TW201841045A

TW201841045A - 顯示裝置製造用之相移光罩基底、顯示裝置製造用之相移光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法

Info

Publication number: TW201841045A
Application number: TW106145020A
Authority: TW
Inventors: 坪井誠治
Original assignee: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司
Priority date: 2017-01-16
Filing date: 2017-12-21
Publication date: 2018-11-16
Also published as: KR102541867B1; TWI758382B; JP6983641B2; KR20180084635A; JP2018116266A

Abstract

本發明提供一種具備透過率波長依存性優異之新穎之相移膜之顯示裝置製造用之相移光罩基底。相移光罩基底具備透明基板、及形成於該透明基板上之相移膜。上述相移膜至少具有：相移層，其具有主要調整對曝光之光之透過率與相位差之功能；及金屬層，其具有調整波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性之功能。上述相移層包含包括金屬、矽、以及氮及氧中之至少一種之材料，上述金屬層包含由金屬與矽構成之材料、或由金屬、矽、以及碳、氟、氮及氧中之至少一種構成之材料。上述金屬層中所包含之金屬之含有率多於上述相移層中所包含之金屬之含有率，或者上述金屬層中所包含之金屬與矽之合計含有率多於上述相移層中所包含之金屬與矽之合計含有率。上述相移膜於波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性為5.5%以內。

Description

顯示裝置製造用之相移光罩基底、顯示裝置製造用之相移光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法

本發明係關於一種顯示裝置製造用之相移光罩基底、顯示裝置製造用之相移光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法。

於製造液晶顯示裝置或有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置時，藉由將實施有所需之圖案化之複數個導電膜或絕緣膜積層而形成電晶體等半導體元件。此時，於進行所積層之各個膜之圖案化時，利用光微影步驟之情況較多。例如，該等顯示裝置所使用之薄膜電晶體或LSI(Large-Scale Integration，大型積體電路)中存在具有藉由光微影步驟於絕緣層形成接觸孔，而將上層之圖案與下層之圖案電性連接之構成者。最近，於此種顯示裝置中，以充分快之動作速度顯示明亮、清晰之圖像且降低消耗電力之需求高漲。為了滿足此種要求，要求使顯示裝置之構成元件微細化、高積體化。例如，較理想為使接觸孔之直徑自3 μm減小至2.5 μm、2 μm、1.8 μm、1.5 μm。又，例如，較理想為使線與間隙圖案之間距寬度自3 μm微細化成2.5 μm、2 μm、1.8 μm、1.5 μm。根據此種背景，期待可應對線與間隙圖案或接觸孔之微細化之顯示裝置製造用之光罩。於實現線與間隙圖案或接觸孔之微細化時，先前之光罩由於顯示裝置製造用之曝光機之解像極限為3 μm，故而沒有充分之步驟裕度(Process Margin)而必須生產接近解像極限之最小線寬之製品。因此，存在顯示裝置之不良率增高之問題。例如，於考慮到使用具有用以形成接觸孔之孔圖案之光罩而將該孔圖案轉印至被轉印體之情形時，若為直徑超過3 μm之孔圖案，則可利用先前之光罩進行轉印。然而，轉印直徑為3 μm以下之孔圖案、尤其是直徑為2.5 μm以下之孔圖案非常困難。為了轉印直徑為2.5 μm以下之孔圖案，例如亦考慮到轉換成具有高NA(Numerical Aperture，數值孔徑)之曝光機，但其需要較大之投資。因此，為了提高解析度來應對線與間隙圖案或接觸孔之微細化，相移光罩作為顯示裝置製造用之光罩受到關注。例如，於專利文獻1中提出有於透明基板上具備積層有2層以上之薄膜之構成之相移膜之顯示裝置用之相移光罩基底。構成該相移膜之各薄膜雖具有互不相同之組成，但均包含可藉由相同之蝕刻溶液進行蝕刻之物質，且因組成不同而具有不同之蝕刻速度。於專利文獻1中，於相移膜之圖案化時，以相移膜圖案之邊緣部分之剖面斜率由陡峭角度(陡峭斜率)形成之方式調整構成相移膜之各薄膜之蝕刻速度。專利文獻1中具體記載之相移膜係將具有互不相同之組成之鉻碳氧氮化物(CrCON)之層積層3層、5層或6層而成之結構之鉻系相移膜。於專利文獻2中記載有於透明基板上依序積層有相位反轉膜、用作上述相位反轉膜之蝕刻光罩之金屬膜及抗蝕劑膜之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用相位反轉空白光罩。此處，相位反轉膜例如包含MoSi、MoSiO、MoSiN、MoSiC、MoSiCO、MoSiON、MoSiCN、MoSiCON中之1種，金屬膜(蝕刻光罩膜)包含與相位反轉膜具有蝕刻選擇比之物質、例如Cr、CrO、CrN、CrC、CrCO、CrON、CrCN、CrCON中之一種。於專利文獻2中記載有相位反轉膜較理想為對複合波長之曝光之光具有1%～40%之透過率，較理想為具有5%～20%之透過率，且具有10%以下之透過率偏差。又，於專利文獻2中記載有相位反轉膜較理想為對複合波長之曝光之光具有30%以下、較理想為15%以下之反射率，且具有10%以下之反射率偏差。此處，偏差係指i射線、h射線、g射線之曝光之光之各透過率、反射率之值中最大值與最小值之差。然而，於專利文獻2中並未記載特定出用以滿足該等光學特性之具體之相位反轉膜及金屬膜(蝕刻光罩膜)之材料之例。此種相移光罩接收自各種曝光機中輸出之各種波長之曝光之光。例如，於顯示裝置製造用之相移光罩之情形時，作為轉印光罩圖案之步驟中使用之曝光機，例如已知有具備輸出i射線(波長365 nm)、h射線(波長405 nm)及g射線(波長436 nm)分別具有波峰強度之複合光之光源(超高壓UV燈)者。例如，若使用上述複合光作為將相移光罩之光罩圖案轉印至隨著近年來之顯示裝置之大型化而尺寸逐漸擴大之母玻璃基板之主表面上之情形時之曝光之光，則可獲取光量，而可實現製程時間之縮短化。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]韓國登錄專利第1282040號公報 [專利文獻2]韓國登錄專利第1624995號公報

[發明所欲解決之問題] 第1，存在於顯示裝置用相移光罩及相移光罩基底中，「波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率之變動幅度(變化量)(適當稱為特定之透過率波長依存性)」較小(例如5.5%以內)之相移膜基本上非常難以實現之情況(課題1)。該原因在於，構成必須滿足所需光學特性(相位差、透過率)之相移膜之各層之組成及膜厚被調整(該等被優先調整)，隨之相移膜之透過率波長依存性確定，因此無法獨立且自由地僅控制透過率波長依存性(獨立地調整為所需值)。因此，關於具體特定出相移膜之層構成及各層之材料之具體例，實際上並未報告對透過率、反射率進行測定所得之值。因此，針對上述課題1，期望提供一種透過率波長依存性優異之新穎之相移膜。除此以外，存在尤其是於高透過率(例如15%以上、尤其是18%以上)類型之顯示裝置用相移光罩及相移光罩基底中，透過率波長依存性較小(例如5.5%以內)之相移膜格外難以實現之情況(課題2)。該原因可列舉：(1)適合高透過率之材料有限，(2)通常有隨著製成高透過率而透過率波長依存性增大之傾向，(3)由於具有該傾向，故而為了減小透過率波長依存性，必須大幅降低透過率波長依存性，但大幅降低透過率波長依存性基本難以實現。於此種具有高透過率之相移膜中，例如，並未報告具有特定之透過率波長依存性小於5.5%之透過率波長依存性之具體例(課題3)。第2，上述先前於專利文獻1中提出之顯示裝置用之相移光罩所使用之相移膜並未考慮到因用於形成相移膜圖案之抗蝕劑膜之圖案化時所使用之雷射描繪光之反射而產生之對抗蝕劑膜之影響而設計。因此，對雷射描繪光(通常350 nm～436 nm之波長區域之某一波長)之相移膜之正面反射率超過20%。結果，抗蝕劑膜中產生駐波，而抗蝕劑膜圖案之邊緣部分之粗糙度變差。隨之，存在相移膜圖案之邊緣部分之粗糙度變差之問題。於上述專利文獻2中，記載有相位反轉膜對複合波長之曝光之光具有30%以下、較理想為15%以下之反射率，但並未報告與用以實現該情況之膜構成或膜材料相關之具體例。再者，雷射描繪光之波長下之正面反射率較理想為10%以下，進而理想為5%以下，存在滿足各種光學特性等並且實現正面反射率10%以下非常難以實現之情況。詳細而言，於遮光膜之情形時，只要滿足遮光性(光學濃度)即可，因此設置抗反射層並附加正面反射率之特性相對容易。相對於此，於相移膜之情形時，因設置抗反射層而相位差及透過率亦會變動，因此進行滿足相位差及透過率並且兼顧正面反射率之特性之膜設計並不容易。因此，使相移膜滿足相位差及透過率以及透過率波長依存性並且兼顧正面反射率之特性更不容易(課題4)。再者，期待超過專利文獻2所記載之反射率之級別(例如「15%以下」)。具體而言，例如，並未報告波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之反射率為10%以下或波長350 nm以上且436 nm以下之範圍內之反射率為15%以下之具體例。進而，上述先前於專利文獻1、2中提出之顯示裝置用之相移光罩所使用之相移膜並未考慮到波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之背面反射率而設計。因此，於背面反射率相對較低之情形時，相應地有因膜之曝光之光之熱吸收所導致之熱膨脹而產生圖案位置偏移之虞。因此，使相移膜滿足相位差、透過率以及特定之透過率波長依存性並且兼顧背面反射率之特性並不容易(課題5)。本發明針對上述課題1，第1目的在於提供一種透過率波長依存性優異之新穎之相移膜。本發明針對上述課題1，第2目的在於提供一種透過率波長依存性優異並且其他特性亦優異之新穎之相移膜。本發明針對上述課題2、3，第3目的在於提供一種即便為高透過率，透過率波長依存性亦優異之新穎之相移膜。本發明針對上述課題1、2、3，第4目的在於提供一種透過率波長依存性格外優異之新穎之相移膜。本發明針對上述課題4，第5目的在於提供一種透過率波長依存性優異並且正面反射率特性亦優異之新穎之相移膜。本發明針對上述課題5，第6目的在於提供一種透過率波長依存性優異並且背面反射率特性亦優異之新穎之相移膜。本發明之目的在於提供一種具備上述本發明之相移膜之顯示裝置製造用之相移光罩基底、使用該相移光罩基底之相移光罩之製造方法、及使用該相移光罩之顯示裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明者為了提供一種透過率波長依存性優異之新穎之相移膜而努力進行了研究開發。首先，本發明者發現，含有Zr與Si之ZrSi系材料適合作為於曝光之光之波長區域(包含i射線、h射線、g射線之多波)下具有透過率為15%以上之透過率之高透過率用之相移膜所使用之材料。又，認為相移膜越是製成高透過率，越是相對難以縮小透過率之波長依存性。具體而言，認為即便進行了各種調整，但例如於波長365 nm以上且436 nm以下之範圍(適當稱為「特定之波長範圍」)內，通常若透過率為20%左右，則特定之波長範圍內之透過率波長依存性(透過率之變動幅度)亦僅能降低至10%左右。進而，認為於相移膜中，關於「波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性」(適當稱為「特定之透過率波長依存性」)，與ZrSi系材料(例如ZrSiON、ZrSiN、ZrSiO)相比，MoSi系材料(例如MoSiN、MoSiON、MoSiOCN)之透過率波長依存性良好。進而，本發明者於研究之過程中得知，ZrSi系材料(例如ZrSiON、ZrSiN、ZrSiO)有隨著對組成進行調整(例如製成高氧化)而製成高透過率(例如波長365 nm下為16%、20%、30%、40%之透過率)，特定之透過率波長依存性逐漸增大之傾向(例如特定之透過率波長依存性變成11%、18%、21%、25%)。得知由於具有該傾向，故而降低特定之透過率波長依存性非常困難。進而，本發明者得知，ZrSi系之單層膜(尤其是包含氧(O)之ZrSiON、ZrSiO等)存在透過率之面內分佈之控制非常困難之問題。認為其原因在於：包含氧(O)之ZrSi系之單層膜具有於波長300 nm至波長400 nm附近，透過率會急遽變化(透過率-波長曲線之角度變得陡峭)之特性。此時，若包含氧(O)之ZrSi系之單層膜之膜厚變動，則透過率-波長曲線亦向短波長側或者長波長側移動而透過率變動。因此，因包含氧(O)之ZrSi系之單層膜之膜厚之面內差異而導致透過率之面內分佈之控制變得困難。於如以上般之狀況下，本發明者藉由將相移層(例如ZrSiON，將組成調整成高透過率用而成者)與金屬層(例如ZrSi，Zr之含有率或Zr與Si之合計含有率多於上述相移層中所包含之Zr之含有率或上述相移層中所包含之Zr與Si之合計含有率之ZrSi)進行組合，意外得知如下：與上述一般認識相反，即便於特定之波長範圍內製成高透過率(例如15%以上、16%以上、進而18%以上)之情形時(功能5)，亦可使特定之透過率波長依存性與上述一般認識相比相對極度縮小(例如可設為5.5%以內)(功能1)，即可滿足功能5與功能1之兩者之要件。此時，得知金屬層(例如ZrSi，Zr之含有率或Zr與Si之合計含有率多於上述相移層中所包含之Zr之含有率或相移層中所包含之Zr與Si之合計含有率之ZrSi)具有可對相移層(例如ZrSiON)以單層具有之特定之透過率波長依存性進行調整之作用/功能。具體而言，得知金屬層(例如ZrSi)具有可將相移層(例如ZrSiON)以單層具有之特定之透過率波長依存性降低特定值(特定幅度)(例如10%)以上之作用/功能(透過率波長依存性降低功能)。若透過率較高(例如15%以上、16%以上、進而18%以上)且特定之透過率波長依存性如此低(例如5.5%以內)，則解像性非常良好。其原因在於365 nm以外之波長之光(405 nm、436 nm)對365 nm之光造成干擾之量減少。由於解像性非常良好，故而可製造具有微細圖案(例如1.8 μm以下)之顯示裝置。進而，於本發明中，與於特定之波長範圍內透過率及反射率均為單層之情形相比，可減小波長依存性(透過率-波長曲線之斜率變得平坦(斜率變小))，因此即便於成膜過程中膜厚於面內(例如於中心部與外周部)略微有差異，透過率及反射率之面內分佈亦變得非常良好。因此，可製造微細圖案之CD(Critical Dimension，臨界尺寸)精度之面內差異較小之顯示裝置。進而，本發明者得知，藉由主要調整對曝光之光之透過率與相位差之相移層(例如，ZrSiON)與具有調整對曝光之光之透過率波長依存性之功能之金屬層(具有使對曝光之光之透過率波長依存性降低之功能之金屬層(例如，ZrSi)之組合，可實現特定之透過率波長依存性小於4.0%而透過率波長依存性格外優異之相移膜(課題3)。又，本發明者得知，關於以上情況，即便於利用MoSi、TiSi等金屬矽化物系材料替換金屬層之情形時，雖具有程度之差，但亦同樣實現。本發明者得知，關於以上情況，即便於將相移層(MoSiON)(包含對曝光波長具有1%至12%左右之透過率之通常透過率用至對曝光波長具有15%以上之透過率之高透過率用)與金屬層(MoSi)進行組合之情形或將相移層(TiSiON)(包含通常透過率用至高透過率用)與金屬層(TiSi)進行組合之情形時，雖具有程度之差，但亦同樣地實現。本發明者進而進行了研究，結果得知，於包含2層以上之積層膜之相移膜中，藉由將特定之相移層(例如ZrSiON、MoSiON、TiSiON等)與特定之金屬層(例如ZrSi、MoSi、TiSi等)進行組合(順序不同)，可極度減小特定之透過率波長依存性(例如可設為5.5%以內)(功能1)、及可控制背面反射率(功能4)。又，本發明者得知，於包含3層積層膜之相移膜中，藉由自基板側依序將特定之相移層(例如ZrSiON、MoSiON、TiSiON等)、特定之金屬層(例如ZrSi、MoSi、TiSi等)及特定之反射率降低層(例如ZrSiON、MoSiON、TiSiON、CrO、CrOCN、CrON等)進行組合，可兼具如下所有功能：可減小特定之透過率波長依存性(功能1)(例如可減小至5.5%以內)，可降低正面反射率(功能2)，並且可減小正面反射率(例如10%以下)(功能3)，可控制背面反射率(功能4)。再者，於上述包含2層以上或3層積層膜之相移膜中，最上層使用Cr系材料之相移膜之形成於其上之抗蝕劑膜之密接性良好。本發明具有以下之構成。 (構成1) 一種相移光罩基底，其係顯示裝置製造用之相移光罩基底，其特徵在於具備：透明基板；及相移膜，其形成於該透明基板上；上述相移膜包含2層以上之積層膜，上述相移膜至少具有：相移層，其具有主要調整對曝光之光之透過率與相位差之功能；及金屬層，其具有調整波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性之功能；關於上述相移膜，對曝光之光之上述相移膜之透過率與相位差具有特定之光學特性，上述相移層包含包括金屬、矽以及氮及氧中之至少一種之材料，上述金屬層包含由金屬與矽構成之材料或由金屬、矽及碳、氟、氮、氧中之至少一種構成之材料，上述金屬層中所包含之金屬之含有率多於上述相移層中所包含之金屬之含有率，或者上述金屬層中所包含之金屬與矽之合計含有率多於上述相移層中所包含之金屬與矽之合計含有率，上述相移膜於波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性為5.5%以內。 (構成2) 一種相移光罩基底，其係顯示裝置製造用之相移光罩基底，其特徵在於具備：透明基板；及相移膜，其形成於該透明基板上；上述相移膜具有：相移層，其具有主要調整對曝光之光之透過率與相位差之功能；反射率降低層，其配置於該相移層之上側，且具有使對自上述相移膜之正面側入射之光之反射率降低之功能；及金屬層，其配置於上述相移層與上述反射率降低層之間，且具有調整波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性之功能；藉由上述相移層、上述金屬層及上述反射率降低層之積層結構，對曝光之光之上述相移膜之透過率與相位差具有特定之光學特性，上述相移層包含包括金屬、矽以及氮及氧中之至少一種之材料，上述金屬層包含由金屬與矽構成之材料、或由金屬、矽及碳、氟、氮、氧中之至少一種構成之材料，上述金屬層中所包含之金屬之含有率多於上述相移層中所包含之金屬之含有率，或者上述金屬層中所包含之金屬與矽之合計含有率多於上述相移層中所包含之金屬與矽之合計含有率，上述相移膜於波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性為5.5%以內。 (構成3) 如構成1或2之相移光罩基底，其特徵在於：上述相移膜於波長365 nm下之透過率為1%以上且50%以下之範圍。 (構成4) 如構成1或2之相移光罩基底，其特徵在於：上述相移膜於波長365 nm下之透過率為15%以上且50%以下之範圍。 (構成5) 如構成2至4中任一項之相移光罩基底，其特徵在於：關於上述相移膜，對自上述相移膜之正面側入射之光之上述相移膜之正面反射率於365 nm～436 nm之波長區域內為10%以下。 (構成6) 如構成2至5中任一項之相移光罩基底，其特徵在於：關於上述相移膜，對自上述相移膜側入射之光之上述相移膜之正面反射率於350 nm～436 nm之波長區域內為15%以下。 (構成7) 如構成1至6中任一項之相移光罩基底，其特徵在於：對自上述透明基板之背面側入射之光之上述相移膜之背面反射率於365 nm～436 nm之波長區域內為20%以上。 (構成8) 如構成2至7中任一項之相移光罩基底，其特徵在於：上述反射率降低層包含包括金屬、矽以及氮、氧及碳中之至少一種之材料或者包括金屬以及氮、氧及碳中之至少一種之材料。 (構成9) 如構成2、5、6、8中任一項之相移光罩基底，其特徵在於：構成上述相移層之金屬為Zr、Mo、Ti、Ta、及W中之任一者，構成上述金屬層之金屬為Zr、Mo、Ti、Ta、及W中之任一者，構成上述反射率降低層之金屬為Zr、Mo、Cr、Ti、Ta、及W中之任一者。 (構成10) 如構成2、5、6、8、9中任一項之相移光罩基底，其特徵在於：構成上述相移層及上述金屬層之各層之金屬或者構成上述相移層、上述金屬層及上述反射率降低層之各層之金屬為相同金屬。 (構成11) 如構成1至10中任一項之相移光罩基底，其特徵在於具備形成於上述相移膜上之遮光膜。 (構成12) 如構成11之相移光罩基底，其特徵在於：關於上述遮光膜，對自上述遮光膜之正面側入射之光之上述遮光膜之膜面反射率於350 nm～436 nm之波長區域內為15%以下。 (構成13) 一種相移光罩之製造方法，其係顯示裝置製造用之相移光罩之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於如構成1至10中任一項之相移光罩基底之相移膜上形成抗蝕劑膜，並藉由使用具有選自350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光之描繪處理、及顯影處理形成抗蝕劑膜圖案；及將上述抗蝕劑膜圖案作為遮罩對上述相移膜進行蝕刻而形成相移膜圖案。 (構成14) 一種相移光罩之製造方法，其係顯示裝置製造用之相移光罩之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於如構成11或12之相移光罩基底之遮光膜上形成抗蝕劑膜，並藉由使用具有選自350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光之描繪處理、及顯影處理形成抗蝕劑膜圖案；將上述抗蝕劑膜圖案作為遮罩對上述遮光膜進行蝕刻而形成遮光膜圖案；及將上述遮光膜圖案作為遮罩對相移膜進行蝕刻而形成相移膜圖案。 (構成15) 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於具有：相移光罩配置步驟，其對在基板上形成有抗蝕劑膜之附抗蝕劑膜之基板，將藉由如構成13或14之相移光罩之製造方法而獲得之相移光罩與上述抗蝕劑膜對向地配置；及圖案轉印步驟，其對上述相移光罩照射包含i射線、h射線及g射線之複合曝光之光而轉印上述相移膜圖案。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種透過率波長依存性優異之新穎之相移膜。根據本發明，可提供一種透過率波長依存性優異並且其他特性亦優異之新穎之相移膜。根據本發明，可提供一種即便為高透過率，透過率波長依存性亦優異之新穎之相移膜。根據本發明，可提供一種透過率波長依存性格外優異之新穎之相移膜。根據本發明，可提供一種透過率波長依存性優異並且正面反射率特性亦優異之新穎之相移膜。根據本發明，可提供一種透過率波長依存性優異並且背面反射率特性亦優異之新穎之相移膜。根據本發明，可提供一種具備上述本發明之相移膜之顯示裝置製造用之相移光罩基底、使用該相移光罩基底之相移光罩之製造方法、及使用該相移光罩之顯示裝置之製造方法。

以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態詳細地進行說明。再者，以下之實施形態係使本發明具體化時之一形態，並非將本發明限定於該範圍內。圖中，存在對於相同或同等之部分標註相同之符號並將其說明簡略化或省略之情形。 (實施形態1) 於實施形態1中，對相移光罩基底進行說明。圖1係表示相移光罩基底10之膜構成之模式圖。相移光罩基底10具備：透明基板20，其相對於曝光之光而言透明(具有透光性)；及相移膜30，其配置於透明基板20上。於圖1中，相移膜30係具有自透明基板20側依序配置之相移層31、金屬層33及反射率降低層32之積層結構，但相移膜30亦可為具有自透明基板20側依序配置之相移層31及金屬層33之積層結構。相移層31配置於透明基板20之主表面上。相移層31具有調整對曝光之光之透過率與相位差之功能。相移層31係由包含金屬(M)、矽(Si)以及氮(N)及氧(O)中之至少一種之材料形成。又，相移層31亦可由包含金屬(M)、矽(Si)以及氮(N)及氧(O)中之至少一種、進而包含碳(C)及氟(F)中之至少一種之材料形成。例如，作為形成相移層31之材料，可列舉：金屬矽化物氮氧化物(MSiON)、金屬矽化物氮化物(MSiN)、金屬矽化物氧化物(MSiO)、金屬矽化物氧化碳化氮化物(MSiOCN)、金屬矽化物碳化氮化物(MSiCN)、金屬矽化物氧化碳化物(MSiOC)、金屬矽化物氧化氮化氟化物(MSiONF)、金屬矽化物氮化氟化物(MSiNF)、金屬矽化物氧化氟化物(MSiOF)、金屬矽化物氧化碳化氮化氟化物(MSiOCNF)、金屬矽化物碳化氮化氟化物(MSiCNF)、金屬矽化物氧化碳化氟化物(MSiOCF)等。構成相移層31之金屬(M)代表性而言為鋯(Zr)，繼而，為鉬(Mo)。作為構成相移層31之其他金屬(M)，可列舉：鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)等過渡金屬。例如，作為構成相移層31之材料，可列舉：ZrSiON、ZrSiN、ZrSiO、ZrSiOCN、ZrSiCN、ZrSiCO、ZrSiONF、ZrSiNF、ZrSiOF、ZrSiOCNF、ZrSiCNF、ZrSiOCF。例如，作為構成相移層31之材料，可列舉：MoSiON、MoSiN、MoSiO、MoSiOCN、MoSiCN、MoSiCO、MoSiONF、MoSiNF、MoSiOF、MoSiOCNF、MoSiCNF、MoSiOCF。例如，作為構成相移層31之材料，可列舉：TiSiON、TiSiN、TiSiO、TiSiOCN、TiSiCN、TiSiCO、TiSiONF、TiSiNF、TiSiOF、TiSiOCNF、TiSiCNF、TiSiOCF。相移層31亦可於不脫離本發明之效果之範圍內包含上文中所列舉之元素以外之元素。又，為了獲得本發明之相移膜30之光學特性，相移層31之金屬矽化物(MSi)之金屬(M)與矽(Si)之比率(原子比)較佳為M：Si＝1：1以上且1：9以下。於藉由濕式蝕刻對相移膜30進行圖案化之情形時，就使圖案剖面良好之觀點而言，較理想為相移層31之金屬(M)與矽(Si)之比率(原子比)為M：Si＝1：1以上且1：8以下，進而較佳為M：Si＝1：1以上且1：4以下。又，構成相移層31之金屬(M)亦可為包含1種以上之上文中所列舉之金屬之合金。相移層31可藉由濺鍍法形成。反射率降低層32配置於相移層31之上側。反射率降低層32具有使對自相移膜30之正面側(即相對於反射率降低層32而言與透明基板20側相反之側)入射之光之反射率降低之功能。反射率降低層32可由包含金屬(M)、矽(Si)以及氮(N)及氧(O)中之至少一種之材料形成。又，反射率降低層32亦可由包含金屬(M)、矽(Si)以及氮(N)及氧(O)中之至少一種、進而包含碳(C)及氟(F)中之至少一種之材料形成。例如，作為形成反射率降低層32之材料，可使用與上述形成相移層31之材料相同之材料。又，反射率降低層32可由包含金屬(M)以及氮(N)、氧(O)、碳(C)及氟(F)中之至少一種之材料、或者包含金屬(M)、矽(Si)以及氮(N)、氧(O)、碳(C)及氟(F)中之至少一種之材料形成。例如，作為形成反射率降低層32之材料，可列舉：金屬氧化物(MO)、金屬氮氧化物(MON)、金屬氧化碳化氮化物(MOCN)、金屬氧化碳化物(MOC)、金屬氧化氟化物(MOF)、金屬氧化氮化氟化物(MONF)、金屬氧化碳化氮化氟化物(MOCNF)、金屬氧化碳化氟化物(MOCF)、金屬氮化物(MN)、金屬碳化氮化物(MCN)、金屬氟化物(MF)、金屬氮化氟化物(MNF)、金屬碳化氮化氟化物(MCNF)、金屬碳化氟化物(MCF)等。構成反射率降低層32之金屬(M)代表性而言為鋯(Zr)、鉬(Mo)、鉻(Cr)。作為構成反射率降低層32之其他金屬(M)，可列舉：鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)等過渡金屬。例如，作為形成反射率降低層32之材料，可列舉：ZrSiON、ZrSiN、ZrSiO、ZrSiOCN、ZrSiCN、ZrSiCO、ZrSiONF、ZrSiNF、ZrSiOF、ZrSiOCNF、ZrSiCNF、ZrSiOCF。例如，作為形成反射率降低層32之材料，可列舉：MoSiON、MoSiN、MoSiO、MoSiOCN、MoSiCN、MoSiCO、MoSiONF、MoSiNF、MoSiOF、MoSiOCNF、MoSiCNF、MoSiOCF。例如，作為形成反射率降低層32之材料，可列舉：TiSiON、TiSiN、TiSiO、TiSiOCN、TiSiCN、TiSiCO、TiSiONF、TiSiNF、TiSiOF、TiSiOCNF、TiSiCNF、TiSiOCF。例如，反射率降低層32可由鉻氧化物(CrO)、鉻氮氧化物(CrON)、鉻氧化碳化氮化物(CrOCN)、鉻氧化碳化物(CrCO)、鉻氧化氟化物(CrOF)、鉻氧化氮化氟化物(CrONF)、鉻氧化碳化氮化氟化物(CrOCNF)、鉻氧化碳化氟化物(CrOCF)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化氮化物(CrCN)、鉻氟化物(CrF)、鉻氮化氟化物(CrNF)、鉻碳化氮化氟化物(CrCNF)、鉻碳化氟化物(CrCF)等鉻系材料形成。反射率降低層32亦可於不脫離本發明之效果之範圍內包含上文中所列舉之元素以外之元素。又，於反射率降低層32之材料為金屬矽化物(MSi)系材料之情形時，為了獲得本發明之相移膜30之光學特性，金屬(M)與矽(Si)之比率(原子比)較佳為M：Si＝1：1以上且1：9以下。於藉由濕式蝕刻對相移膜30進行圖案化之情形時，就使圖案剖面良好之觀點而言，較理想為反射率降低層32之金屬(M)與矽(Si)之比率(原子比)為M：Si＝1：2以上且1：8以下，進而較佳為M：Si＝1：2以上且1：4以下。又，構成相移層31之金屬(M)亦可為包含1種以上之上文中所列舉之金屬之合金。反射率降低層32可藉由濺鍍法形成。金屬層33配置於相移層31與反射率降低層32之間。金屬層33具有主要對相移層31以單層具有之透過率波長依存性進行調整之作用/功能。具體而言，金屬層33具有主要將相移層31以單層具有之透過率波長依存性降低特定值(特定幅度)以上之作用/功能。金屬層33具有以相移膜30以積層體整體具有之透過率波長依存性成為特定值以下之方式進行控制之作用/功能。除該等作用/功能以外，金屬層33亦具有調整對曝光之光之透過率之功能，並且具有與反射率降低層32組合而使對自相移膜30之正面側(與透明基板20側為相反側)入射之光之反射率降低之功能。金屬層33具有與相移層31組合而使相移膜30提高對自透明基板20之背面側入射之光之背面反射率之功能。透明基板20之背面意指透明基板20之2個主面中與相移膜30為相反側之主面。金屬層33係由由金屬(M)及矽(Si)構成之材料、或金屬(M)、矽(Si)及碳(C)、氟(F)、氮(N)、氧(O)中之至少一種構成。又，包含金屬層33中所包含之金屬之含有率多於相移層31中所包含之金屬之含有率或金屬層33中所包含之金屬與矽之合計含有率多於相移層31中所包含之金屬與矽之合計含有率之材料。例如，作為形成金屬層33之材料，可列舉：金屬矽化物(MSi)、金屬矽化物碳化物(MSiC)、金屬矽化物碳化氟化物(MSiCF)。構成金屬層33之金屬(M)代表性而言為鋯(Zr)。作為構成金屬層33之其他金屬(M)，可列舉：鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)等過渡金屬。例如，作為形成金屬層33之材料，可列舉：ZrSi、ZrSiC、ZrSiCF、ZrSiN、ZrSiCN等。例如，作為形成金屬層33之材料，可列舉：MoSi、MoSiC、MoSiCF、MoSiN、MoSiCN等。例如，作為形成金屬層33之材料，可列舉：TiSi、TiSiC、TiSiCF、TiSiN、TiSiCN等。於金屬層33為金屬矽化物(MSi)之情形時，為了獲得本發明之相移膜30之光學特性，金屬層33之金屬(M)與矽(Si)之比率(原子比)較佳為M：Si＝1：1以上且1：9以下。於藉由濕式蝕刻對相移膜30進行圖案化之情形時，就使圖案剖面良好之觀點而言，較理想為金屬層33之金屬(M)與矽(Si)之比率為M：Si＝1：2以上且1：8以下，進而較佳為M：Si＝1：2以上且1：4以下。又，構成金屬層33之金屬(M)亦可為包含1種以上之上文中所列舉之金屬之合金。又，藉由具備金屬層33，相移膜之薄片電阻降低，故而可防止相移光罩基底及相移光罩之充電。於不具備金屬層33之情形時，容易因充電而導致異物附著或產生靜電擊穿。金屬層33亦可於不脫離本發明之效果之範圍內包含上文中所列舉之元素以外之元素。金屬層33可藉由濺鍍法形成。金屬層33具有高於反射率降低層32之金屬元素(M)含有率(原子%)之金屬元素(M)含有率(原子%)，或金屬層33設為金屬元素(M)與矽(Si)之合計含有率(原子%)高於反射率降低層32之金屬元素(M)與矽(Si)之合計含有率(原子%)。金屬層33之金屬元素(M)含有率與反射率降低層32之金屬元素(M)含有率之差、或者金屬層33之金屬元素(M)與矽(Si)之合計含有率和反射率降低層32之金屬元素(M)與矽(Si)之合計含有率之差較佳為30～90原子%，更佳為50～80原子%。再者，若上述金屬元素(M)含有率、或者金屬元素(M)與矽(Si)之合計含有率之差為60～80原子%，則可提高金屬層33與反射率降低層32之界面於上述波長區域(365 nm之波長、或365 nm～436 nm之波長區域)下之反射率，從而進一步發揮反射率降低效果，因此較佳。再者，金屬層33之蝕刻速度可藉由使金屬(M)與矽(Si)之金屬矽化物系材料含有碳(C)、氟(F)、氮(N)、氧(O)而進行調整。例如，藉由使金屬(M)與矽(Si)之金屬矽化物系材料含有碳(C)或氟(F)或氮(N)，可減緩濕式蝕刻速度。又，形成於金屬層33之上、下之反射率降低層32、相移層31之蝕刻速度可藉由使金屬(M)與矽(Si)之金屬矽化物系材料含有碳(C)或氟(F)或氮(N)而減緩濕式蝕刻速度，可藉由使金屬(M)與矽(Si)之金屬矽化物系材料含有氧(O)而加快濕式蝕刻速度。藉由該等操作，可對構成相移膜30之各層之蝕刻速度進行控制而使蝕刻後之相移膜30之剖面形狀良好。再者，金屬層33具有高於相移層31之金屬元素(M)含有率之金屬元素(M)含有率。金屬層33之金屬元素(M)含有率與相移層31之金屬元素(M)含有率之差較佳為30～90原子%，更佳為50～80原子%。若金屬層33與相移層31之金屬元素(M)含有率之差為60～80原子%，則可提高金屬層33與相移層31之界面於上述波長區域(365 nm之波長、或365 nm～436 nm之波長區域)下之背面反射率，從而可進一步提高背面反射率，因此較佳。金屬元素(M)含有率可使用X射線光電子分光裝置(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy(X射線光電子光譜法)或ESCA：Electron Spectroscopy for Chemical Analysis(電子光譜化學分析))進行測定。相移膜30中之相移層31之厚度例如較佳為50 nm以上且140 nm以下、進而60 nm以上且120 nm以下之範圍，但並不限定於此。就提高背面反射率之觀點而言，相移層31之厚度較佳為70 nm以上且95 nm以下，進而較佳為70 nm以上且85 nm以下。相移膜30中之金屬層33之厚度較佳為薄於相移層31之厚度。相移膜30中之金屬層33之厚度較佳為薄於反射率降低層32之厚度。相移膜30中之金屬層33之厚度視金屬(M)之種類而有所不同，例如較佳為2.5 nm以上且50 nm以下、進而2.5 nm以上且40 nm以下之範圍，但並不限定於此。以未達2.5 nm之厚度遍及基板面內均勻地成膜金屬層33實質上困難。又，若以超過50 nm之厚度成膜金屬層33，則透過率會降低，例如波長365 nm下之相移膜30之透過率可能會低於1%。就提高正面反射率之觀點而言，金屬層33之厚度較佳為較厚。就提高背面反射率之觀點而言，金屬層33之厚度為25 nm以上。就上述觀點而言，較理想為金屬層33之膜厚較佳為25 nm以上且50 nm以下，進而較佳為25 nm以上且40 nm以下。相移膜30中之反射率降低層32之厚度例如較佳為15 nm以上且40 nm以下、進而20 nm以上且35 nm以下之範圍，但並不限定於此。相移層31、金屬層33及反射率降低層32之各者較佳為於365 nm～436 nm之波長區域內具有2.0以上之折射率。若具有2.0以上之折射率，則可使獲得所需之光學特性(透過率及相位差)所需之相移膜30之膜厚薄膜化。因此，使用具備該相移膜30之相移光罩基底10而製作之相移光罩可具備具有優異之圖案剖面形狀及優異之CD均一性之相移膜圖案。折射率可使用n＆k分析儀或橢偏儀等進行測定。藉由相移層31、金屬層33之積層結構、或者相移層31、金屬層33及反射率降低層32之積層結構，對曝光之光之相移膜30之透過率及相位差具有特定之光學特性，且透過率波長依存性(透過率之變動幅度)具有特定之值。對曝光之光之相移膜30之透過率滿足作為相移膜30所需之值。對於曝光之光中所包含之特定波長(以下，稱為代表波長)之光，相移膜30之透過率較佳為1%以上且50%以下。於高透過率類型之情形時，相移膜30之透過率為15%以上且50%以下。即，於曝光之光為包含j射線(波長：313 nm)、i射線(波長：365 nm)、h射線(波長405 nm)、g射線(波長：436 nm)之複合光之情形時，相移膜30對於該波長範圍內所包含之代表波長之光具有上述透過率。又，例如，於曝光之光為包含i射線、h射線及g射線之複合光之情形時，相移膜30對i射線、h射線及g射線之任一者具有上述透過率。對曝光之光之相移膜30之相位差滿足作為相移膜30所需之值。對於曝光之光中所包含之代表波長之光，相移膜30之相位差較佳為160°～200°，更佳為170°～190°。藉此，可將曝光之光中所包含之代表波長之光之相位改變成160°～200°。因此，於透過相移膜30之代表波長之光與僅透過透明基板20之代表波長之光之間產生160～200°之相位差。即，於曝光之光為包含313 nm以上且436 nm以下之波長範圍之光之複合光之情形時，相移膜30對該波長範圍內所包含之代表波長之光具有上述相位差。例如，於曝光之光為包含i射線、h射線及g射線之複合光之情形時，相移膜30對i射線、h射線及g射線之任一者具有上述相位差。相移膜30於波長為365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性為5.5%以內。相移膜30之透過率、透過率波長依存性及相位差可藉由對構成相移膜30之相移層31及金屬層33、或者相移層31、金屬層33及反射率降低層32之各層之材料、組成及厚度進行調整而控制。因此，於實施形態1中，以相移膜30之透過率、透過率波長依存性及相位差具有上述特定之光學特性之方式調整相移層31及金屬層33、或者相移層31、金屬層33及反射率降低層32之各層之材料、組成及厚度。再者，相移膜30之透過率及透過率波長依存性主要影響相移層31及金屬層33之材料、組成及厚度。相移膜30之折射率及相位差(相移量)主要影響相移層31之材料、組成及厚度。透過率及相位差可使用相移量測定裝置等進行測定。對自相移膜30之正面側入射之光之相移膜30之正面反射率於365 nm～436 nm之波長區域內為10%以下，及/或對自相移膜30之正面側入射之光之相移膜30之正面反射率於350 nm～436 nm之波長區域內為15%以下。若相移膜30之正面反射率於365 nm～436 nm之波長區域內為10%以下及/或相移膜30之正面反射率於350 nm～436 nm之波長區域內為15%以下，則於在相移膜30上形成抗蝕劑膜並藉由雷射描繪機等進行圖案描繪時，受因描繪所使用之光與其反射光重合而產生之駐波之影響較少。因此，於圖案描繪時，可抑制相移膜30上之抗蝕劑膜圖案剖面之邊緣部分之粗糙度，從而可提高圖案精度。因此，可形成具有優異之圖案精度之相移光罩。又，對曝光之光之正面反射率會降低，故而於使用相移光罩進行圖案轉印來製造顯示裝置之情形時，可防止起因於來自顯示裝置基板之反射光之轉印圖案之模糊(光斑)或CD錯誤。相移膜30之正面反射率之變動幅度較佳為於365 nm～436 nm之波長區域內為10%以下，進而較佳為8%以下，進而較佳為5%以下，進而較佳為3%以下。又，相移膜30之正面反射率之變動幅度較佳為於350 nm～436 nm之波長區域內為12%以下，進而較佳為10%以下，進而較佳為8%以下，進而較佳為5%以下。相移膜30之對自透明基板20之背面側入射之光之背面反射率於i射線(365 nm)、h射線(405 nm)及g射線(436 nm)中之1個、較佳為2個以上之波長下，進而較佳為365 nm～436 nm之波長區域內為15%以上，更佳為18%以上，更佳為20%以上，進而較佳為30%以上。藉此，可減少因相移膜30對曝光之光進行熱吸收並熱膨脹而產生之圖案位置偏移。又，相移膜30之背面反射率之變動幅度較佳為於365 nm～436 nm之波長區域內設為20%以下，進而較佳為15%以下，進而較佳為10%以下，進而較佳為5%以下。相移膜30之正面反射率及其變動幅度可藉由對構成相移膜30之相移層31、金屬層33及反射率降低層32之各層之折射率、消光係數及厚度進行調整而控制。由於消光係數及折射率可藉由對組成進行調整而控制，故而於實施形態1中，以相移膜30之正面反射率及其變動幅度具有上述特定物性之方式調整相移層31、金屬層33及反射率降低層32之各層之材料、組成及厚度。相移膜30之背面反射率亦相同。再者，相移膜30之正面反射率及其變動幅度主要影響金屬層33及反射率降低層32之各層之材料、組成及厚度。又，相移膜30之背面反射率及其變動幅度主要影響金屬層33及相移層31之各層之材料、組成及厚度。正面反射率及背面反射率可使用分光光度計等進行測定。正面反射率之變動幅度係根據350 nm～436 nm之波長區域、或者365 nm～436 nm之波長區域內之最大反射率與最小反射率之差而求出。又，背面反射率之變動幅度係根據365 nm～436 nm之波長區域內之最大反射率與最小反射率之差而求出。相移層31可為包含組成均勻之單一膜之情形，亦可為包含組成不同之複數個膜之情形，可為包含於厚度方向上組成連續變化之單一膜之情形，亦可為包含組成不同之複數個膜並且該複數個膜分別包含於厚度方向上組成連續變化之膜之情形。金屬層33及反射率降低層32亦相同。圖2係表示相移光罩基底10之另一膜構成之模式圖。如圖2所示，相移光罩基底10亦可於透明基板20與相移膜30之間具備遮光性膜圖案40。於相移光罩基底10具備遮光性膜圖案40之情形時，遮光性膜圖案40配置於透明基板20之主表面上。遮光性膜圖案40具有阻擋曝光之光之透過之功能。形成遮光性膜圖案40之材料只要為具有阻擋曝光之光之透過之功能之材料，則並無特別限制。例如，可列舉：鉻系材料、包含上述金屬(M)(M：Zr、Mo、Ti、Ta、及W中之任一者)之材料、包含上述金屬(M)與矽(Si)之材料等。作為鉻系材料，可列舉包含鉻(Cr)、或鉻(Cr)與碳(C)及氮(N)中之至少一種之鉻化合物。此外，可列舉包含鉻(Cr)與氧(O)及氟(F)中之至少一種之鉻化合物、或包含鉻(Cr)與碳(C)及氮(N)中之至少一種、進而包含氧(O)及氟(F)中之至少一種之鉻化合物。例如，作為形成遮光性膜圖案40之材料，可列舉Cr、CrC、CrN、CrO、CrCN、CrON、CrCO、CrCON。遮光性膜圖案40可藉由蝕刻使藉由濺鍍法而成膜之遮光性膜圖案化而形成。於相移膜30與遮光性膜圖案40積層之部分，對曝光之光之光學濃度較佳為3以上，更佳為4以上，進而較佳為5以上。光學濃度可使用分光光度計或者OD(Optical Density，光學密度)計等進行測定。遮光性膜圖案40可為包含組成均勻之單一膜之情形，亦可為包含組成不同之複數個膜之情形，亦可為包含於厚度方向上組成連續變化之單一膜之情形。又，遮光性膜圖案40亦可為包含組成不同之複數個膜並且該複數個膜分別包含於厚度方向上組成連續變化之膜之情形。再者，於圖1、圖2中，相移光罩基底10亦可於相移膜30上具備抗蝕劑膜。圖3係表示相移光罩基底10之另一膜構成之模式圖。相移光罩基底10亦可為具備透明基板20、及形成於該透明基板20上之相移膜30，進而於相移膜30上形成有遮光膜45之構成。又，亦可為於遮光膜45上形成有抗蝕劑膜(省略圖示)之構成。於該情形時，作為遮光膜45，可應用與於遮光性膜圖案40中所說明之內容相同之內容。例如，作為遮光膜45之材料，可使用與形成遮光性膜圖案40之材料相同之材料。亦可視需要製成形成有用以降低對自遮光膜45之正面側入射之光之遮光膜45之膜面反射率之正面反射率降低層47之具有抗反射功能之遮光膜45。於該情形時，遮光膜45成為具備具有自相移膜30側阻擋曝光之光之透過之功能之遮光層46、及正面反射率降低層47之構成。再者，於遮光膜45具備正面反射率降低層47之情形時，較佳為具有正面反射率降低層47之膜面反射率於365 nm～436 nm之波長區域內成為10%以下、及/或正面反射率降低層47之膜面反射率於350 nm～436 nm之波長區域內成為15%以下之特性。又，亦可視需要於圖2所示之相移膜30與遮光性膜圖案40之間、圖3所示之相移膜30與遮光膜45之間或遮光膜45上形成其他功能膜。作為上述其他功能膜，可列舉蝕刻阻止膜或蝕刻光罩膜等。繼而，對實施形態1之相移光罩基底10之製造方法進行說明。相移光罩基底10係藉由進行以下之準備步驟與相移膜形成步驟而製造。以下，對各步驟詳細地進行說明。 (準備步驟) 於準備步驟中，首先準備透明基板20。透明基板20之材料只要為對所使用之曝光之光具有透光性之材料，則並無特別限制。例如，透明基板20之材料可列舉合成石英玻璃、鈉鈣玻璃、無鹼玻璃。透明基板20例如於設為不存在表面反射損耗時，對曝光之光具有85%以上之透過率、較佳為90%以上之透過率。於製造具備遮光性膜圖案40(圖2)之相移光罩基底10之情形時，於透明基板20上藉由濺鍍形成例如包含鉻系材料之遮光性膜。其後，於遮光性膜上形成抗蝕劑膜圖案，將抗蝕劑膜圖案作為遮罩對遮光性膜進行蝕刻而形成遮光性膜圖案40。其後，將抗蝕劑膜圖案剝離。該等步驟於製造存在遮光性膜圖案40之相移光罩基底10之情形時省略。 (相移膜形成步驟) 於相移膜形成步驟中，於透明基板20上藉由濺鍍形成相移膜30。此處，於在透明基板20上形成有遮光性膜圖案40(圖2)之情形時，以覆蓋遮光性膜圖案40之方式形成相移膜30。相移膜30係藉由於透明基板20之主表面上成膜相移層31，並於相移層31上成膜金屬層33而形成。或者，相移膜30係藉由於透明基板20之主表面上成膜相移層31，於相移層31上成膜金屬層33，並於金屬層33上成膜反射率降低層32而形成。相移層31及反射率降低層32之成膜係使用包含金屬(M)、金屬(M)化合物、金屬矽化物(MSi)或金屬矽化物(MSi)化合物之1個或2個以上之濺鍍靶，例如於由包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群中之至少一種之惰性氣體及包含選自由氧氣、氮氣、一氧化氮氣體、二氧化氮氣體、二氧化碳氣體、烴系氣體、氟系氣體所組成之群中之至少一種之活性氣體之混合氣體構成之濺鍍氣體環境下進行。作為烴系氣體，例如可列舉：甲烷氣體、丁烷氣體、丙烷氣體、苯乙烯氣體等。金屬層33之成膜係使用包含金屬(M)、金屬(M)化合物、金屬矽化物(MSi)或金屬矽化物(MSi)化合物之1個或2個以上之濺鍍靶，例如於包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群中之至少一種之惰性氣體環境下進行。於金屬層33包含碳之情形時，金屬層33之成膜係於由上述惰性氣體與上述烴系氣體之混合氣體構成之濺鍍氣體環境下進行。於金屬層33包含氮、氧、氟之情形時，金屬層33之成膜與上述相移層31及反射率降低層32之成膜同樣地進行。於成膜相移層31及金屬層33時或者成膜相移層31、金屬層33及反射率降低層32時，相移層31、金屬層33及反射率降低層32之各層之材料、組成及厚度是以相移膜30之透過率及相位差具有上述特定之光學特性且相移膜30之透過率波長依存性(透過率之變動幅度)具有上述特定之特性，進而相移膜30之正面反射率及其變動幅度、背面反射率及其變動幅度具有上述特定之特性之方式進行調整。相移層31、金屬層33及反射率降低層32之各層之組成可藉由濺鍍氣體之組成及流量等進行控制。相移層31、金屬層33及反射率降低層32之各層之厚度可藉由濺鍍功率、濺鍍時間等進行控制。又，於濺鍍裝置為直列型濺鍍裝置之情形時，亦可藉由基板之搬送速度控制相移層31、金屬層33及反射率降低層32之各層之厚度。於相移層31包含組成均勻之單一膜之情形時，不改變濺鍍氣體之組成及流量而將上述成膜處理僅進行1次。於相移層31包含組成不同之複數個膜之情形時，每當進行成膜處理時改變濺鍍氣體之組成及流量而將上述成膜處理進行複數次。於相移層31包含於厚度方向上組成連續變化之單一膜之情形時，一面使濺鍍氣體之組成及流量變化一面將上述成膜處理僅進行1次。於相移層31包含組成不同之複數個膜並且該複數個膜分別包含於厚度方向上組成連續變化之膜之情形時，一面使濺鍍氣體之組成及流量變化一面將上述成膜處理進行複數次。金屬層33之成膜及反射率降低層32之成膜亦相同。於將成膜處理進行複數次之情形時，可減小施加至濺鍍靶之濺鍍功率。相移層31、金屬層33及反射率降低層32較佳為使用濺鍍裝置，且不將透明基板20取出至裝置外(即不暴露於大氣中)並連續地成膜。藉由不將透明基板20取出至裝置外並連續地成膜，可防止意外之各層之表面氧化或表面碳化。各層之意外之表面氧化或表面碳化有使對針對形成於相移膜30上之抗蝕劑膜進行描繪時所使用之雷射光或將相移膜圖案轉印至形成於顯示裝置基板上之抗蝕劑膜時所使用之曝光之光之反射率變化，又，使氧化部分或碳化部分之蝕刻速率變化之虞。相移層31、金屬層33及反射率降低層32可使用直列型濺鍍裝置或集束型濺鍍裝置於不將基板曝露於大氣中之情況下連續地成膜。再者，如圖3所示，於製造於透明基板20上具備相移膜30與遮光膜45之相移光罩基底10之情形時，於藉由上述相移膜形成步驟形成相移膜30後，於相移膜30上形成遮光膜45。 (遮光膜形成步驟) 於遮光膜形成步驟中，於相移膜30上藉由濺鍍形成遮光膜45。遮光膜45係藉由在相移膜30上成膜遮光層46、視需要於遮光層46上成膜正面反射率降低層47而形成。遮光層46及正面反射率降低層47之成膜係使用包含金屬(M)、金屬(M)化合物、金屬矽化物(MSi)或金屬矽化物(MSi)化合物之1個或2個以上之濺鍍靶，例如於由包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群中之至少一種之惰性氣體與包含選自由氧氣、氮氣、一氧化氮氣體、二氧化氮氣體、二氧化碳氣體、烴系氣體、氟系氣體所組成之群中之至少一種之活性氣體之混合氣體構成之濺鍍氣體環境、或者包含上述惰性氣體之至少一種之濺鍍氣體環境下進行。作為烴系氣體，例如可列舉：甲烷氣體、丁烷氣體、丙烷氣體、苯乙烯氣體等。於成膜遮光層46及正面反射率降低層47時，遮光層46、正面反射率降低層47之各層之材料、組成及厚度係以於相移膜30與遮光膜45積層之部分，對曝光之光之光學濃度或膜面反射率具有上述特定之光學特性之方式進行調整。遮光層46、正面反射率降低層47各層之組成可藉由濺鍍氣體之組成及流量等進行控制。遮光層46、正面反射率降低層47之各層之厚度可藉由濺鍍功率、濺鍍時間等進行控制。又，於濺鍍裝置為直列型濺鍍裝置之情形時，亦可藉由基板之搬送速度控制遮光層46及正面反射率降低層47之各層之厚度。於遮光層46及正面反射率降低層47之各層包含組成之均勻之單一膜之情形時，不改變濺鍍氣體之組成及流量而將上述成膜處理僅進行1次。於遮光層46及正面反射率降低層47之各層包含組成不同之複數個膜之情形時，每當進行成膜處理時，改變濺鍍氣體之組成及流量而將上述成膜處理進行複數次。於遮光層46及正面反射率降低層47之各層包含於厚度方向上組成連續變化之單一膜之情形時，一面使濺鍍氣體之組成及流量變化，一面將上述成膜處理僅進行1次。於遮光層46及正面反射率降低層47之各層包含組成不同之複數個膜並且該複數個膜分別包含於厚度方向上組成連續變化之膜之情形時，一面使濺鍍氣體之組成及流量變化，一面將上述成膜處理進行複數次。遮光層46及正面反射率降低層47可使用直列型濺鍍裝置或集束型濺鍍裝置於不將基板曝露於大氣中之情況下連續地成膜。再者，於製造具備抗蝕劑膜之相移光罩基底10之情形時，繼而於遮光膜上形成抗蝕劑膜。實施形態1之相移光罩基底10具有相移層31與金屬層33作為相移膜30，因此相位差及透過率滿足特定之光學特性，並且於365 nm以上且436 nm以下之波長範圍內，透過率波長依存性優異(5.5%以內)。進而，具有具備相移層31、金屬層33、反射率降低層32之相移膜30之相移光罩基底10之相位差及透過率滿足特定之光學特性，並且於365 nm以上且436 nm以下之波長範圍內，透過率波長依存性優異(5.5%以內)，並且正面反射率特性亦優異(10%以下)，背面反射率特性亦優異。 (實施形態2) 於實施形態2中，對使用實施形態1之相移光罩基底10之相移光罩之製造方法進行說明。實施形態2包含實施形態2-1與實施形態2-2。實施形態2-1係使用於透明基板20上形成有相移膜30與抗蝕劑膜之相移光罩基底10之相移光罩之製造方法。實施形態2-2係使用於透明基板20上形成有相移膜30、遮光膜45及抗蝕劑膜之相移光罩基底10之相移光罩之製造方法。實施形態2-1之相移光罩之製造方法係藉由進行以下之抗蝕劑膜圖案形成步驟與相移膜圖案形成步驟而製造相移光罩。又，實施形態2-2之相移光罩之製造方法係藉由進行以下之抗蝕劑膜圖案形成步驟、遮光膜圖案形成步驟及相移膜圖案形成步驟而製造相移光罩。以下，對各步驟詳細地進行說明。 (抗蝕劑膜圖案形成步驟) 於抗蝕劑膜圖案形成步驟中，首先，於圖1或圖2中所說明之實施形態1之相移光罩基底10之相移膜30上形成抗蝕劑膜。所使用之抗蝕劑膜材料並無特別限制。抗蝕劑膜材料例如使用對具有選自下述350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光感光者，或使用對具有選自365 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光感光者。又，抗蝕劑膜為正型、負型均可。其後，使用具有選自350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光、或者具有選自365 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光，於抗蝕劑膜描繪特定之圖案。作為描繪於抗蝕劑膜之圖案，可列舉線與間隙圖案或孔圖案。其後，利用特定之顯影液對抗蝕劑膜進行顯影，而於相移膜30上形成抗蝕劑膜圖案。再者，於相移光罩基底10已經於相移膜30上具備抗蝕劑膜之情形時，省略上述於相移膜30上形成抗蝕劑膜之步驟。 (遮光膜圖案形成步驟) 於實施形態2-2之相移光罩之製造方法中之遮光膜圖案形成步驟中，將抗蝕劑膜圖案作為遮罩對遮光膜45(圖3)進行蝕刻而形成遮光膜圖案。對遮光膜45進行蝕刻之蝕刻介質(蝕刻溶液、蝕刻氣體)只要為可選擇性地對構成遮光膜45之遮光層46、正面反射率降低層47之各者進行蝕刻者，則並無特別限制。具體而言，例如作為對金屬矽化物系材料進行濕式蝕刻之蝕刻液，可列舉：包含選自氫氟酸、氫氟矽酸、及氟化氫銨中之至少一種氟化合物與選自過氧化氫、硝酸、及硫酸中之至少一種氧化劑之蝕刻液、或包含過氧化氫、氟化銨及選自磷酸、硫酸、硝酸中之至少一種氧化劑之蝕刻液。作為對金屬矽化物系材料層進行乾式蝕刻之蝕刻氣體，可列舉：氟系氣體、氯系氣體。作為氟系氣體，例如可列舉：四氟化碳氣體(CF₄ )、三氟甲烷氣體(CHF₃ )、六氟化硫氣體(SF₆ )或於該等氣體中混合有氧氣(O₂ )者。又，例如，作為對鉻系材料進行濕式蝕刻之蝕刻液，可列舉：包含硝酸鈰銨與過氯酸之蝕刻溶液或包含氯氣與氧氣之混合氣體之蝕刻氣體。 (相移膜圖案形成步驟) 於相移膜圖案形成步驟中，於實施形態2-1之相移光罩之製造方法中，首先，將抗蝕劑膜圖案作為遮罩對相移膜30進行蝕刻，形成相移膜圖案。另一方面，於實施形態2-2之相移光罩之製造方法中，將抗蝕劑膜圖案作為遮罩對遮光膜45進行蝕刻，形成遮光膜圖案，然後將遮光膜圖案作為遮罩對相移膜30進行蝕刻，形成相移膜圖案。對相移膜30進行蝕刻之蝕刻介質(蝕刻溶液、蝕刻氣體)只要為可選擇性地對構成相移膜30之相移層31、金屬層33及反射率降低層32之各者進行蝕刻者，則並無特別限制。具體而言，例如，作為對金屬矽化物系材料進行濕式蝕刻之蝕刻液，可列舉：包含選自氫氟酸、氫氟矽酸、及氟化氫銨中之至少一種氟化合物與選自過氧化氫、硝酸、及硫酸中之至少一種氧化劑之蝕刻液、或包含過氧化氫、氟化銨及選自磷酸、硫酸、硝酸中之至少一種氧化劑之蝕刻液。作為對金屬矽化物系材料層進行乾式蝕刻之蝕刻氣體，可列舉：氟系氣體、氯系氣體。作為氟系氣體，例如可列舉：四氟化碳氣體(CF₄ )、三氟甲烷氣體(CHF₃ )、六氟化硫氣體(SF₆ )或於該等氣體中混合有氧氣(O₂ )者。又，例如，作為對鉻系材料進行濕式蝕刻之蝕刻液，可列舉：包含硝酸鈰銨與過氯酸之蝕刻溶液或包含氯氣與氧氣之混合氣體之蝕刻氣體。其後，使用抗蝕劑剝離液或藉由灰化將抗蝕劑膜圖案剝離。於實施形態2-2之相移光罩之製造方法中，亦可藉由對遮光膜45進行蝕刻之蝕刻介質將遮光膜圖案去除，或於在相移膜圖案上形成具有與該相移膜圖案尺寸不同之圖案尺寸之遮光膜圖案之情形時，再次於遮光膜圖案上形成抗蝕劑膜圖案後，將抗蝕劑膜圖案作為遮罩進行遮光膜圖案形成步驟。實施形態2之相移光罩具有相移層31與金屬層33作為相移膜30，因此於滿足相位差及透過率之特定之光學特性之基礎上，於365 nm以上且436 nm以下之波長範圍內，透過率波長依存性優異(5.5%以內)。進而，具有具備相移層31、金屬層33、反射率降低層32之相移膜30之相移光罩基底10於滿足相位差及透過率之特定之光學特性之基礎上，於365 nm以上且436 nm以下之波長範圍內，透過率波長依存性優異(5.5%以內)，並且正面反射率特性亦優異(10%以下)，背面反射率特性亦優異。又，與相移光罩之特性優異對應地，具有可提高轉印至顯示裝置基板上之轉印圖案之解析度之特性。 (實施形態3) 於實施形態3中，對顯示裝置之製造方法進行說明。顯示裝置係藉由進行以下之光罩載置步驟與圖案轉印步驟而製造。以下，對各步驟詳細地進行說明。 (載置步驟) 於載置步驟(配置步驟)中，將於實施形態2中製造之相移光罩載置(配置)於曝光裝置之光罩載置台。此處，相移光罩係以其圖案形成面側介隔曝光裝置之投影光學系統與形成於顯示裝置基板上之抗蝕劑膜對向之方式配置。 (圖案轉印步驟) 於圖案轉印步驟中，對相移光罩照射曝光之光，將相移膜圖案轉印至形成於顯示裝置基板上之抗蝕劑膜。曝光之光係包含選自365 nm～436 nm之波長區域中之複數個波長之光之複合光、包含選自313 nm～436 nm之波長區域中之複數個波長之光之複合光或利用濾光片等自313 nm～436 nm之波長區域截斷某波長區域所選擇之單色光。例如，曝光之光係包含i射線、h射線及g射線之複合光或包含j射線、i射線、h射線及g射線之混合光或i射線之單色光。若使用複合光作為曝光之光，則可提高曝光之光強度而提高產出量，故而可降低顯示裝置之製造成本。根據實施形態3之顯示裝置之製造方法，可製造高解析度、高清之顯示裝置。例如，可形成微細圖案(例如1.8 μm之接觸孔)。 (實施形態4) 於實施形態4中，對相移光罩基底之具體之態樣例進行說明。如上所述，本發明者得知，於包含3層積層膜之相移膜中，藉由自透明基板側依序將特定之相移層(例如，ZrSiON、MoSiON、TiSiON等)、特定之金屬層(中間層)(例如ZrSi、MoSi、TiSi等)、及特定之反射率降低層(例如，ZrSiON、MoSiON、TiSiON、CrO、CrOCN、CrON等)進行組合，可兼具如下所有功能：減小特定之透過率波長依存性(功能1)(例如可減小至5.5%以內)，可降低正面反射率(功能2)，並且可減小正面反射率(例如10%以下)(功能3)，可控制背面反射率(功能4)。此外，得知可兼具高透過率之特性(功能5)。作為上述代表性之例，可列舉自透明基板側依序設為包含ZrSiON之相移層/包含ZrSi之金屬層/包含ZrSiON之反射率降低層之3層構成之相移膜。又，可列舉自透明基板側依序設為包含MoSiON之相移層/包含MoSi之金屬層/包含MoSiON之反射率降低層之3層構成之相移膜。將該等作為基本，並利用作為可於各層中選擇之材料而於上文中列出之材料將各層之材料替換後之態樣包含於本發明中。再者，本發明者得知，於自透明基板側依序設為包含ZrSiON之相移層/包含ZrSi之金屬層/包含ZrSiON之反射率降低層之3層構成之相移膜中，若使包含ZrSi之金屬層之膜厚變薄(例如設為2.5 nm以上且未達20 nm、例如10 nm)，則透過率雖會上升，但反射率亦會上升。並且得知，若提高反射率之容許範圍(例如，將上限提高至「20%以下」)，則透過率可至45%左右。本發明者得知，於維持低反射率之範圍(例如10%以下)之情形時，高透過率可至30%左右。於維持低反射率之範圍(例如10%以下)之情形時，包含ZrSi之金屬層之膜厚例如為20 nm以上且35 nm以下較為合適。又，本發明者得知，例如於上述ZrSi系之3層構成之相移膜中，若使包含ZrSi之金屬層之膜厚變厚(例如40～60 nm)，則可實現通常之透過率(3%以上且未達15%、尤其是3%以上且12%以下)或低透過率(1%以上且未達3%)。再者，例如，於自透明基板側依序設為包含ZrSiON之相移層/包含ZrSi之金屬層/包含ZrSiON之反射率降低層之3層構成之相移膜中，於提高包含ZrSiON之相移層之氧化度之情形時，變成高透過率(透過率提高)。又，例如，於上文中，於提高包含ZrSiON之相移層之透過率之情形(調整為高透過率之情形)時，該部分成為高透過率。又，此時，可與透過率上升之量相應地增厚包含ZrSi之金屬層之膜厚。又，本發明者得知，例如於自透明基板側依序設為包含ZrSiON之相移層/包含ZrSi之金屬層/包含ZrSiON之反射率降低層之3層構成之相移膜中，若將反射率降低層自ZrSiON替換成CrOCN或MoSiON，則可控制為通常之透過率(例如6%左右)。如上所述，本發明者得知，藉由包含ZrSiON之相移層、包含ZrSiON之反射率降低層、及包含ZrSi之金屬層之組合，可獲得透過率為15%以上而為高透過率，且特定之透過率波長依存性小於4.0%而透過率波長依存性格外優異之相移膜。於本發明中，包含上述包含ZrSi之材料之層(適當稱為ZrSi系之層)為2層、ZrSi系之層為3層、ZrSi系之層為多層之積層結構之相移膜。其他金屬矽化物系材料層亦相同。於ZrSi系之層為多層之積層結構之相移膜之情形時，ZrSi系材料具有耐化學品性、濕式蝕刻速度較高、圖案剖面形狀亦良好之優勢。再者，要求將波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率設為2%以下、進而透過率設為未達2%且1%以上之低透過率之相移層。例如，即便相移層之透過率為6%左右，亦會因透過相移光罩中之相移部之曝光之光而導致抗蝕劑感光，從而抗蝕劑相應地減少。相對於此，藉由達成上述要求，可進一步降低透過相移光罩中之相移部之曝光之光所導致之形成於被轉印體之抗蝕劑膜之減膜所產生之影響。於本發明中，得知於上述2層以上之相移層、或者上述3層構成之相移層中，例如藉由控制金屬層之厚度或者將相移層或反射率降低層變更為透過率較低之材料，可達成上述要求。於本發明中，於自透明基板側依序設為包含ZrSiON之相移層/包含ZrSi之金屬層之2層構成之相移層、或者自透明基板側依序設為包含ZrSiON之相移層/包含ZrSi之金屬層/包含ZrSiON之反射率降低層之3層構成之相移層中(存在分別於說明書中略記為ZiSi系2層、ZiSi系3層之情形)，於將金屬層自ZrSi替換成TiSi之情形時，可實現與上述相同之情況。於將金屬層自ZrSi替換成MoSi之材料之情形時，亦可實現與上述相同之情況。於本發明中，於在上述ZiSi系2層或ZiSi系3層中將金屬層自ZrSi替換成MoSi之情形時，可實現與上述相同之情況。但是，金屬層之蝕刻速度會變化。於本發明中，於在上述ZiSi系2層或ZiSi系3層中將反射率降低層自ZrSiON替換成MoSiON之情形時，雖無法維持高透過率，但可獲得通常之透過率。其他方面可與上述相同。 [實施例] 以下，基於實施例及比較例，對本發明更具體地進行說明。再者，以下之實施例1、2係本發明之一例，且並不限定本發明。實施例1包含實施例1-1～1-3。 (實施例1-1) (相移光罩基底) 於實施例1-1中，對QZ(透明基板)/ZrSiON/ZrSi/ZrSiON之構成之相移光罩基底進行說明。實施例1-1之相移光罩基底中之相移膜係由自透明基板側依序配置之相移層(ZrSiON、膜厚73 nm)、金屬層(ZrSi、膜厚30 nm)及反射率降低層(ZrSiON、膜厚30 nm)構成。作為透明基板，使用大小為800 mm×920 mm、厚度為10 mm之合成石英玻璃基板(QZ)。透明基板之兩主表面經鏡面研磨。以下之實施例、比較例中使用之透明基板之兩主表面亦同樣地經鏡面研磨。於透明基板上積層有相移層、金屬層、反射率降低層之相移膜於波長365 nm下之折射率為2.55，於波長365 nm下之消光係數為0.127。再者，相移膜之折射率及消光係數係使用n＆k Technology公司製造之n＆k Analyzer 1280(商品名)進行測定。相移層(ZrSiON)之各元素之含有率係Zr為22原子%，Si為22原子%，O為14原子%，N為42原子%。金屬層(ZrSi)之各元素之含有率係Zr為50原子%，Si為50原子%。反射率降低層(ZrSiON)之各元素之含有率係Zr為17原子%，Si為17原子%，O為20原子%，N為46原子%。再者，上述各元素之含有率係藉由X射線光電子分光法(XPS)進行測定。於以下之實施例、比較例中，元素之含有率之測定分別使用相同之裝置。相移膜藉由上述3層結構，透過率於365 nm之波長下為19.2%，於405 nm之波長下為21.7%，於436 nm之波長下為23.1%。又，該相移膜之透過率之變動幅度(透過率波長依存性)於365 nm～436 nm之波長區域內為3.9%。相移膜之相位差藉由上述3層結構，於365 nm之波長下為199.7°，於405 nm之波長下為174.2°，於436 nm之波長下為160.3°。又，該相移膜之相位差之變動幅度於365 nm～436 nm之波長區域內為39.4°。圖4表示實施例1-1之相移光罩基底之相移膜之透過率光譜。再者，透過率及相位差係使用Lasertec公司製造之MPM-100(商品名)進行測定。於以下之實施例、比較例中，透過率或相位差之測定分別使用相同之裝置。再者，實施例、比較例中之透過率之值均為Air基準之值。相移膜之正面反射率於350 nm之波長下為10.5%，於365 nm之波長下為7.9%，於405 nm之波長下為6.3%，於413 nm之波長下為6.2%，於436 nm之波長下為5.7%。又，該相移膜之正面反射率之變動幅度於365 nm～436 nm之波長區域內為2.2%。又，該相移膜之正面反射率之變動幅度於350 nm～436 nm之波長區域內為4.8%。圖5表示實施例1-1之相移光罩基底之相移膜之正面反射率光譜。再者，正面反射率係使用島津製作所公司製造之So1idSpec-3700(商品名)進行測定。於以下之實施例、比較例中，正面反射率之測定分別使用相同之裝置。相移膜之背面反射率於365 nm之波長下為24.5%，於405 nm之波長下為40.2%，於436 nm之波長下為44.4%。又，該相移膜之背面反射率之變動幅度於365 nm～436 nm之波長區域內為20.0%。圖6表示實施例1-1之相移光罩基底之相移膜之背面反射率光譜。再者，背面反射率係使用島津製作所公司製造之So1idSpec-3700(商品名)進行測定。於以下之實施例、比較例中，背面反射率之測定分別使用相同之裝置。 (相移光罩基底之製造) 實施例1-1之相移光罩基底係藉由以下之方法製造。首先，準備作為透明基板之合成石英玻璃基板。其後，將透明基板搬入至濺鍍裝置之濺鍍室中。其後，對配置於濺鍍室中之ZrSi靶(Zr：Si＝1：2)(原子(%)比)施加5.0 kW之濺鍍功率，一面將氬氣(Ar)、氧氣(O₂ )及氮氣(N₂ )之混合氣體導入至濺鍍室內，一面於透明基板之主表面上成膜包含ZrSiON之膜厚73 nm之相移層。此處，混合氣體係以Ar成為50 sccm、O₂ 成為5 sccm、N₂ 成為50 sccm之流量之方式導入至濺鍍室內。其後，對ZrSi靶(Zr：Si＝1：2)(原子(%)比)施加2.0 kW之濺鍍功率，一面將氬氣(Ar)導入至濺鍍室內，一面於相移層上成膜包含ZrSi之膜厚30 nm之金屬層。此處，氬氣(Ar)係以成為100 sccm之流量之方式導入至濺鍍室內。其後，對ZrSi靶(Zr：Si＝1：2)(原子(%)比)施加5.0 kW之濺鍍功率，一面將氬氣(Ar)、氧氣(O₂ )與氮氣(N₂ )之混合氣體導入至濺鍍室內，一面於金屬層上成膜包含ZrSiON之膜厚30 nm之反射率降低層。此處，混合氣體係以Ar成為50 sccm、O₂ 成為10 sccm、N₂ 成為50 sccm之流量之方式導入至濺鍍室內。其後，將形成有由相移層(ZrSiON、膜厚73 nm)、金屬層(ZrSi、膜厚30 nm)及反射率降低層(ZrSiON、膜厚30 nm)構成之相移膜之透明基板自濺鍍裝置中取出並進行洗淨。 (相移光罩之製造) 使用上述相移光罩基底，並藉由以下之方法製造相移光罩。首先，於上述相移光罩基底之相移膜上形成包含酚醛清漆系之正型光阻之抗蝕劑膜。此時，對相移膜實施HMDS(hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)處理後，形成抗蝕劑膜。其後，藉由雷射描繪機，並使用波長413 nm之雷射光於抗蝕劑膜描繪特定之圖案(1.8 μm之線與間隙圖案)。其後，利用特定之顯影液對抗蝕劑膜進行顯影而於相移膜上形成抗蝕劑膜圖案。此時，並未確認到認為原因在於駐波之影響之抗蝕劑膜圖案剖面之邊緣部分之粗糙度之惡化。其後，將抗蝕劑膜圖案作為遮罩對相移膜進行蝕刻，而形成相移膜圖案。構成相移膜之相移層、金屬層及反射率降低層之各者係由包含鋯(Zr)與矽(Si)之鋯矽化物系材料形成。因此，相移層、金屬層及反射率降低層可藉由相同之蝕刻溶液進行蝕刻。此處，作為對相移膜進行蝕刻之蝕刻溶液，使用利用純水將過氧化氫、氟化銨及磷酸之混合溶液稀釋後之鋯矽化物蝕刻溶液。其後，使用抗蝕劑剝離液將抗蝕劑膜圖案剝離。使用上述相移光罩基底而製造之相移光罩之相移膜圖案剖面為不會影響光罩特性之程度者。再者，相移光罩之相移膜圖案剖面係使用電子顯微鏡(日本電子股份有限公司製造之JSM7401F(商品名))進行觀察。於以下之實施例、比較例中，相移膜圖案剖面之觀測分別使用相同之裝置。使用上述相移光罩基底而製造之相移光罩之相移膜圖案之CD差異為55 nm而良好。CD差異係距設為目標之線與間隙圖案(線圖案之寬度＝1.8 μm、間隙圖案之寬度：1.8 μm)之偏移幅度。再者，相移光罩之相移膜圖案之CD差異係使用Seiko Instruments Nano Technology公司製造之SIR8000進行測定。於以下之實施例、比較例中，相移膜圖案之CD差異之測定分別使用相同之裝置。上述相移光罩基底及相移光罩即便於滿足相位差及透過率之特定之光學特性並且於波長365 nm下設為高透過率(19.2%)之情形時，於365 nm以上且436 nm以下之波長範圍內，透過率波長依存性亦優異(4.0%)，並且正面反射率特性亦優異(7.9%以下)，背面反射率特性亦優異(24.5%以上)而兼具各特性。又，確認到與相移光罩之特性優異對應地，圖案轉印時之位置偏移亦被抑制，並且轉印至顯示裝置基板上之轉印圖案之解析度提高，圖案線寬為1.8 μm之線與間隙圖案於未產生CD錯誤之情況下被轉印。再者，顯示裝置之製造步驟中之使用相移光罩之圖案轉印步驟設為開口數(NA)為0.1之等倍曝光之投影曝光，並且曝光之光設為包含i射線、h射線及g射線之複合光。以下，實施例1-2、1-3、實施例2、比較例1中之顯示裝置之製造步驟係於該曝光條件下進行。 (實施例1-2) (相移光罩基底) 於實施例1-2中，對QZ/ZrSiON/MoSi/ZrSiON之構成之相移光罩基底進行說明。於實施例1-2中，僅金屬層與實施例1-1之相移光罩基底不同。實施例1-2之相移光罩基底中之相移膜係由自透明基板側依序配置之相移層(ZrSiON、膜厚73 nm)、金屬層(MoSi、膜厚10 nm)及反射率降低層(ZrSiON、膜厚30 nm)構成。相移層(ZrSiON)及反射率降低層(ZrSiON)之各元素之含有率之值與實施例1-1相同。金屬層(MoSi)之各元素之含有率係Mo為33原子%，Si為67原子%。相移膜藉由上述3層結構，透過率與實施例1-1相比降低，於通常之透過率3%～10%之範圍內，該相移膜之透過率之變動幅度(透過率波長依存性)於365 nm～436 nm之波長區域內為5.5%以內。相移膜藉由上述3層結構，相位差於365 nm之波長下為160°～200°之範圍內。又，相移膜之正面反射率於365 nm～436 nm之波長區域內為10%以下。進而，相移膜之正面反射率於350 nm～436 nm之波長區域內為15%以下。又，相移膜之背面反射率亦於365 nm～436 nm之波長區域內為20%以上。 (相移光罩基底及相移光罩之製造) 於實施例1-2中，於金屬層之成膜時，對MoSi靶(Mo：Si＝1：2)(原子(%)比)施加1.5 kW之濺鍍功率，一面將氬氣(Ar)導入至濺鍍室內，一面於相移層上成膜包含MoSi之膜厚10 nm之金屬層。此處，將氬氣(Ar)以成為120 sccm之流量之方式導入至濺鍍室內。可藉由其他方面與實施例1-1相同之方法製造實施例1-2之相移光罩基底及相移光罩。使用上述相移光罩基底而製造之相移光罩之相移膜圖案之CD差異為62 nm而良好。上述相移光罩基底及相移光罩滿足相位差及透過率之特定之光學特性，且透過率波長依存性優異，並且正面反射率特性、背面反射率特性亦優異而兼具各特性。又，確認到與相移光罩之特性優異對應地，圖案轉印時之位置偏移亦被抑制，並且轉印至顯示裝置基板上之轉印圖案之解析度提高，圖案線寬為1.8 μm之線與間隙圖案於未產生CD錯誤之情況下被轉印。 (實施例1-3) 於實施例1-3中，對包含QZ/ZrSiON/ZrSi/Cr系材料之遮光膜之構成之相移光罩基底進行說明。實施例1-3之相移光罩基底與實施例1-1之相移光罩基底不同之處在於製成未形成反射率降低層之相移膜，且於該相移膜上形成有具有抗反射功能之包含Cr系材料之遮光膜。即，實施例1-3之相移光罩基底中之相移膜係由自透明基板側依序配置之相移層(ZrSiON、膜厚130 nm)與金屬層(MoSi、膜厚10 nm)構成。又，形成於相移膜上之包含Cr系材料之遮光膜設為包含CrN(膜厚25 nm)/CrCN(膜厚70 nm)/CrON(膜厚25 nm)之具有抗反射功能之遮光膜。該遮光膜藉由CrN/CrCN/CrON之積層結構，遮光膜之膜面反射率於雷射描繪光之波長413 nm下為10%以下。相移膜藉由上述2層結構，透過率於波長365 nm下約為12%，相移膜之透過率之變動幅度(透過率波長依存性)於365 nm～436 nm之波長區域內為5.5%以內。相移膜藉由上述2層結構，相位差於365 nm之波長下為160°～200°之範圍內。又，於實施例1-3之相移光罩基底中，相移膜之正面反射率於雷射描繪光之波長413 nm下為10%以下，相移膜之背面反射率於365 nm～436 nm之波長區域內為18%以上。 (相移光罩之製造) 使用上述相移光罩基底並藉由以下之方法製造相移光罩。首先，於上述相移光罩基底之遮光膜上形成包含酚醛清漆系之正型光阻之抗蝕劑膜。其後，藉由雷射描繪機，並使用波長413 nm之雷射光於抗蝕劑膜描繪特定之圖案(1.8 μm之線與間隙圖案)。其後，利用特定之顯影液對抗蝕劑膜進行顯影，而於遮光膜上形成抗蝕劑膜圖案。此時，未確認到認為原因在於駐波之影響之抗蝕劑膜圖案剖面之邊緣部分之粗糙度之惡化。其後，將抗蝕劑膜圖案作為遮罩並利用包含硝酸鈰銨與過氯酸之鉻蝕刻溶液對遮光膜進行蝕刻，而形成遮光膜圖案，其後，將遮光膜圖案作為遮罩並使用實施例1-1之鋯矽化物蝕刻溶液進行蝕刻，而形成相移膜圖案。其後，使用抗蝕劑剝離液將抗蝕劑膜圖案剝離，進而，使用鉻蝕刻溶液將遮光膜圖案剝離。使用上述相移光罩基底而製造之相移光罩之相移膜圖案之CD差異為56 nm而良好。上述相移光罩基底及相移光罩滿足相位差及透過率之特定之光學特性且透過率波長依存性優異，並且背面反射率特性亦優異而兼具各特性。又，確認到與相移光罩之特性優異對應地，圖案轉印時之位置偏移亦被抑制，並且轉印至顯示裝置基板上之轉印圖案之解析度提高，圖案線寬為1.8 μm之線與間隙圖案於未產生CD錯誤之情況下被轉印。 (實施例2) 於實施例2中，對QZ/MoSiON/MoSi/MoSiON之構成之相移光罩基底進行說明。實施例2之相移光罩基底中之相移膜係由自透明基板側依序配置之相移層(MoSiON、膜厚100 nm)、金屬層(MoSi、膜厚10 nm)及反射率降低層(MoSiON、膜厚50 nm)構成。於透明基板上積層有相移層、金屬層、反射率降低層之相移膜於波長365 nm下之折射率為2.06，於波長365 nm下之消光係數為0.354。相移層(MoSiON)之各元素之含有率係Mo為30原子%，Si為20原子%，O為20原子%，N為30原子%。金屬層(MoSi)之各元素之含有率係Mo為33原子%，Si為67原子%。反射率降低層(MoSiON)之各元素之含有率係Mo為30原子%，Si為20原子%，O為30原子%，N為20原子%。相移膜藉由上述3層結構，透過率於365 nm之波長下為4.7%，於405 nm之波長下為7.0%，於436 nm之波長下為8.8%。又，該相移膜之透過率之變動幅度(透過率波長依存性)於365 nm～436 nm之波長區域內為4.1%。圖7表示實施例2之相移光罩基底之相移膜之透過率光譜。相移膜藉由上述3層結構，相位差於365 nm之波長下為177.1°，於405 nm之波長下為159.0°，於436 nm之波長下為147.3°。又，該相移膜之相位差之變動幅度於365 nm～436 nm之波長區域內為29.8°。相移膜之正面反射率於350 nm之波長下為4.1%，於365 nm之波長下為3.0%，於405 nm之波長下為2.4%，於413 nm之波長下為2.6%，於436 nm之波長下為3.5%。又，該相移膜之正面反射率之變動幅度於365 nm～436 nm之波長區域內為1.1%。又，該相移膜之正面反射率之變動幅度於350 nm～436 nm之波長區域內為1.7%。圖8表示實施例2之相移光罩基底之相移膜之正面反射率光譜。圖9表示實施例2之相移光罩基底之相移膜之背面反射率光譜。相移膜之背面反射率於365 nm之波長下為19.6%，於405 nm之波長下為23.0%，於436 nm之波長下為23.6%。又，該相移膜之背面反射率之變動幅度於365 nm～436 nm之波長區域內為3.9%。實施例2之相移光罩基底係藉由以下之方法而製造。首先，準備作為透明基板之合成石英玻璃基板。透明基板之兩主表面經鏡面研磨。其後，將透明基板搬入至濺鍍裝置之濺鍍室中。其後，對配置於濺鍍室中之MoSi靶(Mo：Si＝1：4)(原子(%)比)施加5.0 kW之濺鍍功率，一面將氬氣(Ar)、氧氣(O₂ )及氮氣(N₂ )之混合氣體導入至濺鍍室內，一面於透明基板之主表面上成膜包含MoSiON之膜厚100 nm之相移層。此處，混合氣體係以Ar成為60 sccm、O₂ 成為40 sccm、N₂ 成為50 sccm之流量之方式導入至濺鍍室內。其後，對MoSi靶(Mo：Si＝1：2)(原子(%)比)施加6.0 kW之濺鍍功率，一面將氬氣(Ar)導入至濺鍍室內，一面於相移層上成膜包含MoSi之膜厚10 nm之金屬層。此處，氬氣(Ar)係以成為100 sccm之流量之方式導入至濺鍍室內。其後，對MoSi靶(Mo：Si＝1：4)(原子(%)比)施加5.0 kW之濺鍍功率，一面將氬氣(Ar)、氧氣(O₂ )及氮氣(N₂ )之混合氣體導入至濺鍍室內，一面於金屬層上成膜包含MoSiON之膜厚50 nm之反射率降低層。此處，混合氣體係以Ar成為50 sccm、O₂ 成為50 sccm、N₂ 成為60 sccm之流量之方式導入至濺鍍室內。其後，將形成有由相移層(MoSiON、膜厚100 nm)、金屬層(MoSi、膜厚10 nm)及反射率降低層(MoSiON、膜厚50 nm)構成之相移膜之透明基板自濺鍍裝置中取出並進行洗淨。使用上述相移光罩基底並藉由以下之方法製造相移光罩。首先，於上述相移光罩基底之相移膜上形成包含酚醛清漆系之正型光阻之抗蝕劑膜。此時，對相移膜實施HMDS處理後形成抗蝕劑膜。其後，藉由雷射描繪機，並使用波長413 nm之雷射光於抗蝕劑膜描繪特定之圖案(1.8 μm之線與間隙圖案)。其後，利用特定之顯影液對抗蝕劑膜進行顯影，而於相移膜上形成抗蝕劑膜圖案。此時，未確認到認為原因在於駐波之影響之抗蝕劑膜圖案剖面之邊緣部分之粗糙度之惡化。其後，將抗蝕劑膜圖案作為遮罩對相移膜進行蝕刻而形成相移膜圖案。構成相移膜之相移層、金屬層及反射率降低層之各者係由包含鉬(Mo)與矽(Si)之鉬矽化物系材料形成。因此，相移層、金屬層及反射率降低層可藉由相同之蝕刻溶液進行蝕刻。此處，作為對相移膜進行蝕刻之蝕刻溶液，使用利用純水將氟化氫銨與過氧化氫之混合溶液稀釋後之鉬矽化物蝕刻溶液。其後，使用抗蝕劑剝離液將抗蝕劑膜圖案剝離。使用上述相移光罩基底而製造之相移光罩之相移膜圖案剖面係不會影響光罩特性之程度者。使用上述相移光罩基底而製造之相移光罩之相移膜圖案之CD差異為63 nm而良好。CD差異係距設為目標之線與間隙圖案(線圖案之寬度：1.8 μm 間隙圖案之寬度：1.8 μm)之偏移幅度。上述相移光罩基底及相移光罩滿足相位差及透過率之特定之光學特性，並且於365 nm以上且436 nm以下之波長範圍內，透過率波長依存性優異(4.1%)，並且正面反射率特性亦優異(3.5%以下)，背面反射率特性亦優異(19.64%以上)而兼具各特性。又，確認到與相移光罩之特性優異對應地，圖案轉印時之位置偏移亦被抑制，並且轉印至顯示裝置基板上之轉印圖案之解析度提高，圖案線寬為1.8 μm之線與間隙圖案於未產生CD錯誤之情況下被轉印。 (比較例1) 比較例1之相移光罩基底中之相移膜僅由相移層(CrOCN、膜厚122 nm)構成。比較例1之相移光罩基底與上述實施例之相移光罩基底不同之處在於相移膜不具備金屬層與反射率降低層。比較例1之相移光罩基底中之相移膜係藉由以下之成膜條件而成膜。相移膜(CrOCN)之各元素之含有率係Cr為44原子%，C為8原子%，O為30原子%，N為18原子%。相移膜之透過率於365 nm之波長下為4.6%，於405 nm之波長下為8.0%，於436 nm之波長下為11.0%。又，相移膜之透過率之變動幅度(透過率波長依存性)於365 nm～436 nm之波長區域內為6.4%。相移膜藉由上述1層結構，相位差於365 nm之波長下為179.6°，於405 nm之波長下為164.7°，於413 nm波長下為161.7°，於436 nm之波長下為153.1°。又，該相移膜之相位差之變動幅度於365 nm～436 nm之波長區域內為26.5°。圖10表示比較例1之相移光罩基底之相移膜之透過率光譜。又，相移膜之正面反射率於365 nm之波長下為24.0%，於405 nm之波長下為25.1%，於413 nm之波長下為25.3%，於436 nm之波長下為26.0%。又，相移膜之正面反射率之變動幅度於365 nm～436 nm之波長區域內為2.0%。圖11表示比較例1之相移光罩基底中之相移膜之正面反射率光譜。又，相移膜之背面反射率於365 nm之波長下為17.9%，於405 nm之波長下為19.9%，於436 nm之波長下為20.3%。又，相移膜之背面反射率之變動幅度於365 nm～436 nm之波長區域內為2.4%。圖12表示比較例1之相移光罩基底中之相移膜之背面反射率光譜。 (相移光罩基底之製造) 比較例1之相移光罩基底係藉由以下之方法而製造。首先，準備作為透明基板之合成石英玻璃基板。其後，將透明基板搬入至濺鍍裝置之濺鍍室中。其後，對配置於濺鍍室中之鉻靶施加3.5 kW之濺鍍功率，並將氬氣(Ar)、氮氣(N₂ )及二氧化碳氣體(CO₂ )之混合氣體導入至濺鍍室內而成膜包含CrOCN之膜厚122 nm之相移膜。此處，混合氣體係以Ar成為46 sccm、N₂ 成為32 sccm、CO₂ 成為18.5 sccm之流量之方式導入至濺鍍室內。其後，將形成有相移膜之透明基板自濺鍍裝置中取出並進行洗淨。 (相移光罩之製造) 使用上述相移光罩基底並藉由以下之方法製造相移光罩。首先，於上述相移光罩基底之相移膜上形成包含酚醛清漆系之正型光阻之抗蝕劑膜。其後，藉由雷射描繪機並使用波長413 nm之雷射光於抗蝕劑膜描繪特定之圖案(1.8 μm之線與間隙圖案)。其後，利用特定之顯影液對抗蝕劑膜進行顯影而於相移膜上形成抗蝕劑膜圖案。其後，將抗蝕劑膜圖案作為遮罩並利用包含硝酸鈰銨與過氯酸之鉻蝕刻溶液對相移膜進行蝕刻而形成相移膜圖案，其後，使用抗蝕劑剝離液將抗蝕劑膜圖案剝離。使用上述相移光罩基底而製造之相移光罩之相移膜圖案之CD差異為90 nm，而未達成高解析度、高清之顯示裝置之製造所使用之相移光罩所要求之等級。上述比較例1之相移光罩之CD差異較大，又，對曝光之光之相移膜圖案之膜面反射率較高，故而無法使用上述相移光罩製造高解析度、高清之顯示裝置。如上所述，基於複數個實施形態及實施例對本發明詳細地進行了說明，但本發明並不限定於該等實施形態及實施例。只要為具有相應領域中之通常之知識者，則明白可於本發明之技術思想內進行變化或改良。

10‧‧‧相移光罩基底

20‧‧‧透明基板

30‧‧‧相移膜

31‧‧‧相移層

32‧‧‧反射率降低層

33‧‧‧金屬層

40‧‧‧遮光性膜圖案

45‧‧‧遮光膜

46‧‧‧遮光層

47‧‧‧正面反射率降低層

圖1係表示本發明之相移光罩基底之膜構成之模式圖。圖2係表示本發明之相移光罩基底之另一膜構成之模式圖。圖3係表示本發明之相移光罩基底之另一膜構成之模式圖。圖4係表示本發明之實施例1之相移光罩基底之相移膜之透過率光譜的圖。圖5係表示本發明之實施例1之相移光罩基底之相移膜之正面反射率光譜的圖。圖6係表示本發明之實施例1之相移光罩基底之相移膜之背面反射率光譜的圖。圖7係表示本發明之實施例2之相移光罩基底之相移膜之透過率光譜的圖。圖8係表示本發明之實施例2之相移光罩基底之相移膜之正面反射率光譜的圖。圖9係表示本發明之實施例2之相移光罩基底之相移膜之背面反射率光譜的圖。圖10係表示比較例1之相移光罩基底之相移膜之透過率光譜的圖。圖11係表示比較例1之相移光罩基底之相移膜之正面反射率光譜的圖。圖12係表示比較例1之相移光罩基底之相移膜之背面反射率光譜的圖。

Claims

一種相移光罩基底，其係顯示裝置製造用之相移光罩基底，其特徵在於：具備透明基板、及形成於該透明基板上之相移膜，上述相移膜包含2層以上之積層膜，上述相移膜至少具有相移層及金屬層，該相移層具有主要調整對曝光之光之透過率與相位差之功能，該金屬層具有調整波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性之功能，關於上述相移膜，對曝光之光之上述相移膜之透過率與相位差具有特定之光學特性，上述相移層包含包括金屬、矽、以及氮及氧中之至少一種之材料，上述金屬層包含由金屬與矽構成之材料、或由金屬、矽、以及碳、氟、氮及氧中之至少一種構成之材料，上述金屬層中所包含之金屬之含有率多於上述相移層中所包含之金屬之含有率，或者上述金屬層中所包含之金屬與矽之合計含有率多於上述相移層中所包含之金屬與矽之合計含有率，上述相移膜於波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性為5.5%以內。
一種相移光罩基底，其係顯示裝置製造用之相移光罩基底，其特徵在於：具備透明基板、及形成於該透明基板上之相移膜，上述相移膜具有相移層、反射率降低層及金屬層，該相移層具有主要調整對曝光之光之透過率與相位差之功能，該反射率降低層配置於該相移層之上側，且具有使對自上述相移膜之正面側入射之光之反射率降低之功能，該金屬層配置於上述相移層與上述反射率降低層之間，且具有調整波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性之功能，藉由上述相移層、上述金屬層及上述反射率降低層之積層結構，對曝光之光之上述相移膜之透過率與相位差具有特定之光學特性，上述相移層包含包括金屬、矽、以及氮及氧中之至少一種之材料，上述金屬層包含由金屬與矽構成之材料、或由金屬、矽、以及碳、氟、氮及氧中之至少一種構成之材料，上述金屬層中所包含之金屬之含有率多於上述相移層中所包含之金屬之含有率，或者上述金屬層中所包含之金屬與矽之合計含有率多於上述相移層中所包含之金屬與矽之合計含有率，上述相移膜於波長365 nm以上且436 nm以下之範圍內之透過率波長依存性為5.5%以內。
如請求項1或2之相移光罩基底，其中上述相移膜於波長365 nm下之透過率為1%以上且50%以下之範圍。
如請求項1或2之相移光罩基底，其中上述相移膜於波長365 nm下之透過率為15%以上且50%以下之範圍。
如請求項2之相移光罩基底，其中關於上述相移膜，對自上述相移膜之正面側入射之光之上述相移膜之正面反射率於365 nm～436 nm之波長區域內為10%以下。
如請求項2之相移光罩基底，其中關於上述相移膜，對自上述相移膜之正面側入射之光之上述相移膜之正面反射率於350 nm～436 nm之波長區域內為15%以下。
如請求項1或2之相移光罩基底，其中對自上述透明基板之背面側入射之光之上述相移膜之背面反射率於365 nm～436 nm之波長區域內為20%以上。
如請求項2之相移光罩基底，其中上述反射率降低層包含包括金屬、矽、以及氮、氧及碳中之至少一種之材料、或者包括金屬、以及氮、氧及碳中之至少一種之材料。
如請求項2之相移光罩基底，其中構成上述相移層之金屬為Zr、Mo、Ti、Ta、及W中之任一者，構成上述金屬層之金屬為Zr、Mo、Ti、Ta、及W中之任一者，構成上述反射率降低層之金屬為Zr、Mo、Cr、Ti、Ta、及W中之任一者。
如請求項2之相移光罩基底，其中構成上述相移層及上述金屬層之各層之金屬、或者構成上述相移層、上述金屬層及上述反射率降低層之各層之金屬為相同金屬。
如請求項1或2之相移光罩基底，其具備形成於上述相移膜上之遮光膜。
如請求項11之相移光罩基底，其中關於上述遮光膜，對自上述遮光膜之正面側入射之光之上述遮光膜之膜面反射率於350 nm～436 nm之波長區域內為15%以下。
一種相移光罩之製造方法，其係顯示裝置製造用之相移光罩之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於如請求項1至10中任一項之相移光罩基底之相移膜上形成抗蝕劑膜，並藉由使用具有選自350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光之描繪處理、及顯影處理形成抗蝕劑膜圖案；及將上述抗蝕劑膜圖案作為遮罩對上述相移膜進行蝕刻而形成相移膜圖案。
一種相移光罩之製造方法，其係顯示裝置製造用之相移光罩之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於如請求項11或12之相移光罩基底之遮光膜上形成抗蝕劑膜，並藉由使用具有選自350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光之描繪處理、及顯影處理形成抗蝕劑膜圖案；將上述抗蝕劑膜圖案作為遮罩對上述遮光膜進行蝕刻而形成遮光膜圖案；及將上述遮光膜圖案作為遮罩對相移膜進行蝕刻而形成相移膜圖案。
一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於具有：相移光罩配置步驟，其對在基板上形成有抗蝕劑膜之附抗蝕劑膜之基板，將藉由如請求項13或14之相移光罩之製造方法而獲得之相移光罩與上述抗蝕劑膜對向地配置；及圖案轉印步驟，其對上述相移光罩照射包含i射線、h射線及g射線之複合曝光之光而轉印上述相移膜圖案。