KR101624995B1 - 플랫 패널 디스플레이용 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크 - Google Patents

플랫 패널 디스플레이용 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 FPD용 위상반전 블랭크 마스크는, 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 구비된 위상반전막, 상기 위상반전막 상에 구비되며 상기 위상반전막의 식각 마스크로 사용되는 금속막 및 상기 금속막의 상부에 구비된 레지스막을 포함한다.
본 발명은 위상반전막 상에 위상반전막의 식각 마스크로 사용되는 금속막을 형성하여 레지스트막에 대한 접착력을 향상시키고, 패턴의 단면 형상이 개선하며, 레지스트막을 박막화하여 로딩 효과가 저감된 고품질·고정밀도의 위상반전막 패턴이 구현된 FPD용 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공할 수 있다.

Description

플랫 패널 디스플레이용 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크{Phase shift blankmask and Photomask using the Flat Panel Display}
본 발명은 플렛 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 피전사체의 패턴 정밀도를 향상시킬 수 있는 플렛 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크에 관한 것이다.
TFT-LCD, OLED, PDP 등을 포함하는 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display : 이하, FPD라 함) 디바이스나 반도체 집적회로 디바이스를 제조하기 위한 리소그래피 공정에서는 공통적으로 블랭크 마스크로부터 제조된 포토마스크를 이용한 패턴의 전사가 행해지고 있다.
블랭크 마스크는 합성 석영 유리 등으로 이루어지는 투광성 기판의 주 표면상에 금속 재료를 포함하는 박막이 형성되고, 박막 위에 레지스트막이 형성된 것으로서, 포토마스크는 이러한 블랭크 마스크로부터 박막이 패터닝된 형태를 갖는다. 여기서 박막은 광학적 특징에 따라 차광막, 반사방지막, 위상반전막, 반투광막, 반사막, 하드 필름 등으로 나눌 수 있고, 이러한 박막들 중 둘 이상의 박막이 혼용되어 사용되기도 한다.
최근에는 FPD 제품은 시장의 요구가 고급화, 고기능화됨에 따라 그 응용 범위가 확대되면서, 우수한 제조 공정 기술의 개발이 요구되고 있다. 즉, 집적도가 높은 반도체 디바이스와 동일하게 FPD 디바이스 역시 집적도가 높아지고 그에 따른 설계 룰이 미세화되고 있으며, 미세 패턴을 형성하기 위하여 높은 패턴 해상도 및 고정밀 기술이 요구되고 있다.
그러나, FPD 디바이스는 등배 노광 장치를 이용하여 제조되고, FPD 디바이스 제조용 포토마스크는 기판의 한 변이 300㎜ 이상으로 대형이며, 그 크기도 다양하기 때문에 그에 맞는 축소 노광 장치를 개발한다는 것도 쉽지 않은 일이다.
이에, 최근에는 등배 노광 장치를 이용하여 FPD 디바이스 제조용 포토마스크의 정밀도를 향상시키기 위한 방법으로 크롬(Cr), 금속실리사이드 화합물을 포함한 다양한 물질로 형성되며, i선, h선, g선을 이용한 복합 파장의 노광광에 대하여 대략 180°의 위상이 반전되는 위상반전막을 포함하는 위상반전 블랭크 마스크가 개발되고 있다.
그러나, 상기 크롬(Cr) 화합물로 구성된 위상반전막은 습식 식각 시 등방성(Isotrope) 식각 특성을 가져 위상반전막 패턴의 단면이 경사진 형태를 갖는다. 또한, 금속실리사이드 화합물로 이루어진 위상반전막은 상부에 배치되는 레지스트막과의 접착력(Adhesion)이 약하여 식각 물질이 그들 사이의 계면으로 침투함에 따라 패턴 형성 시 단면이 경사진 형태를 갖는다. 이러한, 위상반전막 패턴의 단면 경사는 위상반전막 패턴의 투과율 및 위상반전량 균일성 문제를 유발한다.
또한, 위상반전막의 상부에 배치되어 위상반전막의 식각 마스크로 역할하는 레지스트막은 약 7,000Å 이상의 두께를 가지게 된다. 이러한 두꺼운 두께의 레지스트막은 패턴 형성 시 로딩 효과(Loading Effect)의 원인이 되어 임계 치수(Critical Dimension, 이하 CD라 함) 편차를 발생시키고, 최종적으로 위상반전막 패턴 치수의 에러 요인으로 작용하여 미세 패턴 형성을 어렵게 한다.
