JPH1115127A - ハーフトーン位相シフトマスクおよびそのマスクブランクスならびにハーフトーン位相シフトマスクの製造方法および欠陥修正方法 - Google Patents
ハーフトーン位相シフトマスクおよびそのマスクブランクスならびにハーフトーン位相シフトマスクの製造方法および欠陥修正方法Info
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- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】遮光部と半透明位相シフト部から成るハーフト
ーン位相シフトマスクに遮光膜欠陥が発生した場合、マ
スクにダメージを残さずに欠陥修正する方法、およびそ
のような欠陥修正が可能なハーフトーン位相シフトマス
ク、ハーフトーン位相シフトマスクブランクスおよびハ
ーフトーン位相シフトマスクの製造方法を提供する。 【解決手段】遮光膜４と半透明位相シフト膜２の間に酸
化珪素などから成る中間薄膜３を形成する。欠陥検査と
集束イオンビームによる修正を中間薄膜３の付いた状態
で行い、最後にアルカリ水溶液によるウエットエッチン
グで中間薄膜３を除去する。
ーン位相シフトマスクに遮光膜欠陥が発生した場合、マ
スクにダメージを残さずに欠陥修正する方法、およびそ
のような欠陥修正が可能なハーフトーン位相シフトマス
ク、ハーフトーン位相シフトマスクブランクスおよびハ
ーフトーン位相シフトマスクの製造方法を提供する。 【解決手段】遮光膜４と半透明位相シフト膜２の間に酸
化珪素などから成る中間薄膜３を形成する。欠陥検査と
集束イオンビームによる修正を中間薄膜３の付いた状態
で行い、最後にアルカリ水溶液によるウエットエッチン
グで中間薄膜３を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の製
作のリソグラフィ工程に用いられるハーフトーン位相シ
フトマスク、ハーフトーン位相シフトマスクブランク
ス、ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法およびハ
ーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正方法に関するも
のである。
作のリソグラフィ工程に用いられるハーフトーン位相シ
フトマスク、ハーフトーン位相シフトマスクブランク
ス、ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法およびハ
ーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化に伴い、回路
パターンの微細化が急速に進展している。一方、投影露
光装置を用いたフォトリソグラフィ技術には光源の波長
に起因する解像限界が存在する。
パターンの微細化が急速に進展している。一方、投影露
光装置を用いたフォトリソグラフィ技術には光源の波長
に起因する解像限界が存在する。
【０００３】近年、解像度を向上させるためにフォトマ
スク上のパターンを位相部材で形成する位相シフトマス
クの開発が盛んに行われている。
スク上のパターンを位相部材で形成する位相シフトマス
クの開発が盛んに行われている。
【０００４】これまでに様々な種類の位相シフトマスク
が提案されているが、その中で特開平４−１３６８５４
号公報に記載されるハーフトーン位相シフトマスクは、
マスクパターンが開口部とハーフトーン位相シフト部の
２種類で構成されており、構造が簡単であることから半
導体集積回路生産への使用が開始されている。
が提案されているが、その中で特開平４−１３６８５４
号公報に記載されるハーフトーン位相シフトマスクは、
マスクパターンが開口部とハーフトーン位相シフト部の
２種類で構成されており、構造が簡単であることから半
導体集積回路生産への使用が開始されている。
【０００５】また図４に示すように、さらに遮光部を付
加することにより解像度をさらに向上させたハーフトー
ン位相シフトマスクが特開平７−１２８８４０号公報に
開示されている。
加することにより解像度をさらに向上させたハーフトー
ン位相シフトマスクが特開平７−１２８８４０号公報に
開示されている。
【０００６】以下この従来技術を図４を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図４（Ａ）はこのハーフトーン位相シフト
