KR20030078777A - 광 마스크 블랭크를 생성하는 방법 및 장치와, 막의불필요한 부분을 제거하는 장치 - Google Patents

광 마스크 블랭크를 생성하는 방법 및 장치와, 막의불필요한 부분을 제거하는 장치 Download PDF

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KR20030078777A KR10-2003-0019607A KR20030019607A KR20030078777A KR 20030078777 A KR20030078777 A KR 20030078777A KR 20030019607 A KR20030019607 A KR 20030019607A KR 20030078777 A KR20030078777 A KR 20030078777A
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Abstract

광 마스크 블랭크를 제조하는 방법에서, 노광광에 광학적 변화를 일으키는 박막을 장방형 기판에 형성하는 박막 형성 단계, 박막 상에 양성 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 단계, 박막 상의 도포된 레지스트를 열처리하는 베이킹 단계, 및 기판 주변부에 형성된 레지스트 막을 제거하는 제거 단계를 포함하며, 제거 단계는 레지스트 도포 단계 이후에 그리고 베이킹 단계 이전에 기판 주변부의 레지스트 막을 노광시킴으로써 행해져서, 제거 단계에서 연이어 행해지는 현상시, 현상액의 용해도 또는 용해 속도의 차가 노광부와 비노광부 사이에서 그리고 노광부에 대해 현상액을 선택적으로 제공함으로써 얻어진다.

Description

광 마스크 블랭크를 생성하는 방법 및 장치와, 막의 불필요한 부분을 제거하는 장치{METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING A PHOTO MASK BLANK, AND APPARATUS FOR REMOVING AN UNNECESSARY PORTION OF A FILM}
본 발명은 (레티클을 포함하는) 광 마스크를 얻기 위해 사용되고, 상전이막, 불투명막, 또는 상전이막 및 불투명막의 스택이 형성되고 그 위에 레지스트가 도포된 투명 기판을 포함하는 광 마스크 블랭크(이하에서 블랭크로 지칭함)를 생성하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 특히, 레지스트 도포의 결과로서 기판 주변부 또는 일부에 형성된 불필요한 막, 즉 레지스트 막의 불필요한 부분이 제거된 광 마스크 블랭크를 형성하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 막의 불필요한 부분을 제거하는 장치에 관한 것이다.
(LSI와 같은) 반도체 장치를 생성하는 방법인 리소그래피 기술에서, (레티클을 포함한) 광 마스크가 회로 패턴을 전송하기 위해 사용된다. 마스크를 생성하기 위해, 블랭크가 재료로서 사용된다. 도1에 따르면, 도면에서 번호5로 지정된 블랭크는 이하의 방법으로 얻어진다. 합성 석영 등으로 만들어진 투명 기판(1) 위에 크롬을 주성분으로 하여 만들어진 불투명막이 투명 기판(1) 상에 형성된다. 이어, 크롬 산화물을 주성분으로 하여 만들어진 반사 방지막(3)이 스퍼터링 등에 의해 불투명막 위에 연속 또는 불연속적으로 형성된다. 그 후, 레지스트가 스핀 코팅 등에 의해 반사 방지막(3) 위에 도포되고, 이어 레지스트 막(4)을 형성하기 위한 건조를 위해 열처리(도포후 베이킹(프리 베이킹 또는 소프트 베이킹)) 된다.
전술한 바와 같이 레지스트가 도포된 경우, 도1의 원형 표시부(A)의 확대도인 도2에 도시된 바와 같이, 비교적 두꺼운 레지스트 부분(6)은 기판 주변의 일부(즉, 기판(1)의 주표면의 네변을 따르는 영역 및 기판(1)의 단면(측면))에 형성된다.
블랭크(5)를 컨테이너로 넣거나 뺄 경우, 컨테이너와의 접촉 및 마찰의 결과로서 기판(1)의 주변부의 레지스트부(6)는 쉽게 벗겨져서(박리 및 탈락),블랭크(5) 자체 또는 마스크 제조 공정에서의 다양한 장치에 먼지로서 재부착된다. 이는 블랭크를 주재료로 하여 얻어진 제품인 (레티클을 포함한) 마스크의 결함을 발생시키거나, 마스크의 제조 수율의 감소를 초래한다.
전술한 문제를 해결하기 위해, 기판 주변부에 형성되는, 즉 불필요한 막인 레지스트의 불필요한 부분을 제거하는 것이 요구된다. 불필요한 레지스트 막을 제거하는 기술로서, 레지스트가 도포된 후 또는 도포후 베이킹이 실행된 후 유기 용제 등을 사용하여 불필요한 레지스트 막을 선택적으로 용해하여 제거하는 단계를 포함하는 방법이 광범위하게 사용(예를 들어, 일본특허공보 S57-13863(JP-B) 참조)된다. 전술한 방법은 이하에서 제1 종래 방법으로 언급된다.
전술한 제1 종래 방법에서, 기판(기판 단면(7), 모따기 면(8), 주표면단(9) 및 주표면 상의 레지스트 제거부(10)(불투명막의 노출된 영역))의 주변부에 형성된 불필요한 레지스트 막이 도3에 도시된 바와 같이 제거된다. 그러나, 레지스트 막(12)과 레지스트 제거부(10) 사이의 경계에 잔존하는 제거단(최단부)(11)은 상당히 울퉁불퉁(고르지 못하고 편평하지 않음)하다. 게다가, 도3의 라인(X1-X2)을 따라 절개한 단면도인 도3A에 도시된 바와 같이, 현저한 돌출부가 제거단(11)에 형성된다. 따라서, 레지스트 제거 품질은 열등하다.
유기 용제를 사용하는 제1 종래 방법에서의 단점을 피하기 위해, 기판 주변부에 형성된 불필요한 레지스트 막을 제거하는 또다른 기술이 (비록 이러한 기술이 단지 양성 레지스트에 대해 적용가능 하지만) 널리 사용된다. 실리콘 웨이퍼의 경우, 레지스트가 웨이퍼에 도포되고 도포후 베이킹이 행해진다. 그 후, 기판 주변부에 형성된 불필요한 레지스트 막은 레지스트가 감광성인 영역의 파장(통상적으로, 자외선(UV) 영역 또는 원자외선(DUV) 영역)을 갖는 광을 방사하는 광원을 사용하여 선택적으로 노광된다. 이어 주패턴이 노광된다. 이어서 실행되는 현상 단계에서, 주패턴의 형성 및 불필요한 레지스트 막의 현상/제거가 동시에 행해진다. 이러한 기술은 이하에서 제2 종래 방법으로 언급된다.
레지스트가 도포되고 도포후 베이킹이 행해진 후, 주변부의 불필요한 레지스트 막은 노광부로서 선택적으로 노광된다. 택일적으로, 주패턴 노광 및 현상에 앞선 노광 후에 노광된 부분은 선택적으로 현상 및 제거된다. 예를 들어, 이러한 주변 노광 기술은 일본특허공개(S63-160332)에 개시된다. 이러한 기술은 이하에서 제3 종래 방법으로 언급된다.
특히, 블랭크의 제조 공정 및 마스크의 제조 공정에서, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막의 제거는 블랭크가 종료하는 단계(즉, 레지스트의 도포 및 도포후 베이킹이 종료한 단계)에서 완료되어야 한다. 특히, 블랭크가 선적 및 저장의 목적으로 저장 콘테이너로 삽입되고 패킹되기 전에, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막의 제거가 전제되어야 한다. 그 후, 저장 콘테이너의 블랭크는 마스크 제조 공적으로 보내진다.
제3 방법의 주변 노광 기술의 사용에 의해, 마스크 제조 공정으로 보내지기 전에 제거된 불필요한 레지스트 막을 갖는 블랭크를 제조하는 것이 가능하다. 특히, 레지스트가 블랭크의 제조 공정에서, 레지스트가 도핑되고 도핑후 베치킹이 행해진 후, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막은 선택적으로 노출된다. 이어 노출된 부분이 선택적으로 현상 및 제거된다.
그러나, 제3 종래 방법에서 주변 노광 기술은 레지스트가 도핑된고 도핑후 베이킹이 행해진 후, 주변 노광이 행해지기 때문에, 아래와 같은 점에서 불이익하다.
첫 번째, 최근에 널리 확산되고 있는 화학 증폭(CA:chemically-amplified) 레지스트의 경우, 레지스트가 도핑되고 도핑후 베이킹이 행해진 후, 블랭크는 노광후에 노광후 베이킹(PEB) 처리된다. 이어, 노광부는 현상액 화학에서 충분한 용해성을 보이기 시작한다. 따라서, 특히 레지스트가 도포되고 도포후 베이킹이 행해진 후, 선택적 노광으로 블랭크 기판 주변부의 불필요한 화학 증폭 레지스트 막을 제거하기 위해, 불필요한 레지스트 막을 선택적으로 노광하는 단계, 노광후 베이킹(PEB)을 실행하는 단계와 불필요한 레지스트 막의 현상 및 제거 단계를 포함할 것이 요구된다. 게다가, 이러한 단계를 수행할 장치 또는 기구가 필요하다. 이는 레지스트 도포에 포함된 공정 및 장치 구성을 크게하고 비용의 증가를 초래한다. 이하에서, 전술한 기술은 제4 종래 방법으로 언급된다.
