TWI612375B - 光學元件之製造方法、及使用該光學元件之曝光方法 - Google Patents

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Masaaki Mochida
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description

光學元件之製造方法、及使用該光學元件之曝光方法
本發明係關於一種製造使用在曝光裝置之光罩等光學元件時適用之光學元件之製造方法、及使用藉由該製造方法製造之光學元件之曝光方法。
以往，在製造此種光罩時，以光罩用基板之兩面成為平面(平坦)之方式進行加工(例如，參照專利文獻1)。此外，將此光罩使用在曝光裝置時，藉由曝光裝置具有之保持機構等支承光罩之周緣部並水平配置。
專利文獻1：日本特開2003-292346號公報
然而，在此種光罩，水平配置在曝光裝置時，有中心部附近因本身重量下垂而兩面(上面及下面)成為曲面之傾向。例如，在由縱1220mm、橫1400mm、厚13mm之長方形板狀之石英玻璃構成之光罩，亦有下垂最大之中心部撓曲約60μm之計算例。此外，若配置在曝光裝置之光罩撓曲，則會有對曝光裝置之成像性能造成影響之問題。
本發明係有鑑於上述問題而構成，其目的在於提供一種光學元件之製造方法，該光學元件之製造方法，光罩等光學元件水平配置在曝光裝置時，使該光罩等光學元件之兩面(上面及下面)成為平面，藉此可避免對曝光裝置之成像性能造成影響之事態。又，本發明之目的在於提供一種 使用藉由該製造方法製造之光學元件之曝光方法。
本發明之第1光學元件(1)之製造方法，係對光學元件用基板(9)之兩面(9b,9c)進行創成加工以成形，其特徵在於：該光學元件用基板(9)，係以周緣部(9a)被支承而大致水平地配置前之狀態下、一面(9b)成為既定凸面且另一面(9c)成為既定凹面之方式進行創成加工，據以在該周緣部(9a)被支承而大致水平地配置且中心部(9d)附近因本身重量下垂之狀態時，該兩面(9b,9c)成為大致平面；該創成加工，包含：目標形狀算出步驟，算出該光學元件用基板(9)之該既定凸面及該既定凹面之形狀；形狀測定步驟，測定在中心部(9d)附近未因本身重量下垂之狀態之該光學元件用基板(9)之該兩面(9b,9c)之形狀；負荷分布決定步驟，根據在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板(9)之該既定凸面之形狀與在該形狀測定步驟測定之在中心部(9d)附近未因本身重量下垂之狀態之該光學元件用基板(9)之該一面(9b)之形狀之差，決定作用於該光學元件用基板(9)之複數個負載區域(A)之負荷(W)之分布，且根據在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板(9)之該既定凹面之形狀與在該形狀測定步驟測定之在中心部(9d)附近未因本身重量下垂之狀態之該光學元件用基板(9)之該另一面(9c)之形狀之差，決定作用於該光學元件用基板(9)之複數個負載區域(A)之負荷(W)之分布；基板創成加工步驟，將該光學元件用基板(9)載置於研磨手段(8)之研磨面(7a)之上側，依據在該負荷分布決定步驟決定之負荷(W)之分布使負荷(W) 作用於該負載區域(A)之狀態下，使該研磨面(7a)相對於該光學元件用基板(9)移動，藉此對該光學元件用基板(9)之該一面(9b)或該另一面(9c)進行創成加工；以及形狀判定步驟，若在該基板創成加工步驟進行創成加工之該光學元件用基板(9)之該一面(9b)之形狀與在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板之該既定凸面之形狀之差、或在該基板創成加工步驟進行創成加工之該光學元件用基板(9)之該另一面(9c)之形狀與在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板(9)之該既定凹面之形狀之差落入既定容許範圍，則結束加工。
