JP4753248B2 - マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写マスクを作製するための原版であるマスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、フォトマスク等を製造する分野においては、基板の一主表面に形成されたレジスト膜のうち、不要な一部分を除去することがしばしば要求される。例えば、基板上にレジスト膜を塗布する際、略水平に保持した基板上に塗布液を滴下し、基板を回転することによりその遠心力を利用して基板上に均一なレジスト膜を形成する回転塗布方法を行った場合、塗布膜が基板の全面に均一に形成されるような低速で回転させると、基板表面の周縁部に働く遠心力が小さくなり、レジスト液が基板表面の周縁部にとどまり、その部分の膜厚が厚くなってしまう。この膜厚の厚化による、基板表面の周縁部の盛り上がりがあると、以下のような問題がある。
【０００３】
即ち、フォトマスクブランクスの製造工程において、基板表面にレジストが形成された後、その基板は各種処理工程を経る間に、搬送機構に保持されたり、基板収納ケースに挿抜されたりする。このとき、基板の周縁部が搬送機構のチャック部や、収納ケース内の収納溝に接触することにより、基板周縁部のレジスト膜が剥離して発塵源となり、その剥離したレジストがフォトマスクブランクスの主表面に付着することによる欠陥が生じてしまう。
【０００４】
そこで、上述した事態を回避するため、基板にレジストを回転塗布してレジスト膜を形成させた後、基板周縁部のレジスト膜を予め除去しておく処理が施される。この処理は、基板を所定の回転中心回りに水平回転させながら、基板周縁部のレジストにレジストを溶解する処理液を供給し、この基板周縁部の被膜を溶解除去することにより行われている。
例えば、基板周縁部の不要なレジスト膜を除去する技術として、特許文献１に開示されている方法がある。
【０００５】
この不要膜除去方法は、レジスト膜を回転塗布方法により形成後、基板周縁部（除去する不要膜の上方に位置する部位）に微細な孔が多数形成されたカバー部材を基板上に載置し、基板とカバー部材が一体となって回転した状態で、カバー部材の上方より溶剤を供給することにより、溶剤は微細な孔を介して基板周縁部に供給され、基板周縁部に形成されたレジストを溶解除去するものである。
【０００６】
尚、基板周縁部には、アライメントマークやＱＡ（品質保証）パターンを形成することから、アライメントマークやＱＡパターンのパターン不良が起きないように、基板側面から数ｍｍ程度の領域におけるレジスト膜を除去している。
【特許文献１】
：特開２００１−２５９５０２号公報
【発明の開示】
【０００６】
上述のフォトマスクブランクスの中でも、半導体集積回路の製造の際に、パターン転写のために露光装置（以下、ステッパーと記載する場合もある。）に装着され縮小露光装置用マスクとして用いられる転写マスク（以下、レチクルと記載する場合もある。）は、少なくともその主表面が鏡面仕上げされた透明なガラス基板上にスパッタリング方法等によって、クロム等を含む遮光膜からなるパターンが形成されたものである。そして、通常レチクルは、転写パターンが形成された側の主表面を被転写基板側へ向けて装着される。そして、レクチルが装着される際には、そのパターンエリアを広くかつ、ステッパーの稼動時に基板がずれることがないように、基板主表面の周縁部において真空チャックされる。
【０００７】
第１１図にステッパーにおける代表的なレチクルの吸着機構を示す模式的な縦断面図である。
【０００８】
第１１図において、レチクル１は基板保持装置５に基板保持部材６により吸着されてセットされる。基板保持部材６は吸引管８を介して真空装置（図示されていない。）に接続されており、この真空装置により吸引されレチクル１が吸引される。
【０００９】
レチクル１において、基板保持部材６が接触する被支持領域は、露光装置メーカー毎で異なるが、だいたい基板側面から十数ｍｍ程度である。
【００１０】
上述の基板周縁部のレジスト膜が除去されたフォトマスクブランクスを使用してフォトマスクを作成する場合、遮光膜が露出されている基板側面から数ｍｍの領域は、フォトマスク製造工程のエッチング処理時に除去される。そのため、基板保持部材６に対応する領域に、遮光膜の境界が入った場合、遮光膜の膜厚分（通常１０００オングストローム程度）の段差が生じてしまう。従って、今後、パターンの微細化の進行に伴い、この段差に起因して、真空チャックされたレチクルが変形し、レチクル（転写パターン）の位置精度が低下したり、及びフォーカス精度が低下する危険性が考えられる。上述の問題は、半導体デザインルールで６５ｎｍノードが対象となるＡｒＦエキシマレーザー(波長：１９３ｎｍ)や、それより波長が短いＦ２エキシマレーザー（波長：１５７ｎｍ）露光用のマスクブランクス、転写マスクにおいて顕著になる。
【００１１】
そこで本発明は、上述の問題点を鑑みてなされたものであり、露光装置の基板保持部材に転写マスクを装着したときに、転写マスクの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下を最小限に抑え、またフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができるマスクブランクス及びその製造方法、並びに転写マスクの製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
上記課題を解決するための手段として、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
転写マスクを作製するための原版であって、転写マスクが作製された場合に転写パターンを構成することになる薄膜と、転写マスクを作製する際に用いられるレジスト膜とを基板主表面上に備えているマスクブランクスにおいて、
前記マスクブランクスによって転写マスクが作製された場合に、この転写マスクに形成されることになる補助パターンの形成領域と、前記転写マスクを用いて転写を行う際に露光装置の基板保持部材によって支持されることになる領域であるマスクブランクスの被支持領域とを、前記基板主表面の周縁部に有し、
前記マスクブランクスの被支持領域においては、前記レジスト膜が形成されていない領域を有し、そのレジスト膜が形成されていない領域は、前記マスクブランクスによって作製された転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持して転写を行う際に所望の転写パターン位置精度及び所望のフォーカス精度が得られる位置精度で保持されることになる範囲に選定された領域であることを特徴とするマスクブランクス。
【００１３】
(構成２)
前記補助パターン形成領域には、前記薄膜及び前記レジスト膜が形成されていることを特徴とする構成１にかかるマスクブランクス。
【００１４】
(構成３)
転写マスクを作製するための原版であって、転写マスクが作製された場合に転写パターンを構成することになる薄膜と、転写マスクを作製する際に用いられるポジ型レジスト膜とを基板主表面上に備えているマスクブランクスにおいて、
前記マスクブランクスによって転写マスクが作製された場合に、この転写マスクに形成されることになる補助パターンの形成領域と、前記転写マスクを用いて転写を行う際に露光装置の基板保持部材によって支持されることになる領域であるマスクブランクスの被支持領域とを、前記基板主表面の周縁部に有し、
前記マスクブランクスの被支持領域においては、前記レジスト膜に露光が施され露光領域とし、前記露光領域は、このレジスト膜を現像したときに未露光領域との間で現像液による溶解速度差によりレジスト膜が除去される領域であり、前記マスクブランクスによって作製された転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持して転写を行う際に所望の転写パターン位置精度及び所望のフォーカス精度となる位置精度で保持されることになる範囲に選定された領域であることを特徴とするマスクブランクス。
【００１５】
(構成４)
前記補助パターン形成領域は前記露光が施されていない未露光領域であることを特徴とする構成３にかかるフォトマスクブランクス。
【００１６】
(構成５)
転写マスクを作製するための原版であるマスクブランクスの製造方法であって、基板主表面上に、転写マスクが作製された場合に転写パターンを構成することになる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜上にポジ型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記塗布されたレジストを熱処理する熱処理工程とを有するマスクブランクスの製造方法において、
前記基板主表面の周縁部は、前記マスクブランクスによって転写マスクが作製された場合に、この転写マスクに形成されることになる補助パターンの形成領域と、前記転写マスクを用いて転写を行う際に露光装置の保持部材によって支持されることになる領域であるマスクブランクスの被支持領域とを有するものであり、
前記マスクブランクスの被支持領域においては、前記レジスト膜に露光が施され露光領域とし、前記露光領域は、このレジスト膜を現像したときに未露光領域との間で現像液による溶解速度差によりレジスト膜が除去される領域であり、前記マスクブランクスによって作製された転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持して転写を行う際に所望の転写パターン位置精度及び所望のフォーカス精度となる位置精度で保持されることになる範囲に選定された領域であることを特徴とするマスクブランクス。
【００１７】
（構成６）
前記基板主表面の周縁部に形成された不要なレジスト膜の露光処理を含み、前記露光処理後、前記露光領域に選択的に現像液を供給して、前記基板主表面の周縁部に形成された不要なレジスト膜、及び前記被支持領域に形成されたレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程を有することを特徴とする構成５にかかるマスクブランクスの製造方法。
【００１８】
（構成７）
構成５にかかるマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスを使用した転写マスク製造工程におけるエッチング処理工程において、
転写パターンの形成とともに、前記露光処理を施した被支持領域に形成された前記薄膜も合わせて除去することを特徴とする転写マスクの製造方法。
【００１９】
（構成８）
基板主表面上に転写パターンを構成することになる薄膜とこの薄膜上に形成されたポジ型レジスト膜とが形成されたマスクブランクスを用い、前記薄膜にパターンを形成して転写マスクを製造する転写マスクの製造方法であって、
前記転写マスクの周縁部は、転写を行う際に露光装置の基板保持部材によって支持されることになる領域である被支持領域を有するものであり、
前記被支持領域には前記薄膜が形成されない領域を有し、この薄膜の形成されない領域は、転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持して転写を行う際に所望の転写パターン位置精度及び所望のフォーカス精度となる位置精度で保持されることになる範囲に選定された領域であることを特徴とする転写マスクの製造方法。
【００２０】
（構成９）
構成８にかかる転写マスクの製造方法によって得られた転写マスクを使用し、リソグラフィー法により前記転写パターンを半導体基板に転写してパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２１】
上述の構成１によれば、基板主表面の周縁部に存在するマスクブランクスの被支持領域であって、露光装置の基板保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域において、レジスト膜が形成されない領域を有し、そのレジスト膜が形成されていない領域は、マスクブランクスによって作製された転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持して転写を行う際に所望の転写パターン位置精度及び所望のフォーカス精度が得られる位置精度で保持されることになる範囲に選定された領域であることを特徴とする。レジスト膜のみが前記被支持領域において形成されていない場合は、転写マスク製造工程におけるエッチング処理工程で転写パターンの形成とともに、被支持領域における薄膜が除去される。
【００２２】
従って、パターン位置精度及びフォーカス精度の低下に大きく起因する被支持領域においては薄膜が形成されておらず、基板が露出した状態となり、露光装置の基板保持部材により真空チャックされる転写マスクの変形を抑制することができる。よって、転写パターンの位置精度の低下を最小限に抑え、及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。
【００２３】
除去等の方法により薄膜やレジスト膜が形成されない前記被支持領域は、露光装置の基板保持部材に応じて異なり、基板に当接される側の被支持領域全体でもよいし、被支持領域にバーコードパターンやＱＡパターン、アライメントマーク、ペリクル位置合わせ用マークなど半導体基板には転写されない補助パターンが形成される補助パターン形成領域がかかる場合は、この補助パターンが形成される補助パターン形成領域以外の被支持領域であってもよい。パターンの微細化に伴って要求されるパターン位置精度及びフォーカス精度に応じて、薄膜やレジスト膜が形成されない所定領域を適宜決定する。
【００２４】
構成２によれば、補助パターン形成領域には薄膜及びレジスト膜が形成されているので、バーコードパターン、ＱＡパターン、アライメントマーク、ペリクル位置合わせ用マークなどの補助パターンのパターン不良を防止することができる。
【００２５】
構成３、５によれば、前記薄膜をパターニングして得られる転写パターンを有する転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持したときに、所望のパターン位置精度及び所望のフォーカス精度となるように、基板主表面の周縁部に形成されたポジ型レジスト膜が、露光装置の基板保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域において露光処理され、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしているので、転写マスク製造工程における現像処理工程や、マスクブランクス製造工程における露光領域のみに現像液を供給して不要なレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程で、パターン位置精度及びフォーカス精度の低下に大きく起因する被支持領域に形成されたレジスト膜を簡単に除去することができる。
【００２６】
構成４によれば、補助パターン形成領域は、露光処理されない未露光領域なので、転写マスク製造工程における現像処理工程においても、バーコードパターン、ＱＡパターン、アライメントマーク、ペリクル位置合わせ用マークなどの補助パターン形成領域にはレジスト膜が残っており、それらの補助パターンのパターン不良を防止することができる。
【００２７】
構成６によれば、マスクブランクスの製造工程において、被支持領域と、基板主表面の周縁部に形成された不要なレジスト膜も一緒に露光処理した後、露光領域に選択的に現像液を供給して、被支持領域に形成されたレジスト膜を除去するようにしているので、マスクブランクスの搬送時に把持されるチャック部や、マスクブランクス収納ケース内の収納溝に接触することによるレジスト膜剥れを防止できる。
【００２８】
構成７によれば、構成５の製造方法によって得られたマスクブランクスを使用した転写マスク製造工程におけるエッチング処理工程において、転写パターンの形成とともに、パターン位置精度及びフォーカス精度の低下に大きく起因する露光処理を施した被支持領域においては薄膜も合わせて除去するので、基板が露出した状態となり、露光装置の基板保持部材に真空チャックされる転写マスクの変形を抑制することができる。よって、転写パターンの位置精度の低下を最小限に抑え、及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。
【００２９】
構成８によれば、転写マスクの製造過程（例えば、描画工程、現像工程）において、露光装置の基板保持部材により支持される転写マスクの被支持領域における所定領域に形成されないようにしているので、転写マスクの原版であるマスクブランクスの段階で、前記被支持領域において遮光膜やレジスト膜が形成されないようにする等を行なわなくても良いので、従来からあるレジスト膜付きマスクブランクスをそのまま利用することができる。
【００３０】
構成９によれば、露光装置の基板保持部材により支持される被支持領域に薄膜が形成されていない転写マスクを使用して露光装置により転写パターンを転写して半導体基板上にパターン形成するので、パターン位置精度の低下を最小限に抑えた半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３２】
（第１の実施形態）
第１図は、基板周縁部の不要なレジスト膜と、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されたレジスト膜を除去した第１の実施形態のフォトマスクブランクスを示す図である。第１図（ａ）はレジスト膜が形成されている側から見たフォトマスクブランクスの平面図、第１図（ｂ）は、Ａ−Ａ線断面図である。
フォトマスクブランクス１００は、露光光に対して透光性を有する基板１０と、基板１０の主表面上に形成された遮光膜２０と、遮光膜２０上に形成されたレジスト膜３０からなる。基板周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜３０と、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域３１（左辺に１箇所、右辺に１箇所の合計２箇所）に形成されたレジスト膜３０は、除去してある。従って、フォトマスクブランクスの搬送時に把持されるチャック部や、マスクブランクス収納ケース内の収納溝に接触することによるレジスト膜剥れを防止でき、且つ、転写マスク製造工程における現像処理工程で、転写パターンの形成とともに、被支持領域における薄膜が除去される。従って、被支持領域は基板が露出した状態となり、薄膜の膜厚分の段差がないので、露光装置の基板保持部材に真空チャックされるレチクルの変形が抑制され、転写パターンの位置精度の低下、フォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。なお、基板主表面の周縁部に形成される被支持領域３１以外の補助パターン形成領域３２には、レジスト膜３０が除去されずに残っているので、補助パターンのパターン不良は発生しない。
【００３３】
（第２の実施形態）
第２図は、基板周縁部の不要なレジスト膜を除去し、且つ、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に露光処理を施し、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにした、第２の実施形態のフォトマスクブランクスを示す図である。第２図（ａ）はレジスト膜が形成されている側から見たフォトマスクブランクスの平面図、第２図（ｂ）は、Ａ−Ａ線断面図である。
フォトマスクブランクス１００は、露光光に対して透光性を有する基板１０と、基板１０の主表面上に形成された遮光膜２０と、遮光膜２０上に形成されたレジスト膜３０からなる。基板周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜３０は除去され、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域３１（左辺に１箇所、右辺に１箇所の合計２箇所）に形成されたレジスト膜３０は、露光処理され、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしてある。
従って、基板周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜３０は除去されているので、フォトマスクブランクスの搬送時に把持されるチャック部や、マスクブランクス収納ケース内の収納溝に接触することによるレジスト膜剥れを防止でき、且つ、転写マスク製造工程における現像処理工程で、転写パターンの形成とともに、露光処理を施した被支持領域のレジスト膜も合わせて除去するので、転写パターンの形成とともに、被支持領域における薄膜が除去される。従って、被支持領域は基板が露出した状態となり、薄膜の膜厚分の段差がないので、露光装置の基板保持部材に真空チャックされるレチクルの変形が抑制され、転写パターンの位置精度の低下、フォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。なお、基板主表面の周縁部に形成される被支持領域３１以外の補助パターン形成領域３２には、露光処理されず未露光領域があり、転写マスク製造工程における現像処理工程においてもレジスト膜３０が除去されずに残っているので、補助パターンのパターン不良は発生しない。
尚、第２の実施形態で使用するレジストは、露光領域を現像液により除去するために、ポジ型レジストとする。
また、第２の実施形態のフォトマスクブランクスにおける露光領域と未露光領域は、現像液を供給する方法や、レジストによっては屈折率や透過率の差で判別することが可能である。
【００３４】
（第３の実施形態）
第３図は、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に露光処理を施し、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差がえられるようにしたフォトマスクブランクスを示す図である。第３図（ａ）はレジスト膜が形成されている側から見たフォトマスクブランクスの平面図、第３図（ｂ）は、Ａ−Ａ線断面図である。
フォトマスクブランクス１００は、露光光に対して透光性を有する基板１０と、基板１０の主表面上に形成された遮光膜２０と、遮光膜２０上に形成されたレジスト膜３０からなる。露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域３１（左辺に１箇所、右辺に１箇所の合計２箇所）に形成されたレジスト膜３０は、露光処理され、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしてある。従って、転写マスク製造工程における現像処理工程で、転写パターンの形成とともに、露光処理を施した被支持領域のレジスト膜も合わせて除去するので、転写パターンの形成とともに、被支持領域における薄膜が除去される。
【００３５】
従って、被支持領域は基板が露出した状態となり、薄膜の膜厚分の段差がないので、露光装置の基板保持部材に真空チャックされるレチクルの変形が抑制され、転写パターンの位置精度の低下、フォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。なお、基板主表面の周縁部に形成される被支持領域３１以外の補助パターン形成領域３２には、露光処理されず未露光領域があり、転写マスク製造工程における現像処理工程においてもレジスト膜３０が除去されずに残っているので、補助パターンのパターン不良は発生しない。
【００３６】
尚、第３の実施形態で使用するレジストは、露光領域が現像液により除去するために、ポジ型レジストとする。
【００３７】
また、上述と同様にフォトマスクブランクスにおける露光領域と未露光領域は、現像液を供給する方法や、レジストによっては屈折率や透過率の差で判別することが可能である。
【００３８】
（第４の実施の形態）
第４図は転写パターンとなる薄膜を、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されないようにした第４の実施の形態のフォトマスクブランクスを示す図である。第４図（ａ）はレジスト膜が形成されている側からみたフォトマスクブランクスの平面図、第４図（ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。
【００３９】
フォトマスクブランクス１００は、露光光に対して透光性を有する基板１０と、基板１０の主表面上に形成された遮光膜２０と、遮光膜２０上に形成されたレジスト膜３０からなる。遮光膜２０は、スパッタリング法等の成膜時において、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域３１（左辺に１箇所、右辺に１箇所の合計２箇所）に遮光膜２０が形成されないように遮蔽部材を利用するなどして形成される。
従って、第４の実施の形態のフォトマスクブランクスを使って転写マスクにした場合、露光装置の被支持領域は基板が露出した状態となり、薄膜の膜厚分の段差がないので、露光装置の基板保持部材に真空チャックされるレチクルの変形が抑制され、転写パターンの位置精度の低下やフォーカス精度の低下を最小限抑えることができる。なお、基板主表面の周縁部に形成される被支持領域３１以外の補助パターン形成領域３２には、薄膜が形成されているので、補助パターンのパターン不良は発生しない。また、上述の第４実施の形態において、基板周縁部の不要なレジスト膜が除去されたフォトマスクブランクスでもかまわない。
【００４０】
尚、上述の第１〜第３の実施形態では、露光装置の被支持領域全面のレジスト膜について、除去又は露光処理を行ったものを挙げて説明したが、これに限らず、被支持領域にバーコードパターンやＱＡパターンなどの補助パターンが形成される転写マスクにおいては、露光装置の基板保持部材に真空チャックされるレチクルの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えられる被支持領域における所定領域（バーコードパターンやＱＡパターンなどの補助パターン形成領域の全部または一部）に対して、レジスト膜が残るようにしても良い。
【００４１】
そして、上述の第１〜第４の実施形態において基板の被支持領域における平坦度は、転写パターンの位置精度が低下することがないように、０．５μｍ以下とすることが好ましい。さらに好ましくは、０．３μｍ以下が望ましい。尚、基板の端部形状は、基板の側面に向かって盛りあがった形状よりも垂れている形状（縁ダレ形状）が好ましい。ここで、平坦度とは、基板主表面の表面側に任意に設けた基準面から主表面面内における表面形状の最大高さと最小高さの差（測定面から最小自乗法で算出される仮想絶対平面（焦平面）に対する測定面の最大値と最小値の差）をいう。
【００４２】
さらに、被支持領域以外の基板主表面の周縁部に形成されたレジスト膜は、マスクブランクスの搬送時に把持されるチャック部や、マスクブランクス収納ケース内の収納溝に接触することによるレジスト膜剥れを防止するために、合わせて除去されている方が好ましい。被支持領域以外の基板主表面の除去幅は、アライメントマークやＱＡパターンなどの補助パターンのパターン不良がないように、１〜３ｍｍ程度とする。
【００４３】
尚、本発明でいうマスクブランクスは、透過型マスクブランクス、反射型マスクブランクスの何れも指し、これらの構造は、基板上に被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜とを有する。
【００４４】
透過型マスクブランクスは、基板として透光性基板を使用し、転写パターンとなる薄膜は、被転写体に転写するときに使用する露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜（例えば、遮光機能を有する薄膜）が使用されたフォトマスクブランクスである。ここで、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜とは、露光光を遮断する遮光膜や、露光光の位相を変化させる位相シフト膜などを指す。また、遮光機能を有する薄膜とは、遮光機能と位相シフト機能を有する所謂ハーフトーン膜と、遮光機能を有する遮光膜とを含む。
従って、透過型マスクブランクスは、遮光膜が形成されたフォトマスクブランクス、ハーフトーン膜が形成された位相シフトマスクブランクス（ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス）、位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクスなどを含む。
また、反射型マスクブランクスは、基板として熱膨張係数の小さいものを使用し、この基板上に光反射多層膜、転写パターンとなる光吸収体膜とを有するマスクブランクスである。
【００４５】
また、本発明のマスクブランクスには、上述の膜以外に、レジスト下地反射防止膜（BARC：Bottom Anti-Reflective Coating）、レジスト上層反射防止膜（TARL：Top Anti-Reflective Layer）、レジスト上層保護膜、導電性膜等の膜が形成されても良い。
【００４６】
以下、上述の第１〜第３の実施形態におけるフォトマスクブランクスの製造方法を、図面を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、上述の第１の実施形態における周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜の除去、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されたレジスト膜の除去、並びに第２の実施形態における周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜の除去を行うための不要膜除去装置について、第５図乃至第９図を用いて説明する。第５図は不要膜除去装置の構成を示す断面図、第６図及び第７図は、第５図の部分拡大断面図、第８図は、第５図に示す不要膜除去装置の部分拡大斜視図、第９図は、第５図に示す不要膜除去装置の分解斜視図である。
【００４８】
第５図乃至第９図において、不要膜除去装置に載置するフォトマスクブランクス（当該フォトマスクブランクスには、符号１０１を付与する。）について説明する。フォトマスクブランクス１０１は基板１０を有し、基板１０は、露光光に対し透光性を有する基板であって、基板１０上に遮光膜２０が形成され、さらに、この遮光膜２０の上に回転塗布方法等で形成された未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されている。
【００４９】
不要膜除去装置は、第５図に示されるように、回転台５０に載置保持されたフォトマスクブランクス１０１の上面側をカバー部材６０によって覆い、このカバー部材６０の上方からノズル７０よりレジスト膜３０を溶解する薬液８０を噴出させてカバー部材６０の薬液供給孔６１を通じて不要膜部分（第９図にて、符号３２ａを付与した部分）に供給してこれを溶解除去するものである。
【００５０】
カバー部材６０は、フォトマスクブランクス１０１を上方から被せるようにして覆うもので、中心から周縁にかけての大部分は平坦部６２である。この平坦部６２から外周部にかけて傾斜部６３が形成され、この傾斜部６３からさらに外周部に向けて肉厚な周縁平坦部６４が形成され、この周縁平坦部６４の外周端が下方に延在して、側部６５が形成されている。
【００５１】
周縁平坦部６４には、多数の貫通孔である薬液供給孔６１を有する薬液供給部材６８が脱着自在に嵌めこまれている。薬液供給部材６８は、周縁平坦部６４に設けた嵌合溝６７に嵌めこまれている。嵌合溝６７の底部には、第５図（ｂ）に示すように、薬液供給孔６１よりも径の小さな多数の孔６９が設けられる。嵌合溝６７の底部は譬えて言えば金網状を呈しており、薬液供給量はこれらの孔６９ではなく、薬液供給孔６１の孔径によって決まるようになっている。薬液供給部材６８が溝６７に嵌めこまれて平坦部が構成される。また、カバー部材６０の本体と側部６５とは、上記嵌合溝６７の底部によって連結されることになる。
【００５２】
また、フォトマスクブランクス１０１の薬液供給孔６１の適宜の数ヵ所には、薬液に耐性のある（例えば、樹脂系）糸９０が通され、カバー部材６０の内壁とフォトマスクブランクス１０１の表面との間に介在されてこれらの間隙の大きさを設定するようになっている。即ち、この糸９０は、薬液供給孔６１を通り、嵌合溝６７の底壁とフォトマスクブランクス１０１の表面の側部６５の外側、及び周縁平坦部６４の外周端を通過してループ状に形成されている。
【００５３】
糸９０の太さは、嵌合溝６７の底壁とフォトマスクブランクス１０１の表面との間隙の大きさｄ１を、この間隙に薬液を供給したときに薬液の表面張力により、薬液が間隙中を伝わって間隙中に広がることが可能な大きさに設定する。例えば、間隙の大きさｄ１を０．０５ｍｍ〜３ｍｍとする。この範囲以外だと、薬液が間隙中を伝わって間隙中に広がることが困難になり、除去できない部分ができたり、除去部分と他の部分との境界がギザギザ状態になる場合がある。
【００５４】
また、側部６５の内壁とフォトマスクブランクス１０１の側面との間隙の大きさｄ２は、この間隙中を薬液がレジスト膜３０に接触しながら通過できる大きさであればよい。
また、カバー部材６０の中心部から周縁にかけての大部分である平坦部６２の内壁と対向するフォトマスクブランクス１０１の表面の領域は、必要なレジスト膜の領域である。この領域においては、薬液の表面張力が働かないように、カバー部材６０の内壁とフォトマスクブランクス１０１の表面との間の間隙をｄ１よりも大きくするが、フォトマスクブランクスのレジスト膜３０の温度分布が、カバー部材６０の内壁面からの熱伝達によって影響を受けないように所定以上大きく、かつ、間隙で気体の対流が生じてこの対流によってフォトマスクブランクス１０１のレジスト膜３に温度分布が生じないように所定以下に小さく設定した値であるｄ３とする。
【００５５】
例えば、このｄ３は、０．０５ｍｍ〜２０ｍｍとすることが好ましい。０．０５ｍｍ未満だとカバー部材６０からの熱伝達を受け易くなり、例えば、カバー部材表面に薬液の気化熱が不規則に作用して大きな温度分布が生じた場合、この温度分布を直接反映してレジスト膜３０に温度分布を与え、膜厚変動や感度変化を与えてしまう恐れが高くなる。一方、２０ｍｍ超だと自然の対流が生じて、レジスト膜に温度分布を生じさせる恐れが高くなる。
【００５６】
上述したように、カバー部材６０は、薬液供給装置によって供給された薬液を不要なレジスト膜部分（周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜、露光装置の基板保持部材の被支持領域に形成されたレジスト膜）に供給して、レジスト膜を溶解除去する薬液供給孔６１を有する。この薬液供給孔６１は、カバー部材６０の嵌合溝６７に嵌合される薬液供給部材６８に設けられる。薬液供給部材６８に設けられる薬液供給孔６１の径又は／及び薬液供給孔６１の配置を決めておけば、薬液供給孔６１を通じて不要なレジスト膜部分へ供給される薬液の供給量又は／及び供給位置を調整できる。従って、薬液供給孔６１を有する薬液供給部材６８は、各露光装置の基板保持部材の被支持領域に対応するように、又は／及び周縁部の不要領域の除去幅毎に予め複数用意して、これらを交換することによって、薬液の供給量又は／及び供給位置を調整する調整手段を構成できる。
【００５７】
不要なレジスト膜を除去する薬液の薬液供給孔の大きさ又は／及び位置を、薬液供給部材６８の交換によって、適宜調整可能としているので、カバー部材全体を設計・準備・交換することなく、除去領域を適宜制御することができる。
【００５８】
さて、薬液供給部材６８を嵌めたカバー部材６０を被されたフォトマスクブランクス１０１は、回転台５０に保持されて回転されながら処理される。回転台５０は回転軸５１に取りつけられた４本の水平方向に放射状に延びた支持腕５２と、それぞれの支持腕５２の先端部に設けられた一対の保持台座５３とを有する。保持台座５３は、その上にフォトマスクブランクス１０１の４角を配置して保持するものである。回転軸５１は、図示しない回転駆動装置に結合され、所望の回転数で回転されるようになっている。なお、フォトマスクブランクス１０１の下方にも、薬液供給用のノズル７０ａが設けられており、該ノズル７０ａから薬液８０ａを供給して、不要なレジスト膜を確実に除去することができるようになっている。
【００５９】
＜実施例１＞
上述の不要膜除去装置によって、以下のようにして第１の実施形態のフォトマスクブランクスを作製する。
第１０図は、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されたレジスト膜が除去されたフォトマスクブランクスを製造するためのカバー部材を示す図である。第１０図（ａ）は、カバー部材の断面図、第１０図（ｂ）は、カバー部材の上方からみた平面図である。
カバー部材６０の周縁部の４辺に、所定の孔径をもつ薬液供給孔６１を有する４つの薬液供給部材６８ａ〜６８ｄがそれぞれ嵌めこまれる。各薬液供給部材６８の長さを同じに設定することにより、薬液供給部材６８を嵌めこんだときに、カバー部材６０の４つのコーナー部に順に各薬液供給部材６８の一端が来るようにしてある。ここで、薬液供給孔６１の形成位置は、４つの薬液供給部材６８を嵌めこんだときに、上下辺に沿って直線状に配列されることになる薬液供給孔６１を外側寄り（基板側面より約２ｍｍの位置）に形成されている。また、左右辺に、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域のレジスト膜を除去するように、内側寄り（基板側面より十数ｍｍの位置）に基板保持部材用薬液供給孔６１ｂが形成され、それ以外の領域には上下辺と同様に、外側寄りに直線状に配列した薬液供給孔６１が形成されている。
【００６０】
（ａ）ネガ型レジストの場合
まず、基板１０上に膜厚１０００Åのクロムからなる遮光膜２０がスパッタリング法により形成され、この遮光膜２０上に未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されたフォトマスクブランクス１０１を、回転台５０にセットして、第１０図のカバー部材６０を被せたら、ノズル７０から供給量を調節しながら薬液８０を供給する。（薬液は、レジスト膜が溶解するものであれば何でもよく、有機溶剤などを使用する。）同時に、回転台５０を回転数１００〜１０００ｒｐｍで１〜６０秒間回転させる。これにより、薬液８０を薬液供給孔６１を通じて、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されたレジスト膜に浸透させて溶解除去する。
【００６１】
さらに、上記処理が終盤に近く担った時点で、ノズル７０ａから薬液８０ａを噴出させて溶解除去を確実なものにする。次ぎに、ベーク処理等を施して、フォトマスクブランクス周縁部のレジスト膜、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域のレジスト膜が除去されたレジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。
このフォトマスクブランクスは、第１図に示されるように、左右の２辺に隣接してある被支持領域３１の部位がレジスト膜除去領域であり、基板側面からの幅ａ１が十数ｍｍであり、上下２辺に隣接して設けられたレジスト膜除去領域の基板側面からの幅ｂ１は１．８ｍｍである。
【００６２】
（ｂ）ポジ型レジストの場合
レジスト膜３０がポジ型レジストの場合は、上述の製造方法の他に、以下の製造方法でもフォトマスクブランクスを作製することができる。
【００６３】
基板１０上に膜厚１０００Åのクロムからなる遮光膜２０がスパッタリング法により形成され、この遮光膜２０上に未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されたフォトマスクブランクス１０１において、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域及び、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域へ、露光光源より光ファイバー等の伝送装置を介して露光処理を行う。この露光処理は、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにするためである。
【００６４】
次ぎに、上述の（ａ）ネガ型レジストの場合と同様にして、上述の不要膜除去装置に、露光処理を終えたフォトマスクブランクスをセットし、露光領域のみに現像液の薬液が供給されるようにして、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されたレジスト膜に浸透させて溶解除去する。レジスト膜の溶解除去が終わったら、ベーク処理等を施し、フォトマスクブランクス周縁部のレジスト膜、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域のレジスト膜が除去されたレジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。このフォトマスクブランクスも、第１図に示されるように、左右の２辺に隣接してある被支持領域３１の部位がレジスト膜除去領域であり、基板側面からの幅ａ１が十数ｍｍであり、上下２辺に隣接して設けられたレジスト膜除去領域の基板側面からの幅ｂ１は１．８ｍｍである。
【００６５】
第２、第３の実施形態におけるフォトマスクブランクスの製造方法は、レジスト膜３０がポジ型レジストの場合に適用される。
【００６６】
＜実施例２＞
まず、基板１０上に膜厚１０００Åのクロムからなる遮光膜２０がスパッタリング法により形成され、この遮光膜２０上に未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されたフォトマスクブランクス１０１において、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に、露光光源より光ファイバー等の伝送装置を介して露光処理を行う。
【００６７】
露光処理の終わったフォトマスクブランクスを、上述の実施例１と同様の不要膜除去装置にセットする。ここへ、薬液供給孔６１が、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域に対応して形成されているカバー部材６０（基板側面より約２ｍｍの位置に対応して設けられた薬液供給孔６１を有するカバー部材）を設置し、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域のみに現像液の薬液が供給されるようにして、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜に浸透させて溶解除去する。
【００６８】
不要領域に形成されたレジスト膜が溶解除去されたフォトマスクブランクスへ、ベーク処理等を施して、フォトマスクブランクス周縁部のレジスト膜が除去され、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域のレジスト膜が露光処理され、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしたレジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。このフォトマスクブランクスは、第２図に示されるように、左右の２辺に隣接してある被支持領域３１の部位が露光領域（現像により溶解速度差が得られるようにした領域）であり、基板側面からの幅ａ２が十数ｍｍであり、また上下左右４辺に隣接して設けられたレジスト膜除去領域の基板側面からの幅ｂ２は１．８ｍｍである。
【００６９】
尚、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されているレジスト膜３０は、転写マスク製造工程における現像処理工程で、転写パターンの形成とともに、除去される。
【００７０】
尚、上述の実施例２では、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に露光処理を行った後、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域のみに現像液の薬液を供給したが、有機溶剤の薬液により、まずフォトマスクブランクス周縁部の不要な領域に形成されたレジスト膜を除去した後、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に露光処理を行ってもかまわない。
【００７１】
＜実施例３＞
まず、基板１０上に膜厚１０００Åのクロムからなる遮光膜２０をスパッタリング法により形成し、この遮光膜２０上に未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されたフォトマスクブランクス１０１において、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に、露光光源より光ファイバー等の伝送装置を介して露光処理を行い、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしたレジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。
【００７２】
露光領域は、転写マスク製造工程における現像処理工程で、転写パターンの形成とともに、被支持領域のレジスト膜も合わせて除去されることになる。このフォトマスクブランクスは、第３図に示されるように、左右の２辺に隣接してある被支持領域３１の部位が露光領域（現像により溶解速度差が得られるようにした領域）であり、基板側面からの幅ａ３が十数ｍｍである。
【００７２】
＜実施例１〜３共通＞
上述の実施例１〜３によって得たレジスト膜付きフォトマスクブランクスの転写パターン形成領域（被支持領域及び補助パターン形成領域の内側）に、ホールパターンとライン・アンド・スペースパターンを描画し、現像処理、ポストベーク処理、レジスト剥離、洗浄を行って転写マスク（レチクル）を作製した。得られた転写マスク（レチクル）において、ステッパーの基板保持部材に対応した被支持領域には、遮光膜が形成されておらず、鏡面研磨された基板が露出していた。
【００７３】
ここで、基板変形試験を行うために、第１１図に示すステッパーの基板保持部材と同じように、基板の２辺を真空チャックする基板変形試験機を準備し、実施例１〜３によって得られた転写マスク（レチクル）を、真空チャックによりチャッキングし、光学式干渉計（ＺｙｇｏＭａｒｋＧＰＩ）で平坦度変化量を測定したところ、０．１μｍ以下となり、基板変形はほとんど認められなかった。
【００７４】
＜実施例４＞
上述の実施例１において、基板１０１に遮光膜２０をスパッタリング法により形成する際、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に遮光膜２０が形成されないようにブロックして遮光膜２０を形成し、さらにレジスト膜形成後は、第５図に記載の不要膜除去装置を使用し、基板周縁部に形成された不要なレジスト膜のみを溶解除去した以外は実施例１と同様にしてレジスト膜付きフォトマスクブランクスを作製した。このフォトマスクブランクスは、第５図に示されるように、左右の２辺に隣接してある被支持領域３１の部位に遮光膜が形成されない領域であり、基板側面からの幅ａ４が十数ｍｍである。このレジスト膜付きフォトマスクブランクスの転写パターン形成領域（被支持領域及び補助パターン形成領域の内側）に、ホールパターンとライン・アンド・スペースパターンとを描画し、現像処理、ポストベーク処理、レジスト剥離、洗浄を行って転写マスク（レチクル）を作製した。得られた転写マスク（レチクル）において、ステッパーの基板保持部材に対応した被支持領域には、遮光膜が形成されておらず、鏡面研摩された基板が露出していた。ここで、基板変形試験を行なうために、第１１図に示すステッパーの基板保持部材と同じように、基板の２辺を真空チャックする基板変形試験機を準備し、実施例４によって得られた転写マスク（レチクル）を、真空チャックによりチャッキングし、光学式干渉計（ＺｙｇｏＭａｒｋＧＰＩ）で平坦度変化量を測定したところ、０．１μｍ以下となり、基板変形はほとんど認められなかった。
【００７５】
＜参考例１＞
まず、基板１０上に膜厚１０００Åのクロムからなる遮光膜２０がスパッタリング法により形成され、この遮光膜２０上に未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されたフォトマスクブランクス１０１において、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域に、露光光源より光ファイバー等の伝送装置を介して露光処理を行う。
【００７６】
露光処理の終わったフォトマスクブランクスを、上述の実施例１と同様の不要膜除去装置にセットする。ここへ、薬液供給孔６１が、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域に対応して形成されているカバー部材６０（基板側面より約２ｍｍの位置に対応して設けられた薬液供給孔６１を有するカバー部材）を設置し、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域のみに現像液の薬液が供給されるようにして、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜に浸透させて溶解除去する。不要領域に形成されたレジスト膜が溶解除去されたフォトマスクブランクスへ、ベーク処理等を施して、フォトマスクブランクス周縁部のレジスト膜が除去された、レジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。
【００７７】
実施例１〜４へ共通して行ったものと同様に、レジスト膜付きフォトマスクブランクスの転写パターン形成領域（被支持領域及び補助パターン形成領域の内側）に、ホールパターンとライン・アンド・スペースパターンを描画し、現像処理、ポストベーク処理、レジスト剥離、洗浄を行って転写マスク（レチクル）を作製した。得られた転写マスク（レチクル）におけるステッパーの基板保持部材に対応した被支持領域には、遮光膜の境界が形成されており、遮光膜の膜厚（１０００Å）分、鏡面研磨された基板上に段差が形成されていた。
【００７８】
さらに、実施例１〜４へ共通して行ったものと同様に、基板変形試験機による平坦度変化量を測定したところ、基板変形は０．２μｍ程度であった。上述の実施例で作製した転写マスクと、参考例で作製した転写マスクを使用し、公知のリソグラフィー法（露光光源をＡｒＦエキシマレーザーとした）により転写マスクに形成されている転写パターンを半導体基板上に転写してパターン形成を行なった。その結果、転写マスク起因のみによるフォーカス精度、パターン位置精度は、参考例に比べて実施例はフォーカス精度において６ｎｍの改善（５０％以上の改善）、パターン位置精度において２５ｎｍの改善（５０％以上の改善）をすることができた。
【００７９】
上述の結果から明らかなように、本発明の構成を有するマスクブランクスは、露光装置に転写マスクを装着したときの基板変形が抑制され、パターン位置精度の低下、フォーカス精度の低下を最小限に抑えることができることが判る。
【００８０】
尚、上述の実施例では、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域全面のレジスト膜について、除去又は露光処理を行ったものを挙げて説明した。しかし本発明の適用は、これに限らず、被支持領域にバーコードパターンやＱＡパターンなどの補助パターンが形成される転写マスクにおいては、補助パターンを形成する領域に相当するレジスト膜が残るような薬液供給部材をカバー部材に装着することとしても良い。
【００８１】
当該領域にレジスト膜を残すことで、真空チャックによるレチクルの変形が抑制され、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えられることから好ましい構成である。
【００８２】
また、上述の実施例では、転写マスクにしたときに、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域における所定領域に薄膜が形成されないようにマスクブランクスの段階で細工（薄膜が形成されないようにすること、レジスト膜を除去すること、レジスト膜に露光処理を施すこと）を行う例を掲げて説明したが、これに限らず、転写マスクの製造過程において、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域における所定領域に薄膜が形成されないようにしてもかまわない。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明のフォトマスクブランクスによれば、薄膜をパターニングして得られる転写パターンを有する転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持したときに、所望のパターン位置精度及び所望のフォーカス精度となるように、基板主表面の周縁部に形成された薄膜及び／又はレジスト膜が、露光装置の基板保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域における所定領域において除去されているので、露光装置の基板保持部材に転写マスクを装着したときに、転写マスクの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。
【００８４】
また、本発明のフォトマスクブランクスの製造方法によれば、レジスト塗布工程の後、薄膜をパターニングして得られる転写パターンを有する転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持したときに、所望のパターン位置精度及び所望のフォーカス精度となるように、露光装置の基板保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域における所定領域に対し露光処理を行い、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしていることにより、転写マスク製造工程における現像処理工程、エッチング処理工程で、転写パターンの形成とともに、露光装置の保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域におけるレジスト膜、薄膜が除去されるので、露光装置の基板保持部材に転写マスクを装着したときに、転写マスクの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができるフォトマスクブランクスを簡単に製造することができる。
【００８５】
また、本発明の転写マスクの製造方法によれば、現像処理工程、エッチング処理工程で、転写パターンの形成とともに、所望のパターン位置精度及び所望のフォーカス精度となるように、露光装置の基板保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域における所定領域のレジスト膜、薄膜が除去されるので、露光装置の基板保持部材に転写マスクを装着したときに、転写マスクの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
第１図は、第１の実施の形態にかかるフォトマスクブランクスの説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
第２図は、第２の実施の形態にかかるフォトマスクブランクスの説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
第３図は、第３の実施の形態にかかるフォトマスクブランクスの説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
第４図は、第４の実施の形態にかかるフォトマスクブランクスの説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
第５図は、 本発明の実施例にかかる不要膜除去装置の説明図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。
第６図は、第５図の部分拡大断面図である。
第７図は、第５図の部分拡大断面図である。
第８図は、実施例にかかる不要膜除去装置の部分拡大斜視図である。
第９図は、実施例にかかる不要膜除去装置の分解斜視図である。
第１０図は、実施例にかかるフォトマスクブランクスを製造するためのカバー部材の説明図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
第１１図は、ステッパーにおける基板吸着機構を示す図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０：基板
２０：遮光膜
３０：レジスト膜
３１：被支持領域
３２：補助パターン形成領域
５０：回転台
６０：カバー部材
６１：薬液供給孔
６２：平坦部
６３：傾斜部
６４：周縁平坦部
６５：側部
６７：嵌合溝
６８：薬液供給部材
６９：孔
７０：ノズル
８０：薬液
９０：糸
１００、１０１：フォトマスクブランクス
【０００１】
本発明は、転写マスクを作製するための原版であるマスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、フォトマスク等を製造する分野においては、基板の一主表面に形成されたレジスト膜のうち、不要な一部分を除去することがしばしば要求される。例えば、基板上にレジスト膜を塗布する際、略水平に保持した基板上に塗布液を滴下し、基板を回転することによりその遠心力を利用して基板上に均一なレジスト膜を形成する回転塗布方法を行った場合、塗布膜が基板の全面に均一に形成されるような低速で回転させると、基板表面の周縁部に働く遠心力が小さくなり、レジスト液が基板表面の周縁部にとどまり、その部分の膜厚が厚くなってしまう。この膜厚の厚化による、基板表面の周縁部の盛り上がりがあると、以下のような問題がある。
【０００３】
即ち、フォトマスクブランクスの製造工程において、基板表面にレジストが形成された後、その基板は各種処理工程を経る間に、搬送機構に保持されたり、基板収納ケースに挿抜されたりする。このとき、基板の周縁部が搬送機構のチャック部や、収納ケース内の収納溝に接触することにより、基板周縁部のレジスト膜が剥離して発塵源となり、その剥離したレジストがフォトマスクブランクスの主表面に付着することによる欠陥が生じてしまう。
【０００４】
そこで、上述した事態を回避するため、基板にレジストを回転塗布してレジスト膜を形成させた後、基板周縁部のレジスト膜を予め除去しておく処理が施される。この処理は、基板を所定の回転中心回りに水平回転させながら、基板周縁部のレジストにレジストを溶解する処理液を供給し、この基板周縁部の被膜を溶解除去することにより行われている。
例えば、基板周縁部の不要なレジスト膜を除去する技術として、特許文献１に開示されている方法がある。
【０００５】
この不要膜除去方法は、レジスト膜を回転塗布方法により形成後、基板周縁部（除去する不要膜の上方に位置する部位）に微細な孔が多数形成されたカバー部材を基板上に載置し、基板とカバー部材が一体となって回転した状態で、カバー部材の上方より溶剤を供給することにより、溶剤は微細な孔を介して基板周縁部に供給され、基板周縁部に形成されたレジストを溶解除去するものである。
【０００６】
尚、基板周縁部には、アライメントマークやＱＡ（品質保証）パターンを形成することから、アライメントマークやＱＡパターンのパターン不良が起きないように、基板側面から数ｍｍ程度の領域におけるレジスト膜を除去している。
【特許文献１】
：特開２００１−２５９５０２号公報
【発明の開示】
【０００６】
上述のフォトマスクブランクスの中でも、半導体集積回路の製造の際に、パターン転写のために露光装置（以下、ステッパーと記載する場合もある。）に装着され縮小露光装置用マスクとして用いられる転写マスク（以下、レチクルと記載する場合もある。）は、少なくともその主表面が鏡面仕上げされた透明なガラス基板上にスパッタリング方法等によって、クロム等を含む遮光膜からなるパターンが形成されたものである。そして、通常レチクルは、転写パターンが形成された側の主表面を被転写基板側へ向けて装着される。そして、レクチルが装着される際には、そのパターンエリアを広くかつ、ステッパーの稼動時に基板がずれることがないように、基板主表面の周縁部において真空チャックされる。
【０００７】
第１１図にステッパーにおける代表的なレチクルの吸着機構を示す模式的な縦断面図である。
【０００８】
第１１図において、レチクル１は基板保持装置５に基板保持部材６により吸着されてセットされる。基板保持部材６は吸引管８を介して真空装置（図示されていない。）に接続されており、この真空装置により吸引されレチクル１が吸引される。
【０００９】
レチクル１において、基板保持部材６が接触する被支持領域は、露光装置メーカー毎で異なるが、だいたい基板側面から十数ｍｍ程度である。
【００１０】
上述の基板周縁部のレジスト膜が除去されたフォトマスクブランクスを使用してフォトマスクを作成する場合、遮光膜が露出されている基板側面から数ｍｍの領域は、フォトマスク製造工程のエッチング処理時に除去される。そのため、基板保持部材６に対応する領域に、遮光膜の境界が入った場合、遮光膜の膜厚分（通常１０００オングストローム程度）の段差が生じてしまう。従って、今後、パターンの微細化の進行に伴い、この段差に起因して、真空チャックされたレチクルが変形し、レチクル（転写パターン）の位置精度が低下したり、及びフォーカス精度が低下する危険性が考えられる。上述の問題は、半導体デザインルールで６５ｎｍノードが対象となるＡｒＦエキシマレーザー(波長：１９３ｎｍ)や、それより波長が短いＦ２エキシマレーザー（波長：１５７ｎｍ）露光用のマスクブランクス、転写マスクにおいて顕著になる。
【００１１】
そこで本発明は、上述の問題点を鑑みてなされたものであり、露光装置の基板保持部材に転写マスクを装着したときに、転写マスクの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下を最小限に抑え、またフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができるマスクブランクス及びその製造方法、並びに転写マスクの製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
上記課題を解決するための手段として、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
転写マスクを作製するための原版であって、転写マスクが作製された場合に転写パターンを構成することになる薄膜と、転写マスクを作製する際に用いられるレジスト膜とを基板主表面上に備えているマスクブランクスにおいて、
前記マスクブランクスによって転写マスクが作製された場合に、この転写マスクに形成されることになる補助パターンの形成領域と、前記転写マスクを用いて転写を行う際に露光装置の基板保持部材によって支持されることになる領域であるマスクブランクスの被支持領域とを、前記基板主表面の周縁部に有し、
前記マスクブランクスの被支持領域においては、前記レジスト膜が形成されていない領域を有し、そのレジスト膜が形成されていない領域は、前記マスクブランクスによって作製された転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持して転写を行う際に所望の転写パターン位置精度及び所望のフォーカス精度が得られる位置精度で保持されることになる範囲に選定された領域であることを特徴とするマスクブランクス。
【００１３】
(構成２)
前記補助パターン形成領域には、前記薄膜及び前記レジスト膜が形成されていることを特徴とする構成１にかかるマスクブランクス。
【００１４】
(構成３)
転写マスクを作製するための原版であって、転写マスクが作製された場合に転写パターンを構成することになる薄膜と、転写マスクを作製する際に用いられるポジ型レジスト膜とを基板主表面上に備えているマスクブランクスにおいて、
前記マスクブランクスによって転写マスクが作製された場合に、この転写マスクに形成されることになる補助パターンの形成領域と、前記転写マスクを用いて転写を行う際に露光装置の基板保持部材によって支持されることになる領域であるマスクブランクスの被支持領域とを、前記基板主表面の周縁部に有し、
前記マスクブランクスの被支持領域においては、前記レジスト膜に露光が施され露光領域とし、前記露光領域は、このレジスト膜を現像したときに未露光領域との間で現像液による溶解速度差によりレジスト膜が除去される領域であり、前記マスクブランクスによって作製された転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持して転写を行う際に所望の転写パターン位置精度及び所望のフォーカス精度となる位置精度で保持されることになる範囲に選定された領域であることを特徴とするマスクブランクス。
【００１５】
(構成４)
前記補助パターン形成領域は前記露光が施されていない未露光領域であることを特徴とする構成３にかかるフォトマスクブランクス。
【００１６】
(構成５)
転写マスクを作製するための原版であるマスクブランクスの製造方法であって、基板主表面上に、転写マスクが作製された場合に転写パターンを構成することになる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜上にポジ型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記塗布されたレジストを熱処理する熱処理工程とを有するマスクブランクスの製造方法において、
前記基板主表面の周縁部は、前記マスクブランクスによって転写マスクが作製された場合に、この転写マスクに形成されることになる補助パターンの形成領域と、前記転写マスクを用いて転写を行う際に露光装置の保持部材によって支持されることになる領域であるマスクブランクスの被支持領域とを有するものであり、
前記マスクブランクスの被支持領域においては、前記レジスト膜に露光が施され露光領域とし、前記露光領域は、このレジスト膜を現像したときに未露光領域との間で現像液による溶解速度差によりレジスト膜が除去される領域であり、前記マスクブランクスによって作製された転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持して転写を行う際に所望の転写パターン位置精度及び所望のフォーカス精度となる位置精度で保持されることになる範囲に選定された領域であることを特徴とするマスクブランクス。
【００１７】
（構成６）
前記基板主表面の周縁部に形成された不要なレジスト膜の露光処理を含み、前記露光処理後、前記露光領域に選択的に現像液を供給して、前記基板主表面の周縁部に形成された不要なレジスト膜、及び前記被支持領域に形成されたレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程を有することを特徴とする構成５にかかるマスクブランクスの製造方法。
【００１８】
（構成７）
構成５にかかるマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスを使用した転写マスク製造工程におけるエッチング処理工程において、
転写パターンの形成とともに、前記露光処理を施した被支持領域に形成された前記薄膜も合わせて除去することを特徴とする転写マスクの製造方法。
【００１９】
（構成８）
基板主表面上に転写パターンを構成することになる薄膜とこの薄膜上に形成されたポジ型レジスト膜とが形成されたマスクブランクスを用い、前記薄膜にパターンを形成して転写マスクを製造する転写マスクの製造方法であって、
前記転写マスクの周縁部は、転写を行う際に露光装置の基板保持部材によって支持されることになる領域である被支持領域を有するものであり、
前記被支持領域には前記薄膜が形成されない領域を有し、この薄膜の形成されない領域は、転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持して転写を行う際に所望の転写パターン位置精度及び所望のフォーカス精度となる位置精度で保持されることになる範囲に選定された領域であることを特徴とする転写マスクの製造方法。
【００２０】
（構成９）
構成８にかかる転写マスクの製造方法によって得られた転写マスクを使用し、リソグラフィー法により前記転写パターンを半導体基板に転写してパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２１】
上述の構成１によれば、基板主表面の周縁部に存在するマスクブランクスの被支持領域であって、露光装置の基板保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域において、レジスト膜が形成されない領域を有し、そのレジスト膜が形成されていない領域は、マスクブランクスによって作製された転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持して転写を行う際に所望の転写パターン位置精度及び所望のフォーカス精度が得られる位置精度で保持されることになる範囲に選定された領域であることを特徴とする。レジスト膜のみが前記被支持領域において形成されていない場合は、転写マスク製造工程におけるエッチング処理工程で転写パターンの形成とともに、被支持領域における薄膜が除去される。
【００２２】
従って、パターン位置精度及びフォーカス精度の低下に大きく起因する被支持領域においては薄膜が形成されておらず、基板が露出した状態となり、露光装置の基板保持部材により真空チャックされる転写マスクの変形を抑制することができる。よって、転写パターンの位置精度の低下を最小限に抑え、及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。
【００２３】
除去等の方法により薄膜やレジスト膜が形成されない前記被支持領域は、露光装置の基板保持部材に応じて異なり、基板に当接される側の被支持領域全体でもよいし、被支持領域にバーコードパターンやＱＡパターン、アライメントマーク、ペリクル位置合わせ用マークなど半導体基板には転写されない補助パターンが形成される補助パターン形成領域がかかる場合は、この補助パターンが形成される補助パターン形成領域以外の被支持領域であってもよい。パターンの微細化に伴って要求されるパターン位置精度及びフォーカス精度に応じて、薄膜やレジスト膜が形成されない所定領域を適宜決定する。
【００２４】
構成２によれば、補助パターン形成領域には薄膜及びレジスト膜が形成されているので、バーコードパターン、ＱＡパターン、アライメントマーク、ペリクル位置合わせ用マークなどの補助パターンのパターン不良を防止することができる。
【００２５】
構成３、５によれば、前記薄膜をパターニングして得られる転写パターンを有する転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持したときに、所望のパターン位置精度及び所望のフォーカス精度となるように、基板主表面の周縁部に形成されたポジ型レジスト膜が、露光装置の基板保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域において露光処理され、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしているので、転写マスク製造工程における現像処理工程や、マスクブランクス製造工程における露光領域のみに現像液を供給して不要なレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程で、パターン位置精度及びフォーカス精度の低下に大きく起因する被支持領域に形成されたレジスト膜を簡単に除去することができる。
【００２６】
構成４によれば、補助パターン形成領域は、露光処理されない未露光領域なので、転写マスク製造工程における現像処理工程においても、バーコードパターン、ＱＡパターン、アライメントマーク、ペリクル位置合わせ用マークなどの補助パターン形成領域にはレジスト膜が残っており、それらの補助パターンのパターン不良を防止することができる。
【００２７】
構成６によれば、マスクブランクスの製造工程において、被支持領域と、基板主表面の周縁部に形成された不要なレジスト膜も一緒に露光処理した後、露光領域に選択的に現像液を供給して、被支持領域に形成されたレジスト膜を除去するようにしているので、マスクブランクスの搬送時に把持されるチャック部や、マスクブランクス収納ケース内の収納溝に接触することによるレジスト膜剥れを防止できる。
【００２８】
構成７によれば、構成５の製造方法によって得られたマスクブランクスを使用した転写マスク製造工程におけるエッチング処理工程において、転写パターンの形成とともに、パターン位置精度及びフォーカス精度の低下に大きく起因する露光処理を施した被支持領域においては薄膜も合わせて除去するので、基板が露出した状態となり、露光装置の基板保持部材に真空チャックされる転写マスクの変形を抑制することができる。よって、転写パターンの位置精度の低下を最小限に抑え、及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。
【００２９】
構成８によれば、転写マスクの製造過程（例えば、描画工程、現像工程）において、露光装置の基板保持部材により支持される転写マスクの被支持領域における所定領域に形成されないようにしているので、転写マスクの原版であるマスクブランクスの段階で、前記被支持領域において遮光膜やレジスト膜が形成されないようにする等を行なわなくても良いので、従来からあるレジスト膜付きマスクブランクスをそのまま利用することができる。
【００３０】
構成９によれば、露光装置の基板保持部材により支持される被支持領域に薄膜が形成されていない転写マスクを使用して露光装置により転写パターンを転写して半導体基板上にパターン形成するので、パターン位置精度の低下を最小限に抑えた半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３２】
（第１の実施形態）
第１図は、基板周縁部の不要なレジスト膜と、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されたレジスト膜を除去した第１の実施形態のフォトマスクブランクスを示す図である。第１図（ａ）はレジスト膜が形成されている側から見たフォトマスクブランクスの平面図、第１図（ｂ）は、Ａ−Ａ線断面図である。
フォトマスクブランクス１００は、露光光に対して透光性を有する基板１０と、基板１０の主表面上に形成された遮光膜２０と、遮光膜２０上に形成されたレジスト膜３０からなる。基板周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜３０と、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域３１（左辺に１箇所、右辺に１箇所の合計２箇所）に形成されたレジスト膜３０は、除去してある。従って、フォトマスクブランクスの搬送時に把持されるチャック部や、マスクブランクス収納ケース内の収納溝に接触することによるレジスト膜剥れを防止でき、且つ、転写マスク製造工程における現像処理工程で、転写パターンの形成とともに、被支持領域における薄膜が除去される。従って、被支持領域は基板が露出した状態となり、薄膜の膜厚分の段差がないので、露光装置の基板保持部材に真空チャックされるレチクルの変形が抑制され、転写パターンの位置精度の低下、フォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。なお、基板主表面の周縁部に形成される被支持領域３１以外の補助パターン形成領域３２には、レジスト膜３０が除去されずに残っているので、補助パターンのパターン不良は発生しない。
【００３３】
（第２の実施形態）
第２図は、基板周縁部の不要なレジスト膜を除去し、且つ、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に露光処理を施し、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにした、第２の実施形態のフォトマスクブランクスを示す図である。第２図（ａ）はレジスト膜が形成されている側から見たフォトマスクブランクスの平面図、第２図（ｂ）は、Ａ−Ａ線断面図である。
フォトマスクブランクス１００は、露光光に対して透光性を有する基板１０と、基板１０の主表面上に形成された遮光膜２０と、遮光膜２０上に形成されたレジスト膜３０からなる。基板周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜３０は除去され、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域３１（左辺に１箇所、右辺に１箇所の合計２箇所）に形成されたレジスト膜３０は、露光処理され、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしてある。
従って、基板周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜３０は除去されているので、フォトマスクブランクスの搬送時に把持されるチャック部や、マスクブランクス収納ケース内の収納溝に接触することによるレジスト膜剥れを防止でき、且つ、転写マスク製造工程における現像処理工程で、転写パターンの形成とともに、露光処理を施した被支持領域のレジスト膜も合わせて除去するので、転写パターンの形成とともに、被支持領域における薄膜が除去される。従って、被支持領域は基板が露出した状態となり、薄膜の膜厚分の段差がないので、露光装置の基板保持部材に真空チャックされるレチクルの変形が抑制され、転写パターンの位置精度の低下、フォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。なお、基板主表面の周縁部に形成される被支持領域３１以外の補助パターン形成領域３２には、露光処理されず未露光領域があり、転写マスク製造工程における現像処理工程においてもレジスト膜３０が除去されずに残っているので、補助パターンのパターン不良は発生しない。
尚、第２の実施形態で使用するレジストは、露光領域を現像液により除去するために、ポジ型レジストとする。
また、第２の実施形態のフォトマスクブランクスにおける露光領域と未露光領域は、現像液を供給する方法や、レジストによっては屈折率や透過率の差で判別することが可能である。
【００３４】
（第３の実施形態）
第３図は、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に露光処理を施し、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差がえられるようにしたフォトマスクブランクスを示す図である。第３図（ａ）はレジスト膜が形成されている側から見たフォトマスクブランクスの平面図、第３図（ｂ）は、Ａ−Ａ線断面図である。
フォトマスクブランクス１００は、露光光に対して透光性を有する基板１０と、基板１０の主表面上に形成された遮光膜２０と、遮光膜２０上に形成されたレジスト膜３０からなる。露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域３１（左辺に１箇所、右辺に１箇所の合計２箇所）に形成されたレジスト膜３０は、露光処理され、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしてある。従って、転写マスク製造工程における現像処理工程で、転写パターンの形成とともに、露光処理を施した被支持領域のレジスト膜も合わせて除去するので、転写パターンの形成とともに、被支持領域における薄膜が除去される。
【００３５】
従って、被支持領域は基板が露出した状態となり、薄膜の膜厚分の段差がないので、露光装置の基板保持部材に真空チャックされるレチクルの変形が抑制され、転写パターンの位置精度の低下、フォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。なお、基板主表面の周縁部に形成される被支持領域３１以外の補助パターン形成領域３２には、露光処理されず未露光領域があり、転写マスク製造工程における現像処理工程においてもレジスト膜３０が除去されずに残っているので、補助パターンのパターン不良は発生しない。
【００３６】
尚、第３の実施形態で使用するレジストは、露光領域が現像液により除去するために、ポジ型レジストとする。
【００３７】
また、上述と同様にフォトマスクブランクスにおける露光領域と未露光領域は、現像液を供給する方法や、レジストによっては屈折率や透過率の差で判別することが可能である。
【００３８】
（第４の実施の形態）
第４図は転写パターンとなる薄膜を、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されないようにした第４の実施の形態のフォトマスクブランクスを示す図である。第４図（ａ）はレジスト膜が形成されている側からみたフォトマスクブランクスの平面図、第４図（ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。
【００３９】
フォトマスクブランクス１００は、露光光に対して透光性を有する基板１０と、基板１０の主表面上に形成された遮光膜２０と、遮光膜２０上に形成されたレジスト膜３０からなる。遮光膜２０は、スパッタリング法等の成膜時において、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域３１（左辺に１箇所、右辺に１箇所の合計２箇所）に遮光膜２０が形成されないように遮蔽部材を利用するなどして形成される。
従って、第４の実施の形態のフォトマスクブランクスを使って転写マスクにした場合、露光装置の被支持領域は基板が露出した状態となり、薄膜の膜厚分の段差がないので、露光装置の基板保持部材に真空チャックされるレチクルの変形が抑制され、転写パターンの位置精度の低下やフォーカス精度の低下を最小限抑えることができる。なお、基板主表面の周縁部に形成される被支持領域３１以外の補助パターン形成領域３２には、薄膜が形成されているので、補助パターンのパターン不良は発生しない。また、上述の第４実施の形態において、基板周縁部の不要なレジスト膜が除去されたフォトマスクブランクスでもかまわない。
【００４０】
尚、上述の第１〜第３の実施形態では、露光装置の被支持領域全面のレジスト膜について、除去又は露光処理を行ったものを挙げて説明したが、これに限らず、被支持領域にバーコードパターンやＱＡパターンなどの補助パターンが形成される転写マスクにおいては、露光装置の基板保持部材に真空チャックされるレチクルの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えられる被支持領域における所定領域（バーコードパターンやＱＡパターンなどの補助パターン形成領域の全部または一部）に対して、レジスト膜が残るようにしても良い。
【００４１】
そして、上述の第１〜第４の実施形態において基板の被支持領域における平坦度は、転写パターンの位置精度が低下することがないように、０．５μｍ以下とすることが好ましい。さらに好ましくは、０．３μｍ以下が望ましい。尚、基板の端部形状は、基板の側面に向かって盛りあがった形状よりも垂れている形状（縁ダレ形状）が好ましい。ここで、平坦度とは、基板主表面の表面側に任意に設けた基準面から主表面面内における表面形状の最大高さと最小高さの差（測定面から最小自乗法で算出される仮想絶対平面（焦平面）に対する測定面の最大値と最小値の差）をいう。
【００４２】
さらに、被支持領域以外の基板主表面の周縁部に形成されたレジスト膜は、マスクブランクスの搬送時に把持されるチャック部や、マスクブランクス収納ケース内の収納溝に接触することによるレジスト膜剥れを防止するために、合わせて除去されている方が好ましい。被支持領域以外の基板主表面の除去幅は、アライメントマークやＱＡパターンなどの補助パターンのパターン不良がないように、１〜３ｍｍ程度とする。
【００４３】
尚、本発明でいうマスクブランクスは、透過型マスクブランクス、反射型マスクブランクスの何れも指し、これらの構造は、基板上に被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜とを有する。
【００４４】
透過型マスクブランクスは、基板として透光性基板を使用し、転写パターンとなる薄膜は、被転写体に転写するときに使用する露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜（例えば、遮光機能を有する薄膜）が使用されたフォトマスクブランクスである。ここで、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜とは、露光光を遮断する遮光膜や、露光光の位相を変化させる位相シフト膜などを指す。また、遮光機能を有する薄膜とは、遮光機能と位相シフト機能を有する所謂ハーフトーン膜と、遮光機能を有する遮光膜とを含む。
従って、透過型マスクブランクスは、遮光膜が形成されたフォトマスクブランクス、ハーフトーン膜が形成された位相シフトマスクブランクス（ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス）、位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクスなどを含む。
また、反射型マスクブランクスは、基板として熱膨張係数の小さいものを使用し、この基板上に光反射多層膜、転写パターンとなる光吸収体膜とを有するマスクブランクスである。
【００４５】
また、本発明のマスクブランクスには、上述の膜以外に、レジスト下地反射防止膜（BARC：Bottom Anti-Reflective Coating）、レジスト上層反射防止膜（TARL：Top Anti-Reflective Layer）、レジスト上層保護膜、導電性膜等の膜が形成されても良い。
【００４６】
以下、上述の第１〜第３の実施形態におけるフォトマスクブランクスの製造方法を、図面を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、上述の第１の実施形態における周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜の除去、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されたレジスト膜の除去、並びに第２の実施形態における周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜の除去を行うための不要膜除去装置について、第５図乃至第９図を用いて説明する。第５図は不要膜除去装置の構成を示す断面図、第６図及び第７図は、第５図の部分拡大断面図、第８図は、第５図に示す不要膜除去装置の部分拡大斜視図、第９図は、第５図に示す不要膜除去装置の分解斜視図である。
【００４８】
第５図乃至第９図において、不要膜除去装置に載置するフォトマスクブランクス（当該フォトマスクブランクスには、符号１０１を付与する。）について説明する。フォトマスクブランクス１０１は基板１０を有し、基板１０は、露光光に対し透光性を有する基板であって、基板１０上に遮光膜２０が形成され、さらに、この遮光膜２０の上に回転塗布方法等で形成された未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されている。
【００４９】
不要膜除去装置は、第５図に示されるように、回転台５０に載置保持されたフォトマスクブランクス１０１の上面側をカバー部材６０によって覆い、このカバー部材６０の上方からノズル７０よりレジスト膜３０を溶解する薬液８０を噴出させてカバー部材６０の薬液供給孔６１を通じて不要膜部分（第９図にて、符号３２ａを付与した部分）に供給してこれを溶解除去するものである。
【００５０】
カバー部材６０は、フォトマスクブランクス１０１を上方から被せるようにして覆うもので、中心から周縁にかけての大部分は平坦部６２である。この平坦部６２から外周部にかけて傾斜部６３が形成され、この傾斜部６３からさらに外周部に向けて肉厚な周縁平坦部６４が形成され、この周縁平坦部６４の外周端が下方に延在して、側部６５が形成されている。
【００５１】
周縁平坦部６４には、多数の貫通孔である薬液供給孔６１を有する薬液供給部材６８が脱着自在に嵌めこまれている。薬液供給部材６８は、周縁平坦部６４に設けた嵌合溝６７に嵌めこまれている。嵌合溝６７の底部には、第５図（ｂ）に示すように、薬液供給孔６１よりも径の小さな多数の孔６９が設けられる。嵌合溝６７の底部は譬えて言えば金網状を呈しており、薬液供給量はこれらの孔６９ではなく、薬液供給孔６１の孔径によって決まるようになっている。薬液供給部材６８が溝６７に嵌めこまれて平坦部が構成される。また、カバー部材６０の本体と側部６５とは、上記嵌合溝６７の底部によって連結されることになる。
【００５２】
また、フォトマスクブランクス１０１の薬液供給孔６１の適宜の数ヵ所には、薬液に耐性のある（例えば、樹脂系）糸９０が通され、カバー部材６０の内壁とフォトマスクブランクス１０１の表面との間に介在されてこれらの間隙の大きさを設定するようになっている。即ち、この糸９０は、薬液供給孔６１を通り、嵌合溝６７の底壁とフォトマスクブランクス１０１の表面の側部６５の外側、及び周縁平坦部６４の外周端を通過してループ状に形成されている。
【００５３】
糸９０の太さは、嵌合溝６７の底壁とフォトマスクブランクス１０１の表面との間隙の大きさｄ１を、この間隙に薬液を供給したときに薬液の表面張力により、薬液が間隙中を伝わって間隙中に広がることが可能な大きさに設定する。例えば、間隙の大きさｄ１を０．０５ｍｍ〜３ｍｍとする。この範囲以外だと、薬液が間隙中を伝わって間隙中に広がることが困難になり、除去できない部分ができたり、除去部分と他の部分との境界がギザギザ状態になる場合がある。
【００５４】
また、側部６５の内壁とフォトマスクブランクス１０１の側面との間隙の大きさｄ２は、この間隙中を薬液がレジスト膜３０に接触しながら通過できる大きさであればよい。
また、カバー部材６０の中心部から周縁にかけての大部分である平坦部６２の内壁と対向するフォトマスクブランクス１０１の表面の領域は、必要なレジスト膜の領域である。この領域においては、薬液の表面張力が働かないように、カバー部材６０の内壁とフォトマスクブランクス１０１の表面との間の間隙をｄ１よりも大きくするが、フォトマスクブランクスのレジスト膜３０の温度分布が、カバー部材６０の内壁面からの熱伝達によって影響を受けないように所定以上大きく、かつ、間隙で気体の対流が生じてこの対流によってフォトマスクブランクス１０１のレジスト膜３に温度分布が生じないように所定以下に小さく設定した値であるｄ３とする。
【００５５】
例えば、このｄ３は、０．０５ｍｍ〜２０ｍｍとすることが好ましい。０．０５ｍｍ未満だとカバー部材６０からの熱伝達を受け易くなり、例えば、カバー部材表面に薬液の気化熱が不規則に作用して大きな温度分布が生じた場合、この温度分布を直接反映してレジスト膜３０に温度分布を与え、膜厚変動や感度変化を与えてしまう恐れが高くなる。一方、２０ｍｍ超だと自然の対流が生じて、レジスト膜に温度分布を生じさせる恐れが高くなる。
【００５６】
上述したように、カバー部材６０は、薬液供給装置によって供給された薬液を不要なレジスト膜部分（周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜、露光装置の基板保持部材の被支持領域に形成されたレジスト膜）に供給して、レジスト膜を溶解除去する薬液供給孔６１を有する。この薬液供給孔６１は、カバー部材６０の嵌合溝６７に嵌合される薬液供給部材６８に設けられる。薬液供給部材６８に設けられる薬液供給孔６１の径又は／及び薬液供給孔６１の配置を決めておけば、薬液供給孔６１を通じて不要なレジスト膜部分へ供給される薬液の供給量又は／及び供給位置を調整できる。従って、薬液供給孔６１を有する薬液供給部材６８は、各露光装置の基板保持部材の被支持領域に対応するように、又は／及び周縁部の不要領域の除去幅毎に予め複数用意して、これらを交換することによって、薬液の供給量又は／及び供給位置を調整する調整手段を構成できる。
【００５７】
不要なレジスト膜を除去する薬液の薬液供給孔の大きさ又は／及び位置を、薬液供給部材６８の交換によって、適宜調整可能としているので、カバー部材全体を設計・準備・交換することなく、除去領域を適宜制御することができる。
【００５８】
さて、薬液供給部材６８を嵌めたカバー部材６０を被されたフォトマスクブランクス１０１は、回転台５０に保持されて回転されながら処理される。回転台５０は回転軸５１に取りつけられた４本の水平方向に放射状に延びた支持腕５２と、それぞれの支持腕５２の先端部に設けられた一対の保持台座５３とを有する。保持台座５３は、その上にフォトマスクブランクス１０１の４角を配置して保持するものである。回転軸５１は、図示しない回転駆動装置に結合され、所望の回転数で回転されるようになっている。なお、フォトマスクブランクス１０１の下方にも、薬液供給用のノズル７０ａが設けられており、該ノズル７０ａから薬液８０ａを供給して、不要なレジスト膜を確実に除去することができるようになっている。
【００５９】
＜実施例１＞
上述の不要膜除去装置によって、以下のようにして第１の実施形態のフォトマスクブランクスを作製する。
第１０図は、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されたレジスト膜が除去されたフォトマスクブランクスを製造するためのカバー部材を示す図である。第１０図（ａ）は、カバー部材の断面図、第１０図（ｂ）は、カバー部材の上方からみた平面図である。
カバー部材６０の周縁部の４辺に、所定の孔径をもつ薬液供給孔６１を有する４つの薬液供給部材６８ａ〜６８ｄがそれぞれ嵌めこまれる。各薬液供給部材６８の長さを同じに設定することにより、薬液供給部材６８を嵌めこんだときに、カバー部材６０の４つのコーナー部に順に各薬液供給部材６８の一端が来るようにしてある。ここで、薬液供給孔６１の形成位置は、４つの薬液供給部材６８を嵌めこんだときに、上下辺に沿って直線状に配列されることになる薬液供給孔６１を外側寄り（基板側面より約２ｍｍの位置）に形成されている。また、左右辺に、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域のレジスト膜を除去するように、内側寄り（基板側面より十数ｍｍの位置）に基板保持部材用薬液供給孔６１ｂが形成され、それ以外の領域には上下辺と同様に、外側寄りに直線状に配列した薬液供給孔６１が形成されている。
【００６０】
（ａ）ネガ型レジストの場合
まず、基板１０上に膜厚１０００Åのクロムからなる遮光膜２０がスパッタリング法により形成され、この遮光膜２０上に未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されたフォトマスクブランクス１０１を、回転台５０にセットして、第１０図のカバー部材６０を被せたら、ノズル７０から供給量を調節しながら薬液８０を供給する。（薬液は、レジスト膜が溶解するものであれば何でもよく、有機溶剤などを使用する。）同時に、回転台５０を回転数１００〜１０００ｒｐｍで１〜６０秒間回転させる。これにより、薬液８０を薬液供給孔６１を通じて、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されたレジスト膜に浸透させて溶解除去する。
【００６１】
さらに、上記処理が終盤に近く担った時点で、ノズル７０ａから薬液８０ａを噴出させて溶解除去を確実なものにする。次ぎに、ベーク処理等を施して、フォトマスクブランクス周縁部のレジスト膜、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域のレジスト膜が除去されたレジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。
このフォトマスクブランクスは、第１図に示されるように、左右の２辺に隣接してある被支持領域３１の部位がレジスト膜除去領域であり、基板側面からの幅ａ１が十数ｍｍであり、上下２辺に隣接して設けられたレジスト膜除去領域の基板側面からの幅ｂ１は１．８ｍｍである。
【００６２】
（ｂ）ポジ型レジストの場合
レジスト膜３０がポジ型レジストの場合は、上述の製造方法の他に、以下の製造方法でもフォトマスクブランクスを作製することができる。
【００６３】
基板１０上に膜厚１０００Åのクロムからなる遮光膜２０がスパッタリング法により形成され、この遮光膜２０上に未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されたフォトマスクブランクス１０１において、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域及び、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域へ、露光光源より光ファイバー等の伝送装置を介して露光処理を行う。この露光処理は、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにするためである。
【００６４】
次ぎに、上述の（ａ）ネガ型レジストの場合と同様にして、上述の不要膜除去装置に、露光処理を終えたフォトマスクブランクスをセットし、露光領域のみに現像液の薬液が供給されるようにして、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されたレジスト膜に浸透させて溶解除去する。レジスト膜の溶解除去が終わったら、ベーク処理等を施し、フォトマスクブランクス周縁部のレジスト膜、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域のレジスト膜が除去されたレジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。このフォトマスクブランクスも、第１図に示されるように、左右の２辺に隣接してある被支持領域３１の部位がレジスト膜除去領域であり、基板側面からの幅ａ１が十数ｍｍであり、上下２辺に隣接して設けられたレジスト膜除去領域の基板側面からの幅ｂ１は１．８ｍｍである。
【００６５】
第２、第３の実施形態におけるフォトマスクブランクスの製造方法は、レジスト膜３０がポジ型レジストの場合に適用される。
【００６６】
＜実施例２＞
まず、基板１０上に膜厚１０００Åのクロムからなる遮光膜２０がスパッタリング法により形成され、この遮光膜２０上に未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されたフォトマスクブランクス１０１において、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に、露光光源より光ファイバー等の伝送装置を介して露光処理を行う。
【００６７】
露光処理の終わったフォトマスクブランクスを、上述の実施例１と同様の不要膜除去装置にセットする。ここへ、薬液供給孔６１が、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域に対応して形成されているカバー部材６０（基板側面より約２ｍｍの位置に対応して設けられた薬液供給孔６１を有するカバー部材）を設置し、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域のみに現像液の薬液が供給されるようにして、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜に浸透させて溶解除去する。
【００６８】
不要領域に形成されたレジスト膜が溶解除去されたフォトマスクブランクスへ、ベーク処理等を施して、フォトマスクブランクス周縁部のレジスト膜が除去され、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域のレジスト膜が露光処理され、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしたレジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。このフォトマスクブランクスは、第２図に示されるように、左右の２辺に隣接してある被支持領域３１の部位が露光領域（現像により溶解速度差が得られるようにした領域）であり、基板側面からの幅ａ２が十数ｍｍであり、また上下左右４辺に隣接して設けられたレジスト膜除去領域の基板側面からの幅ｂ２は１．８ｍｍである。
【００６９】
尚、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に形成されているレジスト膜３０は、転写マスク製造工程における現像処理工程で、転写パターンの形成とともに、除去される。
【００７０】
尚、上述の実施例２では、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域、及び露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に露光処理を行った後、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域のみに現像液の薬液を供給したが、有機溶剤の薬液により、まずフォトマスクブランクス周縁部の不要な領域に形成されたレジスト膜を除去した後、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に露光処理を行ってもかまわない。
【００７１】
＜実施例３＞
まず、基板１０上に膜厚１０００Åのクロムからなる遮光膜２０をスパッタリング法により形成し、この遮光膜２０上に未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されたフォトマスクブランクス１０１において、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に、露光光源より光ファイバー等の伝送装置を介して露光処理を行い、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしたレジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。
【００７２】
露光領域は、転写マスク製造工程における現像処理工程で、転写パターンの形成とともに、被支持領域のレジスト膜も合わせて除去されることになる。このフォトマスクブランクスは、第３図に示されるように、左右の２辺に隣接してある被支持領域３１の部位が露光領域（現像により溶解速度差が得られるようにした領域）であり、基板側面からの幅ａ３が十数ｍｍである。
【００７２】
＜実施例１〜３共通＞
上述の実施例１〜３によって得たレジスト膜付きフォトマスクブランクスの転写パターン形成領域（被支持領域及び補助パターン形成領域の内側）に、ホールパターンとライン・アンド・スペースパターンを描画し、現像処理、ポストベーク処理、レジスト剥離、洗浄を行って転写マスク（レチクル）を作製した。得られた転写マスク（レチクル）において、ステッパーの基板保持部材に対応した被支持領域には、遮光膜が形成されておらず、鏡面研磨された基板が露出していた。
【００７３】
ここで、基板変形試験を行うために、第１１図に示すステッパーの基板保持部材と同じように、基板の２辺を真空チャックする基板変形試験機を準備し、実施例１〜３によって得られた転写マスク（レチクル）を、真空チャックによりチャッキングし、光学式干渉計（ＺｙｇｏＭａｒｋＧＰＩ）で平坦度変化量を測定したところ、０．１μｍ以下となり、基板変形はほとんど認められなかった。
【００７４】
＜実施例４＞
上述の実施例１において、基板１０１に遮光膜２０をスパッタリング法により形成する際、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域に遮光膜２０が形成されないようにブロックして遮光膜２０を形成し、さらにレジスト膜形成後は、第５図に記載の不要膜除去装置を使用し、基板周縁部に形成された不要なレジスト膜のみを溶解除去した以外は実施例１と同様にしてレジスト膜付きフォトマスクブランクスを作製した。このフォトマスクブランクスは、第５図に示されるように、左右の２辺に隣接してある被支持領域３１の部位に遮光膜が形成されない領域であり、基板側面からの幅ａ４が十数ｍｍである。このレジスト膜付きフォトマスクブランクスの転写パターン形成領域（被支持領域及び補助パターン形成領域の内側）に、ホールパターンとライン・アンド・スペースパターンとを描画し、現像処理、ポストベーク処理、レジスト剥離、洗浄を行って転写マスク（レチクル）を作製した。得られた転写マスク（レチクル）において、ステッパーの基板保持部材に対応した被支持領域には、遮光膜が形成されておらず、鏡面研摩された基板が露出していた。ここで、基板変形試験を行なうために、第１１図に示すステッパーの基板保持部材と同じように、基板の２辺を真空チャックする基板変形試験機を準備し、実施例４によって得られた転写マスク（レチクル）を、真空チャックによりチャッキングし、光学式干渉計（ＺｙｇｏＭａｒｋＧＰＩ）で平坦度変化量を測定したところ、０．１μｍ以下となり、基板変形はほとんど認められなかった。
