JP2007140287A - マスクブランク、マスクブランクの製造方法、及びマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レジスト膜を剥離する工程に必要な時間を低減する。
【解決手段】マスクブランク１０であって、基板１２と、基板１２の主表面上に形成された遮光性膜（転写パターンとなる転写パターン用薄膜）１４と、基板１２の主表面のうち、基板１２の端面に沿った基板周縁部３２を除いた領域において、遮光性膜１４上に形成されたポジ型のレジスト膜１６とを備え、レジスト膜１６における基板周縁部３２に沿った外周部３４は、露光処理されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、マスクブランク、マスクブランクの製造方法、及びマスクの製造方法に関する。

従来、基板上に、転写パターンとなる転写パターン用薄膜及びレジスト膜を形成したマスクブランクが知られている。このレジスト膜は、所定のレジストパターンにパターニングされて、転写パターン用薄膜のパターニングのエッチングマスクとして用いられる。また、転写パターン用薄膜のパターニング後、レジスト膜は、例えば硫酸等を用いて剥離される。

ここで、レジスト膜を形成したマスクブランクスにおいては、運搬時等に、容器との接触等により、レジスト膜の一部が剥離・脱落する場合がある。この場合、剥離・脱落したレジスト膜は、パーティクルとなってマスクブランク自身又は各種処理装置に再付着し、最終的にマスクブランクを原材料とする製品であるマスクの欠陥や、マスクの製造歩留低下の原因となる。このような問題点に対して、従来、基板周縁部の不要なレジスト膜を溶媒によって溶解除去する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

また、近年、マスクに生じる基板の曇り（ヘイズ）の原因として、レジスト膜を剥離するために用いられる硫酸の影響が考えられている。また、ＡｒＦエキシマレーザ等の短波長の露光光を用いた場合、硫酸の影響が顕著であると考えられている。そのため、近年、レジスト膜の剥離を、硫酸を用いずに行うことが検討されている。

基板周縁部のレジスト膜を溶媒によって溶解除去した場合、残ったレジスト膜の除去端部（外周端部）の凹凸が激しくなり、除去端部に著しく盛り上がった形状の部分が生じる場合がある。このような盛り上がった形状の部分が生じると、転写パターン用薄膜のパターニング後にレジスト膜を剥離する工程に時間がかかることとなる。また、この場合、盛り上がった形状の部分以外の部分では、工程の途中で転写パターン用薄膜が露出した状態となるため、レジスト膜の剥離に用いる薬剤等によって、転写パターン用薄膜がダメージを受けるおそれがある。

また、硫酸を用いずにレジスト膜を剥離する場合、剥離速度の低下により、工程に必要な時間が特に増大する場合がある。この場合、レジスト膜の剥離に用いる薬剤等に転写パターン用薄膜が曝される時間も増大するため、転写パターン用薄膜がダメージを受けるおそれが大きくなる。例えば、レジスト膜の剥離をオゾン水、オゾンガスを用いて行う場合や、酸素アッシングにより行う場合、強い酸化力のガス又は溶液に長時間曝されることとなるため、転写パターン用薄膜がダメージを受けるおそれが大きくなる。

尚、周縁部のレジスト膜を除去する方法としては、マスクブランクの製造工程中で、露光処理及び現像処理を行う方法も知られている（例えば、特許文献２参照。）。この方法を用いた場合、レジスト膜の除去端部に盛り上がった形状の部分は生じない。しかし、この方法では、マスクブランクの段階で現像処理を経ることにより、除去されない部分のレジスト膜が影響を受けるおそれがある。また、この現像処理を、例えば露光領域に選択的に現像液を供給して行ったとしても、雰囲気中に気化した現像液等の影響が生じるおそれがある。

そこで、本発明は、上記の課題を解決できる、マスクブランク、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、及びマスクを提供することを目的とする。
特開２００１−２５９５０２号公報 特開２００４−６７６５号公報

