JP3256345B2 - フォトマスクブランクスおよびフォトマスク - Google Patents
フォトマスクブランクスおよびフォトマスクInfo
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- JP3256345B2 JP3256345B2 JP20455693A JP20455693A JP3256345B2 JP 3256345 B2 JP3256345 B2 JP 3256345B2 JP 20455693 A JP20455693 A JP 20455693A JP 20455693 A JP20455693 A JP 20455693A JP 3256345 B2 JP3256345 B2 JP 3256345B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- phase shift
- photomask
- film
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は投影露光装置に使用さ
れるフォトマスクブランクスおよびフォトマスクに関す
るものである。
れるフォトマスクブランクスおよびフォトマスクに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の位相シフトフォトマスクの一例が
図４に示されており、同図において、透明基板１の表面
には遮光層３が作られ、更に、その遮光層３の上には透
明または半透明位相シフター層２が作られている。その
場合、透明または半透明位相シフター層２は位相シフト
の役割を果たし、また、遮光層３は光の透過率を抑える
役割を果たしている。そして、遮光層３はＣｒ、モリブ
デンシリサイド膜等の遮光膜で作られている。
図４に示されており、同図において、透明基板１の表面
には遮光層３が作られ、更に、その遮光層３の上には透
明または半透明位相シフター層２が作られている。その
場合、透明または半透明位相シフター層２は位相シフト
の役割を果たし、また、遮光層３は光の透過率を抑える
役割を果たしている。そして、遮光層３はＣｒ、モリブ
デンシリサイド膜等の遮光膜で作られている。
【０００３】また、別の例が図５に示されており、同図
において、透明基板１の表面には単層の半透明位相シフ
ター層２だけが作られている。その場合、単層の半透明
位相シフター層２は位相シフトの役割と光の透過率を調
整する役割とを兼用している。したがって、別の例では
遮光層は用いず、ハーフトーン位相シフターの光吸収性
により光の透過率を制御することで、露光波長λにおけ
る光の透過エネルギーをフォトレジストの感光感度以下
に抑えるようにしている。
において、透明基板１の表面には単層の半透明位相シフ
ター層２だけが作られている。その場合、単層の半透明
位相シフター層２は位相シフトの役割と光の透過率を調
整する役割とを兼用している。したがって、別の例では
遮光層は用いず、ハーフトーン位相シフターの光吸収性
により光の透過率を制御することで、露光波長λにおけ
る光の透過エネルギーをフォトレジストの感光感度以下
に抑えるようにしている。
【０００４】このような一例および別の例において、シ
フター層２は目的位相シフトφ（通常πラジアン）に対
して、 φ＝２π・（ｎ1 −１）・ｄ1 ／λ・・・・（１） を満足するようにシフター層２の厚みｄ1 が設定され
る。したがって、（１）式より、ｄ1 は次のようにな
る。 ｄ1 ＝φ・λ／２π・（ｎ1 −１） ・・・・（２）
フター層２は目的位相シフトφ（通常πラジアン）に対
して、 φ＝２π・（ｎ1 −１）・ｄ1 ／λ・・・・（１） を満足するようにシフター層２の厚みｄ1 が設定され
る。したがって、（１）式より、ｄ1 は次のようにな
る。 ｄ1 ＝φ・λ／２π・（ｎ1 −１） ・・・・（２）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフトフォ
トマスクの一例および別の例は、シフター開口部８を形
成するために、ウェット（湿式）エッチングを行うと、
図６に示されるようにウェットエッチングの等方性によ
りシフター開口部８の境界がだれるようになる。そのた
め、ドライエッチングによってシフター開口部８を形成
しなければならなかった。
トマスクの一例および別の例は、シフター開口部８を形
成するために、ウェット（湿式）エッチングを行うと、
図６に示されるようにウェットエッチングの等方性によ
りシフター開口部８の境界がだれるようになる。そのた
め、ドライエッチングによってシフター開口部８を形成
しなければならなかった。
【０００６】また、従来の位相シフトフォトマスクの一
例は、位相シフター層２と遮光層３とが異質の物質で作
られているため、フォトマスクの製造プロセスにおいて
成膜プロセスやドライエッチングプロセスが複雑にな
り、手間がかかる問題が起きた。
例は、位相シフター層２と遮光層３とが異質の物質で作
られているため、フォトマスクの製造プロセスにおいて
成膜プロセスやドライエッチングプロセスが複雑にな
り、手間がかかる問題が起きた。
【０００７】また、別の例は、半透明位相シフター層２
があるだけであるので、フォトマスクの製造プロセスに
おいて成膜プロセスやドライエッチングプロセスが簡単
になり、手間が省けるようになる。しかしながら、単層
であるため、光学膜の設計に柔軟性を欠くようになる。
そのため、例えば、クロムやモリブデンシリサイドの酸
化物や酸窒化物のように短波長の露光波長に対し、消衰
係数ｋがある限度以下にならない場合、光の透過率Ｔの
光学的パラメータ依存性により、光の透過率の低下を抑
えることができないという問題がある。また、低反射率
あるいは高反射率のハーフトーンフォトマスクが必要と
される場合でも、単層であると、反射率が一義的に決ま
ってしまう。
があるだけであるので、フォトマスクの製造プロセスに
おいて成膜プロセスやドライエッチングプロセスが簡単
になり、手間が省けるようになる。しかしながら、単層
であるため、光学膜の設計に柔軟性を欠くようになる。
そのため、例えば、クロムやモリブデンシリサイドの酸
化物や酸窒化物のように短波長の露光波長に対し、消衰
係数ｋがある限度以下にならない場合、光の透過率Ｔの
光学的パラメータ依存性により、光の透過率の低下を抑
えることができないという問題がある。また、低反射率
あるいは高反射率のハーフトーンフォトマスクが必要と
される場合でも、単層であると、反射率が一義的に決ま
ってしまう。
【０００８】この発明の目的は、従来の問題を解決し
て、ウェットエッチングによって位相シフトフォトマス
クのパターンを切ることが可能であるとともに、吸収係
数の大きな位相シフター層であっても光の透過率を高く
することが可能になり、更に、低反射率または高反射率
のハーフトーンフォトマスクの製作が可能で、しかも、
フォトマスクの製造プロセスが単純で手間のかからない
フォトマスクブランクスおよびフォトマスクを提供する
ものである。
て、ウェットエッチングによって位相シフトフォトマス
クのパターンを切ることが可能であるとともに、吸収係
数の大きな位相シフター層であっても光の透過率を高く
することが可能になり、更に、低反射率または高反射率
のハーフトーンフォトマスクの製作が可能で、しかも、
フォトマスクの製造プロセスが単純で手間のかからない
フォトマスクブランクスおよびフォトマスクを提供する
ものである。
【０００９】上記目的を達成するために、請求項１記載
の発明は、透明基板の上に２層以上の位相シフト層が形
成されたフォトマスクブランクスおよびフォトマスクで
あって、前記各位相シフト層の前記透明基板に平行な方
向のエッチング速度は、前記透明基板に近い方の位相シ
フト層よりも、前記透明基板に遠い方の位相シフト層の
方が遅くなるように構成されたフォトマスクブランクス
およびフォトマスクである。請求項２記載の発明は、前
記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに膜厚が変
えられた請求項１記載のフォトマスクブランクスおよび
フォトマスクである。請求項３記載の発明は、前記各位
相シフト層は、前記位相シフト層ごとに光学的特性が変
えられた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のフ
ォトマスクブランクスおよびフォトマスクである。
の発明は、透明基板の上に２層以上の位相シフト層が形
成されたフォトマスクブランクスおよびフォトマスクで
あって、前記各位相シフト層の前記透明基板に平行な方
向のエッチング速度は、前記透明基板に近い方の位相シ
フト層よりも、前記透明基板に遠い方の位相シフト層の
方が遅くなるように構成されたフォトマスクブランクス
およびフォトマスクである。請求項２記載の発明は、前
記各位相シフト層は、前記位相シフト層ごとに膜厚が変
