JP6207006B2 - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
フォトマスクにおいてもパターン微細化を行うために、複合波長を用い、遮光膜パターン形成したフォトマスクから、パターン縁において光干渉を用いて、単波長を用い、より微細なパターン形成可能な位相シフトマスクが使用されるに至っている。
上記に示す、半導体用位相シフトマスクでは、特許文献1に示すようにi線単波長を用いたエッジ強調型の位相シフトマスクが使用されていたが、更なる微細化のために、特許文献2に示すようにArF単波長まで露光波長を短くし、かつ、半透過型の位相シフトマスクが使用されてきている。
最近、上記フラットパネルディスプレイでも高精細な画面を形成するためにパターンプロファイルがより微細化されてきており、従来より使用されてきている遮光膜をパターン化したフォトマスクではなく、特許文献3に示すようにエッジ強調型の位相シフトマスクが使用されるに至っている。
しかし、フォトマスクの微細化に対する露光条件、現像条件等の検討だけでは対応が非常に難しくなってきており、さらなる微細化を達成するための新しい技術が求められるようになってきている。
透明基板と、
前記透明基板の一面側に一定の厚みで形成された部分を備え、300nm以上500nm以下の波長領域内の光に対して180°の位相差をもたせることが可能な、Crを主成分とした位相シフト層と、を有する位相シフトマスクの製造方法であって、
前記透明基板の一面側に前記位相シフト層を形成する位相シフト層形成工程と、
前記位相シフト層をウエットエッチングして前記位相シフト層と前記透明基板とが平面視した境界部分を有するように前記位相シフト層をパターニングして位相シフトパターンを形成する工程と、を有し、
前記位相シフト層形成工程において、前記成膜を行う電力の電力密度を可変制御することによって、平面視した前記位相シフト層と前記透明基板との境界部分における前記位相シフトパターンの厚みを、前記一定の厚みで形成された部分から減少させる膜厚をもつ傾斜領域を形成し、
前記位相シフト層形成を行う電力の電力密度を1.52(W/cm 2 )以上、7.60(W/cm 2 )以下の範囲から設定することによって、前記位相シフト層の厚みが前記一定の厚みで形成された部分から減少する前記傾斜領域の幅の距離と、前記位相シフト層の一定の厚みとの比が0でなく、かつ、−0.292以上、2.500以下となるように前記傾斜領域を形成することを特徴とする。
前記位相シフト層の厚みが前記一定の厚みで形成された部分から減少する前記傾斜領域の幅の距離と、前記位相シフト層の一定の厚みとの比を0.319以上、1.917以下とすることを特徴とする。
また、以下の図面を使用した説明において、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきであり、理解の容易のために説明に必要な部材以外の図示は適宜省略されている。
図1は、本実施形態の位相シフトマスクを示す要部拡大断面図である。
本実施形態の位相シフトマスク10は、図1に示すように、ガラス基板(透明基板)11の一面(一主面)11a側に重ねて設けられ、180°の位相差をもたせることが可能な位相シフト層12単層からなる位相シフトパターン12aを有するものとされ、例えばFPD用ガラス基板に対するパターニング用マスクとして構成される。後述するように、当該マスクを用いたガラス基板のパターニングには、露光光にi線、h線及びg線の複合波長が用いられる。
−3≦B1b/T12≦3
となるように設定されている。ここで、傾斜領域B1bにおいて厚みの減少する距離B1bとは、平面視した傾斜面12sの幅寸法、言い換えると、平面視した傾斜領域の幅寸法B1bである。
この距離B1bは、図1において、位相シフトパターン12aの厚さT12の端部12tから厚さゼロの端部12uまでとされ、均一厚さ領域B1aからガラス基板11が露出する部分Cに向かう方向を正とし、位相シフトパターン12aの厚さT12の端部12tからガラス基板11が露出する部分Cと反対側に向かう場合を負とする。なお、図1においては、端部12tから右側に向かう場合を正とし、左側に向かう場合を負とする。
上記は膜厚がTg、または、Th、さらにはTiに対応した場合、およびその中間の膜厚に対応した場合でも同様である。
以下、本実施形態の位相シフトマスク10を製造する位相シフトマスクの製造方法について説明する。
図2は、本実施形態に係る位相シフトマスクの製造方法を模式的に示す工程図である。
本実施形態の位相シフトマスク10は、図2(J)に示すように、露光領域の外側に当たる周辺部に位置合わせ用のアライメントマークを有し、このアライメントマークが遮光層14aで形成されている。図2に記載の例では、アライメントマーク用として遮光層の例が記載されているが、遮光層でなく、半透過層、具体的には位相シフト層であってもよい。
位相シフト層12の膜厚は、透明基板10の面内において露光領域内で境界部分B1以外では少なくとも均一であることが好ましい。
位相シフト層12の透過率及び反射率は、成膜時のガス条件によって任意に調整することができる。上述した混合ガス条件によれば、i線に関して1%以上20%以下の透過率、及び40%以下の反射率を得ることができる。透過率は0.5%以上であってもよい。
位相シフト層形成工程おいて、スパッタリング電力の電力密度を可変制御することによって、平面視した位相シフト層12とガラス基板11との境界部分において、位相シフト層12の厚みが、一定の厚みT12で形成された部分から減少する距離と、一定の厚みT12で形成された部分との比を可変制御することができる。
位相シフト層12の成膜時における酸化性ガスの流量を調節することで、位相シフト層12におけるエッチング状態を制御して傾斜面12sの形状を設定する。
B1b/T12
を小さくして、傾斜面12sの傾斜を大きくするとともに、酸化性ガスの流量比を増やすことで、この比の値を大きくする。
本発明者らの上記実験によれば、当該位相シフト層を有しないマスクを用いて露光した場合、目標とする線幅(2±0.5μm)に対して30%以上のパターン幅のずれが生じていたが、本実施形態の位相シフトマスク10を用いて露光した場合、7%程度のずれに抑えられることが確認された。
以下では、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
図3は、本実施形態に係る位相シフトマスクを示す模式断面図であり、図4は、本実施形態に係る位相シフトマスクの製造方法を模式的に示す工程図であり、図において、20は位相シフトマスクである。なお、図3、図4において、図1、図2と対応する部分については同一の符号を付し、その説明は省略する。
遮光パターン13aの形成後、図4(f)に示すように、レジストパターン14aは除去される。レジストパターン14aの除去には、例えば、水酸化ナトリウム水溶液を用いることができる。
位相シフト層12の成膜方法としては、DCスパッタリング法を採用することによって、膜厚均一性に優れた成膜が可能である。なお、DCスパッタリング法に限られず、ACスパッタリング法やRFスパッタリング法が適用されてもよい。
位相シフト層12は、クロム系材料で構成される。特に本実施形態では、位相シフト層13は、例えば、窒化酸化炭化クロムで構成される。クロム系材料によれば、特に大型の基板上において良好なパターニング性を得ることができる。
Claims (5)
- 透明基板と、
前記透明基板の一面側に一定の厚みで形成された部分を備え、300nm以上500nm以下の波長領域内の光に対して180°の位相差をもたせることが可能な、Crを主成分とした位相シフト層と、を有する位相シフトマスクの製造方法であって、
前記透明基板の一面側に前記位相シフト層を形成する位相シフト層形成工程と、
前記位相シフト層をウエットエッチングして前記位相シフト層と前記透明基板とが平面視した境界部分を有するように前記位相シフト層をパターニングして位相シフトパターンを形成する工程と、を有し、
前記位相シフト層形成工程において、前記成膜を行う電力の電力密度を可変制御することによって、平面視した前記位相シフト層と前記透明基板との境界部分における前記位相シフトパターンの厚みを、前記一定の厚みで形成された部分から減少させる膜厚をもつ傾斜領域を形成し、
前記位相シフト層形成を行う電力の電力密度を1.52(W/cm 2 )以上、7.60(W/cm 2 )以下の範囲から設定することによって、前記位相シフト層の厚みが前記一定の厚みで形成された部分から減少する前記傾斜領域の幅の距離と、前記位相シフト層の一定の厚みとの比が0でなく、かつ、−0.292以上、2.500以下となるように前記傾斜領域を形成することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 前記位相シフト層形成工程おいて、前記電力密度を2.54(W/cm 2 )以上、5.50(W/cm 2 )以下の範囲から設定し、
前記位相シフト層の厚みが前記一定の厚みで形成された部分から減少する前記傾斜領域の幅の距離と、前記位相シフト層の一定の厚みとの比を0.319以上、1.917以下とすることを特徴とする請求項1記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 前記位相シフト層形成工程において、前記位相シフト層の厚みが、前記一定の厚みで形成された部分から減少する前記傾斜領域の幅の距離と、前記位相シフト層の一定の厚みとの比に対する前記電力密度との比が、−0.192以上、0.329以下の範囲から選択されることを特徴とする請求項1記載の位相シフトマスクの製造方法。
- 前記位相シフト層形成工程おいて、前記電力密度を可変制御することによって、平面視した前記位相シフト層と前記透明基板との境界部分において、前記位相シフト層の厚みが、前記一定の厚みで形成された部分から減少する距離と、前記一定の厚みで形成された部分との比を可変制御することを特徴とする請求項1記載の位相シフトマスクの製造方法。
- 前記位相シフト層形成工程おいて、雰囲気ガス中における酸化性ガスの流量比を可変制御することで、平面視した前記位相シフト層と前記透明基板との境界部分において、前記位相シフト層の厚みが、前記一定の厚みで形成された部分から減少する距離と、前記一定の厚みで形成された部分との比を可変制御することを特徴とする請求項1記載の位相シフトマスクの製造方法。
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