TW202141168A - 光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種光罩基底，其於藉由濕式蝕刻在圖案形成用薄膜形成轉印圖案時，能夠縮短過蝕刻時間，能夠形成截面形狀良好，且滿足圖案形成用薄膜或轉印圖案中所需之耐洗淨性，滿足所需之線邊緣粗糙度之轉印圖案。 本發明係一種於透明基板上具有圖案形成用薄膜之光罩基底，光罩基底係用於藉由對圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻而形成在透明基板上具有轉印圖案之光罩之母板，圖案形成用薄膜含有過渡金屬及矽，圖案形成用薄膜具有柱狀結構，且包含上層及下層，上層中構成柱狀結構之粒子之平均尺寸小於下層中構成柱狀結構之粒子之平均尺寸。

Description

光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法

本發明係關於一種光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩之製造方法及顯示裝置。

近年來，於以LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)為代表之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)等顯示裝置中，隨著畫面變大，視角變寬，高精細化、高速顯示化亦迅速發展。該高精細化、高速顯示化所需之要素之一為製作微細且高尺寸精度之元件或配線等電子線路圖案。該顯示裝置用電子線路之圖案化大多使用光微影法。因此，需要形成有微細且高精度之圖案之顯示裝置製造用相位偏移光罩或二元光罩之類的光罩。

例如，於專利文獻1中揭示有在透明基板上設有相位反轉膜之相位反轉光罩基底。於該光罩基底中，相位反轉膜對包含i線(365 nm)、h線(405 nm)、g線(436 nm)之複合波長之曝光之光具有35%以下的反射率及1%～40%之透過率，並且由2層以上之多層膜構成，使得於圖案形成時急遽形成圖案截面之傾斜，該2層以上之多層膜包含含有氧(O)、氮(N)、碳(C)中之至少1種輕元素物質之金屬矽化物化合物，金屬矽化物化合物係將包含上述輕元素物質之反應性氣體與惰性氣體以0.5：9.5～4：6之比率注入而形成。 又，於專利文獻2中揭示有相位偏移光罩基底，其具備透明基板、具有能改變曝光之光之相位之性質且包含金屬矽化物系材料之半透光膜、及包含鉻系材料之蝕刻遮罩膜。於該相位偏移光罩基底中，在半透光膜與蝕刻遮罩膜之界面形成有梯度組成區域。於梯度組成區域中，使半透光膜之濕式蝕刻速度變慢之成分之比率朝向深度方向增加。而且，梯度組成區域中之氧含量為10原子%以下。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]韓國註冊專利第1801101號 [專利文獻2]日本專利第6101646號

[發明所欲解決之問題]

作為近年來用於製作高精細(1000 ppi以上)面板之相位偏移光罩，為了實現高解析之圖案轉印，需要形成有孔徑為6 μm以下、線寬為4 μm以下之微細之相位偏移膜圖案之相位偏移光罩。具體而言，需要形成有孔徑為1.5 μm之微細之相位偏移膜圖案之相位偏移光罩。 又，為了實現更高解析之圖案轉印，需要具有對曝光之光之透過率為15%以上之相位偏移膜的相位偏移光罩基底、及形成有對曝光之光之透過率為15%以上之相位偏移膜圖案之相位偏移光罩。再者，就相位偏移光罩基底或相位偏移光罩之耐洗淨性(化學特性)方面而言，需要形成有具有耐洗淨性之相位偏移膜之相位偏移光罩基底及形成有具有耐洗淨性之相位偏移膜圖案之相位偏移光罩，且該相位偏移光罩基底及該相位偏移光罩可抑制因相位偏移膜或相位偏移膜圖案之膜減少或表面之組成變化而導致之光學特性變化。 為了滿足對曝光之光之透過率之要求及耐洗淨性之要求，有效的是提高構成相位偏移膜之金屬矽化物化合物(金屬矽化物系材料)之金屬與矽之原子比率中矽的比率，但存在諸如濕式蝕刻速度大幅減慢(濕式蝕刻時間變長)，並且濕式蝕刻液對基板造成損傷，導致透明基板之透過率下降之問題。 而且，於具備含有過渡金屬及矽之遮光膜之二元光罩基底中，藉由濕式蝕刻於遮光膜形成遮光圖案時，亦需要耐洗淨性，存在與上述相同之問題。

因此，本發明係為了解決上述問題而完成者，本發明之目的在於提供一種光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法，上述光罩基底於藉由濕式蝕刻在諸如含有過渡金屬及矽之相位偏移膜或遮光膜之圖案形成用薄膜上形成轉印圖案時，能夠縮短濕式蝕刻時間，能夠形成截面形狀良好，且滿足圖案形成用薄膜或轉印圖案中所需之耐洗淨性，滿足所需之線邊緣粗糙度之轉印圖案。 [解決問題之技術手段]

本發明者對用於解決該等問題之對策進行了專心研究。首先，選用圖案形成用薄膜中之過渡金屬與矽之原子比率即過渡金屬：矽為1：3以上之材料，為了縮短濕式蝕刻液於圖案形成用薄膜中之濕式蝕刻時間，以圖案形成用薄膜中包含較多氧(O)之方式對導入至成膜室內之濺射氣體中所含之氧氣進行調整，形成圖案形成用薄膜。由此，用於形成轉印圖案之濕式蝕刻速度加快，但於相位偏移光罩基底中之相位偏移膜中，對曝光之光之折射率下降，因此導致為獲得期望之相位差(例如180°)所需之膜厚變厚。又，於二元光罩基底中之遮光膜中，對曝光之光之消光係數下降，因此導致為獲得期望之遮光性能(例如光學密度(OD)為3以上)所需之膜厚變厚。圖案形成用薄膜之膜厚變厚不利於藉由濕式蝕刻進行圖案形成，並且由於膜厚變厚，故而縮短濕式蝕刻時間之效果存在極限。另一方面，若設為上述過渡金屬與矽之原子比率(過渡金屬：矽＝1：3以上)，則有諸如提高圖案形成用薄膜之耐洗淨性之優點，因此，於此方面，脫離上述過渡金屬與矽之組成比之範圍亦不佳。

因此，本發明者改變了思維方式，對調整成膜室內之濺射氣體壓力以改變膜構造進行了研究。於基板上形成圖案形成用薄膜時，通常將成膜室內之濺射氣體壓力設為0.1～0.5 Pa。然而，本發明者特意使濺射氣體壓力大於0.5 Pa而形成圖案形成用薄膜。而且發現，以0.8 Pa以上3.0 Pa以下之濺射氣體壓力形成圖案形成用薄膜時，具備作為薄膜之適宜之特性，而且藉由濕式蝕刻於圖案形成用薄膜形成轉印圖案時，能夠大幅縮短蝕刻時間，能夠形成截面形狀良好之轉印圖案。而且，以此方式形成之圖案形成用薄膜具有通常之圖案形成用薄膜中觀察不到之柱狀結構。 本發明者進一步進行了專心研究，嘗試使圖案形成用薄膜成為包含上層及下層之複數層，於滿足上述0.8 Pa以上3.0 Pa以下之濺射氣體壓力之基礎上，使形成上層時濺射氣體壓力低於形成下層時濺射氣體壓力。即，嘗試使形成上層時成膜室內之真空度優於形成下層時成膜室內之真空度。發現以此方式形成包含上層及下層之圖案形成用薄膜時，具備上述作為薄膜之適宜之特性，而且能形成滿足圖案形成用薄膜或轉印圖案中所需之耐洗淨性，滿足所需之線邊緣粗糙度之轉印圖案。而且，以此方式形成之圖案形成用薄膜之上層及下層均具有上述柱狀結構，上層中構成柱狀結構之粒子之尺寸小於上述下層中構成柱狀結構之粒子之尺寸。 本發明係藉由如上所述之專心研究而完成者，具有以下構成。

(構成1)一種光罩基底，其特徵在於：其係於透明基板上具有圖案形成用薄膜者，且 上述光罩基底係用於藉由對上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻而形成在上述透明基板上具有轉印圖案之光罩之母板， 上述圖案形成用薄膜含有過渡金屬及矽， 上述圖案形成用薄膜具有柱狀結構， 上述圖案形成用薄膜包含上層及下層， 上述上層中構成柱狀結構之粒子之平均尺寸小於上述下層中構成柱狀結構之粒子之平均尺寸。

(構成2)如構成1記載之光罩基底，其特徵在於：上述圖案形成用薄膜中所含之上述過渡金屬與上述矽之原子比率為過渡金屬：矽＝1：3以上1：15以下。

(構成3)如構成1或2記載之光罩基底，其特徵在於：上述圖案形成用薄膜至少含有氮或氧。 (構成4)如構成1至3中任一項記載之光罩基底，其特徵在於：上述過渡金屬為鉬。

(構成5)如構成1至4中任一項記載之光罩基底，其特徵在於：上述圖案形成用薄膜係具備如下光學特性之相位偏移膜，即，對曝光之光之代表波長而言透過率為1%以上80%以下，相位差為160°以上200°以下。

(構成6)如構成1至5中任一項記載之光罩基底，其特徵在於：於上述圖案形成用薄膜上設有蝕刻選擇性與該圖案形成用薄膜不同之蝕刻遮罩膜。 (構成7)如構成6記載之光罩基底，其特徵在於：上述蝕刻遮罩膜包含含有鉻且實質上不含矽之材料。