えられた請求項１記載のフォトマスクブランクスおよび
フォトマスクである。請求項３記載の発明は、前記各位
相シフト層は、前記位相シフト層ごとに光学的特性が変
えられた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のフ
ォトマスクブランクスおよびフォトマスクである。
【００１０】
【作用】この発明においては、エッチング特性を膜厚の
方向に変化させているので、ウェットエッチングに際し
て、位相シフト層の透明基板面に平行な方向のエッチン
グ量（サイドエッチング量と称する）の均一化をはかる
ことが可能になり、ウェットエッチングによってもシャ
ープなパターンが形成されるようになる。
方向に変化させているので、ウェットエッチングに際し
て、位相シフト層の透明基板面に平行な方向のエッチン
グ量（サイドエッチング量と称する）の均一化をはかる
ことが可能になり、ウェットエッチングによってもシャ
ープなパターンが形成されるようになる。
【００１１】また、光学的特性を膜厚の方向に変化させ
ているので、位相シフト層における入射光の反射による
透過率損失を軽減して、消衰係数の大きな位相シフト層
の材質に対しても透過率を高くすることが可能になる。
ているので、位相シフト層における入射光の反射による
透過率損失を軽減して、消衰係数の大きな位相シフト層
の材質に対しても透過率を高くすることが可能になる。
【００１２】更に、低反射率または高反射率のフォトマ
スクブランクスおよびフォトマスクを簡単に作ることが
できる。
スクブランクスおよびフォトマスクを簡単に作ることが
できる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例のフォトマスクブ
ランクスおよびフォトマスクが図１に示されており、同
図において、透明基板１の上には１層目の位相シフト層
５が形成され、更に、その１層目の位相シフト層５の上
には２層目の位相シフト層６が形成されている。なお、
図中、７はシフター部、８はシフター開口部である。
しながら説明する。この発明の実施例のフォトマスクブ
ランクスおよびフォトマスクが図１に示されており、同
図において、透明基板１の上には１層目の位相シフト層
５が形成され、更に、その１層目の位相シフト層５の上
には２層目の位相シフト層６が形成されている。なお、
図中、７はシフター部、８はシフター開口部である。
【００１４】このような実施例の製造には、直流マグネ
トロン方式によるスパツタ成膜装置が用いられ、クロム
ターゲットからクロムをスパツタ蒸着すると共に、反応
性ガスとして酸素とＣＨ4 を用いた反応性スパッタリン
グによって透明基板１の上に成膜条件を変えて２層のハ
ーフトーンクロム酸化物からなる位相シフター膜を形成
した。
トロン方式によるスパツタ成膜装置が用いられ、クロム
ターゲットからクロムをスパツタ蒸着すると共に、反応
性ガスとして酸素とＣＨ4 を用いた反応性スパッタリン
グによって透明基板１の上に成膜条件を変えて２層のハ
ーフトーンクロム酸化物からなる位相シフター膜を形成
した。
【００１５】スパツタ成膜装置の基板ホルダーは１５３
ｍｍ□の石英の透明基板１を円周方向に１４枚搭載する
ことができ、膜厚分布を均一化するために、毎分１．５
回転の回転速度で回転して成膜した。そのときの基板温
度は１００℃である。１層目の位相シフター層はＡｒを
４０ｓｃｃｍ、Ｏ2 を７ｓｃｃｍ流し、スパツタ圧力２
ｍＴｏｒｒ、スパッタ電圧を４１７Ｖ、スパッタ電流を
２．５Ａにして、１０分間成膜し、層厚を６５．５ｎｍ
に形成した。回転成膜の堆積速度は６．２５ｎｍ／ｍｉ
ｎであり、静止成膜換算では、９４ｎｍ／ｍｉｎであ
る。膜厚は６２．５ｎｍである。
ｍｍ□の石英の透明基板１を円周方向に１４枚搭載する
ことができ、膜厚分布を均一化するために、毎分１．５
回転の回転速度で回転して成膜した。そのときの基板温
度は１００℃である。１層目の位相シフター層はＡｒを
４０ｓｃｃｍ、Ｏ2 を７ｓｃｃｍ流し、スパツタ圧力２
ｍＴｏｒｒ、スパッタ電圧を４１７Ｖ、スパッタ電流を
２．５Ａにして、１０分間成膜し、層厚を６５．５ｎｍ
に形成した。回転成膜の堆積速度は６．２５ｎｍ／ｍｉ
ｎであり、静止成膜換算では、９４ｎｍ／ｍｉｎであ
る。膜厚は６２．５ｎｍである。
【００１６】１層目の成膜条件で得られる膜質は光学定
数ｎ1 −ｉｋ1 において、ｎ1 ＝２．５、ｋ1 ＝０．５