【００７５】
＜参考例１＞
まず、基板１０上に膜厚１０００Åのクロムからなる遮光膜２０がスパッタリング法により形成され、この遮光膜２０上に未ベークの状態のレジスト膜３０が形成されたフォトマスクブランクス１０１において、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域に、露光光源より光ファイバー等の伝送装置を介して露光処理を行う。
【００７６】
露光処理の終わったフォトマスクブランクスを、上述の実施例１と同様の不要膜除去装置にセットする。ここへ、薬液供給孔６１が、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域に対応して形成されているカバー部材６０（基板側面より約２ｍｍの位置に対応して設けられた薬液供給孔６１を有するカバー部材）を設置し、フォトマスクブランクス周縁部の不要な領域のみに現像液の薬液が供給されるようにして、フォトマスクブランクス周縁部の不要領域に形成されたレジスト膜に浸透させて溶解除去する。不要領域に形成されたレジスト膜が溶解除去されたフォトマスクブランクスへ、ベーク処理等を施して、フォトマスクブランクス周縁部のレジスト膜が除去された、レジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。
【００７７】
実施例１〜４へ共通して行ったものと同様に、レジスト膜付きフォトマスクブランクスの転写パターン形成領域（被支持領域及び補助パターン形成領域の内側）に、ホールパターンとライン・アンド・スペースパターンを描画し、現像処理、ポストベーク処理、レジスト剥離、洗浄を行って転写マスク（レチクル）を作製した。得られた転写マスク（レチクル）におけるステッパーの基板保持部材に対応した被支持領域には、遮光膜の境界が形成されており、遮光膜の膜厚（１０００Å）分、鏡面研磨された基板上に段差が形成されていた。
【００７８】
さらに、実施例１〜４へ共通して行ったものと同様に、基板変形試験機による平坦度変化量を測定したところ、基板変形は０．２μｍ程度であった。上述の実施例で作製した転写マスクと、参考例で作製した転写マスクを使用し、公知のリソグラフィー法（露光光源をＡｒＦエキシマレーザーとした）により転写マスクに形成されている転写パターンを半導体基板上に転写してパターン形成を行なった。その結果、転写マスク起因のみによるフォーカス精度、パターン位置精度は、参考例に比べて実施例はフォーカス精度において６ｎｍの改善（５０％以上の改善）、パターン位置精度において２５ｎｍの改善（５０％以上の改善）をすることができた。
【００７９】
上述の結果から明らかなように、本発明の構成を有するマスクブランクスは、露光装置に転写マスクを装着したときの基板変形が抑制され、パターン位置精度の低下、フォーカス精度の低下を最小限に抑えることができることが判る。
【００８０】
尚、上述の実施例では、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域全面のレジスト膜について、除去又は露光処理を行ったものを挙げて説明した。しかし本発明の適用は、これに限らず、被支持領域にバーコードパターンやＱＡパターンなどの補助パターンが形成される転写マスクにおいては、補助パターンを形成する領域に相当するレジスト膜が残るような薬液供給部材をカバー部材に装着することとしても良い。
【００８１】
当該領域にレジスト膜を残すことで、真空チャックによるレチクルの変形が抑制され、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えられることから好ましい構成である。
【００８２】
また、上述の実施例では、転写マスクにしたときに、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域における所定領域に薄膜が形成されないようにマスクブランクスの段階で細工（薄膜が形成されないようにすること、レジスト膜を除去すること、レジスト膜に露光処理を施すこと）を行う例を掲げて説明したが、これに限らず、転写マスクの製造過程において、露光装置の基板保持部材に対応した被支持領域における所定領域に薄膜が形成されないようにしてもかまわない。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明のフォトマスクブランクスによれば、薄膜をパターニングして得られる転写パターンを有する転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持したときに、所望のパターン位置精度及び所望のフォーカス精度となるように、基板主表面の周縁部に形成された薄膜及び／又はレジスト膜が、露光装置の基板保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域における所定領域において除去されているので、露光装置の基板保持部材に転写マスクを装着したときに、転写マスクの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。
【００８４】
また、本発明のフォトマスクブランクスの製造方法によれば、レジスト塗布工程の後、薄膜をパターニングして得られる転写パターンを有する転写マスクを露光装置の基板保持部材で支持したときに、所望のパターン位置精度及び所望のフォーカス精度となるように、露光装置の基板保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域における所定領域に対し露光処理を行い、露光領域と未露光領域との間で現像液による溶解速度差が得られるようにしていることにより、転写マスク製造工程における現像処理工程、エッチング処理工程で、転写パターンの形成とともに、露光装置の保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域におけるレジスト膜、薄膜が除去されるので、露光装置の基板保持部材に転写マスクを装着したときに、転写マスクの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができるフォトマスクブランクスを簡単に製造することができる。
【００８５】
また、本発明の転写マスクの製造方法によれば、現像処理工程、エッチング処理工程で、転写パターンの形成とともに、所望のパターン位置精度及び所望のフォーカス精度となるように、露光装置の基板保持部材により支持されるマスクブランクスの被支持領域における所定領域のレジスト膜、薄膜が除去されるので、露光装置の基板保持部材に転写マスクを装着したときに、転写マスクの変形を抑制し、転写パターンの位置精度の低下及びフォーカス精度の低下を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
第１図は、第１の実施の形態にかかるフォトマスクブランクスの説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
第２図は、第２の実施の形態にかかるフォトマスクブランクスの説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
第３図は、第３の実施の形態にかかるフォトマスクブランクスの説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
第４図は、第４の実施の形態にかかるフォトマスクブランクスの説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
第５図は、 本発明の実施例にかかる不要膜除去装置の説明図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。
第６図は、第５図の部分拡大断面図である。
第７図は、第５図の部分拡大断面図である。
第８図は、実施例にかかる不要膜除去装置の部分拡大斜視図である。
第９図は、実施例にかかる不要膜除去装置の分解斜視図である。
第１０図は、実施例にかかるフォトマスクブランクスを製造するためのカバー部材の説明図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
第１１図は、ステッパーにおける基板吸着機構を示す図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０：基板
２０：遮光膜
３０：レジスト膜
３１：被支持領域
３２：補助パターン形成領域
５０：回転台
６０：カバー部材
６１：薬液供給孔
６２：平坦部
６３：傾斜部
６４：周縁平坦部
６５：側部
６７：嵌合溝
６８：薬液供給部材
６９：孔
７０：ノズル
８０：薬液
９０：糸
１００、１０１：フォトマスクブランクス
Claims (13)
- 転写マスクを作製するための原版であって、転写マスクが作製された場合に転写パターンを構成することになる薄膜と、転写マスクを作製する際に用いられるレジスト膜とを基板主表面上に備えているマスクブランクスにおいて、
前記基板の主表面の周縁部にある不要領域の内側に位置し、前記転写マスクを用いて転写を行う際に露光装置の基板保持部材によって支持されることになる領域であるマスクブランクスの被支持領域を有し、
前記マスクブランクスの被支持領域においては、前記薄膜が形成され、かつ前記レジスト膜が形成されていない領域を有し、
前記転写マスクを作製する際に、前記転写パターンの形成とともに前記被支持領域における薄膜が除去されることを特徴とするマスクブランクス。 - 前記マスクブランクスによって転写マスクが作製された場合に、この転写マスクに形成されることになる補助パターンの形成領域を有し、
前記補助パターン形成領域以外の前記マスクブランクスの被支持領域には、前記レジスト膜が形成されておらず、
前記補助パターン形成領域には、前記薄膜及び前記レジスト膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載のマスクブランクス。 - 転写マスクを作製するための原版であって、転写マスクが作製された場合に転写パターンを構成することになる薄膜と、転写マスクを作製する際に用いられるレジスト膜とを基板主表面上に備えているマスクブランクスにおいて、
前記レジスト膜は、ポジ型のレジスト膜であり、
前記基板の主表面の周縁部にある不要領域の内側に位置し、前記転写マスクを用いて転写を行う際に転写装置の保持部材によって支持されることになる領域であるマスクブランクスの被支持領域と、該被支持領域の内側に位置する転写パターン形成領域とを有し、
前記マスクブランクスの被支持領域においては、前記レジスト膜を現像したときにレジスト膜が除去されるようにレジスト膜に露光が施されている領域を有し、
前記転写パターン形成領域においては、レジスト膜に露光が施されていないことを特徴とするマスクブランクス。 - 前記マスクブランクスによって転写マスクが作製された場合に、この転写マスクに形成されることになる補助パターンの形成領域を有し、
前記補助パターン形成領域以外の前記マスクブランクスの被支持領域は、露光が施されており、
前記補助パターン形成領域は前記露光が施されていない未露光領域であることを特徴とする請求項３に記載のマスクブランクス。 - 前記不要領域のレジスト膜が除去されていることを特徴とする請求項３又は４に記載のマスクブランクス。
- 転写マスクを作製するための原版であって、転写マスクが作製された場合に転写パターンを構成することになる薄膜と、転写マスクを作製する際に用いられるレジスト膜とを基板主表面上に備えているマスクブランクスにおいて、
前記基板の主表面の周縁部にある不要領域の内側に位置し、前記転写マスクを用いて転写を行う際に露光装置の基板保持部材によって支持されることになる領域であるマスクブランクスの被支持領域を有し、
前記マスクブランクスの被支持領域においては、前記薄膜が形成されておらず、かつ前記レジスト膜が形成されている領域を有することを特徴とするマスクブランクス。 - 前記マスクブランクスによって転写マスクが作製された場合に、この転写マスクに形成されることになる補助パターンの形成領域を有し、
前記補助パターン形成領域以外の前記マスクブランクスの被支持領域には、前記薄膜が形成されておらず、
前記補助パターン形成領域には、前記薄膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載のマスクブランクス。 - 前記不要領域のレジスト膜の除去幅は、基板側面から１〜３ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載のマスクブランクス。
- 転写マスクを作製するための原版であるマスクブランクスの製造方法であって、基板主表面上に、転写マスクが作製された場合に転写パターンを構成することになる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜上にポジ型レジストを塗布するレジスト塗布工程とを有するマスクブランクスの製造方法において、
前記マスクブランクスは、前記基板の主表面の周縁部にある不要領域の内側に位置し、
前記転写マスクを用いて転写を行う際に露光装置の保持部材によって支持されることになる領域であるマスクブランクスの被支持領域と、該被支持領域の内側に位置する転写パターン形成領域とを有し、
前記マスクブランクスの被支持領域に対して、前記レジスト膜を現像したときにレジスト膜が除去されるようにレジスト膜に露光処理を施すと共に、前記転写パターン形成領域に対しては、レジスト膜に露光処理を施さない露光工程を備えることを特徴とするマスクブランクスの製造方法。 - 前記露光工程は、前記不要領域に形成されたレジスト膜の露光処理を含み、
前記露光工程後、前記露光が施された領域に選択的に現像液を供給して、前記不要領域に形成されたレジスト膜、及び前記被支持領域に形成されたレジスト膜を除去するレジスト膜除去工程を有することを特徴とする請求項９記載のマスクブランクスの製造方法。 - 請求項３乃至５の何れかに記載のマスクブランクスを使用した転写マスクの製造方法であって、
転写パターンの形成とともに、前記露光処理を施した被支持領域に形成された前記薄膜も合わせて除去するエッチング処理工程を備えることを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 請求項６に記載のマスクブランクスを使用した転写マスクの製造方法。
- 請求項１２に記載の転写マスクの製造方法によって得られた転写マスクを使用し、リソグラフィー法により前記転写パターンを半導体基板に転写してパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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