JP6430666B2 - マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
また、所望の光学特性を得る方法として、Si酸化物層とSi窒化物層の周期多層膜からなる位相シフト膜を用いたハーフトーン型位相シフトマスクが特許文献2に開示されている。そこでは、F2エキシマレーザー光である157nmの波長の光に対して、透過率が5%で所定の位相差が得られることが記載されている。
SiN系の材料は高いArF耐光性を有するので、位相シフト膜としてSiN系膜を用いた高透過率ハーフトーン型位相シフトマスクが注目を集めている。
このようなことから、ハーフトーン型位相シフトマスクのマスク欠陥修正技術として、位相シフト膜の黒欠陥部分に対して、二フッ化キセノン(XeF2)ガスを供給しつつ、その部分に電子線を照射することでその黒欠陥部分を揮発性のフッ化物に変化させてエッチング除去する欠陥修正技術(以下、このような電子線等の荷電粒子を照射して行う欠陥修正を単にEB欠陥修正という。)が用いられる。
位相シフト膜を窒化ケイ素層(低透過層)と酸化ケイ素層(高透過層)からなる2層構造にすることにより、ArF露光光に対する屈折率、消衰係数及び膜厚の設定自由度が増して、その2層構造の位相シフト膜をArF露光光に対して所望の透過率と位相差を有するものにすることができる。ここで、窒化ケイ素からなる膜と酸化ケイ素からなる膜はともにArF耐光性が高い。
また、本発明は、このマスクブランクを用いて製造される位相シフトマスクを提供することを目的としている。さらに、本発明は、このような位相シフトマスクを製造する方法を提供することを目的としている。そして、本発明は、このような位相シフトマスクを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
透光性基板上に、位相シフト膜を備えたマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を10%以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、透光性基板側から低透過層と高透過層がこの順で交互に6層以上積層した構造を含み、
前記低透過層は、ケイ素及び窒素を含有し、窒素の含有量が50原子%以上である材料で形成されており、
前記高透過層は、ケイ素及び酸素を含有し、酸素の含有量が50原子%以上である材料で形成されており、
前記低透過層の厚さは、前記高透過層の厚さよりも厚く、
前記高透過層は、厚さが4nm以下である
ことを特徴とするマスクブランク。
前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素とからなる材料で形成されており、
前記高透過層は、ケイ素及び酸素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と酸素とからなる材料で形成されている
ことを特徴とする構成1記載のマスクブランク。
前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料で形成されており、前記高透過層は、ケイ素及び酸素からなる材料で形成されていることを特徴とする構成1記載のマスクブランク。
前記低透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0以上であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.2以上であり、
前記高透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0未満であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.1以下である
ことを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
透光性基板上に、位相シフト膜を備えたマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を10%以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、透光性基板側から低透過層と高透過層がこの順で交互に6層以上積層した構造を含み、
前記低透過層は、ケイ素及び窒素を含有し、窒素の含有量が50原子%以上である材料で形成されており、
前記高透過層は、ケイ素、窒素及び酸素を含有し、窒素の含有量が10原子%以上かつ酸素の含有量が30原子%以上である材料で形成されており、
前記低透過層の厚さは、前記高透過層の厚さよりも厚く、
前記高透過層は、厚さが4nm以下である
ことを特徴とするマスクブランク。
前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素とからなる材料で形成されており、
前記高透過層は、ケイ素、窒素及び酸素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素と酸素とからなる材料で形成されている
