TWI835695B - 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種光罩基底，該光罩基底於藉由濕式蝕刻於圖案形成用薄膜形成轉印圖案時，能夠縮短過蝕刻時間，從而能夠形成具有良好剖面形狀之轉印圖案。 本發明之光罩基底之特徵在於：其係於透明基板上具有圖案形成用薄膜者，且光罩基底係用以藉由濕式蝕刻圖案形成用薄膜而形成於透明基板上具有轉印圖案之光罩之原版，圖案形成用薄膜含有過渡金屬及矽，圖案形成用薄膜具有柱狀構造。

Description

光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法

本發明係關於一種光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩之製造方法及顯示裝置。

近年來，於以LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)為代表之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)等顯示裝置中，與大畫面化、廣視角化一同地，高精細化、高速顯示化迅速發展。該高精細化、高速顯示化所需之要素之一係微細且尺寸精度高之元件或配線等電子電路圖案之製作。該顯示裝置用電子電路之圖案化中大多使用光微影法。因此，需要形成有微細且高精度之圖案的顯示裝置製造用之相位偏移遮罩或二元遮罩之類光罩。

例如，於專利文獻1中，揭示有於透明基板上具備相位反轉膜之相位反轉遮罩基底。於該遮罩基底中，相位反轉膜係對於包含i線(365 nm)、h線(405 nm)、g線(436 nm)之複合波長之曝光之光具有35%以下之反射率及1%～40%之透過率，並且以於形成圖案時急遽形成圖案剖面之梯度之方式包含2層以上之多層膜，上述多層膜含有包含氧(O)、氮(N)、碳(C)之至少1種輕元素物質之金屬矽化物化合物，金屬矽化物化合物係包含上述輕元素物質之反應性氣體與惰性氣體以0.5：9.5～4：6之比率注入而形成。 又，於專利文獻2中，揭示有一種相位偏移遮罩基底，該相位偏移遮罩基底具備：透明基板；光半透過膜，其具有改變曝光之光之相位之性質且包含金屬矽化物系材料；及蝕刻遮罩膜，其包含鉻系材料。於該相位偏移遮罩基底中，於光半透過膜與蝕刻遮罩膜之界面形成有組成梯度區域。於組成梯度區域，使光半透過膜之濕式蝕刻速度變慢之成分之比率朝向深度方向增加。而且，組成梯度區域中之氧之含量為10原子%以下。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]韓國註冊專利第1801101號 [專利文獻2]日本專利第6101646號

[發明所欲解決之問題]

作為近年之高精細(1000 ppi以上)面板製作中使用之相位偏移遮罩，為了能夠實現高解析之圖案轉印，而要求作為相位偏移遮罩形成有孔徑6 μm以下且線寬4 μm以下之微細之相位偏移膜圖案的相位偏移遮罩。具體而言，要求形成有孔徑1.5 μm之微細之相位偏移膜圖案之相位偏移遮罩。 又，為了實現更高解析之圖案轉印，而要求具有對於曝光之光之透過率為15%以上之相位偏移膜之相位偏移遮罩基底、及形成有對於曝光之光之透過率為15%以上之相位偏移膜圖案之相位偏移遮罩。再者，於相位偏移遮罩基底或相位偏移遮罩之耐洗淨性(化學特性)中，要求形成有具有相位偏移膜或相位偏移膜圖案之膜減少或表面之組成變化造成之光學特性之變化得到抑制之耐洗淨性之相位偏移膜的相位偏移遮罩基底、及形成有具有耐洗淨性之相位偏移膜圖案之相位偏移遮罩。 為了滿足對於曝光之光之透過率之要求及耐洗淨性之要求，提昇構成相位偏移膜之金屬矽化物化合物(金屬矽化物系材料)中之金屬與矽之原子比率中之矽之比率較為有效，但存在如下等問題：濕式蝕刻速度大幅變慢(濕式蝕刻時間變長)，並且產生濕式蝕刻液對基板之損傷，透明基板之透過率下降。 而且，於具備含有過渡金屬及矽之遮光膜之二元遮罩基底中，亦於藉由濕式蝕刻而將遮光圖案形成於遮光膜時，存在對耐洗淨性之要求，從而存在與上述相同之問題。

因此，本發明係為解決上述問題而完成者，本發明之目的在於提供一種光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法，上述光罩基底於藉由濕式蝕刻而於含有過渡金屬及矽之相位偏移膜或遮光膜之類圖案形成用薄膜形成轉印圖案時，能夠縮短濕式蝕刻時間，從而能夠形成具有良好剖面形狀之轉印圖案。 [解決問題之技術手段]

本發明人對用以解決該等問題點之對策進行了銳意研究。首先，將圖案形成用薄膜中之過渡金屬與矽之原子比率設為過渡金屬：矽為1：3以上之材料，且為縮短圖案形成用薄膜中之濕式蝕刻液之濕式蝕刻之時間，而以圖案形成用薄膜中大量含有氧(O)之方式，調整導入至成膜室內之濺鍍氣體中包含之氧氣，形成圖案形成用薄膜。其結果，雖然用以形成轉印圖案之濕式蝕刻速度變快，但於相位偏移遮罩基底中之相位偏移膜，對於曝光之光之折射率下降，因此，導致獲得所需相位差(例如，180 ^°)所需之膜厚變厚。又，於二元遮罩基底中之遮光膜，對於曝光之光之消光係數下降，因此，導致用以獲得所需遮光性能(例如，光學密度(OD)為3以上)所需之膜厚變厚。圖案形成用薄膜之膜厚變厚於濕式蝕刻之圖案形成中不利，並且因膜厚變厚，作為濕式蝕刻時間之縮短效果存在極限。另一方面，若設為上述過渡金屬與矽之原子比率(過渡金屬：矽=1：3以上)，則具有可提昇圖案形成用薄膜之耐洗淨性等有利點，因此，於該點上，偏離上述過渡金屬與矽之組成比亦不佳。

因此，本發明人轉換構思，對調整成膜室內之濺鍍氣體之壓力，改變膜構造進行了研究。於基板上成膜圖案形成用薄膜時，通常將成膜室內之濺鍍氣體壓力設為0.1～0.5 Pa。然而，本發明人敢於使濺鍍氣體壓力大於0.5 Pa，成膜圖案形成用薄膜。而且，發現當以0.7 Pa以上3.0 Pa以下之濺鍍壓力、較佳為0.8 Pa以上3.0 Pa以下之濺鍍氣體壓力成膜圖案形成用薄膜後，不僅具備作為薄膜之較佳特性，而且於藉由濕式蝕刻於圖案形成用薄膜形成轉印圖案時，能夠大幅縮短蝕刻時間，且能夠形成具有良好剖面形狀之轉印圖案。而且，以此方式成膜之圖案形成用薄膜具有通常之圖案形成用薄膜中未嘗見過之柱狀構造。本發明係經過如上所述之銳意研究之結果而完成者，且具有以下之構成。

(構成1)一種光罩基底，其特徵在於： 其係於透明基板上具有圖案形成用薄膜者，且 上述光罩基底係用以於上述圖案形成用薄膜藉由濕式蝕刻形成上述透明基板上具有轉印圖案之光罩之原版， 上述圖案形成用薄膜含有過渡金屬及矽， 上述圖案形成用薄膜具有柱狀構造。

(構成2)如構成1記載之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜係 對於藉由掃描電子顯微鏡以80000倍之倍率觀察上述光罩基底之剖面上所得之圖像，將上述圖案形成用薄膜之厚度方向包含中心部之區域，以縱64像素×橫256像素之圖像資料擷取，於藉由傅立葉變換上述圖像資料所得之空間頻率光譜分佈中，存在相對於與空間頻率之原點對應之最大信號強度具有1.0%以上之信號強度之空間頻率光譜。 (構成3)如構成2記載之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜係上述具有1.0%以上之信號強度之信號於將最大空間頻率設為100%時，處於與空間頻率之原點相距2.0%以上之空間頻率。

(構成4)如構成1至3中任一項中記載之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜中包含之上述過渡金屬與上述矽之原子比率係過渡金屬：矽=1：3以上1：15以下。

(構成5)如構成1至4中任一項中記載之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜至少含有氮或氧。 (構成6)如構成5中記載之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜含有氮，該圖案形成用薄膜中包含之上述過渡金屬與上述矽之原子比率係過渡金屬：矽=1：3以上1：15以下，且 上述圖案形成用薄膜係藉由奈米壓痕法導出之壓痕硬度為18 GPa以上23 GPa以下。 (構成7)如構成6中記載之光罩基底，其中上述氮之含有率為35原子%以上60原子%以下。 (構成8)如構成1至7中任一項中記載之光罩基底，其中上述過渡金屬為鉬。

(構成9)如構成1至8中任一項中記載之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜係具備對於曝光之光之代表波長透過率為1%以上80%以下且相位差為160°以上200°以下之光學特性之相位偏移膜。

(構成10)如構成1至9中任一項中記載之光罩基底，其中於上述圖案形成用薄膜上，具備蝕刻選擇性與該圖案形成用薄膜不同之蝕刻遮罩膜。 (構成11)如構成10記載之光罩基底，其中上述蝕刻遮罩膜包含含有鉻且實質上不含矽之材料。

(構成12)一種光罩基底之製造方法，其特徵在於：其係藉由濺鍍法而於透明基板上形成含有過渡金屬及矽之圖案形成用薄膜者， 上述圖案形成用薄膜係於成膜室內使用包含過渡金屬及矽之過渡金屬矽化物靶，以供給有濺鍍氣體之上述成膜室內之濺鍍氣體壓力為0.7 Pa以上3.0 Pa以下形成。

(構成13)如構成12記載之光罩基底之製造方法，其中上述過渡金屬矽化物靶之上述過渡金屬與矽之原子比率係過渡金屬：矽=1：3以上1：15以下。

(構成14)如構成12或13中記載之光罩基底之製造方法，其中於上述圖案形成用薄膜上，使用包含蝕刻選擇性與該圖案形成用薄膜不同之材料之濺鍍靶，形成蝕刻遮罩膜。 (構成15)如構成14中記載之光罩基底之製造方法，其中上述圖案形成用薄膜及上述蝕刻遮罩膜係使用連機型濺鍍裝置而形成。

(構成16)一種光罩之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 準備如構成1至9中任一項中記載之光罩基底、或藉由如構成12或13中記載之光罩基底之製造方法製造之光罩基底；及 於上述圖案形成用薄膜上形成光阻膜，以由上述光阻膜形成之光阻膜圖案為遮罩，將上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻，於上述透明基板上形成轉印用圖案。

(構成17)一種光罩之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 準備如構成10或11中記載之光罩基底、或藉由如構成14或15中記載之光罩基底之製造方法製造之光罩基底； 於上述蝕刻遮罩膜上形成光阻膜，以由上述光阻膜形成之光阻膜圖案為遮罩，將上述蝕刻遮罩膜進行濕式蝕刻，於上述圖案形成用薄膜上形成蝕刻遮罩膜圖案；及 以上述蝕刻遮罩膜圖案為遮罩，將上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻，而於上述透明基板上形成轉印用圖案。 (構成18)一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括曝光步驟，該曝光步驟係將藉由如構成16或17中記載之光罩之製造方法獲得之光罩載置於曝光裝置之遮罩台，將上述光罩上形成之上述轉印用圖案曝光轉印至顯示裝置基板上形成之光阻劑。

又，本發明人對調整成膜室內之濺鍍氣體之壓力改變膜構造進行了研究，發現了以下之其他構成。如上所述，本發明人敢於使濺鍍氣體壓力大於0.5 Pa，成膜圖案形成用薄膜。而且，發現當以0.7 Pa以上之濺鍍氣體壓力成膜圖案形成用薄膜後，能夠大幅縮短蝕刻時間，且能夠形成具有良好剖面形狀之轉印圖案，並能夠抑制透明基板之表面粗糙。另一方面，可知若過度增大成膜時之濺鍍氣體壓力，則無法圖案形成用薄膜中獲得充分之耐洗淨性。本發明人進行了銳意研究，結果發現藉由以0.7 Pa以上2.4 Pa以下之濺鍍氣體壓力成膜圖案形成用薄膜，不僅具備作為圖案形成用薄膜之較佳特性，而且能夠形成具有良好剖面形狀之轉印圖案，且能夠抑制透明基板之表面粗糙，並能夠提昇圖案形成用薄膜之耐洗淨性。 而且，本發明人對具有如此優異之特性之圖案形成用薄膜之物理指標進行了進一步探索。其結果，發現圖案形成用薄膜之壓痕硬度與濕式蝕刻速率存在關聯。對該點進行了進一步銳意研究，結果發現若藉由奈米壓痕法導出之壓痕硬度為18 GPa以上23 GPa以下，則不僅具備作為圖案形成用薄膜之較佳特性，而且於藉由濕式蝕刻而於圖案形成用薄膜形成轉印圖案時，能夠形成具有良好剖面形狀之轉印圖案，能夠抑制透明基板之表面粗糙，並且能夠提昇圖案形成用薄膜之耐洗淨性。

(其他構成1)一種光罩基底，其特徵在於：其係於透明基板上具有圖案形成用薄膜者， 上述光罩基底係用以於上述圖案形成用薄膜藉由濕式蝕刻形成上述透明基板上具有轉印圖案之光罩之原版， 上述圖案形成用薄膜含有過渡金屬、矽及氮，該圖案形成用薄膜中包含之上述過渡金屬與上述矽之原子比率係過渡金屬：矽=1：3以上1：15以下， 上述圖案形成用薄膜係藉由奈米壓痕法導出之壓痕硬度為18 GPa以上23 GPa以下。

(其他構成2)如其他構成1記載之光罩基底，其中上述過渡金屬係鉬。 (其他構成3)如其他構成1或2記載之光罩基底，其中上述氮之含有率為35原子%以上60原子%以下。

(其他構成4)如其他構成1至3中任一項中記載之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜係具備對於曝光之光之代表波長透過率為1%以上80%以下且相位差為160°以上200°以下之光學特性之相位偏移膜。

(其他構成5)如其他構成1至4中任一項中記載之光罩基底，其中於上述圖案形成用薄膜上，具備蝕刻選擇性與該圖案形成用薄膜不同之蝕刻遮罩膜。 (其他構成6)如其他構成5記載之光罩基底，其中上述蝕刻遮罩膜包含含有鉻且實質上不含矽之材料。

(其他構成7)一種光罩之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 準備如其他構成1至4中任一項中記載之光罩基底；及 於上述圖案形成用薄膜上形成光阻膜，以由上述光阻膜形成之光阻膜圖案為遮罩，將上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻，於上述透明基板上形成轉印圖案。 (其他構成8)一種光罩之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 準備如其他構成5或6中記載之光罩基底； 於上述蝕刻遮罩膜上形成光阻膜，以由上述光阻膜形成之光阻膜圖案為遮罩，將上述蝕刻遮罩膜進行濕式蝕刻，於上述圖案形成用薄膜上形成蝕刻遮罩膜圖案；及 以上述蝕刻遮罩膜圖案為遮罩，將上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻，於上述透明基板上形成轉印圖案。 (其他構成9)一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括曝光步驟，該曝光步驟係將藉由如其他構成7或8中記載之光罩之製造方法獲得之光罩載置於曝光裝置之遮罩台，將上述光罩上形成於之上述轉印圖案曝光轉印至顯示裝置基板上形成之光阻劑。 [發明之效果]

根據本發明之光罩基底或光罩基底之製造方法，可獲得如下光罩基底，該光罩基底係於轉印圖案用薄膜上藉由濕式蝕刻而形成所要求之微細之轉印圖案時，即便於根據耐洗淨性等之觀點，使圖案形成用薄膜成為富矽之金屬矽化物化合物之情形時，亦不因濕式蝕刻液對基板之損傷造成透明基板之透過率下降，能夠於較短蝕刻時間內形成具有良好剖面形狀之轉印圖案。又，根據本發明之其他構成之光罩基底，可獲得如下光罩基底，該光罩基底係於轉印圖案用薄膜上藉由濕式蝕刻而形成所要求之微細之轉印圖案時，能夠形成具有良好剖面形狀之轉印圖案，且能夠抑制透明基板之表面粗糙，並能夠提昇轉印圖案用薄膜之耐洗淨性。

又，根據本發明之光罩之製造方法，使用上述光罩基底製造光罩。因此，即便於根據耐洗淨性等之觀點，使圖案形成用薄膜成為富矽之金屬矽化物化合物之情形時，亦不因濕式蝕刻液對基板之損傷而造成透明基板之透過率下降，能夠製造具有轉印精度良好之轉印圖案之光罩。該光罩能夠應對線隙圖案或接觸孔之微細化。又，根據本發明之其他構成之光罩之製造方法，能夠製造可形成具有良好剖面形狀之轉印圖案，能夠抑制透明基板之表面粗糙，並且能夠提昇轉印圖案用薄膜之耐洗淨性之光罩。

又，根據本發明之顯示裝置之製造方法，使用利用上述光罩基底製造之光罩或藉由上述光罩之製造方法獲得之光罩，製造顯示裝置。因此，能夠製造具有微細之線隙圖案或接觸孔之顯示裝置。

實施形態1.2. 於實施形態1、2中，對相位偏移遮罩基底進行說明。實施形態1之相位偏移遮罩基底係用以將蝕刻遮罩膜上形成有所需圖案之蝕刻遮罩膜圖案設為遮罩，於相位偏移膜藉由濕式蝕刻而形成透明基板上具有相位偏移膜圖案之相位偏移遮罩之原版。又，實施形態2之相位偏移遮罩基底係用以將光阻膜上形成有所需圖案之光阻膜圖案設為遮罩，於相位偏移膜藉由濕式蝕刻而形成透明基板上具有相位偏移膜圖案之相位偏移膜之原版。

圖1係表示實施形態1之相位偏移遮罩基底10之膜構成之模式圖。 圖1所示之相位偏移遮罩基底10具備透明基板20、形成於透明基板20上之相位偏移膜30、及形成於相位偏移膜30上之蝕刻遮罩膜40。 圖2係表示實施形態2之相位偏移遮罩基底10之膜構成之模式圖。 圖2所示之相位偏移遮罩基底10具備透明基板20及形成於透明基板20上之相位偏移膜30。 以下，對構成實施形態1及實施形態2之相位偏移遮罩基底10之透明基板20、相位偏移膜30及蝕刻遮罩膜40進行說明。

透明基板20係對於曝光之光透明。透明基板20於設定不存在表面反射損耗時，對於曝光之光具有85%以上之透過率、較佳為90%以上之透過率。透明基板20包含含有矽及氧之材料，且可包含合成石英玻璃、石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、低熱膨脹玻璃(SiO ₂-TiO ₂玻璃等)等玻璃材料。於透明基板20包含低熱膨脹玻璃之情形時，能夠抑制因透明基板20之熱變形造成之相位偏移膜圖案之位置變化。又，以顯示裝置用途使用之透明基板20通常使用矩形狀之基板且該透明基板之短邊之長度為300 mm以上者。本發明係一種相位偏移遮罩基底，該相位偏移遮罩基底可提供即便透明基板之短邊長度為300 mm以上之大尺寸，亦可穩定地轉印透明基板上形成之例如未達2.0 μm之微細之相位偏移膜圖案的相位偏移遮罩。

相位偏移膜30包含含有過渡金屬及矽之過渡金屬矽化物系材料。作為過渡金屬，較佳為鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鋯(Zr)等，尤其，進而較佳為鉬(Mo)。 又，相位偏移膜30較佳為至少含有氮或氧。於上述過渡金屬矽化物系材料中，作為輕元素成分之氧與同樣作為輕元素成分之氮相比，具有降低消光係數之效果，因此，能夠減少用以獲得所需透過率之其他輕元素成分(氮等)之含有率，並且亦可有效地降低相位偏移膜30之正面及背面之反射率。又，於上述過渡金屬矽化物系材料中，作為輕元素成分之氮與同樣作為輕元素成分之氧相比，具有不使折射率降低之效果，因此，可令用以獲得所需相位差之膜厚較薄。又，相位偏移膜30中包含之含有氧及氮之輕元素成分之合計含有率較佳為40原子%以上。進而較佳為40原子%以上70原子%以下，較理想為50原子%以上65原子%以下。又，於相位偏移膜30中含有氧之情形時，於缺陷品質、耐化學品性之方面，較理想為氧之含有率超過0原子%且為40原子%以下。 作為過渡金屬矽化物系材料，例如可列舉過渡金屬矽化物之氮化物、過渡金屬矽化物之氧化物、過渡金屬矽化物之氮氧化物、過渡金屬矽化物之氮氧碳化物。又，若過渡金屬矽化物系材料為鉬矽化物系材料(MoSi系材料)、鋯矽化物系材料(ZrSi系材料)、鉬鋯矽化物系材料(MoZrSi系材料)，則於容易利用濕式蝕刻獲得優異之圖案剖面形狀之方面較佳，尤佳為鉬矽化物系材料(MoSi系材料)。 又，相位偏移膜30中除了上述氧、氮以外，亦可因控制膜應力之減小或濕式蝕刻速率之目的而含有碳或氦等其他輕元素成分。 相位偏移膜30具有調整對於自透明基板20側入射之光之反射率(以下，有時記作背面反射率)的功能、以及調整對於曝光之光之透過率及相位差的功能。 相位偏移膜30可藉由濺鍍法形成。

該相位偏移膜30較佳為具有柱狀構造。該柱狀構造可於相位偏移膜30藉由剖面SEM觀察而確認。即，本發明中之柱狀構造係指具有構成相位偏移膜30之含有過渡金屬及矽之過渡金屬矽化物化合物之粒子朝向相位偏移膜30之膜厚方向(上述粒子沈積之方向)延伸之柱狀粒子構造之狀態。再者，於本案中，將膜厚方向之長度長於其垂直方向之長度者設為柱狀之粒子。即，相位偏移膜30係朝向膜厚方向延伸之柱狀之粒子遍佈透明基板20之面內而形成。又，相位偏移膜30藉由調整成膜條件(濺鍍壓力等)，亦形成有密度相對低於柱狀之粒子之稀疏部分(以下，有時亦簡稱作「稀疏部分」)。再者，相位偏移膜30為了有效地抑制濕式蝕刻時之側蝕，進而改善圖案剖面形狀，作為相位偏移膜30之柱狀構造之較佳形態，較佳為膜厚方向上延伸之柱狀之粒子不規則地形成於膜厚方向上。進而較佳為相位偏移膜30之柱狀之粒子為膜厚方向之長度不一致之狀態。而且，相位偏移膜30之稀疏部分較佳為於膜厚方向上連續地形成。又，相位偏移膜30之稀疏部分較佳為於與膜厚方向垂直之方向上斷續地形成。作為相位偏移膜30之柱狀構造之較佳形態，可使用將藉由上述剖面SEM觀察獲得之圖像傅立葉變換所得之指標，以如下方式表示。即，相位偏移膜30之柱狀構造較佳為如下狀態，即，對於以80000倍之倍率於相位偏移遮罩基底之剖面上藉由剖面SEM觀察所得之圖像，將相位偏移膜30之厚度方向包含中心部之區域，以縱64像素×橫256像素之圖像資料擷取，且藉由將該圖像資料進行傅立葉變換所得之空間頻率光譜處於相對於與空間頻率之原點對應之最大信號強度具有1.0%以上之信號強度。藉由使相位偏移膜30成為以上說明之柱狀構造，而於使用濕式蝕刻液之濕式蝕刻時，濕式蝕刻液容易於相位偏移膜30之膜厚方向上滲透，因此，濕式蝕刻速度變快，從而能夠大幅縮短濕式蝕刻時間。因此，即便相位偏移膜30為富矽之金屬矽化物化合物，亦不因濕式蝕刻液對基板之損傷而造成透明基板之透過率下降。又，相位偏移膜30具有於膜厚方向上延伸之柱狀構造，因此，濕式蝕刻時之側蝕得到抑制，因此，圖案剖面形狀亦變得良好。

又，相位偏移膜30較佳為具有相對於藉由傅立葉變換所得之空間頻率光譜分佈之最大信號強度為1.0%以上之強度信號之信號處於於將最大空間頻率設為100%時之空間頻率之原點相距2.0%以上之空間頻率。具有相對於最大信號強度為1.0%以上之強度信號之信號相距2.0%以上表示包含高出一定以上之空間頻率成分。即，表示相位偏移膜30為微細之柱狀構造之狀態，且該空間頻率越位於遠離原點之位置，則於相位偏移膜30藉由濕式蝕刻形成所得之相位偏移膜圖案30a之線邊緣粗糙度越小，故而較佳。

該相位偏移膜30之壓痕硬度較佳為18 GPa以上23 GPa以下。該壓痕硬度係使用以ISO14577製定之奈米壓痕法之原理測定所得之硬度。 藉由將該相位偏移膜30之壓痕硬度設為18 GPa以上23 GPa以下，而於使用濕式蝕刻液之濕式蝕刻時，濕式蝕刻液容易於相位偏移膜30之膜厚方向滲透，因此，濕式蝕刻速度變快，從而能夠縮短濕式蝕刻時間。又，不僅具備作為相位偏移膜30之較佳特性，而且能夠形成具有良好剖面形狀之相位偏移膜圖案30a，且能夠抑制透明基板20之表面粗糙，並且能夠提昇相位偏移膜30之耐洗淨性。 相位偏移膜30中包含之過渡金屬與矽之原子比率較佳為過渡金屬：矽=1：3以上1：15以下。若為該範圍，則可增大利用柱狀構造抑制相位偏移膜30之圖案形成時之濕式蝕刻速率下降之效果。又，能夠提昇相位偏移膜30之耐洗淨性，亦容易提昇透過率。又，若為該範圍，則可增大藉由將壓痕硬度設為18 GPa以上23 GPa以下而抑制相位偏移膜30之圖案形成時之濕式蝕刻速率下降之效果。根據提昇相位偏移膜30之耐洗淨性之觀點，相位偏移膜30中包含之過渡金屬與矽之原子比率較理想為過渡金屬：矽=1：4以上1：15以下，進而較佳為過渡金屬：矽=1：5以上1：15以下。

相位偏移膜30對於曝光之光之透過率滿足作為相位偏移膜30所需之值。相位偏移膜30之透過率對於曝光之光中包含之特定波長之光(以下，稱作代表波長)，較佳為1%以上80%以下，更佳為15%以上65%以下，進而較佳為20%以上60%以下。即，於曝光之光為包含313 nm以上436 nm以下之波長範圍之光之複合光之情形時，相位偏移膜30對於該波長範圍中包含之代表波長之光，具有上述透過率。例如，於曝光之光為包含i線、h線及g線之複合光之情形時，相位偏移膜30對於i線、h線及g線中之任一者，具有上述透過率。 透過率可使用相位偏移量測定裝置等進行測定。

相位偏移膜30對於曝光之光之相位差滿足作為相位偏移膜30所需之值。相位偏移膜30之相位差對於曝光之光中包含之代表波長之光，較佳為160°以上200°以下，更佳為170°以上190°以下。根據該性質，可將曝光之光中包含之代表波長之光之相位改變為160°以上200°以下。因此，於透過相位偏移膜30之代表波長之光與僅透過透明基板20之代表波長之光之間，產生160°以上200°以下之相位差。即，於曝光之光為包含313 nm以上436 nm以下之波長範圍之光之複合光之情形時，相位偏移膜30對於該波長範圍中包含之代表波長之光，具有上述相位差。例如，於曝光之光為包含i線、h線及g線之複合光之情形時，相位偏移膜30對於i線、h線及g線中之任一者，具有上述相位差。 相位差可使用相位偏移量測定裝置等進行測定。

相位偏移膜30之背面反射率於365 nm～436 nm之波長區域中為15%以下，較佳為10%以下。又，相位偏移膜30之背面反射率於曝光之光中包含j線之情形時，對於313 nm至436 nm之波長區域之光，較佳為20%以下，更佳為17%以下。較理想為，進而較佳為15%以下。又，相位偏移膜30之背面反射率於365 nm～436 nm之波長區域中為0.2%以上，較佳為對於313 nm至436 nm之波長區域之光為0.2%以上。 背面反射率可使用分光光度計等測定。

該相位偏移膜30可由複數層構成，亦可由單一層構成。由單一層構成之相位偏移膜30於難以於相位偏移膜30中形成界面，容易控制剖面形狀之方面較佳。另一方面，由複數層構成之相位偏移膜30於成膜容易性等方面較佳。

蝕刻遮罩膜40係配置於相位偏移膜30之上側，且包含對於蝕刻相位偏移膜30之蝕刻液具有抗蝕刻性(蝕刻選擇性與相位偏移膜30不同)之材料構成。又，蝕刻遮罩膜40亦可具有遮蔽曝光之光透過之功能，進而，亦可具有如下功能，該功能係以相位偏移膜30對於自相位偏移膜30側入射之光之膜面反射率於350 nm～436 nm之波長區域中成為15%以下之方式減小膜面反射率。蝕刻遮罩膜40包含含有鉻(Cr)之鉻系材料。作為鉻系材料，更具體而言，可列舉鉻(Cr)、或含有鉻(Cr)與氧(O)、氮(N)、碳(C)中之至少任一者之材料。或者，可列舉包含鉻(Cr)與氧(O)、氮(N)、碳(C)中之至少任一者且進而包含氟(F)之材料。例如，作為構成蝕刻遮罩膜40之材料，可列舉Cr、CrO、CrN、CrF、CrCO、CrCN、CrON、CrCON、CrCONF。 蝕刻遮罩膜40可藉由濺鍍法而形成。

於蝕刻遮罩膜40具有遮蔽曝光之光透過之功能之情形時，於相位偏移膜30與蝕刻遮罩膜40積層之部分，對於曝光之光之光學密度較佳為3以上，更佳為3.5以上，進而較佳為4以上。 光學密度可使用分光光度計或OD(Optical Density，光學密度)測定計等進行測定。

蝕刻遮罩膜40根據功能，可為包含組成均一之單一膜之情形，亦可為包含組成不同之複數個膜之情形，亦可為包含組成於厚度方向上連續變化之單一膜之情形。

再者，圖1所示之相位偏移遮罩基底10於相位偏移膜30上具備蝕刻遮罩膜40，但於相位偏移膜30上具備蝕刻遮罩膜40且於蝕刻遮罩膜40上具備光阻膜之相位偏移遮罩基底亦可適用本發明。

其次，對該實施形態1及2之相位偏移遮罩基底10之製造方法進行說明。圖1所示之相位偏移遮罩基底10係藉由進行以下之相位偏移膜形成步驟及蝕刻遮罩膜形成步驟來製造。圖2所示之相位偏移遮罩基底10係藉由相位偏移膜形成步驟而製造。 以下，詳細地對各步驟進行說明。

1.相位偏移膜形成步驟 首先，準備透明基板20。透明基板20若對於曝光之光透明，則可包含合成石英玻璃、石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、低熱膨脹玻璃(SiO ₂-TiO ₂玻璃等)等任一種玻璃材料。

繼而，於透明基板20上，藉由濺鍍法而形成相位偏移膜30。 相位偏移膜30之成膜係將包含成為構成相位偏移膜30之材料之主成分的過渡金屬及矽之過渡金屬矽化物靶、或包含過渡金屬、矽、氧及/或氮之過渡金屬矽化物靶用於濺鍍靶，於如下濺鍍氣氛下進行，該濺鍍氣氛係例如含有包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群中之至少一種之惰性氣體者、或含有上述惰性氣體與選自由氧氣、氮氣、二氧化碳氣體、一氧化氮氣體、二氧化氮氣體所組成之群且至少包含氧及氮之活性氣體之混合氣體者。而且，相位偏移膜30係於進行濺鍍時之成膜室內之氣體壓力為0.7 Pa以上3.0 Pa以下形成。較佳為，相位偏移膜30於進行濺鍍時之成膜室內之氣體壓力為0.8 Pa以上3.0 Pa以下形成。藉由如此設定氣體壓力之範圍，便可於相位偏移膜30形成柱狀構造。利用該柱狀構造，能夠抑制下述圖案形成時之側蝕，並且能夠達成高蝕刻速率。此處，於利用柱狀構造來抑制濕式蝕刻速度之下降之效果較大，且能夠提昇相位偏移膜30之耐洗淨性，亦容易提昇透過率等方面，較佳為過渡金屬矽化物靶之過渡金屬與矽之原子比率為過渡金屬：矽=1：3以上1：15以下。

相位偏移膜30之組成及厚度係以相位偏移膜30成為上述相位差及透過率之方式進行調整。相位偏移膜30之組成可利用構成濺鍍靶之元素之含有比率(例如，過渡金屬之含有率與矽之含有率之比)、濺鍍氣體之組成及流量等進行控制。相位偏移膜30之厚度可利用濺鍍功率、濺鍍時間等進行控制。又，相位偏移膜30較佳為使用連機型濺鍍裝置而形成。於濺鍍裝置為連機型濺鍍裝置之情形時，亦可利用基板之搬送速度來控制相位偏移膜30之厚度。如此一來，以相位偏移膜30之包含氧及氮之輕元素成分之含有率成為40原子%以上70原子%以下之方式進行控制。

於相位偏移膜30包含單一膜之情形時，適當調整濺鍍氣體之組成及流量，進行1次上述成膜製程。於相位偏移膜30包含組成不同之複數個膜之情形時，適當調整濺鍍氣體之組成及流量，進行複數次上述成膜製程。亦可使用構成濺鍍靶之元素之含有比率不同之靶，成膜相位偏移膜30。於進行複數次成膜製程之情形時，亦可於每一成膜製程中變更對濺鍍靶施加之濺鍍功率。

2.表面處理步驟 於相位偏移膜30包含含有過渡金屬、矽及氧之過渡金屬矽化物氧化物或含有過渡金屬、矽、氧及氮之過渡金屬矽化物氮氧化物等含氧之過渡金屬矽化物材料之情形時，亦可對該相位偏移膜30之表面進行調整相位偏移膜30之表面氧化之狀態之表面處理步驟，以抑制因過渡金屬之氧化物之存在造成之蝕刻液之滲透。再者，於相位偏移膜30包含含有過渡金屬、矽及氮之過渡金屬矽化物氮化物之情形時，過渡金屬之氧化物之含有率小於上述含氧之過渡金屬矽化物材料。因此，於相位偏移膜30之材料為過渡金屬矽化物氮化物之情形時，既可進行上述表面處理步驟，亦可不進行上述表面處理步驟。 作為調整相位偏移膜30之表面氧化之狀態之表面處理步驟，可列舉利用酸性水溶液進行表面處理之方法、利用鹼性水溶液進行表面處理之方法、藉由灰化等乾式處理進行表面處理之方法等。 以此方式獲得實施形態2之相位偏移遮罩基底10。於實施形態1之相位偏移遮罩基底10之製造中，進而進行以下之蝕刻遮罩膜形成步驟。

3.蝕刻遮罩膜形成步驟 相位偏移膜形成步驟之後，視需要，視需要進行調整相位偏移膜30之表面之表面氧化之狀態之表面處理，其後，藉由濺鍍法而於相位偏移膜30上形成蝕刻遮罩膜40。蝕刻遮罩膜40較佳為使用連機型濺鍍裝置而形成。於濺鍍裝置為連機型濺鍍裝置之情形時，亦可利用透明基板20之搬送速度來控制蝕刻遮罩膜40之厚度。 蝕刻遮罩膜40之成膜係使用包含鉻或鉻化合物(氧化鉻、氮化鉻、碳化鉻、氮氧化鉻、氮氧碳化鉻等)之濺鍍靶，於如下濺鍍氣氛下進行，該濺鍍氣氛係例如含有包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群中之至少一種之惰性氣體者、或含有包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群中之至少一種之惰性氣體與包含選自由氧氣、氮氣、一氧化氮氣體、二氧化氮氣體、二氧化碳氣體、烴系氣體、氟系氣體所組成之群中之至少一種之活性氣體之混合氣體者。作為烴系氣體，例如可列舉甲烷氣體、丁烷氣體、丙烷氣體、苯乙烯氣體等。而且，藉由調整進行濺鍍時之成膜室內之氣體壓力，能夠與相位偏移膜30同樣地使蝕刻遮罩膜40成為柱狀構造。藉此，能夠抑制下述圖案形成時之側蝕，並且能夠達成高蝕刻速率。

於蝕刻遮罩膜40含有組成均一之單一膜之情形時，不改變濺鍍氣體之組成及流量而進行1次上述成膜製程。於蝕刻遮罩膜40含有組成不同之複數個膜之情形時，於每一成膜製程中改變濺鍍氣體之組成及流量，進行複數次上述成膜製程。於蝕刻遮罩膜40含有組成於厚度方向上連續變化之單一膜之情形時，一面使濺鍍氣體之組成及流量與成膜製程之經過時間一同地變化，一面進行1次上述成膜製程。 以此方式，獲得實施形態1之相位偏移遮罩基底10。

再者，圖1所示之相位偏移遮罩基底10於相位偏移膜30上具備蝕刻遮罩膜40，因此，於製造相位偏移遮罩基底10時，進行蝕刻遮罩膜形成步驟。又，於製造於相位偏移膜30上具備蝕刻遮罩膜40且於蝕刻遮罩膜40上具備光阻膜之相位偏移遮罩基底時，於蝕刻遮罩膜形成步驟後，於蝕刻遮罩膜40上形成光阻膜。又，於圖2所示之相位偏移遮罩基底10中，於製造相位偏移膜30上具備光阻膜之相位偏移遮罩基底時，於相位偏移膜形成步驟後，形成光阻膜。

該實施形態1之相位偏移遮罩基底10於相位偏移膜30上形成有蝕刻遮罩膜40，且至少相位偏移膜30具有柱狀構造。又，實施形態2之相位偏移遮罩基底10形成有相位偏移膜30，且該相位偏移膜30具有柱狀構造。

該實施形態1及2之相位偏移遮罩基底10於藉由濕式蝕刻將相位偏移膜30圖案化時，一方面促進膜厚方向之蝕刻，另一方面抑制側蝕，因此，能夠於較短蝕刻時間內形成剖面形狀良好且具有所需透過率(例如，透過率較高)之相位偏移膜圖案。因此，可獲得能夠製造如下相位偏移遮罩的相位偏移遮罩基底，該相位偏移遮罩不因濕式蝕刻液對基板之損傷而造成透明基板之透過率下降，且能夠精度良好地轉印高精細之相位偏移膜圖案。 又，於透明基板20上形成相位偏移膜30時，亦可於進行濺鍍時之成膜室內之氣體壓力為0.7 Pa以上2.4 Pa以下形成。可藉由如此設定氣體壓力之範圍而形成藉由奈米壓痕法導出之壓痕硬度成為18 GPa以上23 GPa以下之相位偏移膜30。可藉由將相位偏移膜30之壓痕硬度設為18 GPa以上23 GPa以下而抑制下述圖案形成時之側蝕，並且能夠達成高蝕刻速率，能夠抑制透明基板20之表面粗糙。此處，於藉由將壓痕硬度設為18 GPa以上23 GPa以下來抑制濕式蝕刻速度之下降之效果較大，能夠提昇相位偏移膜30之耐洗淨性，亦容易提昇透過率等方面，較佳為，過渡金屬矽化物靶之過渡金屬與矽之原子比率如上所述為過渡金屬：矽=1：3以上1：15以下。

實施形態3.4. 於實施形態3、4中，對相位偏移遮罩之製造方法進行說明。

圖3係表示實施形態3之相位偏移遮罩之製造方法之模式圖。圖4係表示實施形態4之相位偏移遮罩之製造方法之模式圖。 圖3所示之相位偏移遮罩之製造方法係使用圖1所示之相位偏移遮罩基底10製造相位偏移遮罩之方法，且包括：於以下之相位偏移遮罩基底10之蝕刻遮罩膜40上形成光阻膜之步驟；藉由於光阻膜描繪/顯影所需圖案而形成光阻膜圖案50(第1光阻膜圖案形成步驟)；以該光阻膜圖案50為遮罩，將蝕刻遮罩膜40進行濕式蝕刻，於相位偏移膜30上形成蝕刻遮罩膜圖案40a之步驟(第1蝕刻遮罩膜圖案形成步驟)；及以上述蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩，將相位偏移膜30進行濕式蝕刻，於透明基板20上形成相位偏移膜圖案30a之步驟(相位偏移膜圖案形成步驟)。而且，更包括第2光阻膜圖案形成步驟及第2蝕刻遮罩膜圖案形成步驟。

圖4所示之相位偏移遮罩之製造方法係使用圖2所示之相位偏移遮罩基底10製造相位偏移遮罩之方法，且包括：於以下之相位偏移遮罩基底10之上形成光阻膜之步驟；藉由於光阻膜描繪/顯影所需圖案而形成光阻膜圖案50(第1光阻膜圖案形成步驟)；及以該光阻膜圖案50為遮罩，將相位偏移膜30進行濕式蝕刻，於透明基板20上形成相位偏移膜圖案30a之步驟(相位偏移膜圖案形成步驟)。 以下，詳細地對實施形態3及4之相位偏移遮罩之製造步驟之各步驟進行說明。

實施形態3之相位偏移遮罩之製造步驟 1.第1光阻膜圖案形成步驟 於第1光阻膜圖案形成步驟中，首先，於實施形態1之相位偏移遮罩基底10之蝕刻遮罩膜40上，形成光阻膜。使用之光阻膜材料並無特別限制。例如，對於具有選自下述350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光感光者即可。又，光阻膜可為正型、負型之任一者。 其後，使用具有選自350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光，於光阻膜描繪所需圖案。描繪於光阻膜之圖案係形成於相位偏移膜30之圖案。作為描繪於光阻膜之圖案，可列舉線隙圖案或孔圖案。 其後，利用特定顯影液，將光阻膜顯影，如圖3(a)所示，於蝕刻遮罩膜40上形成第1光阻膜圖案50。

2.第1蝕刻遮罩膜圖案形成步驟 於第1蝕刻遮罩膜圖案形成步驟中，首先，以第1光阻膜圖案50為遮罩，將蝕刻遮罩膜40進行蝕刻，形成第1蝕刻遮罩膜圖案40a。蝕刻遮罩膜40係由包含鉻(Cr)之鉻系材料形成。蝕刻遮罩膜40具有柱狀構造之情形時，於蝕刻速度較快且能夠抑制側蝕之方面較佳。將蝕刻遮罩膜40進行蝕刻之蝕刻液若為可選擇性地將蝕刻遮罩膜40進行蝕刻者，則並無特別限制。具體而言，可列舉包含硝酸鈰銨及過氯酸之蝕刻液。 其後，使用光阻劑剝離液或藉由灰化，如圖3(b)所示，將第1光阻膜圖案50剝離。亦可視情形，不將第1光阻膜圖案50剝離地進行其次之相位偏移膜圖案形成步驟。

3.相位偏移膜圖案形成步驟 於第1相位偏移膜圖案形成步驟中，以第1蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩，將相位偏移膜30進行濕式蝕刻，如圖3(c)所示，形成相位偏移膜圖案30a。作為相位偏移膜圖案30a，可列舉線隙圖案或孔圖案。蝕刻相位偏移膜30之蝕刻液若為可選擇性地蝕刻相位偏移膜30者，則並無特別限制。例如，可列舉包含氟化銨、磷酸及過氧化氫之蝕刻液、包含氟化氫銨及過氧化氫之蝕刻液。 較佳為，濕式蝕刻為使相位偏移膜圖案30a之剖面形狀良好而以較相位偏移膜圖案30a中露出透明基板20為止之時間(合理蝕刻時間)更長之(過蝕刻時間)進行。作為過蝕刻時間，若考慮對透明基板20之影響等，則較佳為設為於合理蝕刻時間加上該合理蝕刻時間之20%之時間所得之時間內，更佳為設為加上合理蝕刻時間之10%之時間所得之時間內。

4.第2光阻膜圖案形成步驟 於第2光阻膜圖案形成步驟中，首先，形成覆蓋第1蝕刻遮罩膜圖案40a之光阻膜。使用之光阻膜材料並無特別限制。例如，對於具有選自下述350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光感光者即可。又，光阻膜可為正型、負型之任一者。 其後，使用具有選自350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光，於光阻膜描繪所需圖案。光阻膜上描繪之圖案係將於相位偏移膜30形成有圖案之區域之外周區域遮光之遮光帶圖案、或將相位偏移膜圖案之中央部遮光之遮光帶圖案等。再者，光阻膜上描繪之圖案因相位偏移膜30對於曝光之光之透過率，而亦有不存在將相位偏移膜圖案30a之中央部遮光之遮光帶圖案之圖案之情況。 其後，利用特定顯影液將光阻膜顯影，如圖3(d)所示，於第1蝕刻遮罩膜圖案40a上形成第2光阻膜圖案60。

5.第2蝕刻遮罩膜圖案形成步驟 於第2蝕刻遮罩膜圖案形成步驟中，以第2光阻膜圖案60為遮罩，將第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行蝕刻，如圖3(e)所示，形成第2蝕刻遮罩膜圖案40b。第1蝕刻遮罩膜圖案40a係由含鉻(Cr)之鉻系材料形成。將第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行蝕刻之蝕刻液若為可選擇性地蝕刻第1蝕刻遮罩膜圖案40a者，則並無特別限制。例如，可列舉包含硝酸鈰銨及過氯酸之蝕刻液。 其後，使用光阻劑剝離液或藉由灰化，將第2光阻膜圖案60剝離。 以此方式，獲得相位偏移遮罩100。 再者，於上述說明中，對蝕刻遮罩膜40具有遮蔽曝光之光之透過之功能之情形進行了說明，但於蝕刻遮罩膜40僅具有蝕刻相位偏移膜30時之硬質遮罩之功能之情形時，於上述說明中，不進行第2光阻膜圖案形成步驟及第2蝕刻遮罩膜圖案形成步驟，而於相位偏移膜圖案形成步驟之後，將第1蝕刻遮罩膜圖案剝離，製作相位偏移遮罩100。

根據該實施形態3之相位偏移遮罩之製造方法，因使用實施形態1之相位偏移遮罩基底，故能夠縮短蝕刻時間，且能夠形成剖面形狀良好之相位偏移膜圖案。因此，能夠製造能夠精度良好地轉印高精細之相位偏移膜圖案之相位偏移遮罩。如此製造之相位偏移遮罩能夠應對線隙圖案或接觸孔之微細化。

實施形態4之相位偏移遮罩之製造步驟 1.光阻膜圖案形成步驟 於光阻膜圖案形成步驟中，首先，於實施形態2之相位偏移遮罩基底10之相位偏移膜30上，形成光阻膜。使用之光阻膜材料與實施形態3中說明者相同。再者，亦可視需要於形成光阻膜前，將相位偏移膜30進行表面改質處理，以使與相位偏移膜30密接性良好。與上述同樣地，形成光阻膜後，使用具有選自350 nm～436 nm之波長區域中之任一波長之雷射光，於光阻膜上描繪所需圖案。其後，利用特定顯影液將光阻膜顯影，如圖4(a)所示，於相位偏移膜30上形成光阻膜圖案50。 2.相位偏移膜圖案形成步驟 於相位偏移膜圖案形成步驟中，以光阻膜圖案為遮罩，將相位偏移膜30進行蝕刻，如圖4(b)所示，形成相位偏移膜圖案30a。相位偏移膜圖案30a或蝕刻相位偏移膜30之蝕刻液或過蝕刻時間與實施形態3中說明情況相同。 其後，使用光阻剝離液或藉由灰化，將光阻膜圖案50剝離(圖4(c))。 以此方式，獲得相位偏移遮罩100。 根據該實施形態4之相位偏移遮罩之製造方法，因使用實施形態2之相位偏移遮罩基底，故不因濕式蝕刻液對基板之損傷而造成透明基板之透過率下降，能夠縮短蝕刻時間，且能夠形成剖面形狀良好之相位偏移膜圖案。因此，能夠製造可精度良好地轉印高精細之相位偏移膜圖案之相位偏移遮罩。如此製造之相位偏移遮罩能夠應對線隙圖案或接觸孔之微細化。又，於使用具有藉由奈米壓痕法導出之壓痕硬度成為18 GPa以上23 GPa以下之相位偏移膜30之相位偏移遮罩基底，製造相位偏移遮罩之情形時，除了上述效果以外，亦能夠抑制透明基板20之表面粗糙，並且能夠提昇相位偏移膜30之耐洗淨性。

實施形態5. 於實施形態5中，對顯示裝置之製造方法進行說明。顯示裝置係藉由進行使用利用上述相位偏移遮罩基底10製造之相位偏移遮罩100或藉由上述相位偏移遮罩100之製造方法製造之相位偏移遮罩100之步驟(光罩載置步驟)及將轉印圖案曝光轉印至顯示裝置上之光阻膜之步驟(曝光步驟)而製造。 以下，詳細地對各步驟進行說明。

1.載置步驟 於載置步驟中，將實施形態3中製造之相位偏移遮罩載置於曝光裝置之遮罩台。此處，相位偏移遮罩以介隔曝光裝置之投影光學系統而與顯示裝置基板上形成之光阻膜對向之方式配置。

2.圖案轉印步驟 於圖案轉印步驟中，對相位偏移遮罩100照射曝光之光，將相位偏移膜圖案轉印至形成於顯示裝置基板上之光阻膜。曝光之光係包含選自365 nm～436 nm之波長區域中之複數個波長之光之複合光或自365 nm～436 nm之波長區域中將某一波長區域利用濾波器等截止選擇之單色光。例如，曝光之光係包含i線、h線及g線之複合光或i線之單色光。若使用複合光作為曝光之光，則能夠提昇曝光之光強度，從而使提昇產出量，因此，可降低顯示裝置之製造成本。

根據該實施形態3之顯示裝置之製造方法，能夠製造高解析度、具有微細之線隙圖案或接觸孔之高精細之顯示裝置。 再者，於以上之實施形態中，對使用具有相位偏移遮罩膜之相位偏移遮罩基底或具有相位偏移遮罩膜圖案之相位偏移遮罩作為具有圖案形成用薄膜之光罩基底或具有轉印用圖案之光罩之情形進行了說明，但不限於該等。例如，於具有遮光膜作為圖案形成用薄膜之二元遮罩基底或具有遮光膜圖案之二元遮罩中，亦可適用本發明。 [實施例]

實施例1. A.相位偏移遮罩基底及其製造方法 為製造實施例1之相位偏移遮罩基底，首先，準備1214尺寸(1220 mm×1400 mm)之合成石英玻璃基板作為透明基板20。

其後，將合成石英玻璃基板以主表面朝向下側搭載於托盤(未圖示)，搬入至連機型濺鍍裝置之腔室內。 為了於透明基板20之主表面上形成相位偏移膜30，首先，於將第1腔室內之濺鍍氣體壓力設為1.6 Pa之狀態下，導入包含氬(Ar)氣、氮(N ₂)氣及氦(He)氣之惰性氣體(Ar：18 sccm，N ₂：13 sccm，He：50 sccm)。繼而，對包含鉬及矽之第1濺鍍靶(鉬：矽=1：9)施加7.6 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺鍍，於透明基板20之主表面上沈積含有鉬、矽及氮之鉬矽化物之氮化物。繼而，成膜膜厚150 nm之相位偏移膜30。

繼而，將附帶相位偏移膜30之透明基板20搬入至第2腔室內，於第2腔室內導入氬(Ar)氣與氮(N ₂)氣之混合氣體(Ar：65 sccm，N ₂：15 sccm)。繼而，對含鉻之第2濺鍍靶施加1.5 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺鍍，於相位偏移膜30上形成含有鉻及氮之鉻氮化物(CrN)(膜厚15 nm)。繼而，於使第3腔室內成為特定真空度之狀態下，導入氬(Ar)氣與甲烷(CH ₄：4.9%)氣體之混合氣體(30 sccm)，對含鉻之第3濺鍍靶施加8.5 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺鍍於CrN上形成含有鉻及碳之鉻碳化物(CrC)(膜厚60 nm)。最後，於使第4腔室內成為特定真空度之狀態下，導入氬(Ar)氣與甲烷(CH ₄：5.5%)氣體之混合氣體及氮(N ₂)氣與氧(O ₂)氣之混合氣體(Ar+CH ₄：30 sccm，N ₂：8 sccm，O ₂：3 sccm)，對含鉻之第4濺鍍靶施加2.0 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺鍍於CrC上形成含有鉻、碳、氧及氮之鉻碳化氮氧化物(CrCON)(膜厚30 nm)。如上所述，於相位偏移膜30上，形成CrN層、CrC層及CrCON層之積層構造之蝕刻遮罩膜40。 以此方式，獲得透明基板20上形成有相位偏移膜30及蝕刻遮罩膜40之相位偏移遮罩基底10。

對於所得之相位偏移遮罩基底10之相位偏移膜30(相位偏移膜30之表面，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率、相位差。相位偏移膜30之透過率、相位差之測定係使用安放於同一托盤製作的於合成石英玻璃基板之主表面上成膜有相位偏移膜30之附帶相位偏移膜之基板(虛設基板)。相位偏移膜30之透過率、相位差係於形成蝕刻遮罩膜40前，將附帶相位偏移膜之基板(虛設基板)自腔室取出進行測定。其結果，透過率為27%(波長：405 nm)相位差為178°(波長：405 nm)。

又，對於所得之相位偏移遮罩基底10，藉由X線光電子光譜法(XPS)進行深度方向之組成分析。 於對於相位偏移遮罩基底10之藉由XPS所得之深度方向之組成分析結果中，相位偏移膜30除了透明基板20與相位偏移膜30之界面之組成梯度區域、及相位偏移膜30與蝕刻遮罩膜40之界面之組成梯度區域以外，各構成元素之含有率朝向深度方向大致固定，且Mo為8原子%，Si為40原子%，N為48原子%，O為4原子%。又，鉬與矽之原子比率為1：5，處於1：3以上1：15以下之範圍內。又，作為輕元素之氧、氮之合計含有率為52原子%，處於50原子%以上65原子%以下之範圍內。再者，相位偏移膜30中含有氧可認為濺鍍氣體壓力高達0.8 Pa以上，於成膜時之腔室內存在微量之氧。 又，對所得之相位偏移膜30之壓痕硬度進行測定(測定方法下文敍述)後，壓痕硬度滿足18 GPa以上23 GPa以下。

繼而，於所得之相位偏移遮罩基底10之轉印圖案形成區域之中央之位置，以80000倍之倍率進行剖面SEM(掃描電子顯微鏡)觀察，結果可確認相位偏移膜30具有柱狀構造。即，可確認具有構成相位偏移膜30之鉬矽化物化合物之粒子朝向相位偏移膜30之膜厚方向延伸之柱狀粒子構造。而且，可確認相位偏移膜30之柱狀粒子構造係不規則地形成有膜厚方向之柱狀粒子，且柱狀粒子之膜厚方向之長度亦不一致之狀態。又，亦可確認相位偏移膜30之稀疏部分於膜厚方向上連續地形成。進而，對於藉由該剖面SEM觀察所得之圖像，將相位偏移膜30之厚度方向包含中心部之區域，以縱64像素×橫256像素之圖像資料擷取(圖5(a))。進而，對圖5所示之圖像資料進行傅立葉變換(圖5(b))。於藉由傅立葉變換獲得之空間頻率光譜分佈中，確認到空間頻率之原點之信號強度(最大信號強度)為3136000，且與上述最大信號強度不同地，存在具有66150之信號強度之空間頻率光譜。該空間頻率光譜對於與空間頻率之原點對應之最大信號強度，成為66150/3136000=0.021(即2.1%)，且相位偏移膜30為具有1.0%以上之信號強度之柱狀構造。

又，相位偏移膜30具有如下柱狀構造，該柱狀構造係於對於圖5(b)之上述傅立葉變換之圖像，以空間頻率之原點、即圖5(b)之圖像之中心為原點(0)，將與橫軸256像素之兩端對應之最大空間頻率設為1(100%)時，相對於與上述空間頻率之原點對應之最大信號強度為2.1%之信號強度之信號於與上述原點相距0.055、即5.5%之位置具有信號者。再者，於以下之實施例、比較例之傅立葉變換之圖像中，情況亦相同。 又，於該相位偏移膜30之膜厚中心附近，採集相對膜厚方向之垂直方向100 nm(基板之面內方向)之板狀之試樣，進行暗視野平面STEM觀察。將暗視野平面STEM(掃描型透射電子顯微鏡)觀察結果示於圖6。如圖6所示，觀察到被視為柱狀之粒子部分(灰白色之部分)與粒子間(灰黑色之部分)的灰白色及灰黑色之斑點花樣。對於該灰白色及灰黑色之部位，藉由EDX分析(energy-dispersive X-ray analysis，能量分散型X線分析)，進行構成相位偏移膜30之元素(Mo、Si、N、O)之定量分析(未圖示)。其結果，確認到於灰黑色之部分及灰白色之部分，Si之檢測量(計數值)高於Mo，灰黑色之部分之相位偏移膜30之構成元素之檢測量(計數值)低於灰白色之部分之相位偏移膜30之構成元素之檢測量(計數值)。尤其，灰黑色之部分中之Si之檢測量(計數值)為600(Counts)，灰白色之部分中之Si之檢測量(計數值)為400(Counts)，與其他元素相比，檢測量(計數值)之差較大。根據該結果，確認到相位偏移膜30形成有密度相對較高之粒子部分(灰白色之部分)及密度相對較低之稀疏部分(灰黑色之部分)。該粒子部分係與圖5或圖7所示之柱狀之粒子對應者。再者，相位偏移膜30整體之膜密度低於先前之相位偏移膜之膜密度。

B.相位偏移遮罩及其製造方法 為了使用以上述方式製造之相位偏移遮罩基底10製造相位偏移遮罩100，首先，於相位偏移遮罩基底10之蝕刻遮罩膜40上，使用光阻塗佈裝置，塗佈光阻膜。 其後，經由加熱、冷卻步驟，形成膜厚520 nm之光阻膜。 其後，使用雷射描繪裝置描繪光阻膜，經由顯影、沖洗步驟，於蝕刻遮罩膜上形成孔徑為1.5 μm之孔圖案之光阻膜圖案。

其後，以光阻膜圖案為遮罩，利用包含硝酸鈰銨及過氯酸之鉻蝕刻液，將蝕刻遮罩膜進行濕式蝕刻，形成第1蝕刻遮罩膜圖案40a。

其後，以第1蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩，利用將氟化氫銨與過氧化氫之混合溶液以純水稀釋所得之鉬矽化物蝕刻液，將相位偏移膜30進行濕式蝕刻，形成相位偏移膜圖案30a。該濕式蝕刻係以110%之過蝕刻時間進行，以使剖面形狀垂直化且形成要求之微細圖案。實施例1中之恰當蝕刻時間係相對於下述比較例中之恰當蝕刻時間為0.15倍，從而能夠大幅縮短蝕刻時間。 其後，將光阻膜圖案剝離。

其後，使用光阻塗佈裝置，以覆蓋第1蝕刻遮罩膜圖案40a之方式塗佈光阻膜。 其後，經由加熱、冷卻步驟，形成膜厚520 nm之光阻膜。 其後，使用雷射描繪裝置描繪光阻膜，經由顯影、沖洗步驟，於第1蝕刻遮罩膜圖案40a上形成用以形成遮光帶之第2光阻膜圖案60。

其後，以第2光阻膜圖案60為遮罩，利用包含硝酸鈰銨及過氯酸之鉻蝕刻液，將形成於轉印圖案形成區域之第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行濕式蝕刻。 其後，將第2光阻膜圖案60剝離。

以此方式獲得相位偏移遮罩100，該相位偏移遮罩100於透明基板20上形成有轉印圖案形成區域中包含孔徑為1.5 μm之相位偏移膜圖案30a、及相位偏移膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶。

利用掃描式電子顯微鏡觀察所得之相位偏移遮罩之剖面。相位偏移膜圖案之剖面係包含相位偏移膜圖案之上表面、下表面及側面。該相位偏移膜圖案之剖面之角度係指相位偏移膜圖案之上表面與側面相接之部位(上邊)和側面與下表面相接之部位(下邊)所成之角度。所得之相位偏移遮罩之相位偏移膜圖案30a之剖面之角度為74°，具有接近垂直之剖面形狀。實施例1之相位偏移遮罩上形成之相位偏移膜圖案30a具有能夠充分發揮相位偏移效果之剖面形狀。可認為相位偏移膜圖案30a藉由將相位偏移膜30設為柱狀構造而成為良好剖面形狀係取決於以下機制。根據圖7之剖面SEM照片之觀察結果，相位偏移膜30具有柱狀之粒子構造(柱狀構造)，且不規則地形成有膜厚方向上延伸之柱狀粒子。又，根據圖6之暗視野平面STEM照片之觀察結果、圖7之剖面SEM照片之觀察結果，相位偏移膜30由密度相對較高之各柱狀之粒子部分及密度相對較低之稀疏部分形成。根據該等事實，於藉由濕式蝕刻將相位偏移膜30圖案化時，蝕刻液滲透至相位偏移膜30中之稀疏部分，藉此蝕刻容易於膜厚方向上進行，另一方面，於相對膜厚方向垂直之方向(基板面內之方向)上，不規則地形成有柱狀之粒子，該方向上之稀疏部分斷續地形成，因此，朝向該方向之蝕刻難以進行，側蝕得到抑制，由此認為相位偏移膜圖案30a獲得接近垂直之良好剖面形狀。又，於相位偏移膜圖案中，於與蝕刻遮罩膜圖案之界面及與基板之界面之任一者，均未見到滲透。因此，於包含300 nm以上500 nm以下之波長範圍之光之曝光之光、更具體而言包含i線、h線及g線之複合光之曝光之光中，獲得具有優異之相位偏移效果之相位偏移遮罩。 因此，可謂於將實施例1之相位偏移遮罩安放於曝光裝置之遮罩台後曝光轉印至顯示裝置上之光阻膜之情形時，能夠高精度地轉印未達2.0 μm之微細圖案。

再者，圖7之剖面SEM照片係於實施例1之相位偏移遮罩之製造步驟中，以第1蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩，利用鉬矽化物蝕刻液，將相位偏移膜30進行濕式蝕刻(110%之過蝕刻)，形成相位偏移膜圖案30a，且將光阻膜圖案剝離後之剖面SEM照片。如圖7所示，相位偏移膜圖案30a維持相位偏移膜30之柱狀構造，又，將相位偏移膜30去除後露出之透明基板20之表面係平滑，且可無視因透明基板20之表面粗糙造成之透過率下降之狀態。

實施例2. A.相位偏移遮罩基底及其製造方法 為製造實施例2之相位偏移遮罩基底，而與實施例1同樣地，準備1214尺寸(1220 mm×1400 mm)之合成石英玻璃基板作為透明基板。 藉由與實施例1相同之方法，將合成石英玻璃基板搬入至連機型之濺鍍裝置之腔室。作為第1濺鍍靶、第2濺鍍靶、第3濺鍍靶、第4濺鍍靶，使用與實施例1相同之濺鍍靶材料。而且，於將第1腔室內之濺鍍氣體壓力設為1.6 Pa之狀態下，導入包含氬(Ar)氣、氦(He)氣及氮(N ₂)氣之惰性氣體與作為反應性氣體之一氧化氮氣體(NO)之混合氣體(Ar：18 sccm，N ₂：15 sccm，He：50 sccm，NO：4 sccm)。繼而，對包含鉬及矽之第1濺鍍靶(鉬：矽=1：9)施加7.6 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺鍍，於透明基板20之主表面上，沈積含有鉬、矽、氧及氮之鉬矽化物之氮氧化物。繼而，成膜膜厚140 nm之相位偏移膜30。 繼而，於透明基板形成相位偏移膜後，將其自腔室取出，利用純水於相位偏移膜之表面進行洗淨。純水洗淨條件係設為溫度30度、洗淨時間60秒。 其後，藉由與實施例1相同之方法，成膜蝕刻遮罩膜40。 以此方式，獲得透明基板20上形成有相位偏移膜30及蝕刻遮罩膜40之相位偏移遮罩基底10。

對於所得之相位偏移遮罩基底10之相位偏移膜(將相位偏移膜之表面純水洗淨後之相位偏移膜)，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率、相位差。相位偏移膜之透過率、相位差之測定中，使用安放於同一托盤製作而成的於合成石英玻璃基板之主表面上成膜相位偏移膜30之附帶相位偏移膜之基板(虛設基板)。相位偏移膜30之透過率、相位差係於形成蝕刻遮罩膜前，將附帶相位偏移膜之基板(虛設基板)自腔室取出進行測定。其結果，透過率為33%(波長：365 nm)相位差為169度(波長：365 nm)。

又，對於所得之相位偏移遮罩基底，藉由X線光電子光譜法(XPS)進行深度方向之組成分析。 其結果，與實施例1同樣地，相位偏移膜30除了透明基板20與相位偏移膜30之界面之組成梯度區域、及相位偏移膜30與蝕刻遮罩膜40之界面之組成梯度區域以外，各構成元素之含有率朝向深度方向大致固定，Mo為7原子%，Si為38原子%，N為45原子%，O為10原子%。又，鉬與矽之原子比率為1：5.4，處於1：3以上1：15以下之範圍內。又，作為輕元素之氧、氮、碳之合計含有率為55原子%，處於50原子%以上65原子%以下之範圍內。 其次，於所得之相位偏移遮罩基底10之轉印圖案形成區域之中央之位置，以80000倍之倍率進行剖面SEM觀察，結果可確認相位偏移膜30具有柱狀構造。即，可確認具有構成相位偏移膜30之鉬矽化物化合物之粒子朝向相位偏移膜30之膜厚方向延伸之柱狀粒子構造。而且，可確認相位偏移膜30之柱狀粒子構造係膜厚方向之柱狀粒子不規則地形成，且柱狀粒子之膜厚方向之長度亦不一致之狀態。又，亦可確認相位偏移膜30之稀疏部分於膜厚方向上連續地形成。進而，對於藉由該剖面SEM觀察獲得之圖像，將相位偏移膜30之厚度方向包含中心部之區域，以縱64像素×橫256像素之圖像資料擷取(圖8(a))。進而，對圖8(a)所示之圖像資料進行傅立葉變換(圖8(b))。於藉由傅立葉變換獲得之空間頻率光譜分佈中，確認到空間頻率之原點之信號強度(最大信號強度)為2406000，且與上述最大信號強度不同地，存在具有39240之信號強度之空間頻率光譜。該空間頻率光譜相對於與空間頻率之原點對應之最大信號強度，成為39240/2406000=0.016(即1.6%)，且相位偏移膜30為具有1.0%以上之信號強度之柱狀構造。

又，相位偏移膜30具有如下之微細之柱狀構造，該柱狀構造係於對於圖8(b)之傅立葉變換之圖像，以空間頻率之原點、即圖8(b)之圖像之中心為原點(0)，將橫軸256像素之兩端設為1(100%)時，相對於與上述空間頻率之原點對應之最大信號強度為1.6%之信號強度之信號於與上述原點相距0.023、即2.3%之位置具有信號者。 又，與實施例1同樣地，於該相位偏移膜30之膜厚中心附近，進行暗視野平面STEM觀察。其結果，與實施例1同樣地，確認到於相位偏移膜30形成有各柱狀之粒子部分及稀疏部分。

B.相位偏移遮罩及其製造方法 使用以上述方式製造之相位偏移遮罩基底，藉由與實施例1相同之方法，製造具有孔徑為1.5 μm之相位偏移膜圖案之相位偏移遮罩。對相位偏移膜30之濕式蝕刻係以110%之過蝕刻時間進行，以使剖面形狀垂直化且形成要求之微細圖案。實施例2中之合理蝕刻時間係相對於下述比較例中之合理蝕刻時間成為0.07倍，從而能夠大幅縮短蝕刻時間。

利用掃描式電子顯微鏡對所得之相位偏移遮罩之剖面進行觀察。相位偏移遮罩之相位偏移膜圖案30a之剖面之角度為74°，具有接近垂直之剖面形狀。又，於相位偏移膜圖案中，於與蝕刻遮罩膜圖案之界面及與基板之界面之任一者，均未發現滲透。因此，於包含300 nm以上500 nm以下之波長範圍之光之曝光之光、更具體而言包含i線、h線及g線之複合光之曝光之光中，獲得具有優異之相位偏移效果之相位偏移遮罩。 因此，可謂於將實施例2之相位偏移遮罩安放於曝光裝置之遮罩台後曝光轉印至顯示裝置上之光阻膜之情形時，能夠高精度地轉印未達2.0 μm之微細圖案。

再者，圖9之剖面SEM照片係於實施例2之相位偏移遮罩之製造步驟中，以第1蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩，利用鉬矽化物蝕刻液，將相位偏移膜30進行濕式蝕刻(110%之過蝕刻)，形成相位偏移膜圖案30a，且將光阻膜圖案剝離後之剖面SEM照片。如圖9所示，相位偏移膜圖案30a維持相位偏移膜30之柱狀構造，又，將相位偏移膜30去除後露出之透明基板20之表面係平滑，且可無視因透明基板20之表面粗糙造成之透過率下降之狀態。

實施例3. A.相位偏移遮罩基底及其製造方法 實施例3之相位偏移遮罩基底係不具有實施例1之相位偏移遮罩基底中之蝕刻遮罩膜之相位偏移遮罩基底。 為製造實施例3之相位偏移遮罩基底，而與實施例1同樣地，準備1214尺寸(1220 mm×1400 mm)之合成石英玻璃基板作為透明基板20。 為使用與實施例1相同之成膜方法，於透明基板20之主表面上形成相位偏移膜30，首先，於將第1腔室內之濺鍍氣體壓力設為1.4 Pa之狀態下，導入包含氬(Ar)氣、氮(N ₂)氣及氦(He)氣之惰性氣體(Ar：18 sccm，N ₂：13.5 sccm，He：50 sccm)。利用該成膜條件，於透明基板20上形成包含鉬矽化物之氮氧化物之相位偏移膜30(膜厚：150 nm)。 以此方式，獲得透明基板20上形成有相位偏移膜30之相位偏移遮罩基底10。

對於所得之相位偏移遮罩基底10之相位偏移膜，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率、相位差。相位偏移膜之透過率、相位差之測定中，使用安放於同一托盤製作而成之於合成石英玻璃基板之主表面上成膜有相位偏移膜30之附帶相位偏移膜之基板(虛設基板)。其結果，透過率為24%(波長：405 nm)相位差為183度(波長：405 nm)。

對於該所得之相位偏移遮罩基底10之相位偏移膜30，藉由X線光電子光譜法(XPS)進行深度方向之組成分析，結果與實施例1同樣地，相位偏移膜30係各構成元素之含有率朝向深度方向大致固定。又，鉬與矽之原子比率為1：5，處於1：3以上1：15以下之範圍內。又，作為輕元素之氧、氮、碳之合計含有率為52原子%，處於50原子%以上65原子%以下之範圍內。又，氧之含有率為0.3原子%，處於超過0原子%且40原子%以下之範圍內。

繼而，於所得之相位偏移遮罩基底10之轉印圖案形成區域之中央之位置，以80000倍之倍率進行剖面SEM觀察，結果可確認相位偏移膜30具有柱狀構造。即，可確認具有構成相位偏移膜30之鉬矽化物化合物之粒子朝向相位偏移膜30之膜厚方向延伸之柱狀粒子構造。而且，可確認相位偏移膜30之柱狀粒子構造係膜厚方向之柱狀粒子不規則地形成，且柱狀粒子之膜厚方向之長度亦不一致之狀態。又，亦可確認相位偏移膜30之稀疏部分於膜厚方向上連續地形成。進而，對於藉由該剖面SEM觀察獲得之圖像，將相位偏移膜30之厚度方向包含中心部之區域，以縱64像素×橫256像素之圖像資料擷取(圖10(a))。進而，對圖10(a)所示之圖像資料進行傅立葉變換(圖10(b))。於藉由傅立葉變換獲得之空間頻率光譜分佈中，確認到空間頻率之原點之信號強度(最大信號強度)為31590000，且與上述最大信號強度不同地，存在具有47230之信號強度之空間頻率光譜。該空間頻率光譜相對於與空間頻率之原點對應之最大信號強度，成為47230/3159000=0.015(即1.5%)，且相位偏移膜30為具有1.0%以上之信號強度之柱狀構造。

又，相位偏移膜30具有如下之空間頻率較大之微細之柱狀構造，該柱狀構造係於對於圖10(b)之傅立葉變換之圖像，以空間頻率之原點、即圖10(b)之圖像之中心為原點(0)，將橫軸256像素之兩端設為1(100%)時，相對於與上述空間頻率之原點對應之最大信號強度為1.5%之信號強度之信號於與上述原點相距0.078、即7.8%之位置具有信號者。 又，與實施例1同樣地，於該相位偏移膜30之膜厚中心附近，進行暗視野平面STEM觀察。其結果，與實施例1同樣地，確認到於相位偏移膜30形成有各柱狀之粒子及稀疏部分。

B.相位偏移遮罩及其製造方法 使用以上述方式製造之相位偏移遮罩基底10，藉由與實施例1相同之方法，製造具有孔徑為1.5 μm之相位偏移膜圖案之相位偏移遮罩。對相位偏移膜30之濕式蝕刻係以110%之過蝕刻時間進行，以使剖面形狀垂直化且形成要求之微細圖案。實施例3中之合理蝕刻時間相對於下述比較例中之合理蝕刻時間成為0.20倍，從而能夠大幅縮短蝕刻時間。

利用掃描式電子顯微鏡，觀察所得之相位偏移遮罩之剖面。相位偏移遮罩之相位偏移膜圖案30a之剖面之角度為80°，具有接近垂直之剖面形狀。又，於相位偏移膜圖案中，於與蝕刻遮罩膜圖案之界面及與基板之界面之任一者，均未發現滲透。因此，於包含300 nm以上500 nm以下之波長範圍之光之曝光之光、更具體而言包含i線、h線及g線之複合光之曝光之光中，獲得具有優異之相位偏移效果之相位偏移遮罩。 因此，可謂於將實施例3之相位偏移遮罩安放於曝光裝置之遮罩台後曝光轉印至顯示裝置上之光阻膜之情形時，能夠高精度地轉印未達2.0 μm之微細圖案。

再者，圖11之剖面SEM照片係於實施例3之相位偏移遮罩之製造步驟中，以第1蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩，利用鉬矽化物蝕刻液，將相位偏移膜30進行濕式蝕刻(110%之過蝕刻)，形成相位偏移膜圖案30a，且將光阻膜圖案剝離後之剖面SEM照片。如圖11所示，相位偏移膜圖案30a維持相位偏移膜30之柱狀構造，又，將相位偏移膜30去除後露出之透明基板20之表面係平滑，且可無視因透明基板20之表面粗糙造成之透過率之狀態。線邊緣粗糙度與實施例1相比更加良好。

再者，於上述實施例中，對使用鉬作為過渡金屬之情形進行了說明，但其他過渡金屬之情形亦可獲得與上述同等之效果。 又，於上述實施例中，對顯示裝置製造用之相位偏移遮罩基底或顯示裝置製造用之相位偏移遮罩之例進行了說明，但不限於此。本發明之相位偏移遮罩基底或相位偏移遮罩亦可適用於半導體裝置製造用途、MEMS(microelectromechanical system，微機電系統)製造用途、印刷基板用途等。又，於具有遮光膜作為圖案形成用薄膜之二元遮罩基底或具有遮光膜圖案之二元遮罩中，亦可適用本發明。 又，於上述實施例中，對透明基板之尺寸為1214尺寸(1220 mm×1400 mm×13 mm)之例進行了說明，但不限定此。於顯示裝置製造用之相位偏移遮罩基底之情形時，使用大型(Large Size)之透明基板，該透明基板之尺寸係一邊之長度為300 mm以上。顯示裝置製造用途之相位偏移遮罩基底中使用之透明基板之尺寸例如為330 mm×450 mm以上2280 mm×3130 mm以下。 又，於半導體裝置製造用、MEMS製造用、印刷基板用之相位偏移遮罩基底之情形時，使用小型(Small Size)之透明基板，該透明基板之尺寸係一邊之長度為9英吋以下。上述用途之相位偏移遮罩基底中使用之透明基板之尺寸例如為63.1 mm×63.1 mm以上228.6 mm×228.6 mm以下。通常，半導體製造用途、MEMS製造用途係使用6025尺寸(152 mm×152 mm)或5009尺寸(126.6 mm×126.6 mm)，印刷基板用途係使用7012尺寸(177.4 mm×177.4 mm)或9012尺寸(228.6 mm×228.6 mm)。

比較例1. A.相位偏移遮罩基底及其製造方法 為製造比較例1之相位偏移遮罩基底，與實施例1同樣地，準備1214尺寸(1220 mm×1400 mm)之合成石英玻璃基板作為透明基板。 藉由與實施例1相同之方法，將合成石英玻璃基板搬入至連機型之濺鍍裝置之腔室。繼而，於將第1腔室內之濺鍍氣體壓力設為0.5 Pa之狀態下，導入氬(Ar)氣與氮(N ₂)氣之混合氣體(Ar：30 sccm，N ₂：30 sccm)。繼而，對包含鉬及矽之第1濺鍍靶(鉬：矽=1：9)施加7.6 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺鍍，於透明基板之主表面上沈積含有鉬、矽及氮之鉬矽化物之氮化物。以此方式成膜膜厚144 nm之相位偏移膜。 比較例1中之相位偏移膜之壓痕硬度不滿足18 GPa以上23 GPa以下。 其後，藉由與實施例1相同之方法，成膜蝕刻遮罩膜。 以此方式，獲得透明基板上形成有相位偏移膜及蝕刻遮罩膜之相位偏移遮罩基底。

對於所得之相位偏移遮罩基底之相位偏移膜，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率、相位差。相位偏移膜之透過率、相位差之測定中，使用安放於同一托盤製作而成之於合成石英玻璃基板之主表面上成膜有相位偏移膜之附帶相位偏移膜之基板(虛設基板)。相位偏移膜之透過率、相位差係於形成蝕刻遮罩膜之前，將附帶相位偏移膜之基板(虛設基板)自腔室取出進行測定。其結果，透過率為30%(波長：405 nm)相位差為177度(波長：405 nm)。

又，對於所得之相位偏移遮罩基底，藉由X線光電子光譜法(XPS)進行深度方向之組成分析。其結果，相位偏移膜30除了透明基板20與相位偏移膜30之界面之組成梯度區域、及相位偏移膜30與蝕刻遮罩膜40之界面之組成梯度區域以外，各構成元素之含有率朝向深度方向大致固定，Mo為8原子%，Si為39原子%，N為52原子%，O為1原子%。又，鉬與矽之原子比率為1：4.9，處於1：3以上1：15以下之範圍內。又，作為輕元素之氧、氮、碳之合計含有率為53原子%，處於50原子%以上65原子%以下之範圍內。

其次，於所得之相位偏移遮罩基底10之轉印圖案形成區域之中央之位置，以80000倍之倍率進行剖面SEM觀察，結果無法於相位偏移膜中確認到柱狀構造，而可確認到超微細之結晶構造或者非晶構造。對於藉由該剖面SEM觀察獲得之圖像，將相位偏移膜30之厚度方向包含中心部之區域，以縱64像素×橫256像素之圖像資料擷取(圖12(a))。進而，對圖12(a)所示之圖像資料進行傅立葉變換(圖12(b))。於藉由傅立葉變換獲得之空間頻率光譜分佈中，空間頻率之原點之信號強度(最大信號強度)為2073000，且無法確認到與上述最大強度信號不同之較強之信號，僅存在具有12600之信號強度之空間頻率光譜。該空間頻率光譜相對於與空間頻率之原點對應之最大信號強度，成為12600/2073000=0.006(即0.6%)，相位偏移膜30係不具有1.0%以上之信號強度之超微細之結晶構造或者非晶構造。

B.相位偏移遮罩及其製造方法 使用以上述方式製造之相位偏移遮罩基底，藉由與實施例1相同之方法，製造相位偏移遮罩。對相位偏移膜之濕式蝕刻係以110%之過蝕刻時間進行，以使剖面形狀垂直化且形成要求之微細圖案。比較例1中之合理蝕刻時間為142分鐘，屬於較長時間。 又，圖13之剖面SEM照片係於比較例之相位偏移遮罩之製造步驟中，以第1蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩，利用鉬矽化物蝕刻液，將相位偏移膜30進行濕式蝕刻(110%之過蝕刻)，形成相位偏移膜圖案30a，且將光阻膜圖案剝離前之剖面SEM照片。如圖13所示，將相位偏移膜30去除後露出之透明基板20之表面從粗糙，我目視下亦白濁之狀態。因此，因透明基板20之表面粗糙造成之透過率之下降顯著。 因此，預測於將比較例1之相位偏移遮罩安放於曝光裝置之遮罩台後曝光轉印至顯示裝置上之光阻膜之情形時，無法轉印未達2.0 μm之微細圖案。

以下，對用以更具體地對本發明之實施形態進行說明之其他實施例1～4及其他比較例1、2(以下，亦存在簡稱為各例之情況)進行敍述。 A.相位偏移遮罩基底及其製造方法 對於其他實施例1～4及其他比較例1、2之各者，為製造相位偏移遮罩基底，首先，準備1214尺寸(1220 mm×1400 mm)之合成石英玻璃基板作為透明基板20。

其後，於各例中，將合成石英玻璃基板以主表面朝向下側搭載於托盤(未圖示)，並搬入至連機型濺鍍裝置之腔室內。 為於透明基板20之主表面上形成相位偏移膜30，首先，於第1腔室內，導入包含氬(Ar)氣、氦(He)氣及氮(N ₂)氣之混合氣體。該導入時之濺鍍氣體壓力係藉由於相位偏移膜滿足特定透過率及相位差之範圍內，調整氬(Ar)氣、氦(He)氣及氮(N ₂)氣之流量，而於各例中設為不同之值(參照下述表1)。如表1所示，各其他實施例1～4中之濺鍍氣體壓力滿足0.7 Pa以上2.4 Pa以下之範圍，其他比較例1、2中之濺鍍氣體壓力不滿足0.7 Pa以上2.4 Pa以下之範圍。而且，於各例中，對包含鉬及矽之第1濺鍍靶(鉬：矽=1：9)施加7.6 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺鍍，於透明基板20之主表面上沈積含有鉬、矽及氮之鉬矽化物之氮化物，成膜相位偏移膜30。於各例中，相位偏移膜30之膜厚為144 nm～170 nm。

繼而，於各例中，將附帶相位偏移膜30之透明基板20搬入至第2腔室內，且於第2腔室內導入氬(Ar)氣與氮(N ₂)氣之混合氣體。繼而，對含鉻之第2濺鍍靶施加1.5 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺鍍，於相位偏移膜30上形成含有鉻及氮之鉻氮化物(CrN)(膜厚15 nm)。繼而，於使第3腔室內成為特定真空度之狀態下，導入氬(Ar)氣與甲烷(CH ₄：4.9%)氣體之混合氣體，對含鉻之第3濺鍍靶施加8.5 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺鍍而於CrN上形成含有鉻及碳之鉻碳化物(CrC)(膜厚60 nm)。最後，於使第4腔室內成為特定真空度之狀態下，導入氬(Ar)氣與甲烷(CH ₄：5.5%)氣體之混合氣體及氮(N ₂)氣與氧(O ₂)氣體之混合氣體，對含鉻之第4濺鍍靶施加2.0 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺鍍而於CrC上形成含有鉻、碳、氧及氮之鉻碳化氮氧化物(CrCON)(膜厚30 nm)。如上所述，於各例中，於相位偏移膜30上，形成CrN層、CrC層及CrCON層之積層構造之蝕刻遮罩膜40。 以此方式於各例中獲得透明基板20上形成有相位偏移膜30及蝕刻遮罩膜40之相位偏移遮罩基底10。

於各例中，對於所得之相位偏移遮罩基底10之相位偏移膜30(相位偏移膜30之表面，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率、相位差。相位偏移膜30之透過率、相位差之測定中使用安放於同一托盤製作而成之於合成石英玻璃基板之主表面上成膜有相位偏移膜30之附帶相位偏移膜之基板(虛設基板)。於各例中，相位偏移膜30之透過率、相位差係於形成蝕刻遮罩膜40之前，將附帶相位偏移膜之基板(虛設基板)自腔室取出進行測定。其結果，於各例中，透過率及相位差均滿足所要求之範圍(透過率：於波長405 nm為10～50%，相位差：於波長405 nm為160°以上200°以下)。

又，於各例中，對於所得之相位偏移遮罩基底10，藉由X線光電子光譜法(XPS)進行深度方向之組成分析。 於各例中，對於相位偏移遮罩基底10藉由XPS分析所得之深度方向之組成分析結果中，相位偏移膜30除了透明基板20與相位偏移膜30之界面之組成梯度區域、及相位偏移膜30與蝕刻遮罩膜40之界面之組成梯度區域以外，各構成元素之含有率朝向深度方向大致固定。又，於各例中，鉬與矽之原子比率均為1：3以上1：15以下之範圍內。

而且，於各例中，對所得之相位偏移膜30之壓痕硬度進行測定。具體而言，於各例中之相位偏移膜30中，於測定位置50 μm間距之6×6之矩陣位置(36個部位)進行設定，於各位置以最大0.5 mN壓入具備金剛石壓頭之特殊探針，測定負載之變化。自各位置中所得之測定值，去除異常值及最大值、最小值，算出各例中之壓痕硬度(參照表1)。再者，藉由去除異常值及最大值、最小值，確認到相對於測定值，標準偏差成為測定值之7%以下。

如表1所示，其他實施例1～4中之壓痕硬度滿足18 GPa以上23 GPa以下，其他比較例1、2中之壓痕硬度不滿足18 GPa以上23 GPa以下。

B.相位偏移遮罩及其製造方法 為使用以上述方式製造之相位偏移遮罩基底10製造相位偏移遮罩100，首先，於各例中，於相位偏移遮罩基底10之蝕刻遮罩膜40上，使用光阻塗佈裝置塗佈光阻膜。 其後，經由加熱、冷卻步驟，形成膜厚520 nm之光阻膜。 其後，使用雷射描繪裝置描繪光阻膜，經由顯影、沖洗步驟，於蝕刻遮罩膜上形成孔徑為1.5 μm之孔圖案之光阻膜圖案。

其後，於各例中，以光阻膜圖案為遮罩，利用包含硝酸鈰銨及過氯酸之鉻蝕刻液，將蝕刻遮罩膜進行濕式蝕刻，形成第1蝕刻遮罩膜圖案40a。

其後，於各例中，以第1蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩，利用將氟化氫銨與過氧化氫之混合溶液以純水稀釋所得之鉬矽化物蝕刻液，將相位偏移膜30進行濕式蝕刻，形成相位偏移膜圖案30a。 該濕式蝕刻於各例中以110%之過蝕刻時間進行，以使剖面形狀垂直化且形成要求之微細圖案。 將各例中之相位偏移膜30之蝕刻速率示於表1。如表1所示，其他比較例1中之蝕刻速率為最小之1.0 nm/分鐘，其他比較例2中之蝕刻速率為最大之12.0 nm/分鐘。 其後，將光阻膜圖案剝離。

其後，於各例中，使用光阻塗佈裝置，以覆蓋第1蝕刻遮罩膜圖案40a之方式塗佈光阻膜。 其後，經由加熱、冷卻步驟，形成膜厚520 nm之光阻膜。 其後，使用雷射描繪裝置描繪光阻膜，經由顯影、沖洗步驟，於第1蝕刻遮罩膜圖案40a上形成用以形成遮光帶之第2光阻膜圖案60。

其後，以第2光阻膜圖案60為遮罩，利用包含硝酸鈰銨及過氯酸之鉻蝕刻液，將形成於轉印圖案形成區域之第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行濕式蝕刻。 其後，將第2光阻膜圖案60剝離。 又，於各例中，適當進行使用藥液(硫酸過氧化氫混合物(SPM)、氨水過氧化氫混合物(SC1)、臭氧水)之洗淨處理。

以此方式於各例中獲得相位偏移遮罩100，該相位偏移遮罩100係於透明基板20上形成有轉印圖案形成區域中包含孔徑為1.5 μm之相位偏移膜圖案30a、及相位偏移膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶。

[表1]

	其他實施例1	其他實施例2	其他實施例3	其他實施例4	其他比較例1	其他比較例2
壓力[Pa]	1.6	1.9	1.1	0.7	0.5	2.5
蝕刻速率[nm/分鐘]	7.4	8.6	5.8	3.3	1.0	12.0
壓痕硬度[GPa]	19.3	18.3	21.3	23.0	26.2	17.5
基板表面粗糙	OK	OK	OK	OK	NG	OK
耐洗淨性	OK	OK	OK	OK	OK	NG

表1係分別表示其他實施例1～4、其他比較例1、2中之相位偏移膜30成膜時之濺鍍氣體壓力(Pa)、相位偏移膜30之蝕刻速率(nm/分鐘)、相位偏移膜30之壓痕硬度(GPa)、有無因濕式蝕刻造成之透明基板20之表面粗糙、相位偏移膜30之耐洗淨性之結果者。

又，圖14係表示其他實施例1～4、其他比較例1、2之相位偏移遮罩100之相位偏移膜30中的蝕刻速率、濺鍍氣體壓力及壓痕硬度之關係之圖表。於圖14中，自左側朝向右側(按照蝕刻速率從小到大之順序)，示出其他比較例1、其他實施例4、其他實施例3、其他實施例2、其他實施例1、其他比較例2中之壓痕硬度、濺鍍氣體壓力。如圖14所示，可知於相位偏移膜30中之蝕刻速率與壓痕硬度或濺鍍氣體壓力之間存在關聯。

利用掃描式電子顯微鏡，對所得之相位偏移遮罩之剖面進行觀察。相位偏移膜圖案之剖面係包含相位偏移膜圖案之上表面、下表面及側面。該相位偏移膜圖案之剖面之角度係指相位偏移膜圖案之上表面與側面相接之部位(上邊)和側面與下表面相接之部位(下邊)所成之角度。其結果，其他實施例1～4、其他比較例2之相位偏移遮罩之相位偏移膜圖案30a之剖面形狀為65°～75°之範圍，均具有能夠充分發揮相位偏移效果之剖面形狀。其他實施例1～4中之相位偏移遮罩100之露出之透明基板20之表面係平滑，且可無視因透明基板20之表面粗糙造成之透過率下降之狀態。因此，於包含300 nm以上500 nm以下之波長範圍之光之曝光之光、更具體而言包含i線、h線及g線之複合光之曝光之光中，獲得具有優異之相位偏移效果之相位偏移遮罩。 因此，可謂於將其他實施例1～4之相位偏移遮罩安放於曝光裝置之遮罩台後曝光轉印至顯示裝置上之光阻膜之情形時，能夠高精度地轉印未達2.0 μm之微細圖案。 再者，於其他實施例1～4中之相位偏移遮罩100之相位偏移膜圖案30a，均發現柱狀構造。

相對於此，其他比較例1中之相位偏移遮罩100之露出之透明基板20之表面係粗糙，且目視下亦白濁之狀態。因此，因透明基板20之表面粗糙造成之透過率之下降顯著。 因此，預測於將其他比較例1之相位偏移遮罩100安放於曝光裝置之遮罩台後曝光轉印至顯示裝置上之光阻膜之情形時，無法轉印未達2.0 μm之微細圖案。

又，其他比較例2中之相位偏移遮罩100之露出之透明基板20之表面係平滑，且可無視因透明基板20之表面粗糙造成之透過率下降之狀態。然而，因相位偏移遮罩100之洗淨中使用之藥液(硫酸過氧化氫混合物(SPM)、氨水過氧化氫混合物(SC1)、臭氧水)造成之透過率變化量、相位差變化量較大，成為不滿足對相位偏移遮罩100要求之透過率或相位差者。 因此，預測於將其他比較例2之相位偏移遮罩安放於曝光裝置之遮罩台後曝光轉印至顯示裝置上之光阻膜之情形時，無法轉印未達2.0 μm之微細圖案。 再者，於其他比較例1中之相位偏移遮罩100之相位偏移膜圖案30a中，未發現柱狀構造。於其他比較例2中之相位偏移遮罩100之相位偏移膜圖案30a中亦情況相同。

10: 相位偏移遮罩基底 20: 透明基板 30: 相位偏移膜 30a: 相位偏移膜圖案 40: 蝕刻遮罩膜 40a: 第1蝕刻遮罩膜圖案 40b: 第2蝕刻遮罩膜圖案 50: 第1光阻膜圖案 60: 第2光阻膜圖案 100: 相位偏移遮罩

圖1係表示實施形態1之相位偏移遮罩基底之膜構成之模式圖。 圖2係表示實施形態2之相位偏移遮罩基底之膜構成之模式圖。 圖3(a)～(e)係表示實施形態3之相位偏移遮罩之製造步驟之模式圖。 圖4(a)～(c)係表示實施形態4之相位偏移遮罩之製造步驟之模式圖。 圖5(a)係實施例1之相位偏移遮罩基底之剖面SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)像中的相位偏移膜之厚度方向之中心部之放大照片(圖像資料)。 (b)係將(a)之放大照片(圖像資料)傅立葉變換所得之結果。 圖6係實施例1之相位偏移遮罩基底中之相位偏移膜之暗視野平面STEM(scanning transmission electron microscopy，掃描透射電子顯微鏡)照片。 圖7係實施例1之相位偏移遮罩之剖面照片。 圖8(a)係實施例2之相位偏移遮罩基底之剖面SEM像中的相位偏移膜之厚度方向之中心部之放大照片(圖像資料)。圖8(b)係將圖8(a)之放大照片(圖像資料)傅立葉變換所得之結果。 圖9係實施例2之相位偏移遮罩之剖面照片。 圖10(a)係實施例3之相位偏移遮罩基底之剖面SEM像中的相位偏移膜之厚度方向之中心部之放大照片(圖像資料)。圖10(b)係將圖10(a)之放大照片(圖像資料)傅立葉變換所得之結果。 圖11係實施例3之相位偏移遮罩之剖面照片。 圖12(a)係比較例1之相位偏移遮罩基底之剖面SEM像中的相位偏移膜之厚度方向之中心部之放大照片(圖像資料)。圖12(b)係將圖12(a)之放大照片(圖像資料)傅立葉變換所得之結果。 圖13係比較例1之相位偏移遮罩之剖面照片。 圖14係表示其他實施例1～4、其他比較例1、2之相位偏移遮罩之相位偏移膜中的蝕刻速率、濺鍍氣體壓力及壓痕硬度之關係之圖表。

Claims (13)

1. 一種光罩基底，其特徵在於：其係於透明基板上具有圖案形成用薄膜者， 上述圖案形成用薄膜含有過渡金屬及矽， 上述圖案形成用薄膜具有柱狀構造， 上述圖案形成用薄膜之柱狀構造為後述狀態：從掃描電子顯微鏡以80000倍之倍率觀察上述光罩基底之剖面所得之圖像，擷取縱64像素×橫256像素之圖像資料，作為上述圖案形成用薄膜之厚度方向包含中心部之區域，進而於藉由傅立葉變換上述圖像資料所得之空間頻率光譜分佈之圖像中，以上述空間頻率光譜分佈之圖像之中心作為空間頻率之原點，上述空間頻率光譜分佈之圖像中相對於最大信號強度意即與上述空間頻率之原點對應之信號強度，存在具有1.0%以上之信號強度之空間頻率光譜。
2. 如請求項1之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜之柱狀構造為後述狀態：上述圖像資料上，上述原點設為0%，將與上述圖像資料之橫256像素之方向之兩端對應之最大空間頻率設為100%橫軸時，上述具有1.0%以上之信號強度之信號存在於與上述空間頻率之原點相距2.0%以上之橫軸上之位置。
3. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜中包含之上述過渡金屬與上述矽之原子比率係過渡金屬：矽=1：3以上1：15以下。
4. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜之柱狀構造係朝向膜厚方向延伸之柱狀之粒子遍佈上述透明基板之面內而形成。
5. 如請求項4之光罩基底，其中上述柱狀之粒子不規則地形成於與上述圖案形成用薄膜之膜厚方向垂直之方向上。
6. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜至少含有氮或氧。
7. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述過渡金屬係鉬。
8. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜係具備對於曝光之光之代表波長的透過率為1%以上80%以下且相位差為160°以上200°以下之光學特性之相位偏移膜。
9. 如請求項1或2之光罩基底，其中於上述圖案形成用薄膜上，具備蝕刻選擇性與該圖案形成用薄膜不同之蝕刻遮罩膜。
10. 如請求項9之光罩基底，其中上述蝕刻遮罩膜包含含有鉻且實質上不含矽之材料。
11. 一種光罩之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 準備如請求項1至8中任一項之光罩基底；及 於上述圖案形成用薄膜上形成光阻膜，以由上述光阻膜形成之光阻膜圖案為遮罩，對上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻，於上述透明基板上形成轉印圖案。
12. 一種光罩之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 準備如請求項9或10之光罩基底； 於上述蝕刻遮罩膜上形成光阻膜，以由上述光阻膜形成之光阻膜圖案為遮罩，對上述蝕刻遮罩膜進行濕式蝕刻，於上述圖案形成用薄膜上形成蝕刻遮罩膜圖案；及 以上述蝕刻遮罩膜圖案為遮罩，對上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻，於上述透明基板上形成轉印圖案。
13. 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於具有曝光步驟，該曝光步驟係將藉由如請求項11或12之光罩之製造方法獲得之光罩載置於曝光裝置之遮罩台，將上述光罩上形成之上述轉印圖案曝光轉印至顯示裝置基板上形成之光阻劑。