成为能够在箱体20内上下移动，在晶片W从送入送出口21被送入送出时，向与晶片W的运送通路不干涉的上方移动。另一方面，上板部41在晶片W被基片处理部30处理时，移动至接近该晶片W的下方的位置。另外，上板部41的配置不限于上述的位置，能够根据处理晶片W的条件、清洗上板部41的条件而自由变更。
在上板部41形成有上下连通的贯通孔41a。例如，如图2和图3所示，该贯通孔41a是缝隙状的，形成为至少与保持于基片保持部31的晶片W的中心部相对。此外，贯通孔41a形成为能够使后述的处理液喷嘴51插通在其中。
此外，如图4所示，上板部41具有向晶片W突出的凸部41b。该凸部41b例如呈大致圆柱状突出。凸部41b的外径比相对的晶片W的外径大，比邻接的承液罩体33的内径小。
侧壁部42包围保持晶片W的基片保持部31、承液罩体33、上板部41等的侧方。侧壁部42例如如图2所示，在俯视时设置有送入送出口21的跟前侧形成为直线状，对晶片W进行液体处理的进深侧具有依据晶片W的形状的半圆状的形状。
在实施方式中，侧壁部42能够与上板部41一体地上下移动。另一方面，侧壁部42不需要与上板部41一起上下移动，也可以在箱体20内固定。此时，上板部41可以构成为沿固定的侧壁部42能够上下移动。
如图2所示，间隙填充部43在晶片W由基片处理部30处理时，填充第一空间A1中的基片处理部30以外的间隙(例如送入送出口21的周边)。在实施方式中，间隙填充部43能够与上板部41一体地上下移动可能，晶片W从送入送出口21被送入送出时，其移动至与晶片W的运送通路不干涉的位置。
间隙填充部43例如具有在俯视时内侧为圆弧状、外侧为矩形形状的大致U字形状。另外，侧壁部42不需要与上板部41一起上下移动，也可以是能够独立于上板部41地上下移动。
第一气体供给部44与第一空间A1连接，向该第一空间A1供给气氛调节气体。例如，如图4所示，第一气体供给部44中的气氛调节气体的排出喷嘴与形成于上板部41的贯通孔41a的侧壁连接。第一气体供给部44从该排出喷嘴经由贯通孔41a向第一空间A1供给气氛调节气体。
第二气体供给部45与第一空间A1中的不同于第一气体供给部44的部位连接，向该第一空间A1供给气氛调节气体。例如，如图2和图3所示，第二气体供给部45的气氛调节气体的排出喷嘴连接于与晶片W的外周部相对的位置中、离与缝隙状的贯通孔41a相对的晶片W的外周部最远的位置。
第二气体供给部45从该排出喷嘴向晶片W的外周部供给气氛调节气体。另外，该气氛调节气体可以从设置于运送部15的未图示的第三气体供给部经由该运送部15供给。
实施方式的气氛调节气体例如是氮气、Ar气等氧浓度比大气气氛低的非活性气体、干燥气体等湿度比大气气氛低的气体等。
图2所示的液体供给部50对保持于第一空间A1的晶片W供给药液L1、清洗液L2等处理液。液体供给部50具有多个处理液喷嘴51、臂52和LM引导件53，配置于第二空间A2。
处理液喷嘴51经由未图示的阀和流量调节器与处理液供给源连接，使用形成于上板部41的贯通孔41a向晶片W排出处理液。
从处理液喷嘴51排出的处理液例如包括酸类处理液、碱类处理液、有机类处理液、清洗液等在晶片W的各种液体处理中使用的各种液体。酸类处理液例如是DHF(DilutedHydroFluoric acid：稀氟酸)等。
碱类处理液例如是SC1(氨，过氧化氢和水的混合液)等。有机类处理液例如是IPA(IsoPropyl Alcohol，异丙醇)等。清洗液例如是DIW(DeIonized Water：去离子水)等。
臂52支承处理液喷嘴51。LM引导件53对臂52在X轴方向上进行引导。被LM引导件53引导的臂52通过从包含于LM引导件53的未图示的驱动部传递来驱动力，与处理液喷嘴51一起沿LM引导件53滑动移动。由此，能够使处理液喷嘴51滑动移动至箱体20内的规定的位置。
此外，在臂52具有未图示的升降机构。液体供给部50通过使该升降机构动作，能够使处理液喷嘴51升降。
这样，液体供给部50通过使LM引导件53和升降机构动作，使处理液喷嘴51向贯通孔41a的位置移动，而能够插通在该贯通孔41a中。
此外，实施方式中，贯通孔41a是缝隙状的，LM引导件53的延伸方向和贯通孔41a的延伸方向大致平行，因此在贯通孔41a内能够使处理液喷嘴51扫描移动。
另外，在图2所示的例子中，表示了处理液喷嘴51固定于臂52的情况，但并不限于处理液喷嘴51固定于臂52的情况。例如，处理液喷嘴51也可以是臂52抓持该处理液喷嘴51而移动的拾取式喷嘴等。此外，使臂52滑动移动的机构并不限于LM引导件53，能够使用各种已知的机构。
扫描上部板60以覆盖贯通孔41a的上方并且沿贯通孔41a的延伸方向延伸的方式配置。利用该扫描上部板60，能够抑制大气气氛从第二空间A2向第一空间A1流入。
此外，在实施方式中，如图5所示，上板部41与扫描上部板60之间的间隙可以具有迷宫构造。图5是用于说明实施方式的上板部41和扫描上部板60的结构的示意图。
该迷宫构造是在上板部41的上表面形成的凸部41c和在扫描上部板60的下表面形成的凹部60a彼此不接触地啮合的构造。利用该迷宫构造，能够在上板部41与扫描上部板60之间的间隙产生压力损失，因此能够抑制大气气氛从第二空间A2向第一空间A1流入。
另外，该迷宫构造不限于在上板部41的上表面形成的凸部41c和在扫描上部板60的下表面形成的凹部60a的组合。例如，该迷宫构造也可以是在上板部41的上表面形成的凹部和在扫描上部板60的下表面形成的凸部的组合。
在扫描上部板60形成有能够供多个处理液喷嘴51分别插通的多个贯通孔60b(参照图6C)。由此，经由该贯通孔60b，液体供给部50能够将处理液喷嘴51插通在贯通孔41a中。
如图2所示，扫描上部板60支承于臂61。上述LM引导件53将该臂61在X轴方向上引导。被LM引导件53引导的臂61通过从包含于LM引导件53的未图示的驱动部传递来驱动力，而与扫描上部板60一起沿LM引导件53滑动移动。由此，能够使扫描上部板60滑动移动至箱体20内的规定的位置。
此外，在臂61设置有未图示的升降机构。臂61通过使该升降机构动作，能够使扫描上部板60升降。
如此处说明的那样，扫描上部板60能够在与处理液喷嘴51相同的方向上在第二空间A2内移动，因此能够与处理液喷嘴51同步地在第二空间A2内移动。
<液体处理的详细>
接着，参照图6A～图6H说明实施方式的液体处理的详情。图6A～图6H是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(1)～(8)。
如图6A所示，在晶片W被送入处理单元16内之前的状态，闸门22关闭(步骤S1)，上板部41向下方移动(步骤S2)。然后，在该状态下，第一气体供给部44和第二气体供给部45(参照图3)将气氛调节气体向第一空间A1供给(步骤S3)。由此，能够向按规定的条件调节了气氛的第一空间A1送入晶片W。
此外，在实施方式中，在事前以气氛调节气体置换第一空间A1的气体时，可以在第一空间A1内使基片保持部31旋转。由此，能够抑制气氛调节气体以外的气氛滞留在第一空间A1内，于是能够高效地对第一空间A1用气氛调节气体进行置换。
另一方面，处理单元16的第二空间A2是使用FFU23清洁化了的大气气氛。供给到第一空间A1的气氛调节气体和供给到第二空间A2的大气气氛用排气口24共同排气。
接着，如图6B所示，在处理单元16中，在将晶片W送入基片处理部30前，确保第一空间A1中的晶片W的运送通路。具体而言，处理单元16使上板部41从晶片W的运送通路向上方退避(步骤S4)。
接着，处理单元16使闸门22移动而开放送入送出口21(步骤S5)，基片运送装置17(参照图2)将晶片W送入处理单元16内(步骤S6)。处理单元16将送入至基片保持部31的上方的晶片W，用移动到上方的支柱部32接收后，向下方移动，用基片保持部31保持(步骤S7)。
此外，在该晶片W的送入处理时，如图6C所示，使扫描上部板60移动至贯通孔60b被上板部41关闭的位置(步骤S8)。具体地说，使扫描上部板60移动至扫描上部板60的贯通孔60b与上板部41的贯通孔41a不连通的位置。
