KR20040044508A - 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크를 사용하여 반도체웨이퍼상에 패턴을 형성하기 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
소망의 패턴은 감쇠된 위상 시프트 반사층(100)을 사용하여 반도체 웨이퍼(10)위에 놓인 포토레지스트층내에 형성된다. 이러한 마스크는 감쇠된 위상 시프트층(30), 버퍼층(40) 및 수정가능층(50)을 연속적으로 증착시킴으로서 형성된다. 수정가능층(50)은 소망의 패턴에 따라 패터닝된다. 수정가능층(55)은 소망의 패턴이 달성되지 않은 영역들을 발견하기 위하여 검사된다. 그 다음에, 수정가능층(55)은 소망의 패턴을 달성하기 위하여 수정되며, 버퍼층(45)은 감쇠된 위상 시프트층(30)을 보호한다. 소망의 패턴은 버퍼층(45)에 전사된 다음에 감쇠된 위상 시프트층(35)에 전사되어, 감쇠된 위상 시프트 반사 마스크(100)를 달성한다. 방사선은 감쇠된 위상 시프트 반사 마스크(100)로부터 포토레지스트층으로 반사되어 포토레지스트층을 소망의 패턴으로 노광시킨다.
Description
현재, 전송 광 포토리소그라피는 반도체 제조시에 패터닝된 층들을 형성하는데 사용된다. 포토리소그라피동안 반도체 디바디스들의 특성들을 분석하기 위한 능력이 광원의 파장에 직접 비례하기 때문에, 광원의 파장은 디바이스의 크기가 감소함에 따라 감소될 필요가 있다. 대략 70나모미터보다 작은 디바이스 크기들을 패터닝하기 위하여, 한 옵션은 첨단 자외선(EUV) 영역내의 파장을 가진 광원을 사용하는 것이다. 여기에 사용되는 바와같이, EUV 영역은 대략 4-25 나노미터사이 특히 13-14나노미터사이의 특징 파장을 가진다. EUV 영역내의 파장들로 노광될때 EUV 방사선을 전송하는 재료를 발견하는 것이 곤란하기 때문에, EUV는 전송모드와 반대인 반사모드에서 동작한다. 그러므로, EUV 마스크들은 광 포토리소그라피 또는 전자주사 리소그라피 또는 이온주사 리소그라피와 같은 다른 기술옵션들에 대한 마스크들과 같이 투과하지 않고 그대로 반사한다.
감쇠된 위상 시프팅의 개념은 전송 광 포토리소그라피에서 작은 형상들의 분해능을 개선하기 위하여 사용되며 EUV 리소그라피까지 확대될 수 있다. 전송 광 포토리소그라피에서, 마스크 기판의 두께는 위상 시프팅 감쇠층들을 형성하기 위하여 변경된다. 그러나, EUV 마스크의 두께를 변경하면, 마스크의 반사특성들이 변경되기 때문에 바람직하지 않다. 이러한 문제를 해결하기 위한 한 방법은 마스크로서 포토리소그라피를 사용하여 감쇠된 위상 시프팅 층을 형성하는 것이다. 그러나, 실질적으로, 패턴 전사공정동안 마스크층으로서 포토리소그라피를 사용하면, 패턴 에러들이 발생하며, 이에 따라 마스크의 검사 및 수정이 이루어져야 한다. 이러한 경우에, 감쇠된 위상 시프팅 층을 수정하면, 하부 반사층이 손상될 뿐만아니라 위상 시프팅 특징들이 변경되며, 이에 따라 마스크의 반사성이 감소하고 결과적으로 마스크가 사용불가능하게 된다.
본 발명은 일반적으로 반도체 제조, 특히 감쇠된 위상 시프팅 반사 리소그라피에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 반사층을 형성한후 마스크 기판의 일부분을 나타낸 도면.
도 2는 감쇠된 위상 시프팅층, 버퍼층 및 하드 마스크층을 형성한후 도 1의 마스크를 나타낸 도면.
도 3은 패터닝된 포토레스트층을 형성한후 도 2의 마스크를 나타낸 도면.
도 4는 하드 마스크층을 패터닝한후 도 3의 마스크를 나타낸 도면.
도 5는 하드 마스크층을 수정한후 도 4의 마스크를 나타낸 도면.
도 6은 버퍼층을 패터닝한후 도 5의 마스크를 나타낸 도면.
도 7은 감쇠된 위상 시프팅층을 패터닝한후 도 6의 마스크를 나타낸 도면.
도 8은 도 7의 마스크를 사용하여 반도체 디바이스를 패터닝하는 사항을 나타낸 도면.
본 발명의 목적은 마스크의 반사층 손상없이 포토레지스트 패턴전사후 검사 및 수정이 이루어지는 감쇠된 위상 시프팅 EUV 마스크 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 도면을 참조로하여 이하에서 더 상세히 설명할 것이며, 도면에서 동일부재는 동일부호를 가진다.
당업자는 도면들에 도시된 구성 요소들이 단순화 및 명확화를 위하여 기술되고 반드시 축소 도시되지 않는다는 것을 인식해야 한다. 예컨대, 도면들에 도시된 구성 요소들의 일부의 크기들은 본 발명의 실시예들에 대한 이해를 돕기 위하여 다른 구성 요소들에 비하여 지나치게 과장될 수 있다.
일 실시예에서, 다수의 교대 몰리브덴 및 실리콘층들의 반사층을 포함하는마스크 기판 및 감쇠 위상 시프트층은 포토레지스트층으로부터 하드 마스크층 및 버퍼층을 통해 위상 시프팅층에 패턴을 전사함으로서 형성된다. 필요한 경우에, 하드 마스크층은 수정될 수 있다. 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크는, 포토레지스트상에 소망의 패턴을 노광시키기 위하여, 소망의 패턴을 가진 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크로부터 반도체 웨이퍼상의 포토레지스트에 방사선을 반사시킴으로서 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트층을 패터닝하기 위하여 사용된다. 본 발명은 도면을 참조로하여 더 상세히 설명될 것이다.
도 1에는 마스크 기판(10) 및 반사층(20)을 포함하는 감쇠된 위상 시프팅 마스크(100)를 형성하기 위한 시점이 도시되어 있다. 마스크 기판(10)은, 본원에서 +/- 22℃에서 대략 30ppm(particles per million) K 미만의 열팽창계수(coefficient thermal expansion:CTE)를 갖는 것이 사용되는 저열팽창(low thermal expansion:LTE) 재료로서; 본원에서 0 결함 미만, 50 나노미터 폴리 스티렌 유액(Poly Styrene Latex:PSL) 구면 등가(sphere equivalent) 이상을 갖는 것이 사용되는 낮은 결함 밀도 및 본원에서 밸리 평탄도(valley flatness)에 대해 대략 50 나노미터 미만을 갖는 것이 사용되는 낮은 표면 거칠기를 갖는다. 더욱이, 마스크 기판(10)은 마스크의 제조 공정 및 반도체 장치의 제조 공정동안 임의의 위에 놓인 층들을 기계적으로 지지할 수 있어야 한다. 일 실시예에서, 마스크 기판은 코닝에 의하여 ULE(상표)로 제공된 제로팽창 유리와 같은 고품질 실리카일 수 있다.
반사층(20)은 다중층 스택이며, 바람직하게 약 7nm의 주기성을 가진 실리콘및 몰리브덴층들의 40-층 쌍의 스택을 포함하며, 몰리브덴층은 마스크 표면과 접촉하며, 실리콘층은 반사층(20)의 상부층이다. 이온빔 증착(IBD), 마그네트론 스퍼터링, E-빔 증착 등은 실리콘 및 몰리브덴 다중층 스택을 증착하기 위하여 사용될 수 있다. 선택적으로, 반사재료의 캐핑층은 반사층(20)위에 형성될 수 있다.
도 2는 반사층(20), 감쇠위상 시프팅층(30), 버퍼층(40) 및 수정가능층 또는 하드 마스크층(50)을 형성한후 마스크(100)를 도시하고 있다. 감쇠된 위상 시프팅층(30)은 스퍼터 증착에 의하여 반사층(20)위에 형성된 크롬 및 크롬합금일 수 있다. 일반적으로, 감쇠된 위상 시프팅층(30)은 대략 40-50nm이며, 180도 위상 시프트 및 6-10% 감쇠를 발생시킨다. 버퍼층(40)은 실리콘 및 산소를 포함하거나 또는 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD)에 의하여 증착된 실리콘 산소 질화물이다. 일반적으로, 버퍼층(40)은 대략 30-50nm이다. 일 실시예에서, 버퍼층(40)위에는 스퍼터 증착에 의하여 형성된 탄탈 실리콘 질화물로 형성된 대략 50-80nm 두께의 층이 배치된다. 선택적으로, 반사층(20)위에 형성된 층들은 다중층들의 반사특성들의 저하시키는 내부확산이 반사층(20)내에서 유발되지 않도록 하기 위하여 대략 150도 섭씨보다 낮은 온도에서 수행된 임의의 공정에 의하여 형성될 수있다.
도 3은 제 1포토레지스트층(60)이 증착되고 수정가능층(50)위에 패터닝되어 패터닝된 포토레지스트층(60)을 형성하는 마스크(100)를 도시한다. 도 8을 참조로하여 더 상세히 설명되어 용이하게 이해되는 바와같이, 패터닝된 포토레지스트층(60)에 형성된 개구부들은 제 2포토레지스트층이 양의 포토레지스트인 경우에 반도체 웨이퍼상에 형성된 제 2 포토레지스트층내에 형성된 개구부에 대응할 수 있다. 만일 제 2포토레지스트가 음의 포토레지스트이면, 패터닝된 프토레지스트층(60)에 형성된 개구부들은 제 2포토레지스트층의 노광후에 유지되는 제 2레지스트의 부분들에 대응할 것이다.
도 4는 패터닝된 포토레지스트층(60)이 패터닝되고 수정가능층(50)이 패터닝된 수정가능층(53)을 형성하기 위하여 제 1마스크로서 패터닝된 포토레지스트층(60)을 사용하여 에칭된후 마스크(100)를 도시한다. 다시 말해서, 포토레지스트층으로부터의 소망의 패턴은 수정가능층(30)에 전사된다. Cl2와 같은 염소함유 화학성분은 수정가능층(50)의 부분들을 제거하기 위하여 반응성 이온 에칭(RIE)과 같은 플라즈마 에칭 공정에서 사용될 수 있다. 수정가능층(50)을 에칭한후에, 패터닝된 포토레지스트층(60)은 애시공정과 같은 종래의 방법들을 사용하여 제거된다.
도 5는 패터닝된 수정가능층(55)이 형성된후 마스크(100)를 도시한다. 그 다음에, 패터닝된 수정가능층(55)은 대략 365nm 및 193nm사이에 있는 깊은 자외선 파장을 가진 광을 사용하여 검사된다. 패터닝된 수정가능층(55)은 패터닝된 수정가능층(55)이 바람직하지 않게 부가 또는 손실되는지를 결정하기 위하여 소망의 패턴과 비교된다. 만일 임의의 결함들이 발견되면, 패터닝된 수정가능층(55)은, 소망의 패턴을 매칭시키기 위하여, 포커싱된 이온빔(FIB)을 사용하여 패터닝된 수정가능층(55)의 부분들을 제거하거나 또는 탄탈, 텅스텐, 플라티늄 등과 같은 금속(70)을 추가함으로서 수정되며, 이에 따라 수정된 패터닝된 층이 생성된다.수정된 패터닝된 층은 수정한후 패터닝된 수정가능층(55)을 포함하며 또한 추가된 경우 금속(70)을 포함한다.
도 6은 패터닝된 수정가능층(55)을 검사 및 수정한후 마스크(100)를 도시한다. 버퍼층(40)은 패터닝된 버퍼층(45)을 형성하기 위하여 제 2마스크로서 수정된 패터닝된 층을 사용하여 에칭된다. 버퍼층(40)은 CHF3과 같은 플루오르기 화학성분을 사용하여 감쇠된 위상 시프팅층(30)까지 선택적으로 에칭되며, 이에 따라 패터닝된 버퍼층(45)이 생성된다. 플라즈마 에칭과 같은 습식 또는 건식 에칭이 사용될 수 있다. 버퍼층(40)을 패터닝한후에, 수정가능층(50)은 플루오르 함유 화학성분을 사용하는 건식 에칭에 의하여 제거된다.
도 7은 감쇠된 위상 시프팅층(30)이 패터닝된 감쇠된 위상 시프팅 층(35)을 형성하기 위하여 제 3마스크로서 패터닝된 버퍼층(45)을 사용하여 반사층(20)까지 선택적으로 에칭된후 마스크(100)를 도시한다. 다시 말해서, 수정가능층(50)으로부터의 소망의 패턴은 감쇠 위상 시프트 반사 마스크(100)를 형성하기 위하여 감쇠된 위상 시프팅층에 전사된다. 패터닝된 감쇠된 위상 시프팅층(35) 반사층(20), 및 마스크 기판(10)은 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크(100)를 형성한다. 감쇠된 위상 시프팅층(30)은 Cl2및 O2와 같은 크롬 및 산소함유 화학성분을 사용하여 건식 에칭된다. 감쇠된 위상 시프팅층(30)을 패터닝한후, 패터닝된 버퍼층(45)은 플루오르 함유 화학성분을 사용하여 건식에칭하거나 또는 습식 에칭함으로서 제거된다.
도 8은 반도체 웨이퍼 또는 디바이스(150)를 패터닝하기 위하여 감쇠된 위상시프팅 반사 마스크(100)를 사용하기 위한 포토리소그라피 시스템(210)을 도시한다. 포토리소그라피 시스템(210)은 레이저(210), 플라즈마 소스(120), 콘덴서 광학기(130), 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크(100), 축소 광학기(140) 및 반도체 디바이스(150)를 포함한다. 비록 다양한 소스들이 EUV 방사선을 제공할 수 있을지라도, 레이저 발생 플라즈마 소스(120)가 도시된다. 이 소스는 크세논 가스 제트와 같은 초음파 가스 제트를 활성하기 위하여 Nd:YAG와 같은 고전력 펄스 레이저(110)를 사용한다. 크세논 원자 클러스터들은 고온으로 가열되어 플라즈마 소스(120)를 형성한다. 플라즈마 소스(120)으로부터 EUV 영역내의 파장을 가진 방사선이 방사된후 콘덴서 광학기(130)에 의하여 조준 광 또는 방사선(135, 137)으로 포커싱된다. 조준광(135)은 마스크(100)의 수직축에 대하여 대략 5도의 각도로 마스크(100)상에 투영된후 반사된다. 감쇠된 위상 시프팅층(30)으로부터 반사된 광(135)은 마스크(100)의 반사층(20)노광시키는 개구부(138)로부터 반사된 광(137)으로부터 반사된 광의 강도의 대략 6-10%이다. 다시 말해서, 감쇠 위상 시프트층의 두께는 반사층으로부터 반사된 방사선에 대하여 대략 90% 감쇠하는 시프트 감쇠층을 통해 방사선을 방사하기에 충분하다. 반사층(20) 및 감쇠된 위상 시프팅층(30)사이의 인터페이스로부터 반사하는 광(135)은 광(137)에 대하여 180도의 위상차를 가질 것이다. 반사된 광은 마스크(100)상의 패턴을 작게하기 위하여 광을 반사하는 축소 광학기(140)를 통해 이동한다. 전형적으로, 축소 광학기(140)는 4 또는 5시간까지 마스크(100)상의 패턴을 감소시킨다. 축소 광학기(140)로부터, 광(135, 137)은 반도체 디바이스(150)상의 제 2 포토레지스트층을 조명한다.반도체 디바이스(150)는 바람직하게 단결정 실리콘이나 칼륨, 비화물, 게르마늄 등과 같은 임의의 다른 반도체 재료일 수 있는 반도체 기판(160) 및 제 2 포토레지스트층을 포함한다. 반도체 기판(160)은 반도체 기판(160)내에 또는 반도체 포토레지스트층 아래에 형성된 임의의 다수의 층들 또는 구조들을 가질 수 있다. 만일 제 2 포토레지스트층이 양이라면, 위상이 시프트되지 않은 광(135)은 포토레지스트의 제 2영역(170)을 노광시키지 않을 것이다. 만일 음의 레지스트가 사용되면, 반대 시나리오가 발생할 것이다.
기술된 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크를 형성하면, 감쇠된 위상 시프팅 층의 손상없이 마스크를 검사 및 수정할 수 있다. 게다가, 마스크는 작은 크기를 가진 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트를 패터닝하기 위하여 결함없는 층들로 형성된다.
