KR101153525B1 - 마스크 블랭크 및 전사 마스크의 제조 방법 - Google Patents

마스크 블랭크 및 전사 마스크의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 디자인 룰(DRAM hp 65㎚ 이하)의 전사용 마스크를 제작할 때, 레지스트 패턴의 소실을 방지하여, 패턴 결함을 방지할 수 있는 마스크 블랭크, 및 마스크를 제공한다. 기판 상에 성막된 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과, 이 박막의 상방에 성막된 레지스트막을 구비하는 마스크 블랭크로서, 상기 박막과 상기 레지스트막에 접한한 부착층을 개삽함으로써, 상기 레지스터막을 패턴 형성할 때의 현상 시에, 패턴 형성된 레지스트막의 쓰러짐을 방지하는 것을 특징으로 한다.
레지스트 패턴, 레지스트막, 마스크 패턴, 부착층, 중간층

Description

마스크 블랭크 및 전사 마스크의 제조 방법{MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING TRANSFER MASK}
본 발명은, 반도체 디바이스나 표시 디바이스(표시 패널) 등의 제조에서 사용되는 마스크 블랭크 및 전사 마스크 등에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스에서의 회로 패턴의 미세화가 진행되어, 반도체 디자인 룰에서의 DRAM 하프 피치(hp) 65㎚ 이하의 포토리소그래피에 사용되는 마스크 블랭크, 마스크가 요구되고 있다.
통상적으로, 반도체 디바이스를 미세 가공할 때의 포토리소그래피는 축소 투영 노광에서 행해지기 때문에, 전사용 마스크에 형성되는 패턴 사이즈는, 반도체 기판 상에 전사되는 패턴 사이즈의 4배 정도의 크기로 되어 있다. 그러나, 상기의 반도체 디자인 룰(DRAM hp 65㎚ 이하)에서의 포토리소그래피에서는, 반도체 기판 상에 전사되는 회로 패턴의 사이즈는, 노광광의 파장보다도 상당히 작아져 가고 있기 때문에, 회로 패턴을 그 상태 그대로 4배 정도로 확대한 전사 패턴이 형성된 전사용 마스크를 사용하여 축소 투영 노광하면, 노광광의 간섭 등의 영향으로, 전사 패턴대로의 형상을 반도체 기판 상의 레지스트막에 전사할 수 없게 된다.
따라서, 초해상 마스크로서, 광 근접 효과 보정(Optical Proximity Effect Correction : OPC)을 행함으로써, 전사 특성을 열화시키는 광 근접 효과의 보정 기술을 적용한 OPC 마스크나, 라인 형상 등의 차광 패턴의 중심부에 위상 시프터를 설치하는 구조(마스크 인핸서)에 의해, 마스크 패턴의 차광성을 강조하여 라인 패턴의 해상도를 향상시키는 위상 시프트 마스크(인핸서 마스크) 등이 이용되고 있다. 예를 들면, OPC 마스크에는 회로 패턴의 1/2 이하 사이즈의 OPC 패턴(예를 들면, 100㎚ 미만의 선폭의 어시스트 바나 햄머 헤드 등)을 형성할 필요가 있다. 또한， 인핸서 마스크에서의 차광 패턴이나 위상 시프터의 선폭도 매우 가는 선폭의 패턴이 필요로 된다.
또한, 인핸서 마스크는, 차광 패턴 주변으로부터 차광 패턴의 뒷쪽으로 돌아 들어가는 광의 강도와, 위상 시프터를 통과하는 광의 강도가 정확히 균형이 잡히도록, 패턴 폭과 위상 시프터 폭을 조정하면，마스크 인핸서를 통과한 광의 진폭 강도는, 마스크 인핸서의 중심과 대응하는 위치에서 0으로 되는 분포를 갖고, 마스크 인핸서를 투과한 광의 강도(진폭 강도의 제곱)도, 마스크 인핸서의 중심과 대응하는 위치에서 0으로 되는 분포를 갖는 마스크이다.
<발명의 개시>
<발명이 해결하고자 하는 과제>
그러나, 상기 반도체 디자인 룰(DRAM hp 65㎚ 이하)의 전사용 마스크를, 해상성이 높은 화학 증폭형 레지스트를 갖는 마스크 블랭크를 이용하여 제작한 경우, 패턴 형상의 레지스트막을 형성하는 과정에서, 밀착성이 불충분하기 때문에 현상 처리 중에 레지스트 패턴이 소실되어, 패턴 결함이 발생한다고 하는 문제가 발생하 였다.
따라서 본 발명은, 상기 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 반도체 디자인 룰(DRAM hp 65㎚ 이하)의 전사용 마스크를 제작할 때, 레지스트 패턴의 소실을 방지하여, 패턴 결함을 방지할 수 있는 마스크 블랭크, 및 전사 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
본 발명은 이하의 구성을 갖는다.
(구성 1)
기판 상에 성막된 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과, 이 박막의 상방에 성막된 레지스트막을 구비하는 마스크 블랭크로서,
상기 박막과 상기 레지스트막에 접합한 부착층을 개삽(介揷)함으로써, 상기 레지스트막을 패턴 형성할 때의 현상 시에, 패턴 형성된 레지스트막의 쓰러짐을 방지하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
(구성 2)
상기 부착층은, 현상 시에 사용하는 현상액에 대하여 내성을 갖는 수지막인 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 3)
상기 레지스트막을 형성하는 측의 상기 부착층 표면이 청정화 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 구성 1 또는 2에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 4)
상기 부착층은, 상기 박막의 패터닝 처리에 의해 제거되도록 구성한 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 3 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 5)
상기 박막은 금속막인 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 6)
상기 박막은 규소를 함유하는 규소 함유막인 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 5 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 7)
구성 1 내지 6 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크에서의 상기 박막을 패터닝하여, 상기 기판 상에 전사 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 전사 마스크의 제조 방법.
(구성 8)
박막이 형성된 기판 상에 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크로서,
상기 레지스트막으로 형성되는 레지스트 패턴의 도괴(倒壞)를 방지하기 위한 중간층이, 상기 박막과 상기 레지스트막 사이에 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
(구성 9)
상기 레지스트막에 형성되는 레지스트 패턴에는, 100㎚ 미만의 선폭의 패턴이 포함되는 것을 특징으로 하는 구성 8에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 10)
상기 레지스트막에 형성되는 레지스트 패턴에는, 어스펙트비가 3 이상인 패턴이 포함되는 것을 특징으로 하는 구성 8 또는 구성 9에 기재된 마스크 블랭크.
(구성 11)
구성 8 내지 구성 10 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크로서,
상기 중간층은, 상기 레지스트막에 레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상액에 불용성인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
(구성 12)
구성 8 내지 구성 11 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크로서,
상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 박막을 패터닝 처리할 때에, 상기중간층이 패터닝되도록 구성한 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
(구성 13)
구성 8 내지 구성 12 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크로서,
상기 기판 상으로부터 레지스트 패턴을 박리 처리할 때에, 상기 중간층이 박리되도록 구성한 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
(구성 14)
구성 8 내지 구성 13 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크로서,
상기 박막은, 크롬을 함유하는 막 또는 규소를 함유하는 막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
(구성 15)
마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과, 이 박막의 적어도 마스크 패턴이 형성되는 영역을 피복하는 중간층과, 이 중간층 상에 형성된 레지스트 패턴을 갖는 마스크 블랭크를 준비하고,
상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 중간층과 상기 박막을 순차적으로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 전사 마스크의 제조 방법.
(구성 16)
구성 15에 기재된 전사 마스크의 제조 방법으로서,
상기 중간층과 상기 박막을 패터닝 처리한 후, 상기 레지스트 패턴과 상기 중간층을 순차적으로 박리하는 것을 특징으로 하는 전사 마스크의 제조 방법.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 마스크 블랭크는, 기판 상에 성막된 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과, 이 박막의 상방에 성막된 레지스트막을 구비하는 마스크 블랭크로서,
상기 박막과 상기 레지스트막과에 접합한 부착층을 개삽함으로써, 상기 레지스트막을 패턴 형성할 때의 현상 시에, 패턴 형성된 레지스트막의 쓰러짐을 방지하는 것을 특징으로 한다(구성 1).
구성 1에 따른 발명에서는, 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과 레지스트막에 접합한 부착층을 개삽하므로, 반도체 디자인 룰(DRAM hp 65㎚ 이하)의 전사용 마스크를 제작하는 경우에 있어서도, 레지스트막을 패턴 형성할 때의 현상 시에, 패턴 형성된 레지스트막의 쓰러짐을 방지할 수 있다. 따라서, 레지스트 패턴 쓰러짐에 의한 패턴 결함을 방지하는 마스크 블랭크를 제공할 수 있다.
구성 2에 따른 발명에서는, 부착층은, 현상 시에 사용하는 현상액에 대하여 내성을 갖는 수지막으로 함으로써, 레지스트막과의 밀착성이 더욱 향상된다.
구성 3에 따른 발명에서는, 레지스트막을 형성하는 측의 부착층 표면이 청정화 처리되어 있음으로써, 더욱 레지스트막과의 밀착성이 향상됨과 함께, 레지스트막의 기능을 저해하는 물질이, 레지스트막의 저부로부터 레지스트막 내로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 특히, 레지스트가 화학 증폭형 레지스트인 경우, 레지스트막의 저부로부터의 화학 증폭 기능을 저해하는 물질의 레지스트막으로의 이동을 저지할 수 있으므로, 패턴 정밀도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에서, 마스크 블랭크에는, 포토마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 임프린트용 전사 플레이트 기판도 포함된다. 또한, 마스크 블랭크에는, 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크, 레지스트막 형성 전의 마스크 블랭크가 포함된다. 레지스트막 형성 전의 마스크 블랭크에는, 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막 상에 본 발명에 따른 부착층이 형성된 마스크 블랭크도 포함된다. 위상 시프트 마스크 블랭크에는, 하프톤막 상에 크롬계 재료 등의 차광성막이 형성되는 경우를 포함한다. 또한, 이 경우, 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막은, 하프톤막이나 차광성막을 가리킨다. 또한, 반사형 마스크 블랭크의 경우에는, 다층 반사막 상, 또는 다층 반사막 상에 형성된 버퍼층 상에, 전사 패턴으로 되는 탄탈계 재료나 크롬계 재료의 흡수체막이 형성되는 구성, 임프린트용 전사 플레이트의 경우에는, 전사 플레이트로 되는 기재 상에 크롬계 재료 등의 전사 패턴 형성용 박막이 형성되는 구성을 포함한다. 마스크에는, 포토마스크, 위상 시프트 마스크, 반사형 마스크, 임프린트용 전사 플레이트가 포함된다. 마스크에는 레티클이 포함된다.
본 발명에서, 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막으로서는, 노광광 등을 차단하는 차광막, 노광광 등의 투과량을 조정?제어하는 반투광성막, 노광광 등의 반사율을 조정?제어하는 반사율 제어막(반사 방지막을 포함함), 노광광 등에 대한 위상을 변화시키는 위상 시프트막, 차광 기능과 위상 시프트 기능을 갖는 하프톤막 등이 포함된다.
또한, 본 발명의 마스크 블랭크는, 상기 부착층이, 상기 박막의 패터닝 처리에서 제거되도록 구성함으로써(구성 4), 마스크 블랭크 상에 형성된 화학 증폭형 레지스트막의 패턴을 상기 박막에 충실하게 전사할 수 있다. 즉, 상기 부착층에 의해 얻어진 마스크 블랭크 상의 화학 증폭형 레지스트막의 해상성을, 그대로 유지하도록 박막에 전사할 수 있어, 박막을 패터닝하여 얻어지는 전사용 패턴의 해상성도 양호하게 되고, 패턴 정밀도도 양호하다.
본 발명의 마스크 블랭크는, 상기 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막이, 금속막인 경우에 특히 효과적이다(구성 5). 금속막으로서는, 크롬, 탄탈, 몰리브덴, 티탄, 하프늄, 텅스텐이나, 이들 원소를 함유하는 합금, 또는 상기 원소나 상기 합금을 함유하는 재료로 이루어지는 막을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 마스크 블랭크는, 상기 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막이 규소를 함유하는 규소 함유막인 경우에 특히 효과적이다(구성 6). 규소 함유막으로서는, 규소막이나, 규소와 크롬, 탄탈, 몰리브덴, 티탄, 하프늄, 텅스텐의 금 속을 함유하는 금속 실리사이드막, 또한, 규소막이나 금속 실리사이드막에, 산소, 질소, 탄소 중 적어도 하나를 함유하는 막으로 할 수 있다.
또한 본 발명의 마스크 블랭크는, 레지스트막이 화학 증폭형 레지스트막인 경우에 유용하고, 또한 그 레지스트막이, 50keV 이상의 가속 전압으로 가속된 전자선에 의해 패턴 노광(묘화)되어, 레지스트 패턴이 형성되는 것인 경우에 특히 유용하다. 본원 발명은, 50keV 대응 EB 리소그래피를 적용한 경우에서, 마스크 블랭크 상에 형성되는 화학 증폭형 레지스트 패턴의 해상성의 한층 더한 향상을 의도하고 있기 때문이다.
또한, 본 발명에서의 화학 증폭형 레지스트막에는, 예를 들면, 노광에 의해 레지스트막 중에 생성되는 촉매 물질인 산이, 이어서 행하여지는 열처리 공정에서 폴리머의 용해성을 제어하는 관능기 혹은 관능 물질과 반응함으로써 레지스트 기능을 발현하는 레지스트막이 포함된다. 여기서, 레지스트 기능의 발현은, 예를 들면, 관능기 등을 떼어냄으로써 알칼리에 용해되도록 하는 것을 말한다.
본 발명의 마스크 블랭크는, 마스크 블랭크 상에 100㎚ 미만의 선폭의 레지스트 패턴을 형성하기 위해서 이용되는 것인 경우에 특히 유효하다. 이와 같은 마스크 블랭크로서는, OPC 마스크나 마스크 인핸서 구조를 갖는 마스크(인핸서 마스크)를 들 수 있다. 이들 마스크(OPC 마스크나 인핸서 마스크)에서는, 본 패턴의 해상성을 향상시킬 목적으로 본 패턴의 주위에 형성되는 보조 패턴의 폭이 가장 좁기 때문에, 이들 패턴을 갖는 마스크의 제조에, 특히 유용하다.
본 발명의 전사용 마스크 및 그 제조 방법은, 상기 본 발명에 따른 마스크 블랭크에서의 상기 박막을 패터닝하여 형성된 전사 패턴을 기판 상에 형성하는 것을 특징으로 한다(구성 7).
상기 본 발명의 전사용 마스크는, 반도체 디자인 룰에서의 DRAM 하프 피치 65㎚ 이하에서 대응하는 전사용 마스크에서 요구되는 패턴 정밀도를 만족시킬 수 있다.
본 발명의 마스크 블랭크는, 박막이 형성된 기판 상에 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크로서,
상기 레지스트막으로 형성되는 레지스트 패턴의 도괴를 방지하기 위한 중간층이, 상기 박막과 상기 레지스트막 사이에 개재되어 있는 것을 특징으로 한다(구성 8).
구성 8에 따른 발명에서는, 레지스트막으로 형성되는 레지스트 패턴의 도괴를 방지하기 위한 중간층이, 상기 박막과 상기 레지스트막 사이에 개재되어 있으므로, 레지스트막으로 레지스트 패턴을 형성하는 공정 중 또는 레지스트 패턴 형성 후에 있어서, 레지스트 패턴의 도괴를 방지할 수 있다.
구성 8에 따른 발명에서는, 박막이 형성된 기판(통상적으로, 상대적으로 딱딱한 지반에 상당함) 상에, 레지스트 패턴의 도괴를 방지하기 위한 중간층(상기 지반 및 레지스트 패턴에 대하여 베타 기초에 상당하거나, 및/또는, 통상 상대적으로 부드럽고, 레지스트 패턴(기둥 형상 구조물)에 대하여 제진성이나 면진성을 부여하는 층에 상당함)을 형성하고 있으므로, 레지스트막으로 레지스트 패턴을 형성하는 공정 중 또는 형성 후에 있어서, 레지스트 패턴의 도괴를 방지할 수 있다.
구성 9에 따른 발명에서는, 레지스트막으로 형성되는 레지스트 패턴이, 100㎚ 미만의 선폭의 패턴을 포함하는 경우에서는, 레지스트막으로 레지스트 패턴을 형성하는 공정 중 또는 레지스트 패턴 형성 후에 있어서, 레지스트 패턴의 도괴가 일어나기 쉽지만, 구성 9에 따른 발명에서는 이것을 방지할 수 있다.
구성 10에 따른 발명에서는, 레지스트막으로 형성되는 레지스트 패턴이, 어스펙트비가 3 이상인 패턴이 포함되는 경우에서는, 레지스트 패턴(기둥 형상 구조물)의 안정성이 나쁘기 때문에, 레지스트막으로 레지스트 패턴을 형성하는 공정 중 또는 레지스트 패턴 형성 후에 있어서, 레지스트 패턴의 도괴가 일어나기 쉽지만, 구성 10에 따른 발명에서는, 이것을 방지할 수 있다.
구성 11에 따른 발명은, 상기 본 발명에 따른 마스크 블랭크로서, 상기 중간층은, 상기 레지스트막에 레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상액에 불용성인 것을 특징으로 한다.
구성 11에 따른 발명에서는, 레지스트 패턴의 도괴를 방지하기 위한 중간층(상기 지반 및 레지스트 패턴에 대하여 베타 기초에 상당하거나, 및/또는, 통상 상대적으로 부드럽고, 레지스트 패턴(기둥 형상 구조물)에 대하여 제진성이나 면진성을 부여하는 층에 상당함)이, 현상액에 의해 침식되는 것을 방지할 수 있고, 이 결과 레지스트 패턴의 도괴가 보다 한층 더 일어나기 어렵게 할 수 있다.
구성 12에 따른 발명은, 상기 본 발명에 따른 마스크 블랭크로서, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 박막을 패터닝 처리할 때에, 상기 중간층이 패터닝되도록 구성한 것을 특징으로 한다.
구성 12에 따른 발명에서는, 예를 들면, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 박막을 패터닝 처리할 때에 사용하는 에천트에 의해, 상기 중간층이 패터닝되도록 구성함으로써, 공정을 간략화할 수 있음과 함께, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 형성되는 전사 패턴의 해상성의 향상에 유리하다.
구성 13에 따른 발명은, 상기 본 발명에 따른 마스크 블랭크로서, 상기 기판 상으로부터 레지스트 패턴을 박리 처리할 때에, 상기 중간층이 박리되도록 구성한 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
구성 13에 따른 발명에서는, 예를 들면, 상기 기판 상으로부터 레지스트 패턴을 박리 처리할 때에 사용하는 박리액 또는 박리 수단에 의해, 상기 중간층이 박리되도록 구성함으로써, 공정을 간략화할 수 있다.
본 발명의 마스크 블랭크는, 상기 박막은, 크롬을 함유하는 막 또는 규소를 함유하는 막인 경우에 특히 효과적이다(구성 14). 또한, 크롬을 함유하는 막 또는 규소를 함유하는 막에 대해서는, 예를 들면, 상기에서 언급한 재료를 들 수 있다.
구성 15에 따른 전사 마스크의 제조 방법의 발명은, 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과, 이 박막의 적어도 마스크 패턴이 형성되는 영역을 피복하는 중간층과, 이 중간층 상에 형성된 레지스트 패턴을 갖는 마스크 블랭크를 준비하고,
상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 중간층과 상기 박막을 순차적으로 패터닝하는 것을 특징으로 한다.
구성 15에 따른 발명에서는, 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막 중 적어도 마스크 패턴이 형성되는 영역을 피복하는 중간층을 형성함으로써, 예를 들면, 용매 를 사용하여 패터닝할 때도, 효과적으로 레지스트 패턴의 도괴를 방지할 수 있다.
구성 16에 따른 발명은, 상기 본 발명에 따른 전사 마스크의 제조 방법으로서, 상기 중간층과 상기 박막을 패터닝 처리한 후, 상기 레지스트 패턴과 상기 중간층을 순차적으로 박리하는 것을 특징으로 한다.
전사 마스크에서의 불필요층을 제거하기 위해서이다.
또한, 순차적으로 박리란, 동일한 박리액 또는 박리 수단에 의해 동시에 박리하는 경우를 포함한다.
또한, 전술한 구성 1～8에서 언급한 사항은, 상기 구성 9～16에서도 마찬가지로 적용할 수 있다.
본 발명에서, 기판으로서는, 합성 석영 기판, 소다 라임 글래스 기판, 무알카리 글래스 기판, 저열팽창 글래스 기판 등을 들 수 있다.
<발명의 효과>
본 발명에 따르면, 반도체 디자인 룰(DRAM hp 65㎚ 이하)의 전사용 마스크를 제작할 때, 레지스트 패턴의 소실을 방지하여, 패턴 결함을 방지할 수 있는 마스크 블랭크, 및 마스크를 제공할 수 있다.
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
이하, 본 발명에 따른 실시 형태를, 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크(10)의 일례를 도시한다. 본 예에서, 마스크 블랭크(10)는, 바이너리 마스크용의 마스크 블랭크로서, 투명 기판(12), 차광성막(13)(차광층(14)과, 반사 방지층(16)의 적층막), 부착층 (중간층)(18), 및 화학 증폭형 레지스트막(20)을 구비한다.
투명 기판(12)은, 예를 들면, 합성 석영 기판, 소다 라임 글래스 등의 재료로 이루어진다. 차광성막(13)은, 차광층(14)과 반사 방지층(16)의 적층막이다.
차광층(14)은, 투명 기판(12) 상에, 예를 들면, 질화 크롬막(22) 및 탄화질화 크롬막(24)을 이 순서로 갖는다. 질화 크롬막(22)은, 질화 크롬(CrN)을 주성분으로 하는 층이며, 예를 들면 10～20㎚의 막 두께를 갖는다. 탄화질화 크롬막(24)은, 탄화질화 크롬(CrCN)을 주성분으로 하는 층이며, 예를 들면 25～60㎚의 막 두께를 갖는다.
반사 방지층(16)은, 예를 들면, 크롬에 산소 및 질소가 함유되어 있는 막(CrON막)이며, 탄화질화 크롬막(24) 상에 형성된다. 반사 방지층(16)의 막 두께는, 예를 들면, 15～30㎚이다.
이들 차광층(14), 반사 방지층(16)은, 크롬을 스퍼터링 타겟으로 하고, 반응성 가스(예를 들면, 산소 가스, 질소 가스, 일산화질소 가스, 탄산 가스, 탄화수소계 가스, 또는 이들의 혼합 가스) 분위기 속에서의 반응성 스퍼터링법에 의해 성막할 수 있다.
또한, 차광성막(13)은, 상기한 바와 같이, 투명 기판(12)측으로부터 질화 크롬막(22), 탄화질화 크롬막(24), 산화질화 크롬막의 재료로 구성되고, 차광성막(13)의 막 두께 방향의 대략 전역에 크롬 및, 산소 및 질소 중 적어도 한쪽의 원소가 함유됨으로써, 혹은 또한 각 층에 대하여 주로 질소를 많이 함유시킴으로써, 염소계 가스를 이용한 드라이 에칭 시의 드라이 에칭 속도를 높일 수 있다.
또한, 차광성막(13)의 재료로서는, 크롬 단체나, 크롬에 산소, 질소, 탄소, 수소로 이루어지는 원소를 적어도 1종을 함유하는 것(Cr을 함유하는 재료) 등을 들수 있다. 차광성막(13)의 막 구조로서는, 상기 막 재료로 이루어지는 단층, 복수층 구조로 할 수 있다. 또한, 상이한 조성에서는, 단계적으로 형성한 복수층 구조나, 연속적으로 조성이 변화한 막 구조로 할 수 있다.
상기 차광성막(13)으로서는, 드라이 에칭 속도를 높인 박막으로 하는 것이, 전사용 패턴의 미세화, 패턴 정밀도 향상의 점에서 바람직하다. 구체적으로는, 차광성막(13)의 막 두께 방향의 전체 또는 대략 전체에 드라이 에칭 속도를 높이는 첨가 원소를 첨가한다. 드라이 에칭 속도를 높이는 첨가 원소로서는, 산소 및/또는 질소를 들 수 있다.
차광성막이 크롬을 함유하는 박막인 경우, 이하의 재료를 선정할 수 있다.
크롬을 함유하는 박막에 산소를 함유하는 경우의 산소의 함유량은, 5～80원자%의 범위가 바람직하다. 산소의 함유량이 5원자% 미만이면, 드라이 에칭 속도를 높이는 효과가 얻어지기 어렵다. 한편, 산소의 함유량이 80원자%를 초과하면, 반도체 디자인 룰에서의 DRAM 하프 피치 65㎚ 이하에서 적용되는 노광광의 파장(200㎚ 이하)의 예를 들면, ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)에서의 흡수 계수가 작아지기 때문에, 원하는 광학 농도를 얻기 위해서 막 두께를 두껍게 할 필요가 생기게 되어, 패턴 정밀도의 향상을 도모할 수 없게 되므로 바람직하지 않다.
또한, 크롬을 함유하는 박막에 질소를 함유하는 경우의 질소의 함유량은, 20～80원자%의 범위가 바람직하다. 질소의 함유량이 20원자% 미만이면, 드라이 에칭 속도를 높이는 효과가 얻어지기 어렵다. 한편, 질소의 함유량이 80원자%를 초과하면, 반도체 디자인 룰에서의 DRAM 하프 피치 65㎚ 이하에서 적용되는 노광광의 파장(200㎚ 이하)의 예를 들면 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)에서의 흡수 계수가 작아지기 때문에, 원하는 광학 농도를 얻기 위해서 막 두께를 두껍게 할 필요가 생기게 되어, 패턴 정밀도의 향상을 도모할 수 없게 되므로 바람직하지 않다.
또한, 크롬을 함유하는 박막 중에 산소와 질소의 양방을 함유하여도 된다. 그 경우의 함유량은, 산소와 질소의 합계가 10～80원자%의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한, 크롬을 함유하는 박막 중에 산소와 질소의 양방을 함유하는 경우의 산소와 질소의 함유비는, 특별히 제약은 되지 않고, 흡수 계수 등의 균형으로 적절히 결정된다.
또한, 산소 및/또는 질소를 함유하는 크롬 박막은, 그 밖에 탄소, 수소, 헬륨 등의 원소를 함유하여도 된다.
또한, 드라이 에칭 가스 중의 산소의 양을 저감한다고 하는 관점에서는, 산소를 함유하지 않는 드라이 에칭 가스를 이용하는 것도 가능하다.
크롬계 박막은, 드라이 에칭에 의해 에칭(패터닝)하는 것이, 크롬계 박막의 패턴 정밀도의 향상의 관점에서 바람직하다.
크롬계 박막의 드라이 에칭에는, 염소계 가스, 또는, 염소계 가스와 산소 가스를 함유하는 혼합 가스로 이루어지는 드라이 에칭 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 이 이유는, 크롬과 산소, 질소 등의 원소를 함유하는 재료로 이루어지는 크롬계 박막에 대해서는, 상기의 드라이 에칭 가스를 이용하여 드라이 에칭을 행함으 로써, 드라이 에칭 속도를 높일 수 있어, 드라이 에칭 시간의 단축화를 도모할 수 있고, 단면 형상의 양호한 차광막 패턴을 형성할 수 있기 때문이다. 드라이 에칭 가스에 이용하는 염소계 가스로서는, 예를 들면, Cl2, SiCl4, HCl, CCl4, CHCl3 등을 들 수 있다.
부착층(18)은, 패턴 형상의 레지스트막을 형성하는 과정에서, 밀착성이 불충분하기 때문에 현상 처리 중 또는 현상 처리 후의 린스에서 레지스트 패턴이 소실되어, 패턴 결함이 발생하는 것을 방지하기 위한 층으로, 차광성막(13) 상에 형성된다.
또한, 부착층(18)은, 화학 증폭형 레지스트막(20)에 대하여 레지스트 패턴을 형성할 때에 사용하는 현상액에 대하여 내성을 갖고，또한 레지스트 패턴을 마스크로 하여 차광성막(13)을 에칭할 때에 사용하는 에천트로 에칭 가능한 것이 바람직하다.
구체적으로는, 소정의 분자량을 갖는 유기 재료로 이루어지는 수지막(예를 들면, 아크릴계 수지 등)으로 할 수 있다.
또한, 부착층(18)의 막 두께는, 1㎚ 이상이 바람직하다. 바람직하게는, 막 두께가 2㎚ 이상 25㎚ 이하, 더욱 바람직하게는, 막 두께가 2㎚ 이상 20㎚ 이하, 더욱 바람직하게는, 5㎚ 이상 15㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 마스크 블랭크 상에 형성되는 레지스트 및 레지스트 패턴을 마스크로 하여 형성되는 전사 패턴의 해상성의 한층 더한 향상을 확실하게 실현할 수 있다. 구체적으로는, 반도체 디자인 룰에서 DRAM 하프 피치가 65㎚ 이하인 미세 패턴 형성용 마스크에 요구되는 패턴 정밀도를 만족시킬 수 있는 마스크 블랭크를 확실하게 실현할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 변형예에서, 마스크 블랭크(10)는, 위상 시프트 마스크용의 마스크 블랭크이어도 된다. 이 경우, 마스크 블랭크(10)는, 예를 들면, 투명 기판(12)과 차광성막(13) 사이에, 위상 시프트막을 더 구비한다. 위상 시프트막으로서는, 예를 들면, 크롬계(CrO, CrF 등), 몰리브덴계(MoSiON, MoSiN, MoSiO 등), 텅스텐계(WSiON, WSiN, WSiO 등), 실리콘계(SiN, SiON 등)의 각종 공지의 하프톤막을 이용할 수 있다. 위상 시프트 마스크용의 마스크 블랭크(10)는, 위상 시프트막을, 차광성막(13) 상에 구비하여도 된다.
도 1의 (b)는 노광?현상 처리에 의해 화학 증폭형 레지스트막(20)이 패터닝 된 상태를 도시한다. 이와 같이 패터닝된 화학 증폭형 레지스트막(20)을 마스크로 하여, 부착층(18) 및 차광성막(13)을 에칭함으로써, 차광성막(13)을 패터닝하고, 마지막으로 화학 증폭형 레지스트막(20) 및 부착층(18)을 제거하여, 전사 패턴으로 되는 차광성막 패턴이 투명 기판(12) 상에 형성된 포토마스크를 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 나타낸다.
<실시예 1>
투명 기판(12)으로서 사이즈 6×6인치, 두께 0.25인치의 합성 석영 기판을 이용하여, 투명 기판(12) 상에, 차광층(14)으로서, 질화 크롬막(22) 및 탄화질화 크롬막(24)을 각각 스퍼터링법으로 형성하였다. 계속해서, 반사 방지층(16)으로 서, 산화질화 크롬막을 형성하였다. 차광성막(13)은, 막 두께 방향의 대략 전역에 질소를 함유하는 것이었다. 차광성막(13)의 막 두께는 68㎚로 하였다.
또한, 부착층(후지 필름 일렉트로닉스 머테리얼즈사제:FKB-15B)을 회전 도포법으로 30㎚ 도포하여, 부착층(18)을 형성하였다. 그 후, 핫 플레이트로 200℃에서 10분 열처리하여, 부착층(18)을 건조시켰다. 또한, 레지스트를 도포하기 전에, 200℃의 열처리하여 부착층(18)의 표면에 부착된 유기물 등의 오염 물질을 제거하여 청정화하였다. 다음으로, 화학 증폭형 레지스트막(20)으로서, 전자선 노광용 화학 증폭형 포지티브 레지스트(FEP171:후지 필름 일렉트로닉스 머테리얼즈사제)를 회전 도포법으로 두께 300㎚ 도포하고, 그 후, 핫 플레이트로 130℃에서 10분 열처리하여, 화학 증폭형 레지스트막(20)을 건조시켜, ArF 엑시머 레이저 노광용의 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크인 마스크 블랭크(10)를 얻었다.
<비교예 1>
부착층(18)을 형성하지 않았던 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1에 따른 마스크 블랭크를 얻었다.
실시예 1, 및 비교예 1에 따른 마스크 블랭크에 대하여, 해상성의 차이를 비교하기 위해서, 레지스트 패턴을 형성하고, 또한 레지스트 패턴을 마스크로 하여 차광성막의 패터닝을 행하였다. 처음에, 각 마스크 블랭크를 전자선 노광 장치로 노광하고, 그 후, 노광 후의 베이크 처리 및 현상 처리를 하여, 레지스트 패턴을 형성하였다. 이 노광은, 50keV 이상의 가속 전압으로 가속된 전자선에 의해 행하였다. 또한, 레지스트 패턴은, 80㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴을 형성하였다.
형성된 레지스트 패턴을 확인한 바, 실시예 1에서는, 부착층(18)에 의해 화학 증폭형 레지스트막(20)과 차광성막(13)의 밀착성이 양호하고, 그 때문에，80㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴이 확실하게 형성되어 있는 것이 확인되었다.
한편, 비교예 1에서는, 화학 증폭형 레지스트막(20)과 차광성막(13)의 밀착성이 불충분하여, 현상 처리 후의 린스 처리 중에 레지스트 패턴의 소실이 생겼다.
계속해서, 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 염소 가스와 산소 가스를 함유하는 에칭 가스를 이용한 드라이 에칭에 의해, 부착층(18) 및 차광성막(13)을 패터닝하고, 마지막으로 화학 증폭형 레지스트막(20) 및 부착층(18)을 제거하여 ArF 엑시머 레이저 노광용의 마스크를 제작하였다.
실시예 1에서는, 차광성막으로 이루어지는 80㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴의 차광막 패턴이 형성되고, 또한 차광성막 패턴의 밑자락 부분에 스커트 형상의 돌기부가 형성되어 있지 않은 것이 확인되었다. 또한, 패턴 정밀도도, 반도체 디자인 룰 DRAM 하프 피치 65㎚에서의 리니어리티 10㎚ 이하를 만족시키는 것이었다.
한편, 비교예 1에서는, 현상 처리 후의 린스 처리 중에 레지스트 패턴이 소실된 것에 의한 패턴 결함이 확인됨과 함께, 형성된 차광성막 패턴의 밑자락 부분에 스커트 형상의 돌기부가 형성되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한，80㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴은 형성되어 있지 않고, 200㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴이 해상되어 있는 것에 그쳤다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크(10)의 일례를 도시한다.