由此，在晶片W的送入处理时，能够抑制从第二空间A2经由贯通孔60b向第一空间A1的大气气氛的流入。另外，该步骤S8可以在图6A所示的晶片W被送入前的状态下进行。
此外，在晶片W的送入处理时，从上述第三气体供给部经由运送部15和送入送出口21将气氛调节气体向第一空间A1供给。由此，在晶片W送入中的处理单元16内，能够持续地将第一空间A1的气氛调节成规定的条件。
接着，如图6D所示，处理单元16使闸门22移动而关闭送入送出口21(步骤S9)。此外，处理单元16使上板部41向下方移动而接近晶片W(步骤S10)。
例如，在该步骤S10中，使上板部41接近至上板部41与晶片W的间隔为1～4mm左右的位置。这样，通过使上板部41接近晶片W，能够用设置于上板部41的间隙填充部43填充第一空间A1的间隙。
在实施方式中，该步骤S9、S10之间，处理单元16使第一气体供给部44和第二气体供给部45动作而持续将规定的气氛调节气体向第一空间A1供给。由此，能够持续地将配置有晶片W的第一空间A1的气氛调节至规定的条件。
接着，如图6E所示，处理单元16通过使液体供给部50和扫描上部板60动作，使处理液喷嘴51移动至晶片W上的规定的位置，插通在贯通孔60b(参照图6C)和贯通孔41a中(步骤S11)。然后，处理单元16通过使处理液喷嘴51动作，将作为处理液的一例的药液L1向晶片W供给(步骤S12)。
接着，如图6F所示，处理单元16通过使液体供给部50和扫描上部板60动作，使处理液喷嘴51在晶片W上扫描(步骤S13)。另外，在使处理液喷嘴51在晶片W上扫描时，使扫描上部板60与处理液喷嘴51同步地扫描。
处理单元16通过使基片处理部30动作而使晶片W旋转，使药液L1向晶片W的外周侧移动，对晶片W进行液体处理(步骤S14)。另外，利用该药液L1进行的液体处理时，上板部41与晶片W之间处于不充满药液L1的状态。
此外，在实施方式中，该步骤S11～S14之间，处理单元16使第一气体供给部44和第二气体供给部45动作，持续将规定的气氛调节气体向第一空间A1供给。
此处，在实施方式中，能够从与上板部41的不同部位连接的第一气体供给部44和第二气体供给部45向第一空间A1没有遗漏地供给气氛调节气体。由此，能够将被进行液体处理的晶片W周围的气氛有效地持续调节成规定的条件。
在实施方式中，对箱体20内的第二空间A2供给大气气氛，仅对由隔壁部40分隔出的第一空间A1供给气氛调节气体。由此，根据实施方式，能够减少对晶片W进行液体处理时的气氛调节气体的使用量。
此处，表示将从上板部41的一个部位供给气氛调节气体的情况与从与上板部41的不同的2个部位连接的第一气体供给部44和第二气体供给部45供给气氛调节气体的情况相比较的比较实验的结果。
作为参考例，使晶片W旋转并且将作为气氛调节气体的一例的氮气仅从与晶片W的中心部上方连接的第一气体供给部44供给200(L/min)。结果，第一空间A1的氧浓度止步于1％以上。
另一方面，作为实施例，使晶片W旋转并且将氮气从与晶片W的中心部上方连接的第一气体供给部44供给130(L/min)、从与晶片W的周缘部上方连接的第二气体供给部45供给80(L/min)。结果，能够使第一空间A1的氧浓度减少至0.01％以下。
这样，在实施方式中，能够从第一气体供给部44和第二气体供给部45向第一空间A1的全部供给气氛调节气体，因此能够有效地将晶片W周围的气氛持续调节至规定的条件。
此外，在实施方式中，第一气体供给部44和第二气体供给部45可以与隔壁部40中的与晶片W相对的位置(即上板部41的与晶片W相对的位置)连接。由此，能够高效地对需要调节气氛的晶片W的周围供给气氛调节气体。
此外，在实施方式中，第一气体供给部44与晶片W的中心部上方的上板部41连接，第二气体供给部45与晶片W的外周部上方的上板部41连接。由此，能够对第一空间A1进一步没有遗漏地供给气氛调节气体。由此，根据实施方式，能够更高效地将被液体处理的晶片W周围的气氛持续地调节至规定的条件。
