KR100571019B1 - 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물과 이를 이용한포토레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents

포토레지스트층 접착용 감광성 화합물과 이를 이용한포토레지스트 패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

하부기판과 포토레지스트층의 접착력을 향상시키면서, 포토레지스트의 잔류를 최소화할 수 있는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물과 이를 이용한 포토레지스트의 패턴의 형성방법이 개시된다. 이를 위하여 하기 화학식 2로 표시되는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물과 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법이 제공된다(단, 상기 화학식 2에서 R은 광산발생기(photoacid generator)이다). 현상과정에서 노광된 포토레지스트층과 접착제층이 함께 제거되어 불필요한 포토레지스트의 잔류를 용이하게 방지할 수 있다.
Figure 112004001722066-pat00001

Description

포토레지스트층 접착용 감광성 화합물과 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법{PHOTOSENSITIVE COMPOUND FOR ADHESION OF PHOTORESIST FILM AND METHOD OF FORMING PHOTORESIST PATTERN USING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 의한 접착제층을 사용한 경우 형성되는 포토레지스트 패턴의 시뮬레이션 그림이다.
도 2b는 상기 도 2a에 도시된 시뮬레이션 그림을 도식화한 그래프이다.
도 3a는 종래 기술에 의한 접착제층을 사용한 경우 형성되는 포토레지스트 패턴의 시뮬레이션 그림이다.
도 3b는 상기 도 3a에 도시된 시뮬레이션 그림을 도식화한 그래프이다.
본 발명은 감광성 화합물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 포토레지스트 잔류를 현저히 감소시킬 수 있는 감광성 화합물과 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
최근, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 때문에, 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 사진식각(photolithography) 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.
상기 사진식각 기술은 잘 알려져 있는 바와 같이, 기판(패턴을 형성하기 위한 층들을 포함한다) 상에 유기 포토레지스트를 사용하여 포토레지스트층을 형성한다. 이어서 노광 및 현상에 의해 상기 포토레지스트층의 소정 부위를 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 잔류하는 포토레지스트를 제거한다.
그러나 사진식각 공정에서 하부기판과 포토레지스트층의 성질이 서로 다르면, 포토레지스트층의 도포나 패턴 형성시 도포불량이나 패턴이동(pattern lifting) 등의 문제가 발생한다. 이러한 문제점은 하부기판과 포토레지스트층의 접착력을 증대시킴으로서 해결할 수 있다. 따라서 하부기판과 포토레지스트층의 접착력을 향상시키기 위하여 포토레지스층 형성 전에 예를 들면, 하기 화학식 1로 표시되는 헥사메틸디실라잔(HexaMethylDiSilazane: HMDS)을 도포하기도 한다.
Figure 112004001722066-pat00002
상기 HMDS를 사용하면 하기 반응식 1에 나타난 바와 같이 실리콘 기판 표면의 성질을 친수성(hydrophilic)에서 소수성(hydrophobic)으로 변환시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 HMDS를 고온 플레이트내에서 기판 표면에 도포하면, 표면에 존재하는 실란올(silanol; Si-OH)과 반응하여 기판 표면의 OH기를 OSiMe3로 변환시킨다. 이러한 반응으로 기판 표면은 수소 결합을 할 수 없게 되고, 유기물과 친화력을 갖게 된다. 즉 친수성이던 기판 표면이 소수성으로 변하게 된다. 이러한 변화에 의하여 기판에 대한 포토레지스트의 도포성이 향상되고, 기판과 포토레지스트의 접착력을 향상되며, 기판 표면의 접촉각(contact angle)도 커진다.
Figure 112004001722066-pat00003
결과적으로, HMDS 사용에 의하여 포토레지스트 화합물의 기판 흡착력이 증대되어 전술한 도포불량이나 패턴이동 등의 문제를 해결할 수 있다.
그러나 향상된 하부기판과 포토레지스트층간의 접착력 때문에, 예를 들어 양성 포토레지스트(positive photoresist)를 사용한 경우 현상 및 세정 등을 하여도 노광된 포토레지스트의 일부가 잔류하게 된다. 이러한 불필요한 포토레지스트 때문에 반도체 장치의 각종 패턴의 부정확하게 형성되는 등의 문제가 발생한다. 따라서 이러한 포토레지스트 찌꺼기를 제거하기 위한 기술개발이 요구된다.
예를 들어, 대한민국 공개특허공보 제10-2001-0007330호(2001년1월26일 공개)에는 올리고머성 저분자량 물질을 실질적으로 포함하지 않는 감압 접착성 중합체를 포함하는 접착제층을 사용하는 기술이 개시되어 있다. 이러한 기술에 의하면, 기판 표면에 유기 오염물을 남기지 않고, 레지스트 물질 및 외부 물질을 제거할 수 있다.
그러나 포토레지스트 접착제 화합물의 선택에 있어서, 용이하게 잔류물이 제거되는 동시에 접착력도 우수하여야 하며, 이를 위한 별도의 공정이나 처리가 필요없는 것을 선택하는 것이 바람직하다. 이러한 면에서 볼 때 상기 언급한 접착제층을 사용하는 것은 번거롭고 따라서 경제적인 면에서 불리한 등의 문제가 있어 바람직하지 않다.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 하부기판과 포토레지스트층의 접착력을 향상키면서, 포토레지스트의 잔류를 최소화할 수 있는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 상기 감광성 화합물을 이용한 포토레지스트의 패턴의 형성방법을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 하기 화학식 2로 표시되는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물을 제공한다.
[화학식 2]
Figure 112004001722066-pat00004
단, 상기 화학식 2에서 R은 광산발생기(photoacid generator)이다. 여기서 광산발생기는 술포늄 염, 산 이미드 또는 디아조디술폰 화합물 등을 예시할 수 있다. 상기 감광성 화합물은 빛에 노출되면, 소수성에서 친수성으로 변성되어 현상공정에서 포토레지스트와 함께 용이하게 제거된다.
상술한 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예에 의한 포토레지스트 패턴의 형성방법에 따르면, 우선 하기 화학식 2로 표시되는 감광성 화합물을 기판상에 도포하여 접착제층을 형성한다.
[화학식 2]
Figure 112004001722066-pat00005
단, 상기 화학식 2에서 R은 광산발생기이다.
이어서, 접착제층 상에 포토레지스트층을 형성한 후, 포토레지스트층이 형성된 기판을 마스크를 사용하여 노광시킨다. 그 다음에 노광된 기판을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 포토레지스트층이 양성 포토레지스트 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 노광에 의하여 포토레지스트층 및 접착제층이 모두 노광되고, 양성 포토레지스트를 사용하면 현상과정을 통하여 노광된 포토레지스트층 및 접착제층이 제거된다.
본 발명에 의하면, 감광성 화합물을 포토레지스트층과 기판의 접착제층으로 사용함으로써, 현상과정에서 노광된 포토레지스트층과 접착제층이 함께 제거된다. 따라서 불필요한 포토레지스트의 잔류를 용이하게 방지할 수 있다. 즉, 추가적인 공정이나 처리 없이 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있고, 이를 사용하여 각종 반도체 소자의 패턴을 정밀하게 형성할 수 있다.
결국 전술한 감광성 화합물을 포토레지스트층과 기판의 접착제층으로 사용하 면, 신뢰성 높은 반도체 장치를 경제적으로 생산할 수 있게 되므로 전체적인 반도체 제조 공정에 요구되는 시간 및 비용을 절감할 수 있다. 또한, 차세대 고집적의 반도체 장치의 제조공정에 적용하여 경쟁력을 확보할 수 있다.
이하에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 의한 감광성 화합물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 상세히 설명한다.
본 발명은 포토레지스트 잔류물을 최소화할 수 있는 포토레지스트 접착용 감광성 화합물을 제공한다.
상기 포토레지스트 접착용 감광성 화합물은 상기 화학식 2로 표시되며, 상기 화학식 2에서 상기 광산발생기는 술포늄 염, 산 이미드 또는 디아조디술폰 화합물을 포함한다.
구체적으로, 술포늄 염으로는 트리메틸술포늄/트리플루오로메탄 술포네이트, 트리페닐술포늄/트리플루오로메탄 술포네이트, 시클로헥실메틸(2-옥소-시클로헥실)술포늄/트리플루오로메탄 술포네이트, 시클로펜틸메틸(2-옥소-시클로헥실)술포늄/트리플루오로메탄 술포네이트, 또는 2-옥소-시클로헥실메틸(2-노르보닐)술포늄/트리-플루오로메탄 술포네이트 등을 예시할 수 있다.
상기 산 이미드로는 트리플루오로메틸 술포닐옥시-7-옥사비시클로[2,2,1]헵트-5-엔-2, 3-디카르복실이미드, 트리플루오로메틸 술포닐옥시 비시클로[2,2,2]헵트-5-엔-2,3-카르복실이미드, 또는 트리플루오로메틸 술포닐옥시 숙신이미드 등을 예시할 수 있다.
또한, 상기 디아조디술폰 화합물로는 1-시클로헥실술포닐-1-(1,1-디메틸에틸 술포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸술포닐)디아조메탄, 비스(1-메틸에틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(이소프로필술포닐)디아조메탄, 비스(tert-부틸술포닐)디아조메탄, tert-부틸술포닐메틸 술포닐 디아조메탄, 또는 시클로헥실술포닐 에틸술포닐 디아조메탄 등을 예시할 수 있다.
상기 감광성 화합물은 예를 들면, 하기 반응식 2의 과정을 통하여 합성될 수 있다.
Figure 112006001895014-pat00015
상기 감광성 화합물은 소수성이지만, 노광에 의하여 포토레지스트 하부의 HMDS도 반응하여 말단이 -OH기로 변화됨으로써 친수성으로 변성된다. 친수성으로 전환된 HMDS에는 포토레지스층이 재부착하지 않게 되어 포토레지스트 잔류물이 남지 않는다. 이를 하기 반응식 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
Figure 112006001895014-pat00016
단, 상기 반응식 3에서 R은 광산발생기이다.
상기 반응식 3에서 산(H+)은 포토레지스트내의 광산발생기(photoacid generator: PAG) 또는 PAG의 산과 수지(resin)가 반응하여 증폭 생성된 산으로부터 생성되기 시작한다. HMDS내 반응은 초기 생성된 산이 증폭하여 반응하거나, 포토레지스트로부터 공급되는 산에 의해서 계속적으로 일어날 수 있다. 즉, 노광 전의 HMDS는 소수성을 유지함으로써, 포토레지스트층 형성시 포토레지스트와 기판의 접촉력을 증가시킬 수 있다. 또한, 노광 이후에 접착제층은 산 반응에 의해 친수성으로 변성되어, 현상 단계를 통해 노광된 포토레지스트와 함께 제거된다.
본 발명은 상기 감광성 화합물을 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공한다. 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1을 참조하면, 우선 상기 화학식 2로 표시되는 감광성 화합물로 접착제층을 형성한다(단계 S110). 이어서, 상기 접착제층 상에 포토레지스트층을 형성하고( 단계 S120), 상기 기판을 부분적으로 노광시킨다(단계 S130). 그 다음, 현상공정을 통하여 포토레지스트 패턴을 형성한다(단계 S140).
이를 각 단계별로 구체적으로 설명한다. 본 실시예에 의하면, 먼저 상기 화학식 2로 표시되는 감광성 화합물을 기판상에 도포하여 접착제층을 형성한다(단계 S110). 상기 기판은 예를 들면, 반도체장치나 액정디스플레이장치(Liquid Crystal Display device: LCD device)등을 제조하기 위한 실리콘 기판이다. 상기 기판에는 사진식각 공정으로 식각하여 패턴을 형성하고자 하는 하부 구조물, 예를 들면, 산화막, 질화막, 실리콘막, 금속막 등이 형성되어 있을 수 있다.
그리고 상기 광산발생기는 술포늄 염, 산 이미드 또는 디아조디술폰 화합물등을 예시할 수 있는데, 구체적으로, 술포늄 염으로는 트리메틸술포늄/트리플루오로메탄 술포네이트, 트리페닐술포늄/트리플루오로메탄 술포네이트, 시클로헥실메틸(2-옥소-시클로헥실)술포늄/트리플루오로메탄 술포네이트, 시클로펜틸메틸(2-옥소-시클로헥실)술포늄/트리플루오로메탄 술포네이트, 또는 2-옥소-시클로헥실메틸(2-노르보닐)술포늄/트리-플루오로메탄 술포네이트 등을 예시할 수 있다.
상기 산 이미드로는 트리플루오로메틸 술포닐옥시-7-옥사비시클로[2,2,1]헵트-5-엔-2, 3-디카르복실이미드, 트리플루오로메틸 술포닐옥시 비시클로[2,2,2]헵트-5-엔-2,3-카르복실이미드, 또는 트리플루오로메틸 술포닐옥시 숙신이미드 등을 예시할 수 있다.
또한, 상기 디아조디술폰 화합물로는 1-시클로헥실술포닐-1-(1,1-디메틸에틸 술포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸술포닐)디아조메탄, 비스(1-메틸에틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(이소프로필술포닐)디아조메탄, 비스(tert-부틸술포닐)디아조메탄, tert-부틸술포닐메틸 술포닐 디아조메탄, 또는 시클로헥실술포닐 에틸술포닐 디아조메탄 등을 예시할 수 있다.