ことを特徴とする構成5記載のマスクブランク。
前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料で形成されており、前記高透過層は、ケイ素、窒素及び酸素からなる材料で形成されていることを特徴とする構成5記載のマスクブランク。
前記低透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0以上であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.2以上であり、
前記高透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0未満であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.15以下である
ことを特徴とする構成5から7のいずれかに記載のマスクブランク。
前記低透過層は、厚さが20nm以下であることを特徴とする構成1から8のいずれかに記載のマスクブランク。
前記位相シフト膜は、前記透光性基板から最も離れた位置に、ケイ素、窒素及び酸素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素と酸素とからなる材料で形成された最上層を備えることを特徴とする構成1から9のいずれかに記載のマスクブランク。
前記位相シフト膜上に、遮光膜を備えることを特徴とする構成1から10のいずれかに記載のマスクブランク。
透光性基板上に、転写パターンを有する位相シフト膜を備えた位相シフトマスクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を10%以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、透光性基板側から低透過層と高透過層がこの順で交互に6層以上積層した構造を含み
前記低透過層は、ケイ素及び窒素を含有し、窒素の含有量が50原子%以上である材料で形成されており、
前記高透過層は、ケイ素及び酸素を含有し、酸素の含有量が50原子%以上である材料で形成されており、
前記低透過層の厚さは、前記高透過層の厚さよりも厚く、
前記高透過層は、厚さが4nm以下である
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素とからなる材料で形成されており、
前記高透過層は、ケイ素及び酸素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と酸素とからなる材料で形成されている
ことを特徴とする構成12記載の位相シフトマスク。
前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料で形成されており、前記高透過層は、ケイ素及び酸素からなる材料で形成されていることを特徴とする構成12記載の位相シフトマスク。
前記低透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0以上であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.2以上であり、
前記高透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0未満であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.1以下である
ことを特徴とする構成12から14のいずれかに記載の位相シフトマスク。
透光性基板上に、転写パターンを有する位相シフト膜を備えた位相シフトマスクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を10%以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、透光性基板側から低透過層と高透過層がこの順で交互に6層以上積層した構造を含み
前記低透過層は、ケイ素及び窒素を含有し、窒素の含有量が50原子%以上である材料で形成されており、
前記高透過層は、ケイ素、窒素及び酸素を含有し、窒素の含有量が10原子%以上かつ酸素の含有量が30原子%以上である材料で形成されており、
前記低透過層の厚さは、前記高透過層の厚さよりも厚く、
前記高透過層は、厚さが4nm以下である
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素とからなる材料で形成されており、
前記高透過層は、ケイ素、窒素及び酸素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素と酸素とからなる材料で形成されている
ことを特徴とする構成16記載の位相シフトマスク。
前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料で形成されており、前記高透過層は、ケイ素、窒素及び酸素からなる材料で形成されていることを特徴とする構成16記載の位相シフトマスク。