此外，在实施方式中，通过使上板部41与晶片W接近，并且用间隙填充部43填充第一空间A1的间隙，能够使第一空间A1狭窄。由此，根据实施方式，能够进一步减少气氛调节气体的使用量。
另外，在实施方式中，可以使承液罩体33的内径比上板部41的凸部41b的外径大。由此，如图6E等所示，能够不与承液罩体33干涉地使上板部41与晶片W接近。由此，根据实施方式，能够使第一空间A1狭窄，因此能够进一步减少气氛调节气体的使用量。
此外，在实施方式中，贯通孔41a可以以至少与保持于基片保持部31的晶片W的中心部相对的方式形成。由此，能够将处理液喷嘴51配置在晶片W的中心部的上方，因此对晶片W的中心部排出处理液。由此，根据实施方式，能够均匀地对晶片W的整面供给处理液。
说明处理单元16的处理的后续。接着，如图6G所示，处理单元16使上板部41进一步向下方移动，进一步接近晶片W(步骤S15)。例如，在该步骤S15中，使上板部41接近至上板部41与晶片W的间隔为1～4mm左右的位置。另外，该步骤S15时，可以使扫描上部板60和处理液喷嘴51出与上板部41同步地向下方移动。
接着，处理单元16通过使处理液喷嘴51动作，将作为处理液的另一例的清洗液L2向晶片W供给(步骤S16)。另外，图6G中虽然没有图示，但该步骤S16时，也可以与上述步骤S13同样地使处理液喷嘴51在晶片W上扫描。
处理单元16通过使基片处理部30动作而使晶片W旋转，使清洗液L2向晶片W的外周侧移动，对晶片W进行清洗处理。
另外，利用该清洗液L2进行液体处理时，可以使上板部41接触清洗液L2，使上板部41与晶片W之间充满清洗液L2。由此，能够将在上述步骤S12～S14时附着于上板部41的药液L1用清洗液L2冲掉。
接着，处理单元16与步骤S16同样，通过在使上板部41接近晶片W的状态下使处理液喷嘴51动作，将作为处理液的另一例的IPA向晶片W供给。处理单元16通过使基片处理部30动作而使晶片W旋转，使IPA向晶片W的外周侧移动，对晶片W进行旋转干燥。
另外，利用该IPA进行的旋转干燥时，可以使上板部41接触IPA，使上板部41与晶片W之间充满IPA。由此，能够将在上述步骤S16时附着于上板部41的清洗液L2用IPA干燥。
此外，在上板部41接触清洗液L2、IPA等处理液时，可以停止从第一气体供给部44和第二气体供给部45供给气氛调节气体。由此，能够抑制与上板部41接触的处理液由于气氛调节气体的排出而起伏，对液体处理造成障碍。
另外，在实施方式中，在上板部41与晶片W之间充满处理液时，通过使晶片W的旋转以较低的速度开始并逐渐升高旋转速度，能够使上板部41表面的处理液与晶片W表面的处理液一起向外周侧移动。由此，实施方式中，能够抑制液体处理后在上板部41的表面残留处理液。
此外，在实施方式中，如图6G等所示，可以使上板部41的凸部41b的外径比晶片W的外径大。由此，在液体处理后处理液残留于凸部41b的外缘部时，也能够抑制该残留的处理液附着于晶片W。
另外，在液体处理后在凸部41b的外缘部残留有处理液时，可以用气氛调节气体等吹扫残留于外缘部的处理液。
说明处理单元16的处理的后续。如图6H所示，液体处理结束后的处理单元16使上板部41从晶片W的运送通路向上方退避(步骤S17)，确保第一空间A1中的晶片W的运送通路。
接着，使闸门22移动而开放送入送出口21(步骤S18)，使晶片W和支柱部32向上方动作(步骤S19)。使用基片运送装置17将晶片W从处理单元16送出(步骤S20)。
在晶片W被送出后，处理单元16如图6A所示，关闭闸门22，使上板部41向下方移动。最后，停止利用第一气体供给部44和第二气体供给部45进行的气氛调节气体的供给。
这样，通过停止向晶片W被送出的第一空间A1的气氛调节气体的供给，能够进一步减少气氛调节气体的使用量。
此外，在实施方式中，如图5所示，从在贯通孔41a内相对的一对第一气体供给部44排出气氛调节气体等。由此，能够在贯通孔41a内形成气体幕。
由此，根据实施方式，能够抑制第二空间A2的大气气氛流入第一空间A1，因此能够以调节至规定的条件的气氛良好地维持第一空间A1。
实施方式的基片处理装置(处理单元16)具有基片处理部30、隔壁部40、第一气体供给部44和第二气体供给部45。基片处理部30对基片(晶片W)实施液体处理。隔壁部40将从基片(晶片W)被送入的送入送出口21至基片处理部30的第一空间A1与第一空间A1以外的第二空间A2之间分隔开。第一气体供给部44与隔壁部40连接，向第一空间A1供给调节气氛的气氛调节气体。第二气体供给部45与隔壁部40中的与第一气体供给部44不同的部位连接，向第一空间A1供给气氛调节气体。由此，能够减少对晶片W进行液体处理时的气氛调节气体的使用量。
此外，在实施方式的基片处理装置(处理单元16)中，第一气体供给部44和第二气体供给部45与隔壁部40中的与基片(晶片W)相对的位置连接。由此，能够向需要调节气氛的晶片W的周围高效地供给气氛调节气体。
此外，在实施方式的基片处理装置(处理单元16)中，隔壁部40具有覆盖基片(晶片W)的上方的上板部41和包围基片(晶片W)的侧方的侧壁部42。第一气体供给部44和第二气体供给部45与上板部41连接。由此，能够向需要调节气氛的晶片W的周围高效地供给气氛调节气体。
此外，在实施方式的基片处理装置(处理单元16)中，第一气体供给部44与基片(晶片W)的中心部上方的上板部41连接，第二气体供给部45与基片(晶片W)的外周部上方的上板部41连接。由此，能够对第一空间A1进一步均匀地供给气氛调节气体。
此外，实施方式的基片处理装置(处理单元16)还具有包括对基片(晶片W)排出处理液的处理液喷嘴51的液体供给部50。在上板部41形成有供处理液喷嘴51插通的贯通孔41a。由此，能够将气氛被调节的第一空间A1内的晶片W顺利地供给处理液。
此外，在实施方式的基片处理装置(处理单元16)中，第一气体供给部44与贯通孔41a的内壁连接。由此，能够在贯通孔41a内形成气体幕。
此外，在实施方式的基片处理装置(处理单元16)中，贯通孔41a是从与基片(晶片W)的中心部相对的位置到与基片(晶片W)的外周部相对的位置延伸的缝隙状。由此，能够在贯通孔41a内能够使处理液喷嘴51扫描移动。
此外，实施方式的基片处理装置(处理单元16)还具有以覆盖缝隙状的贯通孔41a的方式配置，与处理液喷嘴51同步地在基片(晶片W)上扫描的扫描上部板60。由此，能够抑制从第二空间A2向第一空间A1的大气气氛的流入。
此外，在实施方式的基片处理装置(处理单元16)中，上板部41与扫描上部板60之间的间隙具有迷宫构造。由此，能够在上板部41与扫描上部板60之间的间隙产生压力损失，因此能够进一步抑制从第二空间A2向第一空间A1的大气气氛的流入。
此外，在实施方式的基片处理装置(处理单元16)还具有收纳基片处理部30、隔壁部40、液体供给部50的箱体20。箱体20内的第二空间A2是大气气氛。由此，能够减少在对晶片W进行液体处理时的气氛调节气体的使用量。
此外，在实施方式的基片处理装置(处理单元16)中，从第一气体供给部44供给的气氛调节气体的流量大于从第二气体供给部45供给的气氛调节气体的流量。由此，能够将开口比第二气体供给部45大的第一气体供给部44将气氛调节气体向第一空间A1均匀地供给。
实施方式的基片处理系统1配置有多个上述基片处理装置(处理单元16)。此外，具有设置有与多个基片处理装置邻接、向各个基片处理装置运送基片(晶片W)的运送机构(基片运送装置17)的共用运送通路(运送部15)。由此，能够实现能够减少对晶片W进行液体处理时的气氛调节气体的使用量的基片处理系统1。
此外，实施方式的基片处理系统1还具有将调节气氛的气氛调节气体向共用运送通路(运送部15)供给的第三气体供给部。由此，在晶片W送入中的处理单元16内中，能够持续地将第一空间A1的气氛调节至规定的条件。
<液体处理的详细>
接着，参照图7和图8，说明实施方式的液体处理的详情。图7是表示实施方式的液体处理整体的处理顺序的流程图。
