JP2000508118A

JP2000508118A - 駆動電流を制御するための半導体ウェハの処理方法

Info

Publication number: JP2000508118A
Application number: JP9535272A
Authority: JP
Inventors: フルフォード・ジュニア，エイチ・ジム; リスターズ，デリック
Original assignee: Advanced Micro Devices Inc
Current assignee: Advanced Micro Devices Inc
Priority date: 1996-03-29
Filing date: 1997-03-12
Publication date: 2000-06-27
Also published as: KR19990087560A; EP0890188A1; US5943550A; WO1997037380A1

Abstract

(57)【要約】トランジスタの駆動電流は、集積回路のパラメータに基づき、半導体基板ウェハにわたって露光を変化させることによって制御される。露光を変化させる基礎となる集積回路パラメータは、ゲート酸化物の厚み、高速アニール（ＲＴＡ）温度、ポリのエッチング傾向などを含む。

Description

【発明の詳細な説明】駆動電流を制御するための半導体ウェハの処理方法技術分野本発明は半導体基板上に集積回路を製造する方法に関する。より特定的には、本発明は集積回路のパラメータに基づきウェハに対する露光を変化させることによりトランジスタの駆動電流の制御を向上させる、製造方法に関する。背景技術リソグラフィプロセスでは、フォトレジストは薄膜として基板に塗布され、その後マスクを通して露光される。マスクは、フォトレジスト層において形成されるパターンを規定する透明な特性の部分と不透明な特性の部分を含む。フォトレジスト層において露光された領域は、現像液と呼ばれる特定の溶媒に対し溶性または不溶性となる。現像後フォトレジストにより覆われていないシリコン酸化物の領域は、エッチングにより除去され、酸化物層においてマスクパターンを複製することになる。フォトレジストは２つの機能を有する、すなわち、露光の放射に反応してフォトレジストにおいてマスク像を複製する機能、および続けて行なわれる処理中、残されたフォトレジストの領域において下層の基板を保護する機能である。集積回路において製造されるトランジスタの性能は、リソグラフィプロセスを用いて形成される構造の精密さ、および処理中の種々の物理的パラメータの適用に大きく依存する。たとえば、ゲート酸化物の厚み、ポリシリコンのエッチング傾向および短時間アニール（ＲＴＡ）温度の可変性はすべて、トランジスタの駆動電流の変化につながる。駆動電流とはトランジスタのソースからドレインへと流れる電流のことであり、トランジスタの速度性能を表わすものである。半導体ウェハにわたってトランジスタの駆動電流が均一であれば、トランジスタの速度もウェハにわたって均一となり、駆動電流が高いという条件においてさえ、リーク電流が低くなる。他方、ウェハにわたって駆動電流が非均一である場合、結果としてＩ_ccスタンバイ電流が高くなり、リーク電流も高くなり、集積回路の消費電流も高くなる。今までは、駆動電流の変化を生じさせる、ゲート酸化物の厚み、ポリシリコンのエッチング傾向および短時間アニール（ＲＴＡ）温度といったパラメータの可変性を減じることによって、駆動電流の均一性が追求されてきた。しかしながら、こういったパラメータの可変性を減じることは困難である。駆動電流の変化をもたらすパラメータの可変性を減じることによって達成されるものを超える、駆動電流の均一性を促進する方法が必要である。駆動電流の分布が緊密であり、ウェハ全体を通して駆動電流が非常に均一的である集積回路もまた必要である。半導体ウェハ全体を通して駆動電流が均一である集積回路を信頼性高く製造する方法もまた必要である。発明の開示本発明に従い、トランジスタの駆動電流は、集積回路のパラメータに基づき半導体基板ウェハにわたる露光を制御可能に変化させることにより、制御される。露光を変化させる基礎となる集積回路のパラメータは、ゲート酸化物の厚み、短時間アニール（ＲＴＡ）温度、ポリのエッチング傾向などを含む。本発明のある実施例では、半導体ウェハは複数の領域に分割され、その複数の領域の各々において露光が個々にかつ独自に制御されるフォトリソグラフィプロセスが適用される。本発明のある実施例では、放射状のパターンにおいて露光の強度を変化させて露光がウェハの中央部から端部に向かって変化するように露光が制御されるフォトリソグラフィプロセスが適用される。本発明のある実施例に従い、集積回路の製造中に半導体ウェハにおける駆動電流の空間的分布を制御する方法は、駆動電流に影響を及ぼすパラメータの半導体ウェハにおける空間的分布を決定するステップと、パラメータの駆動電流に対する効果を決定するステップと、パラメータの効果が相殺されるように、半導体ウェハにおける空間的分布内で変化するように半導体ウェハを露光するステップとを含む。上記の半導体処理方法により多数の利点が得られる。ある利点は、半導体ウェハを通して駆動電流がほぼ一定になることである。半導体ウェハのサイズが増大しウェハの直径が８から１０、１０から１２インチへと変化するに従い、ゲート酸化物の厚み、ポリシリコンのエッチング傾向およびＲＴＡ温度といったパラメータのウェハにおける可変性は増大し、結果として駆動電流の変化が大きくなる。図面の簡単な説明新規性があると考えられる本発明の特徴は、添付の請求の範囲において具体的に述べられている。しかしながら、本発明そのものはその構造および動作方法双方について、以下の詳細な説明および添付の図面を参照することにより理解は最大になるであろう。図１は、典型的なフォトレジストプロセスのステップを示すフローチャートである。図２は、ＭＯＳトランジスタを含む半導体ウェハの断面図である。図３は、ウェハ上のゲート酸化物の厚みの分布を示す、半導体ウェハの上面図である。図４は、ウェハ上のゲート酸化物の厚みの分布を示す、半導体ウェハの断面図である。図５は、ウェハにわたる駆動電流の均一性を制御するための、ウェハ上のゲート酸化物の厚みの分布およびリソグラフィにおける露光の分布を示すグラフである。図６は、ウェハ上のポリシリコンのエッチング傾向の分布を示す半導体ウェハの上面図である。