KR20180084635A - 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180084635A
KR20180084635A KR1020180000734A KR20180000734A KR20180084635A KR 20180084635 A KR20180084635 A KR 20180084635A KR 1020180000734 A KR1020180000734 A KR 1020180000734A KR 20180000734 A KR20180000734 A KR 20180000734A KR 20180084635 A KR20180084635 A KR 20180084635A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
manufacturing
metal
display device
phase
phase shift
Prior art date
Application number
KR1020180000734A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102541867B1 (ko
Inventor
세이지 쯔보이
Original Assignee
호야 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 호야 가부시키가이샤 filed Critical 호야 가부시키가이샤
Publication of KR20180084635A publication Critical patent/KR20180084635A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102541867B1 publication Critical patent/KR102541867B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80Etching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

투과율 파장 의존성이 우수한 새로운 위상 시프트막을 구비한 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크를 제공한다.
위상 시프트 마스크 블랭크는, 투명 기판과, 당해 투명 기판 상에 형성된 위상 시프트막을 구비한다. 상기 위상 시프트막은, 주로 노광 광에 대한 투과율과 위상차를 조정하는 기능을 갖는 위상 시프트층과, 파장 365㎚ 이상 436㎚ 이하의 범위에 있어서의 투과율 파장 의존성을 조정하는 기능을 갖는 메탈층을 적어도 갖는다. 상기 위상 시프트층은, 금속과 규소와, 질소 및 산소 중 적어도 1종을 포함하는 재료로 이루어지고, 상기 메탈층은, 금속과 규소로 구성되는 재료, 또는 금속과 규소와, 탄소, 불소, 질소, 산소 중 적어도 1종으로 구성되는 재료로 이루어진다. 상기 메탈층에 포함되는 금속의 함유율은, 상기 위상 시프트층에 포함되는 금속의 함유율보다 많거나, 혹은 상기 메탈층에 포함되는 금속과 규소의 합계 함유율은, 상기 위상 시프트층에 포함되는 금속과 규소의 합계 함유율보다 많다. 상기 위상 시프트막은, 파장 365㎚ 이상 436㎚ 이하의 범위에 있어서의 투과율 파장 의존성이, 5.5% 이내이다.
KR1020180000734A 2017-01-16 2018-01-03 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 KR102541867B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017005469 2017-01-16
JPJP-P-2017-005469 2017-01-16
JP2017234903A JP6983641B2 (ja) 2017-01-16 2017-12-07 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
JPJP-P-2017-234903 2017-12-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180084635A true KR20180084635A (ko) 2018-07-25
KR102541867B1 KR102541867B1 (ko) 2023-06-12

Family

ID=62985518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180000734A KR102541867B1 (ko) 2017-01-16 2018-01-03 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6983641B2 (ko)
KR (1) KR102541867B1 (ko)
TW (1) TWI758382B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102209617B1 (ko) * 2020-08-26 2021-01-28 에스케이씨 주식회사 블랭크 마스크 및 포토마스크

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7254470B2 (ja) * 2018-09-14 2023-04-10 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
TWI835695B (zh) * 2018-11-30 2024-03-11 日商Hoya股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
JP7296927B2 (ja) * 2020-09-17 2023-06-23 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスク

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004318084A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク並びに位相シフトマスクブランクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法
KR20050039663A (ko) * 2003-10-24 2005-04-29 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 패턴전사 방법
JP2012032823A (ja) * 2011-09-21 2012-02-16 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク及びバイナリーマスクの製造方法
KR101282040B1 (ko) 2012-07-26 2013-07-04 주식회사 에스앤에스텍 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크
KR20150059610A (ko) * 2013-11-22 2015-06-01 호야 가부시키가이샤 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
KR101624995B1 (ko) 2014-09-26 2016-05-26 주식회사 에스앤에스텍 플랫 패널 디스플레이용 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04162039A (ja) * 1990-10-26 1992-06-05 Nikon Corp フォトマスク
JP4497263B2 (ja) * 2000-11-20 2010-07-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクス及びその製造方法
JP2004212482A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Fujitsu Ltd フォトマスクの製造方法
JP2006317665A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
KR102198731B1 (ko) * 2008-06-25 2021-01-05 호야 가부시키가이샤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크
JP6396118B2 (ja) * 2014-08-20 2018-09-26 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004318084A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク並びに位相シフトマスクブランクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法
KR20050039663A (ko) * 2003-10-24 2005-04-29 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 패턴전사 방법
JP2012032823A (ja) * 2011-09-21 2012-02-16 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク及びバイナリーマスクの製造方法
KR101282040B1 (ko) 2012-07-26 2013-07-04 주식회사 에스앤에스텍 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크
KR20150059610A (ko) * 2013-11-22 2015-06-01 호야 가부시키가이샤 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
KR101624995B1 (ko) 2014-09-26 2016-05-26 주식회사 에스앤에스텍 플랫 패널 디스플레이용 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102209617B1 (ko) * 2020-08-26 2021-01-28 에스케이씨 주식회사 블랭크 마스크 및 포토마스크

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018116266A (ja) 2018-07-26
KR102541867B1 (ko) 2023-06-12
TWI758382B (zh) 2022-03-21
JP6983641B2 (ja) 2021-12-17
TW201841045A (zh) 2018-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180084635A (ko) 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
EP2983044A3 (en) Halftone phase shift photomask blank and making method
SG10201806936XA (en) Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
SG10201804507PA (en) Photomask Blank and Photomask
EP3079012A3 (en) Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask
TW200623233A (en) Photomask blank and photomask
EP2881790A3 (en) Photomask blank
EP2568335A3 (en) Photomask blank, photomask, and making method
JP2015102633A5 (ko)
TW200636384A (en) Half-tone stacked film, photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
EP3079011A3 (en) Phase shift mask blank, phase shift mask, and blank preparing method
TW200715044A (en) Photomask blank, photomask and fabrication method thereof
TW200600963A (en) Gray scale mask and method of manufacturing the same
EP2871520A3 (en) Halftone phase shift photomask blank, halftone phase shift photomask and pattern exposure method
WO2008136155A1 (ja) 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
TW200732254A (en) Oxide sintered body and an oxide film obtained by using it, and a transparent base material containing it
SG10201801792VA (en) Halftone Phase Shift Photomask Blank
JP2015212826A5 (ko)
SG11201901299SA (en) Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing semiconductor device
JP2014137388A5 (ko)
JP2015092281A5 (ko)
WO2008139904A1 (ja) フォトマスクブランク及びフォトマスク
TW200732829A (en) Mask blank and photomask
MY181745A (en) Protective film, reflective member, and production method for protective film
SG10201804422VA (en) Photomask Blank and Making Method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant