CN108183068A - 基片处理方法和热处理装置 - Google Patents

基片处理方法和热处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108183068A
CN108183068A CN201711293037.8A CN201711293037A CN108183068A CN 108183068 A CN108183068 A CN 108183068A CN 201711293037 A CN201711293037 A CN 201711293037A CN 108183068 A CN108183068 A CN 108183068A
Authority
CN
China
Prior art keywords
processing chamber
chamber housing
substrate
heat treatment
moisture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711293037.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108183068B (zh
Inventor
佐野要平
川上真路
川上真一路
榎本正志
盐泽崇博
吉田圭佑
鬼塚智也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to CN202310487865.4A priority Critical patent/CN116469755A/zh
Publication of CN108183068A publication Critical patent/CN108183068A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108183068B publication Critical patent/CN108183068B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31058—After-treatment of organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Abstract

本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。

Description

基片处理方法和热处理装置
技术领域
本发明涉及对形成于基片的含金属膜进行热处理的基片处理方法和热处理装置。
背景技术
例如在半导体器件的制造工艺中的光刻工序中，例如依次进行在半导体晶片(以下称为“晶片”)上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将该抗蚀剂膜以规定的图案曝光的曝光处理、在曝光后为了促进抗蚀剂膜的化学反应而进行加热的曝光后烘焙(Post Exposure Baking)处理(以下称为“PEB处理”)、对曝光了的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。
但是，近年来，伴随半导体器件的进一步高集成化，要求抗蚀剂图案的微细化。于是，为了实现抗蚀剂图案的微细化，提出了使用EUV(EXTREME ULTRAVIOLET；极紫外)光的曝光处理。
另外，作为EUV使用的抗蚀剂，从高分辨率、高蚀刻耐性、或对曝光的高灵敏度的特征出发，提出了含金属的抗蚀剂(以下称为“含金属抗蚀剂”)(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2016-530565号公报
发明内容
发明要解决的课题
在半导体器件的制造工艺中，金属与电特性有较大关系，所以被严格管理。在这方面，在对含金属抗蚀剂的PEB处理中，产生含金属升华物，所以需要通过高排气回收该含金属升华物，来抑制金属污染。特别是在使用含金属抗蚀剂的情况下的含金属升华物为分子级别的小的物质，因金属产生的污染对半导体器件的电特性产生影响。
另一方面，在当前的PEB处理中进行高排气时，未被湿度管理的外部空气流入到处理腔室内。本发明者们进行深刻研究时得知，含金属抗蚀剂对水分的灵敏度高，在规定范围外的湿度的处理气氛下，抗蚀剂图案的尺寸(例如线宽度)的均匀性恶化。
如以上的方式，在兼顾对含金属抗蚀剂的PEB处理中，金属污染的抑制和抗蚀剂图案尺寸的均匀性方面，还有改善的余地。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染，同时适当地形成含金属膜。
用于解决课题的方法
为了实现上述的目的，本发明提供一种对形成于基片的含金属膜进行热处理的基片处理方法，其特征在于：上述热处理通过在设置于处理腔室的内部的热处理板上载置基片来进行，在上述热处理中，对上述含金属膜供给水分，从上述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气。
根据本发明，在进行热处理时，向含金属膜供给水分。该水分供给可以在热处理前进行，也可以在热处理中进行，在热处理中中将适量的水分供给到含金属膜即可。这样一来，例如在含金属膜为含金属抗蚀剂膜的情况下，能够使抗蚀剂图案的尺寸均匀。另外，在热处理中对处理腔室的内部进行排气，所以能够回收在该热处理中产生的含金属升华物，能够抑制金属污染，能够抑制半导体器件的缺陷。
上述热处理可以包括：在上述热处理板上载置了基片的状态下，对上述处理腔室的内部供给含水分气体，并且从上述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部以第1排气量进行排气的第1工序；和之后，停止上述含水分气体的供给，从上述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部以比上述第1排气量大的第2排气量进行排气的第2工序。
可以在上述处理腔室的内部的与上述热处理板相对的位置，设置有在下表面形成有多个气体供给孔的喷头，在上述第1工序中，从上述喷头对上述处理腔室的内部供给上述含水分气体。
上述处理腔室可以包括：可升降的上部腔室；和与上述上部腔室成为一体而能够将内部密闭的下部腔室，在上述第2工序中，使上述上部腔室上升，使外部空气从上述处理腔室的外周部流入到内部，并且从上述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气。
上述基片处理方法可以还包括：在上述第1工序后上述第2工序前，停止上述含水分气体的供给，从上述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部以上述第1排气量进行排气的工序。
上述基片处理方法可以还包括：在上述第2工序后，使基片从上述热处理板上升，停止上述含水分气体的供给，从上述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部以上述第2排气量进行排气的工序。
另外，可以在上述热处理中，在上述热处理板上载置了基片的状态下，从在上述处理腔室的外周部环状地设置的水分供给部对该处理腔室的内部供给含水分气体，并且，从设置于上述处理腔室的上表面中央部的中央排气部对该处理腔室的内部进行排气。
可以上述水分供给部在该水分供给部的圆周上等间隔地形成有多个气体供给孔，从上述多个气体供给孔对上述处理腔室的内部供给上述含水分气体。
可以在上述处理腔室的外周部比上述水分供给部靠内侧设置有环状的气体流通部，上述气体流通部在该气体流通部的圆周上等间隔地形成有多个气体流通孔，从上述水分供给部供给的上述含水分气体，通过上述多个气体流通孔被供给到上述处理腔室的内部。
可以在上述基片处理方法中，在基片上涂敷含金属材料来形成上述含金属膜，进而在对上述含金属膜进行曝光后，对该含金属膜进行热处理，在上述热处理前或者上述热处理中，对上述含金属膜供给水。
另外，可以在上述处理腔室的外周部设置有开闭该处理腔室的开闭闸板，上述热处理包括：利用上述开闭闸板将上述处理腔室关闭，在上述热处理板上载置了基片的状态下，对上述处理腔室的内部供给含水分气体，并且从上述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部进行排气的第1工序；之后，使基片从上述热处理板上升，停止上述含水分气体的供给，从上述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气的第2工序；和之后，利用上述开闭闸板打开上述处理腔室的第3工序。
可以在上述热处理中，在上述处理腔室的外周部在铅垂方向且环状地形成气流。
本发明的另一方面提供一种对形成于基片的含金属膜进行热处理的热处理装置，其特征在于，包括：用于收纳基片的处理腔室；设置于上述处理腔室的内部，用于载置基片的热处理板；对上述含金属膜供给水分的水分供给部；和从上述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气的中央排气部。
上述热处理装置可以还包括：从上述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部进行排气的外周排气部；和控制上述处理腔室、上述热处理板、上述水分供给部、上述中央排气部和上述外周排气部的动作的控制部，上述水分供给部对上述处理腔室的内部供给含水分气体，上述控制部控制上述热处理板、上述水分供给部、上述中央排气部和上述外周排气部的动作，以执行：在上述热处理板上载置了基片的状态下，从上述水分供给部对上述处理腔室的内部供给上述含水分气体，并且利用上述外周排气部从上述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部以第1排气量进行排气的第1工序；和之后，停止来自上述水分供给部的上述含水分气体的供给，利用上述中央排气部从上述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部以比上述第1排气量大的第2排气量进行排气的第2工序。
也可以上述水分供给部是在上述处理腔室的内部与上述热处理板相对的位置设置的喷头，在上述喷头的下表面形成有多个气体供给孔。
上述处理腔室可以包括：可升降的上部腔室；和与上述上部腔室成为一体而能够将内部密闭的下部腔室，上述控制部控制上述处理腔室和上述中央排气部，以使得在上述第2工序中，使上述上部腔室上升，使外部空气从上述处理腔室的外周部流入到内部，并且利用上述中央排气部从上述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气。
也可以上述控制部控制上述水分供给部和上述外周排气部，以使得在上述第1工序后上述第2工序前，停止来自上述水分供给部的上述含水分气体的供给，利用上述外周排气部从上述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部以上述第1排气量进行排气。