図７は、ウェハにわたる駆動電流の均一性を制御するための、ウェハ上のポリシリコンのエッチング傾向の分布およびリソグラフィにおける露光の分布を示すグラフである。図８は、ウェハ上の短時間アニール（ＲＴＡ）の分布を示す半導体ウェハの上面図である。図９は、ウェハにわたる駆動電流の均一性を制御するための、ウェハ上の短時間アニール（ＲＴＡ）温度の分布およびリソグラフィにおける露光の分布を示すグラフである。図１０は、半導体ウェハ上の複数のトランジスタ装置に対する駆動電流の値の分布を示すグラフである。図１１は、ウェハにわたる駆動電流の均一性を制御するためにリソグラフィにおける露光の分布を決定するための、電流密度に影響を及ぼすパラメータの複数の分布を示すグラフである。図１２は、露光を行なうための装置の走査パターンを示す、半導体ウェハの上面図である。図１３は、ウェハが複数の領域に分割されていることを示す、半導体ウェハの上面図である。図１４は、集積回路製造中に、半導体ウェハにおける駆動電流の空間的分布を制御するための方法を示すフローチャートである。発明を実施するためのモード図１を参照すると、典型的なフォトレジストプロセス１００のフローチャートが示されており、このフォトレジストプロセス１００は、任意の基板洗浄ステップ１１０、スピンコーティングステップ１１２、プリベークステップ１１４、露光ステップ１１６、任意の露光後処理ステップ１１８、現像ステップ１２０、任意のスカム除去ステップ１２２、ポストベークステップ１２４、ポリシリコンエッチングステップ１２６、およびフォトレジスト剥離ステップ１２８を含む。任意のステップは材料によっては処理の際に使用されないものである。フォトレジスト処理において生じる問題の多くは、半導体ウェハの表面の汚れまたは汚染が原因である。基板洗浄ステップ１１０を用いてウェハ表面を洗浄することによって、リソグラフィプロセスに悪影響を及ぼす基板表面の汚れを解消する。基板表面の汚れによって生じる問題には、密着性の不十分さ、ピンホールおよび不透明なスポットといった欠陥、線幅制御の低下、またはあるパターン成分の全体の欠損を含む。基板洗浄ステップ１１０は、ＶＬＳＩ製造におけるほとんどの表面については任意である。なぜなら、多くの表面は熱酸化または減圧蒸着技術によって形成されるため、表面は形成直後は最も汚れていないからである。処理を表面形成直後に行なうのであれば、基板の洗浄ステップ１１０は不要である。基板の洗浄ステップ１１０を脱水ベークと組合せて基板の表面が大気中から急速に吸収する水分を取除く場合もある。脱水ベークは、大気圧で、および３つの温度状態すなわち表面の水分子を除去するための１５０-２００℃、水和の弱く保持された水を放出するための４００℃および全体的な脱水のための約７５０ ℃で行なわれる。基板の洗浄ステップ１１０にはまた、典型的にはスピンコーティングまたは蒸気プライムといった、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などの接着性向上を意図する材料のプリレジストコーティングとともにプライマーを塗布するプライムステップが関連している。スピンコーティングステップ１１２では、基板ウェハはフォトレジストでスピンコーティングされ、ウェハ全体にわたり所望の厚みを有する均一的で密着性が高く欠陥のないポリマー膜が形成される。フォトレジストが円形の基板ウェハに塗布され、ウェハはフォトレジストが本質的に乾燥するまで急速回転される。スピンコーティングにより、フォトレジスト膜は一般的にウェハにわたりおよそプラスマイナス１００Åで均一的に分布することになる。スピンコーティングステップ１１２は３つの段階すなわち、レジスト溶液をウェハに与えること、ウェハを迅速に角度に関し加速（たとえば約２０，０００ｒｐｍ/ｓｅｃ）して最終的な回転速度とすること、および一定の角速度（たとえば２０-３０秒間に３０００から７０００ｒｐｍ）で回転させて所望の厚みにしフォトレジスト膜を乾燥させることを含む。フォトレジストの粘性および膜の厚みは温度に依存するため、温度は基板ウェハ、フォトレジスト、およびスピナのハードウェアを熱的に平衡状態に維持してスピンコーティング中プラスまたはマイナス１℃になるように制御される。プリベークステップ１１４は、ソフトベークの手順であり、フォトレジストでコーティングされたウェハは予め定められた温度にさらされる。プリベークステップ１１４は回転によって塗布されたフォトレジストから溶媒を取除き、フォトレジストの密着性を向上させ、スピンプロセス中に受けるせん断力により生じる応力を強化するために行なわれる。ソフトベークの程度は、温度、ベーク時間およびベーク装置に依存し、フォトレジストの残余の溶媒含有量を決定するものである。現像液によるフォトレジストへの侵食の速度は溶媒の濃度に大きく依存する。一般的には、残余の溶媒が多いほど、現像液における溶解速度は増すため、ソフトベークが不十分なウェハは、ウェハの露光された領域および露光されない領域双方において現像液による侵食を受けることになる。ソフトベークは露光および現像と密接につながっている。ソフトベークは一般的に、対流、赤外線（ＩＲ）およびホットプレートオーブンにおいて行なわれる。ソフトベークでは非常に清潔な中で、均一的で制御された温度を生み出そうとするものである。露光ステップ１１６は、ウェハのフォトレジストコーティングおよびソフトベークの後に行なわれるものであり、ウェハは何らかの形式の放射による露光を受け、レジストにおいて潜像が形成される。露光の程度はフォトレジストに衝突するエネルギの量を調整することによって制御される。露光エネルギは、放射源の強度と露光時間との積である。露光ステップ１１６は以下の理由によりフォトレジスト処理においては重要なステップである。第１に、露光はウェハが個別に処理される結像シーケンスにおけるステップであり、そのため、露光プロセスが長くなれば他のフォトレジスト処理ステップに関しスループットが制限されることになり得る。露光中の処理のスループットを高めようと試みると一般的には、解像度が低下する。長い露光時間およびその結果として生じるスループットの低下は、解像度の高いフォトレジストにおいて典型的なものである。露光ステップ１１６中、フォトレジストにおいて光化学変換が発生する。最適化された露光プロセスの目的は、高い再現性を保つ一方で最短時間で所望の光化学効果を得ることである。露光ステップ１１６の最適化は、フォトレジストプロセス１００の他のステップと大いに関連する。特に、露光ステップ１１６の最適化は、レジストの最適の厚みを決定し、この最適の厚みをウェハにわたっておよび製造される複数のウェハの中で均一にすることに依存する。露光ステップ１１６はまた、露光条件を補足するソフトベークプロセスの選択、ならびにマスクおよび露光用具に関する線幅の仕様および寸法の許容度の決定に依存する。露光ステップ１１６はさらに、現像液の濃度、温度、攪拌要求の確立、およびフォトレジストプロセス１００の他のステップに基づくポストベーク条件の選択に依存する。フォトレジストプロセス１１６はさらに、フォトレジストエッチングプロセスの仕様に依存する。フォトレジストの厚みが変化すると、線幅が変化する。たとえば、フォトレジストの厚みが２０％変化すると、結果として実際上許容可能である０．２５μｍという線幅の変化が生じる。しかしながら、ランプ強度および現像液濃度といった線幅に影響を及ぼす他のパラメータも一般的には可変性がある。もしこういったパラメータすべてが最悪の場合の変化を示すのであれば、線幅は累積的に増加し、フォトレジストの厚みの２０％の変化は、許容可能なフォトレジストプロセスの変化の組の一部として容認できないものになる。露光ステップ１１６の結果はさらに、化学光波がフォトレジスト膜を通して基板まで伝搬し基板から反射してフォトレジストを通過する際に生じる定在波によってさらに可変性になる。反射した波は入射する波に対し建設的におよび破壊的に干渉して、λ／４ｎの間隔で露光の強いおよび露光の弱いゾーンを生み出す。 λは照射の波長であり、ｎはフォトレジストの屈折率である。定在波は、光の強度がフォトレジストにおいて周期的に変化するとフォトレジストは層の厚みを通して非均一的なエネルギのドーズ量を受取るために不利である。定在波はまた、フォトレジストが段差にまたがる際に線幅の変化を不利にもたらす。その原因は、フォトレジストの異なる厚みにおける干渉効果によりフォトレジストに結合される全エネルギの変化である。光の強度の周期的変化および線幅の変化双方がフォトレジストの解像度の損失につながる。フォトレジストの線幅の変化は、フォトレジストの厚みが大きく変化する段差付近では制御が最も困難である。こうした変化の原因は、フォトレジストの異なる厚みにおいてフォトレジストに結合されるエネルギの相違、回折および反射を原因とする段差での光の散乱、ならびに定在波効果である。段差上での線幅の変化を減少させるためのある技術は、フォトレジストを透過する放射のほとんどを吸収する反射防止膜（ＡＲＣ）の使用を含む。基板から反射される放射ははるかに少ないために定在波効果は実質的に減じられる。形態的（topographical）な特徴からの散乱もまた抑制される。ＡＲＣはウェハの形態（topography）を部分的に平坦化し、段差上の線幅変化をさらに向上させる。しかしながら、ＡＲＣの使用にもまた欠点がある。特にＡＲＣの使用を通して２つの余分なプロセスステップが必要になる。すなわち、フォトレジストのスピン前のＡＲＣのスピンコーティング、およびフォトレジストのスピン前のＡＲＣのプリベークである。ＡＲＣを用いる場合には任意の露光後処理ステップ１１８が必要になる。露光後処理ステップ１１８はパターンのＡＲＣへの転写を含む。現像ステップ１２０では、フォトレジスト膜が現像され、その後のエッチング、イオン注入、リフトオフなどのためのマスクの役割を果たす像が残される。現像ステップ１２０では、特定のパターン寸法を正確に生み出す一方で、露光を受けていないレジストの元の厚みを大きく減少させずに残そうとする。現像ではパターンの歪みまたは膨らみは最小でなければならず、現像時間は１分未満という短い時間でなければならない。現像は一般的に、浸漬、スプレーまたはパドル現像によって行なわれる。浸漬現像は、ウェハを現像液槽に浸漬させ、特定時間特定温度でウェハを撹拌することを含む。スプレー現像は、現像液を回転しているウェハに噴射し、現像液の制御された部分がウェハから流れ出るようにすることを含む。パドル技術は、一定量の現像液を静止しているウェハに与えることによって行なわれる。現像ステップ１２０は一般的に、現像液濃度、現像液温度および現像液攪拌方法について最適化される。任意のスカム除去ステップ１２２は、たとえば数百Åの領域といった小さな望ましくない領域におけるごく少量のフォトレジストを除去するのに使用される、緩やかなプラズマ処理である。スカム除去ステップ１２２を用いて、現像ステップ１２０中には除去不可能なフォトレジストが取除かれる。ポストベークステップ１２４中、フォトレジストは現像後かつエッチング前に、より高い温度にさらされ、残余の溶媒が除去されて密着性が向上し、フォトレジストのエッチ抵抗が増大する。ポリシリコンはエッチングステップ１２６でエッチングされ、フォトレジストはフォトレジスト剥離ステップ１２８で除去される。図２を参照して、半導体ウェハ２００の断面は、半導体基板２２０、ソース拡散２２２、ドレイン拡散２２４およびゲート酸化物層２２８から形成されるゲート２２６を含むＭＯＳトランジスタ２１０を示す。ＭＯＳトランジスタ２１０は、ゲート２２６の側面でスペーサ酸化物２３２から形成されたスペーサ２３０を有する。低濃度にドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域２３４は、スペーサ２３０の下の基板２２０に拡散する。図３および４を参照して、これらはそれぞれ半導体ウェハ３００の上面図および断面図であり、ウェハ３００上のゲート酸化物の厚みの分布３１０を示している。半導体処理技術ではいくつかのゲート酸化物の厚みの測定方法が既知である。たとえば、ゲート酸化物の厚みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を用いて測定される。電子顕微鏡は電子のビームを用いてサンプルを調査し、光学顕微鏡を用いた場合よりも高い倍率を達成する。他の実施例では、ゲート酸化物の厚みは光干渉法を用いて測定され、この場合、分光光度計がＵＶから可視域（４８０−７９０ｎｍ）の入射光ビームを与える。光の入射波長を、入射角を一定に保って変化させる。反射した光の強度は、波長の関数として測定される。ゲート酸化物の厚みはまた、酸化物の厚みを測定するための非破壊的な光技術、および測定波長での光の屈折率を与える楕円偏光法を用いて測定し得る。楕円偏光技術は、光が表面から反射するときの光の偏光状態における変化を利用する。