此外，此處，為了易於理解本發明，與表示實施形態之圖式之符號對應來說明，但本發明當然不限於實施形態。
根據本發明，光學元件用基板為光罩用基板之情形，光罩水平配置在曝光裝置時，該光罩之兩面(上面及下面)成為平面，因此可避免對曝光裝置之成像性能造成影響之事態。
1‧‧‧光罩(光學元件)
1a‧‧‧周緣部
1b‧‧‧上面
1c‧‧‧下面
1d‧‧‧中心部
2‧‧‧曝光裝置
5‧‧‧機體
6‧‧‧載體
6a‧‧‧導孔
7‧‧‧下定盤
7a‧‧‧研磨面
8‧‧‧單面研磨裝置(研磨手段)
9‧‧‧光罩用基板(光學元件用基板)
9a‧‧‧周緣部
9b‧‧‧上面
9c‧‧‧下面
9d‧‧‧中心部
20‧‧‧照明系
A,A1,A2,A3‧‧‧負載區域
IL‧‧‧照明光學系
MST‧‧‧光罩載台
P‧‧‧感光基板
PL‧‧‧投影光學系
PST‧‧‧基板載台
W‧‧‧重量(負荷)
圖1係顯示本發明實施形態1之光罩之圖，(a)係光罩之立體圖，(b)係光罩垂直豎立之狀態之放大側視圖，(c)係光罩水平配置在曝光裝置之狀態之放大側視圖。
圖2係顯示本發明實施形態1之光罩之製造方法之步驟之流程圖。
圖3係顯示本發明實施形態1之光罩用基板之圖，(a)係光罩用基板之俯視圖，(b)係顯示光罩用基板之負載狀態之前視圖。
圖4係顯示本發明實施形態1之光罩用基板之一次創成加工之方法之圖，(a)係單面研磨裝置之俯視圖，(b)係單面研磨裝置之前視圖。
圖5係顯示實施例1之光罩之製造方法中，用以決定重量分布之軟體之顯示畫面之一部分之圖。
圖6係顯示實施例1之光罩之製造方法中，光罩用基板之下面之形狀推移之示意圖，(a)係加工前之圖，(b)係顯示一次創成加工後之一例之圖，(c)係顯示精細研磨加工後之一例之圖，(d)係顯示精細研磨加工後之另一例之圖。
圖7係顯示實施例1之光罩之製造方法中，光罩用基板之上面之形狀推移之示意圖，(a)係加工前之圖，(b)係顯示一次創成加工後之一例之圖，(c)係顯示精細研磨加工後之一例之圖，(d)係顯示精細研磨加工後之另一例之圖。
圖8係顯示實施例1之光罩之製造方法中，光罩用基板之下面及上面之平面度推移之曲線圖表。
圖9係本發明實施形態2之方法所用之曝光裝置之概略圖。
以下，說明本發明之實施形態。
(發明之實施形態1)
圖1至圖4係本發明之實施形態1之圖。
此實施形態1之光學元件，如圖1所示，為由既定大小(例如，縱1220mm、橫1400mm、厚13mm)之長方形板狀之石英玻璃構成之光罩1，如圖1(c)所示，在曝光裝置2周緣部1a被支承之狀態下大致水平地配 置而使用。在曝光裝置2內之光罩1之保持係透過例如光罩保持具等保持部進行。
此外，此光罩1，如圖1(b)所示，在垂直豎立狀態(往縱方向或橫方向垂直延伸之狀態)下，由於本身重量不會作用在光罩1之厚度方向(亦即，水平方向)，上面1b成為既定曲率之凸面，且下面1c成為既定曲率之凹面。然而，如圖1(c)中二點鏈線所示，若光罩1在曝光裝置2周緣部1a被支承而水平配置，則本身重量作用於光罩1之厚度方向(亦即，垂直方向)，如圖1(c)中實線所示，上面1b及下面1c皆成為平面(水平面)。是以，在光罩1，與在曝光裝置2水平配置時因本身重量撓曲而上面及下面成為曲面之習知光罩不同，可避免對曝光裝置2之成像性能造成影響之事態。
在製造上述光罩1時，以光罩1之周緣部1被支承而水平配置時、光罩1之中心部1d附近因光罩1之本身重量下垂而兩面(上面1b及下面1c)成為平面之方式，預先成形為下面1c成為既定曲率之凹面且上面1b成為既定曲率之凸面。
為達成此，首先，如圖3所示，準備既定尺寸之光罩用基板(光學元件用基板)9，將此光罩用基板9之上面9b在縱橫方向分別6等分而區分成格子狀，在光罩用基板9上定義36個負載區域A(周緣部9a附近之A1、中心部9d附近之A2、A1與A2間之A3)。接著，看準光罩1水平配置時之本身重量導致之撓曲，依據圖2所示之流程圖之步驟(步驟S1~步驟S13)，藉由下述光罩用基板9之創成加工，以在周緣部9a被支承前之狀態(往縱方向或橫方向垂直延伸之狀態，或中心部9d附近未因本身重量下垂之狀態)，下面9c成為既定曲率之凹面且上面9b成為既定曲率之凸面之方式， 使光罩用基板9成形。