マスクの断面図である。透明基板１上に半透明位相シフ
ト膜２および遮光膜４が所定の形状でパターニングされ
開口部６、半透明位相シフト部８および遮光部９を形成
している。
マスクの断面図である。透明基板１上に半透明位相シフ
ト膜２および遮光膜４が所定の形状でパターニングされ
開口部６、半透明位相シフト部８および遮光部９を形成
している。
【０００８】このハーフトーン位相シフトマスクを透過
した光の振幅を図４（Ｂ）に示す。透明基板１が露出し
た開口部６を透過した光の振幅に比較して、半透明位相
シフト部８を透過した光の振幅は減衰するとともに位相
が反転している。また、遮光部９は光を透過しない。
した光の振幅を図４（Ｂ）に示す。透明基板１が露出し
た開口部６を透過した光の振幅に比較して、半透明位相
シフト部８を透過した光の振幅は減衰するとともに位相
が反転している。また、遮光部９は光を透過しない。
【０００９】この光をレンズを通してウエハ上に投影す
ると、図４（Ｃ）に示すように開口部６と半透明位相シ
フト部８の境界で位相が反転しているため、境界部での
光強度はほぼ０となる。そのため、光強度分布の広がり
が抑えられ、解像度の高いパターンをフォトレジスト膜
へ転写することができる。
ると、図４（Ｃ）に示すように開口部６と半透明位相シ
フト部８の境界で位相が反転しているため、境界部での
光強度はほぼ０となる。そのため、光強度分布の広がり
が抑えられ、解像度の高いパターンをフォトレジスト膜
へ転写することができる。
【００１０】次に、図４のハーフトーン位相シフトマス
クの製造方法について図５を参照にて説明する。
クの製造方法について図５を参照にて説明する。
【００１１】まず、透明基板１上に半透明位相シフト膜
２をスパッタリングにより形成する。これは、例えば膜
厚１８０ｎｍ程度の酸化窒化ＭｏＳｉ膜であり、波長３
６５ｎｍでの透過率は約８％になる。さらに、その上に
遮光膜４を例えばＣｒをスパッタリングすることにより
形成する。このようにしてハーフトーン位相シフトマス
クブランクス（ハーフトーン位相シフトマスクを製造す
る素材（母材））を形成した後、図５（Ａ）に示すよう
にレジスト膜５を塗布する。
２をスパッタリングにより形成する。これは、例えば膜
厚１８０ｎｍ程度の酸化窒化ＭｏＳｉ膜であり、波長３
６５ｎｍでの透過率は約８％になる。さらに、その上に
遮光膜４を例えばＣｒをスパッタリングすることにより
形成する。このようにしてハーフトーン位相シフトマス
クブランクス（ハーフトーン位相シフトマスクを製造す
る素材（母材））を形成した後、図５（Ａ）に示すよう
にレジスト膜５を塗布する。
【００１２】次に図５（Ｂ）において、電子線ビーム
（矢印で示す）で開口部となる領域を露光する。
（矢印で示す）で開口部となる領域を露光する。
【００１３】次に図５（Ｃ）において、パターンニング
されたレジスト膜５をマスクにして、ウエットエッチン
グにより遮光膜４を、ドライエチィングによりハーフト
ーン位相シフト膜２を除去することにより開口部６が形
成される。
されたレジスト膜５をマスクにして、ウエットエッチン
グにより遮光膜４を、ドライエチィングによりハーフト
ーン位相シフト膜２を除去することにより開口部６が形
成される。
【００１４】次に図５（Ｄ）において、レジスト膜５を
剥離する。
剥離する。
【００１５】次に図５（Ｅ）において、遮光膜をパター
ニングするためのレジスト膜７を塗布する。
ニングするためのレジスト膜７を塗布する。
【００１６】次に図５（Ｆ）において、矢印に示すよう
に電子線露光を行う。
に電子線露光を行う。
【００１７】次に図５（Ｇ）において、パターンニング
されたレジスト膜７をマスクにして遮光膜４を選択的に
エッチング除去する。
されたレジスト膜７をマスクにして遮光膜４を選択的に
エッチング除去する。
【００１８】次に図５（Ｈ）において、レジスト７を剥
離することにより半透明位相シフト部８ならびに遮光部
９がパターニング形成されたハーフトーン位相シフトマ
スクが完成する。
離することにより半透明位相シフト部８ならびに遮光部
９がパターニング形成されたハーフトーン位相シフトマ
スクが完成する。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】遮光膜と半透明位相シ
フト膜との２層構造を持つハーフトーン位相シフトマス
クでは、図６（Ａ）に示すような遮光膜欠陥１０が発生