上述热处理装置可以还包括使基片升降的升降部，上述控制部控制上述升降部、上述水分供给部和上述中央排气部，以使得在上述第2工序后，利用上述升降部使基片从上述热处理板上升，停止来自上述水分供给部的上述含水分气体的供给，利用上述中央排气部从上述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部以上述第2排气量进行排气。
另外，上述水分供给部可以在上述处理腔室的外周部环状地设置，对上述处理腔室的内部供给含水分气体，上述中央排气部设置于上述处理腔室的上表面中央部。
也可以在上述水分供给部，在该水分供给部的圆周上等间隔地形成有多个气体供给孔。
上述热处理装置也可以还包括在上述处理腔室的外周部在比上述水分供给部靠内侧环状地设置的气体流通部，上述气体流通部，在该气体流通部的圆周上等间隔地形成有多个气体流通孔。
另外，也可以上述水分供给部对要被载置到上述热处理板之前的基片上的上述含金属膜供给水。
另外，上述热处理装置可以还包括：设置于上述处理腔室的外周部，开闭该处理腔室的开闭闸板；在上述基片的内部，使基片升降的升降部；从上述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部进行排气的外周排气部；和控制上述开闭闸板、上述热处理板、上述升降部、上述水分供给部、上述中央排气部和上述外周排气部的控制部，上述水分供给部对上述处理腔室的内部供给含水分气体，上述控制部控制上述开闭闸板、上述热处理板、上述升降部、上述水分供给部、上述中央排气部和上述外周排气部，以执行：利用上述开闭闸板将上述处理腔室关闭，在上述热处理板上载置了基片的状态下，从上述水分供给部对上述处理腔室的内部供给上述含水分气体，并且利用上述外周排气部从上述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部进行排气的第1工序；之后，利用上述升降部使基片从上述热处理板上升，停止来自上述水分供给部的上述含水分气体的供给，利用上述中央排气部从上述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气的第2工序；和之后，利用上述开闭闸板打开上述处理腔室的第3工序。
上述热处理装置可以环状地设置在上述处理腔室的外周部的铅垂方向一端部的、对该处理腔室的外周部供给空气的空气供给部；和环状地设置在上述处理腔室的外周部的铅垂方向另一端部的、将从上述空气供给部供给的空气排出的空气排出部。
发明的效果
根据本发明，在使用含金属材料的基片处理中，能够抑制热处理中的金属污染，同时适当地形成含金属膜。特别是在含金属材料为含金属抗蚀剂的情况下，能够使抗蚀剂图案的尺寸均匀。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式的基片处理系统的结构的概略的俯视图。
图2是示意性地表示本实施方式的基片处理系统的结构的概略的主视图。
图3是示意性地表示本实施方式的基片处理系统的结构的概略的后视图。
图4是表示本实施方式的晶片处理的主要的工序的例子的流程图。
图5是示意性地表示第1实施方式的热处理装置的结构的概略的纵截面图。
图6是示意性地表示第1实施方式的热处理装置的结构的概略的俯视图。
图7是示意性地表示第1实施方式的加热部的结构的概略的纵截面图。
图8是表示第1实施方式的热处理装置的动作的说明图。
图9是表示第1实施方式的热处理装置的动作的说明图。
图10是示意性地表示第2实施方式的加热部的结构的概略的纵截面图。
图11是示意性地表示第2实施方式的气体供给环的结构的概略的立体图。
图12是示意性地表示第2实施方式的内侧开闭件的结构的概略的立体图。
图13是示意性地表示第3实施方式的热处理装置的结构的概略的纵截面图。
图14是示意性地表示第3实施方式的水涂敷装置的结构的概略的纵截面图。
图15是示意性地表示第4实施方式的加热部的结构的概略的纵截面图。
图16是表示第4实施方式的热处理装置的动作说明图。
图17是示意性地表示第5实施方式的加热部的结构的概略的纵截面图。
附图标记说明
1 基片处理系统
40 热处理装置
200 控制部
310 加热部
311 温度调节部
320 处理腔室
321 上部腔室
322 下部腔室
330 喷头
331 气体供给孔
340 中央排气路径
341 中央排气管
350 外周排气路径
351 外周排气管
360 热处理板
370 升降销
400 气体供给环
401 气体供给孔
410 内侧开闭件
412 气体流通孔
420 中央排气管
500 水供给喷嘴
510 水涂敷装置
540 水供给喷嘴
600 上部腔室
601 顶板
602 开闭闸板
700 空气供给环
710 排气环
W 晶片
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。此外，在本说明书和附图中，在实质上具有相同的功能结构的要素中，通过标注相同的附图标记，省略重复说明。
＜基片处理系统＞
首先，说明具有本实施方式的热处理装置的基片处理系统的结构。图1是示意性地表示基片处理系统1的结构的概略的俯视图。图2和图3各自是是示意性地表示基片处理系统1的内部结构的概略的主视图和后视图。
在本实施方式的基片处理系统1中，作为含金属材料使用含金属抗蚀剂，在作为基片的晶片W形成抗蚀剂图案。此外，含金属抗蚀剂所包含的金属是任意的，例如锡。
如图1所示，基片处理系统1具有将：对收纳有多个晶片W的晶盒C进行搬入搬出的晶盒站10；具备对晶片W实施规定的处理的多个各种处理装置的处理站11；和在与处理站11相邻的曝光装置12之间进行晶片W的交接的接口站13一体地连接的结构。
在晶盒站10中设置有晶盒载置台20。在晶盒载置台20设置有多个晶盒载置板21，其用于在将晶盒C相对于基片处理系统1的外部搬入搬出晶盒C时载置晶盒C。
如图1所示，在晶盒站10中设置有能够在沿着X方向延伸的输送路22上自由移动的晶片输送装置23。晶片输送装置23在上下方向和绕铅垂轴(θ方向)也能够自由移动，能够在各晶盒载置板21上的晶盒C与后述的处理站11的第3区块G3的交接装置之间输送晶片W。
在处理站11设置有包括各种装置的多个例如4个区块、即第1区块G1～第4区块G4。例如在处理站11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置第1区块G1，在处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧、图面的上侧)设置第2区块G2。另外，在处理站11的晶盒站10侧(图1的Y方向负方向侧)设置已述的第3区块G3，在处理站11的接口站13侧(图1的Y方向正方向侧)设置第4区块G4。
例如在第1区块G1中，如图2所示从下方依次配置多个液体处理装置、例如对晶片W进行显影处理的显影处理装置30、在晶片W的含金属抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、对晶片W涂敷含金属抗蚀剂形成含金属抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置32、在晶片W的含金属抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33。
例如，显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33分别在水平方向上排列配置3个。此外，这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量和配置能够任意选择。
在这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33中，例如进行在晶片W上涂敷规定的处理液的旋涂。在旋涂中，例如从涂敷喷嘴对晶片W上排出处理液，并且使晶片W旋转，使处理液在晶片W的表面上扩散。
例如在第2区块G2中，如图3所示，在上下方向和水平方向上并排设置有：进行晶片W的加热、冷却等热处理的热处理装置40、为了提高含金属抗蚀剂和晶片W的定影性而进行疏水化处理的疏水化处理装置41、将晶片W的外周部曝光的周边曝光装置42。这些热处理装置40、疏水化处理装置41、周边曝光装置42的数量和配置能够任意选择。此外，在热处理装置40中，对抗蚀剂涂敷处理后的晶片W进行加热处理的预烘焙处理(以下称为“PAB处理”)、对曝光处理后的晶片W进行加热处理的曝光后烘焙处理(以下称为“PEB处理”)、对显影处理后的晶片W进行加热处理的后烘焙处理(以下称为“POST处理”)等。该热处理装置40的结构如后文所述。
例如，在第3区块G3中，从下起依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。另外，在第4区块G4中从下方开始依次配置有多个交接装置60、61、62和清洗晶片W的背面的背面清洗装置63。
如图1所示，在被第1区块G1～第4区块G4包围的区域中，形成有晶片输送区域D。在晶片输送区域D中配置有多个晶片输送装置70，该晶片输送装置70具有例如在Y方向、X方向、θ方向和上下方向上自由移动的输送臂。晶片输送装置70在晶片输送区域D内移动，能够将晶片W输送到周围的第1区块G1、第2区块G2、第3区块G3和第4区块G4内的规定的装置。
另外，如图3所示，在晶片输送区域D设置有在第3区块G3和第4区块G4之间直线输送晶片W的往复输送装置输送装置80。
往复输送装置80例如在图3的Y方向上直线地自由移动。往复输送装置80以支承晶片W的状态在Y方向上移动，能够在第3区块G3的交接装置52与第4区块G4的交接装置62之间输送晶片W。
如图1所示，在第3区块G3的X方向正方向侧相邻地设置有晶片输送装置90。晶片输送装置90例如具有在X方向、θ方向和上下方向上自由移动的输送臂。晶片输送装置90以支承晶片W的状态上下地移动，能够将晶片W输送到第3区块G3内的各交接装置。
在接口站13中设置有晶片输送装置100和交接装置101。晶片输送装置100例如具有在Y方向、θ方向和上下方向上自由移动的输送臂。晶片输送装置100例如将晶片W支承在输送臂，能够在第4区块G4内的各交接装置、交接装置101和曝光装置12之间输送晶片W。
在以上的基片处理系统1中，如图1所示设置有控制部200。控制部200例如为计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中，保存有用于控制基片处理系统1中的晶片W的处理的程序。另外，在程序保存部也收纳有控制上述的各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作，用于实现基片处理系统1中的后述的疏水化处理的程序。此外，上述程序例如记录在计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质，从该存储介质安装到控制部200。
接着，对于使用如上所述构成的基片处理系统1进行的晶片处理进行说明。图4是表示这样的晶片处理的主要工序的例子的流程图。