７であり、ウェットエッチング速度は層厚方向において
１７４ｎｍ／ｍｉｎ、層厚方向に垂直な方向（サイドエ
ッチングと称する）において１６２０ｎｍ／ｍｉｎであ
る。
数ｎ1 −ｉｋ1 において、ｎ1 ＝２．５、ｋ1 ＝０．５
７であり、ウェットエッチング速度は層厚方向において
１７４ｎｍ／ｍｉｎ、層厚方向に垂直な方向（サイドエ
ッチングと称する）において１６２０ｎｍ／ｍｉｎであ
る。
【００１７】ウェットエッチング液は水１リットルに対
し、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇｒ、７０％
過塩素酸４２ミリリットルを加えた水溶液で、液温２０
℃とした。
し、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇｒ、７０％
過塩素酸４２ミリリットルを加えた水溶液で、液温２０
℃とした。
【００１８】１層目を形成した直後、続けて２層目を成
膜条件を変えて形成し、２層目のハーフトーンクロム酸
炭化層を６２．５ｎｍの厚さで形成した。
膜条件を変えて形成し、２層目のハーフトーンクロム酸
炭化層を６２．５ｎｍの厚さで形成した。
【００１９】２層目の成膜条件は以下の通りである。反
応ガス流量はＡｒ；２７ｓｃｃｍ、Ｏ2 ；４．４ｓｃｃ
ｍ、ＣＨ4 ；３ｓｃｃｍ、スパッタ圧力は２ｍＴｏｒ
ｒ、スパッタ電圧は４２５Ｖ、スパッタ電流は２．５
Ａ、成膜時間は１４．５分である。回転成膜の堆積速度
は４．３ｎｍ／ｍｉｎ、静止成膜換算で、６５ｎｍ／ｍ
ｉｎである。基板温度は２００℃である。
応ガス流量はＡｒ；２７ｓｃｃｍ、Ｏ2 ；４．４ｓｃｃ
ｍ、ＣＨ4 ；３ｓｃｃｍ、スパッタ圧力は２ｍＴｏｒ
ｒ、スパッタ電圧は４２５Ｖ、スパッタ電流は２．５
Ａ、成膜時間は１４．５分である。回転成膜の堆積速度
は４．３ｎｍ／ｍｉｎ、静止成膜換算で、６５ｎｍ／ｍ
ｉｎである。基板温度は２００℃である。
【００２０】２層目の成膜条件で得られた膜質は光学定
数ｎ2 −ｉｋ2 において、ｎ2 ＝２．０、ｋ2 ＝０．５
８であり、ウェットエッチング速度は層厚方向において
１３２ｎｍ／ｍｉｎ、層厚方向に垂直な方向（サイドエ
ッチングと称する）において９６０ｎｍ／ｍｉｎであ
る。膜厚は６２．５ｎｍである。
数ｎ2 −ｉｋ2 において、ｎ2 ＝２．０、ｋ2 ＝０．５
８であり、ウェットエッチング速度は層厚方向において
１３２ｎｍ／ｍｉｎ、層厚方向に垂直な方向（サイドエ
ッチングと称する）において９６０ｎｍ／ｍｉｎであ
る。膜厚は６２．５ｎｍである。
【００２１】透明基板１に２層目の位相シフト層を形成
した位相フォトマスクブランクスにＡＺ１５００フォト
レジストを塗布し、露光現象して線幅２μｍの線状のレ
ジストパターンを形成し、エッチング時間１分間でウェ
ットエッチングを行った。
した位相フォトマスクブランクスにＡＺ１５００フォト
レジストを塗布し、露光現象して線幅２μｍの線状のレ
ジストパターンを形成し、エッチング時間１分間でウェ
ットエッチングを行った。
【００２２】ウェットエッチング後の位相シフトフォト
マスクの断面形状は図２に図式的に示されている。図２
において、９はレジスト層である。
マスクの断面形状は図２に図式的に示されている。図２
において、９はレジスト層である。
【００２３】なお、この位相シフトフォトマスクは、１
層目と同じ膜質の単層のハーフトーン位相シフトフォト
マスクと同じ膜質の単層のハーフトーン位相シフトフォ
トマスクと同じドライエッチング条件でエッチングする
ことができた。即ち、平行平板型のＲＦイオンエッチン
グ装置を用い、作動圧力を０．３Ｔｏｒｒ、反応ガスＣ
Ｈ2 Ｃｌ2 とＯ2 をそれぞれ２５ｓｃｃｍおよび７５ｓ
ｃｃｍにして、エッチングを行うと、エッチング時間約
４分でエッチングを行うことができた。
層目と同じ膜質の単層のハーフトーン位相シフトフォト
マスクと同じ膜質の単層のハーフトーン位相シフトフォ
トマスクと同じドライエッチング条件でエッチングする
ことができた。即ち、平行平板型のＲＦイオンエッチン
グ装置を用い、作動圧力を０．３Ｔｏｒｒ、反応ガスＣ
Ｈ2 Ｃｌ2 とＯ2 をそれぞれ２５ｓｃｃｍおよび７５ｓ
ｃｃｍにして、エッチングを行うと、エッチング時間約
４分でエッチングを行うことができた。
【００２４】この２層位相シフト層フォトマスクのｉ線
の光透過率Ｔは６．３８％、反射率は１２．９％、位相
シフト角φ0 は１８０°であった。
の光透過率Ｔは６．３８％、反射率は１２．９％、位相
シフト角φ0 は１８０°であった。
【００２５】このような実施例において、ウェットエッ
チング形状が図２に示すように改善されたのは、２層目
のサイドエッチング速度が１層目のサイドエッチング速
度より小さいために、サイドエッチングの進行が均一化
されるためである。また、このハーフトーン位相シフト
マスクの透過率、反射率および位相シフト角は、測定さ
れた光学定数、膜厚からの計算値と一致する。
チング形状が図２に示すように改善されたのは、２層目
のサイドエッチング速度が１層目のサイドエッチング速
度より小さいために、サイドエッチングの進行が均一化
されるためである。また、このハーフトーン位相シフト
マスクの透過率、反射率および位相シフト角は、測定さ
れた光学定数、膜厚からの計算値と一致する。
【００２６】ところで、この実施例は２層のハーフトー
ン位相シフト層に関するものであるが、３層以上のハー
フトーン位相シフト層についても同様に設計、制作する
ことが可能になる。図３は反射率の低下と透過率の改善
をはかった３層のハーフトーン位相シフト層を示してい
る。この３層のハーフトーン位相シフト層の特性と、同
じ膜厚で光学定数がこの３層のハーフトーン位相シフト
層の平均値に等しい従来の単層膜の特性とを比較する
と、３層のハーフトーン位相シフト層の反射率Ｒ＝１
３．４％、透過率Ｔ＝９．７４％に対して、単層膜では
反射率Ｒ＝１０．２３％、透過率Ｔ＝９．５％で、反射
率の増加と透過率の改善に有効であることがわかる。位
相シフト角は共に１８０°である。更に、多層にして、
増反射膜とすることにより、消衰係数ｋが小さい波長域
においても、透過率を抑えることが可能である。図３に
おいて、１０は３層目の位相シフト層である。
ン位相シフト層に関するものであるが、３層以上のハー
フトーン位相シフト層についても同様に設計、制作する
ことが可能になる。図３は反射率の低下と透過率の改善
をはかった３層のハーフトーン位相シフト層を示してい
る。この３層のハーフトーン位相シフト層の特性と、同
じ膜厚で光学定数がこの３層のハーフトーン位相シフト
層の平均値に等しい従来の単層膜の特性とを比較する
と、３層のハーフトーン位相シフト層の反射率Ｒ＝１
３．４％、透過率Ｔ＝９．７４％に対して、単層膜では
反射率Ｒ＝１０．２３％、透過率Ｔ＝９．５％で、反射
率の増加と透過率の改善に有効であることがわかる。位
相シフト角は共に１８０°である。更に、多層にして、
増反射膜とすることにより、消衰係数ｋが小さい波長域
においても、透過率を抑えることが可能である。図３に
おいて、１０は３層目の位相シフト層である。
【００２７】なお、この３層膜の膜構成はｊ層目の光学
定数および膜厚をそれぞれｎj −ｋj およびｄj とする
と、 ｎ1 ＝２．５、 ｋ1 ＝０．５、 ｄ1 ＝３２５Å ｎ2 ＝２．３、 ｋ2 ＝０．４２、ｄ2 ＝７０６．５Å ｎ3 ＝２．０７、ｋ3 ＝０．４、 ｄ3 ＝３９２．５Å 全膜厚ｄ＝ｄ1 ＋ｄ2 ＋ｄ3 ＝１４２４Å であり、この３層膜の光学定数の平均値、膜厚が等しい
単層膜の光学定数、および膜厚は、 ｎ＝２．２８２、 ｋ＝０．４３２７、 ｄ＝１４２４
Å である。また、光の入射方向は基板裏面からである。
定数および膜厚をそれぞれｎj −ｋj およびｄj とする
と、 ｎ1 ＝２．５、 ｋ1 ＝０．５、 ｄ1 ＝３２５Å ｎ2 ＝２．３、 ｋ2 ＝０．４２、ｄ2 ＝７０６．５Å ｎ3 ＝２．０７、ｋ3 ＝０．４、 ｄ3 ＝３９２．５Å 全膜厚ｄ＝ｄ1 ＋ｄ2 ＋ｄ3 ＝１４２４Å であり、この３層膜の光学定数の平均値、膜厚が等しい
単層膜の光学定数、および膜厚は、 ｎ＝２．２８２、 ｋ＝０．４３２７、 ｄ＝１４２４
Å である。また、光の入射方向は基板裏面からである。
【００２８】
【発明の効果】この発明においては、エッチング特性を
膜厚の方向に変化させているので、ウェットエッチング
に際して、位相シフト層の透明基板面に平行な方向のエ
ッチング量（サイドエッチング量と称する）の均一化を
はかることが可能になり、ウェットエッチングによって
もシャープなパターンが形成されるようになる。
膜厚の方向に変化させているので、ウェットエッチング
に際して、位相シフト層の透明基板面に平行な方向のエ
ッチング量（サイドエッチング量と称する）の均一化を
はかることが可能になり、ウェットエッチングによって
もシャープなパターンが形成されるようになる。
