JP2014211501A - 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク - Google Patents
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Abstract
Description
フォトマスクにおいてもパターン微細化を行うために、複合波長を用い遮光膜をパターン形成フォトマスクから、パターン縁において光干渉を用いて、単波長を用い、より微細なパターン形成可能な位相シフトマスクが使用されるに至っている。
上記に示す、半導体用位相シフトマスクでは、特許文献1に示すようにi線単波長を用いたエッジ強調型の位相シフトマスクが使用されていたが、更なる微細化のために、特許文献2に示すようにArF単波長まで露光波長を短くし、かつ、半透過型の位相シフトマスクが使用されてきている。
最近、上記フラットパネルディスプレイでも高精細な画面を形成するためにパターンプロファイルがより微細化されてきており、従来より使用されてきている、遮光膜をパターン化したフォトマスクではなく、特許文献3に示すようにエッジ強調型の位相シフトマスクが使用されるに至っている。
しかも、近年におけるフラットパネルディスプレイの配線パターンの微細化に伴って、フラットパネルディスプレイの製造に用いられるフォトマスクにも微細な線幅精度の要求が高まっている。しかし、フォトマスクの微細化に対する露光条件、現像条件等の検討だけでは対応が非常に難しくなってきており、さらなる微細化を達成するための新しい技術が求められるようになってきている。
該透明基板の表面に形成された、Crを主成分とする位相シフト層と、
前記透明基板から離間する側の前記位相シフト層表面に形成された、Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及びHfから選択された少なくとも1種の金属を主成分とするエッチングストッパー層と、
前記位相シフト層から離間する側の前記エッチングストッパー層上に形成された、Crを主成分とする遮光層と、を備え、
平面視した前記位相シフト層に形成された位相シフトパターンの線幅よりも前記遮光層に形成された遮光パターンの線幅が狭く設定される位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記透明基板に、前記位相シフト層と前記エッチングストッパー層と前記遮光層とを形成する工程と、
前記遮光層上に所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
この形成したマスク越しに前記遮光層と前記エッチングストッパー層とを順次エッチングして遮光パターンとエッチングストッパーパターンとを形成する工程と、
前記マスク越しに前記位相シフト層をウェットエッチングし位相シフトパターンを形成する工程と、
前記エッチングストッパー層を更にエッチングする工程と、
を有し、
前記位相シフト層におけるエッチングレートの前記透明基板側と前記エッチングストッパー層側とにおける比を設定し、エッチング処理時間を制御することで、前記位相シフト層の厚さ寸法に対する平面視した側面の幅寸法の比を所定の範囲に設定することを特徴とする。
本発明は、前記位相シフト層のエッチングレートの前記透明基板側と前記エッチングストッパー層側とにおける比を7.10〜21.78となるように設定することができる。
本発明は、前記位相シフト層の厚さ寸法に対する平面視した側面の幅寸法の比を0.10〜1.19の範囲に設定することができる。
本発明の位相シフトマスクは、上記の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
該透明基板の表面に形成された、Crを主成分とする位相シフト層と、
前記透明基板から離間する側の前記位相シフト層表面に形成された、Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及びHfから選択された少なくとも1種の金属を主成分とするエッチングストッパー層と、
前記位相シフト層から離間する側の前記エッチングストッパー層上に形成された、Crを主成分とする遮光層と、を備え、
平面視した前記位相シフト層に形成された位相シフトパターンの線幅よりも前記遮光層に形成された遮光パターンの線幅が狭く設定される位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記透明基板に、前記位相シフト層と前記エッチングストッパー層と前記遮光層とを形成する工程と、
前記遮光層上に所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
この形成したマスク越しに前記遮光層と前記エッチングストッパー層とを順次エッチングして遮光パターンとエッチングストッパーパターンとを形成する工程と、
前記マスク越しに前記位相シフト層をウェットエッチングし位相シフトパターンを形成する工程と、
前記エッチングストッパー層を更にエッチングする工程と、
を有し、
本発明は、前記位相シフト層のエッチングレートの前記透明基板側と前記エッチングストッパー層側とにおける比を7.10〜21.78となるように設定すること、あるいは、前記位相シフト層の厚さ寸法に対する平面視した側面の幅寸法の比を0.10〜1.19の範囲に設定することにより、位相シフト層がダレない状態にできるので、位相シフトパターンの線幅、つまりマスクの線幅をより正確に設定して、より一層高精細化したウェット処理による位相シフトマスク製造を可能とすることができる。
以下では、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の一実施形態について、図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態に係る位相シフトマスクの製造方法を模式的に示す工程図であり、図において、MBは位相シフトマスクブランクスである。
(エッチングストッパー層12側のエッチング速度)/(ガラス基板S側のエッチング速度)=7.10〜21.78となるように設定する。
このようにエッチングレートを設定した状態で、位相シフト層11におけるエッチング処理時間を制御することで、図2〜4にB1bで示すように、位相シフトパターン11aに形成された斜面の傾斜状態である位相シフトパターン11aのダレ幅B1bを制御することが可能となる。
なお、図2〜5は、位相シフト層11のエッチングが終了し、エッチングストッパーパターン12aの剥離を行っていない状態を示す。
上記効果を確認するため、次の実験を行った。即ち、ガラス基板S上に、スパッタリング法により、位相シフト層11たるクロムの酸化窒化炭化膜を120nmの厚さで成膜し、エッチングストッパー層12たるNi−Ti−Nb−Mo膜を30nmの厚さで成膜し、遮光層13たるクロム主成分の層と酸化クロム主成分の層との2層で構成される膜を100nmの合計厚さで成膜して、位相シフトマスクブランクスMBを得た。
この際、遮光層のエッチング量のうち、図1(f)に示す状態におけるレジスト層側のエッチング量を測定した。
その結果を図10に示す。
その結果を図11に示す。
この際、エッチングストッパー層のエッチング量のうち、図1(e)に示す状態におけるレジスト層側のエッチング量を測定した。
その結果を図12に示す。
その結果を図13に示す。
この際、位相シフト層のエッチング量のうち、図1(f)に示す状態におけるエッチングストッパー層側のエッチング量を測定した。
その結果を図14に示す。
その結果を図15に示す。
M…位相シフトマスク
S…ガラス基板(透明基板)
PR1a…フォトレジスト層
PR1b…露光及び現像領域
PR1…レジストパターン
11…位相シフト層
11a…位相シフトパターン
12…エッチングストッパー層
12a,12b…エッチングストッパーパターン
13…遮光層
13a,13b…遮光パターン
Claims (4)
- 透明基板と、
該透明基板の表面に形成された、Crを主成分とする位相シフト層と、
前記透明基板から離間する側の前記位相シフト層表面に形成された、Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及びHfから選択された少なくとも1種の金属を主成分とするエッチングストッパー層と、
前記位相シフト層から離間する側の前記エッチングストッパー層上に形成された、Crを主成分とする遮光層と、を備え、
平面視した前記位相シフト層に形成された位相シフトパターンの線幅よりも前記遮光層に形成された遮光パターンの線幅が狭く設定される位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記透明基板に、前記位相シフト層と前記エッチングストッパー層と前記遮光層とを形成する工程と、
前記遮光層上に所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
この形成したマスク越しに前記遮光層と前記エッチングストッパー層とを順次エッチングして遮光パターンとエッチングストッパーパターンとを形成する工程と、
前記マスク越しに前記位相シフト層をウェットエッチングして位相シフトパターンを形成する工程と、
前記エッチングストッパー層を更にエッチングする工程と、
を有し、
前記位相シフト層のエッチングレートの前記透明基板側と前記エッチングストッパー層側とにおける比を設定し、エッチング処理時間を制御することで、前記位相シフト層の厚さ寸法に対する平面視した側面の幅寸法の比を所定の範囲に設定することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 前記位相シフト層のエッチングレートの前記透明基板側と前記エッチングストッパー層側とにおける比を7.10〜21.78
となるように設定することを特徴とする請求項1記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 前記位相シフト層の厚さ寸法に対する平面視した側面の幅寸法の比を0.10〜1.19の範囲に設定することを特徴とする請求項1または2記載の位相シフトマスクの製造方法。
- 請求項1から3のいずれか記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする位相シフトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Country | Link |
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