した場合に修正が困難である。すなわち遮光膜欠陥１０
を除去するために集束イオンビーム１１を照射すると、
図６（Ｂ）に示すように、下層にある半透明膜に半透明
膜ダメージ１２が生じてしまう。このようなダメージが
生じるとハーフトーン位相シフト膜としての転写特性を
損なってしまう。
フト膜との２層構造を持つハーフトーン位相シフトマス
クでは、図６（Ａ）に示すような遮光膜欠陥１０が発生
した場合に修正が困難である。すなわち遮光膜欠陥１０
を除去するために集束イオンビーム１１を照射すると、
図６（Ｂ）に示すように、下層にある半透明膜に半透明
膜ダメージ１２が生じてしまう。このようなダメージが
生じるとハーフトーン位相シフト膜としての転写特性を
損なってしまう。
【００２０】通常の遮光マスクの場合の遮光膜欠陥の修
正方法として、特開平３−１３２６６２号公報には図７
に示すようにクロムから成る遮光膜４の下にＭｏＳｉか
らなる緩衝膜１４を形成する方法が記載されている。遮
光膜欠陥１０を集束イオンビーム１１で修正する（図７
（Ａ））と下層にある緩衝膜１４に緩衝膜ダメージ１５
が生じる（図７（Ｂ））。その後、ＣＦ4 ガスでドライ
エッチングすると遮光膜欠陥下のＭｏＳｉ膜は選択的に
除去される。この方法は、遮光マスクの場合には有効だ
が、遮光膜と半透明位相シフト膜と２層構造を持つハー
フトーン位相シフトマスクの場合には半透明位相シフト
膜自体がＭｏＳｉ等で構成されているため、緩衝膜との
エッチング選択性を得ることができない。
正方法として、特開平３−１３２６６２号公報には図７
に示すようにクロムから成る遮光膜４の下にＭｏＳｉか
らなる緩衝膜１４を形成する方法が記載されている。遮
光膜欠陥１０を集束イオンビーム１１で修正する（図７
（Ａ））と下層にある緩衝膜１４に緩衝膜ダメージ１５
が生じる（図７（Ｂ））。その後、ＣＦ4 ガスでドライ
エッチングすると遮光膜欠陥下のＭｏＳｉ膜は選択的に
除去される。この方法は、遮光マスクの場合には有効だ
が、遮光膜と半透明位相シフト膜と２層構造を持つハー
フトーン位相シフトマスクの場合には半透明位相シフト
膜自体がＭｏＳｉ等で構成されているため、緩衝膜との
エッチング選択性を得ることができない。
【００２１】したがって本発明の目的は、ハーフトーン
位相シフトマスクのレジストパターン転写特性を損なわ
ずに遮光部膜欠陥を修正可能なハーフトーン位相シフト
マスク、ハーフトーン位相シフトマスクブランクス、ハ
ーフトーン位相シフトマスクの製造方法およびハーフト
ーン位相シフトマスクの修正方法を提供することにあ
る。
位相シフトマスクのレジストパターン転写特性を損なわ
ずに遮光部膜欠陥を修正可能なハーフトーン位相シフト
マスク、ハーフトーン位相シフトマスクブランクス、ハ
ーフトーン位相シフトマスクの製造方法およびハーフト
ーン位相シフトマスクの修正方法を提供することにあ
る。
【００２２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のハーフトーン位相シフトマスクは、透明基
板の表面が露出する開口部と、透過する露光光の位相を
前記開口部に対し反転しつつ振幅を減衰させる半透明位
相シフト膜を前記透明基板の上に積層した半透明位相シ
フト部と、前記半透明位相シフト膜の上に遮光膜を積層
することにより光を遮る遮光部とを備え、前記半透明位
相シフト膜と前記遮光膜の間に前記半透明位相シフト膜
と前記遮光膜の双方に対しエッチング選択性を有する中
間薄膜を備えている。
に、本発明のハーフトーン位相シフトマスクは、透明基
板の表面が露出する開口部と、透過する露光光の位相を
前記開口部に対し反転しつつ振幅を減衰させる半透明位
相シフト膜を前記透明基板の上に積層した半透明位相シ
フト部と、前記半透明位相シフト膜の上に遮光膜を積層
することにより光を遮る遮光部とを備え、前記半透明位
相シフト膜と前記遮光膜の間に前記半透明位相シフト膜
と前記遮光膜の双方に対しエッチング選択性を有する中
間薄膜を備えている。
【００２３】特に好ましくは、本発明のハーフトーン位
相シフトマスクにおいて前記中間薄膜は酸化珪素より成
る。
相シフトマスクにおいて前記中間薄膜は酸化珪素より成
る。
【００２４】また、本発明のハーフトーン位相シフトマ
スクブランクスは、透明基板上に半透明位相シフト膜と
中間薄膜と遮光膜を積層し、前記中間薄膜は前記半透明
位相シフト膜と前記遮光膜の双方に対しエッチング選択
性を有する。
