JP7062377B2 - 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク - Google Patents
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Description
フォトマスクにおいてもパターン微細化を行うために、複合波長を用いる遮光膜パターン形成フォトマスクから、パターン縁において光干渉を用いて、単波長を用い、より微細なパターン形成可能な位相シフトマスクが使用されるに至っている。
上記に示す、半導体用位相シフトマスクでは、特許文献1に示すようにi線単波長を用いたエッジ強調型の位相シフトマスクが使用されていたが、更なる微細化のために、特許文献2に示すようにArF単波長まで露光波長を短くし、かつ、半透過型の位相シフトマスクが使用されてきている。
最近、上記フラットパネルディスプレイでも高精細な画面を形成するためにパターンプロファイルがより微細化されてきており、従来より使用されてきている、遮光膜をパターン化したフォトマスクではなく、特許文献3に示すようにエッジ強調型の位相シフトマスクが使用されるに至っている。
このため、遮光層におけるサイドエッチング量を増大させることによって、フォトリソ工程数を削減して、製造時間を削減し、製造コストを低減したいという要求があった。
同時に、線幅均一性の劣化や遮光性などの膜特性悪化を防止することが望まれていた。
1.遮光層におけるサイドエッチングのエッチング速度の増大を可能とすること。
2.ハーフトーンマスとしての特性悪化を防止すること。
このような長いオーバーエッチング時間は、欠陥発生が増加し、線幅の均一性(パターンエッジがギザつく)が劣ってくるために現実的ではない。そこで、本願発明者らは、サイドエッチングレートの極端に大きいクロム膜を実現することとした。
該透明基板の表面に形成された位相シフト層と、
前記位相シフト層に積層されたCrを主成分とする遮光層と、を備え、
前記位相シフト層に形成された位相シフトパターンのエッジよりも前記遮光層に形成された遮光パターンのエッジが平面視して後退した位置に配置される位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記透明基板に、前記位相シフト層と前記遮光層とを形成する工程と、
前記遮光層上に所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
この形成したマスク越しに前記遮光層をエッチングして遮光パターンを形成する工程と、
前記マスク越しに前記位相シフト層をウェットエッチングして位相シフトパターンを形成するとともに、前記遮光層をサイドエッチする工程と、
を有し、
NOを含有せずにN2およびCO2を含有して酸化窒化炭化クロムを主成分とした層を成膜し、次に、成膜厚さの増大に従って成膜ガス組成を変化させ、前記遮光層中の炭素を減少させて、ほとんど含有しない状態とするとともに、前記遮光層中における含有する窒素量を増大させて、CO2を含有せずにN2およびNOを含有して窒素成分の比率を高い酸化窒化クロムを主成分とした層を成膜して前記遮光層を複数層として成膜し、
前記遮光層を成膜する際に、成膜ガスとしてメタンを含有しないとともに窒素ガス(N 2 )を含有する成膜雰囲気を有することにより上記課題を解決した。
本発明において、前記遮光層を成膜する際に、酸化窒化クロムを主成分とした層を、成膜する成膜条件を前半と後半で変化させて膜構成の異なる2層とし、
前記遮光層を前記酸化窒化炭化クロム層と前記膜構成の異なる2層の酸化窒化クロム層との3層の膜で構成することがより好ましい。
本発明は、前記位相シフトマスクが、Ni-Ti-Nb-Mo膜からなるエッチングストッパー層を有することが可能である。
また、本発明において、前記遮光層をウェットエッチングする際に、硝酸セリウム第2アンモニウムを含むエッチング液を用いる手段を採用することもできる。
該透明基板の表面に形成された位相シフト層と、
前記位相シフト層に積層されたCrを主成分とする遮光層と、を備え、
前記位相シフト層に形成された位相シフトパターンのエッジよりも前記遮光層に形成された遮光パターンのエッジが平面視して後退した位置に配置される位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記透明基板に、前記位相シフト層と前記遮光層とを形成する工程と、
前記遮光層上に所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
この形成したマスク越しに前記遮光層をエッチングして遮光パターンを形成する工程と、
前記マスク越しに前記位相シフト層をウェットエッチングして位相シフトパターンを形成するとともに、前記遮光層をサイドエッチする工程と、
を有し、
前記遮光層を成膜する際に、成膜ガスとして窒素を含有する成膜雰囲気を有することにより、サイドエッチング量が従来よりも1桁大きな遮光層を成膜することができる。
これにより、位相シフト層と遮光層とをエッチングする時間を短縮して、膜特性が悪化してしまうことを防止しつつ、所定形状だけ位相シフトパターンから遮光パターンが後退したハーフトーンマスクを製造することが可能となる。
図1は、本実施形態における位相シフトマスクの製造方法を模式的に示す工程図であり、図において、符号MBは位相シフトマスクブランクスである。
遮光層13は、所定の光学特性が得られる厚み(例えば、80nm~200nm)で形成される。
このときき、成膜条件として、クロムをターゲットとしたDCスパッタリングにより、スパッタリングガスとして、アルゴン、窒素(N2)を含む状態で、スパッタリングがおこなわれる。このとき、メタン等の炭素を含有するガスは極力低減することが好ましい。
なお、図2は、位相シフト層11のエッチングが終了し、エッチングストッパーパターン12aの剥離を行っていない状態を示す。
さらに、酸化窒化炭化クロムを主成分とし、膜構成の異なる2層の膜で構成することもできる。
(エッチングストッパー層12側のエッチング速度)/(ガラス基板S側のエッチング速度)=7.10~21.78となるように設定してもよい。
このようにエッチングレートを設定した状態で、位相シフト層11におけるエッチング処理時間を制御することで、図2にB1bで示すように、位相シフトパターン11aに形成された斜面の傾斜状態である位相シフトパターン11aのダレ幅B1bを制御すること、つまり、位相シフトパターン11aのダレ幅(B1bに対応)が減少してエッジが立ってゆくこと、およびその逆の状態まで設定することが可能となる。
これらの層構成を採用した場合でも、窒素および炭素の含有量を制御することで、遮光層13のサイドエッチング量を制御して、短時間に位相シフトマスクを製造することが可能となる。
上記効果を確認するため、次の実験を行った。即ち、ガラス基板S上に、スパッタリング法により、位相シフト層11たるクロムの酸化窒化炭化膜を120nmの厚さで成膜し、エッチングストッパー層12たるNi-Ti-Nb-Mo膜を30nmの厚さで成膜し、遮光層13たる酸化窒化クロム主成分の層と酸化窒化炭化クロム主成分の層とで構成される膜を100nm程度の合計厚さで成膜して、位相シフトマスクブランクスMBを得た。
この際、遮光層13が窒素を含むように、スパッタガスとして窒素ガス(N2)を含有する条件とした。
硝酸セリウム第2アンモニウム:過塩素酸:純水=13~18:3~5:77~84
とした。
さらに、遮光層13を成膜する際のスパッタガスを変化させて、実験例1~4を製造した。
これらの実験例において、遮光膜13の層構成、および、遮光層13の成膜にかかる条件として、スパッタガス、ガス圧力、印加電圧を表1に記載する。
さらに、これらの実験例において遮光層13のエッチング時間に対するサイドエッチング速度、および、遮光層としての光学濃度を測定した。
PSMエッチング時とは、図1(h)で示すレジストパターンPR1越しに第1エッチング液を用いて位相シフト層11のウェットエッチングを行った際に形成される遮光層13bの横方向(基板面内方向)におけるサイドエッチングである。
また、光学濃度は、O.D.(Optical Density)=2.4以上、膜面反射率10±5%として測定した。
なお、図3において、オーバーエッチングタイムとは、基準のエッチング時間に対して、超過したエッチング時間を示している。
この結果を表2に示す。
また、同様に、実験例2を図6に示す。また、エッチストッパー層除去後のSEM写真を図7に示す。図6では、エッチストッパー層を挟んで、位相シフトパターンエッジから0.679μmサイドエッチにより遮光膜パターンが細っている(後退している)ことがわかる。
M…位相シフトマスク
S…ガラス基板(透明基板)
PR1a…フォトレジスト層
PR1b…露光および現像領域
PR1…レジストパターン
11…位相シフト層
11a…位相シフトパターン
12…エッチングストッパー層
12a,12b…エッチングストッパーパターン
13…遮光層
13a,13b…遮光パターン
Claims (4)
- 透明基板と、
該透明基板の表面に形成された位相シフト層と、
前記位相シフト層に積層されたCrを主成分とする遮光層と、を備え、
前記位相シフト層に形成された位相シフトパターンのエッジよりも前記遮光層に形成された遮光パターンのエッジが平面視して後退した位置に配置される位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記透明基板に、前記位相シフト層と前記遮光層とを形成する工程と、
前記遮光層上に所定の開口パターンを有するマスクを形成する工程と、
この形成したマスク越しに前記遮光層をエッチングして遮光パターンを形成する工程と、
前記マスク越しに前記位相シフト層をウェットエッチングして位相シフトパターンを形成するとともに、前記遮光層をサイドエッチする工程と、
を有し、
NOを含有せずにN2およびCO2を含有して酸化窒化炭化クロムを主成分とした層を成膜し、次に、成膜厚さの増大に従って成膜ガス組成を変化させ、前記遮光層中の炭素を減少させて、ほとんど含有しない状態とするとともに、前記遮光層中における含有する窒素量を増大させて、CO2を含有せずにN2およびNOを含有して窒素成分の比率を高い酸化窒化クロムを主成分とした層を成膜して前記遮光層を複数層として成膜し、
前記遮光層を成膜する際に、成膜ガスとしてメタンを含有しないとともに窒素ガス(N 2 )を含有する成膜雰囲気を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 前記遮光層を成膜する際に、酸化窒化クロムを主成分とした層を成膜する成膜条件を、前半と後半で変化させて膜構成の異なる2層とし、
前記遮光層を前記酸化窒化炭化クロム層と前記膜構成の異なる2層の酸化窒化クロム層との3層の膜で構成することを特徴とする請求項1記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 前記位相シフトマスクが、Ni-Ti-Nb-Mo膜からなるエッチングストッパー層を有することを特徴とする請求項1または2記載の位相シフトマスクの製造方法。
- 前記遮光層をウェットエッチングする際に、硝酸セリウム第2アンモニウムを含むエッチング液を用いることを特徴とする請求項1から3のいずれか記載の位相シフトマスクの製造方法。
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