偏光状態は、放射の平行および垂直成分の相対的な大きさにより、かつ平行および垂直成分間の相の相違により決定される。偏光の変化は、シリコンの光学定数、光の入射角、酸化膜の光学定数、および酸化膜の厚みに依存する。基板の光学定数が既知であり、膜がテスト波長で非吸収性であれば、反射ビームの偏光状態は、ゲート酸化膜の光学定数および厚みに依存する。他の実施例では、ゲート酸化物の厚みは、キャパシタンス法を用いて測定されるが、ＭＯＳキャパシタの形成が必要である。ゲート酸化物の厚みは、測定された酸化物のキャパシタンス、ゲートの面積、ゲートのシリコン二酸化物の誘電率、および自由空間の誘電率の関数として決定される。さらに他の実施例では、ゲート酸化物の厚みは、種々の酸化物の厚みが楕円偏光法または光干渉により成長させられ測定される、酸化膜カラーチャートを用いて測定できる。カラーチャートは、厚みのサンプルから準備され、ゲート酸化物のサンプルと比較される。装置の動作にとっては、欠陥がなく、薄く（１５−１００ｎｍ）、高品質で、汚染されていず、厚みが均一であるゲート酸化物の成長が重要である。ＭＯＳトランジスタにおけるドレイン電流はゲートの厚みに反比例するため、ゲート酸化物は通常、酸化物のブレークダウンおよび信頼性を考慮して、できる限り薄くされる。しかしながら、ゲート酸化物の厚みは一般的に、ウェハ３００にわたり一定ではなく、その代わりに、種々の複数の酸化物成長パラメータにより決定されるパターンを有する。そのパラメータは、ウェハにおけるシリコンの結晶の配向、シリコンドーピングレベル、酸化物の気相におけるハロゲン不純物（例としてＣｌ、ＨＣｌ、ＴＣＡ、ＴＣＥ）の存在、成長圧力、成長中のプラズマの存在、および成長中の光子の束の存在である。これらのパラメータは、半導体処理装置のタイプ、種々の化学物質、ならびに処理中に使用される温度および圧力といった物理的パラメータに大きく依存する。したがって、ゲート酸化物の厚みの分布３１０は種々の異なる形式をとり得る。図３および４に示された例では、円形のディスクウェハ内の成長圧力および温度分布などの種々のパラメータは、ゲート酸化物の厚みの放射状のパターンの結果として生じ得る。ゲート酸化物の厚みの放射状の分布は、気流、温度および圧力の変化を含む処理中に生じる種々の非均一性の結果である。ゲート酸化物の厚みの分布３１０の形式に影響を与える第２のパラメータは、高圧での対流の結果生じる温度の非均一性であり、結果として厚みが均一でなくなる。均一性に欠ける厚みは、図３に示されており、形態上の（topographical）厚みの線３１２は放射状の分布３１０と交差する。ある処理装置では、ウェハ３００の片側で気流を生じさせる垂直方向に配置された炉により、斜めの形態上の厚みの線３１２が生じる。処理システムによっては、形態上の厚みの線３１２が放射状のゲート酸化物の厚みの分布３１０より優勢になる場合がある。図５を参照して、グラフは、半導体ウェハ上のゲート酸化物の厚みの分布５１０、およびリソグラフィ露光の分布５２０を示している。この例では、ゲート酸化物の厚みは、半導体ウェハ３００にわたり、おおよそ半導体ウェハディスクの中央部での７０Åという厚みから、ディスクの外端部での約７４Åという厚みまで変化する。トランジスタ装置の駆動電流はゲート酸化物の厚みに従って変化する。厚みの大きなゲート酸化物の層は、厚みの小さな層と比較して、トランジスタのチャネル領域に同量の電荷を注入するにはより大きな電圧が必要であり、結果として駆動電流が減少する。したがって、ゲート酸化物の厚みが大きいほど駆動電流は減少し、ゲート酸化物の厚みが小さいほど駆動電流は増大する。ゲート酸化物の厚みの増大は、トランジスタに対する露光の増大によりチャネル幅を減少させることによって補償される。したがって、半導体基板上の厚いゲート酸化物の領域に対する露光を増大し、厚い酸化物領域におけるトランジスタ装置のチャネル幅を減少させて、この領域における駆動電流を増大し、半導体ウェハ全体にわたる駆動電流をほぼ一定にする。露光は半導体ウェハ３００にわたり制御されてウェハ３００にわたる駆動電流の均一性を向上させる。従来の半導体処理では、処理ロットにおけるすべてのウェハに対し、ウェハのすべての場所で同じ露光を行なっている。図５は、本発明のある実施例において、露光を半導体ウェハ３００を通して変化させて駆動電流をウェハ３００にわたって均一にしている。具体的には、ウェハ３００に対する露光は、ゲート酸化物の厚みが小さなウェハ３００の中央部では小さく、半導体ウェハ３００の周辺部に向かいゲート酸化物の厚みが増大するのに比例して放射方向に大きくされている。この態様で、半導体ウェハ３００に対する露光を変化させてゲート酸化物の厚みの相違を補償している。駆動電流に対するゲート酸化物の厚みの効果は、半導体ウェハにおける種々の位置において複数のトランジスタ装置の駆動電流を測定し、測定した駆動電流を半導体ウェハの対応する位置で測定されたゲート酸化物の厚みに関連付けることによって決定される。図６を参照して、半導体ウェハ６００の上面図は、ウェハ６００上のポリシリコンのエッチング傾向分布６１０を示している。ポリシリコンのエッチング傾向は、エッチングされた構造とマスク構造との間の横方向の寸法の相違である。したがって、エッチング傾向はエッチングの均一性の尺度となる。ポリシリコンのエッチング傾向の変化は、チャネル幅、ソースおよびドレイン拡散位置などのトランジスタ構造における寸法上の可変性につながり、最終的には半導体ウェハ６００にわたる駆動電流が非均一的になる。ポリシリコンのエッチング傾向は一般的には、ウェハ６００にわたって非均一であり、複数の種々のパラメータにより決定されるパターンを有する。こうしたパラメータは、温度、プラズマ密度、および気流の変化を含む。パラメータはまた、ローディング効果、ウェハ上のポリシリコン堆積の均一性、半導体ウェハ６００上のフォトレジストコーティングの均一性も含む。たとえば、ポリシリコンの構造および特性は、堆積温度、ドーパントタイプおよび濃度、ならびにその後の熱サイクルに実質的に依存する。これらパラメータは一般的に、ポリシリコンの結晶または非品質特性を決定する。さらに、フォトレジストは典型的に、フォトレジストによるウェハ６００のスピンコーティングから生じる、半導体ウェハ６００にわたる非均一的な厚みを有する。