首先，收纳有多个晶片W的晶盒C被搬入到基片处理系统1的晶盒站10，载置到晶盒载置板21。之后，由晶片输送装置23将晶盒C内的各晶片W依次取出，输送到处理站11的第3区块G3的交接装置53。
接着，晶片W由晶片输送装置70输送到第2区块G2的热处理装置40进行温度调节处理。之后，晶片W由晶片输送装置70输送到例如第1区块G1的下部防反射膜形成装置31，在晶片W上形成下部防反射膜。之后，晶片W被输送到第2区块G2的热处理装置40，进行加热处理。之后，晶片W返回第3区块G3的交接装置53。
接着，晶片W由晶片输送装置90输送到相同的第3区块G3的交接装置54。之后，晶片W由晶片输送装置70输送到第2区块G2的疏水化处理装置41，进行疏水化处理。
接着，晶片W被晶片输送装置70输送到抗蚀剂涂敷装置32，在晶片W上形成含金属抗蚀剂膜(图4的工序S1)。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行PAB处理(图4的工序S2)。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到第3区块G3的交接装置55。
接着，晶片W被晶片输送装置70输送到上部防反射膜形成装置33，在晶片W上形成上部防反射膜。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行加热，进行温度调节。之后，晶片W被输送到周边曝光装置42，进行周边曝光处理。
之后，晶片W被晶片输送装置70输送到第3区块G3的交接装置56。
接着，晶片W被晶片输送装置90输送到交接装置52，被往复输送装置输送装置80输送到第4区块G4的交接装置62。之后，晶片W被晶片输送装置100输送到背面清洗装置63，进行背面清洗(图4的工序S3)。之后，晶片W被接口站13的晶片输送装置100输送到曝光装置12，使用EUV光以规定的图案进行曝光处理(图4的工序S4)。
接着，晶片W被晶片输送装置100输送到第4区块G4的交接装置60。之后，晶片W被晶片输送装置70输送到热处理装置40，进行PEB处理(图4的工序S5)。该热处理装置40中的PEB处理在后文述说。
接着，晶片W被晶片输送装置70输送到显影处理装置30，进行显影(图4的工序S6)。在显影结束后、晶片W被晶片输送装置90输送到热处理装置40，进行POST处理(图4的工序S7)。
之后，晶片W被晶片输送装置70输送到第3区块G3的交接装置50，被该后晶盒站10的晶片输送装置23输送到规定的晶盒载置板21的晶盒C。这样一来，一系列的光刻工序结束。
＜第1实施方式＞
接着，说明热处理装置40的第1实施方式。图5是示意性地表示第1实施方式的热处理装置40的结构的概略的纵截面图。图6是示意性地表示第1实施方式的热处理装置40的结构的概略的俯视图。
热处理装置40具有能够封闭内部的处理容器300。在处理容器300的晶片输送区域D侧的侧面形成有晶片W的搬入搬出口(未图示)，在该搬入搬出口设置有开闭闸板(未图示)。
在处理容器300的内部设置有对晶片W进行加热处理的加热部310和对晶片W进行温度调节的温度调节部311。加热部310和温度调节部311在Y方向并排配置。
如图7所示，加热部310具有收纳晶片W并对其进行加热处理的处理腔室320。处理腔室320具有：位于上侧可自由升降的上部腔室321；和位于下侧与上部腔室321成为一体能够将内部密闭的下部腔室322。
上部腔室321具有下面开口的大致圆筒形状。在上部腔室321的内部、与后述的热处理板360相对的位置，设置有对处理腔室320的内部供给含水分气体的、作为水分供给部的喷头330。喷头330构成为与上部腔室321同步地自由升降。
在喷头330的下表面形成有多个气体供给孔331。多个气体供给孔331在喷头330的下表面中，均匀地配置于后述的中央排气路径340以外的部分。喷头330与气体供给管332连接。并且，气体供给管332与对喷头330供给含水分气体的气体供给源333连接。另外，在气体供给管332设置有控制含水分气体的流通的阀334。
在气体供给源333的内部存积有水分浓度例如调节为43％～60％的气体。而且，将如上所述水分浓度调节后的含水分气体经由喷头330供给到处理腔室320的内部，将该处理腔室320的内部气氛调节为规定的范围、例如43％～60％的湿度。
在此，在PEB处理中处理气氛中的水促进含金属抗蚀剂的凝聚反应。凝聚反应是，通过曝光处理中的紫外线将含金属抗蚀剂中的金属和配体(有机金属络合物)的键切断，配体被释放的状态下，在PEB处理中生成金属的氧化物的反应。然后，因PEB处理中的水，该金属进一步被氧化，凝聚反应被促进。例如在处理腔室320的内部气氛的湿度较大水较多的情况下，含金属抗蚀剂的凝聚反应被促进。这样一来，含金属抗蚀剂为负型的抗蚀剂，所以形成于晶片W上的抗蚀剂图案的尺寸、例如线宽度变大。另一方面，在处理腔室320的内部气氛的湿度小水较少的情况下，含金属抗蚀剂的凝聚反应几乎不进行，抗蚀剂图案的尺寸变小。因此，为了适当地控制抗蚀剂图案的尺寸，控制湿度比较重要。
另外，如上所述本发明者们进行了深刻探讨，可知含金属抗蚀剂对水分的灵敏度高。而且，发现PEB处理中的处理腔室320的内部气氛被维持为43％～60％的湿度时，抗蚀剂图案的尺寸在晶片面内变得均匀。具体来讲，在比42％小的湿度的气氛下进行PEB处理时，抗蚀剂图案的尺寸变得不均匀。
此外，本发明者们发现含金属抗蚀剂对温度的灵敏度低。
如图7所示，在喷头330形成有从该喷头330的下表面中央部延伸至上表面中央部的中央排气路径340。中央排气路径340与设置于上部腔室321的上表面中央部的中央排气管341连接。并且，中央排气管341与例如真空泵等排气装置342连接。另外，在中央排气管341设置有控制排出的气体的流通的阀343。此外，在本实施方式中，中央排气路径340、中央排气管341、排气装置342和阀343构成本发明的中央排气部。
在上部腔室321的内部、喷头330的外周部，形成有从处理腔室320的外周部对该处理腔室320的内部进行排气的外周排气路径350。外周排气路径350与设置于上部腔室321的上表面的外周排气管351连接。并且，外周排气管351与例如真空泵等的排气装置352连接。另外，在外周排气管351设置有控制排出的气体的流通的阀353。此外，在本实施方式中，外周排气路径350、外周排气管351、排气装置352和阀353构成本发明的外周排气部。
下部腔室322具有上面开口的大致圆筒形状。在下部腔室322的上面开口部设置有热处理板360和收纳该热处理板360并保持热处理板360的外周部的环状的保持部件361。热处理板360具有一定厚度的大致圆盘形状，能够载置晶片W并对其进行加热。另外，在热处理板360内置有例如加热器362。而且，热处理板360的加热温度例如由控制部200控制，载置到热处理板360上的晶片W被加热至规定的温度。
在下部腔室322的内部、热处理板360的下方例如设置有三根从下方支承晶片W使其升降的、作为升降部的升降销370。升降销370能够通过升降驱动部371上下移动。在热处理板360的中央部附近例如在三个部位形成有将该热处理板360在厚度方向通的贯通孔372。
而且，升降销370插通贯通孔372，能够从热处理板360的上表面突出。
如图5和图6所示，温度调节部311具有温度调节板380。温度调节板380具有大致方形的平板形状，热处理板360侧的端面呈圆弧状弯曲。在温度调节板380形成有沿Y方向的2个狭缝381。
狭缝381从温度调节板380的热处理板360侧的端面形成至温度调节板380的中央部附近。利用该狭缝381，温度调节板380能够防止加热部310的升降销370与后述的温度调节部311的升降销390干扰。另外，在温度调节板380内置有例如冷却水、珀耳帖元件等的温度调节部件(未图示)。温度调节板380的温度例如由控制部200控制，载置在温度调节板380上的晶片W被调节为规定的温度。
温度调节板380由支承臂382支承。在支承臂382安装有驱动部383。驱动部383安装在沿Y方向延伸的导轨384。导轨384从温度调节部311延伸至加热部310。通过该驱动部383，温度调节板380能够沿导轨384在加热部310和温度调节部311之间移动。
在温度调节板380的下方例如设置三根用于从下方晶片W支承使其升降的升降销390。升降销390能够通过升降驱动部391上下移动。而且，升降销390插通狭缝381，能够从温度调节板380的上表面突出。
接着，对使用如以上方式构成的热处理装置40进行的PEB处理进行说明。图8是说明热处理装置40的动作的说明图。此外，被搬入到热处理装置40的晶片W形成有含金属抗蚀剂膜。
首先，通过晶片输送装置70向热处理装置40搬入晶片W时，晶片W从晶片输送装置70被交接到预先上升待机的升降销390。
接着，使升降销390下降，将晶片W载置到温度调节板380。
之后，通过驱动部383使温度调节板380沿导轨384移动至热处理板360的上方，晶片W被交接到预先上升待机的升降销370。
之后，如图8的(a)所示，使上部腔室321下降，使上部腔室321和下部腔室322抵接，将处理腔室320的内部密闭。之后，使升降销370下降，将晶片W载置到热处理板360。然后，将热处理板360上的晶片W加热至规定的温度(工序A1)。
在该工序A1中，从喷头330例如以4L/min的流量供给水分浓度例如调节为43％～60％的含水分气体，处理腔室320的内部气氛例如调节为43％～60％的湿度。然后，该含水分气体所包含的水分结露附着于晶片W的含金属抗蚀剂膜，通过该水分，促进含金属抗蚀剂的凝聚反应。在凝聚反应中，金属被水分氧化，含金属抗蚀剂发生冷凝。而且，如上所述促进含金属抗蚀剂的凝聚反应，来决定抗蚀剂图案的尺寸。
另外，在工序A1中，从喷头330的多个气体供给孔331将含水分气体对晶片W均匀地供给，所以能够在晶片面内均匀地进行含金属抗蚀剂的凝聚反应，能够使抗蚀剂图案的尺寸在晶片面内均匀。
并且，在工序A1中，从外周排气路径350(处理腔室320的外周部)以第1排气量、例如4L/min以上对该处理腔室320的内部进行排气。像这样对处理腔室320的内部从外周部进行低排气，能够使含金属抗蚀剂的凝聚反应在晶片面内更加均匀地进行。
此外，在工序A1的加热处理中，相应于含金属抗蚀剂的凝聚反应进行的量，产生来自该含金属抗蚀剂的含金属升华物。
之后，如图8的(b)所述，停止来自喷头330的含水分气体的供给，使含金属抗蚀剂的凝聚反应停止(工序A2)。在该工序A2的阶段，含金属抗蚀剂的凝聚反应停止，所以对抗蚀剂图案的影响小，另外，也能够抑制来自含金属抗蚀剂的含金属升华物的产生。
此外，在工序A2中，来自外周排气路径350的处理腔室320的内部的排气继续以上述第1排气量进行。
之后，如图8的(c)所示，使上部腔室321上升，使外部空气从处理腔室320的外周部流入到内部，并且从中央排气路径340(处理腔室320的中央部)对该处理腔室320的内部以比第1排气量大的第2排气量、例如20L/min～70L/min进行排气(工序A3)。像这样对处理腔室320的内部从中央部进行高排气，能够回收处理腔室320的内部的含金属升华物，使该含金属升华物的浓度降低。因此，能够抑制金属污染，能够抑制半导体器件的缺陷。