【００２９】また、光学的特性を膜厚の方向に変化させ
ているので、位相シフト層における入射光の反射による
透過率損失を軽減して、消衰係数の大きな位相シフト層
の材質に対しても透過率を高くすることが可能になる。
ているので、位相シフト層における入射光の反射による
透過率損失を軽減して、消衰係数の大きな位相シフト層
の材質に対しても透過率を高くすることが可能になる。
【００３０】更に、低反射率または高反射率のフォトマ
スクブランクスおよびフォトマスクを簡単に作ることが
できる。
スクブランクスおよびフォトマスクを簡単に作ることが
できる。
【図１】この発明の実施例の説明図
【図２】この発明の実施例をウェットエッチング後の断
面形状を示す説明図
面形状を示す説明図
【図３】この発明のその他の実施例の説明図
【図４】従来の位相シフトフォトマスクの一例の説明図
【図５】従来の位相シフトフォトマスクの別の例の説明
図
図
【図６】従来の位相シフトフォトマスクをウェットエッ
チング後の断面形状を示す説明図
チング後の断面形状を示す説明図
１・・・・・・透明基板 ２・・・・・・半透明位相シフター層 ３・・・・・・遮光層 ５・・・・・・１層目の位相シフト層 ６・・・・・・２層目の位相シフト層 ７・・・・・・シフター部 ８・・・・・・シフター開口部 ９・・・・・・レジスト層 １０・・・・・３層目の位相シフト層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−162039（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−308713（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16
Claims (3)
- 【請求項１】透明基板の上に２層以上の位相シフト層が
形成されたフォトマスクブランクスおよびフォトマスク
であって、 前記各位相シフト層の前記透明基板に平行な方向のエッ
チング速度は、前記透明基板に近い方の位相シフト層よ
りも、前記透明基板に遠い方の位相シフト層の方が遅く
なるように構成されたフォトマスクブランクスおよびフ
ォトマスク。 - 【請求項２】前記各位相シフト層は、前記位相シフト層
ごとに膜厚が変えられた請求項１記載のフォトマスクブ
ランクスおよびフォトマスク。 - 【請求項３】前記各位相シフト層は、前記位相シフト層
ごとに光学的特性が変えられた請求項１又は請求項２の
いずれか１項記載のフォトマスクブランクスおよびフォ
トマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20455693A JP3256345B2 (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | フォトマスクブランクスおよびフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20455693A JP3256345B2 (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | フォトマスクブランクスおよびフォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0743888A JPH0743888A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3256345B2 true JP3256345B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=16492442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20455693A Expired - Lifetime JP3256345B2 (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | フォトマスクブランクスおよびフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3256345B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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