亦即，在此光罩用基板9之創成加工，首先，在光罩用基板9之下面9c形成既定曲率(及/或既定平面度)之凹面(步驟S1~步驟S6)。
因此，首先，在下面目標形狀算出步驟，以曝光裝置之規格或關於撓曲量之基板特性為條件，算出作為光罩用基板9之下面9c之目標之形狀(步驟S1)。
接著，移至第1下面形狀測定步驟，在光罩用基板9垂直豎立之狀態下，藉由平面度測定裝置(未圖示)測定光罩用基板9之下面9c之現在(亦即，光罩用基板9之下面9c之加工前)之形狀(步驟S2)。
之後，移至下面負荷分布決定步驟，根據光罩用基板9之下面9c之在步驟S1求出之作為目標之形狀與在步驟S2求出之現在之形狀之差，決定載置於光罩用基板9之各負載區域A之由既定大小及重量(例如，縱135mm、橫155mm、厚20mm、重量3.5kg)之長方形板狀之黃銅構成之重量(錘)W之分布(步驟S3)。
此處，為了在光罩用基板9之下面9c形成凹面，為了使光罩用基板9之中心部9d附近之加工量較周緣部9a附近多，以相較於光罩用基板9之周緣部9a附近中心部9d附近載置較多重量W以使較大負荷作用之方式決定重量W之分布。例如，如圖3所示，以在36個負載區域A中之與光罩用基板9之周緣部9a附近對應之20個負載區域A1(圖3(a)中顯示較淡之部分)分別載置2個重量W、在與光罩用基板9之中心部9d附近對應之4個負載區域A2(圖3(a)中顯示較濃之部分)分別載置4個重量W、在其餘12個負載區域A3(圖3(a)中以中間濃度顯示之部分)分別載置3個重量W之 方式，決定重量W之分布。
接著，移至下面創成加工步驟，如圖4所示，使用既定單面研磨裝置8對光罩用基板9之下面9c進行一次創成加工(步驟S4)。
亦即，此單面研磨裝置8，如圖4所示，具有機體5，圓盤狀之下定盤7以既定軸心CT1為中心往箭頭M方向旋轉驅動自如地安裝在機體5。又，較下定盤7小徑之圓盤狀之載體6以自下定盤7之軸心CT1偏心之軸心CT2為中心往箭頭N方向旋轉驅動自如地載置在下定盤7之上側。在此載體6之中央部，貫通形成有用以導引光罩用基板9之長方形之導孔6a。此外，箭頭M方向與箭頭N方向，如圖4(a)所示，為相同方向(從單面研磨裝置8上方觀察逆時針方向)。
接著，在使用此單面研磨裝置8對光罩用基板9之下面9c進行一次創成加工時，藉由在載體6之導孔6a設置光罩用基板9，在下定盤7之研磨面7a上側載置光罩用基板9後，依據在步驟S3決定之重量W之分布(亦即，相較於光罩用基板9之周緣部9a附近中心部9d附近載置較多重量W之分布)使重量W載置於光罩用基板9之負載區域A以使負荷作用。在此狀態下，對下定盤7之研磨面7a與光罩用基板9之下面9c之間供應研磨材(未圖示)，並同時使下定盤7以軸心CT1為中心往箭頭M方向以既定旋轉速度旋轉，且使載體6與光罩用基板9一起以軸心CT2為中心往箭頭N方向以大致相同之旋轉速度旋轉。如此，在上述研磨材介於下定盤7之研磨面7a與光罩用基板9之下面9c之間之狀態下，使下定盤7之研磨面7a相對於光罩用基板9之下面9c移動，光罩用基板9之下面9c藉由上述研磨材均勻地進行一次創成加工。
此時，在光罩用基板9之負載區域A，如上述，相較於光罩用基板9之周緣部9a附近中心部9d附近載置較多重量W，因此光罩用基板9之下面9c，從光罩用基板9之周緣部9a愈朝向中心部9d，藉由此一次創成加工除去之量愈多。其結果，在光罩用基板9之下面9c形成凹面。
之後，移至第2下面形狀測定步驟，與步驟S2同樣，在光罩用基板9垂直豎立之狀態下，藉由上述平面度測定裝置測定光罩用基板9之下面9c之現在(亦即，光罩用基板9之下面9c之一次創成加工後一刻)之形狀(步驟S5)。
接著，移至下面形狀判定步驟，求出作為光罩用基板9之下面9c之目標之形狀與在步驟S5求出之現在之形狀之差，判定此差是否落入既定容許範圍(步驟S6)。此外，既定容許範圍可依據謀求之加工精度任意地設定。
其結果，若此差未落入既定容許範圍，則反覆步驟S3~S6之步驟。此外，在反覆步驟時進行之步驟S3之重量W之分布決定，可根據在前一刻之下面形狀判定步驟(步驟S6)求出之作為光罩用基板9之下面9c之目標之形狀與現在之形狀(一次創成加工後一刻之形狀)之差進行。此外，若此差落入既定容許範圍，則成為在光罩用基板9之下面9c形成有既定目標值之凹面之狀態。此處，關於下面9c之既定目標值，可設為例如平面度30μm。平面度成為30μm時，下面9c成為中央部9d相對於周緣部9a凹陷30μm形狀之凹面。又，既定目標值為下面9c之曲率(縱方向之曲率、橫方向之曲率等)亦可。下面9c之曲率成為既定目標值時，下面9c成為具有該曲率之凹面。又，目標值為平面度與曲率之兩者亦可。
接著，在光罩用基板9之上面9b形成既定曲率(及/或既定平面度)之凸面(步驟S7~步驟S12)。
因此，首先，在上面目標形狀算出步驟，以曝光裝置之規格或關於撓曲量之基板特性為條件，算出作為光罩用基板9之上面9b之目標之形狀(步驟S7)。
接著，移至第1上面形狀測定步驟，在光罩用基板9垂直豎立之狀態下，藉由上述平面度測定裝置測定光罩用基板9之上面9b之現在(亦即，光罩用基板9之上面9b之加工前)之形狀(步驟S8)。
之後，移至上面負荷分布決定步驟，根據光罩用基板9之上面9b之在步驟S7求出之作為目標之形狀與在步驟S8求出之現在之形狀之差，決定載置於光罩用基板9之各負載區域A之重量W之分布(步驟S9)。
此處，為了在光罩用基板9之上面9b形成凸面，為了使光罩用基板9之周緣部9a附近之加工量較中心部9d附近多，與上述步驟S3相反地，以相較於光罩用基板9之中心部9d附近周緣部9a附近載置較多重量W以使較大負荷作用之方式決定重量W之分布。例如，如圖3所示，以在36個負載區域A中之與光罩用基板9之周緣部9a附近對應之20個負載區域A1(圖3(a)中顯示較淡之部分)分別載置4個重量W、在與光罩用基板9之中心部9d附近對應之4個負載區域A2(圖3(a)中顯示較濃之部分)分別載置2個重量W、在其餘12個負載區域A3(圖3(a)中以中間濃度顯示之部分)分別載置3個重量W之方式，決定重量W之分布。
接著，移至上面創成加工步驟，在使光罩用基板9上下反轉以使上面9b接觸單面研磨裝置8之下定盤7之研磨面7a之狀態下，藉由與 上述步驟S4相同之步驟，使用單面研磨裝置8對光罩用基板9之上面9b進行一次創成加工(步驟S10)。
此時，在光罩用基板9之負載區域A，如上述，相較於光罩用基板9之中心部9d附近周緣部9a附近載置較多重量W，因此光罩用基板9之上面9b，從光罩用基板9之中心部9d愈朝向周緣部9a，藉由此一次創成加工除去之量愈多。其結果，在光罩用基板9之上面9b形成凸面。
之後，移至第2上面形狀測定步驟，與步驟S8同樣，在光罩用基板9垂直豎立之狀態下，藉由上述平面度測定裝置測定光罩用基板9之上面9b之現在(亦即，光罩用基板9之上面9b之一次創成加工後一刻)之形狀(步驟S11)。
接著，移至上面形狀判定步驟，求出作為光罩用基板9之上面9b之目標之形狀與在步驟S11求出之現在之形狀之差，判定此差是否落入既定容許範圍(步驟S12)。此外，既定容許範圍可依據謀求之加工精度任意地設定。
其結果，若此差未落入既定容許範圍，則反覆步驟S9~S12之步驟。此外，在反覆步驟時進行之步驟S9之重量W之分布決定，可根據在前一刻之上面形狀判定步驟(步驟S12)求出之作為光罩用基板9之上面9b之目標之形狀與現在之形狀(一次創成加工後一刻之形狀)之差進行。此外，若此差落入既定容許範圍，則成為在光罩用基板9之上面9b形成有既定目標值之凸面之狀態。此處，關於上面9b之既定目標值，可設為例如平面度30μm。平面度成為30μm時，上面9b成為中央部9d相對於周緣部9a突出30μm形狀之凸面。又，既定目標值為上面9b之曲率(縱方向之曲率、 橫方向之曲率等)亦可。上面9b之曲率成為既定目標值時，上面9b成為具有該曲率之凸面。又，目標值為平面度與曲率之兩者亦可。