또한, 이하에 설명하는 점을 제외하고, 도 2에서, 도 1과 동일한 또는 마찬가지의 구성에 대해서는, 도 1과 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다. 본 예에서, 마스크 블랭크(10)는, 투명 기판(12), 차광성막(13)(차광층(14)과, 반사 방지층(16)의 적층막), 규소 함유막(32)(규소를 함유하는 막), 수지(유기) 재료로 이루어지는 부착층(중간층)(34), 및 화학 증폭형 레지스트막(20)을 구비한다.
규소 함유막(32)은, 차광성막(13)을 패터닝할 때에 사용하는 하드마스크용의 규소를 함유하는 막이며, 차광성막(13) 상에 형성된다. 규소 함유막(32)의 막 두께는, 예를 들면 30㎚(예를 들면 25～35㎚)이다. 규소 함유막(32)은, 예를 들면, MoSiO, MoSiN, 또는 MoSiON 등의 MoSi를 함유하는 막이어도 된다. 규소 함유막(32)은, TaSiO, TaSiN, TaSiON, TaBO, TaBN, TaBON, WSiO, WSiN, WSiON, SiO, SiN, 또는 SiON 등의 막이어도 된다. 또한, 하드마스크로서 이용되는 규소 함유막(32)은, 전사 패턴을 형성하기 위한 박막의 일례이다.
부착층(34)은, 패턴 형상의 레지스트막을 형성하는 과정에서, 밀착성이 불충분하기 때문에 현상 처리 중 또는 현상 처리 후의 린스에서 레지스트 패턴이 소실되어, 패턴 결함이 발생하는 것을 방지하기 위한 층이며, 규소 함유막(32)과 화학 증폭형 레지스트막(20)의 밀착성을 개선하기 위한 층(유기 재료로 이루어지는 수지막)으로, 규소 함유막(32) 상에 형성된다. 규소 함유막(32)에 대한 수지(유기) 재료로 이루어지는 부착층(34)의 밀착성은, 규소 함유막(32) 상에 화학 증폭형 레지스트막(20)을 형성한 경우의 규소 함유막(32)에 대한 화학 증폭형 레지스트막(20)의 밀착성보다도 높다.
또한, 본 예에서, 부착층(34)의 막 두께는, 예를 들면, 1㎚ 이상이 바람직하다. 바람직하게는, 막 두께가 2㎚ 이상 25㎚ 이하, 더욱 바람직하게는, 막 두께가 2㎚ 이상 20㎚ 이하, 더욱 바람직하게는, 5㎚ 이상 15㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 통상 마스크 블랭크로서는, 부착층(34) 상에는, 화학 증폭형 레지스트막(20)이 형성된다.
도 2의 (b)는, 전자선 리소그래피법에 의해 화학 증폭형 레지스트막(20)이 패터닝된 상태를 도시한다. 이와 같이 패터닝된 화학 증폭형 레지스트막(20)을 마스크로 하여, 부착층(34) 및 규소 함유막(32)이 에칭된다. 또한, 규소 함유막(32)을 마스크(하드마스크)로 하여, 차광성막(13)이 에칭된다. 이에 의해, 차광성막(13)을 패터닝한 포토마스크를 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 제2 실시 형태의 실시예 및 비교예를 나타낸다.
<실시예 2>
실시예 1과 마찬가지의 투명 기판(12)을 이용하여, 실시예 1과 마찬가지로 차광성막(13)을 형성하였다. 또한, 규소 함유막(32)으로서, MoSiON막을 형성하였다. 규소 함유막(32)의 막 두께는 30㎚로 하였다.
다음으로, 실시예 1과 동일한 재료의 유기 재료로 이루어지는 수지막(후지 필름 일렉트로닉스 머테리얼즈사제:FKB-15B)을 회전 도포법으로 30㎚ 도포하여, 부착층(34)을 형성하였다. 그 후, 핫 플레이트로 200℃에서 10분 열처리하여, 부착층(34)을 건조시켰다. 다음으로, 실시예 1과 마찬가지로 화학 증폭형 레지스트막(20)을 형성하고, 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크인 마스크 블랭크(10)를 얻었다.
<비교예 2>
부착층(34)을 형성하지 않았던 것 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 하여, 비교예 2에 따른 마스크 블랭크를 얻었다.
실시예 2, 및 비교예 2에 따른 마스크 블랭크에 대하여, 화학 증폭형 레지스트막과 규소 함유막의 밀착성의 차이를 비교하기 위해서, 화학 증폭형 레지스트막의 패터닝을 행하였다. 처음에, 각 마스크 블랭크를 전자선 노광 장치로 노광하고, 그 후, 노광 후의 베이크 처리 및 현상 처리하여, 레지스트 패턴을 형성하였다. 이 노광은, 50keV 이상의 가속 전압으로 가속된 전자선에 의해 행하였다. 또한, 레지스트 패턴은 80㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴을 형성하였다.
형성된 레지스트 패턴을 확인한 바, 실시예 2에서는, 부착층(34)에 의해 화학 증폭형 레지스트막(20)과 규소 함유막(32)의 밀착성이 양호하고, 그 때문에，80㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴이 확실하게 형성되어 있는 것이 확인되었다.
한편, 비교예 2에서는, 화학 증폭형 레지스트막과 규소 함유막의 밀착성이 불충분하여, 현상 처리 후의 린스 처리 중에 레지스트 패턴의 소실이 생겼다.
계속해서, 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 불소계 가스를 함유하는 에칭 가스를 이용한 드라이 에칭에 의해, 부착층(34) 및 규소 함유막(32)을 패터닝하였다. 또한, 패터닝된 규소 함유막(32)을 마스크로 하여, 염소 가스와 산소 가스를 함유하는 에칭 가스를 이용한 드라이 에칭에 의해, 차광성막(13)을 패터닝하였다. 마지막으로 화학 증폭형 레지스트막(20), 부착층(34) 및 규소 함유막(32)을 제거하여 ArF 엑시머 레이저 노광용의 마스크를 제작하였다.