두 번째로, 선택적 노광으로 인한 기판 주변부의 불필요한 화학 증폭 레지스트 막을 제거하기 위해, 불필요한 레지스트 막을 부분적으로 노광시키는 단계에 뒤이어 전술한 바와 같이 노광후 베이킹(PEB)이 행해진다. 그러나, 레지스트 막의 불필요한 부분에 대해서만 선택적으로 노광후 베이킹(PEB)을 수행하는 것은 실질적으로 불가능하다. 통상의 베이킹 장치(예를 들어 핫 플레이트)가 사용되는 한, 나중에 주패턴이 형성될 기판의 주표면의 패터닝 영역도 반드시 베이킹 처리된다. 특히, 레지스트 막의 불필요한 부분을 제거하지 않고 얻어진 블랭크와 비교할 때, 다른 또는 하나 이상의 베이킹 단계가 추가적으로 수행된다. 결과로서, 기판의 주표면의 패터닝 영역에서 레지스트 막의 감도 및 형성될 패턴의 품질(예를 들어, 콘트라스트)이 필연적으로 변화하고 저하된다.
그런데, 전자선(EB) 리소그래피/노광 레지스트가 고정밀 마스크의 제조에 주로 사용된다. EB 리소그래피/노광용 화학 증폭 레지스트는 통상적으로 원자외선 영역의 광에 대해 감광성을 갖는다. 따라서, 전술한 제4 종래 방법에 따라 원자외선 영역의 광원을 사용하여 화학 증폭 레지스트의 불필요한 막을 선택적으로 노광, 현상 및 제거하는 것이 가능하다.
반면에, 원자외선 영역에 대해 낮은 감도를 갖는 고분자량 폴리머형 EB 리소그래피/노광 레지스트에서, 원자외선 영역의 노광 광원을 사용하여 레지스트 막의 불필요한 부분을 선택적으로 노광시키는 것은 유용하지 않다. 예를 들어 알파메틸 스틸렌 및 알파 크롤로아크릴레이트의 공중합체로 구성된 고분자량 폴리머형 레지스트가 도포되고 도포후 열처리되고, 뒤이어 화학 증폭된 레지스트에 대해 실용적이고 특별한 노광조건에서, 원자외선 램프를 사용하는 주변 노광 처리가 행해진다. 이 경우, 레지스트가 현상액(유기 용제) 화학에서 전혀 용해되지 않는 제3의 문제점이 발생한다.
본 발명은 전술한 배경에서 만들어 졌다. 본 발명의 이하의 구성을 갖는다.
도1은 블랭크를 형성하는 통상의 프로세스를 나타낸 도면이다.
도2는 도1의 원형 표시부를 확대한 도면이다.
도3은 불필요한 레지스트 막이 유기 용제에 의해 제거된 기판의 표면을 나타낸 도면이다.
도3a는 도3에서 라인 X1-X2을 따르는 단면도이다.
도4는 종래 방법에 따른 광 마스크 블랭크 생성법을 설명하는 흐름도이다.
도5a 내지 도5c는 본 발명에 따른 광 마스크 블랭크 생성을 설명하는 흐름도이다.
도6은 도5a 및 도5b에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 마스크 블랭크를 나타낸 도면이다.
도7은 도5c에 대응하는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광 마스크 블랭크를 나타낸 도면이다.
도8은 본 발명에 사용된 노광 장치를 나타낸 도면이다.
도9는 예1의 샘플의 제거 단부 측면을 나타낸 도면이다.
도10은 예2의 샘플의 제거 단부 측면을 나타낸 도면이다.
도11은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 마스크 블랭크 생성 장치를 나타낸 도면이다.
도12는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 광 마스크 블랭크 생성 장치를 나타낸 도면이다.
도13은 본 발명의 장치에서 불필요한 막 제거 장치를 나타낸 도면이다.
도14a 내지 도14c는 본 발명의 장치에서 열처리 장치의 인용참증 나타낸 도면이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 설명 ※
1: 투명 기판2: 불투명막
3: 반사 방지막4: 레지스트
5: 블랭크7: 기판 단면
8: 모따기 면9: 주표면단
10: 불필요한 레지스트 제거부11: 제거단부
12: 레지스트 막21: 스텐실 마스크
구성1
광 마스크 블랭크를 제조하는 방법은, 노광광에서 광학적 변화를 일으키는 박막을 정방형을 포함하는 장방형 기판에 형성하는 박막 형성 단계, 박막 상에 양성 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 단계, 박막 상의 도포된 레지스트를 열처리하는 베이킹 단계, 및 기판 주변부에 형성된 레지스트 막을 제거하는 제거 단계를 포함하며, 제거 단계는 레지스트 도포 단계 이후에 그리고 베이킹 단계 이전에 주변부의 레지스트 막을 노광시킴으로써 행해져서, 제거 단계에서 연이어 행해지는 현상시, 현상액의 용해도 또는 용해 속도의 차가 노광부와 비노광부 사이에서 그리고 노광부에 대해 현상액을 선택적으로 제공함으로써 얻어진다.
구성2
구성1에서 설명된 광 마스크 블랭크를 제조하는 방법에서, 현상에 의한 제거 단계는 베이킹 단계 전 또는 후에 행해진다.
구성3
구성1 또는 구성2에서 설명된 광 마스크 블랭크를 제조하는 방법에서, 광 마스크 블랭크는 광 마스크 블랭크의 주표면과 커버 부재 사이에 존재하는 소정의 거리를 갖는 커버 부재에 의해 적어도 주변가 커버링되며, 소정의 거리는 현상액이 갭에 제공될 경우 모세관 작용(현상) 때문에 소정의 거리에 의해 한정된 갭에만 현상액이 충전되도록 선택되며, 기판 주변부에 형성된 레지스트 막이 제거되도록 현상액이 광 마스크 블랭크의 주표면 상의 현상액 공급 영역을 한정하는 갭에 제공된다.
구성4
광 마스크 블랭크를 제조하는 방법은, 노광광에 광학적 변화를 일으키는 박막을 장방형 기판에 형성하는 박막 형성 단계, 박막 상에 양성 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 단계, 및 박막 상의 도포된 레지스트를 열처리하는 베이킹 단계를 포함하며, 주변부의 레지스트 막은 레지스트 도포 단계후, 그리고 베이킹 단계전에 노광되어 광 마스크 제조 공정 동안 현상 단계에서 전술한 바와 같이 주변부의 레지스트 막이 마스크 패턴과 동시에 제거된다.
구성5
구성1 내지 4중 하나에서 설명된 광 마스크 블랭크 제조 방법에서, 레지스트 도포 단계는 레지스트 용액을 장방형 기판 위로 떨어뜨리고 레지스트의 균일한 두께를 얻기 위해 소정의 주회전 시간동안 소정의 주회전 속도로 기판을 회전시키는 평탄화 단계, 및 평탄화 단계 후에 균일한 두께를 갖는 레지스트를 건조시키기 위해 소정의 건조 회전 시간 동안 주회전 속도보다 낮은 소정의 건조 회전 속도로 기판을 회전시키는 건조 단계를 포함한다.
구성6
구성1 내지 5중 하나에서 설명된 광 마스크 블랭크를 제조하는 방법에서, 레지스트는 화학 증폭된 레지스트이다.
구성7
불필요한 막으로서 기판 주변부에 형성된 불필요한 부분을 광 마스크 블랭크의 표면 상에 형성된 양성 레지스트 막으로부터 제거하는 불필요한 막 제거 장치는, 주변부에 형성된 양성 레지스트 막의 불필요한 부분을 노광시키는 노광 수단; 및 양성 레지스트가 제거될 기판의 레지스트 제거부로 현상액을 선택적으로 제공하고 현상에 의해 불필요한 막을 제거하는 제거 수단을 포함한다.
구성8
구성7에 설명된 불필요한 막 제거 장치에서, 제거 수단은, 광 마스크 블랭크가 수직축을 중심으로 회전가능하도록 광 마스크 블랭크를 수평으로 지지하는 지지수단, 광 마스크 블랭크의 주변부를 적어도 커버링하고 광 마스크 블랭크의 주표면과 커버 부재 사이의 거리를 조절하는 거리 조절 부재를 구비하여 현상액이 갭에 제공될 때 상기 거리로 한정된 갭에만 현상액이 충전되도록 하는 커버 부재, 및 현상액을 갭에 제공하는 현상액 제공 수단을 포함한다.
구성9
구성7 또는 8에 설명된 불필요한 막 제거 장치에서, 노광 수단은, 광 마스크 블랭크가 수직축을 중심으로 회전가능하도록 광 마스크 블랭크를 수평하게 지지하는 지지수단, 광 마스크 블랭크의 주변을 광으로 조사하는 광 조사 기구, 및 광 조사 기구가 광 마스크 블랭크의 주변부를 따라 스캐닝을 실시하도록 광 조사 기구 및 지지수단중 하나 또는 둘 다를 구동시키는 구동 수단을 포함한다.
구성10
구성9에 설명된 불필요한 막 제거 장치에서, 구동 수단은 광 조사 기구에 의해 방사된 광의 축적되거나 집약된 에너지가 광 마스크 블랭크의 주변부에 형성된 불필요한 막의 두께에 무관하게 변화되도록 스캐닝 속도를 변화시키는 스캐닝 속도조절 수단을 포함한다.
구성11
구성7 내지 10 중 하나에 설명된 불필요한 막 제거 장치에서, 레지스트는 화학 증폭된 레지스트이다.