아울러, 위상반전막 패턴의 정밀도를 향상시키기 위한 방법으로 위상반전막 식각 속도를 빠르게 하여 위상반전막 패턴 가장자리 단면 형상을 수직에 가깝게 형성함으로써 패턴의 균일성을 확보하는 방법으로 미세 패턴을 구현하는 방향으로 연구가 진행되고 있다. 그러나, 상기 방법은 위상반전막의 식각 속도가 너무 빠른 경우 패턴의 CD 조절이 어려워져 미세 패턴의 구현에 이용하기 어렵다.
본 발명은 위상반전막 패턴의 단면 형상을 개선하여 위상반전막 패턴의 투과율 및 위상반전량 균일성을 높이며, 패턴의 정밀도를 향상시킬 수 있는 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공한다.
또한, 본 발명은 위상반전막의 식각 속도를 최적화하여 위상반전막 패턴의 정밀도를 향상시킴과 아울러 피전사체의 패턴 정밀도를 향상시킬 수 있는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공한다.
본 발명에 따른 FPD용 위상반전 블랭크 마스크는, 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 구비된 위상반전막, 상기 위상반전막 상에 구비되며 상기 위상반전막의 식각 마스크로 사용되는 금속막 및 상기 금속막의 상부에 구비된 레지스막을 포함한다.
상기 위상반전막은 MoSi, MoSiO, MoSiN, MoSiC, MoSiCO, MoSiON, MoSiCN, MoSiCON 중 하나로 이루어진다.
상기 위상반전막은 습식 또는 건식 식각 물질에 대하여 10Å/sec ∼ 40Å/sec의 식각 속도를 갖는다.
상기 금속막은 크롬(Cr) 단독 또는 CrO, CrN, CrC, CrCO, CrON, CrCN, CrCON을 포함하는 크롬(Cr) 화합물 중 하나로 이루어진다.
상기 금속막은 10Å ∼ 100Å 두께를 갖는다.
상기 레지스트막은 2,000Å 이하의 두께를 갖는다.
상기 금속막은 상기 레지스트막과의 접착력을 향상시키도록 역할하며, 금속 및 금속 화합물중 하나로 이루어진다.
본 발명은 위상반전막 상에 위상반전막의 식각 마스크로 사용되는 금속막을 형성하여 레지스트막에 대한 접착력을 향상시키고, 레지스트막을 박막화하여 로딩 효과가 저감된 고품질·고정밀도의 위상반전막 패턴이 구현된 FPD용 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 위상반전막 패턴의 단면 형상이 개선되어 투과율 및 위상반전량의 균일성이 높으며, 위상반전막 패턴의 정밀도가 향상된 FPD용 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공할 수 있다.
아울러, 본 발명은 위상반전막의 식각 속도를 최적화하여 위상반전막 패턴의 CD 정밀도를 향상시킴으로써 미세 패턴 형성이 가능한 FPD용 위상반전 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 FPD용 위상반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 FPD용 위상반전 블랭크 마스크를 이용하여 형성되는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크(100)는 투명 기판(102)과 투명 기판(102) 상에 순차적으로 형성된 위상반전막(104), 금속막(106) 및 레지스트막(108)을 포함한다. 위상반전 블랭크 마스크(100) 및 이를 이용하여 형성되는 위상반전 포토마스크는 액정 표시 장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), OLED 등을 포함하는 FPD용 디바이스를 제조하기 위하여 사용된다.
투명 기판(102)은 한 변이 300㎜ 이상인 사각형의 투명한 기판이고, 합성 석영 유리, 소다 라임 글래스 기판, 무알카리 글래스 기판, 저열 팽창 글래스 기판 등일 수 있다.
위상반전막(104)은 조성이 균일한 단층막, 조성 또는 조성비가 연속적으로 변화되는 연속막, 상호 다른 조성을 가지며 상기 다른 조성의 막들이 각 1회 이상 적층되어 구성된 2층 이상의 다층막 중 하나의 구조를 갖는다.
