JP6626813B2 - 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク - Google Patents
位相反転ブランクマスク及びフォトマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP6626813B2 JP6626813B2 JP2016224972A JP2016224972A JP6626813B2 JP 6626813 B2 JP6626813 B2 JP 6626813B2 JP 2016224972 A JP2016224972 A JP 2016224972A JP 2016224972 A JP2016224972 A JP 2016224972A JP 6626813 B2 JP6626813 B2 JP 6626813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- phase inversion
- line
- blank mask
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 100
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 82
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 51
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 47
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 12
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 12
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 12
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 12
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- -1 silicide compound Chemical class 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 367
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910016008 MoSiC Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N chromium molybdenum Chemical compound [Cr].[Mo] VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
位相反転ブランクマスク及び位相反転膜パターンの形成
本発明の実施例による多層の位相反転膜を評価するために、図4A乃至図4Dに示す製造方法と同一の方法で位相反転ブランクマスク及びこれを利用したフォトマスクを形成して評価した。
102,202 透明基板
104,204 多層位相反転膜
106 遮光膜
108 反射防止膜
110 遮光性膜
212 金属膜
Claims (24)
- 透明基板上に位相反転膜が具備された位相反転ブランクマスクであって、
前記位相反転膜は、少なくとも2層以上の多層膜からなり、酸素(O)、窒素(N)および炭素(C)の少なくとも1種の物質を含む金属シリサイド化合物からなり、
前記位相反転膜を構成する各膜は、酸素(O)、窒素(N)および炭素(C)の少なくとも1種の含有量を変化させることにより、前記透明基板から上部側に近づくほど同一のエッチング溶液に対してエッチング速度が遅く、
前記位相反転膜の断面傾斜角および反射率は、酸素(O)、窒素(N)および炭素(C)の含有量により決定され、
前記位相反転膜を構成する各膜が窒素(N)を含む場合、0.1at%〜70at%の窒素(N)含有量を有する、位相反転ブランクマスク。 - 前記位相反転膜は、i線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)を含む複合波長の露光光に対して35%以下の反射率を有する、請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜を構成する各膜は、同一のエッチング溶液に対してエッチング可能な物質からなり、互いに異なる組成を有し、前記異なる組成の各膜がそれぞれ1回以上積層して構成されたことを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、多層膜の形態からなり、前記位相反転膜を構成する各膜は、単一膜又は連続膜の形態を有することを特徴とする、請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜を構成する各膜は、最上層の膜が下部膜に比べて、低い窒素(N)含有量を有することを特徴とする、請求項1に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜を構成する各膜は上部から前記透明基板側に近づくほど前記窒素(N)の含有量が高いことを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜を構成する各膜のうち最上層の膜は、下部膜に比べて低い酸素(O)含有量を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜を構成する各膜は、上部から前記透明基板側に近づくほど前記酸素(O)の含有量が高いことを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜を構成する各膜のうち最上層の膜は、下部膜に比べて高い炭素(C)含有量を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜を構成する各膜は、上部から前記透明基板側に近づくほど前記炭素(C)の含有量が低いことを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、i線、h線、g線を含む複合波長の露光光に対して1%〜40%の透過率を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、i線、h線、g線を含む複合波長の露光光に対して10%以下の透過率偏差を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、i線、h線、g線を含む複合波長の露光光に対して160゜〜200゜の位相反転量を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、i線、h線、g線を含む複合波長の露光光に対して40゜以下の位相量偏差を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、400nm〜900nm以下の波長のうちの一つの波長で最低反射率を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は500Å〜1,500Åの厚さを有し、前記位相反転膜を構成する各膜は50Å〜1,450Åの厚さを有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 透明基板上に位相反転膜が具備された位相反転ブランクマスクであって、
前記位相反転膜は、少なくとも2層以上の多層膜からなり、酸素(O)、窒素(N)および炭素(C)の少なくとも1種の物質を含む金属シリサイド化合物からなり、
前記位相反転膜を構成する各膜は、酸素(O)、窒素(N)および炭素(C)の少なくとも1種の含有量を変化させることにより、前記透明基板から上部側に近づくほど同一のエッチング溶液に対してエッチング速度が遅く、
前記位相反転膜の断面傾斜角および反射率は、酸素(O)、窒素(N)および炭素(C)の含有量により決定され、
前記位相反転膜の前記金属シリサイド化合物膜は、MoSiN、MoSiON、MoSiCN、MoSiCONのいずれか一つを含み、
前記金属シリサイド化合物膜は、モリブデン(Mo)2at%〜30at%、シリコン(Si)20at%〜70at%、窒素(N)5at%〜40at%、酸素(O)0〜30at%、炭素(C)0〜30at%の含有量を有する、位相反転ブランクマスク。 - 前記位相反転膜の上部に配置される遮光性膜又は1層以上の金属膜のいずれかをさらに含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記金属膜は、半透過膜、エッチング阻止膜、エッチングマスク膜のいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項18に記載の位相反転ブランクマスク。
- 前記遮光性膜及び金属膜は、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、コバルト(Co)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、バナジウム(V)、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)、プラチナ(Pt)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、カドミウム(Cd)、ジルコニウム(Zr)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、セレン(Se)、銅(Cu)、イットリウム(Y)、硫黄(S)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ボロン(B)、ベリリウム(Be)、ナトリウム(Na)、タンタル(Ta)、ハフニウム(Hf)、ニオブ(Nb)、シリコン(Si)のいずれか1種以上の金属物質を含んでなるか、又は前記金属物質に窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)のいずれか1種以上の物質をさらに含んでなることを特徴とする、請求項18に記載の位相反転ブランクマスク。
- 請求項1又は2に記載の位相反転ブランクマスクを用いて製造された位相反転フォトマスクであって、
前記位相反転膜をエッチングして製造された少なくとも2層以上の多層膜からなる位相反転膜パターンを含み、
前記位相反転膜パターンを構成する各膜は、酸素(O)、窒素(N)、炭素(C)の少なくとも1種の物質を含む金属シリサイド化合物からなり、i線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)を含む複合波長の露光光に対して35%以下の反射率を有する位相反転フォトマスク。 - 前記位相反転膜パターンは、上部縁と下部縁との水平距離が100nm以下であることを特徴とする、請求項21に記載の位相反転フォトマスク。
- 前記位相反転膜パターンは、上面とパターンの縁部分の断面が70゜〜110゜の角度(θ)を有することを特徴とする、請求項21に記載の位相反転フォトマスク。
- 前記位相反転膜の上部又は下部に配置される遮光性膜パターン又は1層以上の金属膜パターンのいずれかをさらに含むことを特徴とする、請求項21に記載の位相反転フォトマスク。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20160031239 | 2016-03-16 | ||
KR10-2016-0031239 | 2016-03-16 | ||
KR1020160107117A KR101801101B1 (ko) | 2016-03-16 | 2016-08-23 | 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 |