구성12
광 마스크 블랭크 제조 장치는 장방형 기판 및 노광광에 광학적 변화를 일으키기 위해 기판 상에 형성된 박막을 포함하는 광 마스크 블랭크의 표면상에 양성 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 장치, 및 구성7 내지 11 중 하나에 설명된 불필요한 막 제거 장치를 포함하며, 불필요한 막 제거 장치는 광 마스크 블랭크의 이송 라인을 따라 노광 수단, 제거 수단 및 베이킹 수단의 순서로 배치된다.
구성13
광 마스크 블랭크 제조 장치는 장방형 기판 및 노광광에 광학적 변화를 일으키기 위해 기판 상에 형성된 박막을 포함하는 광 마스크 블랭크의 표면상에 양성 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 장치, 및 구성7 내지 11 중 하나에 설명된 불필요한 막 제거 장치를 포함하며, 불필요한 막 제거 장치는 광 마스크 블랭크의 이송 라인을 따라 상부면으로부터 하부면을 향해 노광 수단, 베이킹 수단, 및 제거 장치의 순으로 배치된다.
이제, 본 발명이 상세하게 설명된다.
본 발명으로부터, 노광 영역과 비노광 영역 사이의 선택적 용해도(용해도 차 또는 용해 속도의 차)는 간단히 도포후 노광을 도입함으로써 심지어 양성 화학 증폭(CA) 레지스트의 경우 현상/제거 단계에서 보증된다. 도포후 노광은 레지스트가 도포된 후, 그리고 도포후 베이킹(프리 베이킹 또는 소프트 베이킹)이 행해지기 전에 불필요한 레지스트 막을 선택적으로 노광시키는 공정이다. 특히, 현재는 화학 증폭 레지스트에 대해 필수적으로 여겨지는 노광후 베이킹(PEB)이 심지어 실행되지 않은 경우라도, 현상에 의해 불필요한 레지스트 막을 제거하는 것이 가능하다. 따라서, 도포후 베이킹에 무관하게 노광후 베이킹을 실행하는 단계 또는 기구가 더 이상 필수적이지 않다는 것이 밝혀졌다.
화학 증폭 레지스트의 경우, 본 발명은 다음과 같은 점에서 장점을 갖는다. 도4에 도시된 바와 같이, 화학 증폭 레지스트를 처리하는 통상의 공정을 사용하여 기판 주변부의 불필요한 레지스트를 제거하는 전술한 제4 종래 방법은 레지스트 도포 단계 또는 기구, 도포후 베이킹 단계 또는 기구, 기판 주변의 불필요한 레지스트 막을 선택적으로 노광(주변 노광)시키는 노광 단계 또는 기구, 노광후 베이킹(PEB) 단계 또는 기구, 및 현상/제거 단계 또는 기구를 필요로 한다. 반면에, 본 발명은 노광후 베이킹 단계 또는 기구를 필요로 하지 않는다. 따라서, 공정 단계 및 장치의 단순화를 얻을 수 있고, 제4 종래 방법에 비해 제조비를 감축할 수 있다.
원자외선 영역에 대해 낮은 감도를 갖는 폴리머형 EB 리소그래피/노광 레지스트에 관해 고찰될 것이다. 심지어 폴리머형 리소그래피/노광 레지스트의 경우, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막은 레지스트가 도포된 후, 그리고 도포후 베이킹(프리 베이킹 또는 소프트 베이킹)이 행해지기 전에 불필요한 레지스트 막에 원자외선을 선택적으로 노광시킴으로써 실질적으로 제거될 수 있다. 도포후 베이킹 후에 불필요한 레지스트 막에 원자외선이 선택적으로 노광될 경우, 제3 문제로서 이미 설명된 바와 같이, 폴리머형 EB 리소그래피/노광 레지스트의 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막을 실질적으로 제거하는 것은 어렵다.
(소정 타입의) 레지스트가 도포된 후, 그리고 도포후 베이킹(프리 베이킹 또는 소프트 베이킹)이 행해지기 전에 불필요한 레지스트 막을 선택적으로 노광시킴으로써, 도포후 베이크가 행해진 이후의 노광과 비교하여 더 적은 노광 에너지로 노광을 할 수 있음이 밝혀졌다.
유기 용제를 사용함으로써 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막을 선택적으로 용해 및 제거하는 제1 종래 방법과 비교하여, 본 발명에 따른 블랭크를 제조하는 방법은 다음과 같은 점에서 장점을 갖는다. 특히, 본 발명에서 노광/현상의 화학 반응이 사용되기 때문에, 패턴으로서 제거되지 않고 잔존하는 레지스트의 단부에 어떠한 주목할 만한 융기부도 발생하지 않는다. 따라서, 어떠한 주목할 만한 융기부도 제거 단부(모서리)에서 형성되지 않는다. 게다가, 제거 단부에서의 고르지 않거나 편평하지 않은 정도는 적다.
전술한 사항으로부터, 본 발명의 구성1에 따른 블랭크를 제조하는 방법의 특징은 기판 주변부에서 레지스트 막이 레지스트 도포 단계후, 그리고 베이킹 단계(도포된 레지스트를 건조하는 도포후 베이킹(프리 베이킹 또는 소프트 베이킹)) 이전에 노광된다는 것이다. 베이킹 단계 이전에 주변부에서 레지스트 막을 노광시킴으로써, 현상액에 의한 용해도 또는 용해 속도의 차가 노광부 및 비노광부 사이에서 보장된다.
구성1에서, 노광광에 광학적 변화를 일으키는 박막은 상전이막(다중층 막을 포함), 불투명막(다중층 막을 포함) 또는 상전이막 및 불투명막의 스택이다.
구성2에 따라, 현상에 의해 주변부의 레지스트 막을 제거하는 제거 단계는 베이킹 단계 이전 및 이후에 행해질 수 있다. 특히, 레지스트가 도포되기 전 및 도포후 베이킹(프리베이킹 도는 소프트 베이킹)이 행해지기 전에, 불필요한 레지스트 막은 선택적으로 노광되고 현상/제거 단계에 의해 용해/제거된다. 실질적으로, 도포후 베이킹이 행해진다. 이러한 방법은 이하에서 본원 방법A(도5A 참조)로 언급된다. 본원 방법A는 블랭크를 제조하는 방법으로서, 레지스트 도포와 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹) 사이에 행해지는 노광 단계 및 현상 단계를 포함한다.
택일적으로, 불필요한 레지스트 막은 선택적으로 레지스트가 도포된 후, 그리고 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹)이 행해지기 전에 선택적으로 노광된다. 그 후, 도포후 베이킹이 행해진다. 이어, 선택적으로 노광된 불필요한 레지스트 막이 현상/제거 단계에 의해 용해 및 제거된다. 이러한 방법은 이하에서 본원 방법B(도5B 참조)로 언급된다. 본원 방법B는 블랭크를 제조하는 방법으로서, 레지스트 도포와 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹) 사이의 노광 단계 및 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹) 후의 현상 단계를 포함한다. 본원 방법B에서, 도포후 베이킹은 또한 화학 증폭 레지스트에서 노광후 베이킹으로 작용한다.
본 발명은 기판 주변부에 형성된 불필요한 레지스트 막이 제거되는 전술한 본원 방법A 및 B에 의해 얻어진 블랭크(14)(도6)를 포함한다.
본 발명은 또한 (이하에서 본원 방법C로 언급될) 블랭크를 제조하는 방법을 포함하는데, 이 방법에서, 기판 주변부에 형성된 불필요한 레지스트 막은 도포후 베이킹(도포된 레지스트를 건조하기 위한 프리베이킹 또는 소프트 베이킹)이 실행되기 전에 선택적으로 노광되며, 그 후 도포후 베이킹(도5C 참조)만이 행해진다. 본 발명은 전술한 방법C(구성4)에 의해 얻어진 블랭크(15)(도7 참조)를 더 포함한다. 블랭크(15)는 불필요한 레지스트 막이 주패턴을 현상하기 위해 연속적으로 실행되는 현상 단계에서 제거되도록 블랭크의 완성 단계에서 충분히 노광된다. 따라서, 뒤이은 마스크 제조 공정에서 현상 단계 후에 선적 또는 저장의 목적으로 블랭크(5)를 컨테이너 또는 지그로 넣거나 뺄 경우, 불필요한 레지스트 막이 블랭크와 컨테이너 또는 지그 사이의 접촉에 의해 박리 및 탈락되는 것을 방지할 수 있다.
현상액을 선택적으로 노광될 노광부에 선택적으로 제공하기 위해, 구성3에 설명된 기술이 사용된다. 특히, 광 마스크 블랭크는 광 마스크 블랭크의 주표면과 커버 부재 사이에 소정 거리로 배치된 커버 부재에 의해 적어도 주변부가 커버링된다. 소정 거리는 현상액이 갭에 제공될 경우 현상액의 표면 장력 이하의 소정 거리에 의해 한정된 갭에만 충전되도록 선택된다. 현상액을 갭에 제공함으로써, 기판 주변부에 형성된 레지스트 막이 제거된다. 전술한 방법에서, 현상액 제공 영역은 정밀하게 제어될 수 있다.
