JPS63160332A - レジスト除去装置 - Google Patents
レジスト除去装置Info
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- JPS63160332A JPS63160332A JP30981786A JP30981786A JPS63160332A JP S63160332 A JPS63160332 A JP S63160332A JP 30981786 A JP30981786 A JP 30981786A JP 30981786 A JP30981786 A JP 30981786A JP S63160332 A JPS63160332 A JP S63160332A
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- Japan
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- resist
- wafer
- orientation flat
- exposure
- exposed
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- Pending
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体の製造装置に関し、特に半導体のパタ
ーン形成時における半導体の周辺部上のレジストを除去
する装置に関するものである。
ーン形成時における半導体の周辺部上のレジストを除去
する装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、半導体製造技術での微細加工技術の中心となる光
露光技術などの採用によって、ウェハ上に感光性のレジ
ストが塗布されることが多いが、ウェハの周辺部上に形
成されたレジストが、ウェハの取扱い時に他の装置等に
接触して飛散してウェハ上に残ったり、またその装置等
を汚染したりするおそれがある。したがって、ウェハの
周辺部のレジストはパターン形成前には除去する必要が
生じる。
露光技術などの採用によって、ウェハ上に感光性のレジ
ストが塗布されることが多いが、ウェハの周辺部上に形
成されたレジストが、ウェハの取扱い時に他の装置等に
接触して飛散してウェハ上に残ったり、またその装置等
を汚染したりするおそれがある。したがって、ウェハの
周辺部のレジストはパターン形成前には除去する必要が
生じる。
第３図は従来のウェハ周辺部のレジスト除去装置の断面
図であり、第４図はこの平面図である。
図であり、第４図はこの平面図である。
両図において、その上にレジスト４が形成されたオリエ
ンテーションフラット１０を有するウェハ１がチャック
２に吸着されて載置されており、ウェハ１の周辺部にノ
ズル１２が対向している。
ンテーションフラット１０を有するウェハ１がチャック
２に吸着されて載置されており、ウェハ１の周辺部にノ
ズル１２が対向している。
以下、動作について説明する。
ウェハｌがチャック２上に搬送されて吸着された後、チ
ャック２は駆動機構１１によって回転を始める。その回
転数が１０００〜２０００ｒ、ｐ。
ャック２は駆動機構１１によって回転を始める。その回
転数が１０００〜２０００ｒ、ｐ。
ｍ、程度に上昇するとレジスト４を溶解する溶剤が、位
置決めされたノズル１２よりウェハ１の周辺部のレジス
ト４に向かって吐出される。ウェハ１は回転しているの
で溶剤の吐出がウェハ１の全周辺にわたって行なえるこ
とになり、所定時間この吐出を続けることによってウェ
ハ１の外周端から内方へ１ｍｍ程度のレジスト４を除去
することができる。
置決めされたノズル１２よりウェハ１の周辺部のレジス
ト４に向かって吐出される。ウェハ１は回転しているの
で溶剤の吐出がウェハ１の全周辺にわたって行なえるこ
とになり、所定時間この吐出を続けることによってウェ
ハ１の外周端から内方へ１ｍｍ程度のレジスト４を除去
することができる。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来のレジスト除去装置では、ウェハ上の
本来必要なレジストに溶剤が飛散しないように配慮しな
ければならず、また溶剤の吐出力はその吐出圧に左右さ
れるのでノズル先端の位置決め精度に相俟って正確な範
囲でのレジストの除去が困難であった。
本来必要なレジストに溶剤が飛散しないように配慮しな
ければならず、また溶剤の吐出力はその吐出圧に左右さ
れるのでノズル先端の位置決め精度に相俟って正確な範
囲でのレジストの除去が困難であった。
しかも、ウェハの回転による周辺部への溶剤の吐出であ
るので、そのノズルの先端とウェハの周辺部との距離は
一定であるためオリエンテーションフラット１０におけ
るレジストの端部を除去することができないという問題
点があった。また、オリエンテーションフラット１０に
沿って溶剤を吐出しようとすると、ウェハの回転による
遠心力の溶剤除去作用を利用できないので溶剤が飛散し
てしまうことになる。
るので、そのノズルの先端とウェハの周辺部との距離は
一定であるためオリエンテーションフラット１０におけ
るレジストの端部を除去することができないという問題
点があった。また、オリエンテーションフラット１０に
沿って溶剤を吐出しようとすると、ウェハの回転による
遠心力の溶剤除去作用を利用できないので溶剤が飛散し
てしまうことになる。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、溶剤飛散のおそれがなく正確にしかもオリニオチー
ジョンフラット部のレジストも同様に除去できるレジス
ト除去装置を提供することを目的とする。
で、溶剤飛散のおそれがなく正確にしかもオリニオチー
ジョンフラット部のレジストも同様に除去できるレジス
ト除去装置を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係るレジスト除去装置は、ウェハ周辺部およ
びオリエンテーションフラット部における除去すべきレ
ジストを露光させる露光手段と、この露光されたレジス
トを除去する除去手段とを設けたものである。
びオリエンテーションフラット部における除去すべきレ
ジストを露光させる露光手段と、この露光されたレジス
トを除去する除去手段とを設けたものである。
［作用］
この発明においてはレジストの除去を露光手段による露
光に基づいて行なうので溶剤の飛散の心配もなく、オリ
エンテーションフラット部も含めて正確なレジストの除
去が可能となる。
光に基づいて行なうので溶剤の飛散の心配もなく、オリ
エンテーションフラット部も含めて正確なレジストの除
去が可能となる。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であり、第２
図はこの平面図である。
図はこの平面図である。
両図において、その上にレジスト４が形成されたオリエ
ンテーションフラット１０を有するウェハ１がチャック
２に吸着されて載置されており、ウェハ１の周辺部に２
個のローラ６を介して接する露光ユニット５が設置され
る。露光ユニット５には入射光３をウェハ１上のレジス
ト４の周辺部に照射するために反射板７、反射板８およ
びビームスプリッタ９が内蔵される。
ンテーションフラット１０を有するウェハ１がチャック
２に吸着されて載置されており、ウェハ１の周辺部に２
個のローラ６を介して接する露光ユニット５が設置され
る。露光ユニット５には入射光３をウェハ１上のレジス
ト４の周辺部に照射するために反射板７、反射板８およ
びビームスプリッタ９が内蔵される。
以下、動作について説明する。
ウェハ１がチャック２上に搬送されて吸着されると、露
光ユニット５がウェハ１に接近し２個のローラ６がそれ
ぞれウェハ１に接した位置でウェハ１の端部を検出して
停止し、ウェハ１の周辺部への入射光３の位置決めを行
なう。露光用の光は反射板７および反射板８によって反
射されビームスプリッタ９を介して入射光３としてレジ
スト４の周辺部を照射する。一方、チャック２は駆動機
構１１によって入射光３によってレジスト４が必要な露
光量を受けるような回転数でウェハ１を回転させる。露
光ユニット５の照射作用とチャック２の回転作用の両件
用でもって、ウェハ１上のレジスト４の全周端が周辺か
ら数ｍｍ程度の範囲で確実に露光される。
光ユニット５がウェハ１に接近し２個のローラ６がそれ
ぞれウェハ１に接した位置でウェハ１の端部を検出して
停止し、ウェハ１の周辺部への入射光３の位置決めを行
なう。露光用の光は反射板７および反射板８によって反
射されビームスプリッタ９を介して入射光３としてレジ
スト４の周辺部を照射する。一方、チャック２は駆動機
構１１によって入射光３によってレジスト４が必要な露
光量を受けるような回転数でウェハ１を回転させる。露
光ユニット５の照射作用とチャック２の回転作用の両件
用でもって、ウェハ１上のレジスト４の全周端が周辺か
ら数ｍｍ程度の範囲で確実に露光される。
また、オリエンテーションフラット１０におけるレジス
ト４は露光ユニット５のローラ６をウェハ１のオリエン
テーションフラット１０の形状に沿って移動させること
によって、同じくその端部のレジスト４を確実に入射光
３によって露光できる。このように露光されたレジスト
１の端部は次工程における現像処理工程（図示せず）で
の溶剤によって容易に除去される。
ト４は露光ユニット５のローラ６をウェハ１のオリエン
テーションフラット１０の形状に沿って移動させること
によって、同じくその端部のレジスト４を確実に入射光
３によって露光できる。このように露光されたレジスト
１の端部は次工程における現像処理工程（図示せず）で
の溶剤によって容易に除去される。
なお、上記実施例ではウェハ１を回転することによって
露光を行なったがウェハ１を固定して露光ユニット５を
ウェハ周辺に沿って移動させても同様の効果を奏する。
露光を行なったがウェハ１を固定して露光ユニット５を
ウェハ周辺に沿って移動させても同様の効果を奏する。
また、上記実施例ではローラによってウェハ端部の検出
を行なったが、光センサまたは他のセンサであってもよ
いのは言うまでもない。
を行なったが、光センサまたは他のセンサであってもよ
いのは言うまでもない。
［発明の効果］
この発明は以上説明したとおり、レジストの除去は露光
作用に基づいて行なうので溶剤の飛散のおそれもなく、
オリエンテーションフラット部のレジストも他の周辺部
のレジストと同様に正確に除去できる効果がある。
作用に基づいて行なうので溶剤の飛散のおそれもなく、
オリエンテーションフラット部のレジストも他の周辺部
のレジストと同様に正確に除去できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はこ
の平面図、第３図は従来装置の断面図、第４図はこの平
面図である。 図において、１はウェハ、３は入射光、４はレジスト、
５は露光ユニット、６はローラ、１０はオリエンテーシ
ョンフラット、１１は駆動機構である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
の平面図、第３図は従来装置の断面図、第４図はこの平
面図である。 図において、１はウェハ、３は入射光、４はレジスト、
５は露光ユニット、６はローラ、１０はオリエンテーシ
ョンフラット、１１は駆動機構である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (5)
- （１）ウェハ上に形成された、オリエンテーションフラ
ット部を含んだ周辺部のレジストを除去するレジスト除
去装置であって、 前記レジストを露光する露光手段と、 前記露光手段によって露光されたレジストを現像によっ
て除去する除去手段とを備えた、レジスト除去装置。 - （２）前記露光手段は、前記ウェハを回転させる回転手
段を有する、特許請求の範囲第１項記載のレジスト除去
装置。 - （３）前記露光手段は、前記ウェハの周辺に沿って移動
する、特許請求の範囲第１項または第２項記載のレジス
ト除去装置。 - （４）前記回転手段は、ローラによって前記ウェハの周
辺部を検出する、特許請求の範囲第２項または第３項記
載のレジスト除去装置。 - （５）前記回転手段は、光センサによって前記ウェハの
周辺部を検出する、特許請求の範囲第２項または第３項
記載のレジスト除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30981786A JPS63160332A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | レジスト除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30981786A JPS63160332A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | レジスト除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160332A true JPS63160332A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=17997607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30981786A Pending JPS63160332A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | レジスト除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160332A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132124A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-24 | Teru Kyushu Kk | 露光方法及びその装置 |
| JPH01192117A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Teru Kyushu Kk | レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
| JPH021114A (ja) * | 1988-01-29 | 1990-01-05 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法及び装置 |
| JPH02288221A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板の周辺露光装置 |
| US7238454B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-07-03 | Hoya Corporation | Method and apparatus for producing a photomask blank, and apparatus for removing an unnecessary portion of a film |
| US7678508B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-03-16 | Hoya Corporation | Method of manufacturing mask blank and method of manufacturing mask |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59158520A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Toshiba Corp | 照射装置 |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP30981786A patent/JPS63160332A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59158520A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Toshiba Corp | 照射装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH021114A (ja) * | 1988-01-29 | 1990-01-05 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法及び装置 |
| JPH02288221A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板の周辺露光装置 |
| US7238454B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-07-03 | Hoya Corporation | Method and apparatus for producing a photomask blank, and apparatus for removing an unnecessary portion of a film |
| US7678508B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-03-16 | Hoya Corporation | Method of manufacturing mask blank and method of manufacturing mask |
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