另外，在工序A3中，从处理腔室320的中央部进行排气，而且，从处理腔室320的外周部使外部空气流入，所以含金属升华物不漏到处理腔室320的外部。因此，能够进一步抑制金属污染。
此外，在工序A3中，除了从处理腔室320的中央部的排气之外，还可以从外周部进行排气。但是，进行排气的路径少的一方能够以高速进行排气，所以优选仅从中央部进行排气。
之后，如图8的(d)所示，进一步使上部腔室321上升。然后，通过升降销370使晶片W上升，并且使温度调节板380向热处理板360的上方移动，接着，晶片W被从升降销370交接至温度调节板380。之后，使温度调节板380移动到晶片输送区域D侧，在该温度调节板380的移动中，晶片W被调节为规定的温度(工序A4)。
根据本实施方式，在工序A1中，向处理腔室320的内部供给含水分气体，所以能够促进含金属抗蚀剂的凝聚反应，能够使抗蚀剂图案的尺寸均匀。另外，在工序A3中，对处理腔室320的内部进行高排气，所以能够回收在工序A1产生的含金属升华物，能够抑制金属污染。其结果是，能够抑制半导体器件的缺陷。另外，通过抑制金属污染，也产生抑制处理腔室320的清洁、维护频度的效果。
在以上的实施方式中，说明了在工序A1中，使含金属抗蚀剂的凝聚反应促进后，在工序A2中停止含水分气体的供给，使含金属抗蚀剂的凝聚反应停止的情况。在该情况下，在工序A2中，含金属升华物的产生衰减。
另一方面，例如在工序A1的结束后，含金属抗蚀剂中的配体并未完全放出而残留其一部分，存在在工序A2中即使停止含水分气体的供给，含金属抗蚀剂的凝聚反应也不停止的情况。在该情况下，在工序A2中，含金属升华物持续产生而不衰减。
在以下中，说明作为第1实施方式的变形例，停止如上所述含水分气体的供给，含金属升华物也持续产生的情况。图9说明热处理装置40的动作的说明图。
首先，如图9的(a)所示，在将处理腔室320的内部密闭的状态下，将晶片W载置到热处理板360，加热至规定的温度(工序B1)。该工序B1与上述工序A1相同。即，在工序B1中，从喷头330例如以4L/min的流量供给水分浓度被调节为例如43％～60％的含水分气体，处理腔室320的内部气氛被调节为例如43％～60％的湿度。而且，含金属抗蚀剂的凝聚反应被促进。另外，从外周排气路径350(处理腔室320的外周部)以第1排气量、例如4L/min以上对该处理腔室320的内部进行排气。
之后，如图9的(b)所示停止来自喷头330的含水分气体的供给，并且停止来自外周排气路径350的处理腔室320的内部的排气。然后，使上部腔室321上升，使外部空气从处理腔室320的外周部流入到内部，并且从中央排气路径340(处理腔室320的中央部)对该处理腔室320的内部以第2排气量、例如20L/min～70L/min进行排气(工序B2)。
在工序B2中，停止含水分气体的供给，但是，晶片W被载置到热处理板360，含金属升华物持续产生。因此，通过对处理腔室320的内部从中央部进行高排气，回收如上述方式持续产生的含金属升华物，使处理腔室320的内部中的含金属升华物的浓度降低。
之后，在工序B2中的含金属升华物的回收一定程度结束时，如图9的(c)所示通过升降销370使晶片W上升，使晶片W离开热处理板360，并且继续从中央排气路径340进行排气(工序B3)。即，从处理腔室320的中央部对该处理腔室320的内部以第2排气量、例如20L/min～70L/min进行排气。
在工序B3中，使晶片W离开热处理板360，所以晶片W的热处理停止，含金属抗蚀剂的凝聚反应也停止。而且，能够抑制来自金融含有抗蚀剂的含金属升华物的产生。
另外，在工序B3中，通过对处理腔室320的内部从中央部进行高排气，能够回收处理腔室320的内部的含金属升华物，能够使该含金属升华物的浓度降低。因此，能够抑制金属污染。另外，在工序B3中，从处理腔室320的中央部进行排气，而且从处理腔室320的外周部使外部空气流入，所以含金属升华物不漏到处理腔室320的外部。
因此，能够进一步抑制金属污染。
之后，如图9的(d)所示，进一步使上部腔室321上升。然后，晶片W被从升降销370交接到温度调节板380，之后，在温度调节板380的移动中，晶片W被调节为规定的温度(工序B4)。该工序B4与上述工序A4相同。
在本实施方式中，也能够发挥与上述实施方式相同的效果。即，在工序B1中向处理腔室320的内部供给含水分气体，能够促进含金属抗蚀剂的凝聚反应，能够使抗蚀剂图案的尺寸均匀。另外，在工序B2和工序B3中对处理腔室320的内部从中央部进行高排气，能够回收含金属升华物，能够抑制金属污染。
此外，在第1实施方式中，对作为含金属材料使用含金属抗蚀剂的情况进行说明，但是，第1实施方式也能够适用于其它他的含金属材料。例如作为含金属材料，可以使用金属硬掩模材料。金属硬掩模材料所包含的金属是任意的，例如是钛、锆等。
为了实现抗蚀剂图案的微细化，近年来，提出了在晶片W上形成金属硬掩模。在形成该金属硬掩模时，当前的课题在于，存在在晶片W上旋涂金属硬掩模材料后，在金属硬掩模的热处理或者在对金属硬掩模进行湿式蚀刻后的热处理时，在晶片面内膜厚变得不均匀的情况。
本发明者们深刻探讨的结果，该湿式蚀刻的不均匀性的主要原因是金属硬掩模的膜质斑，并且，可知该膜质斑是主要因为对旋涂的金属硬掩模进行热处理时的气氛而产生的。例如从晶片W的外周部一端进行排气的情况下，在晶片面内产生向其一端去的气流。另外，在从晶片W的中心部进行排气的情况下，在晶片面内产生从外周部向中心部去的气流。这样的气流使金属硬掩模的膜质斑产生。
另外，在对金属硬掩模进行热处理时，与含金属抗蚀剂同样产生含金属升华物。因此，需要回收该含金属升华物，抑制金属污染。
在这方面，在第1实施方式中，在作为含金属材料使用金属硬掩模材料的情况下，在工序A1和工序B1中，从喷头330均匀供给含水分气体，从外周排气路径350对处理腔室320的内部均匀地进行排气，能够使晶片W的气流均匀。因此，能够抑制金属硬掩模的膜质斑使膜质均匀化，能够均匀地进行该金属硬掩模的湿式蚀刻。
另外，在工序A1和工序B1中，通过含水分气体所包含的水分，能够促进金属硬掩模的凝聚反应。
另外，在工序A3、工序B2和B3中，从中央排气路径340对处理腔室320的内部进行高排气，能够回收处理腔室320的内部的含金属升华物，使该含金属升华物的浓度降低。因此，能够抑制金属污染。其结果是，能够抑制处理中的晶片W的缺陷，并且，能够抑制金属附着在后续的晶片W产生缺陷。另外，为了更换晶片W，在使上部腔室321上升时，能够抑制含金属升华物泄漏到外部。
＜第2实施方式＞
接着，说明热处理装置40的第2实施方式。第2实施方式中的热处理装置40中，第1实施方式中的热处理装置40和加热部310的结构被改变，其它具有相同的结构。
首先，说明加热部310的结构。图10是示意性地表示第2实施方式的加热部310的结构的概略的纵截面图。
在加热部310的上部腔室321的内部，替代第1实施方式中的喷头330，而设置向处理腔室320的内部供给含水分气体的、作为水分供给部的气体供给环400。气体供给环400沿上部腔室321的外周部环状地设置。
如图11所示，在气体供给环400的上表面，在该气体供给环400的周上等间隔地形成有多个气体供给孔401。气体供给环400通过该多个气体供给孔401，能够向上方均匀地供给含水分气体。
如图10所示，气体供给环400与气体供给管402连接。
并且，气体供给管402与向气体供给环400供给含水分气体的气体供给源403连接。另外，在气体供给管402设置有控制含水分气体的流通的阀404。
在气体供给源403的内部，与第1实施方式中的气体供给源333同样存积有水分浓度被调节为例如43％～60％的气体。而且，如上所述水分浓度被调节后的含水分气体经由气体供给环400被供给到处理腔室320的内部，该处理腔室320的内部气氛被调节为规定的范围、例如43％～60％的湿度。
在上部腔室321的外周部、且气体供给环400的内侧设置有环状的作为气体流通部的内侧开闭件410。即，由上部腔室321、气体供给环400和内侧开闭件410包围的气体流通路411沿上部腔室321的外周部形成为环状。另外，为了防止外部空气流入到气体流通路411，上部腔室321、气体供给环400、内侧开闭件410各自之间被密闭。
如图12所示，在内侧开闭件410，在该内侧开闭件410在圆周上等间隔地形成有多个气体流通孔412。内侧开闭件410通过该气体流通孔412，能够向处理腔室320的内部在水平方向均匀地供给含水分气体。
上部腔室321的上表面中央部与中央排气管420连接。并且，中央排气管420例如与真空泵等排气装置421连接。另外，在中央排气管420设置有控制被排气后的气体的流通的阀422。此外，本实施方式中，中央排气管420、排气装置421和阀422构成本发明的中央排气部。
此外，加热部310的其它结构与第1实施方式中的加热部310的结构相同，所以省略说明。
在如以上的方式构成的加热部310中，在将处理腔室320的内部密闭的状态下，将晶片W载置到热处理板360，加热至规定的温度(PEB处理)。
在PEB处理中，从气体供给环400经由内侧开闭件410向处理腔室320的内部以例如20L/min～70L/min的流量供给水分浓度被调节为例如43％～60％的含水分气体，处理腔室320的内部气氛被调节为例如43％～60％的湿度。通过如上述方式将处理腔室320的内部气氛调节为规定的湿度，能够促进含金属抗蚀剂的凝聚反应，能够使抗蚀剂图案的尺寸均匀。
另外，在PEB处理中，从中央排气管420(处理腔室320的中央部)对该处理腔室320的内部以例如20L/min～70L/min进行排气。像这样对处理腔室320的内部从中央部进行高排气，能够回收处理腔室320的内部的含金属升华物，使该含金属升华物的浓度降低。因此，能够抑制金属污染。
此外，在PEB处理中，从气体供给环400供给的含水分气体的流量和从中央排气管420排气的排气量大致相同。
另外，在第2实施方式中，说明了作为含金属材料使用含金属抗蚀剂的情况，但是，第2实施方式与第1实施方式相同，也能够适用于其它的含金属材料、例如金属硬掩模材料。
＜第3实施方式＞
在以上的第1实施方式和第2实施方式中，对PEB处理中的处理腔室320的内部供给了含水分气体，但是，也可以在PEB处理前对含金属抗蚀剂膜供给水分。另外，该PEB处理前的水分供给可以在热处理装置40的内部进行，也可以在热处理装置40的外部进行。
首先，对PEB处理前的水分供给在热处理装置40的内部进行的情况下进行说明。图13是示意性地表示第3实施方式的热处理装置40的结构的概略的纵截面图。
热处理装置40具有与第1实施方式的热处理装置40相同的结构，并且，在处理容器300的内部设置有向晶片W上的含金属抗蚀剂膜供给含水分气体的、作为水分供给部的水供给喷嘴500。此外，含水分气体可以包含液体的水(雾)。另外，水供给喷嘴500可以排出液体的水。