最後，移置基板精細研磨加工步驟，使用既定兩面研磨裝置(未圖示)對光罩用基板9之上下兩面(上面9b及下面9c)進行精細研磨加工後，將此光罩用基板9加以洗淨(步驟S13)。
此處，光罩用基板9之創成加工結束，藉由對光罩用基板9施加例如圖案化等一般使用之處理，完成光罩1。
(發明之其他實施形態)
此外，上述實施形態1中，說明在光罩用基板9上定義36個負載區域A之情形，但負載區域A之個數並不限於36個。
又，上述實施形態1中，說明使用既定尺寸之重量W之情形，但若重量W之尺寸小，則可增加負載區域A之個數。其結果，藉由極精細地決定重量W之分布，能使光罩用基板9之上面9b之凸形狀、下面9c之凹形狀進一步接近所欲之形狀(所欲之曲率及/或所欲之平面度)，藉此，光罩1水平配置在曝光裝置2內時之上面1b、下面1c之平面度進一步提升。
又，上述實施形態1中，說明使用由長方形板狀之黃銅構成之重量W之情形，但重量W之形狀或材質並不限於此。例如，準備與各負載區域A對應之容器(未圖示)，在此容器放入粉體或液體等作為重量W亦可。
又，上述實施形態1中，說明將光罩用基板9之下面9c及上面9b精細加工成凹凸面之情形。然而，不僅精細加工成凹凸面，超過單 面研磨裝置8之下定盤7之平面度之高精度平面度(例如，10μm未滿)之高精度研磨亦可。為了進行此種高精度研磨，例如，將在步驟S1、S7算出之目標形狀不設成凹面或凸面而設成平面，在步驟S3、S9根據光罩用基板9之下面9c、上面9b之現在形狀與上述目標形狀(平面)之差決定重量W之分布，依據此分布配置重量W並進行創成加工即可。
又，上述實施形態1中，說明在下面創成加工步驟(步驟S4)及上面創成加工步驟(步驟S10)使用單面研磨裝置8對光罩用基板9進行一次創成加工之情形。然而，替代使用單面研磨裝置8以外之研磨手段(例如，拋光裝置等)當然亦可。
再者，上述實施形態1中，說明光學元件為光罩1之情形。然而，只要是周緣部1a被支承之狀態下大致水平地配置時會撓曲者，則光罩1以外之光學元件(例如，半導體用標線片光罩、放射線用波面形成光學元件、投影/照明系透鏡用畸變修正光學元件等)亦可同樣地適用本發明。
(實施例)
以下，說明本發明實施形態1之實施例。此外，本發明並不限於實施例。
(實施例1)
圖5至圖8係本發明實施形態1之實施例1之圖。
準備由縱1220mm、橫1400mm、厚13mm之長方形板狀之石英玻璃構成之光罩用基板9，依據上述實施形態1之步驟製造光罩1。
此時，在下面負荷分布決定步驟(步驟S3)及上面負荷分布決定步驟(步驟S9)，使用支援重量W分布之決定之軟體S。此軟體S，如圖5 所示，取得作為光罩用基板9之下面9c及上面9b之目標之形狀與現在形狀之差作為輸入資料，將該差以顏色不同之方式顯示在第1顯示區域D1。又，在顯示區域D1顯示平面度之資料亦可。接著，根據此輸入資料，算出載置於光罩用基板9之各負載區域A之重量W之個數後，作為輸出資料，就各負載區域A分別將重量W之個數以顏色不同之方式顯示在第2顯示區域D2。此外，以上述方式顯示之輸出資料，若有必要，可藉由作業者之判斷以徒手作業加以變更。藉此，例如，視需要可對輸出資料施加微調整等。
此外，本實施例中，光罩用基板9之下面9c及上面9b之目標值，皆為平面度30μm。亦即，將下面9c之目標形狀設為中央部9d相對於周緣部9a凹陷30μm之既定曲率之凹面，將上面9b之目標形狀設為中央部9d相對於周緣部9a突出30μm之既定曲率之凸面。本實施例中，為了達成上述目標值，光罩用基板9之一次創成加工，下面9c、上面9b皆必須進行八次。又，光罩用基板9之精細研磨加工，下面9c、上面9b皆進行七次。
在上述光罩1之製造，調查光罩用基板9之下面9c及上面9b之平面度及形狀之推移。