상기 노광 전의 접착제층은 소수성으로서, 상기 기판과 후술하는 포토레지스트층의 접착력을 강화시킨다. 이에 의해 패턴 쓰러짐 등을 방지할 수 있다.
이어서, 상기 접착제층 상에 포토레지스트층을 형성한다(단계 S120). 여기서 포토레지스트층을 양성 또는 음성 포토레지스트 화합물로 형성할 수 있다. 그러나 노광 및 현상에 의하여 포토레지스트층 및 접착제층을 동시에 제거하기 위해서는 양성 레지스트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 코팅은 스핀-코팅 등의 방식으로 수행된다.
이후에 선택적으로, 상기 포토레지스트층을 형성한 후에 상기 포토레지스트층이 형성된 기판을 베이킹하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 경화에 의하여 포토레지스트 내의 수분 등이 제거된다.
그 다음, 상기 포토레지스트층이 형성된 기판을 마스크를 사용하여 노광시킨다(단계 S130). 구체적으로 설명하면, 상기 포토레지스트층 상부에 상기 포토레지스트층의 소정 부위만을 선택적으로 노광할 수 있도록 패터닝된 마스크 패턴을 개재한다. 그리고 G-line, I-line, KrF, ArF, e-beam, 또는 X-ray 등의 광을 상기 마스크 패턴을 통하여 상기 포토레지스트층에 조사한다. 이에 따라, 상기 광이 조사된 부위의 포토레지스트층은 상기 광이 조사되지 않은 부위의 포토레지스트층과 다 른 용해도를 갖는다.
본 실시예에서는 노광에 의하여 상기 포토레지스트층 뿐만 아니라, 접착제층도 함께 노광된다. 양성 포토레지스트를 사용한 경우, 상기 노광에 의하여 포토레지스트층과 접착제층이 모두 소수성에서 친수성으로 변성된다. 구체적으로, 상기 감광성 화합물은 소수성이지만, 노광에 포토레지스트 하부의 HMDS도 반응하여 말단이 -OH기로 변화됨으로써 친수성으로 변성된다. 친수성으로 전환된 HMDS에는 포토레지스층이 재부착하지 않게 되어 포토레지스트 잔류물이 남지 않는다.
계속하여, 상기 노광된 기판을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다(단계 S140). 예를 들면, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH) 등의 현산액을 사용하여, 상기 광이 조사된 부분의 포토레지스트층(양성 포토레지스트인 경우) 및 접착제층을 동시에 제거한다. 현상액에 의하여 포토레지스층과 기판의 접착력을 강화시키는 접착제층도 제거되기 때문에 불필요한 포토레지스트가 잔류하지 않게 된다.
이어서, 후경화, 세정 등의 과정을 거쳐 포토레지스트 패턴을 완성하고, 이를 마스크로 하여 하부에 각종 금속배선, 절연막 패턴 등을 형성한다.
상술한 과정에 의하면 포토레지스트 찌꺼기가 남지 않기 때문에 포토레지스트 패턴에 의하여 미세한 패턴을 정확하게 형성할 수 있다. 더구나 상기 방법은 추가적인 노광 및 현상과정이 필요하지 않은 매우 경제적인 방법이다.
이하의 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 이들만으로 한정하는 것은 아니다.
실시예
상기 언급한 패턴 형성방법에 따라 포토레지스트 패턴을 형성과정을 시뮬레이션(simulation)하였다. 여기서 상기 접착제층은 상기 화학식 2에 의한 감광성 화합물을 사용하여 형성하는 것으로 조건을 설정하였다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 의한 접착제층을 사용한 경우 형성되는 포토레지스트 패턴의 시뮬레이션 그림이고, 도 2b는 상기 도 2a에 도시된 시뮬레이션 그림을 도식화한 그래프이다. 도 2b에서 W1, W2, W3은 각각 포토레지스트 상부의 패턴폭, 상부에서 약 0.3 ㎛ 떨어진 곳에서의 패턴 폭, 및 하부구조와 접촉된 부분의 패턴폭을 나타낸다. 또한, 평균 측벽각은 θ1, θ2의 평균을 의미한다. 이러한 패턴 폭 등의 데이터는 하기 표 1에 나타내었다.
비교예
상기 실시예와 동일한 조건 및 방법으로 포토레지스트 패턴을 형성과정을 시뮬레이션하였다. 여기서 상기 접착제층은 상기 화학식 1에 의한 종래의 접착제 화합물을 사용하여 형성하는 것을 조건으로 설정하였다.
도 3a는 비교예에 따라 형성되는 포토레지스트 패턴의 시뮬레이션 그림이고, 도 3b는 상기 도 3a에 도시된 시뮬레이션 그림을 도식화한 그래프이다. 도 3b에서 Wa, Wb, Wb은 각각 포토레지스트 상부의 패턴폭, 상부에서 약 0.3 ㎛ 떨어진 곳에서의 패턴 폭, 및 하부구조와 접촉된 부분의 패턴폭을 나타낸다. 또한, 평균 측벽각은 θa, θb의 평균을 의미한다. 이러한 패턴 폭 등의 데이터는 하기 표 1에 나타내었다.
구 분 실시예 비교예
패턴상부 폭(㎛) 0.116 0.151
패턴중간 폭(㎛) 0.134 0.182
패턴하부 폭(㎛) 0.144 0.234
평균측벽각(°) 87.7 86
상기 표 1 및 도 2a, 도 2b, 도 3a, 및 도 3b에 의하면, 실시예에 따라 포토레지스트 패턴을 형성한 경우 잔류 포토레지스트가 거의 없는 우수한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명에 의하면, 감광성 화합물을 포토레지스트층과 기판의 접착제층으로 사용함으로서, 현상과정에서 노광된 포토레지스트층과 접착제층이 함께 제거된다. 따라서, 불필요한 포토레지스트의 잔류를 용이하게 방지할 수 있다. 즉, 추가적인 공정이나 처리 없이 높은 종횡비(aspect ratio)를 가지는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있고, 이를 사용하여 각종 반도체 소자의 패턴을 정밀하게 형성할 수 있다.
결국 전술한 감광성 화합물을 포토레지스트층과 기판의 접착제층으로 사용하면, 신뢰성 높은 반도체 장치를 경제적으로 생산할 수 있게 되므로 전체적인 반도체 제조 공정에 요구되는 시간 및 비용을 절감할 수 있다. 또한, 차세대 고집적의 반도체 장치의 제조공정에 적용하여 경쟁력을 확보할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (17)

  1. 하기 화학식 2로 표시되는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물
    [화학식 2]
    Figure 112004001722066-pat00008
    단, 상기 화학식 2에서 R은 광산발생기(photoacid generator)이다.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 광산발생기가 술포늄 염, 산 이미드 또는 디아조디술폰 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 감광성 화합물이 소수성인 것을 특징으로 하는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 감광성 화합물이 노광에 의하여 소수성에서 친수성으 로 변성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물.
  5. 하기 화학식 2로 표시되는 감광성 화합물을 기판상에 도포하여 접착제층을 형성하는 단계;
    상기 접착제층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트층이 형성된 기판을 마스크를 사용하여 노광시키는 단계; 및
    상기 노광된 기판을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법
    [화학식 2]
    Figure 112004001722066-pat00009
    단, 상기 화학식 2에서 R은 광산발생기이다.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 기판이 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 광산발생기가 술포늄 염, 산 이미드 또는 디아조디술폰 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  8. 제5 항에 있어서, 상기 접착제층이 소수성인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  9. 제5 항에 있어서, 상기 포토레지스트층이 양성포토레지스트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  10. 제5 항에 있어서, 상기 포토레지스트층이 소수성인 포토레지스트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  11. 제5 항에 있어서, 상기 노광에 의하여 상기 포토레지스트층 및 접착제층이 노광되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  12. 제5 항에 있어서, 상기 포토레지스트층이 노광에 의하여 소수성에서 친수성으로 변성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  13. 제5 항에 있어서, 상기 접착제층이 노광에 의하여 소수성에서 친수성으로 변 성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  14. 제5 항에 있어서, 상기 노광이 G-line, I-line, KrF, ArF, e-beam, 또는 X-ray를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  15. 제5 항에 있어서, 상기 현상이 수산화테트라메틸암모늄(TMAH)를 포함하는 현상액을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  16. 제5 항에 있어서, 상기 현상에 의하여 상기 노광된 접착제층이 제거되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  17. 제5 항에 있어서, 상기 포토레지스트층을 형성한 후에 상기 포토레지스트층이 형성된 기판을 베이킹하는 단계를 더 포함하고, 상기 노광은 상기 베이킹된 기판을 마스크를 사용하여 노광시키는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
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