上記の課題を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）マスクブランクであって、基板と、基板の主表面上に形成された、転写パターンとなる転写パターン用薄膜と、基板の主表面のうち、基板の端面に沿った基板周縁部を除いた領域において、転写パターン用薄膜上に形成されたポジ型のレジスト膜とを備え、レジスト膜における基板周縁部に沿った外周部は、露光処理されている。

このように構成した場合、基板周縁部にレジスト膜が形成されていないため、容器との接触等によるレジスト膜の一部の剥離・脱落を防ぐことができる。また、レジスト膜の外周部が露光処理されているため、このマスクブランクを用いてマスクを製造する場合に、レジスト膜をレジストパターンにパターニングする現像工程中で、レジスト膜の外周部を除去できる。そのため、例えばマスクブランクの段階でレジスト膜の外周部に盛り上がった部分等があったとしても、転写パターン用薄膜のパターニング後にレジスト膜を剥離する工程の時間が増大ことはない。また、これにより、レジスト膜の剥離に用いる薬剤等による転写パターン用薄膜のダメージを防ぐことができる。更には、マスクブランクの工程中に余分な現像工程を追加する必要がないため、マスクブランクの段階でレジスト膜が現像液の影響を受けるおそれもない。

尚、基板としては、例えば、１辺の長さが１５２ｍｍの正方形であり、厚みが６．３５ｍｍである合成石英を用いることができる。この場合、基板周縁部とは、例えば、主表面において端面から２．５ｍｍ程度以内の領域である。基板周縁部は、主表面において端面から例えば２ｍｍ程度以内、又は１．７ｍｍ程度以内の領域等であってもよい。基板周縁部の幅は、例えば幅１〜２．５ｍｍ程度であってよい。基板周縁部の幅は、例えば幅１．３〜２ｍｍ程度、又は１．５〜１．７ｍｍ程度であってもよい。また、レジスト膜の外周部とは、例えば、基板周縁部を除いた領域に形成されたレジスト膜における、基板周縁部に沿った幅１〜２．５ｍｍ程度の外周領域である。外周部の幅は、例えば１．３〜２ｍｍ程度、又は１．５〜１．７ｍｍ程度であってもよい。

（構成２）レジスト膜の外周端部近傍は、内周部と比べて盛り上がった形状をしており、露光処理されるレジスト膜の外周部は、盛り上がった形状の部分を含む。このように構成すれば、転写パターン用薄膜のパターニング後にレジスト膜を剥離する工程の時間を適切に低減できる。

内周部と比べて盛り上がった形状とは、例えば、転写パターンが形成される転写パターン形成領域におけるレジスト膜の平均膜厚よりも膜厚が厚く上側に盛り上がった形状である。また、レジスト膜の外周端部近傍とは、例えば、レジスト膜の外周端部から１．５ｍｍ程度以内の領域である。外周端部近傍は、レジスト膜の外周端部から、例えば１．２ｍｍ以内、又は０．８ｍｍ程度以内の領域であってもよい。

（構成３）マスクブランクの製造方法であって、基板を準備する基板準備工程と、基板の主表面上に、転写パターンとなる転写パターン用薄膜を形成する転写パターン用薄膜形成工程と、転写パターン用薄膜上にポジ型のレジスト膜を塗布するレジスト塗布工程と、基板の端面に沿った基板周縁部に形成されているレジスト膜を溶媒で溶解して除去する周縁部除去工程と、周縁部除去工程で除去されずに残ったレジスト膜における、基板周縁部に沿った外周部に露光処理を行う外周部露光工程とを備える。このようにすれば、構成１と同様の効果を得ることができる。