前記低透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0以上であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.2以上であり、
前記高透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0未満であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.15以下である
ことを特徴とする構成16から18のいずれかに記載の位相シフトマスク。
前記低透過層は、厚さが20nm以下であることを特徴とする構成12から19のいずれかに記載の位相シフトマスク。
前記位相シフト膜は、前記透光性基板から最も離れた位置に、ケイ素、窒素及び酸素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素と酸素とからなる材料で形成された最上層を備えることを特徴とする構成12から20のいずれかに記載の位相シフトマスク。
前記位相シフト膜上に、遮光帯を含むパターンを有する遮光膜を備えることを特徴とする構成12から21のいずれかに記載の位相シフトマスク。
構成11記載のマスクブランクを用いた位相シフトマスクの製造方法であって、
ドライエッチングにより前記遮光膜に転写パターンを形成する工程と、
前記転写パターンを有する遮光膜をマスクとするドライエッチングにより前記位相シフト膜に転写パターンを形成する工程と、
遮光帯を含むパターンを有するレジスト膜をマスクとするドライエッチングにより前記遮光膜に遮光帯を含むパターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
構成22記載の位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
構成23記載の位相シフトマスクの製造方法により製造された位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
これらの構造のマスクブランクとすることにより、位相シフト膜のArF耐光性を高くしつつ、位相シフト膜のEB欠陥修正に対する修正レートを大幅に速くすることができ、位相シフト膜の透光性基板との間でのEB欠陥修正に対する修正レート比を高めることができる。
本発明者らは、マスクブランクの位相シフト膜を、ケイ素と窒素を含有する材料で形成される低透過層と、ケイ素と酸素を含有する材料で形成される高透過層を、多段に積層した構造とした場合について、その位相シフト膜の光学特性(ArF露光光に対する透過率及び位相差)、EB欠陥修正レート及びパターン側壁形状の観点から研究を行った。位相シフト膜のEB欠陥修正レートが速いと、位相シフト膜の透光性基板との間でのEB欠陥修正に対する修正レート比も高まる。ここで、位相シフト膜を形成する材料として、ケイ素と窒素を含有する材料と、ケイ素と酸素を含有する材料を選んだのは、これらの材料からなる膜が、高透過率のハーフトーン型位相シフトマスクとして適当な屈折率及び消衰係数を有することと、高いArF耐光性を有するからである。また、多段の積層構造としたのは1層当たりの膜厚を薄くして、EB欠陥修正やドライエッチングのときに発生するパターン側壁段差を低減することを目的としたためである。
2層構造の位相シフト膜における高透過層の膜厚と6層構造の位相シフト膜における3つの高透過層の合計膜厚との差はほとんどなく、2層構造の位相シフト膜における低透過層の膜厚と6層構造の位相シフト膜における3つの低透過層の合計膜厚との差もほとんどない。このことから、計算上はEB欠陥修正の修正レートの差はほとんどないはずであった。
高透過層と低透過層の組み合わせを3組設けた構造(6層構造)とすることで、実用上十分なEB欠陥修正レートとパターン側壁形状が得られることがわかった。
また、高透過層と低透過層の組み合わせを3組以上設けた構造(6層構造以上)とした場合についてEB欠陥修正及びドライエッチングによる位相シフトパターン側壁の段差を調べたところ、層数を増やすほど段差が少なくなることを確認した。
これらの結果から、位相シフト膜を、高透過層と低透過層の組み合わせを3組以上設けた構造(6層構造以上)とすることにより、EB欠陥修正レートを大幅に速められ、またEB欠陥修正及びドライエッチングによる位相シフトパターン側壁の段差を大幅に抑制出来ることを見出した。
次に、本発明の各実施の形態について説明する。図1は、本発明の第1および第2の実施形態に係るマスクブランク100の構成を示す断面図である。図1に示すマスクブランク100は、透光性基板1上に、位相シフト膜2、遮光膜3及びハードマスク膜4がこの順に積層した構造を有する。
