JP2008070799A - マスクブランク及び転写マスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクであって、
前記薄膜と前記レジスト膜とに接合した付着層を介挿することにより、前記レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することを特徴とする。
【選択図】なし
Description
通常、半導体デバイスを微細加工する際のフォトリソグラフィーは縮小投影露光で行われるため、転写用マスクに形成されるパターンサイズは、半導体基板上に転写されるパターンサイズの4倍程度の大きさとされている。しかし、上記の半導体デザインルール(DRAM hp65nm以下)でのフォトリソグラフィーにおいては、半導体基板上に転写される回路パターンのサイズは、露光光の波長よりもかなり小さくなってきているため、回路パターンをそのまま4倍程度に拡大した転写パターンが形成された転写用マスクを使用して縮小投影露光すると、露光光の干渉などの影響で、転写パターン通りの形状を半導体基板上のレジスト膜に転写することができなくなる。
そこで、超解像マスクとして、光近接効果補正(Optical Proximity Effect Correction:OPC)を行うことで、転写特性を劣化させる光近接効果の補正技術を適用したOPCマスクや、ライン状などの遮光パターンの中心部に位相シフターを設ける構造(マスクエンハンサー)によって、マスクパターンの遮光性を強調してラインパターンの解像度を向上させる位相シフトマスク(エンハンサーマスク)等が用いられている。例えば、OPCマスクには回路パターンの1/2以下サイズのOPCパターン(例えば、100nm未満の線幅のアシストバーやハンマーヘッド等)を形成する必要がある。また、エンハンサーマスクにおける遮光パターンや位相シフターの線幅も非常に細い線幅のパターンが必要となる。
尚、エンハンサーマスクは、遮光パターン周辺から遮光パターンの裏側に回りこむ光の強度と、位相シフターを通過する光の強度とが丁度釣り合うように、パターン幅と位相シフター幅とを調整すると、マスクエンハンサーを通過した光の振幅強度は、マスクエンハンサーの中心と対応する位置で0になるような分布を持ち、マスクエンハンサーを透過した光の強度(振幅強度の2乗)も、マスクエンハンサーの中心と対応する位置で0になるような分布を持つマスクである。
そこで本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、半導体デザインルール(DRAM hp65nm以下)の転写用マスクを作製する際、レジストパターンの消失を防止し、パターン欠陥を防止できるマスクブランク、及び転写マスクを提供することを目的とする。
(構成1)基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクであって、
前記薄膜と前記レジスト膜とに接合した付着層を介挿することにより、前記レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することを特徴とするマスクブランク。
(構成2)前記付着層は、現像の際に使用する現像液に対して耐性を有する樹脂膜であることを特徴とする構成1記載のマスクブランク。
(構成3)前記レジスト膜を形成する側の前記付着層表面が清浄化処理されていることを特徴とする構成1又は2記載のマスクブランク。
(構成4)前記付着層は、前記薄膜のパターニング処理により除去されるように構成したことを特徴とする構成1乃至3の何れか一に記載のマスクブランク。
(構成5)前記薄膜は金属膜であることを特徴とする構成1乃至4の何れか一に記載のマスクブランク。
(構成6)前記薄膜は珪素を含む珪素含有膜であることを特徴とする構成1乃至5の何れか一に記載のマスクブランク。
(構成7)構成1乃至6の何れか一に記載のマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングし、前記基板上に転写パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
(構成8)薄膜が形成された基板上にレジスト膜を有するマスクブランクであって、
前記レジスト膜から形成されるレジストパターンの倒壊を防止するための中間層が、前記薄膜と前記レジスト膜との間に介在していることを特徴とするマスクブランク。
(構成9)前記レジスト膜に形成されるレジストパターンには、100nm未満の線幅のパターンが含まれることを特徴とする構成8に記載のマスクブランク。
(構成10)前記レジスト膜に形成されるレジストパターンには、アスペクト比が3以上のパターンが含まれることを特徴とする構成8又は構成9に記載のマスクブランク
(構成11)構成8乃至構成10の何れか1項に記載のマスクブランクであって、
前記中間層は、前記レジスト膜にレジストパターンを形成するための現像液に不溶性であることを特徴とするマスクブランク。
(構成12)構成8乃至構成11の何れか1項に記載のマスクブランクであって、
前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜をパターニング処理する際に、前記中間層がパターニングされるよう構成したことを特徴とするマスクブランク。