（構成４）周縁部除去工程は、レジスト膜の除去端部近傍が盛り上がった形状となる方法で、基板周縁部に形成されているレジスト膜を除去し、外周部露光工程は、レジスト膜における盛り上がった形状の部分を含む外周部に露光処理を行う。このようにすれば、構成２と同様の効果を得ることができる。尚、除去端部とは、基板周縁部に形成されている部分は除去された後のレジスト膜の外周端部である。レジスト膜の除去端部近傍とは、例えば、レジスト膜の除去端部から１．５ｍｍ程度以内の領域である。除去端部近傍は、レジスト膜の除去端部から、例えば１．２ｍｍ程度以内、又は０．８ｍｍ程度以内の領域であってもよい。

（構成５）マスクの製造方法であって、構成１又は２に記載のマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、マスクブランクにおける転写パターン用薄膜を所定のマスクパターンにパターニングするために、レジスト膜のうち、転写パターン用薄膜においてエッチングされるべき領域上の部分に露光処理を行うパターン露光処理工程と、マスクブランクの段階で露光処理されている外周部、及びパターン露光処理工程で露光処理された部分のレジスト膜を現像処理により除去する現像工程と、現像工程でパターニングされたレジスト膜をエッチングマスクとして転写パターン用薄膜をエッチングすることにより、転写パターン用薄膜をマスクパターンにパターニングするエッチング工程と、転写パターン用薄膜上に残っているレジスト膜を剥離するレジスト膜剥離工程とを備える。このようにすれば、構成１、２と同様の効果を得ることができる。

（構成６）レジスト膜剥離工程は、オゾンを用いた方法、又は酸素アッシングによりレジスト膜を剥離する。オゾンを用いた方法とは、例えば、オゾン水、又はオゾンガスを用いた方法である。

このようにすれば、硫酸を用いずにレジスト膜を剥離できる。また、これにより、硫酸起因でマスクに生じる基板の曇り（ヘイズ）を防ぐことができる。また、レジスト膜の外周部の除去によってレジスト膜剥離工程の時間が低減されているため、強い酸化力を有するオゾン水、オゾンガス、又は酸素等による転写パターン用薄膜のダメージを防ぐことができる。

尚、上記において、マスクブランクには、フォトマスクブランク、位相シフトマスクブランク、反射型マスクブランクが含まれる。位相シフトマスクブランクには、ハーフトーン膜上にクロム系材料などの遮光性膜が形成される場合を含む。反射型マスクブランクには、基板上に、多層反射膜と転写パターンとなる吸収体膜が形成されたもの、多層反射膜と、バッファ層と、転写パターンとなる吸収体膜が形成されたものを含む。マスクには、フォトマスク、位相シフトマスク、反射型マスクが含まれる。マスクには、レチクルが含まれる。

また、遮光性膜には、露光光を遮断する遮光性膜、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜が含まれる。この遮光性膜の膜材料、膜組成、膜構造、膜厚等は特に限定されない。遮光性膜の膜材料としては、例えば、クロム単体や、クロムに酸素、窒素、炭素からなる元素を少なくとも１種を含むもの（Ｃｒを含む材料）等が挙げられる。

本発明によれば、例えば、レジスト膜を剥離する工程に必要な時間を低減できる。

以下、本発明に係る実施形態を、転写パターン用薄膜として遮光性膜を用いた透過型のマスクブランクを挙げ、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るマスクブランク１０の構成の一例を示す。図１（ａ）は、マスクブランク１０の上面図である。図１（ｂ）は、マスクブランク１０の断面図である。本例において、マスクブランク１０は、例えばＡｒＦエキシマレーザ、又はＦ_２エキシマレーザ等の、波長２００ｎｍ以下の露光光で用いられるマスク用のマスクブランクであり、基板１２、遮光性膜１４、及びレジスト膜１６を備える。

基板１２は、透光性の基板である。基板１２の材料は特に限定されず、使用する露光光源に応じて選択される。例えば、ＡｒＦエキシマレーザ露光用マスクブランクやＦ_２エキシマレーザ露光用マスクブランクの場合、合成石英ガラスが用いられる。また、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクの場合、露光時の熱による被転写パターンの歪みを抑えるために、低熱膨張係数を有する基板材料（例えば、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラス、合成石英ガラス、β−石英固溶体を析出した結晶化ガラスなど）が用いられる。