구성5에서, 레지스트 도포 단계는 레지스트 용액을 장방형 기판 위로 떨어뜨리고 레지스트의 균일한 두께를 얻기 위해 소정의 주회전 시간동안 소정의 주회전 속도로 기판을 회전시키는 평탄화 단계, 및 평탄화 단계 후에 균일한 두께를 갖는 레지스트를 건조시키기 위해 소정의 건조 회전 시간 동안 주회전 속도보다 낮은 소정의 건조 회전 속도로 기판을 회전시키는 건조 단계를 포함한다.
전술한 구성으로 인해, 플레인내 균일성에서 우수한 레지스트 막이 심지어 장방형 기판의 경우에도 주패턴 형성 영역에 형성된다. 게다가, 매우 두꺼운 영역(후막 영역)이 주변 영역을 최소화하기 위해 제한될 수 있다. 따라서, 만일 주변부의 불필요한 막이 본 발명에 따른 불필요한 막을 제거하는 방법에 의해 제거될 경우, 실질적으로 어떠한 후막 영역도 갖지 않거나 매우 적은 후막 영역만??르 가진 블랭크를 얻을 수 있다.
주회전 속도, 주회전 시간, 건조 회전 속도 및 건조 회전 시간은 레지스트의 타입과 점성도에 따라, 다음의 범위에서 적절하게 선택됨을 주지해야 한다.
주회전 속도: 750-2000rpm
주회전 시간: 1-30초
건조 회전 속도: 50-450rpm
건조 회전 시간: 10초 또는 그 이상(레지스트 막이 건조될 때 까지)
구성6에서, 화학 증폭 레지스트는 레지스트로서 사용된다. 이 경우, 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹) 단계가 생략될 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 불필요한 막 제거 장치 및 블랭크 제조 장치에 대해 설명할 것이다.
본 발명에 따른 불필요한 막 제거 장치는 광 마스크 블랭크의 표면에 형성된 양성 레지스트 막으로부터 불필요한 막으로서 기판 주변부에 형성된 불필요한 부분을 제거하는 장치이며, 주변부에 형성된 양성 레지스트 막의 불필요한 부분을 노광시키는 수단, 양성 레지스트 막을 열처리하는 베이킹 수단, 및 양성 레지스트 막이 제거되고 현상에 의해 불필요한 막이 제거되는 기판의 레지스트 제거부에 현상액을 선택적으로 제공하는 제거 수단을 포함한다.
본 발명에 다른 불필요한 막 제거 장치에서, 제거 수단은 바람직하게 광 마스크 블랭크가 수직축을 중심으로 회전가능하게 하도록 광 마스크 블랭크를 수평으로 지지시키는 지지수단, 적어도 광 마스크 블랭크의 주변부를 커버링하고 광 마스크 블랭크의 주표면과 커버 부재 사이의 거리를 조절하는 거리 조절 부재를 구비하여 현상액이 갭에 제공될 때 상기 거리로 한정된 갭에만 현상액이 충전되도록 하는 커버 부재, 및 현상액을 갭에 제공하는 현상액 제공 수단을 포함(구성8)한다.
도13을 참조하면, 불필요한 막 제거 장치는 일본특허공개 No.2001-259520에 개시된 장치와 대체로 유사하다. 상부에 레지스트 막(4)이 형성된 기판(5)은 회전 테이블(70)에 배치된다. 기판(5)의 상부면은 커버 부재(30)로 커버링된다. 커버 부재(30) 위의 위치로부터, (현상액과 같은) 용제(50)가 노즐(40)로부터 제공된다. 용제(50)는 불필요한 레지스트 막을 용해 및 제거하기 위해 커버 부재(30)의 소정 위치에 형성된 용제 공급 홀(31)을 통해 불필요한 레지스트 막의 영역으로 공급된다. 커버 부재(30)에는 거리 조절 부재(60)가 제공된다.
본 발명에 따른 불필요한 막 제거 장치에서, 노광 수단은 도11 및 12에 도시된 바와 같이, 바람직하게 광 마스크 블랭크가 수직축을 중심으로 회전가능하도록 광 마스크 블랭크를 수평하게 지지하는 지지수단, 광 마스크 블랭크의 주변을 광으로 조사하는 광 조사 기구, 및 광 조사 기구가 광 마스크 블랭크의 주변부를 따라 스캐닝을 실시하도록 하는 스캐닝 수단을 포함(구성9)한다. 광 조사 기구가 광 마스크 블랭크의 주변부를 따라 스캐닝을 실시하도록 광 조사 기구(노광 윈도우) 및 지지수단중 하나 또는 둘 다를 구동시키는 구동 수단에 의해, 기판 주변부의 부분 노광을 실행하는 것이 가능하다.
불필요한 막 제거 장치에서, 구동 수단은 바람직하게 광 조사 기구에 의해 방사된 광의 축적되거나 집약된 에너지가 광 마스크 블랭크의 주변부에 형성된 불필요한 막의 두께에 무관하게 변화되도록 스캐닝 속도를 변화시키는 스캐닝 속도 조절 수단을 포함(구성10)한다. 장방형 기판의 경우, 스핀 코팅에 의해 형성된 레지스트는 대부분 기판의 네 모퉁이에서 두께가 증가한다. 광 마스크 블랭크의 주변부에 대해 광의 일정한 조사 에너지로 스캐닝이 행해질 경우, 노광 영역과 비노광 영역 사이의 선택 용해도(용해도 또는 용해 속도의 차이)가 얻어질 수 있으며, 결론적으로, 레지스트 잔류물이 생성될 수도 있다. 이 경우, 광 조사 기구에 의해 방사된 축적된 광 에너지를 비교적 두꺼운 영역으로 증가시키는 것이 필요하다. 이를 위해, 광 조사 기구에는 스캐닝 속도를 제어하는 스캐닝 속도 조정 수단이 제공되어 조사 기구의 스캐닝 속도가 비교적 두꺼운 영역에서 감소하게 함으로써 불필요한 막이 레지스트 잔류물 없이 신뢰성 있게 제거될 수 있다. 비교적 두꺼운 영역의 형성이 레지스트 도포 조건에 의해 미리 예상되는 경우, 광 마스크 블랭크의 주변부의 두께를 측정하는 것은 필수적이지 않다. 그러나, 본 발명의 불필요한 막 제거 장치에는 레지스트 필름의 두께를 측정하는 막 두께 측정 수단이 제공된다.
본 발명의 불필요한 막 제거 장치에서, 열처리 장치는 도14A에 도시된 핫 플레이트이거나, 도14B에 도시된 상부 및 하부 핫 플레이트의 결합이거나, 도14C에 도시된 폐쇄형 베이킹 유닛일 수 있다. 상기 도면에서, 레지스트를 갖는 기판, 핫 플레이트, 및 폐쇄형 챔버는 5, 8 및 81로 각각 표기된다. 여기서, 레지스트를 갖는기판(5)은 핫 플레이트(80)에 바로 장착되지 않고 소정의 근접한 갭을 가지고 장착된다. 폐쇄형 베이킹 유닛은 가열기로서 핫 플레이트가 기판 아래에 배치된 타입일 수 있으며, 이러한 것들은 모두 설명된 대로 도14C에 포함되어 있다.
본 발명에 따른 광 마스크 블랭크 제조 장치는 장방형 기판과 노광광에 광학적 변화를 일으키는 기판 상에 형성된 박막을 포함하는 광 마스크 블랭크의 표면 상에 화학 증폭 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 장치, 및 전술한 불필요한 막 제거 장치를 포함한다. 구성12에 도시된 바와 같이, 불필요한 막 제거 장치는 노광 수단, 제거 수단, 및 베이킹 수단이 이 순서로 광 마스크 블랭크의 이송 라인을 따라 배치되도록 구성된다. 광 마스크 블랭크 생성 장치는 이하에서 본원 장치A(도5A 및 11)로 언급된다. 본원 장치A는 레지스트 도포와 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹) 사이의 노광 기구, 및 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹) 이후의 현상 기구를 포함한다.
본 발명에 따른 또다른 광 마스크 블랭크 제조 장치는 장방형 기판과 노광광에 광학적 변화를 일으키는 기판 상에 형성된 박막을 포함하는 광 마스크 블랭크의 표면 상에 화학 증폭 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 장치, 및 전술한 불필요한 막 제거 장치를 포함한다. 구성13에서 설명한 바와 같이, 불필요한 막 제거 장치는 광 마스크 블랭크의 이송 라인을 따라 하부면으로부터 상부면을 향해 노광 수단, 열처리 장치 및 제거 수단이 순서대로 배치되도록 구성된다. 광 마스크 블랭크 제조 장치는 이하에서 본원 장치B(도5B 및 12)로 언급된다. 본원 장치B는 레지스트 도포와 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹) 사이에 배치된 노광 기구 및 현상 기구를 포함한다.
본 발명은 또한 레지스트 도포와 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹) 사이에 노광 기구를 포함하는 광 마스크 블랭크 제조 장치를 포함한다. 광 마스크 블랭크 제조 장치는 이하에서 본원 장치C(도5C)로 언급된다.
본 발명에 따른 전술한 방법 및 장치에 의해 제조되고 기판 주변부에 형성된 불필요한 레지스트 막이 제거되는 블랭크에서, 불필요한 레지스트 막의 제거는 블랭크가 완료하는 단계(즉, 레지스트의 도포 및 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹)이 완료된 단계)에서 종료된다. 따라서, 본 발명에서, 주패턴(현상)의 형성 및 불필요한 레지스트 막의 현상/제거는 종래의 주변 노광기술(제2 종래기술)과는 다르게 동시에 행해지지 않는다. 따라서, 선적 또는 저장의 목적으로 블랭크를 컨테이너로 넣거나 뺄 경우, 불필요한 레지스트 막이 블랭크와 컨테이너 사이의 접촉에 의해 박리 및 탈락되는 것을 방지할 수 있다. 뒤이어 행해지는 마스크 제조 공정에서, 레지스트 막은 블랭크와 처리 장치 또는 콘테이너와의 접촉에의해 박리 또는 탈락되는 것이 방지된다.
본 발명에 따른 전술한 방법 또는 장치에 의해 제조되고 기판 주변부에 형성된 불필요한 막이 제거되는 블랭크에서, 블랭크의 주변부의 불필요한 레지스트 막이 제거된다. 따라서, EB 리소그래피/노광 동안, 블랭크의 크롬막을 신뢰성 있게 접지 접속한다. 따라서, 리소그래피 동안의 충전으로 인한 패턴에서의 에러 또는 패턴의 변형을 피하는 것이 가능하다. 통상적으로, 접지 접속은 레지스트 막을 통해 블랭크에 바늘형 또는 칼형 접지 프로브를 압착함으로써 행해진다. 결과적으로, 접지 저항은 크거나 접지 접속이 완전히 불가능하다.
본 발명에 따른 전술한 방법 또는 장치에 의해 제조되고 기판 주변부에 형성된 불필요한 막이 제거되는 블랭크에서, 블랭크의 주변부의 불필요한 레지스트 막이 제거된다. 이 부분에서, 크롬 막 또는 상전이막이 노광된다. 따라서, 이러한 부분에서 노광된 막들은 에칭되고 뒤이은 마스크 제조 공정의 에칭 단계에서 제거된다. 결론적으로, 세정 단계와 같은 뒤이은 단계, 또는 (레티클을 포하하는) 마스크를 사용하는 단계에서, 크롬 막 또는 상전위막은 기판 주변부로부터 박리 또는 탈락되는 것이 방지된다. 따라서, 박리 및 탈락된 크롬 조각이 마스크에 부착되어 결함을 유발하거나 환경을 오염시키는 것을 방지한다.
예
이하에서, 본 발명의 구체적인 예가 설명될 것이다.
예1
먼저, 본원 방법A 및 본원 장치A에 따른 예를 설명한다. 도1에 도시된 바와같이, 6평방 인치(152.4mm×152.4mm) 크기를 및 0.25 인치(6.35mm)의 두께를 갖고 적절하게 폴리싱된 합성 석영(1)이 준비된다. 기판(1) 상에, 크롬을 주성분으로 하는 불투명막(2) 및 크롬 산화물을 주성분으로 하는 반사 방지막(3)이 이 순서로 스퍼터링에 의해 연속적으로 형성된다. 이어, 레지스트(4)(FUJIFILMARCH에 의해 생산된 화학 증폭 EB 리소그래피/노광 양성 레지스트 FEP(플루오르화 에틸렌 프로필렌))이 다음과 같은 조건으로 스핀 코팅에 의해 400nm의 두께로 도포된다.
레지스트 농도: 6.2%(점성도: 3cp(센티푸아즈))
평탄화 단계
주회전 속도: 1500rpm
주회전 시간: 2초
건조 단계
건조 회전 속도: 300rpm
건조 회전 시간: 20초
다음으로, 10mm의 초점 거리를 갖고 단부에 부착된 집광 렌즈를 갖춘 석영 섬유를 구비한 광 가이드(10mmΦ)를 포함하는 수은 램프(HOYA-SCHOTT에서 제조한 UL500L)가 노광 광원으로서 사용되었다. 초점 위치에, 3mm×3mm의 정방형 개구를 갖는 스텐실 마스크(21)가 부착된다. 노광 광원은 약 2mm의 스텐실 마스크(노광 윈도우)가 중심을 향해 단부로부터 기판을 중첩하고 광 가이드가 기판의 상부면에서 3mm 이격되어 배치되도록 구성(도8)된다. 이어, 노광 광원은 턴온되고, 동시에 노광 윈도우는 기판 주변부의 한쪽을 따라 약 10mm/초의 속도로 스캐닝 수단에 의해 이동된다. 한쪽 변(152.4mm)에 대한 노광을 완료한 후, 기판은 90도로 회전된다. 이어, 다음 변이 마찬가지로 노광된다. 이러한 방식으로 모든 네 변이 노광된다. 따라서, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막이 노광된다.
뒤이어, 예를 들어 일본특허공개 No.2001-259502에 개시된 장치(구성8)가 사용된다. 현상액이 선택적으로 노광된 전술한 부분에 선택적으로 공급되도록 적절히 조절된다. 기판은 500rpm으로 회전되고, 100cc/분의 흐름율로 제공된 표준 현상액(2.38% TMAH(tetramethylammoniumhydroxide)(TOKYO OHKA KOGYO에 의해 생산된 NMD-3))을 사용하여 30초 동안 처리된다. 그 다음으로, 현상/제거 처리된 부분을 세정하기 위해 현상액 대신에 초청정수가 제공된다. 이어 기판이 회전 건조 처리를 위해 2000rpm으로 회전된다. 따라서, 기판 주변부에서 불필요한 레지스트 막의 제거가 완료된다.
끝으로, 전술한 공정 이후의 기판은 150℃로 유지된 핫 플레이트(근접 갭: 0.2mm)를 사용하여 10분 동안 도포후 베이킹된다. 따라서, 블랭크의 제조가 완료(샘플1A)된다.
다음으로, 본원 방법B 및 본원 장치B에 따른 예를 설명한다. 먼저, FEP(171)가 전술한 샘플1A와 유사한 방식으로 도포된다. 이어, 전술한 바와 같은 동일한 노광 장치 및 노광 방법을 사용하여, 기판 주변부가 약 10mm/초의 속도로 기판을 이동시킴으로써 노광된다. 그 후, 기판은 150℃로 유지된 핫 플레이트(근접 갭: 0.2mm)를 사용함으로써 10분 동안 노광후 베이킹된다. 끝으로, 노광된 부분은 일본특허공개 No.2001-259502에 개시된 장치를 사용하여 선택적으로 현상되고제거된다. 따라서, 기판 주변부에서 불필요한 레지스트 막의 제거가 완료되고 블랭크가 제조(샘플1B)된다.
다음으로, 대조비교를 위해, 화학 증폭 레지스트를 처리하는 통상의 공정(제4 종래방법)에 따라, 불필요한 레지스트 막을 노광, 현상, 및 제거함으로써 샘플이 준비되었다. 특히, FEP(171)은 샘플1A 및 1B와 유사한 방식으로 도포된다. 그 후, 샘플1A 및 1B와 유사한 방식으로 기판은 150℃로 유지된 핫 플레이트(근접 갭: 0.2mm)를 사용하여 10분 동안 도포후 베이킹된다. 그 후, 기판은 7.5mm/초의 속도로 이동되어 기판 주변부가 노광된다. 이어, 기판은 150℃로 유지된 핫 플레이트(근접 갭: 0.2mm)를 사용하여 10분 동안 노광후 베이킹된다. 끝으로, 샘플1A 및 1B와 유사한 방식으로, 노광부는 선택적으로 현상 및 제거된다. 따라서, 기판 주변부에서 불필요한 레지스트 막의 제거가 완료되고 광 마스크 블랭크가 제조(샘플1C)된다. 여기서, 주변 노광에서의 노광 양은 샘플1A에 비해 현저히 크다(즉, 기판의 스캐닝 속도가 늦다). 이는 불필요한 레지스트 막이 7.5mm/초보다 큰 스캐닝 속도에서 제거되지 않기 때문이다(전혀 용해되지 않거나 용해되어도 잔류물이 생김).
유사하게, 대조비교를 위해, 유기 용제를 사용한 제거방법(제1 종래방법)에 따른 샘플이 준비되었다. 특히, 샘플1A 내지 1C와 유사한 방식으로, FEP(171)이 제공된다. 그 후, 전술한 샘플과 유사하게 일본공개특허 No.2001-259502에 개시된 장치 및 유기 용제로서 아세톤을 사용하여 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막이 용해 및 제거된다. 그 후, 샘플1A 내지 1C와 유사한 방식으로 기판은 150℃로 유지된 핫 플레이트(근접 갭: 0.2mm)를 사용하여 10분 동안 도포후 베이킹된다. 따라서, 블랭크가 제조(샘플1D)된다.
샘플1A 내지 1D의 경우, 마스크 패턴 형성 영역을 포함하는 레지스트 막 두께의 플레인내 균일성은 50 옹스트롬 이하로 우수하다. 레지스트 막 두께의 플레인내 균일성은 다음과 같은 방식으로 얻어진다. 기판의 중심에서 유효 영역(132mm×132mm) 전체에 균일하게 분포된 11×11=121 포인트에서, 두께는 스펙트럼 반사 두께 미터(NANOMETRIX JAPAN에 의해 생산된 AFT6100M)를 사용하여 측정되어 플레인내 두께 분포(각각의 측정 포인트에서의 막 두께 정보)가 얻어졌다. 플레인내 두께 분포로부터, 분포 데이터, 플레인내 두께 균일성이 다음과 같이 얻어진다.
(플레인내 막 두께 균일성)=(최대 두께)-(최소 두께)
다음으로, 계산이 다음과 같이 행해진다. 프로브형 계단 높이(두께) 미터를 사용함으로써, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막이 제거되는 제거부(제거 단부)의 제거 단부 측면이 측정된다.
샘플1A, 1B, 1C 및 1D에서의 제거 단부 측면은 도9에 도시된다.
샘플1D(유기 용제를 사용하여 불필요한 레지스트를 제거: 제1 종래방법)에서, 약1.5㎛의 높이를 갖는 현저히 두꺼운 부분이 제거 단부에 형성된다.
샘플1C(화학 증착 레지스트를 처리하는 통상의 공정에 따른 불필요한 레지스트 제거(제4 종래방법))에서, 샘플1D에서 보여지는 것과 같이 제거 단부에서의 현저한 돌출부가 전혀 관찰되지 않으며, 제거부의 측벽은 대체로 수직이다.
샘플1B(본원 방법B에 따른 불필요한 레지스트의 제거)에서, 제거부의 측벽은샘플1C와 비교하여 (레지스트 막의 상부면의 측면 상에)매끄럽게 굴곡된 어깨부를 갖는다. 그러나, 제거부의 측벽의 수직도는 대체로 지지되었다.
샘플1A(본원 방법A에 따라 불필요한 레지스트를 제거)에서, 제거부의 측벽의 어깨부는 보다 매끄럽게 굴곡되고 제거부의 측벽의 수직도는 조금 낮아졌다. 그러나, 샘플1D에서 보여지는 것과 같은 현저한 돌출부는 발견되지 않으며 제거부 측면은 대체로 우수하다.
전술한 네 개의 샘플(1A, 1B, 1C 및 1D)의 제거 단부 측면의 경사도를 수적으로 비교하기 위해, 제거부의 측벽 상의 두 포인트를 통과하는 직선과 크롬 막(즉, 레지스트의 하부면)의 상부면 상의 접선 사이에 형성된 각이 계산되었다. 두 포인트는 레지스트 막(즉, 크롬 막의 상부면)의 하부면으로부터 레지스트 막의 상부면까지의 거리의 50% 및 75%로 선택된다. 전술한 거리는 레지스트 막의 두께(0.4㎛=400㎚)에 대응한다. 결과는 표1에 도시된다.
표1
샘플 조건 구형도
1A 도포-노광-현상-베이킹 78
1B 도포-노광-베이킹-현상 83
1C 도포-베이킹-노광-PEB-현상 84
1D 도포-용제에 의한 제거-베이킹 72
샘플1D(유기 용제를 사용하여 불필요한 레지스트의 제거: 제1 종래방법)에서, 각은 72도였다. 샘플1C(화학 증폭 레지스트를 다루는 통상의 공정에 따른 불필요한 레지스트 제거(제4 종래방법))에서, 각은 84도였다. 반면에, 샘플1B(본원 방법B에 다른 불필요한 레지스트 제거)에서, 각은 78도로 샘플1C보다 작았지만 제거 단부 프로파일(제거 단부의 경사도)은 현저히 낮지 않았다.
또다른 계산에서, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막이 제거된 제거부에서 제거 폭의 편차(즉, 기판 단부로부터 제거 단부까지의 거리에서의 편차)가 각 변의 전체 길이에 걸쳐 측정된다. 레지스트막 두께 측정 시스템(NANOSPEC에 의해 생산된 AFT6100M)으로 측정이 행해진다. 제거 폭의 편차는 10mm 간격으로 기판의 각 변에 대해 측정되었다. 측정된 값으로부터, 평균값 및 범위값이 계산되었다. 결과는 표2와 같다.
표2
샘플 조건 제거 폭의 균일성(각 변의 전체 길이)
평균(mm) 범위(mm)
1A 도포-노광-현상-베이킹 1.90 0.10
1B 도포-노광-베이킹-현상 2.10 0.10
1C 도포-베이킹-노광-PEB-현상 2.05 0.10
1D 도포-용제에 의한 제거-베이킹 1.96 0.24
샘플1D에서, 평균 제거 폭은 1.96mm였으며, 편차(범위값)는 0.24mm였다. 샘플1D에서, 평균 제거 폭은 2.05mm였고 편차(범위값)는 0.1.mm였다.
샘플1A 및 1B(본 발명에 따른 불필요한 레지스트의 제거)에서, 평균 제거 폭은 각각 1.90mm 및 2.10mm였다. 샘플1A 및 1B에서, 편차(범위값)는 0.1mm로 감소되었다. 따라서, 제거 폭 편차에서의 품질은 샘플1C와 동일하였다.
본 발명에 따른 불필요한 레지스트의 제거에서, 통상의 공정에 따른 기판 주변부의 불필요한 레지스트를 제거하는 방법(제4 종래방법)과 동일한 제거 폭 편차(다시 말해, 안정성)의 품질을 얻을 수 있었다. 유기 용제를 사용하여 기판 주변부의 불필요한 레지스트 제거(제1 종래방법)와 비교하면, 제거 폭 편차는 현저히 개선(편차가 약 60% 감소)되었다.
다음 계산을 위해, 기판 주변의 불필요한 레지스트 막이 제거된 제거 영역에서 제거 폭 편차(즉, 기판 단부로부터 제거 단부까지의 거리에서의 편차)가 국부적으로 축정되었다. 측정은 다음과 같은 방식으로 행해졌다. 기판의 한쪽 변 중심 주위의 국부 영역에 대해, 제거부의 사진이 광학 현미경(100의 배율)에 의해 얻어진다. 사진은 이미지 처리 소프트웨어(Planetron에 의해 생산된 ImageProPlus)의 길이 측정 함수를 사용하여 분석된다. 1.5mm 길이 영역에 걸쳐, 0.075mm의 간격으로 20회 측정된다. 따라서, 국부 제거 폭의 편차가 측정되고 평균값 및 범위값이 계산된다. 결과는 표3과 같다.
표3
샘플 조건 제거 폭의 균일성(국부)
시그마(㎛) 범위(㎛)
1A 도포-노광-현상-베이킹 7.66 20.00
1B 도포-노광-베이킹-현상 7.75 25.00
1C 도포-베이킹-노광-PEB-현상 2.26 5.00
1D 도포-용제에 의한 제거-베이킹 14.01 60.00
샘플1D에서, 국부 제거 폭의 편차는 60㎛(범위값)였다. 샘플1C에서, 국부 제거 폭의 편차는 5㎛(범위값)였다.
샘플1A 및 1B(본 발명에 따른 불필요한 레지스트의 제거)에서, 국부 제거 폭의 편차는 각각 20㎛ 및 25㎛였다.
본 발명에 따른 불필요한 레지스트의 제거에서, 국부 제거 폭의 편차(다시 말해서, 안정성)은 통상의 공정에 따른 노광 및 현상에 의한 불필요한 레지스트의 제거에 의해 얻어진 것과는 비교할 수 없지만, 유기 용제에 의한 제거와 비교해서 약 1/3로 감소될 수 있었다.
전술한 결과로부터, 본 발명에 다른 블랭크 제조용 장치 및 방법과, 이러한 장치 및 방법에 의해 제조된 블랭크는, 화학 증폭 레지스트를 처리하는 통상의 공정에 따른 불필요한 레지스트를 제거하는 방법(제4 종래방법) 및 장치와, 이러한 방법 및 장치에 의해 제조된 블랭크와 비교할 때, 노광후 베이킹을 실행하는 단계 및 장치를 필요로 하지 않으며, 보다 적은 노광용 노광 에너지를 필요로 하며, 기판 주변부의 불필요한 레지스트의 제거 품질에서 현저히 떨어지지는 않는다.
본 발명에 따른 블랭크를 제조하는 방법 및 장치와, 이러한 방법 및 장치에 의해 제조된 블랭크는, 유기 용제를 사용하여 불필요한 레지스트를 제거하는 방법(제5 종래방법) 및 장치와, 이러한 방법 및 장치에 의해 제조된 블랭크와 비교할 때, 기판 주변부의 불필요한 레지스트의 제거 품질에서 월등하다.
예2
다음으로, 본원 방법A 및 본원 장치A에 따른 제2 예가 폴리머형 양성 EB 리소그래피/노광 레지스트 ZEP7000(NIPPON ZEON에 의해 생산됨)를 사용하여 준비되었다.
먼저, 예1의 샘플1A와 유사한 방식으로, 폴리머형 양성 EB 리소그래피/노광 레지스트 ZEP7000(NIPPON ZEON에 의해 생산됨)이 이하의 조건으로 400nm 두께로 스핀 코팅에 의해 도포된다.
레지스트 농도: 4.7%(점성도: 17cp)
평탄화 단계
주회전 속도: 1100rpm
주회전 시간: 10초
건조 단계:
건조 회전 속도: 250rpm
건조 회전 시간: 90초
뒤이어, 전술한 노광 장치 및 방법을 사용하여, 기판은 약 10mm/초의 속도로 이동되며 기판 주변부는 선택적인 노광 영역으로서 노광된다. 그 후, 전술한 현상/제거 장치 및 방법을 사용하여, 기판은 현상액이 선택적인 노광 영역에 선택적으로 공급되는 방식으로 표준 현상액 ZED400(NIPPON ZEON에 의해 생산됨)으로 100cc/분의 흐름율에서 약 60초 동안 처리된다. 그 후, 표준 세정 용액 ZMD-B(NIPPON ZEON에 의해 생산됨)이 현상/제거된 영역을 세정하기 위해 현상액 대신 공급된다. 이어, 기판은 2000rpm으로 회전되고 건조된다. 따라서, 기판 주변부의 불필요한 막의 제거가 완료된다. 끝으로, 전술한 단계 이후의 기판은 220℃로 유지된 핫 플레이트(근접 갭: 0.2mm)를 사용하여 10분 동안 도포후 베이킹된다. 따라서, 블랭크의 제조가 완료(샘플2A)된다.