실시예 2에서는, 차광성막으로 이루어지는 80㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴의 차광막 패턴이 형성되고, 또한 차광성막 패턴의 밑자락 부분에 스커트 형상의 돌기부가 형성되어 있지 않은 것이 확인되었다. 또한, 패턴 정밀도도, 반도체 디자인 룰 DRAM 하프 피치 65㎚에서의 리니어리티 10㎚ 이하를 만족시키는 것이었다.
한편, 비교예 2에서는, 현상 처리 후의 린스 처리 중에 레지스트 패턴이 소실된 것에 의한 패턴 결함이 확인됨과 함께, 형성된 차광성막 패턴의 밑자락 부분에 스커트 형상의 돌기부가 형성되어 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한，80㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴은 형성되어 있지 않고, 200㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴이 해상되어 있는 것에 그쳤다.
또한, 전술한 실시예 1, 2에서, 부착층(18, 34)을 차광성막(13)의 에칭 가스나, 규소 함유막(32)의 에칭 가스에 의해 제거하는 예를 나타냈지만, 이에 한정되지 않는다. 레지스트 패턴을 형성한 후, 부착층(18, 34)만을 애싱 등에 의해 제거한 후, 부착층 및 레지스트막으로 이루어지는 패턴을 마스크로 하여, 차광성막(13)이나 규소 함유막(32)을 에칭하여 패터닝하여도 무방하다.
이상, 본 발명을 실시 형태를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시 형태에 기재된 범위에는 한정되지 않는다. 상기 실시 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능한 것은, 당업자에게 명백하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이, 특허 청구 범위의 기재로부터 명백하다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 마스크 블랭크(10)의 일례를 도시하는 도면으로서, 도 1의 (a)는 마스크 블랭크(10)의 구성의 일례를 도시하고, 도 1의 (b)는 노광?현상 처리에 의해 화학 증폭형 레지스트막(20)이 패터닝된 상태를 도시한다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 마스크 블랭크(10)의 일례를 도시하는 도면으로서, 도 2의 (a)는 마스크 블랭크(10)의 구성의 일례를 도시하고, 도 2의 (b)는 전자선 리소그래피법에 의해 화학 증폭형 레지스트막(20)이 패터닝된 상태를 도시한다.
<부호의 설명>
10 : 마스크 블랭크
12 : 투명 기판
13 : 차광성막
14 : 차광층
16 : 반사 방지층
18 : 부착층
20 : 화학 증폭형 레지스트막
22 : 질화 크롬막
24 : 탄화질화 크롬막
32 : 규소 함유막
34 : 부착층

Claims (24)

  1. 기판 상에 성막된 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과, 이 박막의 상방에 성막된 레지스트막을 구비하는 마스크 블랭크로서,
    상기 박막과 상기 레지스트막에 접합한 부착층을 삽입함으로써, 상기 레지스트막을 패턴 형성할 때의 현상 시에, 패턴 형성된 레지스트막의 쓰러짐을 방지하고,
    상기 부착층은, 현상 시에 사용하는 현상액에 대하여 내성을 갖는 것에 의해 현상 시에 패터닝되지 않고, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 박막을 에칭할 때에 사용하는 에천트로 에칭되는 유기재료로 이루어진 수지막이고,
    상기 부착층의 막 두께는 1㎚ 이상 30㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트막을 형성하는 측의 상기 부착층 표면이 청정화 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 박막은 금속막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 박막은 규소를 함유하는 규소 함유막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  8. 제1항의 마스크 블랭크에서의 상기 박막을 패터닝하여, 상기 기판 상에 전사 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 전사 마스크의 제조 방법.
  9. 박막이 형성된 기판 상에 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크로서,
    상기 레지스트막으로 형성되는 레지스트 패턴의 도괴를 방지하기 위한 중간층이, 상기 박막과 상기 레지스트막 사이에 개재되어 있고,
    상기 중간층은, 상기 레지스트막에 레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상액에 불용성인 것에 의해 현상 시에 패터닝되지 않고, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 박막을 에칭할 때에 사용하는 에천트로 에칭되는 유기 재료로 이루어지고,
    상기 중간층의 막 두께는 1㎚ 이상 30㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 레지스트막에 형성되는 레지스트 패턴에는 100㎚ 미만의 선폭의 패턴이 포함되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 레지스트막에 형성되는 레지스트 패턴에는, 어스펙트비가 3 이상인 패턴이 포함되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  12. 삭제
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  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 기판 상으로부터 레지스트 패턴을 박리 처리할 때에, 상기 중간층이 박리되도록 구성한 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상으로부터 레지스트 패턴을 박리 처리할 때에, 상기 부착층이 박리되도록 구성한 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  18. 제9항에 있어서,
    상기 박막은, 크롬을 함유하는 막 또는 규소를 함유하는 막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  19. 마스크 패턴을 형성하기 위한 박막과, 이 박막의 적어도 마스크 패턴이 형성되는 영역을 피복하는 중간층과, 이 중간층 상에 형성된 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크를 준비하고,
    상기 레지스트막에 대하여 노광 및 현상 처리를 행하는 것에 의해 레지스트 패턴을 형성하고,
    상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 중간층과 상기 박막을 순차적으로 패터닝하고,
    상기 중간층은, 상기 현상 처리에 있어서의 현상액에 불용성인 것에 의해 현상 시에 패터닝되지 않고, 상기 박막을 에칭할 때에 사용하는 에천트로 에칭되는 유기재료로 이루어지고,
    상기 중간층의 막 두께는 1㎚ 이상 30㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 전사 마스크의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 중간층과 상기 박막을 패터닝 처리한 후, 상기 레지스트 패턴과 상기 중간층을 순차적으로 박리하는 것을 특징으로 하는 전사 마스크의 제조 방법.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트막에 형성되는 레지스트 패턴에는, 100㎚ 미만의 선폭의 패턴이 포함되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트막에 형성되는 레지스트 패턴에는, 어스펙트비가 3 이상인 패턴이 포함되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 부착층은, 아크릴계 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  24. 제9항에 있어서,
    상기 중간층은, 아크릴계 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
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