(構成8)一種光罩基底之製造方法，其特徵在於：其係利用濺射法於透明基板上形成含有過渡金屬及矽之圖案形成用薄膜者，且 關於上述圖案形成用薄膜，於成膜室內使用包含過渡金屬及矽之過渡金屬矽化物靶，供給有濺射氣體之上述成膜室內之濺射氣體壓力為0.8 Pa以上3.0 Pa以下， 上述圖案形成用薄膜包含上層及下層， 形成上述上層時上述成膜室內之濺射氣體壓力低於形成上述下層時上述成膜室內之濺射氣體壓力。

(構成9)如構成8記載之光罩基底之製造方法，其特徵在於：上述過渡金屬矽化物靶之上述過渡金屬與矽之原子比率為過渡金屬：矽＝1：3以上1：15以下。

(構成10)如構成8或9記載之光罩基底之製造方法，其特徵在於：於上述圖案形成用薄膜上，使用包含蝕刻選擇性與該圖案形成用薄膜不同之材料之濺鍍靶形成蝕刻遮罩膜。 (構成11)如構成10記載之光罩基底之製造方法，其特徵在於：上述圖案形成用薄膜及上述蝕刻遮罩膜係使用直列型濺射裝置形成。

(構成12)一種光罩之製造方法，其特徵在於包括以下步驟： 準備如構成1至5中任一項記載之光罩基底、或利用如構成8或9記載之光罩基底之製造方法製造之光罩基底；及 於上述圖案形成用薄膜上形成抗蝕膜，將由上述抗蝕膜形成之抗蝕膜圖案作為遮罩對上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻，而於上述透明基板上形成轉印圖案。

(構成13)一種光罩之製造方法，其特徵在於包括以下步驟： 準備如構成6或7記載之光罩基底、或利用如構成10或11記載之光罩基底之製造方法製造之光罩基底； 於上述蝕刻遮罩膜上形成抗蝕膜，將由上述抗蝕膜形成之抗蝕膜圖案作為遮罩對上述蝕刻遮罩膜進行濕式蝕刻，而於上述圖案形成用薄膜上形成蝕刻遮罩膜圖案； 將上述蝕刻遮罩膜圖案作為遮罩對上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻，而於上述透明基板上形成轉印圖案。 (構成14)一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括曝光步驟，該曝光步驟係將利用如構成12或13記載之光罩之製造方法獲得之光罩載置於曝光裝置之光罩載台，將形成於上述光罩上之上述轉印圖案曝光轉印至形成於顯示裝置基板上之抗蝕劑。 [發明之效果]

根據本發明之光罩基底或光罩基底之製造方法，藉由對轉印圖案用薄膜進行濕式蝕刻而形成所需之微細之轉印圖案時，即便於從耐洗淨性等觀點出發使圖案形成用薄膜為富矽之金屬矽化物化合物之情形時，亦能獲得如下光罩基底，即，該光罩基底不存在因濕式蝕刻液損傷基板所致之透明基板之透過率下降，並能於較短之蝕刻時間內形成截面形狀良好，且滿足圖案形成用薄膜或轉印圖案中所需之耐洗淨性，滿足所需之線邊緣粗糙度之轉印圖案。

又，根據本發明之光罩之製造方法，使用上述光罩基底製造光罩。因此，即便於從耐洗淨性等觀點出發使圖案形成用薄膜為富矽之金屬矽化物化合物之情形時，亦不存在因濕式蝕刻液損傷基板所致之透明基板之透過率下降，能夠製造具有轉印精度良好，而且滿足圖案形成用薄膜或轉印圖案中所需之耐洗淨性，滿足所需之線邊緣粗糙度之轉印圖案之光罩。該光罩能夠應對線與間隙圖案或接觸孔之微細化。

又，根據本發明之顯示裝置之製造方法，利用使用上述光罩基底製造之光罩或藉由上述光罩之製造方法獲得之光罩來製造顯示裝置。因此，能夠製造具有微細之線與間隙圖案或接觸孔之顯示裝置。

實施方式1. 2. 於實施方式1、2中，對相位偏移光罩基底進行說明。實施方式1之相位偏移光罩基底係母板，該母板用於藉由將蝕刻遮罩膜上形成有所期望之圖案之蝕刻遮罩膜圖案作為遮罩對相位偏移膜進行濕式蝕刻，而形成在透明基板上具有相位偏移膜圖案之相位偏移光罩。又，實施方式2之相位偏移光罩基底係母板，該母板係用於藉由將抗蝕膜上形成有所期望之圖案之抗蝕膜圖案作為遮罩對相位偏移膜進行濕式蝕刻，而形成在透明基板上具有相位偏移膜圖案之相位偏移膜。

圖1係表示實施方式1之相位偏移光罩基底10之膜構成之模式圖。 圖1所示之相位偏移光罩基底10具備透明基板20、形成於透明基板20上之相位偏移膜30、及形成於相位偏移膜30上之蝕刻遮罩膜40。 圖2係表示實施方式2之相位偏移光罩基底10之膜構成之模式圖。 圖2所示之相位偏移光罩基底10具備透明基板20及形成於透明基板20上之相位偏移膜30。 而且，如圖1、圖2所示，相位偏移膜30包含上層31及下層32。 以下，對構成實施方式1及實施方式2之相位偏移光罩基底10之透明基板20、相位偏移膜30及蝕刻遮罩膜40進行說明。

透明基板20對曝光之光而言為透明。透明基板20於設為無表面反射損失時，對曝光之光具有85%以上之透過率，較佳為90%以上之透過率。透明基板20由含有矽及氧之材料構成，可由合成石英玻璃、石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、低熱膨脹玻璃(SiO₂ -TiO₂ 玻璃等)等玻璃材料構成。於透明基板20由低熱膨脹玻璃構成之情形時，能夠抑制因透明基板20之熱變形而導致之相位偏移膜圖案之位置變化。又，用於顯示裝置用途之透明基板20通常使用矩形狀之短邊長度為300 mm以上之基板。本發明之相位偏移光罩基底可提供即便透明基板之短邊長度為300 mm以上之較大尺寸，亦能穩定地轉印形成於透明基板上之例如未達2.0 μm之微細之相位偏移膜圖案之相位偏移光罩。

相位偏移膜30包含含有過渡金屬及矽之過渡金屬矽化物系材料。作為過渡金屬，適宜為鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鋯(Zr)等，尤其是鉬(Mo)更佳。 又，相位偏移膜30較佳為至少含有氮或氧。於上述過渡金屬矽化物系材料中，作為輕元素成分之氧與同為輕元素成分之氮相比，有降低消光係數之效果，因此，可減少用於獲得所期望之透過率之其他輕元素成分(氮等)之含有率，並且亦能有效降低相位偏移膜30之正面及背面之反射率。又，於上述過渡金屬矽化物系材料中，作為輕元素成分之氮與同為輕元素成分之氧相比，有不降低折射率之效果，因此，能使用於獲得所期望之相位差之膜厚變薄。又，相位偏移膜30中所含之包括氧及氮之輕元素成分之合計含有率較佳為40原子%以上。進而較佳為40原子%以上70原子%以下，理想的是50原子%以上65原子%以下。又，於相位偏移膜30中包含氧之情形時，就缺陷品質、耐化學品性而言，氧之含有率理想的是超過0原子%且為25原子%以下。又，於上述輕元素成分之合計含有率之範圍內，相位偏移膜30之上層31中輕元素成分之合計含有率小於下層32中輕元素成分之合計含有率為佳。藉由將上層31與下層32之輕元素成分之合計含有率之關係設為如上所述之關係，能夠使曝光之光之代表波長下之下層32之折射率n2、消光係數k2小於上層31之折射率n1、消光係數k1，因此，能夠降低曝光之光之代表波長下之背面反射率。具體而言，藉由適當調整上層31及下層32之折射率、消光係數、膜厚，能夠使曝光之光之代表波長(例如h線(波長405 nm))下的相位偏移膜30之背面反射率成為15%以下。藉由使相位偏移膜30之背面反射率成為15%以下，能夠抑制將相位偏移光罩放於曝光裝置時之背面反射率，從而抑制向曝光裝置之光學系統回光。因此，使用相位偏移光罩之圖案轉印特性亦有利，故而較佳。就圖案轉印特性之觀點而言，曝光之光之代表波長下的相位偏移膜30之背面反射率較佳為成為10%以下，進而較佳為成為5%以下。 作為過渡金屬矽化物系材料，例如可例舉：過渡金屬矽化物之氮化物、過渡金屬矽化物之氧化物、過渡金屬矽化物之氮氧化物、過渡金屬矽化物之碳氮氧化物。又，要想容易藉由濕式蝕刻獲得優異之圖案截面形狀，過渡金屬矽化物系材料較佳為矽化鉬系材料(MoSi系材料)、矽化鋯系材料(ZrSi系材料)、矽化鉬鋯系材料(MoZrSi系材料)，尤佳為矽化鉬系材料(MoSi系材料)。 又，相位偏移膜30中除了含有上述氧、氮以外，為了減小膜應力或控制濕式蝕刻速率，亦可含有碳或氦等其他輕元素成分。 相位偏移膜30具有調整對從透明基板20側入射之光之反射率(以下，有時記為背面反射率)之功能、以及調整對曝光之光之透過率及相位差之功能。 相位偏移膜30可藉由濺射法形成。

