JPS6355549A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS6355549A JPS6355549A JP61198186A JP19818686A JPS6355549A JP S6355549 A JPS6355549 A JP S6355549A JP 61198186 A JP61198186 A JP 61198186A JP 19818686 A JP19818686 A JP 19818686A JP S6355549 A JPS6355549 A JP S6355549A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
芳香族ビニル化合物重合体を素材とするネガレジストを
基板に塗布し、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線等で照射し
、次に上層にシリコン含有ポリマーのレジストを塗布し
、光で露光し、そして現像するパターン形成方法。
基板に塗布し、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線等で照射し
、次に上層にシリコン含有ポリマーのレジストを塗布し
、光で露光し、そして現像するパターン形成方法。
本発明は、パターン形成方法に関するものであり、さら
に詳しく述べるならば、近年益々微細化しつつあるレジ
ストのパターンを多層プロセスで形成する方法に関する
ものである。
に詳しく述べるならば、近年益々微細化しつつあるレジ
ストのパターンを多層プロセスで形成する方法に関する
ものである。
レジストのパターン形成方法として、従来レジストを単
層で用い、これを現像して得たパターンをエツチング等
のマスクとする方法が一般的であった。しかしながら、
半導体集積回路のデザインルールの微細化、被エツチン
グ材料の難エツチング化が進んだために、単層レジスト
によるパターン形成は限界に来ている。
層で用い、これを現像して得たパターンをエツチング等
のマスクとする方法が一般的であった。しかしながら、
半導体集積回路のデザインルールの微細化、被エツチン
グ材料の難エツチング化が進んだために、単層レジスト
によるパターン形成は限界に来ている。
その対策として、パイレベル、トリレベル等の多層レジ
ストプロセスによるパターン形成が進められ、実用化さ
れつつある。この多層レジストプロセスによるパターン
形成の基本的考え方は、下層レジスト膜を十分にエツチ
ングに耐えうる膜厚とし、上層レジスト膜あるいは中間
膜をエッチングできる膜厚とすることによって、レジス
トに必要とされる機能を、下層レジスト膜とそれ以外の
層とに機能分離し、以て高解像度およびすぐれた耐エツ
チング性を有するレジストパターンを形成するところに
ある。
ストプロセスによるパターン形成が進められ、実用化さ
れつつある。この多層レジストプロセスによるパターン
形成の基本的考え方は、下層レジスト膜を十分にエツチ
ングに耐えうる膜厚とし、上層レジスト膜あるいは中間
膜をエッチングできる膜厚とすることによって、レジス
トに必要とされる機能を、下層レジスト膜とそれ以外の
層とに機能分離し、以て高解像度およびすぐれた耐エツ
チング性を有するレジストパターンを形成するところに
ある。
パイレベルの主流は、Ｏ！のＲＩＨに対する耐性に優れ
ているシリコン含をポリマーのレジストを上層レジスト
膜として使用し、露光、パターン形成方法、０□−ＲＩ
Ｅで下層レジスト膜を工・ノチングしてパターンを形成
する方法である（日経マイクロデバイス、１９８５．８
月号、６６−６８項）。
ているシリコン含をポリマーのレジストを上層レジスト
膜として使用し、露光、パターン形成方法、０□−ＲＩ
Ｅで下層レジスト膜を工・ノチングしてパターンを形成
する方法である（日経マイクロデバイス、１９８５．８
月号、６６−６８項）。
シリコン含有ポリマーのレジストを上層膜として使用し
たパイレベル（以下、Ｓｉ系ポリマーバイレベルと言う
）はトリレベルに比べてプロセスの簡略化を図ることが
できる。Ｓｉ系ポリマーバイレベルでは、通常下層レジ
スト膜として０ＦＰＲ−８００（東京応化）のようなノ
ボラック系有機ポジレジストを使用することが検討され
ている。これらのノボラック系有機ポジレジストは、塗
布後、２００〜３００℃程度の温度でのベーキング処理
を受けて、上層レジスト膜の塗布時もしくは現像時の溶
媒に対して不溶化されている。
たパイレベル（以下、Ｓｉ系ポリマーバイレベルと言う
）はトリレベルに比べてプロセスの簡略化を図ることが
できる。Ｓｉ系ポリマーバイレベルでは、通常下層レジ
スト膜として０ＦＰＲ−８００（東京応化）のようなノ
ボラック系有機ポジレジストを使用することが検討され
ている。これらのノボラック系有機ポジレジストは、塗
布後、２００〜３００℃程度の温度でのベーキング処理
を受けて、上層レジスト膜の塗布時もしくは現像時の溶
媒に対して不溶化されている。
ところが、ベーキング処理が２００〜３００℃程度の高
温で行なわれると、基板（アルミニウム配線、保護膜等
を有する半導体基板、マスクパターン等）がダメージ（
配線、保護膜の熱変形、軟化等）を受ける。
温で行なわれると、基板（アルミニウム配線、保護膜等
を有する半導体基板、マスクパターン等）がダメージ（
配線、保護膜の熱変形、軟化等）を受ける。
また、０ＦＰＲ−８００等の有機膜は塩素系ドライエツ
チング割に対する耐エツチング性があまり良くないため
、２．０μｍの膜厚は不充分であり、４μｍ程度の膜厚
を必要とする。このような高アスペクト比のレジスト膜
はパターン倒壊や微細パターン部分のエツチング不均一
性をもたらす。
チング割に対する耐エツチング性があまり良くないため
、２．０μｍの膜厚は不充分であり、４μｍ程度の膜厚
を必要とする。このような高アスペクト比のレジスト膜
はパターン倒壊や微細パターン部分のエツチング不均一
性をもたらす。
本発明者は、芳香族ビニル化合物重合体は耐エツチング
性に優れていることに着目し、Ｓｉ系ポリマーバイレベ
ルの下層レジスト膜として使用できる可能性を見出した
が、解決すべき新たな問題点として、芳香族ビニ、ル化
合物重合体は通常ネガレジストとして使用されている物
質であるため、これを下層レジスト膜として使用すると
、上層レジスト膜もしくは中間膜塗布時に下層レジスト
膜が溶解する溶解性に問題があることに想到した。
性に優れていることに着目し、Ｓｉ系ポリマーバイレベ
ルの下層レジスト膜として使用できる可能性を見出した
が、解決すべき新たな問題点として、芳香族ビニ、ル化
合物重合体は通常ネガレジストとして使用されている物
質であるため、これを下層レジスト膜として使用すると
、上層レジスト膜もしくは中間膜塗布時に下層レジスト
膜が溶解する溶解性に問題があることに想到した。
これを解決する手段として、遠紫外線、荷電粒子線（電
子線、イオン線等）、Ｘ線等、を芳香族ビニル化合物重
合体に照射すると、芳香族ビニル化合物重合体が上層レ
ジスト膜もしくは中間膜（レジスト）の溶媒または現像
液に対して不溶化することを見出し、そして、芳香族ビ
ニル化合物重合体を素材とするネガレジストを基板に塗
布し、不溶化処理後、−ｉまたは二層の上層膜の露光を
光で行なうことを特徴とするパターン形成方法の発明を
完成した。
子線、イオン線等）、Ｘ線等、を芳香族ビニル化合物重
合体に照射すると、芳香族ビニル化合物重合体が上層レ
ジスト膜もしくは中間膜（レジスト）の溶媒または現像
液に対して不溶化することを見出し、そして、芳香族ビ
ニル化合物重合体を素材とするネガレジストを基板に塗
布し、不溶化処理後、−ｉまたは二層の上層膜の露光を
光で行なうことを特徴とするパターン形成方法の発明を
完成した。
本発明において、芳香族ビニル化合物重合体としては、
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、バラ
テルフェニル、ジフェニルメタン、スチレン、プロピル
ベンゼン、安息香酸などと、ビニルとの重合体であって
、ネガレジストとして使用可能なものを、使用すること
ができる。スチレンの化合物としては、ポリスチレン、
ビニル基の一部をハロゲン、特に塩素、で置換したクロ
ルメチル化ポリスチレン、などを使用することができる
。
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、バラ
テルフェニル、ジフェニルメタン、スチレン、プロピル
ベンゼン、安息香酸などと、ビニルとの重合体であって
、ネガレジストとして使用可能なものを、使用すること
ができる。スチレンの化合物としては、ポリスチレン、
ビニル基の一部をハロゲン、特に塩素、で置換したクロ
ルメチル化ポリスチレン、などを使用することができる
。
不溶化処理前に芳香族ビニル化合物重合体はベータされ
る。この温度は１５０℃を越えることはなく、１００℃
以下でも所望のベータは十分に可能である。
る。この温度は１５０℃を越えることはなく、１００℃
以下でも所望のベータは十分に可能である。
本発明による多層レジストプロセスは、Ｓｉ系ポリマー
バイレベルおよび、シリコン含有ポリマーレジストを上
層レジスト膜とする三層レジスト法に適用されるもので
ある。このプロセスでは、シリコン含有ポリマーのすぐ
れた耐酸素エツチング性により膜厚が薄くでき、また芳
香族ビニル化合物重合体の優れた耐ドライエツチ性によ
り下層レジスト膜の膜厚が薄くできる。このため、レジ
スト全体の膜厚が薄くなり、薄い膜厚でアスペクト比が
小さいファインパターンが形成される。また芳香族ビニ
ル化合物重合体の優れた耐ドライエツチ性により、難エ
ツチング材料のファインパターンも容易に作られるよう
になる。
バイレベルおよび、シリコン含有ポリマーレジストを上
層レジスト膜とする三層レジスト法に適用されるもので
ある。このプロセスでは、シリコン含有ポリマーのすぐ
れた耐酸素エツチング性により膜厚が薄くでき、また芳
香族ビニル化合物重合体の優れた耐ドライエツチ性によ
り下層レジスト膜の膜厚が薄くできる。このため、レジ
スト全体の膜厚が薄くなり、薄い膜厚でアスペクト比が
小さいファインパターンが形成される。また芳香族ビニ
ル化合物重合体の優れた耐ドライエツチ性により、難エ
ツチング材料のファインパターンも容易に作られるよう
になる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施■上
ポリスチレン（Ｐｓｔ）を基板に２．０μｍの厚さに塗
布し、１００℃で２０分間でベータした後、遠紫外光（
Ｘｅ−Ｈｇランプ、５００Ｗ）で２分間露光した。
布し、１００℃で２０分間でベータした後、遠紫外光（
Ｘｅ−Ｈｇランプ、５００Ｗ）で２分間露光した。
メタクリレート化ポリフェニルシルセスキオキサン（Ｍ
ＳＮＲ）ネガ型フォトレジストを０．３μｍの厚さに塗
布し、８０℃で２０分間でベータした後、紫外光（露光
強度−１０ｍＷ／ｃｆｉｌ）で１０秒間照射し、次にメ
チルイソブチルケトン（ＭｉＢＫ）で１分間ディ、ブ、
リンスした。最後に、プラズマエツチング装置（ｒｆパ
ワー３００Ｗ、 Ｏｔ −１０１００５ｅ、 圧力−
０，０２ｔｏｒｒ）で５分間エツチングを行ない、０．
６μｍライン、０．６μｍスペースのパターンを形成し
た。
ＳＮＲ）ネガ型フォトレジストを０．３μｍの厚さに塗
布し、８０℃で２０分間でベータした後、紫外光（露光
強度−１０ｍＷ／ｃｆｉｌ）で１０秒間照射し、次にメ
チルイソブチルケトン（ＭｉＢＫ）で１分間ディ、ブ、
リンスした。最後に、プラズマエツチング装置（ｒｆパ
ワー３００Ｗ、 Ｏｔ −１０１００５ｅ、 圧力−
０，０２ｔｏｒｒ）で５分間エツチングを行ない、０．
６μｍライン、０．６μｍスペースのパターンを形成し
た。
このパターンを利用してＡｌ−２％Ｃｕ合金膜（厚さ一
１μｍ）をプラズマ装置（ｒｆパワー４００Ｗ 、 ５
ｉＣ１ａ １００ＳＣＣ＠ｌ 、 Ｃ１，−３０
ｓｅｃｍ、圧力＝０．０２ｔｏｒｒ）で４分間エツチン
グした。この条件でエツチングは可能であり、レジスト
の灰化量は、Ｐｓｔが１．２μｍであった。 −実
施拠叢 ポリスチレン（Ｐｓｔ）を基板に２．０μｍの厚さに塗
布し、１００℃で２０分間でベークした後、遠紫外光（
Ｘｅ −Ｈｇランプ、５００Ｗ）で２分間露光した。
１μｍ）をプラズマ装置（ｒｆパワー４００Ｗ 、 ５
ｉＣ１ａ １００ＳＣＣ＠ｌ 、 Ｃ１，−３０
ｓｅｃｍ、圧力＝０．０２ｔｏｒｒ）で４分間エツチン
グした。この条件でエツチングは可能であり、レジスト
の灰化量は、Ｐｓｔが１．２μｍであった。 −実
施拠叢 ポリスチレン（Ｐｓｔ）を基板に２．０μｍの厚さに塗
布し、１００℃で２０分間でベークした後、遠紫外光（
Ｘｅ −Ｈｇランプ、５００Ｗ）で２分間露光した。
続いて、ポリトリメチルシリルプロピン（ＰＳＰ）ポジ
型フォトレジストを０．３μｍの厚さに塗布し、８０℃
で２０分間でベータした後、紫外光（露光強度−１０ｍ
Ｗ／ａｄ）で１０秒間照射し、次にメチルイソブチルケ
トン（ＭｉＢＫ）で２分間ディップ、リンスした。最後
に、プラズマエツチング装置（ｒｆパワー３００Ｗ 、
Ｏｚ １０１００５ｅ 、圧力−０，０２ｔｏｒ
ｒ）で５分間エツチングを行なった。
型フォトレジストを０．３μｍの厚さに塗布し、８０℃
で２０分間でベータした後、紫外光（露光強度−１０ｍ
Ｗ／ａｄ）で１０秒間照射し、次にメチルイソブチルケ
トン（ＭｉＢＫ）で２分間ディップ、リンスした。最後
に、プラズマエツチング装置（ｒｆパワー３００Ｗ 、
Ｏｚ １０１００５ｅ 、圧力−０，０２ｔｏｒ
ｒ）で５分間エツチングを行なった。
実斯直津１
実施例１のＭＳＮＲベークまでを実施例１と同様の条件
で行なった後、遠紫外光（Ｘｅ−Ｈｇランプ、５００
Ｗ）による露光を行ない、さらに、実施例１のＭｉＢＫ
現像とプラズマエツチングを実施例１と同様の条件で行
なった。
で行なった後、遠紫外光（Ｘｅ−Ｈｇランプ、５００
Ｗ）による露光を行ない、さらに、実施例１のＭｉＢＫ
現像とプラズマエツチングを実施例１と同様の条件で行
なった。
実施汎土
クロルメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ）を基板に２．０
μｍの厚さに塗布し、１００℃で２０分間でベータした
後、遠紫外光（Ｘｅ−Ｈｇランプ、５００Ｗ）で２０秒
間露光した。続いて、実施例１の全工程を実施例１と同
様の条件で行なった。
μｍの厚さに塗布し、１００℃で２０分間でベータした
後、遠紫外光（Ｘｅ−Ｈｇランプ、５００Ｗ）で２０秒
間露光した。続いて、実施例１の全工程を実施例１と同
様の条件で行なった。
側Ｆ例」一
実施例４と同様に、ＣＭＳを基板に２．０μｍの厚さに
塗布し、１００℃で２０分間でベータした後、遠紫外光
（Ｘｅ−Ｈｇランプ、５００Ｗ）で２０秒間露光した。
塗布し、１００℃で２０分間でベータした後、遠紫外光
（Ｘｅ−Ｈｇランプ、５００Ｗ）で２０秒間露光した。
続いて、実施例２のｐｓｐ塗布以降の全工程を行なった
。
。
災胤拠工
実施例４と同様に、ＣＭＳを基板に２．０μｍの厚さに
塗布し、１００℃で２０分間でベークした後、遠紫外光
（Ｘｅ −Ｈｇランプ、５００Ｗ）で２０秒間露光した
。続いて、次の工程を行なった。
塗布し、１００℃で２０分間でベークした後、遠紫外光
（Ｘｅ −Ｈｇランプ、５００Ｗ）で２０秒間露光した
。続いて、次の工程を行なった。
ＭＳＮＲＳＮ型ネガトレジストを０．３μｍの厚さに塗
布し、８０℃で２０分間でベークした後、遠紫外光（Ｘ
ｅ−Ｈｇ 、 ５００Ｗ）で１０秒間照射し、以下、
実施例１と同様に、ＭｉＢＫで１分間ディップ、リンス
し、最後に、プラズマエツチング装置（ｒｆパワー３０
Ｗ 、 ０２ １０１００５ｃ 、圧力−０，０２ｔ
ｏｒｒ）で５分間エツチングを行なった。
布し、８０℃で２０分間でベークした後、遠紫外光（Ｘ
ｅ−Ｈｇ 、 ５００Ｗ）で１０秒間照射し、以下、
実施例１と同様に、ＭｉＢＫで１分間ディップ、リンス
し、最後に、プラズマエツチング装置（ｒｆパワー３０
Ｗ 、 ０２ １０１００５ｃ 、圧力−０，０２ｔ
ｏｒｒ）で５分間エツチングを行なった。
ル較開土
１．０＃ｍＡｌ−２％Ｃｕ （上層） ／Ｓｉｇｈ
（中間層）／Ｓｔウェハー（基板）に０ＦＰＲ−８００
を２．０μｍの厚さに塗布し、２００℃、３０分の条件
でベークし、ＭＳＮＲを０．３μｍの厚さに塗布し、８
０℃。
（中間層）／Ｓｔウェハー（基板）に０ＦＰＲ−８００
を２．０μｍの厚さに塗布し、２００℃、３０分の条件
でベークし、ＭＳＮＲを０．３μｍの厚さに塗布し、８
０℃。
２０分の条件でベータした。続いて紫外光（露光強度−
・１０ＩＩＩＷ／ｃ！ａ）照射１０秒間、次に２分間Ｍ
ｉＢＫディップ、リンスを行なった。最後に、プラズマ
エツチング装置（ｒｆパワー３００Ｗ、Ｏ□−１００ｓ
ｅｃｍ 、圧力−〇、０２ｔｏｒｒ）で５分間エッチン
グを行なった。
・１０ＩＩＩＷ／ｃ！ａ）照射１０秒間、次に２分間Ｍ
ｉＢＫディップ、リンスを行なった。最後に、プラズマ
エツチング装置（ｒｆパワー３００Ｗ、Ｏ□−１００ｓ
ｅｃｍ 、圧力−〇、０２ｔｏｒｒ）で５分間エッチン
グを行なった。
この結果、０．６μｍライン、０．６μｍスペースのパ
ターンが形成された。
ターンが形成された。
このパターンを利用してＡｔ−２％Ｃｕ合金膜（厚さ一
１μｍ）をプラズマ装置（ｒｆパワー４００Ｗ 、 ５
ｉＣ１ｎ −１００ｓｅｃｍ 、 Ｃ１ｇ −３０ｓ
ｅｃｍ 、圧力−〇、０２ｔｏｒｒ）で４分間エツチン
グしたところ、合金膜がエツチングされる前にレジスト
がエツチングされてしまい、レジストはマスクとしての
役割を果たさなかった。
１μｍ）をプラズマ装置（ｒｆパワー４００Ｗ 、 ５
ｉＣ１ｎ −１００ｓｅｃｍ 、 Ｃ１ｇ −３０ｓ
ｅｃｍ 、圧力−〇、０２ｔｏｒｒ）で４分間エツチン
グしたところ、合金膜がエツチングされる前にレジスト
がエツチングされてしまい、レジストはマスクとしての
役割を果たさなかった。
此ｊｌｆ鉗１
比較例１と同様の方法でパターンを形成した。
ただし、下層の０ＦＰＲ−８００の膜厚を４．０ ｐ
ｍとし、またプラズマエツチング時間を１０分間とした
。
ｍとし、またプラズマエツチング時間を１０分間とした
。
この結果、０．８μｍライン、０．８μｍスペースのパ
ターンが形成されたが、比較例１に比べると解像性は劣
っている。
ターンが形成されたが、比較例１に比べると解像性は劣
っている。
このパターンを利用してＡｌ−２％Ｃｕ合金膜（厚さ一
１μｍ）をエツチングした。プラズマ装置（ｒｆパワー
４００Ｗ 、 ＳｉＣ１ｍ −１０１００５ｅ 、 Ｃ
Ｉ。
１μｍ）をエツチングした。プラズマ装置（ｒｆパワー
４００Ｗ 、 ＳｉＣ１ｍ −１０１００５ｅ 、 Ｃ
Ｉ。
−３０ｓｅｃｍ、圧力−０，０２ｔｏｒｒ）で４分間エ
ツチングしたところ、合金膜がエツチングされた。また
レジストの灰化量は０ＦＰＲ２，５μｍであった。
ツチングしたところ、合金膜がエツチングされた。また
レジストの灰化量は０ＦＰＲ２，５μｍであった。
遠紫外線、荷電粒子線、Ｘ線等、を芳香族ビニル化合物
重合体に照射すると、シリコン含有ポリマーレジストの
塗布性が良好になり、その優れた特性が十分に活かされ
ることとなり、高解像性と耐ドライエツチング性を有す
るパターンが形成される。また、遠紫外線、荷電粒子線
、Ｘ線等、を芳香族ビニル化合物重合体に照射すると、
そのベーキング温度が著しく低下するので、基板がダメ
ージを受は難くなる。
重合体に照射すると、シリコン含有ポリマーレジストの
塗布性が良好になり、その優れた特性が十分に活かされ
ることとなり、高解像性と耐ドライエツチング性を有す
るパターンが形成される。また、遠紫外線、荷電粒子線
、Ｘ線等、を芳香族ビニル化合物重合体に照射すると、
そのベーキング温度が著しく低下するので、基板がダメ
ージを受は難くなる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、多層レジストプロセスによるパターン形成方法にお
いて、芳香族ビニル化合物重合体を素材とするネガレジ
ストを基板に塗布し、遠紫外線、Ｘ線または荷電粒子線
で照射し、そして上層膜のレジストの露光を光で行なう
ことを特徴とするパターン形成方法。 ２、上層膜が一層のシリコン含有ポリマーである特許請
求の範囲第１項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198186A JPS6355549A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198186A JPS6355549A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355549A true JPS6355549A (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=16386905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61198186A Pending JPS6355549A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355549A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008032819A1 (fr) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Hoya Corporation | Ébauche de masque et procédé de fabrication de masque de transfert |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP61198186A patent/JPS6355549A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008032819A1 (fr) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Hoya Corporation | Ébauche de masque et procédé de fabrication de masque de transfert |
| JP2008070799A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Hoya Corp | マスクブランク及び転写マスクの製造方法 |
| US8026024B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-09-27 | Hoya Corporation | Mask blank and method for manufacturing transfer mask |
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