(構成13)構成8乃至構成l2の何れか1項に記載のマスクブランクであって、
前記基板上からレジストパターンを剥離処理する際に、前記中間層が剥離されるよう構成したことを特徴とするマスクブランク。
(構成14)構成8乃至構成13の何れか1項に記載のマスクブランクであって、
前記薄膜は、クロムを含有する膜又は珪素を含有する膜であることを特微とするマスクブランク。
(構成15)マスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の少なくともマスクパターンが形成される領域を被覆する中間層と、この中間層の上に形成されたレジストパターンを有するマスクブランクを準備し、
前記レジストパターンをマスクとし、前記中間層と前記薄膜を順次パターニングすることを特徴とする転写マスクの製造方法。
(構成16)構成15に記載の転写マスクの製造方法であって、
前記中間層と前記薄膜をパターニング処理した後、前記レジストパターンと前記中間層を順次剥離することを特徴とする転写マスクの製造方法。
本発明のマスクブランクは、基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクであって、
前記薄膜と前記レジスト膜とに接合した付着層を介挿することにより、前記レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することを特徴とする(構成1)。
構成1に係る発明では、マスクパターンを形成するための薄膜とレジスト膜とに接合した付着層を介挿するので、半導体デザインルール(DRAM hp65nm以下)の転写用マスクを作製する場合においても、レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することができる。従って、レジストパターン倒れによるパターン欠陥を防止するマスクブランクを提供することができる。
構成3に係る発明では、レジスト膜を形成する側の付着層表面が清浄化処理されていることにより、更にレジスト膜との密着性が向上すると共に、レジスト膜の機能を阻害する物質が、レジスト膜の底部からレジスト膜内へ移動することを防止することができる。特に、レジストが化学増幅型レジストの場合、レジスト膜の底部からの化学増幅機能を阻害する物質のレジスト膜への移動を阻止することができるので、パターン精度を向上することができる。
本発明において、マスクブランクには、フォトマスクブランク、位相シフトマスクブランク、反射型マスクブランク、インプリント用転写プレート基板も含まれる。また、マスクブランクには、レジスト膜付きマスクブランク、レジスト膜形成前のマスクブランクが含まれる。レジスト膜形成前のマスクブランクには、マスクパターンを形成するための薄膜上に本発明に係る付着層が形成されたマスクブランクも含まれる。位相シフトマスクブランクには、ハーフトーン膜上にクロム系材料等の遮光性膜が形成される場合を含む。尚、この場合、マスクパターンを形成するための薄膜は、ハーフトーン膜や遮光性膜を指す。また、反射型マスクブランクの場合は、多層反射膜上、又は多層反射膜上に設けられたバッファ層上に、転写パターンとなるタンタル系材料やクロム系材料の吸収体膜が形成される構成、インプリント用転写プレートの場合には、転写プレートとなる基材上にクロム系材料等の転写パターン形成用薄膜が形成される構成を含む。マスクには、フォトマスク、位相シフトマスク、反射型マスク、インプリント用転写プレートが含まれる。マスクにはレチクルが含まれる。
本発明において、マスクパターンを形成するための薄膜としては、露光光等を遮断する遮光膜、露光光等の透過量を調整・制御する半透光性膜、露光光等の反射率を調整・制御する反射率制御膜(反射防止膜を含む)、露光光等に対する位相を変化させる位相シフト膜、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜等が含まれる。
また、本発明のマスクブランクは、前記付着層が、前記薄膜のパターニング処理において除去されるように構成することにより(構成4)、マスクブランク上に形成された化学増幅型レジスト膜のパターンを前記薄膜に忠実に転写することができる。即ち、前記付着層により得られたマスクブランク上の化学増幅型レジスト膜の解像性を、そのまま維持するように薄膜に転写することができ、薄膜をパターニングして得られる転写用パターンの解像性も良好となり、パターン精度も良好である。
本願発明は、50keV対応EBリソグラフィーを適用した場合において、マスクブランク上に形成される化学増幅型レジストパターンの解像性の更なる向上を意図しているためである。
尚、本発明における化学増幅型レジスト膜には、例えば、露光によりレジスト膜中に生成される触媒物質の酸が、引き続き行われる熱処理工程においてポリマーの溶解性を制御する官能基或いは官能物質と反応することによりレジスト機能を発現するレジスト膜が含まれる。ここで、レジスト機能の発現は、例えば、官能基等を外すことによってアルカリに溶解するようになることをいう。
上記本発明の転写用マスクは、半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ65nm以下で対応する転写用マスクで要求されるパターン精度を満足しうる。
前記レジスト膜から形成されるレジストパターンの倒壊を防止するための中間層が、前記薄膜と前記レジスト膜との間に介在していることを特徴とする(構成8)。
構成8に係る発明では、レジスト膜から形成されるレジストパターンの倒壊を防止するための中間層が、前記薄膜と前記レジスト膜との間に介在しているので、レジスト膜からレジストパターンを形成する工程中又はレジストパターン形成後において、レジストパターンの倒壊を防止できる。
構成8に係る発明では、薄膜が形成された基板(通常、相対的に硬い地盤に相当する)上に、レジストパターンの倒壊を防止するための中間層(前記地盤及びレジストパターンに対しベタ基礎に相当する、及び/又は、通常相対的に軟らかく、レジストパターン(柱状構造物)に対して制振性や免震性を付与する層に相当する)を形成しているので、レジスト膜からレジストパターンを形成する工程中又は形成後において、レジストパターンの倒壊を防止できる。
構成11に係る発明では、レジストパターンの倒壊を防止するための中間層(前記地盤及びレジストパターンに対しベタ基礎に相当する、及び/又は、通常相対的に軟らかく、レジストパターン(柱状構造物)に対して制振性や免震性を付与する層に相当する)が、現像液で浸食されるのを防くことができ、この結果レジストパターンの倒壊がより一層起こりにくくすることができる。
構成12に係る発明では、例えば、前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜をパターニング処理する際に使用するエッチャントによって、前記中間層がパターニングされるよう構成することによって、工程が簡略化できると共に、レジストパターンをマスクとして形成される転写パターンの解像性の向上に有利である。
構成13に係る発明では、例えば、前記基板上からレジストパターンを剥離処理する際に使用する剥離液又は剥離手段によって、前記中間層が剥離されるよう構成することによって、工程が簡略化できる。
前記レジストパターンをマスクとし、前記中間層と前記薄膜を順次パターニングすることを特徴とする。
構成15に係る発明では、マスクパターンを形成するための薄膜のうち少なくともマスクパターンが形成される領域を被覆する中間層を設けることによって、例えば、溶媒を使用してパターニングする際も、効果的にレジストパターンの倒壊を防止できる。
前記中間層と前記薄膜をパターニング処理した後、前記レジストパターンと前記中間層を順次剥離することを特徴とする。
転写マスクにおける不必要層を除去するためである。
尚、順次剥離とは、同一の剥離液又は剥離手段によって同時に剥離する場合を含む。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るマスクブランク10の一例を示す。本例において、マスクブランク10は、バイナリマスク用のマスクブランクであり、透明基板12、遮光性膜13(遮光層14と、反射防止層16との積層膜)、付着層(中間層)18、及び化学増幅型レジスト膜20を備える。
透明基板12は、例えば、合成石英基板、ソーダライムガラス等の材料からなる。遮光性膜13は、遮光層14と反射防止層16との積層膜である。
遮光層14は、透明基板12上に、例えば、窒化クロム膜22及び炭化窒化クロム膜24をこの順で有する。窒化クロム膜22は、窒化クロム(CrN)を主成分とする層であり、例えば10〜20nmの膜厚を有する。炭化窒化クロム膜24は、炭化窒化クロム(CrCN)を主成分とする層であり、例えば25〜60nmの膜厚を有する。
反射防止層16は、例えば、クロムに酸素及び窒素が含有されている膜(CrON膜)であり、炭化窒化クロム膜24上に形成される。反射防止層16の膜厚は、例えば、15〜30nmである。
これら遮光層14、反射防止層16は、クロムをスパッタリングターゲットとし、反応性ガス(例えば、酸素ガス、窒素ガス、一酸化窒素ガス、炭酸ガス、炭化水素系ガス、又はこれらの混合ガス)雰囲気中での反応性スパッタリング法により成膜することができる。
また、遮光性膜13の材料としては、クロム単体や、クロムに酸素、窒素、炭素、水素からなる元素を少なくとも1種を含むもの(Crを含む材料)、などが挙げられる。遮光性膜13の膜構造としては、上記膜材料からなる単層、複数層構造とすることができる。また、異なる組成においては、段階的に形成した複数層構造や、連続的に組成が変化した膜構造とすることができる。
上記遮光性膜13としては、ドライエッチング速度を高めた薄膜とすることが、転写用パターンの微細化、パターン精度向上の点で好ましい。具体的には、遮光性膜13の膜厚方向の全体又は略全体にドライエッチング速度を高める添加元素を添加する。ドライエッチング速度を高める添加元素としては、酸素及び/又は窒素が上げられる。
遮光性膜がクロムを含む薄膜の場合、以下の材料を選定することができる。
クロムを含む薄膜に酸素を含む場合の酸素の含有量は、5〜80原子%の範囲が好適である。酸素の含有量が5原子%未満であると、ドライエッチング速度を高める効果が得られにくい。一方、酸素の含有量が80原子%を超えると、半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ65nm以下で適用される露光光の波長(200nm以下)の例えば、ArFエキシマレーザー(波長193nm)においての吸収係数が小さくなるため、所望の光学濃度を得るために膜厚を厚くする必要が生じてしまい、パターン精度の向上が図れなくなるので好ましくない。
また、クロムを含む薄膜に窒素を含む場合の窒素の含有量は、20〜80原子%の範囲が好適である。窒素の含有量が20原子%未満であると、ドライエッチング速度を高める効果が得られにくい。一方、窒素の含有量が80原子%を超えると、半導体デザインルールにおけるDRAMハーフピッチ65nm以下で適用される露光光の波長(200nm以下)の例えば、ArFエキシマレーザー(波長193nm)においての吸収係数が小さくなるため、所望の光学濃度を得るために膜厚を厚くする必要が生じてしまい、パターン精度の向上が図れなくなるので好ましくない。
また、クロムを含む薄膜中に酸素と窒素の両方を含んでもよい。その場合の含有量は、酸素と窒素の合計が10〜80原子%の範囲とするのが好適である。また、クロムを含む薄膜中に酸素と窒素の両方を含む場合の酸素と窒素の含有比は、特に制約はされず、吸収係数等の兼ね合いで適宜決定される。
尚、酸素及び/又は窒素を含むクロム薄膜は、他に炭素、水素、ヘリウムなどの元素を含んでもよい。
尚、ドライエッチングガス中の酸素の量を低減するという観点からは、酸素を含まないドライエッチングガスを用いることも可能である。
クロム系薄膜は、ドライエッチングによってエッチング(パターニング)することが、クロム系薄膜のパターン精度の向上の観点から好ましい。
クロム系薄膜のドライエッチングには、塩素系ガス、又は、塩素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスからなるドライエッチングガスを用いることが好ましい。この理由は、クロムと酸素、窒素等の元素とを含む材料からなるクロム系薄膜に対しては、上記のドライエッチングガスを用いてドライエッチングを行うことにより、ドライエッチング速度を高めることができ、ドライエッチング時間の短縮化を図ることができ、断面形状の良好な遮光膜パターンを形成することができるからである。ドライエッチングガスに用いる塩素系ガスとしては、例えば、Cl2、SiCl4、HCl、CCl4、CHCl3等が挙げられる。
付着層18は、パターン状のレジスト膜を形成する過程において、密着性が不十分であるがゆえに現像処理中又は現像処理後のリンスにおいてレジストパターンが消失し、パターン欠陥が発生するのを防止するための層であり、遮光性膜13上に形成される。
具体的には、所定の分子量を有する有機材料からなる樹脂膜(例えば、アクリル系樹脂など)とすることができる。
また、付着層18の膜厚は、1nm以上が好ましい。好ましくは、膜厚が2nm以上25nm以下、更に好ましくは、膜厚が2nm以上20nm以下、更に好ましくは、5nm以上15nm以下とすることが望ましい。これにより、マスクブランク上に形成されるレジストおよびレジストパターンをマスクとして形成される転写パターンの解像性の更なる向上を確実に実現できる。具体的には、半導体デザインルールでDRAMハーフピッチが65nm以下の微細パターン形成用マスクに要求されるパターン精度を満足することができるマスクブランクを確実に実現できる。
(実施例1)
透明基板12としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、透明基板12上に、遮光層14として、窒化クロム膜22及び炭化窒化クロム膜24をそれぞれスパッタリング法で形成した。続いて、反射防止層16として、酸化窒化クロム膜を形成した。遮光性膜13は、膜厚方向の略全域に窒素を含むものであった。遮光性膜13の膜厚は68nmとした。
更に、付着層(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製:FKB−15B)を回転塗布法で30nm塗布して、付着層18を形成した。その後、ホットプレートで200℃で10分熱処理して、付着層18を乾燥させた。さらに、レジストを塗布する前に、200℃の熱処理して付着層18の表面に付着された有機物等の汚染物質を除去し清浄化した。次に、化学増幅型レジスト膜20として、電子線露光用化学増幅型ポジレジスト(FEP171:富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製)を回転塗布法で厚さ300nm塗布し、その後、ホットプレートで130℃で10分熱処理して、化学増幅型レジスト膜20を乾燥させ、ArFエキシマレーザー露光用のレジスト膜付きフォトマスクブランクであるマスクブランク10を得た。
(比較例1)
付着層18を形成しなかった以外は実施例1と同様にして、比較例1に係るマスクブランクを得た。
形成されたレジストパターンを確認したところ、実施例1においては、付着層18によって化学増幅型レジスト膜20と遮光性膜13との密着性が良好であり、そのため、80nmのラインアンドスペースパターンがしっかりと形成されていることが確認された。
一方、比較例1においては、化学増幅型レジスト膜20と遮光性膜13との密着性が不十分であり、現像処理後のリンス処理中にレジストパターンの消失が生じた。
続いて、レジストパターンをマスクとし、塩素ガスと酸素ガスとを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより、付着層18及び遮光性膜13をパターニングし、最後に化学増幅型レジスト膜20及び付着層18を除去してArFエキシマレーザー露光用のマスクを作製した。
実施例1においては、遮光性膜からなる80nmのラインアンドスペースパターンの遮光膜パターンが形成され、また遮光性膜パターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていないことが確認された。また、パターン精度も、半導体デザインルールDRAMハーフピッチ65nmにおけるリニアリティー10nm以下を満足するものであった。
一方、比較例1においては、現像処理後のリンス処理中にレジストパターンが消失したことによるパターン欠陥が確認されるとともに、形成された遮光性膜パターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていることが確認できた。また、80nmのラインアンドスペースパターンは形成されておらず、200nmのラインアンドスペースパターンが解像しているにとどまった。
尚、以下に説明する点を除き、図2において、図1と同一又は同様の構成については、図1と同じ符号を付して説明を省略する。本例において、マスクブランク10は、透明基板12、遮光性膜13(遮光層14と、反射防止層16との積層膜)、珪素含有膜32(珪素を含む膜)、樹脂(有機)材料からなる付着層(中間層)34、及び化学増幅型レジスト膜20を備える。
珪素含有膜32は、遮光性膜13をパターニングする際に使用するハードマスク用の珪素を含む膜であり、遮光性膜13上に形成される。珪素含有膜32の膜厚は、例えば30nm(例えば25〜35nm)である。珪素含有膜32は、例えば、MoSiO、MoSiN、又はMoSiON等の、MoSiを含む膜であってよい。珪素含有膜32は、TaSiO、TaSiN、TaSiON、TaBO、TaBN、TaBON、WSiO、WSiN、WSiON、SiO、SiN、又はSiON等の膜であってもよい。尚、ハードマスクとして用いられる珪素含有膜32は、転写パターンを形成するための薄膜の一例である。
付着層34は、パターン状のレジスト膜を形成する過程において、密着性が不十分であるがゆえに現像処理中又は現像処理後のリンスにおいてレジストパターンが消失し、パターン欠陥が発生するのを防止するための層であり、珪素含有膜32と化学増幅型レジスト膜20との密着性を改善するための層(有機材料からなる樹脂膜)であり、珪素含有膜32上に形成される。珪素含有膜32に対する樹脂(有機)材料からなる付着層34の密着性は、珪素含有膜32上に化学増幅型レジスト膜20を形成した場合の珪素含有膜32に対する化学増幅型レジスト膜20の密着性よりも高い。
また、本例において、付着層34の膜厚は、例えば、1nm以上が好ましい。好ましくは、膜厚が2nm以上25nm以下、更に好ましくは、膜厚が2nm以上20nm以下、更に好ましくは、5nm以上15nm以下とすることが望ましい。尚、通常マスクブランクとしては、付着層34上には、化学増幅型レジスト膜20が形成される。
図2(b)は、電子線リソグラフィー法により化学増幅型レジスト膜20がパターニングされた状態を示す。このようにパターニングされた化学増幅型レジスト膜20をマスクとして、付着層34及び珪素含有膜32がエッチングされる。また、珪素含有膜32をマスク(ハードマスク)として、遮光性膜13がエッチングされる。これにより、遮光性膜13をパターニングしたフォトマスクが製造できる。
(実施例2)
実施例1と同様の透明基板12を用い、実施例1と同様に遮光性膜13を形成した。更に、珪素含有膜32として、MoSiON膜を形成した。珪素含有膜32の膜厚は30nmとした。
次に、実施例1と同じ材料の有機材料からなる樹脂膜(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製:FKB-15B)を回転塗布法で30nm塗布して、付着層34を形成した。その後、ホットプレートで200℃で10分熱処理して、付着層34を乾燥させた。次に、実施例1と同様に化学増幅型レジスト膜20を形成し、レジスト膜付きフォトマスクブランクスであるマスクブランク10を得た。
(比較例2)
付着層34を形成しなかった以外は実施例2と同様にして、比較例2に係るマスクブランクを得た。
形成されたレジストパターンを確認したところ、実施例2においては、付着層34によって化学増幅型レジスト膜20と珪素含有膜32との密着性が良好であり、そのため、80nmのライン&スペースパターンがしっかりと形成されていることが確認された。
一方、比較例2においては、化学増幅型レジスト膜と珪素含有膜との密着性が不十分であり、現像処理後のリンス処理中にレジストパターンの消失が生じた。
続いて、レジストパターンをマスクとし、弗素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより、付着層34及び珪素含有膜32をパターニングした。さらに、パターニングされた珪素含有膜32をマスクとして、塩素ガスと酸素ガスとを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより、遮光性膜13をパターニングした。最後に化学増幅型レジスト膜20、付着層34及び珪素含有膜32を除去してArFエキシマレーザー露光用のマスクを作製した。
実施例2においては、遮光性膜からなる80nmのラインアンドスペースパターンの遮光膜パターンが形成され、また遮光性膜パターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていないことが確認された。また、パターン精度も、半導体デザインルールDRAMハーフピッチ65nmにおけるリニアリティー10nm以下を満足するものであった。
一方、比較例2においては、現像処理後のリンス処理中にレジストパターンが消失したことによるパターン欠陥が確認されるとともに、形成された遮光性膜パターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていることが確認できた。また、80nmのラインアンドスペースパターンは形成されておらず、200nmのラインアンドスペースパターンが解像しているにとどまった。
Claims (16)
- 基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクであって、
前記薄膜と前記レジスト膜とに接合した付着層を介挿することにより、前記レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することを特徴とするマスクブランク。 - 前記付着層は、現像の際に使用する現像液に対して耐性を有する樹脂膜であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記レジスト膜を形成する側の前記付着層表面が清浄化処理されていることを特徴とする請求項1又は2記載のマスクブランク。
- 前記付着層は、前記薄膜のパターニング処理により除去されるように構成したことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜は金属膜であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜は珪素を含む珪素含有膜であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一に記載のマスクブランク。
- 請求項1乃至6の何れか一に記載のマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングし、前記基板上に転写パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
- 薄膜が形成された基板上にレジスト膜を有するマスクブランクであって、
前記レジスト膜から形成されるレジストパターンの倒壊を防止するための中間層が、前記薄膜と前記レジスト膜との間に介在していることを特徴とするマスクブランク。 - 前記レジスト膜に形成されるレジストパターンには、100nm未満の線幅のパターンが含まれることを特徴とする請求項8に記載のマスクブランク。
- 前記レジスト膜に形成されるレジストパターンには、アスペクト比が3以上のパターンが含まれることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のマスクブランク
- 請求項8乃至請求項10の何れか1項に記載のマスクブランクであって、
前記中間層は、前記レジスト膜にレジストパターンを形成するための現像液に不溶性であることを特徴とするマスクブランク。 - 請求項8乃至請求項11の何れか1項に記載のマスクブランクであって、
前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜をパターニング処理する際に、前記中間層がパターニングされるよう構成したことを特徴とするマスクブランク。 - 請求項8乃至請求項l2の何れか1項に記載のマスクブランクであって、
前記基板上からレジストパターンを剥離処理する際に、前記中間層が剥離されるよう構成したことを特徴とするマスクブランク。 - 請求項8乃至請求項13の何れか1項に記載のマスクブランクであって、
前記薄膜は、クロムを含有する膜又は珪素を含有する膜であることを特微とするマスクブランク。 - マスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の少なくともマスクパターンが形成される領域を被覆する中間層と、この中間層の上に形成されたレジストパターンを有するマスクブランクを準備し、
前記レジストパターンをマスクとし、前記中間層と前記薄膜を順次パターニングすることを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 請求項15に記載の転写マスクの製造方法であって、
前記中間層と前記薄膜をパターニング処理した後、前記レジストパターンと前記中間層を順次剥離することを特徴とする転写マスクの製造方法。
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