另外，图7和图8所示的液体处理通过下述方式执行：控制部18从实施方式的存储介质将安装于存储部19的程序读出，并且基于读出的命令，控制部18控制运送部12、运送部15、处理单元16等。
首先，控制部18控制处理单元16，从第一气体供给部44和第二气体供给部45向被隔壁部40分隔出的第一空间A1供给气氛调节气体(步骤S101)。
接着，控制部18控制基片运送装置13和基片运送装置17，从载体C经由基片运送装置13、交接部14、基片运送装置17，将晶片W向处理单元16内的第一空间A1送入(步骤S102)。
接着，控制部18控制基片运送装置17和处理单元16，将晶片W载置于基片处理部30(步骤S103)。该步骤S103例如通过下述方式进行：将送入至基片保持部31的上方的晶片W用移动至上方的支柱部32接受后向下方移动，而载置于基片保持部31。
接着，控制部18控制处理单元16，使上板部41接近晶片W(步骤S104)。另外，在该步骤S104时，可以使扫描上部板60与上板部41同步地移动。
接着，控制部18控制处理单元16的液体供给部50，使处理液喷嘴51插通在上板部41的贯通孔41a中(步骤S105)。然后，控制部18控制液体供给部50，从处理液喷嘴51将处理液向晶片W供给(步骤S106)。
接着，控制部18控制基片处理部30，对晶片W进行液体处理(步骤S107)。该步骤S107例如通过下述方式进行：使基片保持部31旋转而使晶片W旋转，使供给至晶片W的处理液向外周侧移动。另外，该步骤S107的详情在后面叙述。
接着，控制部18控制隔壁部40，确保第一空间A1中的晶片W的运送通路(步骤S108)。该步骤S108例如通过下述方式进行：使上板部41从晶片W的运送通路向上方退避。
接着，控制部18控制基片处理部30、基片运送装置17和基片运送装置13，从处理单元16内的第一空间A1经由基片运送装置17、交接部14、基片运送装置13，向载体C送出晶片W(步骤S109)。
最后，控制部18控制第一气体供给部44和第二气体供给部45，停止向用隔壁部40分隔出的第一空间A1的气氛调节气体的供给(步骤S110)，结束处理。
图8是表示实施方式的液体处理(上述步骤S107)的详细的处理顺序的流程图。
实施方式的液体处理首先用规定的药液L1进行药液处理(步骤S201)。该药液体处理例如通过下述方式进行：将DHF等酸类处理液、SC1等碱类处理液等的药液从处理液喷嘴51向晶片W供给。
接着，用规定的清洗液L2进行清洗处理(步骤S202)。该清洗处理例如通过将DIW等清洗液从处理液喷嘴51向晶片W供给而进行。
接着，使用处理液喷嘴51，向晶片W供给IPA(步骤S203)。最后，通过使被供给了IPA的晶片W旋转，对晶片W进行旋转干燥(步骤S204)，结束处理。另外，在上述步骤S202和S203中，可以在使供给的清洗液L2、IPA与上板部41接触的同时进行液体处理。
实施方式的基片处理方法包括：供给气氛调节气体的工序；向第一空间A1送入基片(晶片W)的工序；将基片(晶片W)载置于基片处理部30的工序；和进行液体处理的工序。供给气氛调节气体的工序向从基片(晶片W)被送入的送入送出口21到对基片实施液体处理的基片处理部30的第一空间A1、从2个气体供给部(第一气体供给部44和第二气体供给部45)供给调节气氛的气氛调节气体。进行液体处理的工序使用在由隔壁部40从第一空间A1分隔开的第二空间A2配置的液体供给部50对基片(晶片W)进行液体处理。由此，能够减少对晶片W进行液体处理时的气氛调节气体的使用量。
以上说明了本发明的各实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式，只要不脱离其主旨能够进行各种变更。
此次公开的实施方式的所有方面均是例示而不是限制。实际上，上述实施方式能够以多种形态实现。此外，上述实施方式能够不脱离权利要求的范围和其主旨地以各种方式省略、置换、变更。

Claims (10)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
对基片实施液体处理的基片处理部；
将从用于送入所述基片的送入送出口到所述基片处理部为止的第一空间与所述第一空间以外的第二空间之间分隔开的隔壁部；
与所述隔壁部连接的、向所述第一空间供给调节气氛的气氛调节气体的第一气体供给部；和
与所述隔壁部中的与所述第一气体供给部不同的部位连接的、向所述第一空间供给所述气氛调节气体的第二气体供给部，
所述第一气体供给部和所述第二气体供给部与所述隔壁部中的与所述基片相对的位置连接，
所述隔壁部具有覆盖所述基片的上方的上板部和包围所述基片的侧方的侧壁部，
所述第一气体供给部和所述第二气体供给部与所述上板部连接，
还包括液体供给部，其具有向所述基片排出处理液的处理液喷嘴，
在所述上板部形成有供所述处理液喷嘴插通其中的贯通孔，
所述第一气体供给部与所述贯通孔的内壁连接。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一气体供给部与所述基片的中心部上方的所述上板部连接，所述第二气体供给部与所述基片的外周部上方的所述上板部连接。
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述贯通孔形成为从与所述基片的中心部相对的位置延伸至与所述基片的外周部相对的位置的缝隙状。
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
扫描上部板，其以覆盖缝隙状的所述贯通孔的方式配置，能够与所述处理液喷嘴同步地在所述基片上扫描。
5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
所述上板部与所述扫描上部板之间的间隙具有迷宫构造。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括收纳所述基片处理部、所述隔壁部和所述液体供给部的箱体，
所述箱体内的所述第二空间为大气气氛。
7.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
从所述第一气体供给部供给的所述气氛调节气体的流量大于从所述第二气体供给部供给的所述气氛调节气体的流量。
8.一种基片处理系统，其特征在于：
配置有多个权利要求1～7中任一项所述的基片处理装置，
包括共用运送通路，其设置有与多个所述基片处理装置邻接的、向各个所述基片处理装置运送所述基片的运送机构。
9.如权利要求8所述的基片处理系统，其特征在于：
还包括第三气体供给部，其将调节气氛的气氛调节气体供给到所述共用运送通路。
10.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
从2个气体供给部对第一空间供给调节气氛的气氛调节气体的步骤，其中，所述第一空间是从用于送入基片的送入送出口到对所述基片实施液体处理的基片处理部为止的空间；
向所述第一空间送入所述基片的步骤；
将所述基片载置于所述基片处理部的步骤；和
使用配置在用隔壁部从所述第一空间分隔开的第二空间的液体供给部对所述基片进行液体处理的步骤，
所述2个气体供给部包括：与所述隔壁部连接的、向所述第一空间供给所述气氛调节气体的第一气体供给部；和与所述隔壁部中的与所述第一气体供给部不同的部位连接的、向所述第一空间供给所述气氛调节气体的第二气体供给部，
所述第一气体供给部和所述第二气体供给部与所述隔壁部中的与所述基片相对的位置连接，
所述隔壁部具有覆盖所述基片的上方的上板部和包围所述基片的侧方的侧壁部，
所述第一气体供给部和所述第二气体供给部与所述上板部连接，
所述液体供给部具有向所述基片排出处理液的处理液喷嘴，
在所述上板部形成有供所述处理液喷嘴插通其中的贯通孔，
所述第一气体供给部与所述贯通孔的内壁连接。
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