遮光性膜１４は、露光光を実質的に遮断する薄膜であり、基板１２の主表面の全面に形成されている。遮光性膜１４としては、例えば、Ｃｒ膜、Ｃｒに酸素、窒素、炭素、弗素を選択的に含むＣｒ合金膜、これらの積層膜、ＭｏＳｉ膜、ＭｏＳｉに酸素、窒素、炭素を選択的に含むＭｏＳｉ合金膜、これらの積層膜等を用いることができる。遮光性膜の膜厚は、例えば、３０〜１５０ｎｍである。

尚、遮光性膜１４は、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜であってもよい。この場合、遮光性膜１４としては、例えば、金属シリサイド酸化膜、金属シリサイド窒化膜、金属シリサイド酸化窒化膜、金属シリサイド酸化炭化膜、金属シリサイド酸化窒化炭化膜（金属：Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ等の遷移金属）、ＣｒＯ膜、ＣｒＦ膜、ＳｉＯＮ膜などのハーフトーン膜等を用いることができる。この場合、遮光性膜１４の膜厚は、例えば、５０〜１５０ｎｍである。

レジスト膜１６は、ポジ型のレジスト膜であり、基板１２の主表面のうち基板周縁部３２を除いた領域において、遮光性膜１４上に形成されている。このように構成すれば、マスクブランク１０の運搬時等に、容器との接触等によるレジスト膜１６の一部の剥離・脱落を防ぐことができる。レジスト膜１６の膜厚は、例えば、５０〜５００ｎｍである。また、レジスト膜１６は、例えば、化学増幅型のレジスト膜である。レジスト膜１６は、電子線描画露光用のレジスト膜であってよい。また、レジスト膜１６の外周端部近傍は、内周部と比べて盛り上がった形状をしている。そして、この盛り上がった形状の部分を含むレジスト膜１６の外周部３４は、露光処理されている。このように構成すれば、マスクブランク１０を用いてマスクを製造する場合に、レジスト膜１６をレジストパターンにパターニングする現像工程中で、レジスト膜１６の外周部３４を除去できる。また、遮光性膜１４のパターニング後にレジスト膜１６を剥離する工程の時間を適切に低減できる。更には、レジスト膜１６を剥離する工程の時間の低減により、レジスト膜１６の剥離に用いる薬剤等による遮光性膜１４のダメージを防ぐことができる。

ここで、基板周縁部３２とは、基板１２の主表面における、基板１２の端面に沿った領域であり、基板１２の端面に沿って基板１２の主表面を帯状に一周する。基板周縁部３２の幅Ｗ１は、例えば、１〜２．５ｍｍ程度である。レジスト膜１６の外周部３４とは、レジスト膜１６における基板周縁部３２に沿った外周領域であり、遮光性膜１４上を外周端部に沿って帯状に一周する。外周部３４の幅Ｗ２は、例えば、１〜２．５ｍｍ程度である。レジスト膜１６の外周端部とは、レジスト膜１６における基板周縁部３２との境界の端部である。

尚、マスクブランク１０は、更に他の薄膜を備えてもよい。例えば、マスクブランク１０は、基板１２と遮光性膜１４の間、又は遮光性膜１４とレジスト膜１６の間に、位相シフト膜を更に備えてもよい。この位相シフト膜は、例えば、ＳｉＯ_２膜であってよい。遮光性膜１４とレジスト膜１６の間に位相シフト膜が形成される場合には、レジスト膜１６を剥離する工程の時間の低減により、レジスト膜１６の剥離に用いる薬剤等による位相シフト膜のダメージを防ぐことができる。

図２は、マスクブランク１０の製造方法の一例を示す。本例の製造方法においては、最初に、図２（ａ）に示すように、透光性の基板１２を準備する（基板準備工程）。そして、図２（ｂ）に示すように、基板１２の主表面上に遮光性膜１４を形成する（遮光性膜形成工程）。次に、図２（ｃ）に示すように、遮光性膜１４上にポジ型のレジスト膜１６を塗布する（レジスト塗布工程）。

続いて、図３（ｄ）に示すように、基板周縁部３２に形成されているレジスト膜１６を溶媒で溶解して除去する（周縁部除去工程）。この溶媒としては、例えば、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）等の有機溶媒を用いることができる。

尚、周縁部除去工程は、例えば、特開２００１−２５９５０２号公報に開示されている装置と同一又は同様の装置を用いて行うことができる。この場合、周縁部除去工程は、例えば、基板周縁部３２以外の領域のレジスト膜１６をカバー部材で覆い、基板１２の中心を通り主表面に垂直な回転軸の周りに、カバー部材と共に基板１２を回転させる。そして、回転しているカバー部材の上から溶媒を供給することにより、レジスト膜１６における基板周縁部３２上の部分に溶媒を供給する。このようにした場合、基板周縁部３２に形成されているレジスト膜１６は、残った部分の除去端部近傍が盛り上がった形状となる方法で除去される。また、周縁部除去工程の後、レジスト膜１６の除去端部は、レジスト膜１６の外周端部となる。

続いて、図３（ｅ）に示すように、周縁部除去工程で除去されずに残ったレジスト膜１６の外周部３４に露光処理を行う（外周部露光工程）。周縁部除去工程は、例えば、露光位置を外周部３４とする以外は特開２００４−６７６５公報に開示されている装置と同一又は同様の装置を用いて行うことができる。続いて、外周部露光工程の露光後に、ベーク処理（プレベーク）を行う。

以上の各工程により、本例のマスクブランク１０は製造される。製造されたマスクブランク１０は、例えば、容器等に収容されて、マスクメーカー等に出荷される。

図３は、マスクブランク１０を用いたマスク２０の製造方法をの一例を示す。マスク２０は、例えばＡｒＦエキシマレーザ、又はＦ_２エキシマレーザ等の、波長２００ｎｍ以下の露光光で用いられるマスクである。本例の製造方法においては、最初に、図３（ａ）に示すように、例えばマスクブランクメーカーから出荷されたマスクブランク１０を受け入れることにより、マスクブランク１０を準備する（マスクブランク準備工程）。

次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜１６を所定のレジストパターンにパターニングするための露光処理を行う（パターン露光処理工程）。このレジストパターンは、遮光性膜１４を所定のマスクパターンにパターニングするためパターンである。本例においては、レジスト膜１６のうち、遮光性膜１４においてエッチングされるべき領域上の部分３６に露光処理がなされる。また、パターン露光処理工程の最後には、露光後のベーク処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）がなされる。このベーク処理は、外周部露光工程の露光後のベーク処理を兼ねたベーク処理である。

次に、図３（ｃ）に示すように、現像処理により、レジスト膜１６をパターニングする（現像工程）。これにより、図２（ｅ）を用いて説明した外周部露光工程で露光処理された外周部３４、及びパターン露光処理工程で露光処理された部分３６のレジスト膜が除去される。続いて、図３（ｄ）に示すように、現像工程でパターニングされたレジスト膜１６をエッチングマスクとして、遮光性膜１４をエッチングする（エッチング工程）。これにより、遮光性膜１４は、マスクパターンにパターニングされる。