スクブランクスは、透明基板上に半透明位相シフト膜と
中間薄膜と遮光膜を積層し、前記中間薄膜は前記半透明
位相シフト膜と前記遮光膜の双方に対しエッチング選択
性を有する。
【００２５】特に好ましくは、本発明のハーフトーン位
相シフトマスクブラングスにおいて前記中間薄膜は酸化
珪素より成る。
相シフトマスクブラングスにおいて前記中間薄膜は酸化
珪素より成る。
【００２６】また、本発明のハーフトーン位相シフトマ
スクの製造方法は、透明基板上に半透明位相シフト膜と
中間薄膜と遮光膜を積層する第１の工程と、前記遮光膜
の一部と前記中間薄膜の一部と前記半透明半透明位相シ
フト膜の一部を露光およびエッチングにより順次除去し
開口部を形成する第２の工程と、前記遮光膜の一部を露
光およびエッチングにより除去し半透明位相シフト部を
形成する第３の工程と、前記半透明位相シフト部上の中
間薄膜をエッチングにより除去する第４の工程とを有す
る。
スクの製造方法は、透明基板上に半透明位相シフト膜と
中間薄膜と遮光膜を積層する第１の工程と、前記遮光膜
の一部と前記中間薄膜の一部と前記半透明半透明位相シ
フト膜の一部を露光およびエッチングにより順次除去し
開口部を形成する第２の工程と、前記遮光膜の一部を露
光およびエッチングにより除去し半透明位相シフト部を
形成する第３の工程と、前記半透明位相シフト部上の中
間薄膜をエッチングにより除去する第４の工程とを有す
る。
【００２７】また、本発明のハーフトーン位相シフトマ
スクの欠陥修正方法は、前記ハーフトーン位相シフトマ
スクの製造方法の第３の工程で前記遮光膜が除去されず
に黒欠陥が発生した場合に、前記第３の工程と第４の工
程の間で前記黒欠陥を集束イオンビームあるいはレーザ
ブローにより除去することを特徴とする。
スクの欠陥修正方法は、前記ハーフトーン位相シフトマ
スクの製造方法の第３の工程で前記遮光膜が除去されず
に黒欠陥が発生した場合に、前記第３の工程と第４の工
程の間で前記黒欠陥を集束イオンビームあるいはレーザ
ブローにより除去することを特徴とする。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明について図面を参
照にして詳細に説明する。
照にして詳細に説明する。
【００２９】図１に本発明の第１の実施の形態として、
ハーフトーン位相シフトマスクの断面図を示す。
ハーフトーン位相シフトマスクの断面図を示す。
【００３０】同図において、透明基板１の上に半透明位
相シフト膜２が堆積されている。半透明位相シフト膜２
は、クロム、クロムの酸化物、クロムの酸化窒化物、ク
ロムのフッ化物、モリブデンシリサイド、モリブデンシ
リサイドの酸化物、モリブデンシリサイドの酸化窒化
物、モリブデンシリサイドのフッ化物などから構成され
る単層あるいは多層膜である。なお、このとき半透明位
相シフト膜２に要求される条件としては、露光光の透過
率が１〜３０％であり、透過する露光光の位相を１８０
度変換させることが必要である。
相シフト膜２が堆積されている。半透明位相シフト膜２
は、クロム、クロムの酸化物、クロムの酸化窒化物、ク
ロムのフッ化物、モリブデンシリサイド、モリブデンシ
リサイドの酸化物、モリブデンシリサイドの酸化窒化
物、モリブデンシリサイドのフッ化物などから構成され
る単層あるいは多層膜である。なお、このとき半透明位
相シフト膜２に要求される条件としては、露光光の透過
率が１〜３０％であり、透過する露光光の位相を１８０
度変換させることが必要である。
【００３１】半透明位相シフト膜２と遮光膜４の間に中
間薄膜３が形成されている。
間薄膜３が形成されている。
【００３２】遮光膜４は、クロム、クロムの酸化物、ク
ロムの酸化窒素化物などから構成される単層あるいは多
層膜である。
ロムの酸化窒素化物などから構成される単層あるいは多
層膜である。
【００３３】中間薄膜３はハーフトーン位相シフト膜４
および遮光膜２に対しエッチング選択性を持つ必要があ
る。このためには、例えば中間薄膜として厚さ５ｎｍ程
度の酸化珪素をスパッタで形成すれば良い。酸化珪素は
水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液でエッチング可
能である。このとき合成石英製の透明基板１も僅かにエ
ッチングされる。５ｎｍエッチングされると、３６５ｎ
ｍの光の位相は約２．５度ずれる。半透明位相シフト膜
の膜厚を決定するときには、開口部６の基板彫り込みに
より生じる位相差も考慮する必要がある。
および遮光膜２に対しエッチング選択性を持つ必要があ
る。このためには、例えば中間薄膜として厚さ５ｎｍ程
度の酸化珪素をスパッタで形成すれば良い。酸化珪素は
水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液でエッチング可
能である。このとき合成石英製の透明基板１も僅かにエ
ッチングされる。５ｎｍエッチングされると、３６５ｎ
ｍの光の位相は約２．５度ずれる。半透明位相シフト膜
の膜厚を決定するときには、開口部６の基板彫り込みに
より生じる位相差も考慮する必要がある。
【００３４】図２に本発明の第２の実施の形態として、
ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法の工程図を示
す。
ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法の工程図を示
す。
【００３５】まず、透明基板１上に半透明位相シフト膜
２、中間薄膜３、遮光膜４をスパッタリングにより形成
する。半透明位相シフト膜２としてはモリブデンシリサ
イドの酸化窒化物、中間薄膜３としては酸化珪素、遮光
膜としてはクロムを用いた。このようにしてハーフトー
ン位相シフトマスクブランクス（ハーフトーン位相シフ
トマスクを製造するための素材（母材））を形成した
後、図２（Ａ）に示すようにレジスト膜５を塗布する。
２、中間薄膜３、遮光膜４をスパッタリングにより形成
する。半透明位相シフト膜２としてはモリブデンシリサ
イドの酸化窒化物、中間薄膜３としては酸化珪素、遮光
膜としてはクロムを用いた。このようにしてハーフトー
ン位相シフトマスクブランクス（ハーフトーン位相シフ
トマスクを製造するための素材（母材））を形成した
後、図２（Ａ）に示すようにレジスト膜５を塗布する。
【００３６】次に図２（Ｂ）において、電子線ビーム
（矢印で示す）により開口部となる領域を露光する。
（矢印で示す）により開口部となる領域を露光する。
【００３７】次に図２（Ｃ）において、電子線ビームを
照射した箇所を除去したレジスト膜５のパターンをマス
クにして、塩素系ガスによるドライエッチングにより遮
光膜４を除去し、次にフッ素系ガスによるドライエッチ
ングにより中間薄膜３およびハーフトーン位相シフト膜
２を除去することにより開口部６が形成される（図２
（Ｃ））。
照射した箇所を除去したレジスト膜５のパターンをマス
クにして、塩素系ガスによるドライエッチングにより遮
光膜４を除去し、次にフッ素系ガスによるドライエッチ
ングにより中間薄膜３およびハーフトーン位相シフト膜
２を除去することにより開口部６が形成される（図２
（Ｃ））。
【００３８】次に図２（Ｄ）において、レジスト膜５を
剥離する。
剥離する。
【００３９】次に図２（Ｅ）において、遮光膜をパター
ニングするためのレジスト膜７を塗布する。
ニングするためのレジスト膜７を塗布する。
【００４０】次に図２（Ｆ）において、矢印で示すよう
に再び電子線露光を行う。
に再び電子線露光を行う。
【００４１】次に図２（Ｇ）において、電子線ビームを
照射した箇所を除去したレジスト膜７のパターンをマス
クにして、塩素系ガスによるドライエッチングで遮光膜
を除去する。
照射した箇所を除去したレジスト膜７のパターンをマス
クにして、塩素系ガスによるドライエッチングで遮光膜
を除去する。
【００４２】次に図２（Ｈ）において、レジスト７を剥
離する。
離する。
【００４３】次に図２（Ｉ）において、水酸化ナトリウ
ム液によるウエットエッチングで中間薄膜３を除去する
ことによりハーフトーン位相シフトマスクが完成する。
ム液によるウエットエッチングで中間薄膜３を除去する
ことによりハーフトーン位相シフトマスクが完成する。
【００４４】図３に本発明の第３の実施の形態としてハ
ーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正方法の工程図を
示す。
ーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正方法の工程図を
示す。
【００４５】欠陥検査は図２に示したハーフトーン位相
シフトマスクの製造方法の工程図の図２（Ｈ）の段階で
行う。図３（Ａ）に示すように、遮光膜４に遮光膜欠陥
１０が発生した場合、Ｇａイオンを用いた集束イオンビ
ーム１１を用いて遮光膜欠陥１０を除去する。集束イオ
ンビームを用いたことにより下層の中間薄膜３に中間薄
膜ダメージ１３が生じる（図３（Ｂ））。
シフトマスクの製造方法の工程図の図２（Ｈ）の段階で
行う。図３（Ａ）に示すように、遮光膜４に遮光膜欠陥
１０が発生した場合、Ｇａイオンを用いた集束イオンビ
ーム１１を用いて遮光膜欠陥１０を除去する。集束イオ
ンビームを用いたことにより下層の中間薄膜３に中間薄
膜ダメージ１３が生じる（図３（Ｂ））。
【００４６】このダメージは、図２に示したハーフトー
ン位相シフトマスクの製造方法の工程図の図２（Ｉ）に
対応する水酸化ナトリウム液によるウエットエッチング
で中間薄膜３を除去する際に同時に除去される。
ン位相シフトマスクの製造方法の工程図の図２（Ｉ）に
対応する水酸化ナトリウム液によるウエットエッチング
で中間薄膜３を除去する際に同時に除去される。
【００４７】このようにして図３（Ｃ）に示すようにハ
ーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正が完成する。
ーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正が完成する。
【００４８】なお、本発明のハーフトーン位相シフトマ
スクの欠陥修正方法では欠陥修正にＧａイオンを用いた
集束イオンビームを用いてるが、もちろんこの他にも反
応性ガスを用いたガスアシストエッチングやレーザビー
ムを用いたレーザブローなど種々の方法を用いることが
できる。
スクの欠陥修正方法では欠陥修正にＧａイオンを用いた
集束イオンビームを用いてるが、もちろんこの他にも反
応性ガスを用いたガスアシストエッチングやレーザビー
ムを用いたレーザブローなど種々の方法を用いることが
できる。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、遮光膜とハーフトーン
位相シフト膜の２層構造を有するハーフトーン位相シフ
トマスクの遮光部欠陥を修正後のマスクへのダメージを
残さずに修正することができる。
位相シフト膜の２層構造を有するハーフトーン位相シフ
トマスクの遮光部欠陥を修正後のマスクへのダメージを
残さずに修正することができる。
【００５０】欠陥修正を施したハーフトーン位相シフト
マスクを用いるとマスク全面のパターンで解像度および
焦点深度が向上する。この結果、より微細なパターンが
形成可能になり、集積度のより高い半導体集積回路が製
造可能になる。
マスクを用いるとマスク全面のパターンで解像度および
焦点深度が向上する。この結果、より微細なパターンが
形成可能になり、集積度のより高い半導体集積回路が製
造可能になる。
【図１】本発明の第１の実施の形態のハーフトーン位相
シフトマスクを示す断面図である。
シフトマスクを示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態のハーフトーン位相
シフトマスクの製造方法を工程順に示す断面図である。
シフトマスクの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態のハーフトーン位相
シフトマスクの欠陥修正方法の工程を順に示す断面図で
ある。
シフトマスクの欠陥修正方法の工程を順に示す断面図で
ある。
【図４】従来の２層型ハーフトーン位相シフトマスクの
原理を説明する図であり、（Ａ）はハーフトーン位相シ
フトマスクの断面図、（Ｂ）は透過光振幅を示す図、
（Ｃ）はウエハ上の光強度分布を示す図である。
原理を説明する図であり、（Ａ）はハーフトーン位相シ
フトマスクの断面図、（Ｂ）は透過光振幅を示す図、
（Ｃ）はウエハ上の光強度分布を示す図である。
【図５】従来のハーフトーン位相シフトマスクの製造方
法を工程順に示す断面図である。
法を工程順に示す断面図である。
【図６】従来のハーフトーン位相シフトマスクの欠陥修
正方法の工程を順に示す断面図図である。
正方法の工程を順に示す断面図図である。
【図７】従来の遮光型マスクの欠陥修正方法の工程を順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
１ 透明基板 ２ 半透明位相シフト膜 ３ 中間薄膜 ４ 遮光膜 ５ レジスト膜 ６ 開口部 ７ レジスト膜 ８ 半透明位相シフト部 ９ 遮光部 １０ 遮光膜欠陥 １１ 集束イオンビーム １２ 半透明膜ダメージ １３ 中間薄膜ダメージ １５ 緩衝膜ダメージ