KR10-2016-0107117 | 2016-08-23 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019053222A Division JP6876737B2 (ja) | 2016-03-16 | 2019-03-20 | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017167512A JP2017167512A (ja) | 2017-09-21 |
JP6626813B2 true JP6626813B2 (ja) | 2019-12-25 |
Family
ID=59904853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016224972A Active JP6626813B2 (ja) | 2016-03-16 | 2016-11-18 | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6626813B2 (ja) |
CN (1) | CN107203091B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7126836B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2022-08-29 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びそれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
JP2019061106A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びそれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
JP7073246B2 (ja) | 2018-02-27 | 2022-05-23 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
JP7204496B2 (ja) | 2018-03-28 | 2023-01-16 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
JP6557381B1 (ja) * | 2018-05-08 | 2019-08-07 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク |
JP6756796B2 (ja) * | 2018-10-09 | 2020-09-16 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス、ハーフトーンマスク、製造方法 |
CN109686662B (zh) * | 2018-12-26 | 2020-11-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管的栅极制作方法 |
CN111624848A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | Hoya株式会社 | 光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法 |
JP7297692B2 (ja) | 2019-02-28 | 2023-06-26 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法 |
JP7381374B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2023-11-15 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス、位相シフトマスク、製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3256345B2 (ja) * | 1993-07-26 | 2002-02-12 | アルバック成膜株式会社 | フォトマスクブランクスおよびフォトマスク |
JP4509050B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
KR101172698B1 (ko) * | 2011-10-17 | 2012-09-13 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법 |
JP5670502B2 (ja) * | 2012-04-30 | 2015-02-18 | 株式会社エスアンドエス テック | 位相反転ブランクマスク及びその製造方法 |
KR101282040B1 (ko) * | 2012-07-26 | 2013-07-04 | 주식회사 에스앤에스텍 | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 |
JP6101646B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2017-03-22 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
JP6198238B2 (ja) * | 2013-04-17 | 2017-09-20 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法 |
KR101506888B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2015-03-30 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크 및 포토마스크 |
JP6266322B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2018-01-24 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
KR101504557B1 (ko) * | 2014-03-23 | 2015-03-20 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크 |
-
2016
- 2016-11-18 JP JP2016224972A patent/JP6626813B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-07 CN CN201710066943.8A patent/CN107203091B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107203091B (zh) | 2021-03-30 |
CN107203091A (zh) | 2017-09-26 |
JP2017167512A (ja) | 2017-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6626813B2 (ja) | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク | |
JP6876737B2 (ja) | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク | |
KR101282040B1 (ko) | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 | |
TWI684822B (zh) | 空白遮罩、相位移轉遮罩及半導體元件之製造方法 | |
JP6087401B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
JP6271780B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
TWI758382B (zh) | 相移光罩基底、相移光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
KR101624995B1 (ko) | 플랫 패널 디스플레이용 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크 | |
JP7176843B2 (ja) | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 | |
CN111742259B (zh) | 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 | |
JP6490786B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
WO2020066591A1 (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
JP6557381B1 (ja) | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク | |
KR20170112163A (ko) | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크, 포토 마스크 및 그의 제조 방법 | |
KR101823854B1 (ko) | 블랭크 마스크 및 포토 마스크 | |
KR102093103B1 (ko) | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크, 포토 마스크 및 그의 제조 방법 | |
JP2010044275A (ja) | グレートーンマスクブランク及びグレートーンマスク | |
KR20180101119A (ko) | 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 | |
KR20190128604A (ko) | 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 | |
KR20180022620A (ko) | 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 | |
KR20160129789A (ko) | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크 | |
KR20220123569A (ko) | 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크 및 포토마스크 | |
KR20210015157A (ko) | 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크 및 포토마스크 | |
KR20170073232A (ko) | 다계조 포토마스크 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181023 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190320 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191017 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20191025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6626813 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |