JP2007220983A - 加熱装置、加熱方法、塗布装置及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】熱板で加熱された基板を熱板に隣接する冷却位置で冷却する加熱装置において、加熱装置の高さを低く抑えることができ、また、装置内における作業時間を削減することが可能であり、更に基板がパーティクル等で汚染されにくい加熱装置等を提供する。
【解決手段】加熱装置は、ウエハＷの搬入出口が備わった加熱室４内に、基板であるウエハＷを下方側から加熱する熱板４５を有している。さらに、加熱室４の搬入出口に隣接する基板の冷却位置（冷却プレート３の上方位置）と熱板４５の上方位置との間でウエハＷを搬送するためのワイヤ５が張設されていている。ウエハＷは、ワイヤ５に設けられた隙間形成部材５６上に載置された後、加熱室４に搬入される。ウエハＷは、熱板４５上に位置したときに熱板４５の表面から隙間を介して浮いた状態で加熱処理が施され、その後、冷却位置に搬送される。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板を熱板上に位置させて加熱処理し、次いで熱板に隣接する冷却位置で冷却する加熱装置、加熱方法及び加熱装置を用いた塗布装置に関し、更に加熱方法を実施するためのコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体に関する。

基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）や、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用のガラス基板に対してレジストパターンを形成する装置として、基板に対してレジストを塗布し、また露光後の基板を現像する塗布、現像装置が用いられている。この装置内には、基板を加熱しながら疎水化処理剤のベーパと接触させて、基板表面に疎水化処理を施す疎水化処理ユニットや、基板表面に塗布されたレジスト膜や反射防止膜中の溶剤を乾燥させる加熱装置及び、露光後の基板表面のレジスト膜を変質させるための加熱装置等が組み込まれている。

この種の疎水化処理ユニットや加熱装置（これらのユニットや装置を以下、単に「加熱装置」という）は、加熱板上に基板を載せて、例えば１００℃前後で加熱させるものであるが、設定時間だけ基板を加熱した後、直ぐに冷却して、いわゆる粗熱取りを行うために、冷却プレートが組み合わせられた構造が知られている（例えば特許文献１）。

図１２は、基板としてウエハＷを加熱する加熱装置の構成の一例を示した図である。図中、１０は筐体であり、１０ａはウエハの搬送口、１０ｂは前記ウエハの搬送口を開閉するためのシャッターである。また図中１１は基台、１２は熱板であり、１３は基台１１上を熱板１２側へ向けて移動可能な、ウエハＷを冷却するための冷却プレートである。基台１１には、熱板１２の手前側にガス供給部１４が設けられると共に、熱板１２の奥側に排気部１５が設けられている。

基台１１の内部空間には、ピン１６ａ、１７ａを昇降させるための昇降機構１６、１７が設けられている。昇降機構１６によりピン１６ａが昇降することにより、筐体１０内に進入した、外部の基板搬送機構（図示せず）と冷却プレート１３との間でウエハＷが受け渡される。また、昇降機構１７によりピン１７ａが昇降することにより、熱板１２と冷却プレート１３との間でウエハＷが受け渡されるようになっている。図中１８は昇降機構１８ａを介して昇降可能な蓋状の天板である。

このような加熱装置では、先ず熱板１２を天板１８で覆って熱板１２を所定の温度に加熱した状態で、冷却プレート１３にウエハＷを受け渡し、次いで、天板１８を上昇させ、冷却プレート１３を天板１８と熱板１２との間に進入させて、冷却プレート１３から熱板１２にウエハＷを受け渡す。そして、冷却プレート１３を熱板１２に隣接する位置に退行させ、天板１８を熱板１２から僅かに上昇する位置まで下降させる。この状態で排気部１５より排気を行いながら、ガス供給部１４からガスを供給することによって、熱板１２と天板１８との間の空間をパージして、所定の加熱処理を行う。加熱処理後のウエハＷは、天板１８を上昇させてから熱板１２から冷却プレート１３に受け渡され、次いで冷却プレート１３から図示しない基板搬送機構へ受け渡されて、次工程へ搬送される。

ところでこの加熱装置では、例えば冷却プレート１３の内部または下面に冷却配管を設けて、この冷却配管に冷却液を通流させるという冷却機構が設けられており、このため冷却プレート１３は１０ｍｍ程度の厚さとなっている。これにより熱板１２と天板１８との間には、冷却プレート１３との間でウエハＷの受け渡しを行うために、冷却プレート１３の厚さと、ウエハＷの受け渡しのためのクリアランスとを考慮して、１０ｍｍ以上の隙間が必要となる。

このように、ウエハＷを昇降させる昇降ピン及び昇降機構が必要であることと、熱板上に冷却プレートが搬送されてくることと、熱板と冷却プレートとの間でウエハＷを受け渡すためのクリアランスが必要となることと、等から従来の加熱装置は高さが大きくなってしまう。

一方、塗布、現像装置は、ウエハＷ等の基板の大型化に伴う占有面積の増大を抑えるために、加熱装置等の処理ユニットが多段化されたものが製品化されている。このような場合に、加熱装置の高さが大きいと、段数を多くすることができないという課題がある。

また、上述の加熱装置では、天板１８の昇降や、冷却プレート１３と熱板１２との間のウエハＷの受け渡しが必要であって、これらに要する時間が加熱処理とは直接関係のないオーバーヘッドタイム（作業時間）となり、結果としてスループットの低下を招いている。

なお、特許文献２には、ワイヤにより基板を搬送する装置が記載されているが、上述の課題を解決する手法は記載されていない。また、ワイヤ上にウエハを直接載置すると、ウエハとワイヤとの接触に伴うパーティクルの付着等によりウエハが汚染され、製品の歩留まりが悪くなるおそれがあるという課題がある。
特開２００４−２３５４６９号公報 実開昭６２−１７１３３号公報

本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、熱板で加熱された基板を熱板に隣接する冷却位置（例えば冷却プレート）で冷却する加熱装置において、加熱装置の高さを低く抑えることができ、また、装置内における作業時間を削減することが可能であり、更に基板がパーティクル等で汚染されにくい加熱装置、この加熱装置を搭載した塗布装置、加熱方法及びその方法を実施するプログラムを格納した記憶媒体を提供することにある。

本発明に係る加熱装置は、一方側に基板の搬入出口が形成された加熱室と、
この加熱室内に設けられ、基板を下方側から加熱する熱板と、
前記加熱室の搬入出口に隣接する基板の冷却位置と熱板の上方位置との間で基板を搬送するために、基板の搬送路の両端に設けられたプーリを介して基板の搬送方向に沿って張設された複数本のワイヤと、
前記熱板の表面部に前記ワイヤが通過するように設けられた溝部と、
基板がその上に載置されるように前記ワイヤに設けられ、基板が熱板上に位置したときに熱板の表面から隙間を介して浮いた状態にするための隙間形成部材と、を備え
外部から前記冷却位置に搬入された基板を加熱室内にて加熱処理し、次いで前記冷却位置に戻すことを特徴とする。

この加熱装置において、前記隙間形成部材は、基板を熱板から０．５ｍｍ以内の隙間を介して浮いた状態で保持するためのものであることが好ましい。また、この隙間形成部材は、前記ワイヤが中心部を貫通した球状に形成されているとよい。

さらに、前記ワイヤには、基板の外縁を規制して基板の位置ずれを防止するために基板の輪郭に沿って複数の規制部材が設けられているとよい。また、このワイヤは基板の搬送路の下方側の部位にて分断され、分断部位の間に常時縮退する方向に復元力が作用する弾性部材が設けられていることが好ましい。さらに、加熱室は、熱板に対向して天板が例えば６ｍｍ以下の距離で固定して設けられているとよい。

また、加熱室の搬入出口側にはガスを吐出するガス吐出口が設けられると共に加熱室の搬入出口と反対側にはガスを排気する排気口が設けられ、基板を加熱処理するときにガス吐出口から排気口に向かう気流が形成されていてもよい。この場合において、気流を形成するガスは、基板の表面を疎水化処理するためのガスであってもよい。このとき、加熱室の搬入出口には、加熱室内と外との雰囲気を区画するために、気体によるカーテンやシャッターが形成されていてもよい。

また、基板の周縁を保持した外部の基板搬送機構から冷却位置で待機している隙間形成部材に基板を受け渡すときには、前記基板を載せた外部の基板搬送機構が当該冷却位置の上方側に進入し、前記基板搬送機構と当該冷却位置との間に基板搬送路の一端に設けられたプーリの通り抜ける空間を形成しながら冷却位置の上方側から下方側に通り抜けて基板を隙間形成部材に受け渡し、冷却位置の下方側から退却するように構成するとよい。

ここで、前記冷却位置に冷却プレートが設けられている場合には、この冷却プレートに、前記ワイヤが通過するように表面部に溝部が設けられ、基板が冷却プレート上に位置したときに冷却プレートの表面から隙間を介して浮いた状態になっているようにするとよい。
このとき、基板の周縁部を保持した外部の基板搬送機構から冷却プレート上で待機している隙間形成部材に基板を受け渡すときには、前記基板を載せた外部の基板搬送機構が当該冷却プレートの上方側に進入し、前記基板搬送機構と当該冷却プレートとの間に基板搬送路の一端に設けられたプーリの通り抜ける空間を形成しながら冷却プレートの上方側から下方側に通り抜けて基板を隙間形成部材に受け渡し、冷却プレートの下方側から退却するように構成することが好ましい。

また、本発明に係る塗布装置は、基板を収納し、キャリアが搬入出されるキャリア搬入出部と、
前記キャリアから取り出された基板の表面に塗布液を塗布する塗布部と、
この塗布部における塗布処理の前処理または後処理のために基板を加熱処理する上述の特徴を有する加熱装置と、
この加熱装置に対して基板を受け渡す基板搬送機構と、を備え、
前記基板搬送機構は、冷却位置で待機している隙間形成部材に基板を受け渡すときには、冷却位置の上方側に進入し、当該冷却位置との間に基板搬送路の一端に設けられたプーリの通り抜ける空間を形成しながら冷却位置の上方側から下方側に通り抜けて基板を隙間形成部材に受け渡し、冷却位置の下方側から退却するように構成されていることを特徴とする。

本発明では、ワイヤに設けられた隙間形成部材上に基板を載置した状態で熱板上に搬入し、そのまま基板の加熱処理を行っているので、基板を昇降させる昇降ピン、昇降機構を設ける必要がなく、また、昇降ピンによる基板の受け渡しのためのクリアランスも不要なので加熱装置の高さを低く抑えることができる。この結果、塗布装置に設置する加熱装置の段数を多くすることが可能となり、処理能力を増やすことができる。

また、昇降ピンの昇降動作に要する作業時間が不要となり、その分、加熱処理とは直接関係のないオーバーヘッドタイムを削減することができ、スループットの向上を図ることができる。そして、従来のような厚さの大きい冷却プレートが加熱装置に搬入されないので、加熱室の天井部を低くすることができると共に、その天井部を昇降させない構成を採用できるので、そのような構成を採用することで加熱装置の高さをより一層低くでき、また天井部を昇降させないことでオーバーヘッドタイムの一層の削減を図ることができる。

さらに、基板は、隙間形成部材上に載置され、熱板の表面から隙間を介して浮いた状態で加熱処理が施される。このため、加熱室内において基板は、ワイヤ上に直接基板を載置して搬送する場合に比べて、基板表面にパーティクル等が付着するおそれが少ない。この結果、基板表面が汚染されず製品の歩留まりが低下せずに済む。更にまた、外部の基板搬送機構と冷却位置との間の基板の受け渡しは、基板搬送機構と冷却位置との間に、基板搬送路の一端に設けたプーリの通り抜ける空間を形成しながら基板搬送機構を昇降させているので、冷却位置においても基板の受け渡しのための昇降ピンが不要になる。

以下に本発明に係る加熱装置の実施の形態の一例として、例えば基板であるウエハＷを疎水化処理剤のベーパ雰囲気内で加熱処理して、当該ウエハＷの表面を疎水化する加熱装置２について図１〜図９を参照して説明する。なおこのウエハＷの大きさとしては例えば１２インチサイズのものが用いられる。当該加熱装置２は、図２に示すように、処理容器をなす筐体２０を備えており、筐体２０の側壁にはウエハＷの搬送口２１が開口され、当該搬送口２１はシャッター２１ａにより開閉自在とされている。このシャッター２１ａはウエハＷを加熱する際に、搬送口２１を介して筐体２０内に外気が流入することにより、後述するようにウエハＷの周囲に形成される気流が乱れることを防ぐために設けられている。気流の乱れを防止するためには、シャッター２１ａの代わりに例えばエアカーテンを搬送口２１付近に設けて外気の流入を防いでもよい。

また筐体２０内の下部には基台２２が設けられており、搬送口２１に向かう側を手前側とすると、手前側にはウエハＷを冷却するための冷却プレート３が基台２２上に支柱３３を介して設けられ、奥側にはウエハＷを加熱処理するための扁平な加熱室４が設けられている。この加熱室４の冷却プレート３に対向する側面は、ウエハＷを搬入出するための搬入出口４１として開口しており、ウエハＷは、冷却プレート３の上方側の冷却位置と、加熱室４の内部との間を２本のワイヤ５（５ａ、５ｂ）によって搬送され、加熱室４内ではウエハＷが搬入されてきたままの状態で加熱処理が行われるようになっている。

冷却プレート３は、例えばアルミニウムにより構成され、ウエハＷよりひとまわり大きな直径を有する略円形板状に形成されており、例えば後述する溝部以外の領域では、４ｍｍ程度の厚さに形成されている。またその裏面側に、例えば温度調節水を流すための図示しない冷却機構を備えており、当該冷却プレート３に載置されたウエハＷの粗熱取りを行うように構成されている。

また２本のワイヤ５（５ａ、５ｂ）は、ウエハＷが搬送される搬送路の両端、即ち搬送口２１に向かう側を手前側として、冷却プレート３の手前側と加熱室４の奥側とに設けられた２つのプーリ５１（５１ａ、５１ｂ）、５２（５２ａ、５２ｂ）を介してウエハＷの搬送方向に沿って夫々張設されている。このワイヤ５は、例えばアラミド繊維（例えばデュポン社製ケプラー等）等の合成繊維や、炭化ケイ素繊維（例えば日本カーボン社製ニカロン等）、炭素繊維（例えば東レ社製等）等のセラミック繊維等であって、２３℃〜２５０℃にてウエハＷを加熱処理しても、熱により変性しない耐熱性の材質により構成されており、例えば直径が０．２ｍｍ程度の太さのものが用いられる。

ワイヤ５は、図２に示すように基板の搬送路の下方側の部位で分断され、この分断部位の間にワイヤーテンショナー５３が設けられた状態で２つのプーリ５１、５２に巻き掛けられている。ワイヤーテンショナー５３は、ワイヤ５の分断部位の間に常時退縮する方向に復元力が作用する弾性部材、例えば引張りバネからなり、ウエハＷが載置されてもワイヤ５が弛んだり伸びたりせず、適切な張設状態を維持する役割を有している。また、図３に示すように、加熱室４の奥側に設置された２つのプーリ５２ａ、５２ｂは、連結軸５４を介してモータ５５に連結されており、左右いずれの方向にも回転することができるようになっている。このモータ５５によって、後述する制御部からの指令に基づいて２つのプーリ５２ａ、５２ｂを同じ方向に同じ回転速度で回転させることにより、２本のワイヤ５ａ、５ｂを同期させて、同じ方向に同じ速度で移動させることができる。

さらに、各ワイヤ５ａ、５ｂには、図４に示すように、ウエハＷが載置される隙間形成部材５６と、ウエハＷの載置位置を規制するための規制部材５７とが設けられている。隙間形成部材５６は、ウエハＷが載置される載置部材としての役割も果たし、例えば耐熱性を有する球状で同じサイズのビーズ部材により構成されている。ここで、２本のワイヤ５に少なくとも３つの隙間形成部材５６を設け、部材の形状を球状として、その中心部をワイヤ５が貫通するようにすることにより、ウエハＷが３点支持されて、（１）ウエハＷと他部材との接触面積を最小限に抑えることが可能となり、（２）ウエハＷを搬送面に対して平行に保ち、ウエハＷと冷却プレート３等とが直接接触しないようにすることができる。

また、規制部材５７も、耐熱性を有する球状のビーズ部材等で構成され、図４に示すように例えばウエハＷの輪郭に沿った４ヵ所の位置に対応させて夫々のワイヤ５ａ、５ｂに２個ずつ設けられている。そして、ウエハＷが規制部材５７の内側に載置されることにより、ウエハＷの周縁の４ヵ所の位置が規制部材５７により位置決めされ、ワイヤ５ａ、５ｂによって搬送されるときにもウエハＷの載置位置がずれないようになっている。なお、図２、８〜９では、図示の便宜上隙間形成部材５６、規制部材５７は省略してある。

また、図３に示すように、冷却プレート３には、各ワイヤ５ａ、５ｂや隙間形成部材５６、規制部材５７が通過するように２本の溝部３１が、ワイヤ５ａ、５ｂに沿って設けられている。ここで溝部３１の大きさ及び、ワイヤ５等と溝部３１との位置関係は、後述するようにウエハＷの下面と冷却プレート３の上面との間に０．５ｍｍ以内の隙間が形成されるように設定されている。

さらに冷却プレート３の周縁部の例えば４ヵ所には、図１及び図３に示すように冷却プレート３の中心部に向けて切り欠き部３２が形成されている。この切り欠き部３２は、後述するように、外部の基板搬送機構と冷却プレート３上で待機している隙間形成部材５６との間でウエハＷの受け渡しを行うときに必要なものである。

加熱室４は、その内部にてウエハＷの加熱処理を行う役割を果たし、ウエハＷより大きい内部空間を有している。この加熱室４は、例えば厚さが３ｍｍ程度のアルミニウム(Ａｌ)やステンレス等の伝熱性の材料により、縦断面がコ字状に形成されており、先述した搬入出口４１の両側も側壁部４２（４２ａ、４２ｂ）で覆われている。

この加熱室４の下側には、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の熱板４５が設けられている。熱板４５は、例えばウエハＷと略同じ大きさの円板状に形成されており、フランジ等によって、底板４６ｂに固定されている。また、熱板４５（または底板４６ｂ）は、支柱４８により支持され、基台２２に固定されている。また、熱板４５とこれに対向するコの字状部材の上側部分（以下、天板４６ａという）との距離は６ｍｍ以下になるように構成されている。なお、熱板４５は、加熱室４の下側に加えて、天板４６ａのある上側にも設けてよい。

また、加熱室４内部の搬入出口４１側には、ガス吐出部２３が設けられ、同じく奥側には排気部２４が設けられている。なお図１ではガス吐出部２３と排気部２４とを省略している。このガス吐出部２３と排気部２４とは、ウエハＷが加熱室４内にあるときに、ウエハＷを挟んで手前側と奥側とに位置するように設けられている。これにより、ウエハＷの直径（幅）をカバーし、天板４６ａと底板４６ｂとの間を、ウエハＷの一端側から他端側へと流れるいわば一方向流ともいうべき気流を形成できるようになっている。

ガス吐出部２３には、図３に示すように、例えば多数の小孔が吐出口２３ａとして筐体２０の幅方向（図３中Ｘ方向）に沿って夫々一定の間隔をおいて設けられている。ガス吐出部２３の一端から他端までの長さは加熱室４内に載置されるウエハＷの直径をカバーするように構成されている。ガス吐出部２３は、図２、図５に示すように、ガス供給管７０、バルブＶ１を介して、例えば筐体２０の外部に設けられたガス供給源７１に接続されている。ガス供給源７１には、ウエハＷの表面を疎水化処理するための例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）が貯留されている。ＨＭＤＳは、図示しないベーパライザ等により気化されてガス吐出部２３に供給されるようになっている。

また、加熱室４の搬入出口４１には、加熱室４内と外との雰囲気を区画するためのシャッター４３が取り付けられている。シャッター４３は、その一辺を搬入出口４１の下辺と共有する状態で軸支されており、この軸を中心に図示しない駆動部により回動することにより搬入出口４１を開閉するようになっている。シャッター４３には、例えば図３に示すように切り欠きが設けられており、シャッター４３が開閉する際にワイヤ５と干渉しないようになっている。なお、図１ではこの切り欠きは省略してある。ここで、加熱室４内と外との雰囲気を区画する手法は、シャッター４３を用いる場合に限定されない。例えば、気体によるカーテンを搬入出口４１に形成してもよい。また、搬入出口４１部にシャッターや気体によるカーテンを有していなくてもよい。
また、搬入出口４１に対向する面には、奥壁部４４が設けられており、奥壁部４４にはワイヤ５ａ、５ｂが通過する孔が設けられている。

またガス吐出部２３の内部には、図５に示すように幅方向に沿って伝熱板２５が設けられ、この伝熱板２５には例えばウエハＷの幅方向に沿って間隔をおいて複数のヒートパイプ２５ａの一端が接続されている。各ヒートパイプ２５ａの他端は熱板４５に接続されている。ガス供給源７１からガス供給管７０を介してガス吐出部２３の内部空間に供給されたパージ用ガスは、伝熱板２５によりウエハＷの加熱温度（加熱時のウエハＷの表面温度）と同じ温度に温調され、吐出口２３ａから吐出されるようになっている。なおパージ用ガスを加熱する手段は、例えばガス供給管７０の出口付近に設けたヒータであってもよい。

排気部２４は、熱板４５を挟んでガス吐出部２３と対向するように設けられている。排気部２４には、図３に示すように例えば多数の小孔が排気口２４ａとして加熱室４の幅方向に沿って、夫々一定の間隔をおいて設けられている。排気口２４ａの一端から他端までの長さは、例えばウエハＷの直径をカバーするように構成されている。排気部２４には、図２、図５に示すように、排気管７２が接続されており、この排気管７２は筐体２０の外部へ伸長して、その端部は例えば工場の排気路に接続されている。また排気管７２にはファン７３が介設されており、ファン７３の回転数が制御されることで排気部２４は例えば予め設定された排気量で排気口２４ａから筐体２０内の排気を行うことができるように構成されている。なお図中バルブＶ２は排気管７２に介設されたバルブである。

ところで本発明においては、ガス吐出部２３及び排気部２４により既述の一方向流が形成できればよいので、ガス吐出部２３及び排気部２４はこの実施の形態の構成に限定されるものではない。また吐出口２３ａ及び排気口２４ａの形状もこの例に限らず、例えば幅方向に沿ってスリット状に設けられていてもよい。

熱板４５及び底板４６ｂ（熱板４５周囲のプレート部分）には、図３に示すように、各ワイヤ５ａ、５ｂや隙間形成部材５６、規制部材５７が通過するための２本の溝部４７が、ワイヤ５ａ、５ｂに沿って設けてある。加熱室４内において、ウエハＷは、図６（ａ）に示すように隙間形成部材５６上に載置された状態で熱板の上方に保持される。そして、図６（ｂ）に示すように、ウエハＷの底面が熱板４５の表面から０．５ｍｍ以内の隙間ｄを介して浮いた状態となるようにワイヤ５や規制部材５７と溝部４７との位置関係が調整されている。
なお、先述した冷却プレート３に形成された溝部３１もウエハＷが冷却プレート３上に位置したときに熱板４５上に位置した場合と同様の状態（冷却プレート３の表面から０．５ｍｍ以内の隙間を介して浮いた状態）となるように調整されている。

以上の構成により、加熱室４内に搬入されたウエハＷは、熱板４５による輻射やウエハＷと熱板４５との隙間における対流伝熱、ウエハＷの表面に沿って流れる加熱されたＨＭＤＳベーパからの伝熱によって、予め設定したプロセス温度まで加熱されるようになっている。

続いて載置部材としての隙間形成部材５６にウエハＷを受け渡す、外部の基板搬送機構６について説明する。基板搬送機構６は、例えば図７に示すように、ウエハＷの搬送方向に水平な馬蹄形状の搬送アーム６１を有している。搬送アーム６１の内周の大きさは冷却プレート３の直径よりも若干大きく形成されており、この内周における下部には内方へ向かう例えば４つの突片６４が設けられている。ウエハＷは、図６(ｂ)に示すように、これらの突片６４により周縁部が保持されることになる。

搬送アーム６１は例えば図示しない駆動機構により搬送基体６２を介して昇降自在かつ進退自在に構成されている。搬送アーム６１から隙間形成部材５６にウエハＷを受け渡す際には、先ず隙間形成部材５６や規制部材５７をホーム位置（ウエハＷをワイヤ５に載置した状態で、ウエハＷが冷却プレート３上方側に位置する位置）に位置させ、ウエハＷを保持した搬送アーム６１を冷却プレート３の上方側に進入させるようになっている。ここで冷却プレート３の外周の切り欠き部３２は、夫々搬送アーム６１の突片６４と対応する位置に設けられているので、図７（ｂ）に示すように、搬送アーム６１が冷却プレート３に対して上方側から覆い被さるように下降し、冷却プレート３の下方側に通り抜けることで、搬送アーム６１上のウエハＷを冷却プレート３上で待機している隙間形成部材５６に受け渡すことができる。このとき、図６（ａ）に示すように、搬送アーム６２の基部と冷却プレート３とで囲まれる領域には、プーリ５１が通り抜けられるような空間（以下、空間部６５という）が形成されるようになっている。これにより、搬送アーム６１とプーリ５１とが干渉せずにウエハＷを隙間形成部材５６に受け渡すことが可能となる。また、ウエハＷを受け渡した搬送アーム６１は、前方の切り欠き部６３が冷却プレート３を支える支柱３３やプーリ５１を通り抜けて手前側に後退し、筐体２０内から退去するようになっている。

続いて加熱装置２の構成部材の位置関係について説明する。この例では、ウエハＷが搬送路上を平行に移動するので、ホーム位置で隙間形成部材５６上に載置されたウエハＷがそのまま加熱装置２内に進入し、熱板４５の表面から０．５ｍｍ以内の隙間を介して浮いた状態で加熱処理である疎水化処理がされるように、加熱室４の高さ位置が設定されている。

また、冷却プレート３上で待機している隙間形成部材５６と外部の基板搬送機構６との間でウエハＷの受け渡しを行うときには、既述のように、搬送アーム６１が冷却プレート３の上方側に進入した後、冷却プレート３の下方側から退去するので、このような動作が可能なように搬送口２１の大きさや支柱３３の太さが設定される。つまり、搬送口２１の大きさは、基板搬送機構６が進入可能かつ、冷却プレート３の上方側から下方側へ通り抜け可能な程度に形成され、支柱３３の太さは、基板搬送機構６が退却する際に切り欠き部６３が支柱３３の外側を通り抜け可能な程度に形成される。また先述のように、搬送アーム６１の突片６４の大きさや位置も、冷却プレート３の切り欠き部３２の外側を通り抜けられるように形成されている。

次に、当該加熱装置２に備えられた制御部について説明する。モータ５５やシャッター４３の駆動部等は、制御手段としての制御部１００と接続されており、ワイヤ５の移動方向、移動距離や、搬出入口４１を開閉するタイミング等を制御できるようになっている。この制御部１００は、例えば当該加熱装置２が適用される塗布、現像装置に備えられている。制御部１００は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には当該加熱装置２の作用を含む塗布、現像装置全体の作用、つまり、基板搬送装置によるウエハＷの搬送や、塗布、現像装置によるウエハＷの塗布、加熱処理、各ユニット及び処理部の筐体内における気体の供給制御等が実施されるようにステップ（命令）群をそなえた例えばソフトウエアからなるコンピュータプログラムが格納される。そして、当該コンピュータプログラムが制御部１００に読み出されることにより、制御部１００は後述する当該加熱装置２の作用を含む塗布、現像装置全体の作用を制御する。なお、このコンピュータプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。

次に加熱装置２の作用について説明する。先ず外部の基板搬送機構６により、搬送口２１を介して疎水化処理を施すウエハＷを筐体２０内に搬入し、ホーム位置で待機している隙間形成部材５６にウエハＷを受け渡す。即ち、図８（ａ）に示すように、制御部１００は、先ず隙間形成部材５６を冷却プレート３上のホーム位置で待機させる。次いで図８（ｂ）、図８（ｃ）に示すように、ウエハＷを保持した搬送アーム６１を冷却プレート３の上方側に進入させ、次いで下降させることにより、ウエハＷを隙間形成部材５６に受け渡す。このとき、搬送アーム６１の搬送基体６２側の部分と冷却プレート３との間にはプーリ５１が通り抜ける空間部６５が形成されて、搬送アーム６１がプーリ５１と干渉せずに冷却プレート３の下方側へ下降する。続いて図８（ｃ）に示すように、切り欠き部６３が支柱３３やプーリ５１を通り抜けて搬送アーム６１を後退させる。以上の動作により、図８（ｄ）に示すように、ウエハＷは、各規制部材５７の内側に周縁部が位置するように位置決めされ、かつ、冷却プレート３の表面から０．５ｍｍ以内の隙間を介して浮いた状態で隙間形成部材５６上に載置される。なお、図８（ｂ）以降の図では、図示の便宜上、隙間形成部材５６や規制部材５７及びウエハＷと冷却プレート３の表面との間に形成される隙間は省略した。

次いで制御部１００は、図９（ａ）に示すように、モータ５５によりプーリ５２を回転させてワイヤ５を移動させ、ウエハＷの載置された隙間形成部材５６を加熱室４側へ移動させて、ウエハＷを加熱室４内に搬送し、熱板４５上で停止する。ウエハＷは、加熱室４内において、熱板４５の表面から０．５ｍｍ以内の隙間を介して浮いた状態で保持される。加熱室４内は、ウエハＷが搬送されるまでに、熱板４５により加熱され、例えば１００℃程度になっている。なお、図９の各図においても、隙間形成部材５６や規制部材５７及び、ウエハＷと熱板４５の表面との間に形成される隙間、ガス吐出部２３、排気部２４等の図示を省略した。

ウエハＷが加熱室４内に搬入されると、図９（ｂ）に示すように、制御部１００はシャッター４３を回動させ、搬入出口４１を閉じて加熱室４内と外との雰囲気を区画する。そして、バルブＶ１を開き、ガス供給源７１からガス供給管７０にＨＭＤＳベーパを供給する。ＨＭＤＳベーパはガス吐出部２３で略１００℃に加熱されて、吐出口２３ａから加熱室４の天板４６ａへ向けて吐出される。ＨＭＤＳベーパの供給を開始するのと略同時に、制御部１００はバルブＶ２を開き、ファン７３を回転させて排気部２４からの排気を開始する。こうして図５中、矢印で示すように、ガス吐出部２３から供給されたＨＭＤＳベーパは加熱室４の天板４６ａと熱板４５との間を手前側から奥側に流れ、ウエハＷの周囲を通過した後に、排気部２４に流入し、排気管７２を通って、筐体２０の外へ除去される。このように、熱板４５によって加熱されたウエハＷの表面上を、加熱されたＨＭＤＳベーパが接触しながら通過することにより、ウエハＷの表面に疎水化処理が施される。制御部１００は、ウエハＷの疎水化処理を例えば一定時間行った後に、ガス吐出部２３からのＨＭＤＳベーパの供給と排気部２４からの排気とを停止する。

次いで制御部１００は、シャッター４３を開き、プーリ５２を回転させてワイヤ５を移動させ、冷却プレート３上のホーム位置で隙間形成部材５６を停止させる。そして、冷却プレート３表面とウエハＷとの間に０．５ｍｍ程度の隙間を介して浮かせた状態でウエハＷを冷却し、ウエハＷの粗熱取りを行う。粗熱取りが終了した後、外部の基板搬送機構６にウエハＷを受け渡し、疎水化処理の完了したウエハＷを加熱装置２の外へ搬送する。

ここで隙間形成部材５６から基板搬送機構６へのウエハＷの受け渡しは、基板搬送機構６から隙間形成部材５６へのウエハＷの受け渡しと逆の動作で行われる。即ち、制御部１００は、冷却プレート３の下方側に、何も保持していない搬送アーム６１を進入させ、次いで搬送アーム６１を冷却プレート３の上方側まで上昇させることにより、搬送アーム６１上に隙間形成部材５６からウエハＷを受け取り、次いで冷却プレート３の上方側からウエハＷを保持した搬送アーム６１を退却させる。

本実施の形態に係る加熱装置２では、載置部材としての役割を有する隙間形成部材５６上に載置した状態でウエハＷを加熱室４に搬入し、そのままウエハＷの加熱処理を行うので、図１３で説明した従来技術のように、熱板４５及び冷却プレート３に対する基板の受け渡し動作において昇降ピンが介在しない。このため、熱板４５と冷却プレート３との間でウエハＷを受け渡すためのクリアランスや基板を昇降させる昇降ピン、昇降機構が必要なく、加熱装置の高さを低く抑えることができる。この結果、塗布、現像装置に設置する加熱装置の段数を多くすることが可能となり、処理能力を増やすことができる。

また、昇降ピンの昇降動作に要する作業時間が不要となり、その分、加熱処理とは直接関係のないオーバーヘッドタイムを削減することができ、スループットの向上を図ることができる。そして、従来のような厚さの大きい冷却プレートが加熱装置２に搬入されないので、加熱室４の天井部（天板４６ａ）を低くすることができると共に、その天井部を昇降させない構成を採用できるので、そのような構成を採用することで加熱装置２の高さをより一層低くでき、また天井部を昇降させないことでオーバーヘッドタイムの一層の削減を図ることができる。

また、ウエハＷは、隙間形成部材５６上に載置され、熱板４５の表面から隙間を介して浮いた状態で加熱処理が施される。このため、加熱室４内においてウエハＷは、ワイヤ上に直接ウエハＷを載置して搬送する場合に比べて、ウエハＷ表面にパーティクル等が付着するおそれが少ない。この結果、ウエハＷ表面が汚染されず製品の歩留まりが低下せずに済む。更にまた、外部の基板搬送機構６と冷却プレート３との間のウエハＷの受け渡しは、基板搬送機構６と冷却プレート３との間に、基板搬送路の一端に設けたプーリ５１の通り抜ける空間６５を形成しながら基板搬送機構６を昇降させているので、冷却プレート３においてもウエハＷの受け渡しのための昇降ピンが不要になる。

また、加熱装置２は、隙間形成部材５６から熱板４５へのウエハＷの受け渡しを行わないので、加熱室４内での気流の乱れの発生を防止することができる。既述したように、従来の加熱装置では、冷却プレート１３から熱板１２へのウエハＷの受け渡しは、昇降機構１７の昇降等による一連の動作によって行われ、この動作によっても気流の乱れが発生する（図１３参照）。本実施の形態に係る加熱装置２では、このような受け渡し動作を行わないため、気流の乱れの発生を防止し、パーティクルの飛散やウエハＷへの付着を防止することができる。

さらに、従来の加熱室に必要であった蓋体の昇降や、熱板へのウエハＷの受け渡しのための駆動機構が不要となるので、駆動系が少なくなって制御が容易である。また、外部の基板搬送機構と冷却プレートとの間での支持ピンを使ったウエハＷの受け渡しの代わりに、基板搬送機構６から直接隙間形成部材５６へウエハＷが受け渡されるので、この点に関しても制御が容易になる。

なお、本実施の形態においては、加熱室４の手前に冷却プレート３が設けられている場合について説明したが、本発明が適用される加熱装置はこの例に限定されない。例えば、図１において冷却プレート３が設けられている位置に冷却プレート３がなく、この冷却位置で例えば自然冷却を行うタイプの加熱装置であってもよい。また、ワイヤ５の本数も実施の形態で示した２本に限定されず、ウエハＷ搬送時の安定性等を考慮して３本以上張設してもよい。

また、本実施の形態では、ウエハＷに対する加熱処理の具体例として、ウエハＷの疎水化処理を施す場合について説明したが、加熱処理の内容はこの例に限定されない。例えば、塗布液としてレジスト液や反射防止膜形成用の薬液が表面に塗布されたウエハＷを加熱処理し溶剤を揮発させ、このウエハＷ表面にレジスト膜や反射防止膜を形成する加熱装置、あるいは現像処理の前後において行われる加熱処理を行う加熱装置についても本発明は適用することができる。なお、この場合は搬入出口４１の入口部にシャッターや気体によるカーテンを有していなくてもよい。

続いて前記加熱装置２を組み込んだ塗布、現像装置に、露光部（露光装置）を接続したレジストパターン形成システムの全体構成について図１０及び図１１を参照しながら簡単に説明する。図中Ｂ１は、基板例えばウエハＷが、例えば１３枚密閉収納されたキャリア８を搬入出するためのキャリア載置部Ｂ１である。キャリア載置部Ｂ１には、キャリア８の載置部８０ａを複数個並べて載置可能なキャリアステーション８０と、このキャリアステーション８０から見て前方の壁面に設けられる開閉部８１と、この開閉部８１を介してキャリア８からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。

キャリア載置部Ｂ１の奥側には、筐体８２にて周囲を囲まれる処理部Ｂ２が接続されており、この処理部Ｂ２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３と、これら棚ユニットＵ１〜Ｕ３及び液処理ユニットＵ４、Ｕ５の各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２、Ａ３とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３及び主搬送手段Ａ２、Ａ３はキャリア載置部Ｂ１側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されていて、ウエハＷは処理部Ｂ２内を一端側の棚ユニットＵ１から他端側の棚ユニットＵ３まで自由に移動できるようになっている。

前記棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３は、液処理ユニットＵ４、Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせは、受け渡しユニット、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、ウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニット（ＣＰＬ）、レジスト液の塗布前にウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＢＡＫＥ）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うためのプリベーキングユニット等と呼ばれている加熱ユニット（ＰＡＢ）、現像処理後のウエハＷを加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ）等が含まれている。本発明の加熱装置２は疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）として組み込まれている。

また液処理ユニットＵ４、Ｕ５は、例えば図１０に示すように、反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）、ウエハＷにレジスト液を塗布する塗布ユニット（ＣＯＴ）、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像ユニット（ＤＥＶ）等を複数段、例えば５段に積層して構成されている。

前記処理部Ｂ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェース部Ｂ３を介して露光部Ｂ４が接続されている。このインターフェース部Ｂ３は、処理部Ｂ２と露光部Ｂ４との間に前後に設けられる第１の搬送室８３及び第２の搬送室８４により構成されており、夫々に昇降自在及び鉛直軸周りに回転自在かつ進退自在な第１の搬送アーム８５及び第２の搬送アーム８６を備えている。さらにまた、第１の搬送室８３には、例えば受け渡しユニットや、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）、及びウエハＷをポストエクスポージャーべーク処理する加熱・冷却ユニット（ＰＥＢ）等が上下に積層して設けられた棚ユニットＵ６が設けられている。

このようなレジストパターン形成システムにおけるウエハＷの流れの一例について説明すると、キャリア載置部Ｂ１に載置されたキャリア８内のウエハＷは、温調ユニット（ＣＰＬ）→反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）→加熱ユニット（ＢＡＫＥ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→塗布ユニット（ＣＯＴ）→加熱ユニット（ＰＡＢ）→露光部Ｂ４の経路で搬送されて、ここで露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷは、加熱ユニット（ＰＥＢ）→高精度温調ユニット（ＣＰＬ）→現像ユニット（ＤＥＶ）→加熱ユニット（ＰＯＳＴ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→キャリア載置部Ｂ１のキャリア８の経路で搬送される。なお、レジストの種類に応じて、ＢＡＲＣの代わりにＡＤＨにて処理が行われる。

本発明に係る加熱装置は、例えば疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）以外のユニット（ＢＡＫＥ、ＰＡＢ、ＰＥＢ及び、ＰＯＳＴ）に適用することができる。また本発明は、半導体ウエハ以外に、例えばＬＣＤ基板、マスク基板等の処理にも適用できる。また、絶縁膜の前駆体を含む薬液を塗布する塗布装置に含まれる加熱装置としても適用することができる。

本発明の加熱装置に係る実施の形態を示す斜視図である。 上記実施の形態を示す縦断面図である。 上記実施の形態を示す平面図である。 前記加熱装置に用いられる隙間形成部材及び規制部材を示す斜視図である。 前記加熱装置に用いられる加熱室を示す縦断面図である 加熱室内で隙間形成部材状にウエハが載置されている様子を示す側面図及び、その拡大図である。 前記加熱装置にウエハを搬送するための外部の基板搬送機構と、加熱装置に設けられる冷却プレートとを示す平面図と、斜視図である。 前記加熱装置の作用を説明するための第１の工程図である。 前記加熱装置の作用を説明するための第２の工程図である。 前記加熱装置が組み込まれる塗布、現像装置の一例を示す斜視図である。 前記塗布、加熱装置の一例を示す平面図である。 従来の加熱装置を示す断面図である。

符号の説明

Ｖ１、Ｖ２ バルブ
Ｗ ウエハ
２ 加熱装置
３ 冷却プレート
４ 加熱室
５、５ａ、５ｂ ワイヤ
６ 基板搬送機構
８ キャリア
２０ 筐体
２１ 搬送口
２１ａ シャッター
２２ 基台
２３ ガス吐出部
２３ａ 吐出口
２４ 排気部
２４ａ 排気口
２５ 伝熱板
２５ａ ヒートパイプ
３１ 溝部
３２ 切り欠き部
３３ 支柱
４１ 搬入出口
４２、４２ａ、４２ｂ
側壁部
４３ シャッター
４４ 奥壁部
４５ 熱板
４６ａ 天板
４６ｂ 底板
４７ 溝部
４８ 支柱
５１、５１ａ、５１ｂ
プーリ
５２、５２ａ、５２ｂ
プーリ
５３ ワイヤーテンショナー
５４ 連結軸
５５ モータ
５６ 隙間形成部材
５７ 規制部材
６１ 搬送アーム
６３ 切り欠き部
６４ 突片
６５ 空間部
７０ ガス供給管
７１ ガス供給源
７２ 排気管
７３ ファン
１００ 制御部

Claims (29)

1. 一方側に基板の搬入出口が形成された加熱室と、
   この加熱室内に設けられ、基板を下方側から加熱する熱板と、
   前記加熱室の搬入出口に隣接する基板の冷却位置と熱板の上方位置との間で基板を搬送するために、基板の搬送路の両端に設けられたプーリを介して基板の搬送方向に沿って張設された複数本のワイヤと、
   前記熱板の表面部に前記ワイヤが通過するように設けられた溝部と、
   基板がその上に載置されるように前記ワイヤに設けられ、基板が熱板上に位置したときに熱板の表面から隙間を介して浮いた状態にするための隙間形成部材と、を備え
   外部から前記冷却位置に搬入された基板を加熱室内にて加熱処理し、次いで前記冷却位置に戻すことを特徴とする加熱装置。
2. 前記隙間形成部材は、基板を熱板から０．５ｍｍ以内の隙間を介して浮いた状態で保持するためのものであることを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
3. 前記隙間形成部材は、前記ワイヤが中心部を貫通した球状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の加熱装置。
4. 前記ワイヤには、基板の外縁を規制して基板の位置ずれを防止するために基板の輪郭に沿って複数の規制部材が設けられていることを特徴とする請求項１ないし３の何れか一つに記載の加熱装置。
5. 前記ワイヤは、基板の搬送路の下方側の部位にて分断され、分断部位の間に常時縮退する方向に復元力が作用する弾性部材が設けられていることを特徴とする請求項１ないし４の何れか一つに記載の加熱装置。
6. 加熱室は、熱板に対向して天板が固定して設けられて構成されていることを特徴とする請求項１ないし５の何れか一つに記載の加熱装置。
7. 熱板と天板との距離は６ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の加熱装置。
8. 加熱室の搬入出口側にはガスを吐出するガス吐出口が設けられると共に加熱室の搬入出口と反対側にはガスを排気する排気口が設けられ、基板を加熱処理するときにガス吐出口から排気口に向かう気流が形成されることを特徴とする請求項１ないし７の何れか一つに記載の加熱装置。
9. 前記ガスは、基板の表面を疎水化処理するためのガスであることを特徴とする請求項８に記載の加熱装置。
10. 前記加熱室の搬入出口には、加熱室内と外との雰囲気を区画するために気体によるカーテンが形成されていることを特徴とする請求項８又は９に記載の加熱装置。
11. 前記加熱室の搬入出口には、加熱室内と外との雰囲気を区画するためにシャッターが形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の加熱装置。
12. 基板の周縁を保持した外部の基板搬送機構から冷却位置で待機している隙間形成部材に基板を受け渡すときには、前記基板を載せた外部の基板搬送機構が当該冷却位置の上方側に進入し、前記基板搬送機構と当該冷却位置との間に基板搬送路の一端に設けられたプーリの通り抜ける空間を形成しながら冷却位置の上方側から下方側に通り抜けて基板を隙間形成部材に受け渡し、冷却位置の下方側から退却することを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の加熱装置。
13. 前記冷却位置には、冷却プレートが設けられ、
    この冷却プレートには、前記ワイヤが通過するように表面部に溝部が設けられ、基板が冷却プレート上に位置したときに冷却プレートの表面から隙間を介して浮いた状態になっていることを特徴とする請求項１ないし１２の何れか１つに記載の加熱装置。
14. 前記冷却プレートの周縁には、外部の基板搬送機構の形状に対応する切り欠き部が形成され、
    基板の周縁部を保持した外部の基板搬送機構から冷却プレート上で待機している隙間形成部材に基板を受け渡すときには、前記基板を載せた外部の基板搬送機構が当該冷却プレートの上方側に進入し、前記基板搬送機構と当該冷却プレートとの間に基板搬送路の一端に設けられたプーリの通り抜ける空間を形成しながら冷却プレートの上方側から下方側に通り抜けて基板を隙間形成部材に受け渡し、冷却プレートの下方側から退却することを特徴とする請求項１３に記載の加熱装置。
15. 基板を収納し、キャリアが搬入出されるキャリア搬入出部と、
    前記キャリアから取り出された基板の表面に塗布液を塗布する塗布部と、
    この塗布部における塗布処理の前処理または後処理のために基板を加熱処理する請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の加熱装置と、
    この加熱装置に対して基板を受け渡す基板搬送機構と、を備え、
    前記基板搬送機構は、冷却位置で待機している隙間形成部材に基板を受け渡すときには、冷却位置の上方側に進入し、当該冷却位置との間に基板搬送路の一端に設けられたプーリの通り抜ける空間を形成しながら冷却位置の上方側から下方側に通り抜けて基板を隙間形成部材に受け渡し、冷却位置の下方側から退却するように構成されていることを特徴とする塗布装置。
16. 前記冷却位置には、冷却プレートが設けられ、この冷却プレートには、前記ワイヤが通過するように表面部に溝部が設けられ、基板が冷却プレート上に位置したときに冷却プレートの表面から隙間を介して浮いた状態になっていると共に、前記冷却プレートの周縁には、前記基板搬送機構の形状に対応する切り欠き部が形成され、
    前記基板搬送機構は、基板の周縁を保持するように構成され、冷却プレート上で待機している隙間形成部材に基板を受け渡すときには、冷却プレートの上方側に進入し、当該冷却プレートとの間に基板搬送路の一端に設けられたプーリの通り抜ける空間を形成しながら冷却プレートの上方側から下方側に通り抜けて基板を隙間形成部材に受け渡し、冷却プレートの下方側から退却するように構成されていることを特徴とする請求項１５に記載の塗布装置。
17. 一方側に基板の搬入出口が形成されると共に基板を下方側から加熱する熱板を備えた加熱室内と、前記搬入出口に隣接する基板の冷却位置と、の間に、基板の搬送路の両端に設けられたプーリを介して基板の搬送方向に沿って張設された複数本のワイヤを用い、
    外部から基板を冷却位置にてワイヤに設けられた隙間形成部材の上に載置する工程と、
    ワイヤを、熱板の表面部に形成された溝部内を通過するように熱板側に移動させることにより、基板を熱板の表面から隙間を介して浮いた状態で熱板上に位置させる工程と、
    基板を熱板により加熱処理する工程と、
    次いでワイヤを冷却位置に移動させることにより基板を冷却位置に搬送して冷却する工程と、を含むことを特徴とする加熱方法。
18. 隙間形成部材は、基板を熱板から０．５ｍｍ以内の隙間を浮かして保持するためのものであることを特徴とする請求項１７に記載の加熱方法。
19. 隙間形成部材は、前記ワイヤが中心部を貫通した球状に形成されていることを特徴とする請求項１７または１８に記載の加熱方法。
20. 基板は、基板の輪郭に沿ってワイヤに設けられた複数の規制部材によりその外縁位置が規制された状態で搬送されることを特徴とする請求項１７ないし１９の何れか一つに記載の加熱方法。
21. ワイヤは、基板の搬送路の下方側の部位にて介設された弾性部材が常時縮退する方向に付勢されることで張力が加えられていることを特徴とする請求項１７ないし２０の何れか一つに記載の加熱方法。
22. 加熱室の搬入出口側に設けられたガス吐出口から加熱室の搬入出口とは反対側に設けられた排気口にガスを流しながら基板を加熱処理することを特徴とする請求項１７ないし２１の何れか一つに記載の加熱方法。
23. 前記ガスは、基板の表面を疎水化処理するためのガスであることを特徴とする請求項２２に記載の加熱方法。
24. 前記加熱室内にて基板を加熱処理するときには前記搬入出口に気体によるカーテンが形成されていることを特徴とする請求項２２又は２３に記載の加熱方法。
25. 前記加熱室内にて基板を加熱処理するときには前記搬入出口をシャッターにより閉じることを特徴とする請求項２２または２３に記載の加熱方法。
26. 基板を冷却位置に搬送して冷却する工程は、前記ワイヤが通過するように表面部に溝部が設けられた冷却プレートから基板を隙間を介して浮いた状態で位置させて冷却する工程であることを特徴とする請求項１７ないし２５の何れか一つに記載の加熱方法。
27. 冷却位置にてワイヤに設けられた隙間形成部材の上に外部から基板を載置する工程は、基板の周縁を保持した外部の基板搬送機構が冷却位置の上方側に進入し、この基板搬送機構と当該冷却位置との間に基板搬送路の一端に設けられたプーリの通り抜ける空間を形成しながら冷却位置の上方側から下方側に通り抜けて基板を隙間形成部材に受け渡し、冷却位置の下方側から退却することを特徴とする請求項１７ないし２５のいずれか一つに記載の加熱方法。
28. 前記冷却プレートの周縁には、外部の基板搬送機構の形状に対応する切り欠き部が形成され、
    冷却プレート上にてワイヤに設けられた隙間形成部材の上に外部から基板を載置する工程は、基板の周縁部を保持した外部の基板搬送機構が冷却プレートの上方側に進入し、この基板搬送機構と当該冷却プレートとの間に基板搬送路の一端に設けられたプーリの通り抜ける空間を形成しながら冷却プレートの上方側から下方側に通り抜けて基板を隙間形成部材に受け渡し、冷却プレートの下方側から退却することを特徴とする請求項２６に記載の加熱方法。
29. 一方側に基板の搬入出口が形成された加熱室と、この加熱室内に設けられ、基板を下方側から加熱する熱板と、前記加熱室の搬入出口に隣接する基板の冷却位置と熱板の上方位置との間で基板を搬送するように構成された加熱装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項１７ないし２８の何れか一つに記載された加熱方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。

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