위상반전막(104)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플레티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 베릴륨(Be), 나트륨(Na), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si) 중 1 종 이상의 물질을 포함하여 이루어지거나, 또는 상기 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1 종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 이루어진다.
위상반전막(104)은 실리콘(Si)을 포함하는 금속 실리사이드 화합물로 이루어지는 것이 바람직하며, 예를 들어, 몰리브데늄실리사이드(MoSi)에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1 종 이상의 경원소 물질을 더 포함하는 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 화합물로 이루어진다.
위상반전막(104)은 요구되는 투과율 및 위상반전량을 만족시키기 위하여 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si) 및 이에 포함되는 상기 경원소의 조성비를 조정하여 형성한다. 위상반전막(104)은 몰리브데늄(Mo)이 5at% ∼ 20at%, 실리콘(Si)이 40at% ∼ 70at%, 질소(N)가 20at% ∼ 50at%, 산소(O)가 0 ∼ 30at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%의 함유량을 갖는다. 상기 실리콘(Si)은 위상반전막(104)의 전도성 유지를 위하여 70at% 이하로 함유하는 것이 바람직하다.
위상반전막(104)은 금속 실리사이드의 단일 타겟 또는 금속과 실리사이드로 각각 이루어진 복수의 타겟을 이용하여 형성할 수 있다. 위상반전막(104)이, 예를 들어, 몰리브데늄실리사이드(MoSi)의 단일 타겟을 이용하여 형성되는 경우, 상기 타겟은 Mo : Si = 2at% ∼ 30at% : 70at% ∼ 98at%인 조성비를 가지며, 예를 들어, Mo : Si = 10at% : 90at%, Mo : Si = 15at% : 85at%, Mo : Si = 20at% : 80at%, Mo : Si = 30at% : 70at% 등 다양한 조성비를 갖는 타겟을 사용할 수 있다. 여기서, 상기 타겟의 몰리브데늄(Mo) 함유량이 2at% 미만인 경우 플라즈마 방전이 어려우며, 30at%를 초과하는 경우 상기 타겟의 제조 시 공극률(Porosity)이 높아져 파티클 및 결함 발생률이 증가한다.
위상반전막(104)은 500Å ∼ 1,500Å의 두께를 가지며, 바람직하게, 700Å ∼ 1,300Å의 두께를 갖는다. 위상반전막(104)은 i선, h선, g선으로 이루진 복합 파장의 노광광에 대하여 160° 내지 200°의 위상반전량을 가지며, 상기 복합 파장의 노광광에 대하여 40°이하, 바람직하게, 20°이하, 더욱 바람직하게는 10°이하의 위상반전량 편차를 갖는다. 위상반전막(104)은 상기 복합 파장의 노광광에 대하여 1% ∼ 40%의 투과율을 갖고, 바람직하게는 5% ∼ 20%의 투과율을 가지며, 10% 이하의 투과율 편차를 갖는다. 위상반전막(104)은 상기 복합 파장의 노광광에 대하여 30% 이하, 바람직하게, 15% 이하의 반사율을 가지며, 10% 이하의 반사율 편차를 갖고, 바람직하게, 3% 이하의 반사율 편차를 갖는다. 여기서, 편차는 i선, h선, g선의 노광광에 따른 상기 각 위상반전량, 투과율, 반사율의 값들 중 최대값과 최소값의 차이를 말한다.
위상반전막(104)은 습식 또는 건식 식각 물질에 대하여 10Å/sec ∼ 40Å/sec의 식각 속도를 가지며, 바람직하게, 15Å/sec ∼ 30Å/sec의 식각 속도를 갖는다. 이에 따라, 위상반전막의 식각 속도가 최적화됨으로써 위상반전막 패턴의 CD 정밀도 및 균일성을 향상시킬 수 있어 2㎛ 이하, 바람직하게, 1.8㎛ 이하, 더욱 바람직하게, 1.5㎛ 이하의 미세한 위상반전막 패턴을 구현할 수 있다.
금속막(106)은 위상반전막(104)의 상부에 배치되어 위상반전막(104)의 식각 마스크로 역할함에 따라 금속막(106)은 위상반전막(104)의 식각 물질에 대하여 10 이상의 식각 선택비를 갖는 물질로 구성되는 것이 바람직하다.