앞서 기술된 재료들과 다른 재료들은 감쇠된 위상 시프팅 마스크(100)상의 층들을 위하여 사용될 수 있다. 예컨대, 반사층(20)은 베릴륨 및 몰리브덴으로 이루어진 다중층 스택 또는 소망의하게 반사하는 임의의 다른 층 또는 층들을 포함할 수 있다. 감쇠된 위상 시프팅층(30)은 루테늄 및 게르마늄을 포함하거나 "또는 다중층들을 포함할 수 있다. 예컨대, 위상 시프팅층(30)은 크롬 또는 크롬합금층위의 크롬합금 산소 또는 크롬 산소층일 수 있다. 탄탈, 실리콘 산화물, 탄탈 질화물, 텅스텐, 티타늄 질화물 등과 같은 임의의 내화성 금속함유 재료는 수정가능층(50)을 위하여 사용될 수 있다.
전술한 설명에서, 본 발명은 특정 실시예들과 관련하여 기술되었다. 그러나, 당업자는 이하의 청구범위에서 한정한 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다양한 소정 및 변형이 수행될 수 있다는 것을 인식해야 한다. 따라서, 상세한 설명 및 도면들은 제한의 의미에서보다 예시적으로만 사용된다.
장점들, 다른 유리한 점들 및 문제 해결방안은 특정 실시예와 관련하여 앞서 기술되었다. 그러나, 장점들, 유리한 점들 및 문제 해결방안은 모든 청구항들 또는 일부 청구항들의 특징 및 필수구성요소로서 구성되지 않는다. 여기에 사용된 바와같이, 용어 "포함한다"는 일련의 필수 구성요소들을 포함하는 방법 및 장치와 같은 배타적인 포함을 커버하며, 본 발명은 상기 구성요소들만을 포함하지 않으며 방법 및 장치들에 명백히 리스트되지 않은 다른 구성요소들을 포함할 수 있다.
본 발명은 마스크의 반사층 손상없이 포토레지스트 패턴전사후 검사 및 수정이 이루어지는 감쇠된 위상 시프팅 EUV 마스크 형성 방법을 제공할 수 있는 효과를 가진다.
Claims (10)
- 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크를 사용하여 반도체 웨이퍼상에 제 1포토레지스트층을 패터닝하기 위한 방법으로서,반사층(20)을 갖는 마스크 기판(10)을 제공하는 단계와;상기 반사층(20) 상에 감쇠 위상 시프트층(30)을 증착하는 단계와;상기 감쇠 위상 시프트층(30) 상에 버퍼층(40)을 증착하는 단계와;상기 버퍼층(40) 상에 수정가능층(repairable layer:50)을 증착하는 단계와;상기 수정가능층(50) 상에 제 2포토레지스트층(60)을 증착하는 단계와;상기 제 2 포토레지스트층(60)을 패터닝하여 패터닝된 포토레지스트층(60)을 형성하는 단계와;제 1 마스크로서 상기 패터닝된 포토레지스트층(60)을 사용하여 상기 수정가능층(50)을 에칭하여 패터닝된 수정가능층(55)을 형성하는 단계와;상기 패터닝된 포토레지스트층(60)을 제거하는 단계와;상기 패터닝된 수정가능층(55)을 검사 및 수정하여 패터닝된 수정된 층(55, 70)을 형성하는 단계와;제 2 마스크로서 상기 패터닝된 수정된 층(55,70)을 사용하여 상기 버퍼층(40)을 에칭하여 패터닝된 버퍼층(45)을 형성하는 단계와;상기 패터닝된 수정된 층(55, 70)을 제거하는 단계와;제 3마스크로서 상기 패터닝된 버퍼층(45)을 사용하여 상기 감쇠 위상 시프트층(30)을 에칭하는 단계와;상기 패터닝된 버퍼층(45)을 제거하여 상기 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크(100)를 형성하는 단계와;상기 제 1 포토레지스트(170, 180)를 상기 반도체 웨이퍼(140)에 적용하는 단계와;상기 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크(100)로부터 상기 반도체 웨이퍼(140) 상의 상기 제 1 포토레지스트(170, 180)로 방사선을 반사하여 상기 포토레지스트 상에 노광된 패턴을 제공하는 단계를 포함하는, 패터닝 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층(40)을 에칭한후 상기 패터닝된 버퍼층(45)을 검사하는 단계와;상기 패터닝된 버퍼층(45)이 결함을 갖는 경우, 상기 패터닝된 버퍼층(45)을 수정하는 단계를 더 포함하는, 패터닝 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 감쇠 위상 시프트층(30)은 상기 반사층(20)과 관련해 선택적으로 에칭가능한, 패터닝 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층(40)은 상기 감쇠 위상 시프트 층(30)과 관련해 선택적으로 에칭가능한, 패터닝 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 수정가능층(50)은 상기 버퍼층(40)과 관련해 선택적으로 에칭가능한, 패터닝 방법.
- 반도체 웨이퍼 상에서 노광된 포토레지스트의 소망의 패턴을 얻기 위한 방법으로서,반사층(20)을 갖는 마스크 기판(10)을 제공하는 단계와;상기 반사층(20) 상에 감쇠 위상 시프트층(30)을 증착하는 단계와;상기 감쇠 위상 시프트층(30) 상에 수정가능층(50)을 증착하는 단계와;상기 수정가능층(50) 상에 제 1 포토레지스트층(60)을 증착하는 단계와;상기 소망의 패턴에 따라 상기 제 1 포토레지스트층(60)을 패터닝하는 단계와;상기 제 1 포토레지스트층(60)으로부터 수정가능층(50)으로 상기 소망의 패턴을 전사하는 단계와;상기 수정가능층(55)이 상기 소망의 패턴을 갖는지를 결정하기 위하여 검사하는 단계와;상기 수정가능층(55)이 상기 소망의 패턴을 갖지 않는다는 것이 상기 검사계에서 나타나면, 상기 수정가능층(55)을 상기 소망의 패턴으로 수정하는 단계와;상기 수정가능층(55)로부터 상기 감쇠 위상 시프트층(30)으로 상기 소망의 패턴을 전사하여 상기 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크(100)를 형성하는 단계와;제 2 포토레지스트층(170, 180)을 상기 반도체 웨이퍼(140)에 적용하는 단계와;상기 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크(100)로부터 방사선을 반사하여 상기 소망의 패턴으로 상기 제 2 포토레지스트(170, 180)를 노광시키는 단계를 포함하는, 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 수정가능층(50)을 증착하기 전에, 상기 감쇠 위상 시프트층(30) 상에 버퍼층(40)을 증착하는 단계와;상기 버퍼층(40)을 사용하여 상기 수정가능층(50)으로부터 상기 감쇠 위상 시프트층(30)으로 상기 소망의 패턴을 전사하는 단계를 더 포함하는, 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 감쇠 위상 시프트층(30)의 두께는 상기 반사층(20)으로부터 반사된 방사선에 대하여 적어도 90% 감쇠를 갖는 상기 감쇠 위상 시프트층(30)을 통해 반사시키기에 충분한, 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 반사층(20)은 몰리브덴 및 실리콘의 복수의 교번층들을 포함하며, 상기 감쇠 위상 시프트층(30)은 크롬을 포함하며, 상기 수정가능층(50)은 실리콘 및 산소를 포함하는, 방법.
- 반도체 웨이퍼 상에 소망의 패턴을 형성하기 위한 방법으로서,반사층(20)을 갖는 마스크 기판(10)을 제공하는 단계와;상기 반사층(20)과 관련해 선택적으로 에칭가능한 감쇠 위상 시프트층(30)을 상기 반사층(20) 상에 증착하는 단계와;실리콘 및 산소를 포함하는 버퍼층(40)을 상기 감쇠 위상 시프트 층(30) 상에 증착하는 단계와;상기 버퍼층(40)과 관련해 선택적으로 에칭가능한 수정가능층(50)을 상기 버퍼층(40) 상에 증착하는 단계와;상기 소망의 패턴에 따라 상기 수정가능층(50)을 패터닝하는 단계와;상기 수정가능층(50)을 패터닝한 후에 상기 수정가능층(55)을 검사하는 단계와;만일 상기 수정가능층(55)이 상기 소망의 패턴을 갖지 않는다는 것이 상기 검사 단계에서 나타나면, 상기 수정가능층(55)을 상기 소망의 패턴으로 수정하는 단계와;상기 수정가능층(55)으로부터 상기 감쇠 위상 시프트층(30)으로 상기 소망의 패턴을 전사하여 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크(100)를 형성하는 단계와;상기 감쇠된 위상 시프팅 반사 마스크(100)를 사용하여 상기 반도체 웨이퍼(140) 상에 상기 소망의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
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