水供给喷嘴500设置于温度调节部311的温度调节板380的上方，通过移动机构501在水平方向自由移动。另外，水供给喷嘴500具有与晶片W的直径相同或比其长的细长形状，水供给喷嘴500的排出口形成为狭缝状。而且，水供给喷嘴500一边在晶片W的上方在水平方向移动一边排出含水分气体，向晶片W上的含金属抗蚀剂膜的整个面供给含水分气体。被供给的含水分气体结露附着在含金属抗蚀剂膜，向该含金属抗蚀剂膜的整个面供给水。
水供给喷嘴500与水供给管502连接。并且，水供给管502与向水供给喷嘴500供给含水分气体的水供给源503连接。另外，在水供给管502设置有控制含水分气体的流通的阀504。
此外，在加热部310的上部腔室321中，第1实施方式中的喷头330、气体供给管332、气体供给源333、阀334、外周排气路径350、外周排气管351、排气装置352、阀353被省略。即，在上部腔室321设置有中央排气管341、排气装置342、阀343。
接着，对使用如以上方式构成的热处理装置40进行的PEB处理进行说明。
首先，通过晶片输送装置70向热处理装置40搬入晶片W时，晶片W从晶片输送装置70被交接到预先上升待机的升降销390。
接着，使升降销390下降，将晶片W载置到温度调节板380。
之后，通过移动机构501一边使水供给喷嘴500在晶片的上方在水平方向移动，一边从该水供给喷嘴500排出含水分气体。排出的含水分气体结露附着在含金属抗蚀剂膜，向该含金属抗蚀剂膜的整个面供给水。此外，此时的水的供给量是与上述第1实施方式中的处理腔室320的内部气氛的规定的湿度、例如43％～60％相当的量。
之后，通过驱动部383使温度调节板380沿导轨384移动至热处理板360的上方，晶片W被交接到预先上升待机的升降销370。
之后，使上部腔室321下降，使上部腔室321和下部腔室322抵接，将处理腔室320的内部密闭。之后，使升降销370下降，将晶片W载置到热处理板360。然后，将热处理板360上的晶片W加热至规定的温度。
在该晶片W的加热处理中，预先向含金属抗蚀剂膜上供给水，所以能够促进含金属抗蚀剂的凝聚反应，能够使抗蚀剂图案的尺寸均匀。
另外，在该晶片W的加热处理中，从中央排气管341(处理腔室320的中央部)对该处理腔室320的内部以例如20L/min～70L/min进行排气。像这样对处理腔室320的内部从中央部进行高排气，能够回收处理腔室320的内部的含金属升华物，使该含金属升华物的浓度降低。因此，能够抑制金属污染。
之后，使上部腔室321上升。然后，通过升降销370使晶片W上升，并且使温度调节板380向热处理板360的上方移动，接着，晶片W被从升降销370交接至温度调节板380。之后，使温度调节板380移动到晶片输送区域D侧，在该温度调节板380的移动中，晶片W被调节至规定的温度。
此外，在PEB处理前的水分供给在热处理装置40的内部进行的情况下，水分供给部不限于水供给喷嘴500。例如可以在形成于处理容器300的晶片W的搬入搬出口设置水供给喷嘴500，在该情况下，从水供给喷嘴500对被搬入到处理容器300的晶片W供给含水分气体。
接着，说明PEB处理前的水分供给在热处理装置40的外部进行的情况。图14是示意性地表示第3实施方式的水涂敷装置510的结构的概略的纵截面图。
水涂敷装置510具有能够将内部封闭的处理容器520。在处理容器520的晶片输送区域D侧的侧面形成有晶片W的搬入搬出口(未图示)，在该搬入搬出口设置有开闭闸板(未图示)。
在处理容器520内的中央部设置有保持晶片W使其旋转的旋转卡盘530。旋转卡盘530具有水平的上表面，在该上表面设置有例如吸引晶片W的吸引口(未图示)。通过来自该吸引口的吸引，能够将晶片W吸附保持在旋转卡盘530上。
在旋转卡盘530的下方设置有例如具有电动机等的驱动部531。旋转卡盘530能够通过驱动部531以规定的速度旋转。另外，在驱动部531设置有例如气缸等的升降驱动源，旋转卡盘530自由升降。
在旋转卡盘530的周围设置有接住并回收从晶片W飞散或落下的液体的杯部532。在杯部532的下表面连接有排出回收的液体的排出管533和对杯部532内的气氛进行抽真空进行排气的排气管534。
在旋转卡盘530的上方设置有对晶片W上的含金属抗蚀剂膜供给液体的水的、作为水分供给部的水供给喷嘴540。水供给喷嘴540通过移动机构541在水平方向自由移动。由此，水供给喷嘴540能够从设置于杯部532的外方的待机部542移动至杯部532内的晶片W的中心部上方，并且，能够使该晶片W上在晶片W的径向移动。
水供给喷嘴540与水供给管543连接。并且，水供给管543与向水供给喷嘴540供给水的水供给源544连接。另外，在水供给管543设置有控制水的流通的阀545。
而且，在水涂敷装置510中，通过旋转卡盘530保持晶片W后，通过移动机构541使水供给喷嘴540移动至该晶片W的中心部的上方。
之后，通过旋转卡盘530一边使晶片W旋转，一边从水供给喷嘴540对晶片W供给水。供给的水因离心力而扩散至晶片W的整个面，该晶片W上的含金属抗蚀剂膜的整个面被涂敷水。此外，此时的水的供给量是与上述第1实施方式中的处理腔室320的内部气氛的规定的湿度、例如43％～60％相当的量。
以上的结构的水涂敷装置510例如配置于基片处理系统1的第1区块G1。
而且，水向水涂敷装置510中的含金属抗蚀剂膜的供给，在图4所示的工序S2的PAB处理后、工序S5的PEB处理前的任一工序中进行。但是，从晶片处理的吞吐量的观点出发，优选在工序S4的曝光处理前进行。
此外，本实施方式的热处理装置40具有从图13所示的热处理装置40省略水分供给部的结构、即省略水供给喷嘴500、移动机构501、水供给管502、水供给源503、阀504的结构。
在本实施方式中，也能够发挥与上述实施方式相同的效果。即，替代来自热处理装置40的水供给喷嘴500的含水分气体的供给，而从水涂敷装置510的水供给喷嘴540对含金属抗蚀剂膜供给水。因此，在热处理装置40的PEB处理中，能够促进含金属抗蚀剂的凝聚反应，使抗蚀剂图案的尺寸均匀。另外，在PEB处理中对处理腔室320的内部从中央部进行高排气，能够回收含金属升华物，能够抑制金属污染。
此外，在PEB处理前的水分供给在热处理装置40的外部进行的情况下，水分供给部不限于水涂敷装置510中的水供给喷嘴540。例如可以在接口站13设置水分供给部，从该水分供给部供给含水分气体，将接口站13的内部高湿度化。
此外，在第3实施方式中，说明了作为含金属材料使用含金属抗蚀剂的情况，但是，第3实施方式与第1实施方式和第2实施方式同样能够应用与其它的含金属材料例如金属硬掩模材料。
＜第4实施方式＞
接着，说明热处理装置40的第4实施方式。第4实施方式中的热处理装置40中，第1实施方式中的热处理装置40和加热部310的结构被改变，其它具有相同的结构。
首先，说明加热部310的结构。图15是示意性地表示第4实施方式的加热部310的结构的概略的纵截面图。
加热部310的上部腔室600替代第1实施方式中的上部腔室321而设置。上部腔室600具有作为整体的下面开口的大致圆筒形状。上部腔室600具有顶板601、从该顶板601的外周部向下方设置的开闭闸板602。顶板601被固定，开闭闸板602自由升降。
而且，开闭闸板602和下部腔室322抵接，处理腔室320的内部被密闭。即，在第1实施方式中，通过使上部腔室321自身升降来开闭处理腔室320，但是，在第3实施方式中，通过使开闭闸板602开闭来开闭处理腔室320。
此外，加热部310的其它结构与第1实施方式中的加热部310的结构相同，所以省略说明。
接着，对使用如以上方式构成的热处理装置40进行的PEB处理进行说明。图16是表示热处理装置40的动作的说明图。
首先，如图16的(a)所示，使开闭闸板602上升，在将处理腔室320的内部密闭的状态下，将晶片W载置到热处理板360，加热至规定的温度。该工序与第1实施方式中的工序B1大致相同。即，从喷头330以例如4L/min的流量供给水分浓度被调节为例如43％～60％的含水分气体，处理腔室320的内部气氛被调节为例如43％～60％的湿度。而且，含金属抗蚀剂的凝聚反应被促进。另外，从外周排气路径350(处理腔室320的外周部)对该处理腔室320的内部以例如4L/min以上进行排气。
之后，如图16的(b)所示，通过升降销370使晶片W上升，使晶片W从热处理板360离开。在该状态下，停止来自喷头330的含水分气体的供给，并且停止来自外周排气路径350的处理腔室320的内部的排气。而且，从中央排气路径340(处理腔室320的中央部)对该处理腔室320的内部以例如20L/min～70L/min进行排气。此时，使晶片W从热处理板360离开，所以使含金属抗蚀剂的凝聚反应停止，能够抑制来自金融含有抗蚀剂的含金属升华物的产生。另外，使晶片W接近中央排气路径340，所以能够更高效地回收含金属升华物。此外，该工序与第1实施方式中的工序B3大致相同，例如进行10秒～15秒。
之后，如图16的(c)所示，使开闭闸板602下降，将处理腔室320打开。此时，如图16的(b)所示，能够抑制含金属升华物的产生，能够适当地回收该含金属升华物，所以能够抑制含金属升华物泄漏到外部。
而且，如图16的(d)所示，晶片W被从升降销370交接到温度调节板380，之后，在温度调节板380的移动中，晶片W被调节至规定的温度。该工序与第1实施方式中的工序B4大致相同。
在本实施方式中，也能够发挥与上述实施方式相同的效果。即，通过对处理腔室320的内部供给含水分气体，能够促进含金属抗蚀剂的凝聚反应，能够使抗蚀剂图案的尺寸均匀。另外，通过对处理腔室320的内部从中央部进行高排气，能够回收含金属升华物，能够抑制金属污染。
此外，在第4实施方式中，说明了作为含金属材料使用含金属抗蚀剂的情况，但是，第4实施方式与第1实施方式～第3实施方式同样能够应用与其它的含金属材料例如金属硬掩模材料。
＜第5实施方式＞
在以上的第1实施方式～第4实施方式中，在PEB处理前或者PEB处理中对作为含金属膜的含金属抗蚀剂膜供给水分，但是，例如在含金属膜为金属硬掩模的情况下，与含金属抗蚀剂相比对水分的灵敏度小，所以可以省略积极的水分供给。
但是，在该情况下，为了抑制如上所述成为湿式蚀刻的不均匀性的主要原因的金属硬掩模的膜质斑，需要控制热处理中的气流。因此，在热处理装置40的加热部310中，为了不使成为扰乱处理腔室320的内部的气流的主要原因的外部空气流入，可以在处理腔室320(上部腔室321)的外周部在铅垂方向且环状地形成气流(所谓的空气幕)。
热处理装置40的第5实施方式在加热部310形成该空气幕。第5实施方式中的热处理装置40中，第1实施方式中的热处理装置40和加热部310的结构被改变，其它具有相同的结构。
首先，说明加热部310的结构。图17是示意性地表示第5实施方式的加热部310的结构的概略的纵截面图。
在加热部310的上部腔室321省略第1实施方式中的喷头330、气体供给管332、气体供给源333、阀334、中央排气管341、排气装置342、阀343、外周排气路径350、外周排气管351、排气装置352、阀353。
在上部腔室321的上表面外周部设置有向处理腔室320的外周部供给空气的、作为空气供给部的空气供给环700。空气供给环700沿上部腔室321的外周部环状地设置。另外，空气供给环700的空气供给孔也沿空气供给环700环状地形成。
空气供给环700与空气供给管701连接。并且，空气供给管701与向空气供给环700供给空气的空气供给源702连接。
另外，在空气供给管701设置有控制空气的流通的阀703。
在上部腔室321的侧面下端部设置有排出从空气供给环700供给的空气的、作为空气排出部的排气环710。排气环710沿上部腔室321的外周部环状地设置。
排气环710与排气管711连接。并且，排气管711与例如真空泵等排气装置712连接。另外，在排气管711设置有控制被排气的空气的流通的阀713。
此外，加热部310的其它结构与第1实施方式中的加热部310的结构相同，所以省略说明。
在如以上方式构成的加热部310中，在将处理腔室320的内部密闭的状态下，将晶片W载置到热处理板360，加热至规定的温度。在热处理中，从空气供给环700供给的空气被从排气环710排出，形成所谓的空气幕。通过该空气幕，能够抑制向处理腔室320的内部流入外部空气，所以能够抑制热处理中的气流的产生。因此，能够抑制金属硬掩模的膜质斑，能够均匀进行该金属硬掩模的湿式蚀刻。
此外，在以上的实施方式中，空气幕由从上方向下方去的气流形成，但是，可以由相反地从下方向上方去的气流形成。
另外，第5实施方式中的处理腔室320的外周部的空气幕可以适用于上述第1实施方式～第4实施方式。例如在第1实施方式的工序A1的热处理中，在处理腔室320的外周部形成空气幕，可以不使外部空气流入到处理腔室320的内部。或者，在工序A3中对处理腔室320的内部进行高排气时，可以使用该空气幕。
以上，参照附图对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是本发明不限于该例。对于本领域技术人员而言，在专利申请的范围所记载的思想的范畴内，当然能够想到各种变形例或修正例，应知道对此当然也属于本发明的技术的范围。

Claims (24)

1.一种对形成于基片的含金属膜进行热处理的基片处理方法，其特征在于：
所述热处理通过在设置于处理腔室的内部的热处理板上载置基片来进行，
在所述热处理中，对所述含金属膜供给水分，从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气。
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述热处理包括：
在所述热处理板上载置了基片的状态下，对所述处理腔室的内部供给含水分气体，并且从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部以第1排气量进行排气的第1工序；和
之后，停止所述含水分气体的供给，从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部以比所述第1排气量大的第2排气量进行排气的第2工序。
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述处理腔室的内部的与所述热处理板相对的位置，设置有在下表面形成有多个气体供给孔的喷头，
在所述第1工序中，从所述喷头对所述处理腔室的内部供给所述含水分气体。
4.如权利要求2或3所述的基片处理方法，其特征在于：
所述处理腔室包括：可升降的上部腔室；和与所述上部腔室成为一体而能够将内部密闭的下部腔室，
在所述第2工序中，使所述上部腔室上升，使外部空气从所述处理腔室的外周部流入到内部，并且从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气。
5.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
在所述第1工序后所述第2工序前，停止所述含水分气体的供给，从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部以所述第1排气量进行排气的工序。
6.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
在所述第2工序后，使基片从所述热处理板上升，停止所述含水分气体的供给，从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部以所述第2排气量进行排气的工序。
7.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述热处理中，在所述热处理板上载置了基片的状态下，
从在所述处理腔室的外周部环状地设置的水分供给部对该处理腔室的内部供给含水分气体，并且，
从设置于所述处理腔室的上表面中央部的中央排气部对该处理腔室的内部进行排气。
8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：
所述水分供给部在该水分供给部的圆周上等间隔地形成有多个气体供给孔，
从所述多个气体供给孔对所述处理腔室的内部供给所述含水分气体。
9.如权利要求8所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述处理腔室的外周部比所述水分供给部靠内侧设置有环状的气体流通部，
所述气体流通部在该气体流通部的圆周上等间隔地形成有多个气体流通孔，
从所述水分供给部供给的所述含水分气体，通过所述多个气体流通孔被供给到所述处理腔室的内部。
10.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述基片处理方法中，在基片上涂敷含金属材料来形成所述含金属膜，进而在对所述含金属膜进行曝光后，对该含金属膜进行热处理，
在所述热处理前或者所述热处理中，对所述含金属膜供给水。
11.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述处理腔室的外周部设置有开闭该处理腔室的开闭闸板，
所述热处理包括：
利用所述开闭闸板将所述处理腔室关闭，在所述热处理板上载置了基片的状态下，对所述处理腔室的内部供给含水分气体，并且从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部进行排气的第1工序；
之后，使基片从所述热处理板上升，停止所述含水分气体的供给，从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气的第2工序；和
之后，利用所述开闭闸板打开所述处理腔室的第3工序。
12.如权利要求1～11中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述热处理中，在所述处理腔室的外周部在铅垂方向且环状地形成气流。
13.一种对形成于基片的含金属膜进行热处理的热处理装置，其特征在于，包括：
用于收纳基片的处理腔室；
设置于所述处理腔室的内部，用于载置基片的热处理板；
对所述含金属膜供给水分的水分供给部；和
从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气的中央排气部。
14.如权利要求13所述的热处理装置，其特征在于，还包括：
从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部进行排气的外周排气部；和
控制所述处理腔室、所述热处理板、所述水分供给部、所述中央排气部和所述外周排气部的动作的控制部，
所述水分供给部对所述处理腔室的内部供给含水分气体，
所述控制部控制所述热处理板、所述水分供给部、所述中央排气部和所述外周排气部的动作，以执行：
在所述热处理板上载置了基片的状态下，从所述水分供给部对所述处理腔室的内部供给所述含水分气体，并且利用所述外周排气部从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部以第1排气量进行排气的第1工序；和
之后，停止来自所述水分供给部的所述含水分气体的供给，利用所述中央排气部从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部以比所述第1排气量大的第2排气量进行排气的第2工序。
15.如权利要求14所述的热处理装置，其特征在于：
所述水分供给部是在所述处理腔室的内部与所述热处理板相对的位置设置的喷头，
在所述喷头的下表面形成有多个气体供给孔。
16.如权利要求14或15所述的热处理装置，其特征在于：
所述处理腔室包括：可升降的上部腔室；和与所述上部腔室成为一体而能够将内部密闭的下部腔室，
所述控制部控制所述处理腔室和所述中央排气部，以使得在所述第2工序中，使所述上部腔室上升，使外部空气从所述处理腔室的外周部流入到内部，并且利用所述中央排气部从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气。
17.如权利要求14～16中任一项所述的热处理装置，其特征在于：
所述控制部控制所述水分供给部和所述外周排气部，以使得在所述第1工序后所述第2工序前，停止来自所述水分供给部的所述含水分气体的供给，利用所述外周排气部从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部以所述第1排气量进行排气。
18.如权利要求14～16中任一项所述的热处理装置，其特征在于：
还包括使基片升降的升降部，
所述控制部控制所述升降部、所述水分供给部和所述中央排气部，以使得在所述第2工序后，利用所述升降部使基片从所述热处理板上升，停止来自所述水分供给部的所述含水分气体的供给，利用所述中央排气部从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部以所述第2排气量进行排气。
19.如权利要求13所述的热处理装置，其特征在于：
所述水分供给部在所述处理腔室的外周部环状地设置，对所述处理腔室的内部供给含水分气体，
所述中央排气部设置于所述处理腔室的上表面中央部。
20.如权利要求19所述的热处理装置，其特征在于：
所述水分供给部，在该水分供给部的圆周上等间隔地形成有多个气体供给孔。
21.如权利要求20所述的热处理装置，其特征在于：
还包括在所述处理腔室的外周部在比所述水分供给部靠内侧环状地设置的气体流通部，
所述气体流通部，在该气体流通部的圆周上等间隔地形成有多个气体流通孔。
22.如权利要求13所述的热处理装置，其特征在于：
所述水分供给部对要被载置到所述热处理板之前的基片上的所述含金属膜供给水。
23.如权利要求13所述的热处理装置，其特征在于，还包括：
设置于所述处理腔室的外周部，开闭该处理腔室的开闭闸板；
在所述基片的内部，使基片升降的升降部；
从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部进行排气的外周排气部；和
控制所述开闭闸板、所述热处理板、所述升降部、所述水分供给部、所述中央排气部和所述外周排气部的控制部，
所述水分供给部对所述处理腔室的内部供给含水分气体，
所述控制部控制所述开闭闸板、所述热处理板、所述升降部、所述水分供给部、所述中央排气部和所述外周排气部，以执行：
利用所述开闭闸板将所述处理腔室关闭，在所述热处理板上载置了基片的状态下，从所述水分供给部对所述处理腔室的内部供给所述含水分气体，并且利用所述外周排气部从所述处理腔室的外周部对该处理腔室的内部进行排气的第1工序；
之后，利用所述升降部使基片从所述热处理板上升，停止来自所述水分供给部的所述含水分气体的供给，利用所述中央排气部从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气的第2工序；和
之后，利用所述开闭闸板打开所述处理腔室的第3工序。
24.如权利要求13～23中任一项所述的热处理装置，其特征在于，还包括：
环状地设置在所述处理腔室的外周部的铅垂方向一端部的、对该处理腔室的外周部供给空气的空气供给部；和
环状地设置在所述处理腔室的外周部的铅垂方向另一端部的、将从所述空气供给部供给的空气排出的空气排出部。
CN201711293037.8A 2016-12-08 2017-12-08 基片处理方法和热处理装置 Active CN108183068B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310487865.4A CN116469755A (zh) 2016-12-08 2017-12-08 基片处理方法和热处理装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016238138A JP6781031B2 (ja) 2016-12-08 2016-12-08 基板処理方法及び熱処理装置
JP2016-238138 2016-12-08

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310487865.4A Division CN116469755A (zh) 2016-12-08 2017-12-08 基片处理方法和热处理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108183068A true CN108183068A (zh) 2018-06-19
CN108183068B CN108183068B (zh) 2023-05-23

Family

ID=62489135

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310487865.4A Pending CN116469755A (zh) 2016-12-08 2017-12-08 基片处理方法和热处理装置
CN201711293037.8A Active CN108183068B (zh) 2016-12-08 2017-12-08 基片处理方法和热处理装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310487865.4A Pending CN116469755A (zh) 2016-12-08 2017-12-08 基片处理方法和热处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10656526B2 (zh)
JP (1) JP6781031B2 (zh)
KR (3) KR102436241B1 (zh)
CN (2) CN116469755A (zh)
TW (2) TWI789048B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110660701A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
CN111063623A (zh) * 2018-10-16 2020-04-24 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和存储介质
CN111554571A (zh) * 2019-02-08 2020-08-18 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
CN112584938A (zh) * 2018-08-30 2021-03-30 东京毅力科创株式会社 基板处理方法和基板处理装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170048787A (ko) * 2015-10-27 2017-05-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10535538B2 (en) * 2017-01-26 2020-01-14 Gary Hillman System and method for heat treatment of substrates
US10274847B2 (en) * 2017-09-19 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Humidity control in EUV lithography
WO2020102085A1 (en) 2018-11-14 2020-05-22 Lam Research Corporation Methods for making hard masks useful in next-generation lithography
US11302526B2 (en) * 2019-01-14 2022-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Supercritical drying apparatus and method of drying substrate using the same
JP2022518411A (ja) 2019-01-18 2022-03-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電界誘導フォトレジストパターン形成工程のためのフィルム構造
JP7162541B2 (ja) 2019-01-22 2022-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体
JP7242354B2 (ja) * 2019-03-13 2023-03-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US20220308454A1 (en) * 2019-06-28 2022-09-29 Lam Research Corporation Bake strategies to enhance lithographic performance of metal-containing resist
JP7359680B2 (ja) 2019-07-22 2023-10-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び処理方法
US11626285B2 (en) * 2019-09-10 2023-04-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
KR102357066B1 (ko) * 2019-10-31 2022-02-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US20210166937A1 (en) * 2019-12-02 2021-06-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufacturing tool
US11429026B2 (en) 2020-03-20 2022-08-30 Applied Materials, Inc. Lithography process window enhancement for photoresist patterning
JP7413164B2 (ja) 2020-06-26 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理ユニット、基板処理装置、熱処理方法、及び記憶媒体
KR102622987B1 (ko) * 2020-12-10 2024-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이에 제공되는 필러 부재
US11815816B2 (en) 2021-02-15 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake of photoresist
EP4291954A1 (en) 2021-02-15 2023-12-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake of photoresist
WO2023276723A1 (ja) * 2021-06-30 2023-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR20240050299A (ko) 2021-09-06 2024-04-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체
JP2023177658A (ja) 2022-06-02 2023-12-14 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274059A (ja) * 1998-03-18 1999-10-08 Tokyo Electron Ltd 露光処理後の加熱方法及び加熱装置
JP2004055760A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理の不具合検出方法及び処理装置
CN1608309A (zh) * 2001-10-25 2005-04-20 东京毅力科创株式会社 热处理装置以及热处理方法
JP2006066749A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP2011066119A (ja) * 2009-09-16 2011-03-31 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置および製造方法
JP2011253899A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 疎水化処理方法及び疎水化処理装置
US8404603B2 (en) * 2009-07-01 2013-03-26 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing system