다음으로, 본원 방법B 및 본원 장치B에 따른 예가 준비되었다. 먼저, ZEP7000이 전술한 샘플1A와 유사한 방식으로 도포된다. 이어, 전술한 노광 장치 및 방법을 사용하며, 노광 윈도우가 기판 주변부를 노광시키기 위해 기판 주변부의 각 변을 따라 약 10mm/초의 속도로 스캐닝 수단에 의해 이동된다. 그 후, 기판은 220℃fh 유지된 핫 플레이트(근접 갭: 0.2mm)를 사용하여 10분동안 노광후 베이킹된다. 끝으로, 노광된 부분은 샘플2A와 유사한 방식으로 선택적으로 현상 및 제거된다. 따라서, 기판 주변부의 불필요한 막의 제거가 완료되고 블랭크가 제조(샘플2B)된다.
다음으로, 대조 비교를 위해, 샘플2C가 레지스트를 처리하는 통상의 공정(제3 종래방법)에 따라 불필요한 레지스트 막을 노광 및 현상함으로써 준비되었다. 먼저, ZEP7000이 전술한 샘플2A와 유사한 방식으로 도포된다. 이어, 도포후 베이킹이 샘플2A와 유사한 방식으로 220℃ 유지된 핫 플레이트(근접 갭: 0.2mm)를 사용하여 10분 동안 실행된다. 그 후, 노광 윈도우가 기판 주변부를 노광시키기 위해 기판 주변부의 각 변을 따라 10mm/초의 속도로 스캐닝 수단에 의해 이동된다. 끝으로, 노광된 부분은 샘플2A 및 2B와 유사한 방식으로 선택적으로 현상 및 제거된다. 따라서, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막의 제거가 완료되고 블랭크가 제조(샘플2C)된다.
또다른 비교 대조를 위해, 샘플2D가 유기 용제를 사용하는 제거 방법(제1 종래방법)에 의해 준비되었다. 특히, ZEP7000이 샘플2A와 유사한 방식으로 도포된다. 그 후, 전술한 장치 및 유기 용제로서 디글라임(diglyme)을 사용하여, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막이 용해 및 제거된다. 이어, 도포후 베이킹이 샘플2A(샘플2D)와 유사한 방식으로 220℃로 유지된 핫 플레이트(근접 갭: 0.2mm)를 사용하여 10분 동안 행해진다.
각각의 샘플2A 내지 2D에서, 마스크 패턴 형성 영역을 포함하여 레지스트 막 두께의 플레인내 균일성은 50옹스트롬 또는 그 이하로 월등하다.
이어, 다음과 같은 방식으로 계산이 행해진다. 먼저, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막이 제거되는 제거 영역(제거 단부)의 제거 단부 측면이 프로브형 계단 높이(두께) 미터로 측정된다.
도10을 참조하면, 샘플2A 및 2D가 도면에 도시된 바와 같이 제거 단부 측면을 갖는다.
샘플2D(유기 용제를 사용하는 불필요한 레지스트의 제거)에서, 약 0.05㎛의 높이를 갖는 두꺼운 부분이 제거 단부에 형성된다. 반면에, 샘플2A(본원 방법A에 따른 불필요한 레지스트의 제거)에서, 샘플2D에서 관찰된 것과 같은 현저히 두꺼운 부분은 형성되지 않았다.
제거 영역의 측벽의 수직도는 샘플2D(유기 용제를 사용한 불필요한 레지스트의 제거)에서는 43도였으며, 샘플2A(본원 방법A에 따른 불필요한 레지스트의 제거)에서는 56도였다. 따라서, 제거 영역의 측벽은 샘플2A에서 가파르다. 전술한 계산은 예1과 유사한 방식으로 행해진다.
한편, 샘플2B(본원 방법B에 따른 예) 및 샘플2C(레지스트를 처리하는 통상의 공정(제3 종래방법)) 각각에서, 기판 주변부의 불필요한 막은 전술한 방식의 노광/현상에 의해 전혀 제거되지 않았다.
이러한 상황에서, 전술한 노광 장치에 의한 기판 주변부의 노광양은 실험적으로 증가하였다. 특히, 기판 주변부는 약 10mm/초로부터 점진적으로 낮아지는 상이한 속도로 노광 윈도우를 이동시킴으로써 노광된다. 그 후, 샘플2B 또는 2C와 유사한 방식으로, 도포후 베이킹 및 현상/제거의 조합 또는 단지 현상/제거만이 행해졌다.
결과로서, 샘플2B 및 2C에서 불필요한 레지스트 막은 기판 주변부가 0.025mm 또는 그 이하의 속도(즉, 샘플2A와 비교하여 600배 이상의 노광양)로 노광되지 않으면 연이은 노광/제거에서 제거될 수 없었다는 것이 밝혀졌다.
전술한 결과로부터, 본원 발명, 특히 본원 방법A 및 본원 장치A에 따른 블랭크를 제조하는 방법 및 장치와, 이러한 방법 및 장치에 의해 제조된 블랭크는, 레지스트를 처리하는 통상의 공정(제3 종래방법)에 따른 기판 주변부의 불필요한 레지스트를 노광 및 현상/제거하는 방법 및 장치와, 이러한 방법 및 장치에 의해 제조된 블랭크를 비교할 때, 원자외선 영역에 감광도가 적은 폴리머형 EB 리소그래피/노광 레지스트에서 기판의 주변부의 불필요한 레지스트의 제거시 적은 노광 에너지를 사용하여 노광하는 것이 가능하다.
게다가, 본 발명은, 유기 용제를 사용하여 기판 주변부의 불필요한 레지스트를 제거하는 방법 및 장치와, 이러한 방법 및 장치(제1 종래방법)에 의해 제조된 블랭크와 비교할 때, 기판 주변부의 불필요한 레지스트의 제거 품질면에서 우수하다.
그러나, 예1의 화학 증폭 양성 레지스트의 경우와 비교하면, 화학 증폭 레지스트는 폴리머형 레지스트의 레지스트에 비해 우수한 제거 단부 측면을 갖는다. 따라서, 본 발명의 방법 및 장치는 화학 증폭 레지스트에 대해 특히 효과적이다.
본 발명은 전술한 실시예 및 예에 한정되지 않는다.
예를 들어, 전술한 예의 노광 단계 및 장치에서, 단일 광 가이드를 갖는 수은 램프는 한번에 기판의 각각의 한쪽 변을 노광시키는데 사용되었다. 택일적으로, 단일 광 가이드는 한번에 기판의 두 개 이상의 변을 노광시키는 두 개 이상의 부분으로 분기될 수도 있다. 택일적으로, 높이 가이드는 한번에 네 변(즉, 기판 주변부의 전체)을 종합적으로 노광하기 위해 기판 주변부의 선택적 노광부의 광 가이드와 동일하게 소정의 형태로 구성될 수도 있다.
레지스트 막의 두께가 기판 주변부의 변의 따라 비교적 넓게 변화되는 경우, 전술한 예의 광 가이드의 스캐닝 수단에는 스캐닝 속도 조절 수단이 제공된다.
전술한 예의 현상/제거를 실행하기 위한 단계 및 장치에서, 노광된 부분을 선택적으로 현상/제거하는 방법 및 기구가 사용된다. 택일적으로, 기판의 주표면의 레지스트 막(비노광된 부분)의 기능 및 품질이 저하되지 않는 한, 전체 표면은 현상될 수 있다.
전술한 예에서, 레지스트의 스핀 코팅의 바로 뒤이어 기판 주변부의 노광이 행해지며, 이후에 현상/제거가 행해진다. 택일적으로, 레지스트의 스핀 코팅 후(노광전 또는 현상전), 예를 들어 진공 건조를 위해 다른 단계 또는 다른 장치가 부가될 수 있다.
전술한 예에서, 레지스트는 스핀 코팅에 의해 도포된다. 택일적으로, 모세관 코팅 및 스캔 코팅과 같은 다른 적절한 기술이 사용된다.
전술한 예에서, 불필요한 부분 또는 막으로서 기판 주변부의 레지스트 막이 제거된다. 그러나, 주변부 이외의 다른 부분이 제거될 불필요한 부분 또는 막으로 선택될 수 있다.
전술한 예에서, 정방형 기판이 처리되었다. 그러나, 본 발명은 선택적 노광수단 및 선택적 현상/제거 수단을 제공함으로써 다른 소정의 형태의 기판에 적용할 수 있다.
전술한 예에서, 광 조사 기구는 (고정된) 광 마스크 블랭크와 관련하여 스캐닝 수단에 의해 이동된다. 택일적으로, 스캐닝 수단은, 광 마스크 블랭크가 (고정된) 광 조사 기구와 관련하여 이동되도록 광 마스크 블랭크를 지지하는 지지수단에 연결된다.
전술한 예에서, EB 리소그래피/노광 레지스터가 언급된다. 여기에 한정되지는 않지만, 레지스트는 레이저 리소그래피/노광 레지스트일 수도 있다. 더욱이, 레지스트는 소정 용도 또는 종류일 수도 있으며 소정의 노광 광원용 레지스트일 수도 있다.
전술한 바로부터, 본 발명은 레지스트 코팅된 기판을 제조하는 방법을 포함하는데, 이 방법은 광학적 단계로서 기판 상에 박막을 형성하는 박막 형성 단계, 기판 상에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 단계, 기판 상에 도포된 레지스트를 열처리하는 베이킹 단계(도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹)), 및 기판 상에 형성된 레지스트 막을 선택적으로(부분적으로) 제거하는 레지스트 막 제거 단계를 포함하며;
현상액에서 용해도 또는 용해 속도의 차이가 레지스트 막 제거 단계에서의 현상시, 노광부와 비노광부 사이에서 얻어지도록, 도포 단계 이후 그리고 베이킹 단계(프리베이킹 또는 소프트 베이킹) 이전에 레지스트 막이 선택적으로(부분적으로) 노광된다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따라, 주변부의 불필요한 막은, 화학 증폭 레지스트의 경우에 필수적으로 여겨졌던 노광후 베이킹 처리 없이 현상에 의해 제거될 수 있다. 다시 말해, 도포후 베이킹과 무관하게 노광후 베이킹 처리를 위한 단계 또는 기구를 포함하는 것은 필수적이지 않다. 따라서, 화학 증폭 레지스트의 도포를 위해, 노광후 베이킹 처리를 위한 단계 또는 기구가 필수적이다. 결국, 공정 단계 및 장치를 간략화하여 생산비를 감소시키는 것이 가능하다.
본 발명의 방법에서, 심지어 폴리머형 EB 리소그래피/노광 레지스트가 원자외선 영역에 대한 감광도가 낮은 경우라도, 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막은 레지스트가 도포된 후 그리고 도포후 베이킹(프리베이킹 소프트 베이킹)이 행해지기 이전에 불필요한 레지스트 막을 부분적으로 노광시킴으로서 부분적으로 제거할 수 있다.
더욱이, 본 발명의 방법에서, (소정 종류의) 레지스트가 도포된 후 그리고 도포후 베이킹(프리베이킹 또는 소프트 베이킹)이 행해지기 전에 불필요한 레지스트 막을 선택적으로 노광시킴으로써, 노광이 도포후 베이킹 이후에 행해지는 경우와 비교하여, 적은 노광 에너지로 노광이 실행될 수 있다.
본 발명의 실시에 의해, 노광후 베이킹 처리를 하지 않고도 현상에 의해 기판 주변부의 불필요한 레지스트 막을 제거할 수 있다.

Claims (13)

  1. 장방형 기판 상에 노광광에 대해 광학적 변화를 일으키는 박막을 형성하는 박막 형성 단계;
    상기 박막 상에 양성 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 단계;
    상기 박막 상에 도포된 상기 레지스트를 열처리 하는 베이킹 단계; 및
    상기 기판 주변부에 형성된 레지스트 막을 제거하는 제거 단계를 포함하며,
    상기 제거 단계는 상기 레지스트 도포 단계 이후 및 상기 베이킹 단계 이전에 상기 기판 주변부의 레지스트 막을 노광시킴으로써 상기 제거 단계에서 뒤이어 행해지는 현상시, 노광부에 현상액을 선택적으로 제공하여 노광부와 비노광부 사이의 상기 현상액의 용해도 또는 용해 속도의 차가 얻어지도록 하는 광 마스크 블랭크 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 현상에 의한 상기 제거 단계는 상기 베이킹 단계 이전 또는 이후에 행해지는 것을 특징으로 하는 광 마스크 블랭크 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광 마스크 블랭크는 상기 광 마스크 블랭크와 커버 부재 사이에 예정된 거리를 갖고 상기 커버 부재에 의해 적어도 상기 광 마스크 블랭크의 주변부가 커버링되며,
    상기 예정된 거리는, 상기 현상액이 모세관 작용에 의해 상기 예정된 거리로한정된 갭에 제공될 때, 상기 갭에만 충전되도록 선택되며, 상기 현상액은 상기 기판 주변부에 형성된 상기 레지스트 막이 제거되도록 상기 광 마스크 블랭크의 주표면 상의 현상액 공급 영역을 한정하는 상기 갭에 제공되는 것을 특징으로 하는 광 마스크 블랭크 제조 방법.
  4. 장방형 기판 상에 노광광에 대해 광학적 변화를 일으키는 박막을 형성하는 박막 형성 단계;
    상기 박막 상에 양성 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 단계; 및
    상기 박막 상에 도포된 상기 레지스트를 열처리하는 베이킹 단계를 포함하며,
    상기 기판 주변부의 레지스트 막은 상기 레지스트 도포 단계 이후 및 상기 베이킹 단계 이전에 노광되어, 광 마스크 제조 공정 동안 현상 단계에서 상기 기판 주변부의 상기 레지스트 막이 마스크 패턴의 형성과 동시에 제거되는 광 마스크 블랭크 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레지스트 도포 단계는,
    상기 장방형 기판 상에 상당한 양의 레지스트 용액을 분산시키고 상기 레지스트의 균일한 두께를 얻기 위해 상기 기판을 예정된 주회전 시간 동안 예정된 주회전 속도로 회전시키는 평탄화 단계, 및 상기 평탄화 단계 이후에 상기 균일한 두께를 갖는 상기 레지스트를 건조시키기 위해 예정된 건조 회전 시간 동안 상기 주회전 속도 보다 늦은 예정된 건조 회전 속도로 상기 기판을 회전시키는 건조 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 마스크 블랭크 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레지스트는 화학 증폭 레지스트인 것을 특징으로 하는 광 마스크 블랭크 제조 방법.
  7. 광 마스크 블랭크의 표면 상에 형성된 양성 레지스트 막으로부터 불필요한 막으로서 기판 주변부에 형성된 불필요한 부분을 제거하는 불필요한 막 제거 장치로서,
    상기 기판 주변부에 형성된 상기 양성 레지스트 막의 상기 불필요한 부분을 노광시키는 노광 수단;
    상기 양성 레지스트 막을 열처리하는 베이킹 수단; 및
    상기 양성 레지스트 막이 제거될 상기 기판의 레지스트 제거 영역에 현상액을 선택적으로 제공하고 현상에 의해 상기 불필요한 막을 제거하는 제거 수단을 포함하는 불필요한 막 제거 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제거 수단은,
    상기 광 마스크 블랭크를 수평으로 지지하여 광 마스크 블랭크가 수직축을 중심으로 회전할 수 있도록 하는 지지수단, 적어도 상기 광 마스크 블랭크의 주변부를 커버링하고 상기 광 마스크 블랭크의 주표면과 상기 커버 부재 사이의 거리를조절하는 거리 조절 부재가 제공되어, 상기 현상액이 상기 거리에 의해 한정된 갭에 제공될 때, 상기 현상액이 상기 갭에만 충전되도록 하는 커버 부재, 및 상기 현상액을 상기 갭에 제공하는 현상액 제공 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불필요한 막 제거 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 노광 수단은,
    상기 광 마스크 블랭크를 수평하게 지지하여 상기 광 마스크 블랭크가 축을 따라 선형적으로 스캐닝되도록 하는 지지수단, 상기 광 마스크 블랭크의 주변부에 광을 조사하는 노광 수단, 및 상기 노광 수단과 상기 지지수단 중 하나 또는 둘 다를 구동시켜서 상기 노광 수단이 상기 광 마스크 블랭크이 주변부를 따라 스캐닝하도록 하는 구동 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불필요한 막 제거 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 구동 수단은 스캐닝 속도를 변화시켜 상기 노광 수단에 의해 방사된 광의 축적되거나 집약된 에너지가 상기 광 마스크 블랭크의 주변부에 형성된 상기 불필요한 막의 두께에 무관하게 변화되도록 하는 스캐닝 속도 조절 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불필요한 막 제거 장치.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레지스트는 화학 증폭 레지스트인 것을 특징으로 하는 불필요한 막 제거 장치.
  12. 장방형 기판 및 노광광에 광학적 변화를 일으키는, 상기 기판 상에 형성된 박막을 구비한 포토 블랭크의 주표면 상에 양성 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 장치; 및
    청구항7항 내지 11항 중 어느 하나에 설명된 불필요한 막 제거 장치를 포함하며,
    상기 불필요한 막 제거 장치는 상기 노광 수단, 상기 제거 수단 및 상기 베이킹 수단이 이 순서로 상기 광 마스크 블랭크의 이송 라인을 따라 배치되도록 구성된 것을 특징으로 하는 포토 블랭크 제조 장치.
  13. 장방형 기판 및 노광광에 광학적 변화를 일으키는, 상기 기판 상에 형성된 박막을 구비한 포토 블랭크의 주표면 상에 양성 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 장치; 및
    청구항7항 내지 11항 중 어느 하나에 설명된 불필요한 막 제거 장치를 포함하며,
    상기 불필요한 막 제거 장치는 상기 노광 수단, 상기 베이킹 수단 및 상기 제거 수단이 이 순서로 상기 광 마스크 블랭크의 이송 라인을 따라 상부면으로부터 하부면을 향해 배치되도록 구성된 것을 특징으로 하는 포토 블랭크 제조 장치.
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