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板の表面が露出する開口部と、透
過する露光光の位相を前記開口部に対し反転しつつ振幅
を減衰させる半透明位相シフト膜を前記透明基板の上に
積層した半透明位相シフト部と、前記半透明位相シフト
膜の上に遮光膜を積層することにより光を遮る遮光部と
を備え、 前記半透明位相シフト膜と前記遮光膜の間に前記半透明
位相シフト膜と前記遮光膜の双方に対しエッチング選択
性を有する中間薄膜を備えることを特徴とするハーフト
ーン位相シフトマスク。 - 【請求項２】 前記中間薄膜は酸化珪素より成ることを
特徴とする請求項１記載のハーフトーン位相シフトマス
ク。 - 【請求項３】 透明基板上に半透明位相シフト膜と中間
薄膜と遮光膜とを積層し、前記中間薄膜は前記半透明位
相シフト膜と前記遮光膜の双方に対しエッチング選択性
を有することを特徴とするハーフトーン位相シフトマス
クブランクス。 - 【請求項４】 前記中間薄膜は酸化珪素より成ることを
特徴とする請求項３記載のハーフトーン位相シフトマス
クブランクス。 - 【請求項５】 透明基板上に半透明位相シフト膜と中間
薄膜と遮光膜を積層する第１の工程と、前記遮光膜の一
部と前記中間薄膜の一部と前記半透明位相シフト膜の一
部とを露光およびエッチングにより順次除去し開口部を
形成する第２の工程と、前記遮光膜の一部を露光および
エッチングにより除去し半透明位相シフト部を形成する
第３の工程と、前記半透明位相シフト部上の前記中間薄
膜をエッチングにより除去する第４の工程とを有するこ
とを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方
法。 - 【請求項６】 請求項５記載の位相シフトマスクの製造
方法の前記第３の工程で前記遮光膜が除去されずに黒欠
陥が発生した場合に、前記第３の工程と前記第４の工程
の間で前記黒欠陥を集束イオンビームあるいはレーザブ
ローにより除去することを特徴とするハーフトーン位相
シフトマスクの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16287197A JP3064962B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | ハーフトーン位相シフトマスクおよびそのマスクブランクスならびにハーフトーン位相シフトマスクの製造方法および欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16287197A JP3064962B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | ハーフトーン位相シフトマスクおよびそのマスクブランクスならびにハーフトーン位相シフトマスクの製造方法および欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1115127A true JPH1115127A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3064962B2 JP3064962B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=15762857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16287197A Expired - Fee Related JP3064962B2 (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | ハーフトーン位相シフトマスクおよびそのマスクブランクスならびにハーフトーン位相シフトマスクの製造方法および欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3064962B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1997
- 1997-06-19 JP JP16287197A patent/JP3064962B2/ja not_active Expired - Fee Related
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