JP3910821B2 - 基板の処理装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパターンを照射して露光する露光処理,露光後のウェハに対して現像を行う現像処理,塗布処理前,露光処理前後及び現像処理後の加熱処理,冷却処理等が行われ,これらの処理は,塗布現像処理システム内に各種処理装置において行わている。
【0003】
例えば,塗布処理前の冷却処理は,ケーシング内に設けられた冷却板にウェハを所定時間載置し,所定の温度,例えば23℃に冷却することによって行われている。このような冷却処理が行われる冷却処理装置には,ケーシング内の雰囲気を吸引してウェハ等から発生する不純物を除去する排気手段が設けられており,ケーシング内の気圧は,ケーシング外の気圧よりも低くなっている。また,ケーシングには,ウェハを搬入出するための搬送口が設けられており,当該搬送口には,冷却処理装置内を所定の雰囲気に維持するために前記搬送口を開閉自在とするシャッタが設けられている。
【0004】
ところで,塗布現像処理システム内には,当該塗布現像処理システム内を清浄な雰囲気に維持するためのエアが供給され,当該エアによって下降気流が形成されている。このときのエアには,塗布現像処理システムが設置されているクリーンルーム内の雰囲気が使用され,エア供給時の温度は,クリーンルーム内の温度と同じ,例えば23℃である。しかし,塗布現像処理システム内には,熱処理が行われる熱処理装置が多数設けられており,これらの熱処理装置からの熱によって当該エアの温度は塗布現像処理システム内において変動する。
【0005】
また,塗布現像処理システム内には,冷却処理装置を含む各種処理装置間のウェハの搬送を行う搬送装置が設けられており,前記冷却処理装置内にウェハを搬入出する際には,ウェハが搬送口を通過するために,前記ケーシングのシャッタが開放される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,上述したように塗布現像処理システム内にはダウンフローが形成されており,冷却処理装置内は負圧になっているため,冷却処理装置のシャッタが開放された際には,塗布現像処理システム内のエアが,当該冷却処理装置内に流れ込む。さらに,冷却処理装置の終了したウェハを搬出する際には,この流れ込むエアの温度は,当該ウェハの温度と異なるため,この流れ込んだエアによって,搬送口に近い側のウェハの温度が変動する。
【0007】
その結果,ウェハ面内の温度分布にばらつきが生じる。そして,その状態でレジスト塗布装置に搬送されて,ウェハ上にレジスト液が塗布されると,温度の不均一なウェハにレジスト液が塗布されることになり,レジスト膜の厚みがばらつき,所定の厚さのレジスト膜が得られないので,歩留まりが低下する。
【0008】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,ウェハ等の基板面内の温度がばらつく原因となる,冷却処理装置等の処理装置内への気体の流入を抑制する基板の処理装置を提供することをその目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために請求項1の発明によれば,ケーシング内において基板を処理する処理装置において,前記ケーシングには,基板を搬送する搬送装置によって基板を当該ケーシング内に搬送する際に通過する搬送口が設けられ,
前記ケーシング外の雰囲気を制御して,当該搬送口から前記ケーシング内への前記雰囲気の流入を抑制する流入抑制機構を有し、前記流入抑制機構は,下方から上方に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に整流する整流板を有し,前記整流板は,当該整流板の下端部が当該搬送口の下方に位置しており,前記整流板の下端部から上端部に行くにつれて前記ケーシングから離れるように形成され、前記整流板の下端部と前記ケーシングとの間には,隙間が設けられ、前記整流板と前記ケーシングとの間に,前記搬送口から流入しようとする前記雰囲気の一部を前記隙間に誘導する誘導部材が設けられていることを特徴とする,基板の処理装置が提供される。
【0010】
請求項1によれば,前記流入抑制機構を備えることによって,ケーシング外の雰囲気の流れを制御して,ケーシング内に当該雰囲気が流入することを抑制することができる。これによって,当該雰囲気によって処理装置内の基板温度が部分的に変更され,基板面内の温度分布が不均一になることが抑制される。
また下方から上方に流れるケーシング外の雰囲気が整流板に沿って流れ,当該雰囲気を前記搬送口から遠ざけることができる。したがって,上昇気流を形成した前記雰囲気が搬送口から処理装置内に流入することを抑制し,その結果処理装置内の基板面内温度が前記雰囲気によって不均一になることを抑制できる。なお,前記整流板は,必ずしも平板である必要は無く,湾曲していてもよい。しかも,前記整流板の下端部と前記ケーシングとの間に隙間を設けることにより,前記整流板と前記ケーシングの間に入り込んだケーシング外の雰囲気の一部を,整流板の下端部の前記隙間から排出することができる。これによって,前記整流板と前記ケーシングとの間に入り込んだ前記雰囲気の一部が搬送口により近い整流板の上端部から流出し,当該雰囲気が当該搬送口内に流入することを抑制できる。さらに前記誘導部材を備えることによって,請求項5で記載した前記隙間からの前記雰囲気の一部の排出をより効果的に行うことができる。
【0011】
請求項2の発明によれば,ケーシング内において基板を処理する処理装置において,前記ケーシングには,基板を搬送する搬送装置によって基板を当該ケーシング内に搬送する際に通過する搬送口が設けられ,前記ケーシング外の雰囲気を制御して,当該搬送口から前記ケーシング内への前記雰囲気の流入を抑制する流入抑制機構を有し、前記流入抑制機構は,上方から下方に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に誘導する誘導板を有し,前記誘導板は,当該誘導板の上端部が当該搬送口の上方に取り付けられており,前記誘導板の上端部から下端部に行くにつれて前記ケーシングから離れていくように構成され、前記搬送装置には,前記誘導板によって誘導された前記雰囲気を前記搬送口の方向以外の他の方向に誘導する誘導機構が設けられ、前記搬送装置は,基板を保持する搬送アームを有し,前記誘導機構は,前記搬送アームの上方に設けられた水平板であり、前記水平板の後方には,水平板を貫通する通気孔が形成されていることを特徴とする,基板の処理装置が提供される。
【0012】
かかる構成の誘導板を備えることによって,上方から下方に流れるケーシング外の雰囲気が前記誘導板にあたって,当該誘導板に沿って流れるため,前記雰囲気を前記搬送口から遠ざける方向に誘導することができる。これによって,前記雰囲気が処理装置内に流入することが抑制され,請求項1と同様に処理装置内の基板の面内温度が不均一になることを抑制できる。なお,前記誘導板は,必ずしも平板である必要は無く,湾曲していてもよい。そして前記誘導機構を設け,前記誘導板によって誘導された雰囲気を更に前記他の方向に誘導することによって,当該雰囲気が搬送口内に流入することをより確実に防止できる。またこのように,搬送アームの上方に水平板を備えることによって,前記誘導板からの気流をそのまま水平に,前記搬送口から離れる方向に流すことができる。したがって,前記誘導板からの気流が搬送口に流入することをより確実に防止できる。この水平板の後方,すなわち搬送口とは反対の方向には,水平板を貫通する通気孔が形成されているので,水平板の下方にパーティクル等が滞留することを防止できる。
【0013】
また水平板上に,垂直板を設けるようにしてもよい。例えば上方からの気流が前記水平板上にあたって前記搬送口方向に流れ出した場合に,当該気流を前記垂直板によって遮断し,当該気流が前記搬送口内に流入することを抑制できる。
前記垂直板は,平面からみて搬送口側に凸の湾曲形状に形成されていてもよい。さらに,前記垂直板が,前記搬送口に向かって移動自在であってもよい。このように前記垂直板を前記搬送口に向かって移動自在にすることによって,上述したような搬送口に向かう気流を最も有効に遮断できる位置に前記垂直板を移動させ,より効果的に当該気流を遮断することができる。
前記誘導板の下端部が,水平に形成されていてもよい。このように,誘導板の下端部を水平にすることによって,誘導板の上端部から誘導されてきた前記雰囲気が,更に搬送口から遠く離れた遠方にまで誘導され,前記雰囲気が処理装置内に流入することをより確実に防止できる。
【0014】
別な観点によれば、本発明は、ケーシング内において基板を処理する処理装置において,前記ケーシングには,基板を搬送する搬送装置によって基板を当該ケーシング内に搬送する際に通過する搬送口が設けられ,前記ケーシング外の雰囲気を制御して,当該搬送口から前記ケーシング内への前記雰囲気の流入を抑制するために、上方から下方に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に誘導する誘導板の上端部が、当該搬送口の上方に取り付けられており,前記誘導板は、誘導板の上端部から下端部に行くにつれて前記ケーシングから離れていくように構成され、下方から上方に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に整流する整流板の下端部が当該搬送口の下方に位置するように、当該整流板が前記搬送口を開閉自在とするシャッタに設けられ、前記整流板は、整流板の下端部から上端部に行くにつれて前記ケーシングから離れるように形成され、前記シャッタを閉鎖したときに,前記誘導板の下端部と前記整流板の上端部が近づくように構成されていることを特徴とする,基板の処理装置である。
この発明によれば,下方から上方に流れるケーシング外の雰囲気が整流板に沿って流れ,当該雰囲気を前記搬送口から遠ざけることができる。したがって,上昇気流を形成した前記雰囲気が搬送口から処理装置内に流入することを抑制し,その結果処理装置内の基板面内温度が前記雰囲気によって不均一になることを抑制できる。なお前記整流板は,必ずしも平板である必要は無く,湾曲していてもよい。また前記整流板をシャッタに設け、シャッタを閉鎖したときに,前記誘導板の下端部と前記整流板の上端部が近づくので,上方からの気流及び下方からの気流が前記誘導板及び前記整流板の内側に流入することを抑制できる。これによって,シャッタ等の隙間からケーシング内に前記雰囲気が流入することが抑制され,処理装置内の雰囲気が好適な雰囲気に維持される。
【0022】
以上の各基板の処理装置において,少なくともケーシング内に基板を搬入する際に前記ケーシング内に清浄気体を導入して,ケーシング内の圧力をケーシング外の圧力よりも高くする気体導入部を有する構成としてもよい。これによって基板搬入時にケーシング外から搬入口を介してパーティクル等がケーシング内に進入することを抑制できる。この場合,前記気体導入部は,ケーシング内に気体を均一に吹き出すための多数の吹出口を持ったバッフル板を有していることが好ましい。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本発明にかかる基板の処理装置を有する塗布現像処理システム1の平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
【0024】
塗布現像処理システム1は,図1に示すように,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。また,塗布現像処理システム1上部には,図2に示すように所定の温湿度に清浄に調節されたエアを塗布現像処理システム1内に供給するエア供給装置5が設けられており,当該エアによって塗布現像処理システム1内に下降気流を形成し,塗布現像処理システム1内をパージできるようになっている。
【0025】
カセットステーション2では,図1に示すように載置部となるカセット載置台6上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体8が搬送路9に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0026】
ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に属するエクステンション装置57に対してもアクセスできるように構成されている。
【0027】
処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム1においては,4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置群G1,G2は現像処理システム1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置13は,これらの処理装置群G1,G2,G3,G4に配置されている後述する各種処理装置に対して,ウェハWを搬入出可能である。なお処理装置群の数や配置は,ウェハWに施される処理の種類によって異なるものを適宜選択することができ,また処理装置群の数も任意である。
【0028】
ここで,主搬送装置13の構成について詳しく説明する。主搬送装置13は,図3に示すように略筒状のケース40を有し,当該ケース40内にウェハWを保持し搬送する搬送装置としてのウェハ搬送機構41を有している。
【0029】
当該ケース40の下方には,モータ等を備えた回転機構42が設けられており,ケース40全体をθ方向(Z軸を中心とする回転方向)に回転させることによって,ウェハ搬送機構41が所望の方向に回転自在になっている。また,ケース40には,長方形状の開口部43が設けられており,当該開口部43からウェハWがケース40内に出し入れされるようになっている。
【0030】
ウェハ搬送機構41は,図3,図4に示すようにウェハWを直接保持する3本の搬送アーム44,45,46と,これらの搬送アーム44,45,46を支持する搬送基台47とを有している。これらの搬送アーム44,45,46は,搬送基台47上に上から順に重ねられて配置されている。
【0031】
搬送アーム44は,図3に示すように先端に略3/4円環状のC型の支持部44aを有し,この支持部44aでウェハWを支持するようになっている。また,搬送アーム44は,個別に搬送基台47の前後方向(図3中のR方向)に移動自在に構成されており,それぞれが独立して,後述する各種処理装置内まで移動することができる。また,搬送基台47自体がケース40に沿ってZ方向(鉛直方向)に移動自在に構成されており,搬送アーム44もその移動に伴って上下方向に移動自在になっている。なお,搬送アーム45,46は,搬送アーム44と同様に構成されているため説明を省略する。
【0032】
また,最上段の搬送アーム44と搬送アーム45との間には,平板状の遮蔽板48が搬送基台47に固定されて設けられており,搬送アーム44と搬送アーム45,46に保持された各ウェハ間の熱の干渉を抑制できるようになっている。
【0033】
搬送アーム44の上方には,搬送アーム44の上面を覆う水平板49が搬送基台47に支持されて設けられている。また,当該水平板49上のR方向正方向側には,平面から見てR方向正方向側に凸の湾曲形状の垂直板50が設けられている。かかる構成により,上方からのエアを水平板49によって拡散させ,その拡散されたエアがR方向正方向に流れ出した場合には,当該エアを垂直板50によって遮断し,当該エアがR方向正方向に流れるのを抑制できるようになっている。すなわち上方からのエアがウェハWの搬送先である後述する各種処理装置方向に流れることを抑制できるようになっている。
【0034】
第1の処理装置群G1では,例えば図2に示すように,ウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置51と,露光後のウェハWを現像処理する現像処理装置52とが下から順に2段に配置されている。処理装置群G2の場合も同様に,レジスト塗布装置53と,現像処理装置54とが下から順に2段に積み重ねられている。
【0035】
第3の処理装置群G3では,例えば図5に示すように,上述した本実施の形態にかかる基板の処理装置としてのクーリング装置55,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置56,ウェハWを待機させるエクステンション装置57,レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置58,59及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置60,61等が下から順に例えば7段に重ねられている。
【0036】
第4の処理装置群G4では,例えばクーリング装置65,載置したウェハWを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置66,エクステンション装置67,クーリング装置68,露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置69,70,ポストベーキング装置71,72等が下から順に例えば8段に積み重ねられている。
【0037】
インターフェイス部4の中央部には,図1に示すようにウェハ搬送体80が設けられている。このウェハ搬送体80はX方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在にできるように構成されており,第4の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置66,エクステンション装置67,周辺露光装置81及び図示しない露光装置に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送できるように構成されている。
【0038】
次に上述したクーリング装置55の構成について説明する。図6に示すように,クーリング装置55のケーシング55aの中央部には,厚みのある円盤状に形成された冷却板90が設けられており,この冷却板90上にウェハWを載置して,ウェハWを冷却できるようになっている。冷却板90には,冷却板90を所定温度に冷却するための熱源となる,例えばペルチェ素子91が内蔵されており,このペルチェ素子91にかかる電圧を制御することによって,冷却板90の温度を所定の冷却温度に維持できるようになっている。
【0039】
冷却板90の下方には,ウェハWを搬入出する際にウェハWを支持し,昇降させるための昇降ピン92が設けられており,この昇降ピン92は,昇降駆動機構93により上下に移動自在に構成されている。また,冷却板90の中央部付近には,冷却板90を鉛直方向に貫通する孔94が設けられており,昇降ピン92がこの孔94内を上下方向に移動して,冷却板90上に突出できるように構成されている。
【0040】
また,冷却板90の外方であって,冷却板90とケーシング55aとの間には,平面板Aが設けられており,ウェハWの冷却処理が行われるケーシング55a内上部の処理室Sと,昇降ピン92等が備えられているケーシング55a内下部のメカ室Mとに仕切られている。ただし,平面板Aは,処理室Sとメカ室M間の雰囲気を完全に遮断するものではなく,平面板Aと冷却板90との間には,処理室Sとメカ室M間で気体が行き来できるくらいの隙間Bが設けられている。冷却板90の下方であって,ケーシング55aの側面には,メカ室Mの雰囲気を排気する排気管95が取り付けられており,冷却処理中にメカ室M内の雰囲気を排気し,昇降ピン92等から発生する塵埃等の不純物をパージできるように構成されている。
【0041】
また,ケーシング55aの主搬送装置13側の側面には,ウェハWを搬入出する際に通過させる搬送口96が設けられている。搬送口96には,当該搬送口96を開閉可能とするシャッタ97が設けられており,ウェハWの搬送時以外は当該シャッタ97を閉鎖し,ケーシング55a内を所定の雰囲気に維持できるようになっている。
【0042】
ケーシング55aの外側であって搬送口96の上方には,図7に示すように処理ステーション3内において上方から下方に流れるエアを制御し,誘導する,請求項1に記載の流入抑制機構を構成する誘導板98が設けられている。誘導板98の上端部98aはケーシング55aに接着されており,上端部98aから下端部98bに行くにつれてケーシング55aから遠ざかるように設けられている。
【0043】
また,前記シャッタ97の外側には,処理ステーション3内において下方から上方に向かうエアを制御し,整流する請求項1に記載の流入抑制機構を構成する整流板99が設けられている。整流板99は,隙間dを創出するようにその下端部99aが取り付け部材100によってシャッタ97に取り付けられており,下端部99aから上端部99bに行くにつれてシャッタ97から遠ざかるように斜めに設けられている。これによって,当該整流板99とシャッタ97との間に入り込んだエアを当該隙間dから下方に排出できるようになっている。なお,整流板99の上端部99bは,シャッタ97の上端部とほぼ同じ高さになるように設けられており,シャッタ97が開放された際に,ウェハWの搬入出を妨げることのないように構成されている。
【0044】
また,この整流板99とシャッタ97との間には,上述した整流板99とシャッタ97間に入り込んだエアを隙間dに誘導する誘導部材101が設けられている。誘導部材101は,整流板99と同様の形状,すなわち板状であって,その下端部101aがシャッタ97に接着されており,上端部101bに行くにつれてシャッタ97から離れていくような形状を有している。
【0045】
次に,以上のように構成されているクーリング装置55の作用について,塗布現像処理システム1で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【0046】
先ず,ウェハ搬送体8がカセットCから未処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置群G3に属するアドヒージョン装置56に搬入する。このアドヒージョン装置56において,レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハWは,主搬送装置13によって,クーリング装置55搬送され,所定の温度,例えば23℃に冷却される。
【0047】
そして,23℃に冷却されたウェハWは,主搬送装置13によって,レジスト塗布装置51又53に搬送され,ウェハW上にレジスト膜が形成される。その後,ウェハWは,再び主搬送装置13によってプリベーキング装置58又は59,エクステンション・クーリング装置66に順次搬送され,所定の処理が施される。
【0048】
次いで,ウェハWはエクステンション・クーリング装置66からウェハ搬送体80によって取り出され,周辺露光装置81を経てパターンの露光を行う露光装置(図示せず)に搬送される。露光処理の終了したウェハWは,ウェハ搬送体80によりエクステンション装置67に搬送され,さらに主搬送装置13によって,ポストエクスポージャーベーキング装置69又は70,現像処理装置52又は54,ポストベーキング装置60,61,71又は72,クーリング装置65と順次搬送され,各装置において所定の処理が施される。その後,ウェハWは,エクステンション装置32を介して,ウェハ搬送体8によってカセットCに戻され,一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【0049】
なお,前記塗布現像処理中は,エア供給装置5によって常時所定の温湿度の清浄な気体が塗布現像処理システム1内に供給されており,塗布現像処理システム1内に下降気流が形成されている。例えば塗布現像処理システム1内に供給されるエアは,クリーンルーム内の温度と同じ23℃に温度調節されている。しかし,処理ステーション3内にある加熱処理装置,例えばポストベーキング装置60,61やプリベーキング装置58,59等の影響で,当該気流が下方のクーリング装置55近辺に達するときには,23℃より高い,例えば24℃程度に上昇されている場合がある。このような場合には,クーリング装置55での冷却処理が,当該エアの温度上昇の影響を受けて適切に行われない恐れがある。しかしながら,クーリング装置55によれば,このような条件にもかかわらず好適に冷却処理することができる。
【0050】
次に上述したクーリング装置55の作用について詳しく説明する。先ず,ウェハWのクーリング装置が開始される前は,図8に示すようにケーシング55aのシャッタ97が閉鎖されており,シャッタ97,誘導板98及び整流板99によって処理ステーション3のエアがクーリング装置55内に流入することを抑制している。
【0051】
前記工程であるアドヒージョン処理が終了すると,当該ウェハWは主搬送装置13の搬送アーム44に保持される。そして,搬送基台47が下降し,搬送アーム44がクーリング装置55と同じ高さまで移動される。次いで,シャッタ97が開放されるともに,搬送アーム44がR方向に前進し,ウェハWがケーシング55a内の冷却板90上方まで移動される。このとき処理ステーション3内を下降するエアの一部は,図9に示すように誘導板98にあたって,平面板49上に誘導され,クーリング装置55の搬送口96と逆方向のR方向負方向側に流される。また,上方から直接平面板49にあたるエアは,平面板49で拡散され,至る方向に流れようとするが,搬送口96方向へ向かうエアは,垂直板50によって遮断される。さらに,前記エアの一部が整流板99とシャッタ97との間に進入した場合には,当該エアが誘導部材101によって誘導され,隙間dから搬送口96の下方に排出される。このように,処理ステーション3内のエアは,搬送口96から遠ざかる方向に誘導され,当該エアがケーシング55a内に流入することが抑制される。
【0052】
一方,ケーシング55a内の冷却板90上方まで移動されたウェハWは,搬送アーム44から予め上昇して待機していた昇降ピン92に受け渡される。このとき排気管95からの排気が開始され,メカ室M内のパージが開始される。そして,ウェハWは,昇降ピン92の下降とともに下降され,例えば23℃に維持されている冷却板90上に載置される。また,搬送アーム44は,R方向負方向に後退し,再びケース40内に戻される。そして,搬送アーム44がケーシング55a内から退避すると,シャッタ97が閉鎖される。
【0053】
ウェハWが冷却板90上に載置されると,ウェハWの冷却が開始され,ウェハWは,所定時間冷却される。所定時間経過し,ウェハWが23℃に冷却された後,再び昇降ピン92が上昇され,ウェハWの冷却が終了する。
【0054】
ウェハWの冷却が終了すると,再びシャッタ97が開放され,搬送アーム44が搬送口96からケーシング55a内に進入し,昇降ピン92からウェハWを受け取って,ウェハWをクーリング装置55から搬出する。このとき,処理ステーション3内を下降するエアは,ウェハW搬入時と同様に,誘導板98,水平板49及び垂直板50によって,誘導及び整流され,当該エアが搬送口96からケーシング55a内に流入することが抑制される。特に,ウェハWの搬出時には,排気管95からの排気によってケーシング55a内全体が負圧になるため,搬送口96近辺に搬送口96に向かう局所的な上昇気流が形成されるが,当該上昇気流は整流板99によって,搬送口96から離れる方向に整流される。
【0055】
そして,ウェハWがケーシング55a内から搬出されると,再びシャッタ97が閉じられ,一連の冷却処理が終了する。
【0056】
以上の実施の形態によれば,搬送口96の上側に誘導板98を設けたため,処理ステーション3内に形成される下降気流を搬送口96から離れる方向に誘導し,当該下降気流のエアがクーリング装置55内に流入することが抑制される。したがって,クーリング装置55内のウェハWに,当該ウェハW温度と異なる温度のエアが接触して,当該ウェハWの温度分布がばらつくことが抑制される。
【0057】
また,搬送アーム44上方に水平板49を設けたため,誘導板98によって誘導されたエアをそのまま搬送口96から遠ざかる方向に誘導することができる。また,当該水平板49上に垂直板50を設けたため,上方から直接水平板49にあたるエアが搬送口96方向に流れるのを抑制することができる。
【0058】
さらに,搬送口96の下方に整流板99を設けたため,搬送口96近辺に局所的な上昇気流が形成された場合においても,当該上昇気流を搬送口96から離れる方向に整流し,搬送口96内にエアが流入することを抑制できる。
【0059】
また,整流板99の下端部99aとシャッタ97との間に隙間dを設けたため,整流板99とシャッタ97間に入り込んだエアを当該隙間dから排出することができる。これによって,整流板99とシャッタ97間に入り込んだエアが整流板99の下部で跳ね返って,搬送口96に流れ込むことを抑制できる。
【0060】
整流板99とシャッタ97との間に,誘導部材101を設けたため,上述した隙間dからのエアの排出を好適に行うことができる。
【0061】
また,整流板99をシャッタ97に設けたため,シャッタ97が閉じられているときに,誘導板98と整流板99が近づき,処理ステーション3内のエアが当該誘導板98と整流板99との内側に流入することが抑制できるので,シャッタ97の隙間等からケーシング55a内に当該エアが流入することも抑制できる。
【0062】
上述した誘導板98の下端部98bを,図10に示すようにケーシング55aから離れる方向に水平に形成するようにしてもよい。このように誘導板98の下端部98bを水平にすることによって,処理ステーション3内を下降するエアが搬送口96から更に離れたところまで誘導され,搬送口96内に当該エアが流入することをより確実に防止することができる。
【0063】
前記実施の形態では,整流板99をシャッタ97に取り付けていたが,ケーシング55aの搬送口96の下方に取り付けるようにしてもよい。このような場合においても,局所的に形成される上昇気流を整流し,搬送口96内に当該上昇気流が流入することを抑制できる。なお,誘導部材101もケーシング55aに取り付けるようにしてもよい。
【0064】
また,前記実施の形態では,搬送アーム44上の水平板49が搬送基台47に固定して設けられていたが,水平板49を搬送アーム44と同様にR方向に移動自在に設けてもよい。このような場合,気流の強さや方向によって,水平板49を移動させ,処理ステーション3内のエアを最も効果的に整流できる位置おいて,当該エアを整流することができる。
【0065】
上述した水平板49上に設けられた垂直板50は,平面からみて搬送口96側に凸状の湾曲形状に形成されていたが,平面からみて直線形状に形成されていてもよい。また,垂直板50は,必ずしも垂直でなくても,搬送口96側に傾いた形状であってもよい。
【0066】
また,垂直板50を設けずに,水平板49のみを設けるようにしてもよい。このような場合においても,誘導板98からのエアが,水平板49に斜めからあたり,そのまま搬送口96と逆方向に誘導されるため,従来に比べて搬送口96に流入するエアの量を抑制できる。
【0067】
さらに前記水平板49についても,図11に示したように,ウエハ搬送機構41の後方側,つまり水平板49における垂直板50とは反対の側に,通気孔49aを設けれていもよい。かかる構成により,水平板49に対するダウンフローの一部がこの通気孔49aを通過して,その下方に搬送アーム44の方に抜け,搬送アーム44上にパーティクルが滞留するのを抑えることが可能である。
【0068】
またさらにクーリング装置55についても,図12に示したように,清浄な気体,たとえば清浄な空気を供給する気体導入部55bをケーシング55a内に設けるとよい。清浄な空気をケーシング55a内に導入し,シャッタ97が開放してウエハWをケーシング内に搬入する時点でケーシング55a内を陽圧にして,つまりケーシング55aの外の圧力よりもケーシング55a内の圧力の方を高くすることによって,搬送口96からパーティクルがケーシング55a内に侵入することを防止することができる。
【0069】
気体導入部55bは,図12に示したように,例えば導入管55cとバッフル板55dとで構成することができる。バッフル板55dの下面には,多数の吹出口55eが形成されている。このようなバッフル板55dを使用すると,ウエハWに対して均一に清浄な空気が流れ,ウエハWの温度の面内均一性を阻害することはない。
【0070】
以上の実施の形態は,レジスト塗布前のクーリング装置55として具体化されていたが,本発明は,他の基板の処理装置,例えばPEB装置69又は70,プリベーク装置58又は59,ポストベーク装置60,61,71又は72,クーリング装置65,68,アドヒージョン装置56,レジスト塗布装置51又は53,現像処理装置52又は54等についても応用できる。また,塗布現像処理システム1内の複数の処理装置に適用してもよい。
【0071】
また,以上で説明した実施の形態は,半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハの処理装置であったが,本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばLCD基板の処理装置においても応用できる。
【0072】
【発明の効果】
本発明によれば,ケーシング内に当該雰囲気が流入することを抑制できる。これによって,当該雰囲気によって処理装置内の基板温度が部分的に変更され,基板面内の温度分布が不均一になることが抑制される。したがって,基板が均一な温度で処理されるため,歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態にかかるクーリング装置を有する塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】主搬送装置の概略を示す斜視図である。
【図4】図3のウェハ搬送機構を側面からみた場合の当該ウェハ搬送機構の説明図である。
【図5】図1の塗布現像処理システムの背面図である。
【図6】本実施の形態にかかるクーリング装置の縦断面の説明図である。
【図7】図6のクーリング装置の搬送口付近の構成を示す拡大図である。
【図8】シャッタを閉鎖した場合の状態を示す説明図である。
【図9】シャッタが開放され,搬送アームがケーシング内に進入している状態を示す説明図である。
【図10】誘導部材の他の構成例を示す説明図である。
【図11】通気孔を有する水平板を備えた主搬送装置の概略を示す斜視図である。
【図12】ケーシングに気体導入部を有するクーリング装置の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
13 主搬送装置
44 搬送アーム
49 平面板
50 垂直板
55 クーリング装置
55a ケーシング
96 搬送口
97 シャッタ
98 誘導板
98a 上端部
98b 下端部
99 整流板
99a 下端部
99b 上端部
W ウェハ

Claims (9)

  1. ケーシング内において基板を処理する処理装置において,
    前記ケーシングには,基板を搬送する搬送装置によって基板を当該ケーシング内に搬送する際に通過する搬送口が設けられ,
    前記ケーシング外の雰囲気を制御して,当該搬送口から前記ケーシング内への前記雰囲気の流入を抑制する流入抑制機構を有し、
    前記流入抑制機構は,下方から上方に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に整流する整流板を有し,
    前記整流板は,当該整流板の下端部が当該搬送口の下方に位置しており,前記整流板の下端部から上端部に行くにつれて前記ケーシングから離れるように形成され、
    前記整流板の下端部と前記ケーシングとの間には,隙間が設けられ、
    前記整流板と前記ケーシングとの間に,前記搬送口から流入しようとする前記雰囲気の一部を前記隙間に誘導する誘導部材が設けられていることを特徴とする,基板の処理装置。
  2. ケーシング内において基板を処理する処理装置において,
    前記ケーシングには,基板を搬送する搬送装置によって基板を当該ケーシング内に搬送する際に通過する搬送口が設けられ,
    前記ケーシング外の雰囲気を制御して,当該搬送口から前記ケーシング内への前記雰囲気の流入を抑制する流入抑制機構を有し、
    前記流入抑制機構は,上方から下方に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に誘導する誘導板を有し,
    前記誘導板は,当該誘導板の上端部が当該搬送口の上方に取り付けられており,前記誘導板の上端部から下端部に行くにつれて前記ケーシングから離れていくように構成され、
    前記搬送装置には,前記誘導板によって誘導された前記雰囲気を前記搬送口の方向以外の他の方向に誘導する誘導機構が設けられ、
    前記搬送装置は,基板を保持する搬送アームを有し,
    前記誘導機構は,前記搬送アームの上方に設けられた水平板であり、
    前記水平板の後方には,水平板を貫通する通気孔が形成されていることを特徴とする,基板の処理装置。
  3. ケーシング内において基板を処理する処理装置において,
    前記ケーシングには,基板を搬送する搬送装置によって基板を当該ケーシング内に搬送する際に通過する搬送口が設けられ,
    前記ケーシング外の雰囲気を制御して,当該搬送口から前記ケーシング内への前記雰囲気の流入を抑制する流入抑制機構を有し、
    前記流入抑制機構は,上方から下方に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に誘導する誘導板を有し,
    前記誘導板は,当該誘導板の上端部が当該搬送口の上方に取り付けられており,前記誘導板の上端部から下端部に行くにつれて前記ケーシングから離れていくように構成され、
    前記搬送装置には,前記誘導板によって誘導された前記雰囲気を前記搬送口の方向以外の他の方向に誘導する誘導機構が設けられ、
    前記搬送装置は,基板を保持する搬送アームを有し,
    前記誘導機構は,前記搬送アームの上方に設けられた水平板であり、
    前記水平板上には,垂直板が設けられていることを特徴とする,基板の処理装置。
  4. 前記垂直板は,平面からみて搬送口側に凸の湾曲形状に形成されていることを特徴とする,請求項3に記載の基板の処理装置。
  5. 前記垂直板は,前記搬送口に向かって移動自在であることを特徴とする,請求項3又は4に記載の基板の処理装置。
  6. ケーシング内において基板を処理する処理装置において,
    前記ケーシングには,基板を搬送する搬送装置によって基板を当該ケーシング内に搬送する際に通過する搬送口が設けられ,
    前記ケーシング外の雰囲気を制御して,当該搬送口から前記ケーシング内への前記雰囲気 の流入を抑制するために、上方から下方に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に誘導する誘導板の上端部が、当該搬送口の上方に取り付けられており,
    前記誘導板は、誘導板の上端部から下端部に行くにつれて前記ケーシングから離れていくように構成され、
    下方から上方に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に整流する整流板の下端部が当該搬送口の下方に位置するように、当該整流板が前記搬送口を開閉自在とするシャッタに設けられ、
    前記整流板は、整流板の下端部から上端部に行くにつれて前記ケーシングから離れるように形成され、
    前記シャッタを閉鎖したときに,前記誘導板の下端部と前記整流板の上端部が近づくように構成されていることを特徴とする,基板の処理装置。
  7. 前記誘導板の下端は、水平に形成されていることを特徴とする、請求項2〜6のいずれかに記載の基板の処理装置。
  8. 少なくともケーシング内に基板を搬入する際に前記ケーシング内に清浄気体を導入して,ケーシング内の圧力をケーシング外の圧力よりも高くする気体導入部を有することを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6又は7のいずれかに記載の基板の処理装置。
  9. 前記気体導入部は,ケーシング内に気体を均一に吹き出すための多数の吹出口を持ったバッフル板を有していることを特徴とする,請求項8に記載の基板の処理装置。
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Families Citing this family (198)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3581310B2 (ja) * 2000-08-31 2004-10-27 Tdk株式会社 防塵機能を備えた半導体ウェーハ処理装置
US7537425B2 (en) * 2002-12-30 2009-05-26 Tdk Corporation Wafer processing apparatus having dust proof function
JP4790326B2 (ja) * 2005-06-16 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
US7440076B2 (en) * 2005-09-29 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP4714118B2 (ja) * 2005-10-14 2011-06-29 上村工業株式会社 基板アンロード装置および基板アンロード方法
KR100795487B1 (ko) 2006-09-27 2008-01-16 주식회사 실트론 층류유동제어장치 및 이를 구비한 화학기상증착반응기
KR100978128B1 (ko) * 2008-06-17 2010-08-26 세메스 주식회사 기판 처리 설비
JP2012115810A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Kurita Water Ind Ltd 超純水中の微粒子捕捉システム及び微粒子濃度測定方法
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) * 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7304738B2 (ja) * 2019-05-17 2023-07-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
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TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4209357A (en) * 1979-05-18 1980-06-24 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
JPS59222922A (ja) * 1983-06-01 1984-12-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 気相成長装置
US4624738A (en) * 1985-07-12 1986-11-25 E. T. Plasma, Inc. Continuous gas plasma etching apparatus and method
US4718975A (en) * 1986-10-06 1988-01-12 Texas Instruments Incorporated Particle shield
JPS63204726A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Anelva Corp 真空処理装置
DE3803411A1 (de) * 1988-02-05 1989-08-17 Leybold Ag Vorrichtung zur halterung von werkstuecken
JP2644309B2 (ja) * 1988-11-04 1997-08-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US5236509A (en) * 1992-02-06 1993-08-17 Spire Corporation Modular ibad apparatus for continuous coating
US5620560A (en) 1994-10-05 1997-04-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for heat-treating substrate
US5997588A (en) * 1995-10-13 1999-12-07 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Semiconductor processing system with gas curtain
TW317644B (ja) * 1996-01-26 1997-10-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3166065B2 (ja) 1996-02-08 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6089763A (en) * 1997-09-09 2000-07-18 Dns Korea Co., Ltd. Semiconductor wafer processing system
US6488824B1 (en) * 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings

Also Published As

Publication number Publication date
US20020079056A1 (en) 2002-06-27
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