JP5398307B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の他の一態様によれば、回転支持台に固定されて回転している半導体ウェーハの表面に液状のレジストを供給して、前記半導体ウェーハの表面に所望の設定膜厚となるようにレジスト膜を形成する工程と、前記液状のレジストの供給時またはその前後に、撥水性添加剤を含む溶液を前記半導体ウェーハの表面に供給する工程と、前記レジスト膜に液体を接触させ、前記レジスト膜表面と投影光学系との間に前記液体を満たしつつ、前記液体を介して前記レジスト膜を露光する工程と、前記露光後のレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記半導体ウェーハに対する処理を行う工程と、を備え、前記レジスト膜表面と前記液体との接触角が所望の値となるように、前記半導体ウェーハの回転数又は前記レジスト膜の設定膜厚に応じて、前記撥水性添加剤を含む溶液の供給量を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
Claims (3)
- 回転支持台に固定されて回転している半導体ウェーハの表面に撥水性添加剤を含む液状のレジストを供給して、前記半導体ウェーハの表面に所望の設定膜厚となるようにレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を形成後、前記レジスト膜を回転乾燥する工程と、
前記回転乾燥後、前記レジスト膜に液体を接触させ、前記レジスト膜表面と投影光学系との間に前記液体を満たしつつ、前記液体を介して前記レジスト膜を露光する工程と、
前記露光後のレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記半導体ウェーハに対する処理を行う工程と、
を備え、
前記レジスト膜表面と前記液体との接触角が所望の値となるように、前記半導体ウェーハの回転数又は前記レジスト膜の設定膜厚に応じて、前記レジスト膜の回転乾燥時間、前記供給時のレジスト温度、前記半導体ウェーハ表面上雰囲気の圧力、前記半導体ウェーハ表面上雰囲気の湿度の中から選択される少なくとも1つを含む前記接触角の調整条件を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記接触角の調整条件と前記接触角との相関関係を予め用意しておき、これらの相関関係に基づいて前記接触角の調整条件を設定することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 回転支持台に固定されて回転している半導体ウェーハの表面に液状のレジストを供給して、前記半導体ウェーハの表面に所望の設定膜厚となるようにレジスト膜を形成する工程と、
前記液状のレジストの供給時またはその前後に、撥水性添加剤を含む溶液を前記半導体ウェーハの表面に供給する工程と、
前記レジスト膜に液体を接触させ、前記レジスト膜表面と投影光学系との間に前記液体を満たしつつ、前記液体を介して前記レジスト膜を露光する工程と、
前記露光後のレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記半導体ウェーハに対する処理を行う工程と、
を備え、
前記レジスト膜表面と前記液体との接触角が所望の値となるように、前記半導体ウェーハの回転数又は前記レジスト膜の設定膜厚に応じて、前記撥水性添加剤を含む溶液の供給量を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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