透光性基板1は、合成石英ガラスのほか、石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、低熱膨張ガラス(SiO2−TiO2ガラス等)などで形成することができる。これらの中でも、合成石英ガラスは、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)に対する透過率が高く、マスクブランクの透光性基板を形成する材料として特に好ましい。
位相シフト膜2は、位相シフト効果を有効に機能させるために、ArFエキシマレーザーの露光光(ArF露光光)に対する透過率が10%以上であることが好ましく、15%以上であるとより好ましく、20%以上であるとさらに好ましい。
ArF露光光に対する透過率が20%以上と高い場合は、位相シフト効果による転写像(投影光学像)のパターンエッジ強調効果がより高まる。加えて、ケイ素と窒素を含む材料膜からなる単層膜でArF露光光に対し透過率が20%以上の位相シフト膜を得ることは困難であることから、本発明は特に有効になる。
ケイ素系膜はArF露光光に対する屈折率nが非常に小さく、ArF露光光に対する消衰係数kが大きい(以降、単に屈折率nと表記されている場合、ArF露光光に対する屈折率nのことをいい、単に消衰係数kと表記されている場合、ArF露光光に対する消衰係数kのことをいう。)。ケイ素系膜中の窒素含有量が多くなるに従い、屈折率nが大きくなっていき、消衰係数kが小さくなっていく傾向がある。位相シフト膜2に求められる透過率を得て、薄い厚さで求められる位相差も確保するために、低透過層21の窒素含有量を50原子%以上とすることが求められ、51原子%以上であるとより好ましく、52原子%以上であるとさらに一層好ましい。また、低透過層21の窒素含有量は、57原子%以下であると好ましく、56原子%以下であるとより好ましい。ここで、位相シフト膜の膜厚が薄くなると、マスクパターン部の電磁界効果に係るバイアス(EMFバイアス)及びマスクパターン立体構造起因のシャドーイング効果が小さくなって、転写精度が高まる。また、薄膜であると、微細な位相シフトパターンを形成しやすい。
なお、貴ガスは、薄膜に対してRBS(Rutherford Back−Scattering Spectrometry)やXPSのような組成分析を行っても検出することが容易ではない元素である。貴ガスは、低透過層21をスパッタリングにより形成する際に用いられるガスであり、その際に低透過層21にわずかに取り込まれる。このため、前記のケイ素及び窒素からなる材料には、貴ガスを含有する材料も包含しているとみなすことができる。
ケイ素系膜はArF露光光に対する屈折率nが非常に小さく、ArF露光光に対する消衰係数kが大きい。ケイ素系膜中の酸素含有量が多くなるに従い、屈折率nが少しずつ大きくなっていき、急激に消衰係数kが小さくなっていく傾向がある。ここで、ケイ素に酸素を添加した場合は、同量の原子%の窒素を添加した場合より、屈折率の増加は小さく、消衰係数の減少は大幅に大きい。このため、位相シフト膜2に求められる透過率を得て、薄い厚さで求められる位相差も確保するには、高透過層22の酸素含有量を50原子%以上とすることが求められ、52原子%以上であるとより好ましく、55原子%以上であるとより一層好ましい。また、高透過層22の酸素含有量は、67原子%以下であると好ましく、66原子%以下であるとより好ましい。
なお、貴ガスは、薄膜に対してRBS(Rutherford Back−Scattering Spectrometry)やXPSのような組成分析を行っても検出することが容易ではない元素である。貴ガスは、高透過層22をスパッタリングにより形成する際に用いられるガスであり、その際に高透過層22にわずかに取り込まれる。このため、前記のケイ素及び窒素からなる材料には、貴ガスを含有する材料も包含しているとみなすことができる。
一方、低透過層21と高透過層22とからなる積層構造の組数が2組(合計4層)以下、または、その2組とその上に形成される最上層23を含めた合計5層以下の場合は、所定の位相差を確保するために低透過層21と高透過層22の各層の厚さを厚くする必要が生じるため、実用上十分なEB欠陥修正の修正レートを得ることが難しい。また、この積層構造の組数を2組(合計4層)以下、または、その2組とその上に形成される最上層23を含めた合計5層以下の場合は、位相シフト膜をEB欠陥修正したとき、及びドライエッチングしたときのパターン側壁に段差が目立つものとなる。
EB欠陥修正では、黒欠陥部分に対して電子線を照射したときに、照射を受けた部分から放出されるオージェ電子、2次電子、特性X線、後方散乱電子の少なくともいずれか1つを検出し、その変化を見ることで修正の終点を検出している。例えば、電子線の照射を受けた部分から放出されるオージェ電子を検出する場合には、オージェ電子分光法(AES)によって、主に材料組成の変化を見ている。また、2次電子を検出する場合には、SEM像から主に表面形状の変化を見ている。さらに、特性X線を検出する場合には、エネルギー分散型X線分光法(EDX)や波長分散X線分光法(WDX)によって、主に材料組成の変化を見ている。後方散乱電子を検出する場合には、電子線後方散乱回折法(EBSD)によって、主に材料の組成や結晶状態の変化を見ている。
第1の実施形態のマスクブランクにおいて、高透過層22は、ArF露光光に対する屈折率nが2.0未満であることが好ましく、1.8以下であることがより好ましく、1.6以下であることがさらに好ましく、そして、消衰係数kが0.1以下であることが好ましく、0.05以下であることがより好ましい。また、高透過層22は、ArF露光光に対する屈折率nが1.4以上であることが好ましく、1.5以上であることがより好ましく、そして、消衰係数kが0.0以上であることが好ましい。
一方、第2の実施形態のマスクブランクにおいて、高透過層22は、ArF露光光に対する屈折率nが2.0未満であることが好ましく、1.8以下であることがより好ましく、1.6以下であることがさらに好ましく、そして、消衰係数kが0.15以下であることが好ましく、0.10以下であることがより好ましい。また、高透過層22は、ArF露光光に対する屈折率nが1.4以上であることが好ましく、1.5以上であることがより好ましく、そして、消衰係数kが0.0以上であることが好ましい。
また、低透過層形成工程で用いられる貴ガスは、いずれの貴ガスも適用可能である。この貴ガスとして好ましいものとしては、アルゴン、クリプトン、キセノンが挙げられる。また、薄膜の応力を緩和するために、原子量の小さいヘリウム、ネオンを薄膜に積極的に取り込ませることができる。
高透過層22を反応性スパッタリングによって形成する場合は、ターゲットとしてケイ素ターゲットまたはケイ素に半金属元素及び非金属元素から選ばれる1以上の元素を含有する材料からなるターゲットを用い、ガスとして酸素ガスと貴ガスを含むスパッタリングガスを用いるのが好ましい。
ここで、高透過層形成工程で用いられる貴ガスは、いずれの貴ガスも適用可能である。この貴ガスとして好ましいものとしては、アルゴン、クリプトン、キセノンが挙げられる。また、薄膜の応力を緩和するために、原子量の小さいヘリウム、ネオンを薄膜に積極的に取り込ませることができる。
位相シフト膜2の高透過層22は低透過層21に比べてEB欠陥修正の修正レートが大幅に遅いので、低透過層21の層数に比較して高透過層22の層数を少なくするのが好ましい。また、高透過層22としては最も高いところに位置する高透過層(最上高透過層22′)の上にケイ素と窒素を含有する材料からなる最上層23を形成すると、EB欠陥修正の修正レートが速い混合層が最上高透過層22′の上に形成され、EB欠陥修正の修正レートが速くなる。これらのことから、位相シフト膜2の最上層は、高透過層22ではなくケイ素、窒素及び酸素からなる材料、またはこの材料に半金属元素及び非金属元素から選ばれる1以上の元素を含有する材料で形成された最上層23であることが好ましい。また、この最上層23を設けることによって、位相シフト膜2の膜応力の調整が容易になる。
さらに、このマスクブランク100の製造方法では、ケイ素ターゲットを用い、窒素ガスと貴ガスからなるスパッタリングガス中での反応性スパッタリングによって、位相シフト膜2の透光性基板1から最も離れた位置に最上層23を形成し、前記最上層23の少なくとも表層を酸化させる処理を行う最上層形成工程を有することがより好ましい。この場合における最上層23の表層を酸化させる処理としては、大気中などの酸素を含有する気体中における加熱処理、大気中などの酸素を含有する気体中でのフラッシュランプ等の光照射処理、オゾンや酸素プラズマを最上層23に接触させる処理などが挙げられる。
また、最上層23の形成には、二酸化ケイ素(SiO2)ターゲットまたは二酸化ケイ素(SiO2)に半金属元素及び非金属元素から選ばれる1以上の元素を含有する材料からなるターゲットを用い、窒素系ガスと貴ガスを含むスパッタリングガス中でのスパッタリングによって形成する最上層形成工程を適用することができる。この最上層形成工程は、層の厚さ方向でほぼ同じ組成である構成の最上層23と、組成傾斜した構成の最上層23のいずれの最上層の形成にも適用できる。
なお、最上層23は必須ではなく、位相シフト膜2の最上面が高透過層22(22′)となっていてもよい。
マスクブランク100において、位相シフト膜2上に遮光膜3を備えることが好ましい。一般に、位相シフトマスク200(図2参照)では、転写パターンが形成される領域(転写パターン形成領域)の外周領域は、露光装置を用いて半導体ウェハ上のレジスト膜に露光転写した際に外周領域を透過した露光光による影響をレジスト膜が受けないように、所定値以上の光学濃度(OD)を確保することが求められている。位相シフトマスク200の外周領域では、光学濃度が2.0よりも大きいことが少なくとも求められている。上記の通り、位相シフト膜2は所定の透過率で露光光を透過する機能を有しており、位相シフト膜2だけでは上記の光学濃度を確保することは困難である。このため、マスクブランク100を製造する段階で位相シフト膜2の上に、不足する光学濃度を確保するために遮光膜3を積層しておくことが望まれる。このようなマスクブランク100の構成とすることで、位相シフト膜2を製造する途上で、位相シフト効果を使用する領域(基本的に転写パターン形成領域)の遮光膜3を除去すれば、外周領域に上記の光学濃度が確保された位相シフトマスク200を製造することができる。なお、マスクブランク100は、位相シフト膜2と遮光膜3の積層構造における光学濃度が2.5以上であると好ましく、2.8以上であるとより好ましい。また、遮光膜3の薄膜化のため、位相シフト膜2と遮光膜3の積層構造における光学濃度は4.0以下であると好ましい。
Assist Feature)が設けられることがある。しかし、この場合でも、レジストパターンの断面アスペクト比が1:2.5と低くすることができるので、レジスト膜の現像時、リンス時等にレジストパターンが倒壊や脱離することを抑制することができる。なお、レジスト膜は、膜厚が80nm以下であることがより好ましい。
図2に、本発明の実施形態であるマスクブランク100から位相シフトマスク200を製造する工程の断面模式図を示す。
本発明の第1および第2の実施形態の半導体デバイスの製造方法は、前記の第1および第2の実施形態の位相シフトマスク200または前記の第1および第2の実施形態のマスクブランク100を用いて製造された第1および第2の実施形態の位相シフトマスク200を用い、半導体基板上のレジスト膜にパターンを露光転写することを特徴としている。本発明の位相シフトマスク200やマスクブランク100は、上記の通りの効果を有するため、ArFエキシマレーザーを露光光とする露光装置のマスクステージに、黒欠陥部分に対するEB欠陥修正とArF露光光の積算照射が行われた位相シフトマスク200をセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に位相シフトパターン2aを露光転写する際も、半導体デバイス上のレジスト膜に設計仕様を十分に満たす精度でパターンを転写することができる。このため、このレジスト膜のパターンをマスクとして、下層膜をドライエッチングして回路パターンを形成した場合、精度不足に起因する配線短絡や断線のない高精度の回路パターンを形成することができる。
(実施例1)
[マスクブランクの製造]
主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.25mmの合成石英ガラスからなる透光性基板1を準備した。この透光性基板1は、端面及び主表面が所定の表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理及び乾燥処理を施されたものであった。
次に、この実施例1のマスクブランク100を用い、以下の手順で実施例1の位相シフトマスク200を作製した。最初に、ハードマスク膜4の表面にHMDS処理を施した。続いて、スピン塗布法によって、ハードマスク膜4の表面に接して、電子線描画用化学増幅型レジストからなるレジスト膜を膜厚80nmで形成した。次に、このレジスト膜に対して、位相シフト膜2に形成すべき位相シフトパターンである第1のパターンを電子線描画し、所定の現像処理及び洗浄処理を行い、第1のパターンを有する第1のレジストパターン5aを形成した(図2(a)参照)。なお、このとき、電子線描画した第1のパターンには、位相シフト膜2に黒欠陥が形成されるように、本来形成されるべき位相シフトパターンのほかにプログラム欠陥を加えておいた。
このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、設計仕様を十分に満たしていた。また、EB欠陥修正を行った部分の転写像は、それ以外の領域の転写像に比べてそん色のないものであった。この結果から、EB欠陥修正及びArFエキシマレーザーの積算照射を行った後の実施例1の位相シフトマスク200を露光装置のマスクステージをセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写した場合でも、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンは高精度で形成できるといえる。また、SiO2よりもSiONの方が、EB修正を幾分しやすいことを考慮すると、第2の実施形態における窒素を含有させた高透過層22を有する位相シフトマスク200を用いた場合でも、実施例1の位相シフトマスク200と同様の効果が得られるものと考えられる。
[マスクブランクの製造]
比較例1のマスクブランクは、位相シフト膜を透光性基板上に厚さ58nmの低透過層と厚さ6nmの高透過層をこの順に1層ずつ計2層に変更した以外は、実施例1のマスクブランク100と同様の手順で製造された。したがって、比較例1のマスクブランクの位相シフト膜は低透過層と高透過層からなる合計膜厚64nmの2層構造膜である。ここで、低透過層と高透過層の形成条件は実施例1と同じである。
次に、この比較例1のマスクブランクを用い、実施例1と同様の手順で、比較例1の位相シフトマスクを製造した。位相シフトパターンの断面形状を観察したところ、低透過層がサイドエッチングされた段差形状であった。
また、製造した比較例1のハーフトーン型の位相シフトマスクに対してマスク検査装置によってマスクパターンの検査を行った。その結果、プログラム欠陥を配置していた箇所の位相シフトパターンに黒欠陥の存在が確認された。その黒欠陥部分に対してEB欠陥修正を行ったところ、位相シフトパターンと透光性基板との間の修正レート比が1.5と低いことから、透光性基板の表面へのエッチングが進んでいた。また、位相シフトパターンの断面形状は低透過層の側壁面が後退した段差形状であった。
このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、EB欠陥修正を行った部分以外では、概ね設計仕様を十分に満たしていた。しかし、EB欠陥修正を行った部分の転写像は、透光性基板へのエッチングの影響等に起因して転写不良が発生するレベルのものであった。この結果から、EB欠陥修正を行った後の比較例1の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージをセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写した場合、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンには、回路パターンの断線や短絡が発生することが予想される。
[マスクブランクの製造]
比較例2のマスクブランクは、位相シフト膜の高透過層の厚さを2.0nmから13nmに変更し、位相シフト膜が所定の透過率と位相差となるように低透過層の厚さも26nmに変更し、最上層を設けない以外は、実施例1のマスクブランク100と同様の手順で製造された。具体的には、比較例2の位相シフト膜は、透光性基板の表面に接して、実施例1と同じ手順で26nmの厚さの低透過層と13nmの厚さの高透過層を交互に計4層形成し、その上に実施例1と同じ構成の遮光膜及びハードマスク膜を形成した。
次に、この比較例2のマスクブランクを用い、実施例1と同様の手順で、比較例2の位相シフトマスクを製造した。製造した比較例2のハーフトーン型の位相シフトマスクに対してマスク検査装置によってマスクパターンの検査を行ったところ、プログラム欠陥を配置していた箇所の位相シフトパターンに黒欠陥の存在が確認された。その黒欠陥部分に対してEB欠陥修正を行ったところ、位相シフトパターンと透光性基板との間の修正レート比が2.6と低いことから、透光性基板の表面へのエッチングが進んでいた。
このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、EB欠陥修正を行った部分以外では、概ね設計仕様を十分に満たしていた。しかし、EB欠陥修正を行った部分の転写像は、透光性基板へのエッチングの影響等に起因して転写不良が発生するレベルのものであった。この結果から、EB欠陥修正を行った後の比較例2の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージをセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写した場合、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンには、回路パターンの断線や短絡が発生することが予想される。
2 位相シフト膜
2a 位相シフトパターン
21 低透過層
22 高透過層
22′ 最上高透過層
23 最上層
3 遮光膜
3a,3b 遮光パターン
4 ハードマスク膜
4a ハードマスクパターン
5a 第1のレジストパターン
6b 第2のレジストパターン
100 マスクブランク
200 位相シフトマスク
Claims (15)
- 透光性基板上に、位相シフト膜を備えたマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を10%以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、透光性基板側から低透過層と高透過層がこの順で交互に6層以上積層した構造を含み、
前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料、または貴ガス、ケイ素及び窒素からなる材料で形成され、
前記低透過層の窒素の含有量は、50原子%以上56原子%以下であり、
前記高透過層は、ケイ素及び酸素からなる材料、または貴ガス、ケイ素及び酸素からなる材料で形成され、
前記高透過層の酸素の含有量は、50原子%以上66原子%以下であり、
前記低透過層の厚さは、前記高透過層の厚さよりも厚く、
前記高透過層は、厚さが1nm以上4nm以下であり、
前記低透過層および高透過層の界面に、前記低透過層および高透過層の各構成元素が混じり合う混合領域を有し、
前記混合領域は、厚さが0.1nm以上0.4nm以下であることを特徴とするマスクブランク。 - 前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料で形成されており、前記高透過層は、ケイ素及び酸素からなる材料で形成されていることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記低透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0以上であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.2以上であり、
前記高透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0未満であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.1以下である
ことを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク。 - 前記低透過層は、厚さが20nm以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト膜は、前記透光性基板から最も離れた位置に、ケイ素、窒素及び酸素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素と酸素とからなる材料で形成された最上層を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト膜上に、遮光膜を備えることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
- 透光性基板上に、転写パターンを有する位相シフト膜を備えた位相シフトマスクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を10%以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、透光性基板側から低透過層と高透過層がこの順で交互に6層以上積層した構造を含み
前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料、または貴ガス、ケイ素及び窒素からなる材料で形成され、
前記低透過層の窒素の含有量は、50原子%以上56原子%以下であり、
前記高透過層は、ケイ素及び酸素からなる材料、または貴ガス、ケイ素及び酸素からなる材料で形成され、
前記高透過層の酸素の含有量は、50原子%以上66原子%以下であり、
前記低透過層の厚さは、前記高透過層の厚さよりも厚く、
前記高透過層は、厚さが1nm以上4nm以下であり、
前記低透過層および高透過層の界面に、前記低透過層および高透過層の各構成元素が混じり合う混合領域を有し、
前記混合領域は、厚さが0.1nm以上0.4nm以下であることを特徴とする位相シフトマスク。 - 前記低透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料で形成されており、前記高透過層は、ケイ素及び酸素からなる材料で形成されていることを特徴とする請求項7に記載の位相シフトマスク。
- 前記低透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0以上であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.2以上であり、
前記高透過層は、前記露光光の波長における屈折率nが2.0未満であり、かつ前記露光光の波長における消衰係数kが0.1以下である
ことを特徴とする請求項7または8に記載の位相シフトマスク。 - 前記低透過層は、厚さが20nm以下であることを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフト膜は、前記透光性基板から最も離れた位置に、ケイ素、窒素及び酸素からなる材料、または半金属元素、非金属元素及び貴ガスから選ばれる1以上の元素とケイ素と窒素と酸素とからなる材料で形成された最上層を備えることを特徴とする請求項7から10のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフト膜上に、遮光帯を含むパターンを有する遮光膜を備えることを特徴とする請求項7から11のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 請求項6記載のマスクブランクを用いた位相シフトマスクの製造方法であって、
ドライエッチングにより前記遮光膜に転写パターンを形成する工程と、
前記転写パターンを有する遮光膜をマスクとするドライエッチングにより前記位相シフト膜に転写パターンを形成する工程と、
遮光帯を含むパターンを有するレジスト膜をマスクとするドライエッチングにより前記遮光膜に遮光帯を含むパターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項12記載の位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
- 請求項13記載の位相シフトマスクの製造方法により製造された位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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