금속막(106)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플레티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 베릴륨(Be), 나트륨(Na), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 중 1 종 이상의 금속물질을 포함하여 이루어지거나, 또는 상기 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1 종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 이루어진다.
금속막(106)은 위상반전막(104)이, 예를 들어, 불소(F)계 가스로 식각 가능한 몰리브데늄실리사이드(MoSi) 화합물로 구성되는 경우, 염소(Cl)계 가스로 식각 가능한 물질로 이루어지며, 예를 들어, 크롬(Cr) 단독 또는 크롬(Cr)에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1 종 이상의 경원소 물질을 더 포함하는 크롬(Cr) 화합물로 구성하는 것이 바람직하다. 이때, 금속막(106)이 화합물로 이루어지는 경우, 크롬(Cr)이 30at% ∼ 70at%, 질소(N)가 20at% ∼ 50at%, 산소(O)가 0 ∼ 30at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%인 조성비를 갖는다.
금속막(106)은 10Å ∼ 100Å 두께를 가지며, 바람직하게, 20Å ∼ 50Å 두께 갖는다. 금속막(106)이 100Å 이상의 두께를 갖는 경우, 레지스트막(108)을 식각 마스크로 하는 금속막(106)의 식각 공정에서 로딩 효과에 의해 CD 편차가 높아질 수 있으며, 10Å 이하의 두께를 갖는 경우, 위상반전막(104)에 대한 식각 선택비가 낮아져서 식각 마스크로서의 역할 수행이 어렵다.
레지스트막(108)은 하부에 배치되며 100Å 이하의 매우 얇은 두께를 갖는 금속막(106)의 식각 마스크로 사용됨에 따라 두께를 박막화할 수 있으며, 4,000Å 이하, 바람직하게, 2,000Å 이하, 더욱 바람직하게 1,000Å 이하의 두께를 갖는다.
이에 따라, 레지스트막(110)은 그 두께가 종래에 비하여 매우 박막화됨에 따라 로딩 효과가 현저히 감소되어 식각 공정 후 매우 높은 정밀도의 금속막 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 금속막 패턴을 식각 마스크로 식각되는 위상반전막 패턴 역시 높은 정밀도의 CD를 갖도록 형성할 수 있다.
또한, 위상반전막(104)과 레지스트막(110)의 사이에 레지스트막(110)과의 접착력이 우수한 금속막(106)이 구비됨에 따라, 종래 금속 실리사이드로 이루어진 위상반전막과 레지스트막 패턴 사이의 접착력이 약한 계면으로 위상반전막의 식각 물질이 침투하여 위상반전막 패턴의 단면이 경사지게 형성되는 것을 원천적으로 방지할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 FPD용 위상반전 블랭크 마스크를 이용하여 형성되는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도.
도 1 및 도 2a 를 참조하면, 투명 기판(102) 상에 순차적으로 위상반전막(104), 금속막(106) 및 레지스트막(108)을 적층하여 위상반전 블랭크 마스크(100)를 형성한다.
여기서, 위상반전막(104)은, 예를 들어, MoSi, MoSiO, MoSiN, MoSiC, MoSiCO, MoSiON, MoSiCN, MoSiCON 중 하나로 이루어지며, 금속막(106)은 위상반전막(104)과 식각 선택비를 갖는 물질, 예를 들어, Cr, CrO, CrN, CrC, CrCO, CrON, CrCN, CrCON 중 하나로 이루어진다.
레지스트막(108)에 노광 및 현상 공정 등을 수행하여 레지스트막 패턴(108a)을 형성 한 후, 레지스트막 패턴(108a)을 식각 마스크로 하부 금속막(106)을 식각하여 금속막 패턴(106a)을 형성한다.
도 2b를 참조하면, 상기 레지스트막 패턴을 제거한 후, 금속막 패턴(106a)을 식각 마스크로 하부의 위상반전막을 식각하여 위상반전막 패턴(104a)을 형성한다.
이때, 금속막 패턴(106a) 및 위상반전막 패턴(104a)을 형성하기 위한 식각 공정은 습식 및 건식 식각 중 하나의 공정으로 수행된다.
도 2c 및 도 2d를 참조하면, 위상반전막 패턴(104a) 상부의 상기 금속막 패턴을 제거하거나 또는 일부 제거하여 위상반전 포토마스크(200)는 제조를 완료한다.
즉, 위상반전막(104)의 식각 마스크로 사용된 상기 금속막 패턴은 위상반전막 패턴(104a)의 형성 후 제거되는 것이 바람직하나, 금속막 패턴(106b)은 노광광의 차광 기능, 얼라인 키(Align key), 노광량 조절 등을 포함한 소정의 역할을 수행하기 위하여 위상반전막 패턴(104a)의 일부분 상에 다양한 형태로 잔류할 수 있다.
아울러, 도시하지는 않았지만, FPD용 위상반전 포토마스크는 차광 기능 등의 소정의 역할을 위하여 위상반전막 패턴의 상부 또는 하부에 구비된 차광성막 패턴을 더 포함할 수 있다. 상기 차광성막 패턴은 차광 기능 및 노광광의 반사를 억제하는 기능을 모두 갖는 경우 단층으로 이루어질 수 있으며, 차광막과 반사방지막의 적층 구조로 이루어질 수 있다.
이상, 본 발명을 가장 바람직한 실시예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시예에 기재된 범위에 한정되지 않는다. 상기 실시예에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능하다는 것은 해당 기술분야의 일반적인 기술자라면 용이하게 알 수 있을 것이다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이 특허 청구 범위의 기재로부터 분명하다.
100: FPD용 위상반전 블랭크 마스크
102: 투명 기판 104: 위상반전막
106: 금속막 108: 레지스트막

Claims (17)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상에 구비된 단층의 금속실리사이드 화합물로 이루어진 위상반전막;
    상기 위상반전막 상에 구비되며, 금속 및 금속 화합물중 하나로 이루어져 상기 위상반전막의 식각 마스크로 사용되는 금속막; 및
    상기 금속막의 상부에 구비된 레지스트막; 을 포함하며,
    상기 금속막은 크롬(Cr) 단독 및 크롬(Cr) 화합물 중 하나로 이루어지고, 상기 금속막이 크롬 화합물로 이루어지는 경우, 크롬(Cr)이 30at% ∼ 70at%, 질소(N)가 20at% ∼ 50at%, 산소(O)가 0 ∼ 30at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%인 조성비를 갖고,
    상기 단층의 금속실리사이드 화합물로 이루어진 위상반전막은 15Å/sec ∼ 30Å/sec의 식각 속도를 갖는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막 및 금속막은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플레티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀레늄(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 베릴륨(Be), 나트륨(Na), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si) 중 1 종 이상의 물질을 포함하여 이루어지거나, 또는 상기 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C) 중 1 종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 MoSi, MoSiO, MoSiN, MoSiC, MoSiCO, MoSiON, MoSiCN, MoSiCON 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 몰리브데늄(Mo)이 5at% ∼ 20at%, 실리콘(Si)이 40at% ∼ 70at%, 질소(N)가 20at% ∼ 50at%, 산소(O)가 0 ∼ 30at%, 탄소(C)가 0 ∼ 30at%의 함유량을 갖는 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 몰리브데늄실리사이드(MoSi)의 단일 타겟을 이용하여 형성되며, Mo : Si = 2at% ∼ 30at% : 70at% ∼ 98at%의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 500Å ∼ 1,500Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 i선, h선, g선 복합 파장의 노광광에 대하여 160° 내지 200°의 위상반전량을 가지며, 40°이하의 위상반전량 편차를 갖는 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 i선, h선, g선 복합 파장의 노광광에 대하여 1% ∼ 40%의 투과율을 가지며, 10% 이하의 투과율 편차를 갖는 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 i선, h선, g선 복합 파장의 노광광에 대하여 30% 이하의 반사율을 가지며, 10% 이하의 반사율 편차를 갖는 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  11. 삭제
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속막은 크롬(Cr) 단독 또는 CrO, CrN, CrC, CrCO, CrON, CrCN, CrCON을 포함하는 크롬(Cr) 화합물 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  13. 삭제
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속막은 10Å ∼ 100Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 레지스트막은 4,000Å 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
  16. 삭제
  17. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 10 항, 제 12 항, 제 14 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항의 FPD용 위상반전 블랭크 마스크를 이용하여 제조되는 FPD용 위상반전 포토마스크.
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