其結果，關於光罩用基板9之下面9c，如圖6所示，確認了隨著一次創成加工及精細研磨加工之進行而接近既定曲率之凹面。此處，由於在顯示區域D1依據下面9c之現在形狀與平面之差分顯示不同顏色，因此若下面9c成為既定曲率之凹面，則可理解在顯示區域D1出現同心圓狀之配色。此處，在加工前之狀態，如圖6(a)所示，從與既定曲率之凹面對應之同心圓狀之配色偏離之不規則配色顯示在軟體S之第1顯示區域 D1，相對於此，在顯示一次創成加工後之狀態之一例之圖6(b)、及顯示精細研磨加工後之狀態之一例之圖6(c)或另一例之圖6(d)中，和與既定曲率之凹面對應之同心圓狀之配色接近之配色顯示在軟體S之第1顯示區域D1。
又，關於光罩用基板9之上面9b，如圖7所示，確認了隨著一次創成加工及精細研磨加工之進行而接近既定曲率之凸面。亦即，在加工前之狀態，如圖7(a)所示，從與既定曲率之凸面對應之同心圓狀之配色偏離之不規則配色顯示在軟體S之第1顯示區域D1，相對於此，在顯示一次創成加工後之狀態之一例之圖7(b)、及顯示精細研磨加工後之狀態之一例之圖7(c)或另一例之圖7(d)中，和與既定曲率之凸面對應之同心圓狀之配色接近之配色顯示在軟體S之第1顯示區域D1。
圖8之曲線圖表係細部顯示此光罩用基板9之下面9c及上面9b之平面度之推移。此曲線圖表中，橫軸表示時間(加工次數)，縱軸表示平面度(單位：μm)。從此曲線圖表可知下述傾向，在光罩用基板9，下面9c、上面9b皆在反覆一次創成加工中，平面度接近目標值之30μm，藉由精細研磨加工，大致維持該目標值。
(變形例)
此外，上述實施例1中，說明在製造光罩1時，在下面負荷分布決定步驟(步驟S3)及上面負荷分布決定步驟(步驟S9)在第1顯示區域D1顯示平面度之資料之情形。然而，在此第1顯示區域D1，替代直接顯示平面度之資料，例如，如上述，顯示從在下面形狀判定步驟(步驟S6)及上面形狀判定步驟(步驟S12)設定之目標值減去該資料之值亦可。如此，儘管實際上精細加工成凹凸面，但在軟體S上顯示成與精細加工成平坦之一般研磨相同， 因此即使精細加工成凹凸面，亦可避免作業者混亂產生作業失誤之事態。
(發明之實施形態2)
接著，作為實施形態2，參照圖9說明使用實施形態1之光罩1使感光基板P曝光之方法。
光罩1(圖1)，作為一例，對使用實施形態1之光學元件之製造方法而下面9c形成為既定曲率之凹面且上面9b形成為既定曲率之凸面之光罩用基板9施加鉻成膜、光阻塗布、曝光/顯影、鉻膜蝕刻、光阻剝離、缺陷修正、薄膜黏貼等處理而獲得。以上述方式獲得之光罩1，作為一例，在下面1c形成有電路圖案等既定圖案。
上述處理，可在光罩用基板9(圖3)配置成周緣部9a被支承且下面9c、上面9b往水平方向延伸之狀態下進行。此時，光罩用基板9因本身重量而中心部9d附近下垂，下面9c、上面9b皆成為平面(水平面)。因此，本實施形態中，對光罩用基板9之鉻成膜、光阻塗布、曝光/顯影等上述處理不會受到光罩用基板9之撓曲導致之形狀變化之影響，能在較佳狀態進行。
接著，將藉由上述步驟製造之光罩1載置在圖9顯示概略構成之曝光裝置2並照射曝光用光EL，將形成在光罩1之電路圖案等投影曝光至感光基板P等之上。
曝光裝置2，如圖9所示，具備支承光罩1之光罩載台MST、支承感光基板P之基板載台PST、以曝光用光EL照明光罩載台MST所支承之光罩1之照明光學系IL、將曝光用光EL照明之光罩1之電路圖案等投影曝光至基板載台PST所支承之感光基板P之投影光學系PL。光罩載台 MST在投影光學系PL之物體面側支承光罩1，基板載台PST在投影光學系PL之像面側支承感光基板P。本實施形態中，照明光學系IL係藉由複數個(五個)照明系模組(未圖示)構成，投影光學系PL亦與照明系模組之數量對應地具有複數個(五個)投影光學系PLa~PLe。投影光學系PLa~PLe之各個與五個照明系模組之各個對應地配置。藉由上述構成，本實施形態之曝光裝置2中，使光罩1與感光基板P相對於此投影光學系PL往既定方向同步移動並同時以曝光用光EL照明光罩1，使形成在光罩1之下面1c之電路圖案等曝光在感光基板P。亦即，本實施形態之曝光裝置2為所謂多透鏡掃描型曝光裝置。
此處，光罩1，係使用下面9c形成為既定曲率之凹面且上面9b形成為既定曲率之凸面之光罩用基板9(圖3)形成，因此在光罩載台MST，圖案面(下面1c)與上面1b皆配置成成為平面(水平面)。是以，在使用光罩1之曝光方法，可防止起因於光罩1之撓曲之成像性能之劣化。
此外，圖9所示之曝光裝置2雖為多透鏡掃描型曝光裝置，但曝光裝置為具有一個投影光學系且使光罩1與感光基板P同步移動以使光罩1之圖案曝光之掃描型曝光裝置亦可，亦可適用於在使光罩1與感光基板P靜止之狀態下使光罩1之圖案曝光且使感光基板P依序步進移動之步進重複型曝光裝置。
本申請根據2012年8月9日申請之日本專利申請第2012-177069號主張優先權，將日本專利申請第2012-177069號之所有內容援引於本申請。
本發明可廣泛地適用於製造使用在曝光裝置之光罩等之光 學元件時。又，即使在使用製造出之光學元件之曝光方法亦可廣泛地適用。
9‧‧‧光罩用基板(光學元件用基板)
9a‧‧‧周緣部
9b‧‧‧上面
9c‧‧‧下面
9d‧‧‧中心部
A,A1,A2,A3‧‧‧負載區域
W‧‧‧重量(負荷)

Claims (11)

  1. 一種光學元件之製造方法，係對光學元件用基板之兩面進行創成加工以成形，其特徵在於：該光學元件用基板，係以在支承周緣部配置成大致水平前之狀態下、一面成為既定凸面且另一面成為既定凹面之方式被創成加工，以在支承該周緣部配置成大致水平且中心部附近因本身重量下垂之狀態時，該兩面成為大致平面；該創成加工，包含：目標形狀算出步驟，算出該光學元件用基板之該既定凸面及該既定凹面之形狀；形狀測定步驟，測定在中心部附近未因本身重量下垂之狀態下該光學元件用基板之該兩面之形狀；負荷分布決定步驟，根據在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板之該既定凸面之形狀與在該形狀測定步驟測定之在中心部附近未因本身重量下垂之狀態下該光學元件用基板之該一面之形狀之差，決定作用於該光學元件用基板之複數個負載區域之負荷之分布，且根據在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板之該既定凹面之形狀與在該形狀測定步驟測定之在中心部附近未因本身重量下垂之狀態下該光學元件用基板之該另一面之形狀之差，決定作用於該光學元件用基板之複數個負載區域之負荷之分布；基板創成加工步驟，將該光學元件用基板載置於研磨手段之研磨面上側，依據在該負荷分布決定步驟決定之負荷之分布使負荷作用於該負載區 域之狀態下，使該研磨面相對於該光學元件用基板移動，藉此對該光學元件用基板之該一面或該另一面進行創成加工；以及形狀判定步驟，若在該基板創成加工步驟進行創成加工之該光學元件用基板之該一面之形狀與在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板之該既定凸面之形狀之差、或在該基板創成加工步驟進行創成加工之該光學元件用基板之該另一面之形狀與在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板之該既定凹面之形狀之差落入既定容許範圍，即結束加工。
  2. 如申請專利範圍第1項之光學元件之製造方法，其中，該既定凸面為既定曲率之凸面，該既定凹面為既定曲率之凹面。
  3. 一種光學元件之製造方法，係對光學元件用基板之兩面進行創成加工以成形，其特徵在於：該光學元件用基板，係以在支承周緣部配置成大致水平前之狀態下、一面成為既定凸面且另一面成為既定凹面之方式被創成加工，以在支承該周緣部配置成大致水平且中心部附近因本身重量下垂之狀態時，該兩面成為大致平面；該創成加工，包含：目標形狀算出步驟，算出該光學元件用基板之該既定凸面及該既定凹面之形狀；形狀測定步驟，測定在中心部附近未因本身重量下垂之狀態下該光學元件用基板之該兩面之形狀；負荷分布決定步驟，根據在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板之該既定凸面之形狀與在該形狀測定步驟測定之在中心部附近未因本 身重量下垂之狀態下該光學元件用基板之該一面之形狀之差，決定作用於該光學元件用基板之複數個負載區域之負荷之分布，且根據在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板之該既定凹面之形狀與在該形狀測定步驟測定之在中心部附近未因本身重量下垂之狀態下該光學元件用基板之該另一面之形狀之差，決定作用於該光學元件用基板之複數個負載區域之負荷之分布；第1基板創成加工步驟，將該光學元件用基板載置於研磨手段之研磨面上側，依據在該負荷分布決定步驟決定之負荷之分布使負荷作用於該負載區域之狀態下，使該研磨面相對於該光學元件用基板移動，藉此對該光學元件用基板之該一面或該另一面之任一者進行創成加工；第1形狀判定步驟，若在該第1基板創成加工步驟進行創成加工之該光學元件用基板之該一面或該另一面之任一者之形狀與對應該光學元件用基板之該面之在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板之該既定凸面或該既定凹面之形狀之差落入既定容許範圍，即結束第1加工；第2基板創成加工步驟，將該光學元件用基板載置於研磨手段之研磨面上側，依據在該負荷分布決定步驟決定之負荷之分布使負荷作用於該負載區域之狀態下，使該研磨面相對於該光學元件用基板移動，藉此對該光學元件用基板之該一面或該另一面之另一者進行創成加工；以及第2形狀判定步驟，若在該第2基板創成加工步驟進行創成加工之該光學元件用基板之該一面或該另一面之另一者之形狀與對應該光學元件用基板之該面之在該目標形狀算出步驟算出之該光學元件用基板之該既定凸面或該既定凹面之形狀之差落入既定容許範圍，即結束第2加工。
  4. 如申請專利範圍第3項之光學元件之製造方法，其中，該既定凸面為既定曲率之凸面，該既定凹面為既定曲率之凹面。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光學元件之製造方法，其中，在該基板創成加工步驟，係以作用於該負載區域之負荷之大小在該光學元件用基板之中心部與周緣部不同之方式，使負荷作用於該負載區域。
  6. 如申請專利範圍第5項之光學元件之製造方法，其中，在該基板創成加工步驟，作用於該光學元件用基板之中心部之該負載區域之該負荷之大小較作用於該光學元件用基板之周緣部之該負載區域之該負荷之大小大。
  7. 如申請專利範圍第5項之光學元件之製造方法，其中，在該基板創成加工步驟，作用於該光學元件用基板之周緣部之該負載區域之該負荷之大小較作用於該光學元件用基板之中心部之該負載區域之該負荷之大小大。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光學元件之製造方法，其中，在該基板創成加工步驟，係藉由使重量載置於該負載區域，在使負荷作用於該負載區域之狀態下，對該光學元件用基板之該一面或該另一面進行創成加工。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光學元件之製造方法，其中，該光學元件用基板為矩形。
  10. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光學元件之製造方法，其中，該光學元件用基板為光罩用基板。
  11. 一種曝光方法，係透過投影光學系將圖案之像投影至基板上，藉此使該基板曝光，其特徵在於，包含：將該圖案配置在該投影光學系之物體面側之動作；以及 對該圖案照射曝光用光之動作；該圖案係形成在以申請專利範圍第1至10項中任一項之光學元件之製造方法製造出之光學元件。
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