図６に示した例では、ポリシリコンおよびフォトレジストの厚みの均一性の変化が組合わさって結果として、ポリシリコンのエッチング傾向が半導体ウェハディスク６００の中央部に向かって大きくなり、中央部からの半径距離がディスクの端部に向かって増大するにつれて実質的に単調に減少するという、放射状のポリシリコンのエッチング傾向の可変性が生じる。図６に示したポリシリコンのエッチング傾向の分布６１０に従うと、半導体ウェハ６００を放射状に分割して、露光制御して放射状パターンにおける露光強度を変化させ、露光がウェハ６００の中央部６１４から端部６１２に向かって変化するようフォトリソグラフィプロセスを適用できる。ある実施例では、ポリシリコンのエッチング傾向は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を用いて測定される。電子顕微鏡は電子ビームを用いてサンプルを調査し、光学顕微鏡を用いて可能な場合よりも高い倍率を達成する。図７を参照して、グラフは、半導体ウェハ６００上のポリシリコンのエッチング傾向の分布７１０およびリソグラフィ露光の分布７２０を示す。この例では、ポリシリコンのエッチング傾向は半導体ウェハ６００にわたり、半導体ウェハディスク６００の中央部での比較的高いエッチング傾向から、ディスクの周辺部での低いエッチング傾向へと変化する。ポリシリコンのエッチング傾向は、トランジスタの駆動電流を制御する。特に、ポリシリコンのエッチング傾向がより大きいほど、駆動電流はより非均一的となり、ポリシリコンのエッチング傾向がより小さいほど駆動電流は半導体ウェハ６００にわたりより均一的になる。露光は、半導体ウェハ６００にわたって制御され、ウェハ６００にわたる駆動電流の均一性を改良する。図７は、本発明のある実施例において、露光を半導体ウェハ６００において変化させてウェハ６００にわたり駆動電流を均一的にすることを示す。具体的には、ウェハ６００に対する露光は、ポリシリコンのエッチング傾向がより大きなウェハ６００の中央部では小さく、半導体ウェハ６００の周辺部に向かってポリシリコンのエッチング傾向が減少するのに比例して放射状に増大する。この態様で、半導体ウェハ６００に対する露光を変化させてポリシリコンのエッチング傾向の相違を補償する。ポリシリコンのエッチング傾向の駆動電流に対する効果は、半導体ウェハ上の種々の位置において複数のトランジスタ装置の駆動電流を測定し、測定した駆動電流を半導体ウェハの対応する位置において測定されたポリシリコンのエッチング傾向測定値と関連付けることによって決定する。図８を参照すると、半導体ウェハ８００の上面図は、ウェハ８００上の短時間アニール（ＲＴＡ）温度を示す。半導体ウェハは集積回路製造中多くの温度上昇ステップにさらされる。集積回路装置は、ウェハにおいて正確に制御されたド一パント領域を形成することによって製造される。熱処理によりドーパントが拡散し、ドーパント濃度および位置の制御が低下する。短時間アニール（ＲＴＡ）は短期間の高温処理であり、所望のプロセス効果を達成する一方でドーパント拡散を減じさせる。最適ＲＴＡ処理は、半導体ウェハ８００にわたって温度が均一かつ一定であるときに達成される。しかしながら、ＲＴＡ処理中半導体ウェハ８００が載置される態様のため、ウェハの加熱および冷却はＲＴＡ温度分布８１０に示すように放射パターンが可変である。可変のＲＴＡ温度分布８１０のある結果は、低濃度にドープされたドレイン（ＬＤＤ）拡散（図２の２３４）のドーパントは、ゲート２２６の下でさらに拡散し、トランジスタにおいて有害な「ホットキャリア効果」を引き起こす。ホットキャリア効果は、インパクトイオン化において生じ、トランジスタのシリコン酸化物に注入されるホットな電子が原因である。ホットな電子はドレイン２２４近くで捉えられ、有効チャネル長Ｌ_effを減少させる。注入され捉えられたホットな電子はまた、トランジスタのしきい値電圧Ｖ_Tの減少をもたらし、さらに、トランジスタのトランスコンダクタンスｇ_mの増大および駆動電流の増大をもたらす。ＲＴＡ温度分布８１０の変化は放射形であり、ＲＴＡ温度は半導体ウェハディスク８００の中央部に向かってより大きくなり、中央部からの半径距離がディスクの端部に向かって増大するにつれて実質的に単調に減少する。図６に示したＲＴＡ温度分布８１０に従うと、半導体ウェハ８００を放射状に分割して、フォトリソグラフィプロセスを適用し、露光を制御して放射パターンにおける露光強度を変化させ、露光がウェハ８００の中央部８１４から端部８１２に向かい変化するようにできる。ある例では、露光を半導体ウェハ８００の放射パターンにおいて制御し、露光を中央領域８３０でたとえば４００ｍＪとし、増分された放射領域８３２では４０２ｍＪの露光を行ない、さらに増分された放射領域８３４では４０４ｍＪの露光を行なう。図９を参照して、グラフは、半導体ウェハ８００上のＲＴＡ温度の分布９１０、およびリソグラフィ露光の分布９２０を示す。この例では、ＲＴＡ温度は半導体ウェハ８００にわたり、半導体ウェハディスク８００の中央部での比較的高いエッジバイアスからディスクの周辺部での低いエッジバイアスへと変化する。ＲＴＡ温度はトランジスタの駆動電流を制御する。特に、ＲＴＡ温度がより高ければ、装置の有効チャネル長Ｌ_effが減少し、トランジスタのしきい値電圧Ｖ_Tが減少し、トランジスタのトランスコンダクタンスｇ_mが増大し、駆動電流が増大する。ＲＴＡ温度がより低ければ、装置の有効チャネル長Ｌ_effが増大し、トランジスタのしきい値電圧Ｖ_Tが増大し、トランジスタのトランスコンダクタンスｇ_m が減少し、駆動電流が減少する。ある実施例では、ＲＴＡ温度は半導体処理技術では既知である、いくつかの熱電対を用いて測定される。熱電対では各端部で２つの異なる金属を用いて電気回路を形成する。２つの接合部が異なる温度を保っていれば、起電力（ＥＭＦ）が接合間で発生する。露光は、半導体ウェハ８００にわたって制御され、ウェハ８００にわたる駆動電流の均一性を高める。図９は、本発明のある実施例において、露光を半導体ウェハ８００にわたり変化させて駆動電流をウェハ８００において均一にする。具体的には、ウェハ８００に適用される露光は、ＲＴＡ温度がより高いウェハ８００の中央ではより低く、半導体ウェハ８００の周辺部に向かってＲＴＡ温度が低下するのに比例して放射方向に増大する。この態様で、半導体ウェハ８００に対して行なわれる露光を変化させてＲＴＡ温度の相違を補償する。ＲＴＡ温度の駆動電流に対する効果は、半導体ウェハ上の種々の位置で複数のトランジスタ装置の駆動電流を測定し、測定した駆動電流を半導体ウェハの対応する位置において測定したＲＴＡ温度と関連付けることによって判断される。図１０を参照して、駆動電流分布グラフ１０００は、半導体ウェハにおける複数のトランジスタ装置についての駆動電流の値の分布を示す。駆動電流分布グラフ１０００の横軸は、複数のトランジスタ装置についての駆動電流値を表わす。駆動電流分布グラフ１０００の縦軸は、特定の駆動電流値を有する装置の数を表わす。従来の駆動電流分布１０１０は、典型的な従来の半導体ウェハの駆動電流分布を示す。向上した駆動電流分布を表わす線１０２０は、露光を制御して駆動電流の均一性を向上させる、半導体ウェハの駆動電流分布を示す。向上した駆動電流分布１０２０は一般的に、平均または公称値１０２２などの中央近似値に関しガウス形状を有する。従来の駆動電流分布１０１０に対する３シグマの統計的尺度１０１２、および向上した駆動電流分布に対する３シグマの統計的尺度１０２４は、制御された露光法により達成される駆動電流分布の簡潔化を表わしている。低い方の仕様限界１０３０および高い方の仕様限界１０３２が指定される。低い方の仕様限界１０３０よりも低い駆動電流を有するトランジスタ装置、および高い方の仕様限界１０３２よりも高い駆動電流を有するトランジスタ装置は廃棄される。開示された処理方法は、典型的には駆動電流分布における変化を１シグマ（１標準偏差）だけ減少させることが予期される。駆動電流分布は密になり、分布の末端はほとんど除去されて、本質的には駆動電流が許容可能な範囲を超えるトランジスタ装置はなくなる。駆動電流分布の変化を実質的にこうして減少させることにより、製造された集積回路は、リーク電流を低レベルに保つ一方で駆動電流を増大させることによってより高速で動作する。特に、向上した駆動電流分布１０２０は公称値１０２２に関して密であり、駆動電流が低い方の仕様限界１０３０を下回る装置はほとんどなくなり、公称値１０２２は、駆動電流が低いために廃棄される装置の数を増大させることなく、増大可能である。この態様で、集積回路の動作周波数は有利に増大する。露光を半導体ウェハを通して変化させて装置の駆動電流を分布全体において増大させ、動作周波数をさらに高めることができる。たとえば、集積回路の動作周波数を数十メガヘルツのオーダの量だけ増大させることができる。このような動作周波数の増大の根拠は、統計学上のパラメータの分析によるものである。１つの統計学上のパラメータは、プロセス特性の分布の幅について許容可能な仕様の、６つの標準偏差に対する比率である、プロセス能力指数Ｃ_pである。プロセス能力指数Ｃ_pは、２面の統計分布に応用できる。もう１つの統計学上のパラメータは、１面のプロセス能力指数Ｃ_pkであり、これは、仕様限界からの距離のプロセス平均に対する比率を、３つの標準偏差で除算したものである。１面プロセス能力指数Ｃ_pkは、低い方の仕様限界１０３０と高い方の仕様限界１０３２とによって区切られた仕様限界内で、半導体ウェハにおける複数の装置に対する駆動電流分布がいかにうまく当てはまるかを表わす。分布のＣ_pk値が大きいほど、規定された仕様に合わない集積回路装置の数は多くなり、より多くの装置が廃棄される。図１１を参照して、グラフは、電流密度に影響を及ぼす、ゲート酸化物の厚み関数５２０、ポリシリコンのエッチング傾向関数７２０およびＲＴＡ温度関数９２０を含む、パラメータにおける変化を補償するための複数の露光関数を表わす。これら露光関数を組合せて、ウェハにわたり駆動電流の均一性を制御するのに適用されるリソグラフィ露光の分布を決定する。半導体ウェハにわたる露光の分布は、複数のパラメータのうち各々のパラメータを補償するために決定される。特に、露光をウェハの中央部から端部に向かって増大させて、図５、７、および９にそれぞれ示された、ゲート酸化物の厚みの分布５１０、ポリシリコンのエッチング傾向分布６１０およびＲＴＡ温度分布９１０各々に対する補償を行なう。シリコン処理方法の他の実施例では、異なる露光分布を適用して種々のパラメータを補償する。ある実施例では、露光をウェハの端部から中央部に向かって増大させる。また、露光分布を対向させて、たとえば露光分布における変化の組合せが部分的または完全に相殺されるようにしてもよい。ある方法の実施例では、露光のパターンは放射パターン以外のパターンでもよい。図１２を参照して、半導体ウェハ１２００の上面図は、露光を適用するための走査装置（図示せず）の走査パターン１２１０を示す。走査装置は半導体処理技術では既知のものであるが、ｘ−ｙ直線パターンでフィールドを走査するためのステッパを含む。走査装置はまた、フィールド内における発光体の位置決め、露光強度またはエネルギ、および走査フィールドにおける各位置での露光時間を制御するコントローラを含む。走査装置をプログラムして、たとえばｍＪで表わされる露光強度、およびたとえば秒で表わされる期間の、適用された走査公式を簡単に保存し修正できる。半導体ウェハを、走査フィールドの各ポイントにおいて適用される照射の強度および期間を個々にかつ独立して設定することにより、この走査パターン１２１０を用いて何らかの態様で半導体ウェハを露光できる。さらに、スキャナのｘ−ｙフィールドにおける距離のステップサイズの選択をプログラム可能にすることによって、より正確な制御が可能である。種々の実施例では、異なるタイプの発光体を用いることができる。フォトリソグラフィ技術を用いて、深い（deep）紫外線照射露光を半導体ウェハに対して行なう。別の実施例では、Ｘ線リソグラフィシステムを用い、光ビームではなくＸ線を用いて適切なフォトレジストを露光する。さらに別の実施例では、ウェハは電子ビームを用いて照射され、電子ビームは通常熱カソードといった単一源から放出される。イオンビームリソグラフィは、電子ビームリソグラフィと同様のものであり、これを用いて半導体ウェハを電子のビームではなくイオンのビームに露出させて、フォトレジスト感度を増大させ書込時間を減少させる。図１３を参照して、半導体ウェハ１３００の上面図は、ウェハ１３００を複数の領域に分割することを示している。半導体ウェハ１３００を複数の領域１３０２に分割する。フォトリソグラフィプロセスを用い、複数の領域１３０２各々における露光を、ウェハ上の位置の関数として個々にかつ独立して制御して、ゲート酸化物の厚み、ポリシリコンエッチバック傾向、短時間アニール温度およびその他のパラメータの結果生じた駆動電流の変化に対処する。