US20140235068A1 (en) * 2011-11-01 2014-08-21 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, apparatus for manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium
JP2016530565A (ja) * 2013-08-22 2016-09-29 インプリア・コーポレイションＩｎｐｒｉａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 有機金属溶液に基づいた高解像度パターニング組成物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW464944B (en) * 1997-01-16 2001-11-21 Tokyo Electron Ltd Baking apparatus and baking method
US6368776B1 (en) * 1998-03-18 2002-04-09 Tokyo Electron Limited Treatment apparatus and treatment method
US20020011216A1 (en) * 1999-06-04 2002-01-31 Tue Nguyen Integral susceptor-wall reactor system and method
JP2007059633A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Tokyo Electron Ltd 基板加熱装置及び基板加熱方法
JP2008198739A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 載置台構造、これを用いた処理装置及びこの装置の使用方法
JP6324800B2 (ja) * 2014-05-07 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP6631536B2 (ja) * 2014-12-02 2020-01-15 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物及びその製造方法並びにレジストパターン形成方法
JP5963893B2 (ja) * 2015-01-09 2016-08-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置、ガス分散ユニット、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP5947435B1 (ja) * 2015-08-27 2016-07-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP6318139B2 (ja) * 2015-12-25 2018-04-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6240712B1 (ja) * 2016-05-31 2017-11-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274059A (ja) * 1998-03-18 1999-10-08 Tokyo Electron Ltd 露光処理後の加熱方法及び加熱装置
CN1608309A (zh) * 2001-10-25 2005-04-20 东京毅力科创株式会社 热处理装置以及热处理方法
JP2004055760A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理の不具合検出方法及び処理装置
JP2006066749A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
US8404603B2 (en) * 2009-07-01 2013-03-26 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing system
JP2011066119A (ja) * 2009-09-16 2011-03-31 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置および製造方法
JP2011253899A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 疎水化処理方法及び疎水化処理装置
US20140235068A1 (en) * 2011-11-01 2014-08-21 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, apparatus for manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium
JP2016530565A (ja) * 2013-08-22 2016-09-29 インプリア・コーポレイションＩｎｐｒｉａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 有機金属溶液に基づいた高解像度パターニング組成物

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110660701A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
CN110660701B (zh) * 2018-06-29 2024-03-22 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
CN112584938A (zh) * 2018-08-30 2021-03-30 东京毅力科创株式会社 基板处理方法和基板处理装置
CN112584938B (zh) * 2018-08-30 2022-12-06 东京毅力科创株式会社 基板处理方法和基板处理装置
US11594424B2 (en) 2018-08-30 2023-02-28 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN111063623A (zh) * 2018-10-16 2020-04-24 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和存储介质
CN111554571A (zh) * 2019-02-08 2020-08-18 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
CN111554571B (zh) * 2019-02-08 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI789048B (zh) 2023-01-01
KR102640367B1 (ko) 2024-02-23
US10656526B2 (en) 2020-05-19
KR20240010743A (ko) 2024-01-24
TW201832305A (zh) 2018-09-01
CN108183068B (zh) 2023-05-23
KR20180065914A (ko) 2018-06-18
US20180164689A1 (en) 2018-06-14
JP2018098229A (ja) 2018-06-21
KR102436241B1 (ko) 2022-08-25
CN116469755A (zh) 2023-07-21
KR20220119346A (ko) 2022-08-29
JP6781031B2 (ja) 2020-11-04
TW202205498A (zh) 2022-02-01
TWI746716B (zh) 2021-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108183068A (zh) 基片处理方法和热处理装置
JP3910821B2 (ja) 基板の処理装置
CN105702604B (zh) 涂敷处理方法和涂敷处理装置
TWI627489B (zh) Substrate processing method, program, computer memory medium and substrate processing system
JP4601080B2 (ja) 基板処理装置
JP4654119B2 (ja) 塗布・現像装置及び塗布・現像方法
CN102211076B (zh) 涂布处理方法、程序、计算机存储介质和涂布处理装置
JP5099054B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
WO2004109779A1 (ja) 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置
KR20110094242A (ko) 도포 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체
CN107024839B (zh) 显影处理方法和显影处理装置
CN107533955A (zh) 基板处理方法、基板处理系统和基板处理装置
CN109148270A (zh) 成膜方法、存储介质和成膜系统
JP3203796U (ja) 疎水化処理装置
JP3909574B2 (ja) レジスト塗布装置
CN108630529B (zh) 涂敷处理装置和杯体
JP6955073B2 (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JP7432770B2 (ja) 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
JP7158549B2 (ja) 基板処理方法、基板処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
WO2023276723A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20220157990A (ko) 열처리 장치 및 열처리 방법
JP2005270932A (ja) 塗布膜形成装置
KR20230167732A (ko) 열 처리 장치, 열 처리 방법 및 기억 매체

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant