KR20070056995A

KR20070056995A - 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법

Info

Publication number: KR20070056995A
Application number: KR1020060118286A
Authority: KR
Inventors: 세이끼 이시다; 다로오 야마모또
Original assignee: 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤
Priority date: 2005-11-29
Filing date: 2006-11-28
Publication date: 2007-06-04
Also published as: TW200739674A; JP2007150071A; US20070122737A1; CN1975578B; US20120156626A1; CN1975578A; JP4654119B2; US8154106B2; KR101061647B1; US9052610B2; TWI323482B

Abstract

본 발명의 과제는 기판에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 그 표면에 액층을 형성하여 액침 노광한 후의 기판에 현상 처리를 행하는 장치에 있어서, 레지스트막의 변질에 의한 웨이퍼간의 변동을 억제하는 것이다.

상기 장치에 있어서, 레지스트막이 형성된 기판의 표면을 세정하는 세정부와, 이 세정부로부터 기판을 취출하여 액침 노광을 행하기 위한 노광 장치에 반송하기 위한 반송 수단을 마련하고, 상기 세정부에서 기판의 표면에 세정액이 접촉한 시점으로부터 상기 기판을 노광 장치에 반입할 때까지의 시간이 미리 설정된 설정 시간, 즉 상기 기판의 표면에 상기 세정액을 공급한 시점으로부터의 경과 시간과 상기 기판 표면에 있어서의 세정액의 접촉각의 변화와의 관계에 있어서, 접촉각의 저하 속도가 접촉 직후에 비해 대폭으로 작아진 시간대에 기판이 액침 노광되도록 설정된 시간이 되도록 상기 반송 수단을 제어한다.

레지스트막, 세정부, 노광 장치, 가스 공급부, 세정액 공급부, 대기부

Description

도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법{COATING AND DEVELOPING APPARATUS, AND COATING AND DEVELOPING METHOD}

도1은 본 발명에 관한 도포ㆍ현상 장치의 실시 형태를 도시하는 평면도.

도2는 본 발명에 관한 도포ㆍ현상 장치의 실시 형태를 도시하는 사시도.

도3은 상기 도포ㆍ현상 장치에 있어서의 인터페이스부를 도시하는 개략 사시도.

도4는 상기 도포ㆍ현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 평면도.

도5는 상기 인터페이스부 내에 설치되는 세정부를 도시하는 개략 단면도 및 개략 정면도.

도6은 상기 인터페이스부 내에 설치되는 대기부를 도시하는 개략 단면도.

도7은 경과 시간에 있어서의 접촉각의 변화를 나타내는 설명도.

도8은 웨이퍼 표면에 접촉하고 있는 세정액의 모습을 나타내는 설명도.

도9는 본 발명의 실시 형태의 작용을 나타내는 흐름도.

도10은 본 발명의 실시 형태의 작용을 설명하는 설명도.

도11은 웨이퍼를 액침 노광하기 위한 노광 수단을 나타내는 설명도.

도12는 상기 노광 수단에 의해 웨이퍼 표면을 액침 노광하는 모습을 나타내 는 설명도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

W : 반도체 웨이퍼

B3 : 인터페이스부

B4 : 노광 장치

28a : 제1 반송실

28b : 제2 반송실

3 : 보호막 형성 유닛

31A : 주 반송부

31B : 보조 반송부

37 : 반입 스테이지

38 : 반출 스테이지

40 : 세정부

41 : 대기부

55 : 세정액 공급 노즐

62 : 공급로

63 : 세정액 공급부

78 : 가스 공급부

80 : 배기부

9 : 제어부

91 : 제1 프로그램

92 : 제2 프로그램

V1 내지 V4, V10 : 밸브

[문헌 1] 일본 특허 공개 제2005-175079호 공보

본 발명은 기판의 표면에 레지스트액을 도포하여 액침 노광 후의 기판을 현상하는 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스나 LCD의 제조 프로세스에 있어서는, 포토리소그래피라 불리는 기술에 의해 피처리 기판에의 레지스트 처리가 행해지고 있다. 이 기술은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하,「웨이퍼」라 함)에 레지스트액을 도포하여 상기 웨이퍼의 표면에 레지스트를 형성하고, 포토마스크를 이용하여 상기 레지스트막을 노광한 후, 현상 처리를 행함으로써 원하는 패턴을 얻는, 일련의 공정에 의해 행해지고 있다.

이 노광 기술로서, 기판의 표면에 광을 투과시키는 액상을 형성한 상태에서 노광하는 수법(이하,「액침 노광」이라 함)이 있다(특허문헌 1). 이 액침 노광을 행하는 노광 장치에 대해 도11을 이용하여 간단하게 설명한다. 도시하지 않은 보유 지지 기구에 의해 수평 자세로 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방에는 웨이퍼(W)의 표면과 간극을 두고 대향하도록 노광 수단(1)이 배치되어 있다. 상기 노광 수단(1)의 중앙 선단부에는 렌즈(10)가 개재 설치되어 있고, 이 렌즈(10)의 외주측에는 웨이퍼(W)의 표면에 액층을 형성하기 위한 용액 예를 들어 순수를 공급하기 위한 공급구(11)와, 웨이퍼(W)에 공급한 순수를 흡인하여 회수하기 위한 흡인구(12)가 각각 설치되어 있다. 이 경우, 상기 공급구(11)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 순수를 공급하는 동시에, 이 순수를 흡인구(12)에 의해 회수함으로써 렌즈(10)와 웨이퍼(W)의 표면 사이에 액막(순수막)이 형성된다. 그리고 도시하지 않은 광원으로부터 광이 발하고, 이 광은 상기 렌즈(10)를 통과하고 상기 액막을 투과하여 웨이퍼(W)에 조사됨으로써 소정의 회로 패턴이 레지스트에 전사된다.

계속해서, 예를 들어 도12에 도시한 바와 같이 렌즈(10)와 웨이퍼(W)의 표면 사이에 액막을 형성한 상태에서 노광 수단(1)을 횡방향으로 슬라이드 이동시켜 다음의 전사 영역(샷 영역)(13)에 대응하는 위치에 상기 노광 수단(1)을 배치하고, 광을 조사하는 동작을 반복함으로써 웨이퍼(W)의 표면에 소정의 회로 패턴을 차례로 전사해 간다. 또한, 샷 영역(13)은 실제보다도 크게 기재하고 있다.

상기한 액침 노광을 행하는 데 있어서, 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포한 후 액침 노광을 행하기 전에 레지스트의 용출을 억제하는 동시에, 액침 노광시의 레지스트를 웨이퍼(W) 표면에 남기기 어렵게 하기 위해 웨이퍼(W)의 표면에 발수성의 보호막을 형성하는 것이 검토되고 있다.

한편, 액침 노광 전의 웨이퍼(W)의 표면에 파티클이 부착되어 있으면, 액침 노광시에 이용한 액막 내에 파티클이 취입되므로, 이 상태에서 웨이퍼(W)의 표면에 광을 조사하면, 소정의 회로 패턴이 레지스트에 전사되지 않아 현상 결함의 원인이 된다. 그래서 액침 노광을 행하기 전에 보호막이 형성되어 있는 웨이퍼(W)의 표면을 세정액 예를 들어 순수로 세정하여 웨이퍼(W) 표면에 부착하고 있는 파티클을 제거하는 것을 검토하고 있다.

그런데, 웨이퍼(W)의 표면에 형성되어 있는 보호막에 세정액인 순수가 접촉하여 침투하면, 레지스트막 중의 용제 성분인 가교제를 보호막을 향해 인상하거나, 보호막과 레지스트막을 믹싱하는 등의 현상이 일어난다. 여기서 순수가 보호막에 침투하는 정도(침투 거리 : I)는 Lucas-Washburn의 식에 의해 하기 (1)식으로 나타낸다. 또, (1)식에 있어서, d는 막 중의 모관 직경, y는 표면 장력, θ는 접촉각, η은 점도, t는 액이 기판 표면에 접촉하고 있는 시간이다.

I = (dㆍyㆍcosθ/2η)^1/2ㆍt (1)

한편, 웨이퍼(W)의 표면을 세정한 후, 상기 웨이퍼(W)를 노광 장치에 반입할 때까지의 시간은 각 웨이퍼(W)에 있어서 변동이 있고, 접촉각(θ)은 보호막이 순수에 접촉한 시점으로부터의 경과 시간에 따라 변하므로, 웨이퍼(W)간에 접촉각(θ)에 변동이 있는 상태에서 액침 노광되게 된다. 또, 이 현상은 보호막에 순수가 일단 접촉하면, 그 후 순수가 제거되어도 마찬가지로 일어난다. 이와 같이 접촉각(θ)에 변동이 있으면, (1)식으로부터 보호막에 대한 순수의 침투도가 일정하지 않게 되어 레지스트의 변질의 정도가 모두 다르다. 그 결과, 현상 후에 얻어지는 패턴의 선 폭에 대해 웨이퍼(W)간에 변동이 생기는 문제가 있다. 또한 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)의 표면에 발수성의 보호막을 형성하지 않고 웨이퍼(W)의 표면에 발수성의 레지스트막을 형성하고, 이 레지스트막의 표면을 세정액으로 세정한 경우에도 상기와 같은 문제가 일어난다.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2005-175079호 공보

본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 기판에 레지스트막을 형성하고, 그 표면에 액층을 형성하여 액침 노광한 후의 기판에 현상 처리를 행하는 장치에 있어서, 레지스트막의 변질에 의한 기판간의 변동을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.

본 발명은, 기판에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 액침 노광 후의 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포ㆍ현상 장치에 있어서,

레지스트막이 형성된 기판의 표면을 세정하는 세정부와,

이 세정부로부터 기판을 취출하여 액침 노광을 행하기 위한 노광 장치에 반송하기 위한 반송 수단과,

상기 세정부에서 기판의 표면에 세정액이 접촉한 시점으로부터 상기 기판을 노광 장치에 반입할 때까지의 시간이 미리 설정된 설정 시간이 되도록 상기 반송 수단을 제어하는 제어부를 구비하고,

상기 설정 시간은 상기 기판의 표면에 상기 세정액을 공급한 시점으로부터의 경과 시간과 상기 기판 표면에 있어서의 세정액의 접촉각과의 관계에 있어서, 접촉 각의 저하 속도가 접촉 직후에 비해 대폭으로 작아진 시간대에 기판이 액침 노광되도록 설정된 시간인 것을 특징으로 한다.

기판의 표면에 상기 세정액을 공급한 시점으로부터의 경과 시간을 횡축으로 하고, 기판 표면에 있어서의 세정액의 접촉각을 종축으로 하면, 접촉각이 시간과 함께 작아지고, 접촉각은 처음 동안에는 크게 저하되지만 곧 그 커브는 옆으로 눕게 된다. 여기서 상기 설정 시간은 이 옆으로 누워 있는 영역 내의 임의의 시점으로서 설정해도 좋고, 혹은 그 영역에 들어가기 시작하는 시점보다도 길게 하는 경우도 포함된다.

상기 도포ㆍ현상 장치에 있어서, 상기 세정부와 노광 장치 사이의 반송 경로에 기판을 대기하기 위한 대기부를 설치하고, 상기 반송 수단에 의한 기판의 반송 시간을 설정 시간으로 하기 위한 시간 조정을 대기부에서 행하도록 구성해도 좋다. 이 경우, 상기 제어부는 노광 장치로부터 기판의 반입 지령을 수취한 시점에 있어서, 상기 기판에 있어서의 상기 세정액의 접촉 개시 시점으로부터 계측한 계측 시간이 설정 시간보다도 길 때에는 상기 기판을 노광 장치에 반입하고, 또 상기 계측 시간이 설정 시간보다도 짧을 때에는 상기 기판을 대기부에 대기시키도록 반송 수단을 제어하도록 되어 있다.

또한 상기 도포ㆍ현상 장치에 있어서, 레지스트막 상에 약액을 도포하여 액침 노광시에 기판의 표면을 보호하기 위한 발수성의 보호막을 형성하는 보호막 형성부를 구비하고, 세정부는 이 보호막의 표면을 세정하도록 구성해도 좋다. 또한 상기 보호막 형성부에서 약액이 도포된 기판을 가열 처리하기 위한 가열부와, 이 가열부에서 가열 처리된 기판을 세정부에 반송하기 위한 반송 수단과, 이 가열부에서 기판의 가열 처리가 종료된 시점으로부터 상기 기판에 대해 상기 세정을 개시할 때까지의 시간을 미리 설정한 설정 시간이 되도록 제어하는 제어부를 구비한 구성이라도 좋다.

상술한 도포ㆍ현상 장치에 있어서, 상기 레지스트막을 발수성으로 한 경우, 레지스트액이 도포된 기판을 가열 처리하기 위한 가열부와, 이 가열부에서 가열 처리된 기판을 세정부에 반송하기 위한 반송 수단과, 이 가열부에서 기판의 가열 처리가 종료된 시점으로부터 상기 기판에 대해 상기 세정부에서 세정을 개시할 때까지의 시간을 미리 설정한 설정 시간이 되도록 제어하는 제어부를 구비한 구성으로 해도 좋다.

또한 상기 도포ㆍ현상 장치에 있어서, 상기 가열부와 세정부 사이의 반송 경로에 기판을 대기하는 대기부를 설치하고, 상기 제어부는 이 대기부에서 기판을 대기시킴으로써 기판의 가열 종료 시점으로부터 기판의 세정 개시 시점까지의 시간을 조정하도록 반송 수단을 제어하도록 구성해도 좋다.

또한 본 발명은 기판에 레지스트액을 도포하고, 액침 노광 후의 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포ㆍ현상 방법에 있어서,

기판의 표면에 레지스트막을 형성하는 공정과,

그 후, 기판의 표면을 세정액에 의해 세정하는 세정 공정과,

이 공정에서 세정된 기판을 액침 노광을 행하기 위한 노광 장치에 반송 수단에 의해 반송하는 공정과,

기판의 표면에 상기 세정액이 접촉한 시점으로부터 상기 기판을 노광 장치에 반입할 때까지의 시간이 설정 시간이 되도록 상기 반송 수단을 제어하는 공정을 구비하고,

상기 설정 시간은 상기 기판의 표면에 상기 세정액을 공급한 시점으로부터의 경과 시간과 상기 기판 표면에 있어서의 세정액의 접촉각과의 관계에 있어서, 접촉각의 저하 속도가 접촉 직후에 비해 대폭으로 작아진 시간대에 기판이 액침 노광되도록 미리 설정된 시간인 것을 특징으로 한다.

상술에 있어서, 접촉각의 저하 속도가 기판의 표면에의 세정액의 접촉 직후에 대해 대폭으로 작아진 시간대는 접촉 직후에 있어서의 접촉각의 저하 속도에 대해 3분의 1 이하인 것이 바람직하다.

본 발명의 실시 형태에 관한 도포ㆍ현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템의 전체 구성에 대해 도1 및 도2를 참조하면서 간단하게 설명한다. 도1 및 도2 중 B1은 기판 예를 들어 13매 밀폐 수납된 캐리어(2)를 반입 및 반출하기 위한 캐리어 스테이션이고, 이 캐리어 스테이션(B1)에는 캐리어(2)를 복수개 배열하여 적재 가능한 적재부(20)와, 상기 적재부(20)에서 보아 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(21)와, 개폐부(21)를 통해 캐리어(2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 운반 수단(A1)이 마련되어 있다.

상기 카세트 적재부(B1)의 안쪽에는 하우징(22)으로 둘러싸이는 처리 블럭(B2)이 접속되어 있고, 이 처리 블럭(B2)에는 전방측으로부터 차례로 가열ㆍ냉각계의 유닛을 다단화한 선반 유닛(U1, U2, U3) 및 액처리 유닛(U4, U5)의 각 유닛간 의 웨이퍼(W)의 운반을 행하는 기판 반송 수단을 이루는 주 반송 수단(A2, A3)이 교대로 배열되어 설치되어 있다. 또한, 주 반송 수단(A2, A3)은 캐리어 스테이션(B1)에서 보아 전후 방향으로 배치되는 선반 유닛(U1, U2, U3)측의 일면부와, 후술하는 예를 들어 우측의 액처리 유닛(U4, U5)측의 일면측과, 좌측의 일면측을 이루는 배면부로 구성되는 구획벽(23)에 의해 둘러싸이는 공간 내에 놓여져 있다. 또한 도1 및 도2 중 24, 25는 각 유닛에서 이용되는 처리액의 온도 조절 장치나 온도 및 습도 조절용 덕트 등을 구비한 온도 및 습도 조절 유닛이다.

상기 액처리 유닛(U4, U5)은 예를 들어 도2에 도시한 바와 같이 레지스트액이나 현상액 등의 약액 수납부(26) 상에 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 도포하기 위한 도포 유닛(COT)(30), 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)의 표면에 발수성의 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성부인 보호막 형성 유닛(TC)(3), 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 도포하기 위한 현상 유닛(DEV)(27) 및 반사 방지막 형성 유닛(BARC) 등을 복수단 예를 들어 5단으로 적층하여 구성되어 있다. 또한 이미 서술한 선반 유닛(U1, U2, U3)은 액처리 유닛(U4, U5)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛을 복수단 예를 들어 10단으로 적층한 구성으로 되어 있고, 그 조합은 웨이퍼(W)를 가열(베이크)하는 가열 유닛, 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 유닛 등이 포함된다.

상기 처리 블럭(B2)에 있어서의 선반 유닛(U3)의 안쪽에는 인터페이스부(B3)를 사이에 두고 노광 장치(B4)가 접속되어 있다. 이하, 인터페이스부(B3)에 대해 도1, 도2 및 도3를 참조하면서 설명한다. 인터페이스부(B3)는 처리 블럭(B2)과 노 광 장치(B4) 사이의 전후에 설치되는 제1 반송실(28a), 제2 반송실(28b)로 구성되어 있고, 각각에 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)가 설치되어 있다. 이들 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)는 기판 반송 수단을 이루는 것이다. 주 반송부(31A)는 승강 가능하면서 또한 연직축 주위로 회전 가능한 기체(32)와, 이 기체(32) 상에 설치되는 진퇴 가능한 아암(33)으로 구성되어 있다. 제1 반송실(28a)에는 주 반송부(31A)를 사이에 두고 캐리어 스테이션(B1)측에서 본 좌측에는 웨이퍼(W)의 에지부만을 선택적으로 노광하기 위한 주연 노광 장치(WEE)와, 복수매 예를 들어 25매의 웨이퍼(W)를 일차적으로 수납하는 버퍼 카세트(SBU)가 설치되어 있다. 마찬가지로 우측에는 운반 유닛(TRS2)이 설치되어 있다.

상기 주 반송부(31A)는 도4에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U3)의 운반 유닛(TRS1)에 적재된 노광 전의 웨이퍼(W)를 주연 노광 장치(WEE), 버퍼 카세트(SBU) 및 세정부(40)에 순차 반송하는 동시에, 보조 반송부(31B)에 의해 운반 유닛(TRS2)에 적재된 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 유닛(PEB)에 반송하는 역할을 구비하고 있다.

상기 보조 반송부(31B)는 승강 가능하면서 또한 연직축 주위로 회전 가능한 기체(34)가 가이드 기구(35)의 움직임에 의해 좌우측 방향으로 이동할 수 있도록 구성되어 있고, 또한 기체(34) 상에 진퇴 가능한 아암(36)이 설치되어 있다. 제2 반송실(28b)에는 캐리어 스테이션(B1)측에서 보아 보조 반송부(31B)의 좌측에는 액침 노광 전에 웨이퍼(W)의 표면을 세정하기 위한 세정부(40)와, 이 세정부(40)의 상측에 배치되고 상기 세정부(40)에서 세정한 웨이퍼(W)를 대기시켜 두기 위한 대 기부(41)가 설치되어 있다. 이 보조 반송부(31B)는 도4에 도시한 바와 같이 세정부(40) 내의 웨이퍼(W)를 대기부(41), 노광 장치(B4)의 반입 스테이지(37)에 차례로 반송하는 동시에, 노광 장치(B4)의 반출 스테이지(38) 상의 웨이퍼(W)를 운반 유닛(TRS2)에 반송하는 역할을 구비하고 있다. 또한 상기 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)는 후술하는 제어부(9)로부터의 지령을 기초로 하여 도시하지 않은 제어부에 의해 구동이 제어되도록 되어 있다.

다음에 상기 세정부(40)의 구조에 대해 도5를 이용하여 간단하게 설명한다. 도5 중 50은 기판 보유 지지부를 이루는 스핀 척이고, 진공 흡착에 의해 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지하도록 구성되어 있다. 이 스핀 척(50)은 구동부(51)에 의해 연직 주위로 회전할 수 있고, 또한 승강할 수 있도록 되어 있다. 또한 스핀 척(50)의 주위에는 웨이퍼(W)로부터 스핀 척(50)에 걸쳐지는 측방 부분을 둘러싸는 컵(52)이 설치되고, 상기 컵(52)의 바닥면에는 배기관(53)이나 드레인관(54) 등을 포함하는 배액부가 설치되어 있다.

또한 도5 중 55는 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심에 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급 노즐이며, 이 세정액 공급 노즐(55)은 이동 기구(56)에 의해 처리 용기(57)의 길이 방향(Y 방향)을 따라 설치된 가이드 레일(58)을 따라 컵(52)의 일단부측의 외측에 설치된 대기 영역(59)과, 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심에 세정액을 공급하는 위치와의 사이에서 이동 가능하고, 또한 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한 상기 세정액 공급 노즐(55)은 공급로(62)를 통해 세정액 예를 들어 순수를 공급하기 위한 공급부(63)에 접속되어 있다. 상기 공급로(62)에는 밸브(V10)가 개재 설치되어 있다. 또한 도5 중 60은 처리 용기(57)의 주 반송부(31A)의 반입 영역에 면하는 면에 형성된 웨이퍼(W)의 반입출구로, 개폐 셔터(61)가 설치되어 있다. 또한 도5 중 64는 처리 용기(57)의 보조 반송부(31B)의 반입 영역에 면하는 면에 형성된 웨이퍼(W)의 반입출구로, 개폐 셔터(65)가 설치되어 있다.

계속해서 상기 대기부(41)의 구조에 대해 도6을 이용하여 간단하게 설명한다. 도6 중 70은 하우징이며, 이 하우징(70)은 복수단 예를 들어 4단의 적재 스테이지(71)를 구비하고 있고, 이 적재 스테이지(71)에 웨이퍼(W)가 적재되도록 구성되어 있다. 또한 웨이퍼(W)가 배치되는 영역은 이 예에서는 서로 분위기가 구획되어 있다. 각 구획 영역[웨이퍼(W)가 놓이는 배치 영역]에 있어서의 하우징(70)의 전방면측에는 개폐 셔터(72)에 의해 개폐 가능한 웨이퍼(W)의 반입출구(73)가 형성되어 있다. 또한 각 적재 스테이지(71)에는 웨이퍼(W)의 이면측을 지지하기 위한 돌기(74)가 둘레 방향에 3개 형성되어 있고, 이 돌기(74)는 주 반송부(31A)의 아암(33)과 간섭하지 않는 위치에 마련되고, 상기 반입출구(73)를 통해 진입해 온 주 반송부(31A)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 운반을 행할 수 있도록 되어 있다.

또한 각 구획 영역에 있어서의 하우징(70)의 후방면측 및 전방면측에는 가스 공급구(75) 및 가스 배출구(76)가 각각 형성되어 있고, 상기 가스 공급구(75)에는 가스 공급관(77)을 통해 하우징(70)의 분위기 내에 온도 및 습도 조정용 퍼지 가스인 에어 혹은 질소(N2)가스 등을 공급하기 위한 가스 공급부(78)가 접속되고, 상기 가스 배출구(76)에는 가스 배출관(79)을 통해 하우징(70) 내에 공급한 퍼지 가스를 배기하기 위한 배기부(80)가 접속되어 있다. 또한, 도6 중 V1 내지 V4는 밸브이 다.

그리고 노광 장치(B4) 내의 처리 온도와 같은 온도로 한 퍼지 가스를 하우징(70)의 후방면측으로부터 전방면측(도6 중에 있어서 우측으로부터 좌측)을 향해 흐르게 함으로써, 하우징(70)의 분위기의 온도를 노광 장치(B4) 내의 처리 온도와 같은 온도로 하고 있다. 또한 도시하지 않은 가습기에 의해 예를 들어 60 내지 80 %로 가습한 퍼지 가스를 하우징(70) 내에 공급하는 것으로 세정 후의 웨이퍼(W) 표면의 잔류 미스트가 서서히 건조됨으로써 웨이퍼(W) 표면의 얼룩짐을 억제하는 동시에 각각의 웨이퍼(W) 표면의 상태를 동일한 상태에 가깝게 하고 있다.

상술한 도포ㆍ현상 장치에는 도4에 도시한 바와 같이 이미 서술한 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)의 구동을 제어하기 위한 제어부(9)를 구비하고 있다. 이 제어부(9)는 상기 세정부(40)에서 웨이퍼(W)의 표면에 세정액이 접촉한 시점으로부터 상기 웨이퍼(W)를 노광 장치(B4)에 반입할 때까지의 시간이 설정 시간이 되도록(이 예에서는 상세하게는 설정 시간보다도 짧아지지 않도록) 보조 반송부(31B)를 제어하기 위한 제1 프로그램(91)을 구비하고 있다. 이 제1 프로그램(91)은 예를 들어 웨이퍼(W)의 표면에 세정액이 접촉한 시점의 검출로서 도5에 도시한 세정액의 공급 라인(62)의 밸브(V10)의 개방 지령을 취입한 시점으로 하고 있고, 이 시점으로부터 제어부(9) 내에 설치된 타이머를 작동시키는 동시에, 세정부(40)로부터의 웨이퍼(W)를 일단 대기부(41)에 대기시켜 노광 장치(B4)측으로부터 반입 허가 신호인 인레디 신호를 수취하였을 때에 타이머가 타임 업하고 있으면(설정 시간을 경과하고 있으면), 그 웨이퍼(W)를 대기부(41)로부터 취출하여 반입 스테이지(37) 에 반송하도록, 또한 타이머가 타임 업하고 있지 않으면, 대기부(41)로부터 그 웨이퍼(W)의 취출을 행하지 않고 타임 업할 때까지 대기시키도록 보조 반송부(31B)를 제어하는 스텝군을 갖고 있다.

여기서, 상기 설정 시간에 대해 설명한다. 도7에 도시한 바와 같이 세정부(40)에서 웨이퍼(W)의 표면에 세정액이 접촉한 직후에 있어서의 접촉각은 시간의 경과와 함께 매우 큰 속도로 저하 감소되고(영역 A), 임의의 시간에 도달하면 접촉각의 저하 속도는 그때까지에 비해 대폭으로 작아져 거의 일정해진다(영역 B). 또한, 도7에 있어서 영역 A의 시간(Ta)은 예를 들어 50초이다. 또, 보호막의 재질에 따라 이 시간은 다르다. 웨이퍼(W)가 세정액에 접촉한 시점이 도7의 그래프의 제로점에 상당하므로, 액침 노광의 개시 시점이 영역 B 내에 들어가도록 시간(Ta)이 설정된다. 따라서 시간(Ta)을 도7의 제로점부터 영역 B에 들어가기 시작하였을 때(영역 A와 영역 B의 경계에 가까운 시점)까지의 시간으로서 설정해도 좋지만, 웨이퍼(W)가 대기부(41)로부터 반입 스테이지(37)를 통해 노광 장치(B4)에 반송되어 액침 노광이 개시될 때까지의 짧은 시간을 예상하여, 결과적으로 액침 노광의 타이밍이 영역 B 내에 들어가도록 설정할 수도 있다. 웨이퍼(W)의 표면에의 세정액의 접촉 직후에 있어서의 접촉각의 저하 속도에 대해 대폭으로 작아진 시간이라 함은, 접촉 직후에 있어서의 접촉각의 저하 속도에 대해 예를 들어 3분의 1 이하로 되어 있는 시간대이다.

또한 웨이퍼(W)의 표면에 적하된 세정액의 접촉각의 측정 방법은 도8에 도시한 바와 같이 세정액의 정점의 높이(h)와, 세정액의 반경(r)에 의해, θ = 2arctan(h/r)에 의해 구하도록 하고 있고, 각 시점에서 그 접촉각을 구함으로써 세정액의 접촉각의 시간의 흐름에 따른 변화를 구하고 있다. 후술하는 계측 시간(Tb)은 세정부(40)에서 웨이퍼(W)의 표면에 세정액이 접촉하였을 때부터, 상기 웨이퍼가 대기부(41)에 반입되어 이 대기부(41)에서 노광 장치(B4)로부터 웨이퍼(W)의 반입 지령(인레디 신호)을 수취하였을 때까지의 시간이다. 또한 보호막의 종류에 따라 보호막에 대한 세정액의 침투의 정도가 달라지고 있으므로, 즉 보호막의 종류 따라 도7에 도시하는 접촉각의 시간의 흐름에 따른 변화 곡선이 달라지고 있으므로, 미리 보호막의 종류마다 접촉각의 시간의 흐름에 따른 변화 곡선의 데이터를 취해 놓고, 웨이퍼(W)의 표면에 형성하는 보호막의 종류에 대응하는 접촉각의 시간의 흐름에 따른 변화 곡선의 데이터를 이용하여 설정 시간을 결정하면 된다.

또한 상기 제어부(9)는 제2 프로그램(92)을 구비하고 있다. 이 제2 프로그램(92)은 웨이퍼(W)의 표면에 형성되어 있는 발수성의 보호막을 가열 처리(소성 처리)한 후, 세정부(40)에 의해 세정이 개시될 때까지의 시간이 일정하도록 주 반송부(31A)를 제어하기 위한 것이고, 구체적으로는 각 웨이퍼(W)에 대해서 베이크 처리 종료 시점[가열 플레이트로부터 웨이퍼(W)를 업하였을 때의 타이밍]을 예를 들어 타이머에 의해 관리해 두고, 주연 노광 장치(WEE)에서 웨이퍼(W)의 에지 부분의 노광이 종료하였을 때에 일단 버퍼 카세트(SBU)에 대기시켜 두고, 타이머가 타임 업하였을 때(베이크 처리 종료 시점으로부터 설정 시간이 경과하였을 때)에 버퍼 카세트(SBU)로부터 취출하여 세정부(40)에 반입하도록 주 반송부(31A)를 제어하는 스텝군이 조립되어 있다.

이 제1 프로그램(91) 및 제2 프로그램(92)은 기억 매체 예를 들어 플렉시블 디스크(FD), 메모리 카드, 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO) 등에 저장되고, 제어부(9)인 컴퓨터에 인스톨된다. 또, 도4 중 93은 버스이며, 이 버스(93)에는 CPU(94) 등이 접속되어 있다.

계속해서 상술한 실시 형태의 작용에 대해 설명하는데, 먼저 여기서 상술한 도포ㆍ현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 흐름에 대해 간단하게 설명해 둔다. 우선 외부로부터 웨이퍼(W)가 수납된 캐리어(2)가 적재대(20)에 적재되면, 개폐부(21)와 함께 캐리어(2)의 덮개체가 제거되어 운반 수단(A1)에 의해 웨이퍼(W)가 취출된다. 그리고 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1)의 일단을 이루는 운반 유닛(도시 생략)을 통해 주 반송 수단(A2)에 운반되고, 선반 유닛(U1 내지 U3) 중 하나의 선반에서 도포 처리의 전처리로서 예를 들어 소수화 처리, 냉각 처리가 행해지고, 그 후, 도포 유닛(COT)(30)에서 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액이 도포된 후, 보호막 형성부인 보호막 형성 유닛(TC)(3)에서 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)의 표면에 발수성 막이 성막된다. 또한 반사 방지막 형성 유닛(BARC)에서 소수화 처리 대신에 웨이퍼(W)의 표면에 반사 방지막이 형성되는 경우도 있다. 또한 레지스트막 상에 반사 방지막이 형성되고, 그 위에 상기 보호막이 형성되는 경우도 있다. 계속해서 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1 내지 U3) 중 하나의 선반을 이루는 가열 유닛(PAB)에서 가열(베이크 처리)되어 다시 냉각된 후, 선반 유닛(U3)의 운반 유닛(TRS1)을 경유하여 인터페이스부(B3)에 반입된다. 이 인터페이스부(B3)에 있어서 웨이퍼(W)는 주 반송부(31A)에 의해 주연 노광 장치(WEE) → 버퍼 카세트(SBU) → 세정부(40)로 반 송되고, 세정부(40)에 적재된 웨이퍼(W)는 후술하는 바와 같이 보조 반송부(31B)에 의해 세정부(40) → 대기부(41) → 노광 장치(B4)로 반송되고, 상기 노광 장치(B4)에서 액침 노광이 행해진다. 노광된 웨이퍼(W)는 이미 서술한 바와 같이 주 반송부(31A) 및 보조 반송부(31B)에 의해 운반 유닛(TRS2) → 선반 유닛(U3)의 가열 유닛(PEB)에 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는 액처리 유닛(U5)의 하나의 선반을 이루는 현상 유닛(DEV)에서 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 공급하여 레지스트가 현상됨으로써 소정의 패턴 형상의 레지스트 마스크가 형성된다. 그 후, 운반 수단(A1)에 의해 웨이퍼(W)는 적재대(20) 상의 원래의 캐리어(2)로 복귀된다.

이상에 있어서, 가열 유닛(PAB)으로부터 세정부(40)로의 웨이퍼(W)의 반송에 대해서는, 이미 서술한 바와 같이 하여 웨이퍼(W)를 버퍼 카세트(SBU)에 일단 반입하고, 여기서 대기 시간을 조정함으로써 가열 유닛(PAB)으로부터 세정부(40)로의 반송 시간을 일정하게 하고 있다. 즉, 가열 유닛(PAB)으로부터 버퍼 카세트(SBU)에 반입될 때까지의 최대 시간(다양한 케이스를 제어 흐름상 상정하여, 가장 시간이 걸리는 경우의 그 시간)을 설정 시간으로 하고, 주 반송부(31A)가 버퍼 카세트(SBU)에 웨이퍼(W)를 반입하고 주 반송부(31A)의 아암(33)을 수축 퇴보시켰을 때에, 그웨이퍼(W)에 대한 가열 유닛(PAB)에 있어서의 가열 종료 시점으로부터의 경과 시간이 설정 시간이면, 다음에 주 반송부(31A)의 아암(33)을 신장시켜 웨이퍼(W)를 버퍼 카세트(SBU)로부터 취출하여 세정부(40)로 반송하지만, 설정 시간에 이르고 있지 않으면 웨이퍼(W)를 버퍼 카세트(SBU)에 대기시켜 설정 시간이 되었을 때에 버퍼 카세트(SBU)로부터 세정부(40)로 반송하고, 이렇게 하여 가열 종료 시점 으로부터 세정 개시까지의 시간이 미리 정해진 설정 시간이 되도록 관리하고 있다.

다음에 세정부(40)로부터 노광 장치(B4)까지의 반송 흐름에 대해 설명을 행한다. 우선, 버퍼 카세트(SBU)에 적재된 웨이퍼(W)를 상술한 바와 같이 주 반송부(31A)에 의해 세정부(40) 내에 반입한다(단계 S10). 이 세정부(40)에서는 웨이퍼(W)는 주 반송부(31A)의 아암(33)에 의해 반입출구(60)를 통해 처리 용기(57) 내에 반입되어, 스핀 척(50)으로 운반된다. 그리고 밸브(V10)를 개방하여 세정액 공급 노즐(55)로부터 상기 웨이퍼(W)의 대략 회전 중심에 세정액의 공급을 개시하고, 밸브(V10)의 개방 지령에 의해 제어부(9) 내의 타이머가 시작된다(단계 S11). 그리고 스핀 척(50)을 회전시켜 상기 세정액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 확대하고, 이렇게 하여 상기 세정액을 웨이퍼(W) 표면에 형성된 보호막의 상부 전체에 공급하여 세정한다(단계 S12). 그 후, 웨이퍼(W)를 어느 정도 건조시키기 위해 웨이퍼(W)를 회전시켜 세정액을 제거하는 스핀 건조가 행해진다. 계속해서 보조 반송부(31B)의 아암(36)이 반입출구(64)를 통해 스핀 척(50) 상의 웨이퍼를 수취하여(단계 S13), 상기 웨이퍼(W)를 대기부(41)에 반입한다(단계 S14).

그리고 상기 반입출구(74)를 개폐 셔터(72)로 폐쇄하고, 하우징(70) 내의 분위기의 온도 및 습도를 퍼지 가스로 조정하여 웨이퍼(W)의 보호막의 관리(경영)가 행해진다.

그리고 대기부(41)에 웨이퍼(W)가 반입된 후, 노광 장치(B4)로부터의 웨이퍼(W)의 반입 지령(인레디 신호)이 제어부(9)로 보내지면(단계 S15), 상기 제어부(9)는 노광 장치(B4)로부터 웨이퍼(W)의 반입 지령(인레디 신호)을 수취한 시점 까지에 있어서, 타이머가 타임 업하고 있는지 여부를 판단하여(단계 S16), 타임 업하고 있으면, 즉 웨이퍼(W)에 있어서의 세정액의 접촉 개시 시간부터 계측한 계측 시간(Tb)이 설정 시간(Ta)보다도 길 때(Tb ＞ Ta)에는 상기 웨이퍼(W)를 대기부(41)로부터 취출하여 노광 장치(B4)측의 반입 스테이지(37)에 반송하도록 보조 반송부(31B)에 지령을 내리고, 그 반송이 행해진다[도10의 (a)]. 그리고 타이머가 타임 업하고 있지 않으면, 즉 계측 시간(Tb)이 설정 시간(Ta)보다도 짧을 때(Tb ＜ Ta)에는 상기 웨이퍼(W)를 대기부(41)에 대기시키도록 보조 반송부(31B)에 지령을 내리고, 그 후, 타이머가 타임 업하고 있으면, 즉 측정 시간(Tb)이 설정 시간(Ta)을 초과하고 있으면 상기 웨이퍼(W)를 대기부(41)로부터 취출하여 노광 장치(B4)측의 반입 스테이지(37)로의 반송이 행해진다[도10의 (b)].

노광 장치(B4)에 반송된 웨이퍼(W)는 배경 기술의 부분에서 도11 및 도12를 이용하여 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)의 표면에 액막을 형성하면서 상기 액막을 투과하도록 웨이퍼(W)에 대해 광을 조사함으로써 소정의 회로 패턴을 레지스트에 차례로 전사해 간다(단계 S17).

상술한 실시 형태에 따르면, 세정부(40)에서 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 발수성의 보호막에 대해 세정을 행한 후, 노광 장치(B4)에서 액침 노광할 때까지의 시간을 이미 서술한 바와 같이 제어부(9)에 구비된 제어 프로그램(91)에 의해 대기부(41)에서 웨이퍼(W)를 대기시킴으로써 관리하고 있으므로, 세정부터 액침 노광까지의 시간에 대해 웨이퍼(W)간에 다소 변동이 있어도 액침 노광시의 웨이퍼(W) 표면의 접촉각은 도7에 있어서 영역 B 내에 들어가므로, 웨이퍼(W)의 표면의 발수성 의 보호막에 대한 세정액의 침투의 정도가 일정하다. 이로 인해 웨이퍼(W)의 표면의 변질의 정도가 대략 동일해지므로, 얻어진 레지스트 패턴의 선 폭에 대해 웨이퍼(W)간의 변동이 억제되고, 결과적으로 패턴의 선 폭의 변동을 억제하는 데 기여하고 있다.

또한 이미 서술한 바와 같이 제어부(9)에 구비된 제어 프로그램(92)에 의해 가열 유닛(PAB)에서 보호막용 약액이 도포된 웨이퍼(W)를 가열 처리한 후, 세정부(40)에서 액침 노광 전의 세정을 개시할 때까지의 시간을 미리 설정한 설정 시간이 되도록 버퍼 카세트(SBU)에서 웨이퍼(W)를 대기시키는 것으로 관리함으로써, 환경 분위기의 수분의 흡착량이 웨이퍼(W)간에 일정하므로, 이 수분량의 흡착량의 변동에 의한 웨이퍼(W) 표면의 변질의 변동이 억제된다.

또, 상술한 실시 형태에서는 발수성의 보호막이 형성된 웨이퍼(W)를 세정하고 있지만, 발수성의 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를 세정하는 경우라도 좋다.

또, 상술한 예에서는 주 반송부(31A)에 의해 세정부(40)에 웨이퍼(W)를 반입하고 있지만, 주연 노광이 종료된 웨이퍼(W)를 운반 유닛(TRS2)을 통해 보조 반송부(31B)에 운반하고, 이 보조 반송부(31B)에 의해 세정부(40) 내에 웨이퍼(W)를 반입하도록 해도 좋다. 또한 상술한 예에서는, 인터페이스부(B3)의 제2 반송실(28b)에는 하나의 세정부(40)가 설치되어 있지만, 이 예에 한정되지 않고 제2 반송실(28)에 복수의 세정부(40)를 설치한 구성이라도 좋다. 이 예에서는, 도5를 이용하여 설명한 세정부(40)를 상하에 복수단 설치한 구성을 취할 수 있다.

본 발명에 따르면, 기판에 대해 세정을 행한 후, 액침 노광할 때까지의 시간을 상기한 바와 같이 관리하고 있으므로, 세정부터 액침 노광까지의 시간에 대해 기판간에 다소 변동이 있어도 액침 노광시의 기판 표면의 접촉각은 대략 일정하므로, 기판 표면의 발수성의 보호막 혹은 레지스트막에 대한 액체의 침투의 정도가 일정하다. 이로 인해 기판 표면의 변질의 정도가 대략 동일해지므로, 얻어진 레지스트 패턴의 선 폭에 대해 기판간의 변동이 억제된다.

또한 보호막용 약액 혹은 레지스트액이 도포된 기판을 가열 처리한 후, 액침 노광 전의 세정을 개시할 때까지의 시간을 미리 설정한 설정 시간이 되도록 관리함으로써, 환경 분위기의 수분의 흡착량이 기판간에 일정하므로, 이 수분량의 흡착량의 변동에 의한 기판 표면의 변질의 변동이 억제된다.

Claims

기판에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 액침 노광 후의 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포ㆍ현상 장치에 있어서,

레지스트막이 형성된 기판의 표면을 세정하는 세정부와,

이 세정부로부터 기판을 취출하여 액침 노광을 행하기 위한 노광 장치에 반송하기 위한 반송 수단과,

상기 세정부에서 기판의 표면에 세정액이 접촉한 시점으로부터 상기 기판을 노광 장치에 반입할 때까지의 시간이 미리 설정된 설정 시간이 되도록 상기 반송 수단을 제어하는 제어부를 구비하고,

상기 설정 시간은 상기 기판의 표면에 상기 세정액을 공급한 시점으로부터의 경과 시간과 상기 기판 표면에 있어서의 세정액의 접촉각과의 관계에 있어서, 접촉각의 저하 속도가 접촉 직후에 비해 대폭으로 작아진 시간대에 기판이 액침 노광되도록 설정된 시간인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
제1항에 있어서, 상기 세정부와 노광 장치 사이의 반송 경로에 기판을 대기하기 위한 대기부를 설치하고,

상기 반송 수단에 의한 기판의 반송 시간을 설정 시간으로 하기 위한 시간 조정을 대기부에서 행하는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제어부는 노광 장치로부터 기판의 반입 지령을 수취한 시점에 있어서, 상기 기판에 있어서의 상기 세정액의 접촉 개시 시점으로부터 계측한 계측 시간이 설정 시간보다도 길 때에는 상기 기판을 노광 장치에 반입하고, 또한 상기 계측 시간이 설정 시간보다도 짧을 때에는 상기 기판을 대기부에 대기시키도록 반송 수단을 제어하는 것인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 레지스트막 상에 약액을 도포하여 액침 노광시에 기판의 표면을 보호하기 위한 발수성의 보호막을 형성하는 보호막 형성부를 구비하고,

세정부는 이 보호막의 표면을 세정하기 위한 것인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
제4항에 있어서, 상기 보호막 형성부에서 약액이 도포된 기판을 가열 처리하기 위한 가열부와,

이 가열부에서 가열 처리된 기판을 세정부에 반송하기 위한 반송 수단과,

이 가열부에서 기판의 가열 처리가 종료된 시점으로부터 상기 기판에 대해 상기 세정을 개시할 때까지의 시간을 미리 설정한 설정 시간이 되도록 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 레지스트막은 발수성인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
제6항에 있어서, 레지스트액이 도포된 기판을 가열 처리하기 위한 가열부와,

이 가열부에서 가열 처리된 기판을 세정부에 반송하기 위한 반송 수단과,

이 가열부에서 기판의 가열 처리가 종료된 시점으로부터 상기 기판에 대해 상기 세정부에서 세정을 개시할 때까지의 시간을 미리 설정한 설정 시간이 되도록 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
제5항에 있어서, 상기 가열부와 세정부 사이의 반송 경로에 기판을 대기하는 대기부를 설치하고,

상기 제어부는 이 대기부에서 기판을 대기시킴으로써 기판의 가열 종료 시점으로부터 기판의 세정 개시 시점까지의 시간을 조정하도록 반송 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
제1항에 있어서, 접촉각의 저하 속도가 기판의 표면에의 세정액의 접촉 직후에 대해 대폭으로 작아진 시간대는 접촉 직후에 있어서의 접촉각의 저하 속도에 대해 3분의 1 이하인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
기판에 레지스트액을 도포하여 액침 노광 후의 기판에 대해 현상 처리를 행 하는 도포ㆍ현상 방법에 있어서,

기판의 표면에 레지스트막을 형성하는 공정과,

그 후, 기판의 표면을 세정액에 의해 세정하는 세정 공정과,

이 공정에서 세정된 기판을 액침 노광을 행하기 위한 노광 장치에 반송 수단에 의해 반송하는 공정과,

기판의 표면에 상기 세정액이 접촉한 시점으로부터 상기 기판을 노광 장치에 반입할 때까지의 시간이 설정 시간이 되도록 상기 반송 수단을 제어하는 공정을 구비하고,

상기 설정 시간은 상기 기판의 표면에 상기 세정액을 공급한 시점으로부터의 경과 시간과 상기 기판 표면에 있어서의 세정액의 접촉각과의 관계에 있어서, 접촉각의 저하 속도가 접촉 직후에 비해 대폭으로 작아진 시간대에 기판이 액침 노광되도록 미리 설정된 시간인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
제10항에 있어서, 상기 반송 수단에 의해 기판의 반송 시간을 설정 시간으로 하기 위한 시간 조정을 상기 세정부와 노광 장치 사이의 반송 경로에 설치된 대기부에서 행하는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 반송 수단을 제어하는 공정은, 노광 장치로부터 기판의 반입 지정을 수취한 시점에 있어서, 상기 기판에 있어서의 상기 세정액의 접촉 개시 시점으로부터 계측한 계측 시간이 설정 시간보다도 길 때에는 상기 기판을 노광 장치에 반입하고, 또한 상기 계측 시간이 설정 시간보다도 짧을 때에는 상기 기판을 대기부에 대기시키도록 하는 공정인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
제10항 또는 제11항에 있어서, 레지스트막 상에 약액을 도포하여 액침 노광시에 기판의 표면을 보호하기 위한 발수성의 보호막을 형성하는 보호막 형성부를 구비하고,

세정부는 이 보호막의 표면을 세정하기 위한 것인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
제13항에 있어서, 상기 보호막 형성부에서 약액이 도포된 기판을 가열 처리하는 공정과,

가열 처리한 기판을 세정부로 반송하는 공정과,

기판의 가열 처리가 종료된 시점으로부터 상기 기판에 대해 상기 세정부에서 세정을 개시할 때까지의 시간을 미리 설정한 설정 시간이 되도록 제어하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 레지스트막은 발수성인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
제15항에 있어서, 레지스트액이 도포된 기판을 가열 처리하기 위해 가열부를 설치하고,

이 가열부에서 가열 처리된 기판을 세정부에 반송하는 공정과,

기판의 가열 처리가 종료된 시점으로부터 상기 기판에 대해 상기 세정부에서 세정을 개시할 때까지의 시간을 미리 설정한 설정 시간이 되도록 제어하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
제14항에 있어서, 상기 가열부와 세정부 사이의 반송 경로에 기판을 대기하는 대기부를 설치하고,

상기 대기부에서 기판을 대기시킴으로써 기판의 가열 종료 시점으로부터 기판의 세정 개시 시점까지의 시간을 조정하도록 제어하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
제10항에 있어서, 접촉각의 저하 속도가 기판의 표면에의 세정액의 접촉 직후에 대해 대폭으로 작아진 시간대는 접촉 직후에 있어서의 접촉각의 저하 속도에 대해 3분의 1 이하인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.