領域１３０２に対して行なわれる露光を制御して、単一の処理パラメータまたは複数のパラメータの組合せに対処する。図１４は、フローチャートであり、集積回路の製造中に半導体ウェハにおける駆動電流の空間的分布を制御する方法１４００を示す。第１ステップ１４１０では、ゲート酸化物の厚み、ポリシリコンのエッチング傾向またはＲＴＡ温度などの駆動電流に影響を及ぼすパラメータを、半導体ウェハの複数の場所で測定して、パラメータの空間的分布を決定する。第２のステップ１４２０では、駆動電流に対するパラメータの効果を、一般的にはウェハの種々の位置で駆動電流を測定しこれらの場所での駆動電流を対応する位置でのパラメータの値と関連付けることによって、決定する。ステップ１４３０では、半導体ウェハ上のの空間的分布内で半導体ウェハを照射により露光し、パラメータの効果を相殺させる。本発明は種々の実施例について述べられているが、これらの実施例は例示であり発明の範囲はこれに限定されるものではないことが理解されるだろう。上記の実施例に対する多くの変形、修正例、追加が可能である。たとえば、上記の方法では露光を制御してゲート酸化物の厚み、ポリシリコンのエッチング傾向および短時間アニール（ＲＴＡ）温度などのパラメータの処理における変化に対処している。この方法を適用して、他の処理ステップおよび処理装置などから生じるスペーサエッチの変化や温度の変化を含むその他の処理パラメータにおける変化に対応するように露光を制御できる。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】１９９８年４月１５日（１９９８．４．１５）【補正内容】請求の範囲１．集積回路の製造中に半導体ウェハ（３００）にわたって駆動電流の空間的分布を制御する方法であって、駆動電流に影響を及ぼしかつ照射による露光の関数として補償される駆動電流に対する効果を有する集積回路パラメータの、半導体ウェハ（３００）上における空間的分布を決定するステップと、駆動電流に対するパラメータの効果を決定するステップと、駆動電流に対するパラメータの効果を補償することによって駆動電流を向上させるように、半導体ウェハ上の空間的分布内で照射による露光を位置とともに変化させて半導体ウェハ（３００）を照射によって露光するステップとを含む、駆動電流の空間的分布を制御する方法。２．パラメータはゲート酸化物の厚みであり、ゲート酸化物の厚みの空間的分布を決定するステップは、走査電子顕微鏡写真を用いて半導体ウェハの複数の位置でゲート酸化物の厚みを測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。３．駆動電流に対するパラメータの効果を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で複数のトランジスタ装置の駆動電流を測定するステップと、測定したトランジスタ装置の駆動電流を半導体ウェハの対応する位置で測定したゲート酸化物の厚みと関連付けるステップとを含む、請求項２に記載の方法。４．パラメータはゲート酸化物の厚みであり、ゲート酸化物の厚みの空間的分布を決定するステップは以下のステップより選択されるステップを含み、以下のステップとは、光学干渉法を用いて半導体ウェハの複数の位置でゲート酸化物の厚みを測定するステップ、楕円偏光法を用いて半導体ウェハの複数の位置でゲート酸化物の厚みを測定するステップ、キャパシタンス法を用いて半導体ウェハの複数の位置でゲート酸化物の厚みを測定するステップ、および酸化膜カラーチャートを用いて半導体ウェハの複数の位置でゲート酸化物の厚みを測定するステップである、請求項１に記載の方法。５．パラメータはポリシリコンのエッチング傾向であり、ポリシリコンのエッチング傾向の空間的分布を決定するステップは、走査電子顕微鏡写真を用いて半導体ウェハの複数の位置でポリシリコンのエッチング傾向を測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。６．パラメータはポリシリコンのエッチング傾向であり、駆動電流に対するパラメータの効果を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で複数のトランジスタ装置の駆動電流を測定するステップと、測定したトランジスタ装置の駆動電流を半導体ウェハの対応する位置で測定したポリシリコンのエッチング傾向と関連付けるステップとを含む、請求項５に記載の方法。７．パラメータは短時間アニール（ＲＴＡ）温度であり、ＲＴＡ温度の空間的分布を決定するステップは以下のステップのうち１つを含み、以下のステップとは、熱電対を用いて半導体ウェハの複数の位置でＲＴＡ温度を測定するステップと、半導体ウェハの複数の位置で電気パラメータを測定するステップと、半導体ウェハの複数の位置で抵抗を測定するステップと、半導体ウェハの複数の位置でしきい値電圧を測定するステップと、半導体ウェハの複数の位置でシート抵抗（sheet rho）を測定するステップとである、請求項１に記載の方法。８．パラメータはＲＴＡ温度であり、駆動電流に対するパラメータの効果を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で複数のトランジスタ装置の駆動電流を測定するステップと、測定したトランジスタ装置の駆動電流を半導体ウェハの対応する位置で測定したＲＴＡ温度と関連付けるステップとを含む、請求項１に記載の方法。９．半導体ウェハを照射によって露光するステップは以下のステップのうち１つを含み、以下のステップとは、半導体ウェハをＸ線リソグラフィシステムにおいてＸ線照射によって露光するステップ、フォトリソグラフィシステムにおいて深い（deep）紫外線（ＵＶ）照射によって半導体ウェハを露光するステップ、電子ビーム照射によって半導体ウェハを露光するステップ、および半導体ウェハをイオンビーム照射によって露光するステップである、請求項１に記載の方法。

Claims

【特許請求の範囲】１．集積回路の製造中に半導体ウェハにわたって回路性能の空間的分布を制御する方法であって、回路性能に影響を与えるパラメータの、半導体ウェハ上の空間的分布を決定するステップと、回路性能に対するパラメータの効果を決定するステップと、パラメータの効果が相殺されるように、半導体ウェハ上の空間的分布内で変化するように半導体ウェハを照射によって露光するステップとを含む、回路性能の空間的分布を制御する方法。２．回路性能は駆動電流の測定により明らかになる、請求項１に記載の方法。３．パラメータはゲート酸化物の厚みであり、ゲート酸化物の厚みの空間的分布を決定するステップは、走査電子顕微鏡写真を用いて半導体ウェハの複数の位置でゲート酸化物の厚みを測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。４．パラメータはゲート酸化物の厚みであり、回路性能に対するパラメータの効果を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で複数のトランジスタ装置の回路性能を測定するステップと、測定したトランジスタ装置の回路性能を半導体ウェハの対応する位置で測定したゲート酸化物の厚みと関連付けるステップとを含む、請求項３に記載の方法。５．回路性能は駆動電流の測定により明らかになり、パラメータはゲート酸化物の厚みであり、駆動電流に対するパラメータの効果を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で複数のトランジスタ装置の駆動電流を測定するステップと、測定したトランジスタ装置の駆動電流を半導体ウェハの対応する位置で測定したゲート酸化物の厚みと関連付けるステップとを含む、請求項３に記載の方法。６．パラメータはゲート酸化物の厚みであり、ゲート酸化物の厚みの空間的分布を決定するステップは、以下のステップから選択されるステップを含み、以下のステップとは、光学干渉法を用いて半導体ウェハの複数の位置でゲート酸化物の厚みを測定するステップと、楕円偏光法を用いて半導体ウェハの複数の位置でゲート酸化物の厚みを測定するステップと、キャパシタンス法を用いて半導体ウェハの複数の位置でゲート酸化物の厚みを測定するステップと、酸化膜カラーチャートを用いて半導体ウェハの複数の位置でゲート酸化物の厚みを測定するステップとである、請求項１に記載の方法。７．パラメータはポリシリコンのエッチング傾向であり、ポリシリコンのエッチング傾向の空間的分布を決定するステップは、走査電子顕微鏡写真を用いて半導体ウェハの複数の位置でポリシリコンのエッチング傾向を測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。８．パラメータはポリシリコンのエッチング傾向であり、回路性能に対するパラメータの効果を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で複数のトランジスタ装置の回路性能を測定するステップと、トランジスタ装置の測定した回路性能を半導体ウェハの対応する位置で測定したポリシリコンのエッチング傾向と関連付けるステップとを含む、請求項７に記載の方法。９．回路性能は駆動電流の測定により明らかになり、パラメータはポリシリコンのエッチング傾向であり、駆動電流に対するパラメータの効果を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で複数のトランジスタ装置の駆動電流を測定するステップと、測定したトランジスタ装置の駆動電流を半導体ウェハの対応する位置で測定したポリシリコンのエッチング傾向と関連付けるステップとを含む、請求項７に記載の方法。１０．パラメータは短時間アニール（ＲＴＡ）温度であり、ＲＴＡ温度の空間的分布を決定するステップは、熱電対を用いて半導体ウェハの複数の位置でＲＴＡ温度を測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。１１．パラメータは短時間アニール（ＲＴＡ）温度であり、ＲＴＡ温度の空間的分布を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で電気パラメータを測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。１２．パラメータは短時間アニール（ＲＴＡ）温度であり、ＲＴＡ温度の空間的分布を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で抵抗を測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。１３．パラメータは短時間アニール（ＲＴＡ）温度であり、ＲＴＡ温度の空間的分布を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置でしきい値電圧を測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。１４．パラメータは短時間アニール（ＲＴＡ）温度であり、ＲＴＡ温度の空間的分布を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置でシート（sheet）ｒｈｏを測定するステップを含む、請求項１に記載の方法。１５．パラメータはＲＴＡ温度であり、回路性能に対するパラメータの効果を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で複数のトランジスタ装置の回路性能を測定するステップと、測定したトランジスタ装置の回路性能を半導体ウェハの対応する位置で測定したＲＴＡ温度と関連付けるステップとを含む、請求項１に記載の方法。１６．回路性能は駆動電流の測定により明らかになり、パラメータはＲＴＡ温度であり、駆動電流に対するパラメータの効果を決定するステップは、半導体ウェハの複数の位置で複数のトランジスタ装置の駆動電流を測定するステップと、測定したトランジスタ装置の駆動電流を半導体ウェハの対応する位置で測定したＲＴＡ温度と関連付けるステップとを含む、請求項１に記載の方法。１７．半導体ウェハを照射によって露光するステップは、半導体ウェハをＸ線リソグラフィシステムにおいてＸ線照射によって露光するステップを含む、請求項１に記載の方法。１８．半導体ウェハを照射によって露光するステップは、半導体ウェハをフォトリソグラフィシステムにおいて深い（deep）紫外線（ＵＶ）照射によって露光するステップを含む、請求項１に記載の方法。１９．半導体ウェハを照射によって露光するステップは、半導体ウェハを電子ビーム照射によって露光するステップを含む、請求項１に記載の方法。２０．半導体ウェハを照射によって露光するステップは、半導体ウェハをイオンビーム照射によって露光するステップを含む、請求項１に記載の方法。