該相位偏移膜30具有柱狀結構。該柱狀結構可藉由相位偏移膜30之截面SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)觀察來確認。即，本發明中之柱狀結構係指構成相位偏移膜30之含有過渡金屬及矽之過渡金屬矽化物化合物之粒子具有朝向相位偏移膜30之膜厚方向(上述粒子之堆積方向)延伸之柱狀粒子結構的狀態。再者，於本案中，將膜厚方向之長度較其垂直方向之長度長者作為柱狀粒子。即，相位偏移膜30中朝向膜厚方向延伸之柱狀粒子遍及透明基板20之面內而形成。又，藉由調整成膜條件(濺射壓力等)，相位偏移膜30亦形成有與柱狀粒子相比密度相對較低之稀疏部分(以下，有時亦簡稱為「稀疏部分」)。再者，相位偏移膜30中，為了有效抑制濕式蝕刻時之側蝕，進一步優化圖案截面形狀，作為相位偏移膜30之柱狀結構之較佳之形態，沿膜厚方向延伸之柱狀粒子於膜厚方向上不規律地形成為佳。相位偏移膜30之柱狀粒子為膜厚方向之長度不一致之狀態更佳。而且，相位偏移膜30之稀疏部分於膜厚方向上連續形成為佳。又，相位偏移膜30之稀疏部分於與膜厚方向垂直之方向上間斷地形成為佳。藉由使相位偏移膜30成為上述說明之柱狀結構，使用濕式蝕刻液進行濕式蝕刻時，濕式蝕刻液容易沿相位偏移膜30之膜厚方向浸透，因此，濕式蝕刻速度加快，能夠大幅縮短濕式蝕刻時間。因此，即便相位偏移膜30為富矽之金屬矽化物化合物，亦不存在因濕式蝕刻液損傷基板所致之透明基板之透過率下降。又，由於相位偏移膜30具有沿膜厚方向延伸之柱狀結構，故而濕式蝕刻時之側蝕得以抑制，因此，圖案截面形狀亦良好。

又，相位偏移膜30之上層31中柱狀結構之粒子之平均尺寸小於下層32中柱狀結構之粒子之平均尺寸。此處所述之柱狀結構之粒子之平均尺寸係指與相位偏移膜30之膜厚方向垂直之方向(面內方向)之尺寸的平均尺寸。柱狀結構之粒子之平均尺寸係測定如下區域內的柱狀結構之粒子之尺寸而求出，即，以80000倍觀察具有相位偏移膜30之相位偏移光罩基底10之截面SEM照片時相位偏移膜30之膜厚中心附近之面內方向300 nm的區域。換言之，相位偏移膜30之上層31中稀疏部分之出現頻度整體上少於下層32中柱狀結構之稀疏部分。藉由此種相位偏移膜30之構成，上層31中柱狀結構之粒子之平均尺寸小於下層32(柱狀結構之稀疏部分較少)，因此，能夠滿足位偏移膜30中所需之耐洗淨性，進而，將相位偏移膜30圖案化時之線邊緣粗糙度亦滿足所需特性。又，另一方面，下層32中柱狀結構之粒子之平均尺寸大於上層31(柱狀結構之稀疏部分較多)，因此，能夠有效抑制濕式蝕刻時之側蝕，從而能使對相位偏移膜30進行濕式蝕刻而得之相位偏移膜圖案之截面形狀良好。即，具備此種上層31及下層32之相位偏移膜30能夠形成滿足相位偏移膜30或相位偏移膜圖案30a中所需之耐洗淨性，滿足所需之線邊緣粗糙度，且截面形狀良好之相位偏移膜圖案。 此處，上層31中柱狀結構之主要之粒子之平均尺寸較佳為5～30 nm，下層32中柱狀結構之粒子之平均尺寸較佳為10～40 nm。

相位偏移膜30中所含之過渡金屬與矽之原子比率較佳為過渡金屬：矽＝1：3以上1：15以下。若處於此範圍，則能夠增強藉由柱狀結構抑制相位偏移膜30之圖案形成時之濕式蝕刻速率下降之效果。又，能夠提高相位偏移膜30之耐洗淨性，亦容易提高透過率。要想提高相位偏移膜30之耐洗淨性，相位偏移膜30中所含之過渡金屬與矽之原子比率理想的是過渡金屬：矽＝1：4以上1：15以下，更理想的是過渡金屬：矽＝1：5以上1：15以下。

相位偏移膜30對曝光之光之透過率滿足作為相位偏移膜30所需之值。對於曝光之光中所包含之特定波長的光(以下，稱為代表波長)，相位偏移膜30之透過率較佳為1%以上80%以下，更佳為15%以上65%以下，進而較佳為20%以上60%以下。即，當曝光之光係包含313 nm以上436 nm以下之波長範圍之光的複合光時，相位偏移膜30對該波長範圍中所包含之代表波長之光具有上述透過率。例如，當曝光之光係包含i線、h線及g線之複合光時，相位偏移膜30對i線、h線及g線中之任一者具有上述透過率。 透過率可使用相位偏移量測定裝置等測定。

相位偏移膜30對曝光之光之相位差滿足作為相位偏移膜30所需之值。對於曝光之光中所包含之代表波長的光，相位偏移膜30之相位差較佳為160°以上200°以下，更佳為170°以上190°以下。藉由該性質，能夠將曝光之光中所包含之代表波長之光之相位改變成160°以上200°以下。因此，於透過相位偏移膜30之代表波長之光與僅透過透明基板20之代表波長之光之間產生160°以上200°以下的相位差。即，當曝光之光係包含313 nm以上436 nm以下之波長範圍之光的複合光時，相位偏移膜30對該波長範圍中所包含之代表波長之光具有上述相位差。例如，當曝光之光係包含i線、h線及g線之複合光時，相位偏移膜30對i線、h線及g線中之任一者具有上述相位差。 相位差可使用相位偏移量測定裝置等測定。

又，相位偏移膜30之上層31之折射率及消光係數均大於下層32之折射率及消光係數，藉由適當設定上層31及下層32之膜厚，能夠減小相位偏移膜30之背面反射率。 相位偏移膜30之背面反射率於365 nm～436 nm之波長區域中之代表波長下為15%以下，較佳為10%以下。又，當曝光之光中包含j線時，相位偏移膜30之背面反射率於313 nm～436 nm之波長區域中之代表波長下較佳為20%以下，更佳為17%以下。進而較佳為15%以下。相位偏移膜30之背面反射率理想的是於365 nm～436 nm之波長區域之全域中較佳為15%以下，進而較佳為10%以下。又，相位偏移膜30之背面反射率於365 nm～436 nm之波長區域中之代表波長下較佳為0.2%以上，於313 nm～436 nm之波長區域中之代表波長下較佳為0.2%以上。相位偏移膜30之背面反射率理想的是於365 nm～436 nm之波長區域之全域中較佳為0.2%以上，或者於313 nm～436 nm之波長區域之全域中較佳為0.2%以上。 背面反射率可使用分光光度計等測定。

再者，於該等實施方式中，對相位偏移膜30由上層31及下層32這兩層構成之情形進行了說明，但不限定於該構成，亦可由3層以上構成。於此情形時，上側之層中柱狀結構之粒子之尺寸小於下側之層中柱狀結構之粒子之平均尺寸為佳。

蝕刻遮罩膜40配置於相位偏移膜30之上側，包含對蝕刻相位偏移膜30之蝕刻液具有蝕刻耐性(蝕刻選擇性與相位偏移膜30不同)之材料。又，蝕刻遮罩膜40可具有阻擋曝光之光透過之功能，進而亦可具有以相位偏移膜30對從相位偏移膜30側入射之光之膜面反射率於350 nm～436 nm之波長區域中成為15%以下之方式減小膜面反射率的功能。蝕刻遮罩膜40包含含有鉻(Cr)之鉻系材料。作為鉻系材料，更具體而言，可例舉含有鉻(Cr)或含有鉻(Cr)與氧(O)、氮(N)、碳(C)中之至少任一種之材料。或者可例舉包含鉻(Cr)與氧(O)、氮(N)、碳(C)中之至少任一種，進而包含氟(F)之材料。例如，作為構成蝕刻遮罩膜40之材料，可例舉：Cr、CrO、CrN、CrF、CrCO、CrCN、CrON、CrCON、CrCONF。又，蝕刻遮罩膜40較佳為包含實質上不含矽之材料。此處，實質上不含矽之材料係指蝕刻遮罩膜40中所含之矽之含有率為2原子%以下的材料。又，蝕刻遮罩膜40中矽之含有率為測定裝置之檢測下限值以下為佳。 蝕刻遮罩膜40可藉由濺射法形成。

於蝕刻遮罩膜40具有阻擋曝光之光透過之功能之情形時，在相位偏移膜30與蝕刻遮罩膜40積層之部分，對曝光之光之光學密度較佳為3以上，更佳為3.5以上，進而較佳為4以上。 光學密度可使用分光光度計或OD(optical density，光密度)計等測定。

蝕刻遮罩膜40根據功能，可能由組成均勻之單一膜構成，可能由組成不同之複數種膜構成，亦可能由厚度方向上組成連續變化之單一膜構成。

再者，圖1所示之相位偏移光罩基底10於相位偏移膜30上設有蝕刻遮罩膜40，但於相位偏移膜30上設有蝕刻遮罩膜40並於蝕刻遮罩膜40上設有抗蝕膜之相位偏移光罩基底亦可應用本發明。

接下來，對該實施方式1及2之相位偏移光罩基底10之製造方法進行說明。圖1所示之相位偏移光罩基底10係藉由進行以下之相位偏移膜形成步驟及蝕刻遮罩膜形成步驟來製造。圖2所示之相位偏移光罩基底10係藉由進行相位偏移膜形成步驟來製造。 以下，對各步驟詳細進行說明。

1.相位偏移膜形成步驟 首先，準備透明基板20。透明基板20可由合成石英玻璃、石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、低熱膨脹玻璃(SiO₂ -TiO₂ 玻璃等)等任一玻璃材料構成，只要對曝光之光而言為透明即可。

接下來，藉由濺射法於透明基板20上形成相位偏移膜30。 於相位偏移膜30之形成中，將成為構成相位偏移膜30之材料之主成分之包含過渡金屬及矽之過渡金屬矽化物，或者將包含過渡金屬、矽以及氧及/或氮之過渡金屬矽化物靶用於濺鍍靶，例如於包含惰性氣體之濺鍍氣體氛圍或者包含上述惰性氣體與活性氣體之混合氣體之濺鍍氣體氛圍下進行，上述惰性氣體係包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群中之至少一種之氣體，上述活性氣體係從由氧氣、氮氣、二氧化碳氣體、一氧化氮氣體、二氧化氮氣體所組成之群中選擇且至少包含氧及氮之氣體。而且，相位偏移膜30係於供給有濺射氣體之成膜室內之氣體壓力為0.8 Pa以上3.0 Pa以下之氣體氛圍下形成。藉由如此設定氣體壓力之範圍，能夠於相位偏移膜30中形成柱狀結構。藉由該柱狀結構，能夠抑制下述圖案形成時之側蝕，並能實現高蝕刻速率。此處，過渡金屬矽化物靶之過渡金屬與矽之原子比率為過渡金屬：矽＝1：3以上1：15以下時，藉由柱狀結構抑制濕式蝕刻速度下降之效果增強，能夠提高相位偏移膜30之耐洗淨性，亦容易提高透過率，就諸如以上方面而言較佳。 形成該相位偏移膜30時，於滿足上述0.8 Pa以上3.0 Pa以下之濺射氣體壓力之基礎上，使形成相位偏移膜30之上層31時濺射氣體壓力低於形成相位偏移膜30之下層32時濺射氣體壓力(即，使形成上層31時成膜室內之真空度優於形成下層32時成膜室內之真空度)，形成包含上層31及下層32之相位偏移膜30。此處，形成上層31時濺射氣體壓力較佳為0.8 Pa以上1.5 Pa以下，形成下層32時濺射氣體壓力較佳為1.2 Pa以上3.0 Pa以下。濺射氣體壓力可藉由控制與成膜室連接之真空泵之主閥之開口量來調整。 藉由以此方式分別調整形成上層31及下層32時之真空度，能夠使上層31中構成柱狀結構之粒子之尺寸小於下層32中構成柱狀結構之粒子之尺寸。藉此，能夠獲得如下相位偏移光罩基底10，即，該相位偏移光罩基底10能夠形成截面形狀良好，且滿足相位偏移膜30或相位偏移膜圖案30a中所需之耐洗淨性，滿足所需之線邊緣粗糙度之相位偏移膜圖案30a。 形成上層31時濺射氣體壓力與形成下層32時濺射氣體壓力之差較佳為0.3 Pa以上1.2 Pa以下。更佳為0.4 Pa以上1.0 Pa以下。於形成上層31時濺射氣體壓力與形成下層32時濺射氣體壓力之差未達0.3 Pa之情形時，單層相位偏移膜30或於相同成膜條件下形成複數層之相位偏移膜30與本案發明中之相位偏移膜30的效果差異(良好之截面形狀、所需之耐洗淨性或線邊緣粗糙度)變小。又，於形成上層31時濺射氣體壓力與形成下層32時濺射氣體壓力之差超過1.2 Pa之情形時，藉由濕式蝕刻將相位偏移膜30圖案化時之上層31與下層32之側蝕量上產生差異，因此，容易於相位偏移膜圖案之截面形狀上產生階差，故而不佳。

相位偏移膜30之組成及厚度以相位偏移膜30成為上述相位差及透過率之方式進行調整。相位偏移膜30之組成可藉由構成濺鍍靶之元素之含有比率(例如，過渡金屬之含有率與矽之含有率之比)、濺鍍氣體之組成及流量等進行控制。相位偏移膜30之厚度可藉由濺鍍功率、濺射時間等進行控制。又，使用直列型濺射裝置形成相位偏移膜30為佳。於濺射裝置為直列型濺射裝置之情形時，亦可藉由基板之搬送速度控制相位偏移膜30之厚度。如此，以相位偏移膜30之包括氧及氮之輕元素成分之含有率成為40原子%以上70原子%以下之方式進行控制。 而且，相位偏移膜30之上層31較下層32薄為佳。其原因在於：上層31主要具有提高相位偏移膜30之耐洗淨性或減小線邊緣粗糙度之功能，下層32主要具有縮短濕式蝕刻時間或使截面形狀良好之功能。更具體而言，相位偏移膜30整體之厚度較佳為120 nm～250 nm，而且，上層31之厚度較佳為10 nm～50 nm，下層32之厚度較佳為70 nm～240 nm。

於相位偏移膜30由組成不同之複數種膜構成之情形時，適當調整濺鍍氣體之組成及流量進行複數次上述成膜製程。亦可使用構成濺鍍靶之元素之含有比率不同之靶形成相位偏移膜30。於進行複數次成膜製程之情形時，亦可於每次成膜製程中變更對濺鍍靶施加之濺鍍功率。

2.表面處理步驟 於相位偏移膜30包含含有過渡金屬、矽及氧之過渡金屬矽化物氧化物或者含有過渡金屬、矽、氧及氮之過渡金屬矽化物氮氧化物等含有氧之過渡金屬矽化物材料之情形時，為了抑制因存在過渡金屬之氧化物而導致之蝕刻液浸入，可對該相位偏移膜30之表面進行調整相位偏移膜30之表面氧化狀態之表面處理步驟。再者，於相位偏移膜30包含含有過渡金屬、矽及氮之過渡金屬矽化物氮化物之情形時，與上述含有氧之過渡金屬矽化物材料相比，過渡金屬之氧化物之含有率較小。因此，於相位偏移膜30之材料為過渡金屬矽化物氮化物之情形時，可進行上述表面處理步驟，亦可不進行該處理。 作為調整相位偏移膜30之表面氧化狀態之表面處理步驟，可例舉：利用酸性水溶液進行表面處理之方法、利用鹼性水溶液進行表面處理之方法、藉由灰化等乾燥處理進行表面處理之方法等。 以此方式獲得實施方式2之相位偏移光罩基底10。於實施方式1之相位偏移光罩基底10之製造中，進而進行以下之蝕刻遮罩膜形成步驟。

3.蝕刻遮罩膜形成步驟 於相位偏移膜形成步驟之後，視需要進行調整相位偏移膜30之表面之表面氧化狀態之表面處理，其後，利用濺射法於相位偏移膜30上形成蝕刻遮罩膜40。使用直列型濺射裝置形成蝕刻遮罩膜40為佳。於濺射裝置為直列型濺射裝置之情形時，亦可藉由透明基板20之搬送速度控制蝕刻遮罩膜40之厚度。 於蝕刻遮罩膜40之形成中，使用包含鉻或鉻化合物(氧化鉻、氮化鉻、碳化鉻、氮氧化鉻、碳氮氧化鉻等)之濺鍍靶，例如於包含惰性氣體之濺鍍氣體氛圍、或包含上述惰性氣體與活性氣體之混合氣體之濺鍍氣體氛圍下進行，上述惰性氣體係包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群中之至少一種之氣體，上述活性氣體係包含選自由氧氣、氮氣、一氧化氮氣體、二氧化氮氣體、二氧化碳氣體、碳化氫系氣體、氟系氣體所組成之群中之至少一種之氣體。作為碳化氫系氣體，例如可例舉：甲烷氣體、丁烷氣體、丙烷氣體、苯乙烯氣體等。而且，藉由調整進行濺射時成膜室內之氣體壓力，能夠與相位偏移膜30同樣地使蝕刻遮罩膜40成為柱狀結構。藉此，能夠抑制下述圖案形成時之側蝕，並能實現高蝕刻速率。

於蝕刻遮罩膜40由組成均勻之單一膜構成之情形時，不改變濺鍍氣體之組成及流量僅進行1次上述成膜製程。於蝕刻遮罩膜40由組成不同之複數種膜構成之情形時，於每次成膜製程中改變濺鍍氣體之組成及流量，進行複數次上述成膜製程。於蝕刻遮罩膜40由厚度方向上組成連續變化之單一膜構成之情形時，隨著成膜製程之經過改變濺鍍氣體之組成及流量，僅進行1次上述成膜製程。 以此方式獲得實施方式1之相位偏移光罩基底10。

再者，圖1所示之相位偏移光罩基底10於相位偏移膜30上設有蝕刻遮罩膜40，因此，製造相位偏移光罩基底10時進行蝕刻遮罩膜形成步驟。又，製造於相位偏移膜30上設有蝕刻遮罩膜40，於蝕刻遮罩膜40上設有抗蝕膜之相位偏移光罩基底時，在蝕刻遮罩膜形成步驟之後，於蝕刻遮罩膜40上形成抗蝕膜。又，於圖2所示之相位偏移光罩基底10中，製造於相位偏移膜30上設有抗蝕膜之相位偏移光罩基底時，在相位偏移膜形成步驟之後形成抗蝕膜。

該實施方式1之相位偏移光罩基底10於相位偏移膜30上形成有蝕刻遮罩膜40，至少相位偏移膜30具有柱狀結構。又，實施方式2之相位偏移光罩基底10形成有相位偏移膜30，該相位偏移膜30具有柱狀結構。

於該實施方式1及2之相位偏移光罩基底10中，藉由濕式蝕刻將相位偏移膜30圖案化時，一方面促進了膜厚方向之蝕刻，一方面抑制了側蝕，因此，能夠於較短之蝕刻時間內形成相位偏移膜圖案，即，該相位偏移膜圖案之截面形狀良好，具有所期望之透過率(例如，透過率較高)，並且滿足相位偏移膜或相位偏移膜圖案中所需之耐洗淨性，滿足所需之線邊緣粗糙度。因此，獲得如下相位偏移光罩基底，即，該相位偏移光罩基底不存在因濕式蝕刻液損傷基板所致之透明基板之透過率下降，可製造能精度良好地轉印高精細之相位偏移膜圖案之相位偏移光罩。

實施方式3. 4. 於實施方式3、4中，對相位偏移光罩之製造方法進行說明。

圖3係表示實施方式3之相位偏移光罩之製造方法之模式圖。圖4係表示實施方式4之相位偏移光罩之製造方法之模式圖。 圖3所示之相位偏移光罩之製造方法係使用圖1所示之相位偏移光罩基底10製造相位偏移光罩之方法，包括以下步驟：於相位偏移光罩基底10之蝕刻遮罩膜40上形成抗蝕膜；藉由對抗蝕膜進行所期望之圖案之繪圖、顯影，而形成抗蝕膜圖案50(第1抗蝕膜圖案形成步驟)，將該抗蝕膜圖案50作為遮罩對蝕刻遮罩膜40進行濕式蝕刻，而於相位偏移膜30上形成蝕刻遮罩膜圖案40a(第1蝕刻遮罩膜圖案形成步驟)；及將上述蝕刻遮罩膜圖案40a作為遮罩對相位偏移膜30進行濕式蝕刻，而於透明基板20上形成相位偏移膜圖案30a(相位偏移膜圖案形成步驟)。而且，進而包括第2抗蝕膜圖案形成步驟及第2蝕刻遮罩膜圖案形成步驟。

圖4所示之相位偏移光罩之製造方法係使用圖2所示之相位偏移光罩基底10製造相位偏移光罩之方法，包括以下步驟：於相位偏移光罩基底10之上形成抗蝕膜；及藉由對抗蝕膜進行所期望之圖案之繪圖、顯影，而形成抗蝕膜圖案50(第1抗蝕膜圖案形成步驟)，將該抗蝕膜圖案50作為遮罩對相位偏移膜30進行濕式蝕刻，而於透明基板20上形成相位偏移膜圖案30a(相位偏移膜圖案形成步驟)。 以下，對實施方式3及4之相位偏移光罩之製造步驟之各步驟詳細進行說明。

實施方式3之相位偏移光罩之製造步驟 1.第1抗蝕膜圖案形成步驟 於第1抗蝕膜圖案形成步驟中，首先於實施方式1之相位偏移光罩基底10之蝕刻遮罩膜40上形成抗蝕膜。所使用之抗蝕膜材料無特別限制。例如，只要是對下述具有從350 nm～436 nm之波長區域中選擇之任一波長之雷射光感光者即可。又，抗蝕膜可為正型、負型中之任一種。 其後，使用具有從350 nm～436 nm之波長區域中選擇之任一波長之雷射光對抗蝕膜描繪所期望之圖案。對抗蝕膜描繪之圖案係要形成於相位偏移膜30之圖案。作為對抗蝕膜描繪之圖案，可例舉線與間隙圖案或孔圖案。 其後，利用特定之顯影液使抗蝕膜顯影，如圖3(a)所示，於蝕刻遮罩膜40上形成第1抗蝕膜圖案50。

2.第1蝕刻遮罩膜圖案形成步驟 於第1蝕刻遮罩膜圖案形成步驟中，首先將第1抗蝕膜圖案50作為遮罩對蝕刻遮罩膜40進行蝕刻，而形成第1蝕刻遮罩膜圖案40a。蝕刻遮罩膜40由包含鉻(Cr)之鉻系材料形成。於蝕刻遮罩膜40具有柱狀結構之情形時，蝕刻速度加快，能抑制側蝕，於此方面較佳。將蝕刻遮罩膜40蝕刻之蝕刻液無特別限制，只要是能選擇性對蝕刻遮罩膜40進行蝕刻者即可。具體可例舉包含硝酸鈰銨及過氯酸之蝕刻液。 其後，使用抗蝕劑剝離液或藉由灰化，如圖3(b)所示將第1抗蝕膜圖案50剝離。根據情況，亦可不將第1抗蝕膜圖案50剝離而進行接下來的相位偏移膜圖案形成步驟。

3.相位偏移膜圖案形成步驟 於第1相位偏移膜圖案形成步驟中，將第1蝕刻遮罩膜圖案40a作為遮罩對包含上層31及下層32之相位偏移膜30進行濕式蝕刻，如圖3(c)所示，形成包含上層圖案31a及下層圖案32a之相位偏移膜圖案30a。作為相位偏移膜圖案30a，可例舉線與間隙圖案或孔圖案。將相位偏移膜30蝕刻之蝕刻液無特別限制，只要是能選擇性對相位偏移膜30進行蝕刻者即可。例如可例舉：包含氟化銨、磷酸及過氧化氫之蝕刻液；包含氟化氫銨及過氧化氫之蝕刻液。 為了使相位偏移膜圖案30a之截面形狀良好，於較直至相位偏移膜圖案30a中露出透明基板20之時間(適當蝕刻時間)長之時間(過蝕刻時間)內進行濕式蝕刻為佳。作為過蝕刻時間，考慮到對透明基板20造成之影響等，設為適當蝕刻時間加上該適當蝕刻時間之20%時間之時間內為佳，設為加上適當蝕刻時間之10%時間之時間內更佳。

4.第2抗蝕膜圖案形成步驟 於第2抗蝕膜圖案形成步驟中，首先形成覆蓋第1蝕刻遮罩膜圖案40a之抗蝕膜。所使用之抗蝕膜材料無特別限制。例如，只要是對下述具有從350 nm～436 nm之波長區域中選擇之任一波長之雷射光感光者即可。又，抗蝕膜可為正型、負型中之任一種。 其後，使用具有從350 nm～436 nm之波長區域中選擇之任一波長之雷射光對抗蝕膜描繪所期望之圖案。對抗蝕膜描繪之圖案係對相位偏移膜30上形成圖案之區域的外周區域進行遮光之遮光帶圖案、或對相位偏移膜圖案之中央部進行遮光之遮光帶圖案等。再者，根據相位偏移膜30對曝光之光之透過率，對抗蝕膜描繪之圖案亦可能是不存在對相位偏移膜圖案30a之中央部進行遮光之遮光帶圖案的圖案。 其後，利用特定之顯影液對抗蝕膜進行顯影，如圖3(d)所示，於第1蝕刻遮罩膜圖案40a上形成第2抗蝕膜圖案60。

5.第2蝕刻遮罩膜圖案形成步驟 於第2蝕刻遮罩膜圖案形成步驟中，將第2抗蝕膜圖案60作為遮罩對第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行蝕刻，如圖3(e)所示，形成第2蝕刻遮罩膜圖案40b。第1蝕刻遮罩膜圖案40a由包含鉻(Cr)之鉻系材料形成。將第1蝕刻遮罩膜圖案40a蝕刻之蝕刻液無特別限制，只要是能選擇性對第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行蝕刻者即可。例如，可例舉包含硝酸鈰銨及過氯酸之蝕刻液。 其後，使用抗蝕劑剝離液或藉由灰化將第2抗蝕膜圖案60剝離。 以此方式獲得相位偏移光罩100。 再者，於上述說明中，對蝕刻遮罩膜40具有阻擋曝光之光透過之功能之情形進行了說明，但於蝕刻遮罩膜40僅具有將相位偏移膜30蝕刻時之硬質遮罩之功能之情形時，於上述說明中，不進行第2抗蝕膜圖案形成步驟及第2蝕刻遮罩膜圖案形成步驟，在相位偏移膜圖案形成步驟之後，將第1蝕刻遮罩膜圖案剝離而製作相位偏移光罩100。

根據該實施方式3之相位偏移光罩之製造方法，由於使用實施方式1之相位偏移光罩基底，故而能夠縮短蝕刻時間，能夠形成截面形狀良好之相位偏移膜圖案。因此，可製造能精度良好地轉印高精細之相位偏移膜圖案之相位偏移光罩。以此方式製造之相位偏移光罩能夠應對線與間隙圖案或接觸孔之微細化。

實施方式4之相位偏移光罩之製造步驟 1.抗蝕膜圖案形成步驟 於抗蝕膜圖案形成步驟中，首先於實施方式2之相位偏移光罩基底10之相位偏移膜30上形成抗蝕膜。所使用之抗蝕膜材料與實施方式3中所說明者相同。再者，亦可視需要於形成抗蝕膜之前，對相位偏移膜30進行表面改質處理，以使抗蝕膜與相位偏移膜30之密接性良好。與上述同樣地於形成抗蝕膜之後，使用具有從350 nm～436 nm之波長區域中選擇之任一波長之雷射光對抗蝕膜描繪所期望之圖案。其後，利用特定之顯影液對抗蝕膜進行顯影，如圖4(a)所示，於相位偏移膜30上形成抗蝕膜圖案50。 2.相位偏移膜圖案形成步驟 於相位偏移膜圖案形成步驟中，將抗蝕膜圖案作為遮罩對包含上層31及下層32之相位偏移膜30進行蝕刻，如圖4(b)所示，形成包含上層圖案31a及下層圖案32a之相位偏移膜圖案30a。將相位偏移膜圖案30a或相位偏移膜30蝕刻之蝕刻液或過蝕刻時間與實施方式3中所說明者相同。 其後，使用抗蝕劑剝離液或藉由灰化將抗蝕膜圖案50剝離(圖4(c))。 以此方式獲得相位偏移光罩100。 根據該實施方式4之相位偏移光罩之製造方法，由於使用實施方式2之相位偏移光罩基底，故而不存在因濕式蝕刻液損傷基板所致之透明基板之透過率下降，能夠縮短蝕刻時間，能夠形成截面形狀良好之相位偏移膜圖案。因此，可製造能精度良好地轉印高精細之相位偏移膜圖案之相位偏移光罩。以此方式製造之相位偏移光罩能夠應對線與間隙圖案或接觸孔之微細化。

實施方式5. 於實施方式5中，對顯示裝置之製造方法進行說明。顯示裝置係藉由進行以下步驟來製造：使用利用上述相位偏移光罩基底10製造之相位偏移光罩100，或者使用藉由上述相位偏移光罩100之製造方法製造之相位偏移光罩100(遮罩載置步驟)；及將轉印圖案曝光轉印至顯示裝置上之抗蝕膜(曝光步驟)。 以下，對各步驟詳細說明。

1.載置步驟 於載置步驟中，將實施方式3中製造之相位偏移光罩載置於曝光裝置之光罩載台。此處，相位偏移光罩介隔曝光裝置之投影光學系統與形成於顯示裝置基板上之抗蝕膜對向地配置。

2.圖案轉印步驟 於圖案轉印步驟中，對相位偏移光罩100照射曝光之光，將相位偏移膜圖案轉印至形成於顯示裝置基板上之抗蝕膜。曝光之光為包含從365 nm～436 nm之波長區域中選擇之複數種波長之光的複合光、或者利用濾波器等從365 nm～436 nm之波長區域截下某波長區域而選擇之單色光。例如，曝光之光為包含i線、h線及g線之複合光或者i線之單色光。若使用複合光作為曝光之光，則能夠增加曝光之光的強度而提高產能，因此能夠降低顯示裝置之製造成本。

根據該實施方式3之顯示裝置之製造方法，能夠製造具有高解析度、微細之線與間隙圖案或接觸孔之高精細之顯示裝置。 再者，於以上之實施方式中，對使用具有相位偏移膜之相位偏移光罩基底或具有相位偏移膜圖案之相位偏移光罩作為具有圖案形成用薄膜之光罩基底或具有轉印圖案之光罩的情形進行了說明，但並不限定於該等。例如，於具有遮光膜作為圖案形成用薄膜之二元光罩基底或具有遮光膜圖案之二元光罩中，亦可應用本發明。 [實施例]

實施例1. A.相位偏移光罩基底及其製造方法 為了製造實施例1之相位偏移光罩基底，首先準備1214尺寸(1220 mm×1400 mm)之合成石英玻璃基板作為透明基板20。

其後，使合成石英玻璃基板之主表面朝向下側而將其搭載於盤(未圖示)，並搬入至直列型濺射裝置之腔室內。 為了於透明基板20之主表面上形成相位偏移膜30之下層32，首先，於使第1腔室內之濺射氣體壓力成為1.6 Pa之狀態下導入包含氬氣(Ar)及氮氣(N₂ )之惰性氣體(Ar：18 sccm、N₂ ：13 sccm)。然後，對包含鉬及矽之第1濺鍍靶(鉬：矽＝11：89)施加7.6 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺射使包含鉬、矽及氮之矽化鉬之氮化物堆積於透明基板20之主表面上，從而形成厚度115 nm之下層32。然後，調整與第1腔室連接之真空泵之主閥之開口量而使第1腔室內之濺射氣體壓力成為1.2 Pa，除此以外，在與下層32相同之條件下藉由反應性濺射於下層32之上形成厚度30 nm之上層31。以此方式形成膜厚145 nm之相位偏移膜30。

接下來，將帶有相位偏移膜30之透明基板20搬入至第2腔室內，向第2腔室內導入氬氣(Ar)與氮氣(N₂ )之混合氣體(Ar：65 sccm、N₂ ：15 sccm)。然後，對包含鉻之第2濺鍍靶施加1.5 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺射於相位偏移膜30上形成含有鉻及氮之鉻氮化物(CrN)(膜厚15 nm)。接下來，於使第3腔室內成為特定之真空度之狀態下導入氬氣(Ar)與甲烷(CH₄ ：4.9%)氣體之混合氣體(30 sccm)，對包含鉻之第3濺鍍靶施加8.5 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺射於CrN上形成含有鉻及碳之鉻碳化物(CrC)(膜厚60 nm)。最後，於使第4腔室內成為特定之真空度之狀態下導入氬氣(Ar)與甲烷(CH₄ ：5.5%)氣體之混合氣體、及氮氣(N₂ )與氧氣(O₂ )之混合氣體(Ar＋CH₄ ：30 sccm、N₂ ：8 sccm、O₂ ：3 sccm)，對包含鉻之第4濺鍍靶施加2.0 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺射於CrC上形成含有鉻、碳、氧及氮之鉻碳氮氧化物(CrCON)(膜厚30 nm)。以上述方式於相位偏移膜30上形成CrN層、CrC層及CrCON層之積層構造之蝕刻遮罩膜40。 以此方式獲得於透明基板20上形成有相位偏移膜30及蝕刻遮罩膜40之相位偏移光罩基底10。

利用Lasertec公司製造之MPM-100對所獲得之相位偏移光罩基底10之相位偏移膜30(相位偏移膜30之表面測定透過率、相位差。於相位偏移膜30之透過率、相位差之測定中，使用放於同一盤而製作之於合成石英玻璃基板之主表面上形成有相位偏移膜30之帶有相位偏移膜之基板(虛設基板)。於形成蝕刻遮罩膜40之前，將帶有相位偏移膜之基板(虛設基板)從腔室中取出，測定相位偏移膜30之透過率、相位差。結果，透過率為25.1%(波長：405 nm)，相位差為176°(波長：405 nm)，背面反射率為9.4%(波長：405 nm)。 進而，使用光譜式橢圓儀(J.A.Woollam公司製造 M-2000D)測定相位偏移膜30中之上層31及下層32之各光學特性，上層31中折射率為2.49，消光係數為0.32。而且，下層32中折射率為2.37，消光係數為0.24。再者，關於上層31，針對在另一透明基板僅形成上層31者測定各光學特性(於實施例2中亦相同)。

又，利用X射線光電子光譜法(XPS)對所獲得之相位偏移光罩基底10進行深度方向之組成分析。 於針對相位偏移光罩基底10之XPS之深度方向之組成分析結果中，相位偏移膜30中，除了透明基板20與相位偏移膜30之界面之梯度組成區域、及相位偏移膜30與蝕刻遮罩膜40之界面之梯度組成區域以外，鉬與矽之原子比率於深度方向上大致固定，為1：5.6，處於1：3以上1：15以下之範圍內。又，各構成元素之含有率於上層31中，Mo為7原子%，Si為39原子%，N為51原子%，O為3原子%，於下層32中，Mo為7原子%，Si為39原子%，N為46原子%，O為8原子%。又，作為輕元素之氧、氮之合計含有率於上層31中為54原子%，於下層32中為54原子%，均處於50原子%以上65原子%以下之範圍內。再者，相位偏移膜30中含有氧被認為是濺射氣體壓力高達0.8 Pa以上，於成膜時之腔室內存在微量之氧。

接下來，於所獲得之相位偏移光罩基底10之轉印圖案形成區域之中央位置，以80000倍之倍率進行截面SEM(掃描式電子顯微鏡)觀察，結果確認相位偏移膜30具有柱狀結構。即確認，構成相位偏移膜30之矽化鉬化合物之粒子具有朝向相位偏移膜30之膜厚方向延伸之柱狀粒子結構。而且確認，相位偏移膜30之柱狀粒子結構為膜厚方向之柱狀粒子不規律地形成，且柱狀粒子之膜厚方向之長度亦不一致之狀態。又，亦確認相位偏移膜30之稀疏部分於膜厚方向上連續形成。進而亦確認，相位偏移膜30之上層31中柱狀結構之粒子之平均尺寸小於下層32中柱狀結構之粒子之平均尺寸。上層31中柱狀結構之粒子之平均尺寸為14 nm，下層32中柱狀結構之粒子之平均尺寸為22 nm。

B.相位偏移光罩及其製造方法 為了使用以上述方式製造之相位偏移光罩基底10來製造相位偏移光罩100，首先使用抗蝕劑塗佈裝置於相位偏移光罩基底10之蝕刻遮罩膜40上塗佈光阻膜。 其後，經過加熱、冷卻步驟形成膜厚520 nm之光阻膜。 其後，使用雷射繪圖裝置對光阻膜進行繪圖，經過顯影、沖洗步驟，於蝕刻遮罩膜上形成孔徑為1.5 μm之孔圖案之抗蝕膜圖案。

其後，將抗蝕膜圖案作為遮罩，利用包含硝酸鈰銨及過氯酸之鉻蝕刻液對蝕刻遮罩膜進行濕式蝕刻，形成第1蝕刻遮罩膜圖案40a。

其後，將第1蝕刻遮罩膜圖案40a作為遮罩，利用由純水將氟化氫銨與過氧化氫之混合溶液稀釋後之矽化鉬蝕刻液對相位偏移膜30進行濕式蝕刻，從而形成相位偏移膜圖案30a。為了使截面形狀垂直化，且為了形成所需之微細圖案，以110%之過蝕刻時間進行該濕式蝕刻。實施例1中之適當蝕刻時間為下述比較例中之適當蝕刻時間之0.15倍，能夠大幅縮短蝕刻時間。 其後，將抗蝕膜圖案剝離。

其後，使用抗蝕劑塗佈裝置以覆蓋第1蝕刻遮罩膜圖案40a之方式塗佈光阻膜。 其後，經過加熱、冷卻步驟形成膜厚520 nm之光阻膜。 其後，使用雷射繪圖裝置對光阻膜進行繪製，經過顯影、沖洗步驟於第1蝕刻遮罩膜圖案40a上形成第2抗蝕膜圖案60，該第2抗蝕膜圖案60用於形成遮光帶。

其後，將第2抗蝕膜圖案60作為遮罩，利用包含硝酸鈰銨及過氯酸之鉻蝕刻液對形成於轉印圖案形成區域之第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行濕式蝕刻。 其後，將第2抗蝕膜圖案60剝離。

以此方式，獲得於透明基板20上且轉印圖案形成區域形成有孔徑為1.5 μm之相位偏移膜圖案30a及由相位偏移膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造構成之遮光帶之相位偏移光罩100。

利用掃描式電子顯微鏡觀察所獲得之相位偏移光罩之截面。相位偏移膜圖案之截面由相位偏移膜圖案之上表面、下表面及側面構成。該相位偏移膜圖案之截面之角度係指相位偏移膜圖案之上表面和側面相接之部位(上邊)與側面和下表面相接之部位(下邊)所構成之角度。所獲得之相位偏移光罩之相位偏移膜圖案30a之截面之角度為75°以上，具有良好之截面形狀。實施例1之相位偏移光罩上形成之相位偏移膜圖案30a具有能充分發揮相位偏移效果之截面形狀。認為，藉由相位偏移膜30成為柱狀結構而使相位偏移膜圖案30a之截面形狀良好之機理如下。相位偏移膜30於上層31及下層32中均具有柱狀粒子結構(柱狀結構)，沿膜厚方向延伸之柱狀粒子不規律地形成。又，相位偏移膜30於上層31及下層32中均由密度相對較高之各柱狀粒子部分與密度相對較低之稀疏部分形成。根據該等事實，認為藉由濕式蝕刻將相位偏移膜30圖案化時，蝕刻液浸透至相位偏移膜30中之稀疏部分，藉此蝕刻易沿膜厚方向進行，另一方面，在與膜厚方向垂直之方向(基板面內之方向)上柱狀粒子不規律地形成，該方向之稀疏部分間斷地形成，故而蝕刻不易向該方向進展，側蝕得到抑制，因此，相位偏移膜圖案30a中獲得接近垂直之良好之截面形狀。又，相位偏移膜圖案中，在與蝕刻遮罩膜圖案之界面及與基板之界面處均未觀察到浸入。因此，獲得於包含300 nm以上500 nm以下之波長範圍之光的曝光之光下，更具體而言，於包含i線、h線及g線之複合光之曝光之光下具有優異之相位偏移效果之相位偏移光罩。 又，對實施例1中獲得之相位偏移光罩中之相位偏移膜圖案之線邊緣粗糙度進行測定，結果為30 nm以下，滿足所需之水準。又，對實施例1中獲得之相位偏移光罩基底及相位偏移光罩進行洗淨試驗，結果滿足所需之耐洗淨性。 因此可以說，在將實施例1之相位偏移光罩放於曝光裝置之光罩載台，對顯示裝置上之抗蝕膜進行曝光轉印之情形時，能夠高精度地轉印未達2.0 μm之微細圖案。

再者，相位偏移膜圖案30a中，維持了相位偏移膜30之柱狀結構，又，將相位偏移膜30去除後露出之透明基板20之表面較光滑，呈現可忽略因透明基板20之表面粗糙所致之透過率下降之狀態。

實施例2. A.相位偏移光罩基底及其製造方法 為了製造實施例2之相位偏移光罩基底，與實施例1同樣地準備1214尺寸(1220 mm×1400 mm)之合成石英玻璃基板作為透明基板。 利用與實施例1相同之方法，將合成石英玻璃基板搬入至直列型濺射裝置之腔室。使用與實施例1相同之濺鍍靶材料作為第1濺鍍靶、第2濺鍍靶、第3濺鍍靶、第4濺鍍靶。然後，於使第1腔室內之濺射氣體壓力成為1.6 Pa之狀態下，導入包含氬氣(Ar)及氮氣(N₂ )之惰性氣體與作為反應性氣體之一氧化氮氣體(NO)之混合氣體(Ar：18 sccm、N₂ ：13 sccm、NO：4 sccm)。然後，對包含鉬及矽之第1濺鍍靶(鉬：矽＝8：92)施加8.2 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺射使含有鉬、矽、氧及氮之矽化鉬之氮氧化物堆積於透明基板20之主表面上，從而形成厚度140 nm之下層32。然後，調整與第1腔室連接之真空泵之主閥之開口量而使第1腔室內之濺射氣體壓力成為1.2 Pa，除此以外，在與下層32相同之條件下藉由反應性濺射於下層32之上形成厚度40 nm之上層31。以此方式形成膜厚180 nm之相位偏移膜30。 然後，於透明基板形成相位偏移膜之後，將其從腔室中取出，利用純水對相位偏移膜之表面進行洗淨。純水洗淨條件中，將溫度設為30度，將洗淨時間設為60秒。 其後，利用與實施例1相同之方法形成蝕刻遮罩膜40。 以此方式獲得於透明基板20上形成有相位偏移膜30及蝕刻遮罩膜40之相位偏移光罩基底10。

利用Lasertec公司製造之MPM-100對所獲得之相位偏移光罩基底10之相位偏移膜(用純水將相位偏移膜之表面洗淨後之相位偏移膜)測定透過率、相位差。於相位偏移膜之透過率、相位差之測定中，使用放於同一盤而製作之於合成石英玻璃基板之主表面上形成有相位偏移膜30之帶有相位偏移膜之基板(虛設基板)。於形成蝕刻遮罩膜之前，將帶有相位偏移膜之基板(虛設基板)從腔室中取出，測定相位偏移膜30之透過率、相位差。結果，透過率為45%(波長：405 nm)，相位差為188度(波長：405 nm)，背面反射率為0.7%(波長：405 nm)。 又，與實施例1同樣地，使用光譜式橢圓儀(J.A.Woollam公司製造 M-2000D)測定相位偏移膜30中之上層31及下層32之各光學特性，上層31中折射率為2.30，消光係數為0.17。而且，下層32中折射率為2.15，消光係數為0.11。

又，利用X射線光電子光譜法(XPS)對所獲得之相位偏移光罩基底進行深度方向之組成分析。 結果，與實施例1同樣地，相位偏移膜30中，除了透明基板20與相位偏移膜30之界面之梯度組成區域、及相位偏移膜30與蝕刻遮罩膜40之界面之梯度組成區域以外，各構成元素之含有率於深度方向上大致固定，鉬與矽之原子比率為1：8，處於1：3以上1：15以下之範圍內。又，各構成元素之含有率於上層31中，Mo為5原子%，Si為40原子%，N為47原子%，O為8原子%，於下層32中，Mo為5原子%，Si為40原子%，N為45原子%，O為10原子%。又，作為輕元素之氧、氮之合計含有率於上層31中為55原子%，於下層32中為55原子%，均為55原子%，處於50原子%以上65原子%以下之範圍內。 接下來，於所獲得之相位偏移光罩基底10之轉印圖案形成區域之中央位置，以80000倍之倍率進行截面SEM觀察，結果確認相位偏移膜30具有柱狀結構。即確認，構成相位偏移膜30之矽化鉬化合物之粒子具有朝向相位偏移膜30之膜厚方向延伸之柱狀粒子結構。而且確認，相位偏移膜30之柱狀粒子結構為膜厚方向之柱狀粒子不規律地形成，且柱狀粒子之膜厚方向之長度亦不一致之狀態。又，亦確認相位偏移膜30之稀疏部分於膜厚方向上連續形成。進而亦確認，相位偏移膜30之上層31中柱狀結構之粒子之平均尺寸小於下層32中柱狀結構之粒子之平均尺寸。上層31中柱狀結構之粒子之平均尺寸為15 nm，下層32中柱狀結構之粒子之平均尺寸為25 nm。

B.相位偏移光罩及其製造方法 使用以上述方式製造之相位偏移光罩基底，利用與實施例1相同之方法製造具有孔徑為1.5 μm之相位偏移膜圖案之相位偏移光罩。為了使截面形狀垂直化，且為了形成所需之微細圖案，以110%之過蝕刻時間對相位偏移膜30進行濕式蝕刻。實施例2中之適當蝕刻時間為下述比較例中之適當蝕刻時間之0.07倍，能夠大幅縮短蝕刻時間。

利用掃描式電子顯微鏡觀察所獲得之相位偏移光罩之截面。相位偏移光罩之相位偏移膜圖案30a之截面之角度為75°以上，具有良好之截面形狀。又，相位偏移膜圖案中，在與蝕刻遮罩膜圖案之界面及與基板之界面處均未觀察到浸入。因此，獲得於包含300 nm以上500 nm以下之波長範圍之光的曝光之光下，更具體而言，於包含i線、h線及g線之複合光之曝光之光下具有優異之相位偏移效果之相位偏移光罩。 又，對實施例2中獲得之相位偏移光罩中之相位偏移膜圖案之線邊緣粗糙度進行測定，結果為30 nm以下，滿足所需之水準。又，對實施例2中獲得之相位偏移光罩基底及相位偏移光罩進行洗淨試驗，結果滿足所需之耐洗淨性。 因此可以說，在將實施例2之相位偏移光罩放於曝光裝置之光罩載台，對顯示裝置上之抗蝕膜進行曝光轉印之情形時，能夠高精度地轉印未達2.0 μm之微細圖案。

相位偏移膜圖案30a中，維持了相位偏移膜30之柱狀結構，又，將相位偏移膜30去除後露出之透明基板20之表面較光滑，呈現可忽略因透明基板20之表面粗糙所致之透過率下降之狀態。

再者，於上述實施例中，對使用鉬作為過渡金屬之情形進行了說明，但於使用其他過渡金屬之情形時亦獲得與上述同等之效果。 又，於上述實施例中，對顯示裝置製造用相位偏移光罩基底及顯示裝置製造用相位偏移光罩之例進行了說明，但並不限於此。本發明之相位偏移光罩基底及相位偏移光罩亦可應用於半導體裝置製造用、MEMS(microelectromechanical system，微機電系統)製造用、印刷基板用等。又，於具有遮光膜作為圖案形成用薄膜之二元光罩基底或具有遮光膜圖案之二元光罩中，亦可應用本發明。 又，於上述實施例中，對透明基板之尺寸為1214尺寸(1220 mm×1400 mm×13 mm)之例進行了說明，但並不限於此。於顯示裝置製造用相位偏移光罩基底之情形時，使用大型(Large Size)透明基板，該透明基板之尺寸中，一邊之長度為300 mm以上。顯示裝置製造用相位偏移光罩基底所使用之透明基板之尺寸例如為330 mm×450 mm以上2280 mm×3130 mm以下。 又，於半導體裝置製造用、MEMS製造用、印刷基板用相位偏移光罩基底之情形時，使用小型(Small Size)透明基板，該透明基板之尺寸中，一邊之長度為9英吋以下。上述用途之相位偏移光罩基底所使用之透明基板之尺寸例如為63.1 mm×63.1 mm以上228.6 mm×228.6 mm以下。通常，製造半導體，製造MEMS時，使用6025尺寸(152 mm×152 mm)或5009尺寸(126.6 mm×126.6 mm)，用作印刷基板時，使用7012尺寸(177.4 mm×177.4 mm)或9012尺寸(228.6 mm×228.6 mm)。

比較例1. A.相位偏移光罩基底及其製造方法 為了製造比較例1之相位偏移光罩基底，與實施例1同樣地準備1214尺寸(1220 mm×1400 mm)之合成石英玻璃基板作為透明基板。 利用與實施例1相同之方法，將合成石英玻璃基板搬入至直列型濺射裝置之腔室。然後，於使第1腔室內之濺射氣體壓力成為0.5 Pa之狀態下，導入氬氣(Ar)與氮氣(N₂ )之混合氣體(Ar：30 sccm、N₂ ：30 sccm)。然後，對包含鉬與矽之第1濺鍍靶(鉬：矽＝1：9)施加7.6 kW之濺鍍功率，藉由反應性濺射使含有鉬、矽及氮之矽化鉬之氮化物堆積於透明基板之主表面上。以此方式形成膜厚144 nm之相位偏移膜。 其後，利用與實施例1相同之方法形成蝕刻遮罩膜。 以此方式獲得於透明基板上形成有相位偏移膜及蝕刻遮罩膜之相位偏移光罩基底。

利用Lasertec公司製造之MPM-100對所獲得之相位偏移光罩基底之相位偏移膜測定透過率、相位差。於相位偏移膜之透過率、相位差之測定中，使用放於同一盤而製作之於合成石英玻璃基板之主表面上形成有相位偏移膜之帶有相位偏移膜之基板(虛設基板)。於形成蝕刻遮罩膜之前，將帶有相位偏移膜之基板(虛設基板)從腔室中取出，測定相位偏移膜之透過率、相位差。結果，透過率為29%(波長：405 nm)，相位差為172度(波長：405 nm)，背面反射率為11%(波長：405 nm)。

又，利用X射線光電子光譜法(XPS)對所獲得之相位偏移光罩基底進行深度方向之組成分析。結果，相位偏移膜30中，除了透明基板20與相位偏移膜30之界面之梯度組成區域、及相位偏移膜30與蝕刻遮罩膜40之界面之梯度組成區域以外，各構成元素之含有率於深度方向上大致固定，Mo為8原子%，Si為39原子%，N為52原子%，O為1原子%。又，鉬與矽之原子比率為1：4.9，處於1：3以上1：15以下之範圍內。又，作為輕元素之氧、氮、碳之合計含有率為53原子%，處於50原子%以上65原子%以下之範圍內。

接下來，於所獲得之相位偏移光罩基底10之轉印圖案形成區域之中央位置，以80000倍之倍率進行截面SEM觀察，結果於相位偏移膜中無法確認出柱狀結構，確認其為超微細之晶體結構或非晶結構。

B.相位偏移光罩及其製造方法 使用以上述方式製造之相位偏移光罩基底，利用與實施例1相同之方法製造相位偏移光罩。為了使截面形狀垂直化，且為了形成所需之微細圖案，以110%之過蝕刻時間對相位偏移膜進行濕式蝕刻。比較例1中之適當蝕刻時間為142分鐘，為較長之時間。 將相位偏移膜30去除後露出之透明基板20之表面較粗糙，目視下亦呈現白濁狀態。因此，因透明基板20之表面粗糙所致之透過率下降較明顯。 因此預想到，在將比較例1之相位偏移光罩放於曝光裝置之光罩載台，對顯示裝置上之抗蝕膜進行曝光轉印之情形時，無法轉印未達2.0 μm之微細圖案。

10:相位偏移光罩基底 20:透明基板 30:相位偏移膜 30a:相位偏移膜圖案 31:上層 31a:上層圖案 32:下層 32a:下層圖案 40:蝕刻遮罩膜 40a:第1蝕刻遮罩膜圖案 40b:第2蝕刻遮罩膜圖案 50:第1抗蝕膜圖案 60:第2抗蝕膜圖案 100:相位偏移光罩

圖1係表示實施方式1之相位偏移光罩基底之膜構成之模式圖。 圖2係表示實施方式2之相位偏移光罩基底之膜構成之模式圖。 圖3(a)～(e)係表示實施方式3之相位偏移光罩之製造步驟之模式圖。 圖4(a)～(c)係表示實施方式4之相位偏移光罩之製造步驟之模式圖。

10:相位偏移光罩基底

20:透明基板

30:相位偏移膜

31:上層

32:下層

40:蝕刻遮罩膜

Claims (14)

1. 一種光罩基底，其特徵在於：其係於透明基板上具有圖案形成用薄膜者，且 上述光罩基底係用於藉由對上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻而形成在上述透明基板上具有轉印圖案之光罩之母板， 上述圖案形成用薄膜含有過渡金屬及矽， 上述圖案形成用薄膜具有柱狀結構， 上述圖案形成用薄膜包含上層及下層， 上述上層中構成柱狀結構之粒子之平均尺寸小於上述下層中構成柱狀結構之粒子之平均尺寸。
2. 如請求項1之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜中所含之上述過渡金屬與上述矽之原子比率為過渡金屬：矽＝1：3以上1：15以下。
3. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜至少含有氮或氧。
4. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述過渡金屬為鉬。
5. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述圖案形成用薄膜係具備如下光學特性之相位偏移膜，即，對曝光之光之代表波長而言透過率為1%以上80%以下，相位差為160°以上200°以下。
6. 如請求項1或2之光罩基底，其中於上述圖案形成用薄膜上設有蝕刻選擇性與該圖案形成用薄膜不同之蝕刻遮罩膜。
7. 如請求項6之光罩基底，其中上述蝕刻遮罩膜包含含有鉻且實質上不含矽之材料。
8. 一種光罩基底之製造方法，其特徵在於：其係利用濺射法於透明基板上形成含有過渡金屬及矽之圖案形成用薄膜者，且 關於上述圖案形成用薄膜，於成膜室內使用包含過渡金屬及矽之過渡金屬矽化物靶，供給有濺射氣體之上述成膜室內之濺射氣體壓力為0.8 Pa以上3.0 Pa以下， 上述圖案形成用薄膜包含上層及下層， 形成上述上層時上述成膜室內之濺射氣體壓力低於形成上述下層時上述成膜室內之濺射氣體壓力。
9. 如請求項8之光罩基底之製造方法，其中上述過渡金屬矽化物靶之上述過渡金屬與矽之原子比率為過渡金屬：矽＝1：3以上1：15以下。
10. 如請求項8或9之光罩基底之製造方法，其中於上述圖案形成用薄膜上，使用包含蝕刻選擇性與該圖案形成用薄膜不同之材料之濺鍍靶形成蝕刻遮罩膜。
11. 如請求項10之光罩基底之製造方法，其中上述圖案形成用薄膜及上述蝕刻遮罩膜係使用直列型濺射裝置形成。
12. 一種光罩之製造方法，其特徵在於包括以下步驟： 準備如請求項1至5中任一項之光罩基底、或利用如請求項8或9之光罩基底之製造方法製造之光罩基底；及 於上述圖案形成用薄膜上形成抗蝕膜，將由上述抗蝕膜形成之抗蝕膜圖案作為遮罩對上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻，而於上述透明基板上形成轉印圖案。
13. 一種光罩之製造方法，其特徵在於包括以下步驟： 準備如請求項6或7之光罩基底、或利用如請求項10或11之光罩基底之製造方法製造之光罩基底； 於上述蝕刻遮罩膜上形成抗蝕膜，將由上述抗蝕膜形成之抗蝕膜圖案作為遮罩對上述蝕刻遮罩膜進行濕式蝕刻，而於上述圖案形成用薄膜上形成蝕刻遮罩膜圖案； 將上述蝕刻遮罩膜圖案作為遮罩對上述圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻，而於上述透明基板上形成轉印圖案。
14. 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括曝光步驟，該曝光步驟係將利用如請求項12或13之光罩之製造方法獲得之光罩載置於曝光裝置之光罩載台，將形成於上述光罩上之上述轉印圖案曝光轉印至形成於顯示裝置基板上之抗蝕劑。

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