そして、次に、図３（ｅ）に示すように、遮光性膜１４上に残っているレジスト膜１６を剥離する（レジスト膜剥離工程）。レジスト膜剥離工程は、例えば、オゾン水、又はオゾンガスを用いた方法、又は酸素アッシング等により、レジスト膜１６を剥離する。以上の各工程により、本例のマスク２０は製造される。そのため、本例によれば、硫酸を用いずにレジスト膜１６を剥離できる。また、これにより、硫酸起因でマスク２０に生じる基板の曇り（ヘイズ）を防ぐことができる。また、盛り上がった部分を含むレジスト膜１６の外周部３４を現像工程で除去しているため、レジスト膜剥離工程に必要な時間を適切に低減できる。更には、これにより、レジスト膜剥離工程で用いる薬剤等による遮光性膜１４のダメージを防ぐことができる。

（実施例１）
基板１２として、主表面形状が正方形の合成石英の透明基板を用い、図２を用いて説明した方法により、マスクブランク１０を製造した。基板準備工程では、主表面の１辺の長さが１５２ｍｍ、厚みが６．３５ｍｍの基板を準備した。遮光性膜形成工程では、遮光性膜１４として、窒化クロム膜、炭化クロム膜、及びクロムに酸素及び窒素を添加した膜（ＣｒＯＮ膜）の積層膜を、スパッタリング法で形成した。このＣｒＯＮ膜は、反射防止層である。窒化クロム膜の膜厚は約２０ｎｍ、炭化クロム膜の膜厚は約６０ｎｍとした。また、反射防止層の膜厚は約３０ｎｍとした。

レジスト塗布工程では、膜厚４００ｎｍとなるように、ポジ型化学増幅型電子線描画露光用レジストＦＥＰ１７１（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を以下の条件で回転塗布した。
レジスト粘度：３ｍＰａ・ｓ
均一化工程
主回転数：１５００ｒｐｍ
主回転時間：２ｓｅｃ
乾燥工程
乾燥回転数：２５０ｒｐｍ
乾燥回転時間：２０ｓｅｃ

周縁部除去工程では、溶媒としてＰＧＭＥＡとＰＧＭＥの混合溶剤等を用い、基板周縁部３２に形成されているレジスト膜１６を除去した。基板周縁部３２の幅Ｗ１は、約２ｍｍとした。

外周部露光工程では、焦点距離１０ｍｍの集光レンズを先端に装着した石英ファイバー製ライトガイド（１０ｍｍφ）２０を備えた水銀ランプ（ＨＯＹＡ−ＳＣＨＯＴＴ社製ＵＬ５００Ｌ）を露光光源とした。また、集光レンズの焦点部には３ｍｍ×３ｍｍの正方形の開口部を持つステンシルマスクを取り付けた。ステンシルマスクは、露光窓のうち約２ｍｍがレジスト膜１６の外周端部から基板１２の中心方向に重なるように、かつ、基板１２の上面３ｍｍの位置に設置した。そして、上記露光光源を点灯すると同時に、走査手段によって、基板１２の辺に沿って外周部３４上を毎秒約１０ｍｍの速度で上記露光窓を移動させた。基板１２の一辺における外周部３４の露光を終了した後、基板１２を９０度回転させて次の辺の外周部３４を同様に露光し、基板の四辺全てにおける外周部３４を露光した。

続いて、このマスクブランク１０を用い、図３を用いた説明した方法により、実施例１に係るマスク２０を製造した。パターン露光処理工程、現像工程、及びエッチング処理工程は、それぞれ各工程に対応する公知の方法で行った。現像工程では、パターン露光処理工程で露光処理された部分３６のレジスト膜以外に、外周部露光工程で露光処理された外周部３４のレジスト膜が除去される。レジスト膜剥離工程は、オゾン水を用いた洗浄により行った。洗浄時間は約４分間とした。このレジスト膜剥離工程により、レジスト膜１６は完全に剥離された。また、レジスト膜１６の全面に渡ってほぼ均一に剥離が進んだため、遮光性膜１４が直接オゾン水に曝された時間はほとんどなかった。

（比較例１）
外周部露光工程を行わなかったこと以外実施例１と同様にして、比較例１に係るマスクを製造した。比較例１においては、現像工程後においても、レジスト膜の外周部の盛り上がった形状の部分が残っていた。そのため、約４分間のレジスト膜剥離工程では、この盛り上がった形状の部分のレジスト膜を除去できなかった。尚、オゾン水による洗浄時間を延長することによってこの部分のレジスト膜を除去することができた。しかし、その間、その他の部分で既に露出している遮光性膜が、直接オゾン水に曝されることとなった。

以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

本発明は、例えばマスクブランク及びマスク、及びこれらの製造方法等に好適に利用できる。

本発明の一実施形態に係るマスクブランク１０の構成の一例を示す図である。 図１（ａ）は、マスクブランク１０の上面図である。 図１（ｂ）は、マスクブランク１０の断面図である。 マスクブランク１０の製造方法の一例を示す図である。 マスクブランク１０を用いたマスク２０の製造方法をの一例を示す図である。

符号の説明

１０・・・マスクブランク、１２・・・基板、１４・・・遮光性膜、１６・・・レジスト膜、２０・・・マスク、３２・・・基板周縁部、３４・・・外周部、３６・・・部分

Claims (6)

1. マスクブランクであって、
   基板と、
   前記基板の主表面上に形成された、転写パターンとなる転写パターン用薄膜と、
   前記基板の主表面のうち、前記基板の端面に沿った基板周縁部を除いた領域において、前記転写パターン用薄膜上に形成されたポジ型のレジスト膜と
   を備え、
   前記レジスト膜における前記基板周縁部に沿った外周部は、露光処理されていることを特徴とするマスクブランク。
2. 前記レジスト膜の外周端部近傍は、内周部と比べて盛り上がった形状をしており、
   露光処理される前記レジスト膜の外周部は、前記盛り上がった形状の部分を含むことを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク。
3. マスクブランクの製造方法であって、
   基板を準備する基板準備工程と、
   前記基板の主表面上に、転写パターンとなる転写パターン用薄膜を形成する転写パターン用薄膜形成工程と、
   前記転写パターン用薄膜上にポジ型のレジスト膜を塗布するレジスト塗布工程と、
   前記基板の端面に沿った基板周縁部に形成されている前記レジスト膜を溶媒で溶解して除去する周縁部除去工程と、
   前記周縁部除去工程で除去されずに残った前記レジスト膜における、前記基板周縁部に沿った外周部に露光処理を行う外周部露光工程と
   を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
4. 前記周縁部除去工程は、前記レジスト膜の除去端部近傍が盛り上がった形状となる方法で、前記基板周縁部に形成されている前記レジスト膜を除去し、
   前記外周部露光工程は、前記レジスト膜における前記盛り上がった形状の部分を含む前記外周部に露光処理を行うことを特徴とする請求項３に記載のマスクブランクの製造方法。
5. マスクの製造方法であって、
   請求項１又は２に記載のマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、
   前記マスクブランクにおける前記転写パターン用薄膜を所定のマスクパターンにパターニングするために、前記レジスト膜のうち、前記転写パターン用薄膜においてエッチングされるべき領域上の部分に露光処理を行うパターン露光処理工程と、
   前記マスクブランクの段階で露光処理されている前記外周部、及び前記パターン露光処理工程で露光処理された前記部分の前記レジスト膜を現像処理により除去する現像工程と、
   前記現像工程でパターニングされた前記レジスト膜をエッチングマスクとして前記転写パターン用薄膜をエッチングすることにより、前記転写パターン用薄膜を前記マスクパターンにパターニングするエッチング工程と、
   前記転写パターン用薄膜上に残っている前記レジスト膜を剥離するレジスト膜剥離工程と
   を備えることを特徴とするマスクの製造方法。
6. 前記レジスト膜剥離工程は、オゾンを用いた方法、又は酸素アッシングにより前記レジスト膜を剥離することを特徴とする請求項５に記載のマスクの製造方法。
   

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