JP2007148300A - パターンニング方法とこれに用いられる近接露光用の原版マスク、およびカラーフィルタ基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅をＰＢ処理において６μｍレベル線幅と微細化して形成することができるパターニング方法を提供する。
【解決手段】 原版マスクを用いて、近接露光により、前記ネガ型の感光材を露光し、所定の現像処理を行い、更に必要に応じて後処理（ＰＢ処理）を行うことにより、前記ラインパターンを形成するものであり、前記原版マスクは、前記ラインパターン形成領域を、ライン状の開口の中に、該開口の幅より狭く、現像処理後において解像されない、遮光性の補助パターンを配設した形状のパターンとするもので、現像処理後において、前記ライン状の開口の幅よりも小さい幅のラインパターンを形成するものである。
【選択図】 図１

Description

本発明は、近接露光方法を用いるフォトリソ法により、基板の一面に配設されたネガ型の感光材からラインパターンを形成するためのパターンニング方法に関し、特に、液晶表示装置用のカラーフィルタ基板の一面に、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンを形成するためのパターンニング方法とこれに用いられる近接露光用の原版マスク、および該パターンニング方法により作製された液晶表示装置用のカラーフィルタ基板に関する。

近年、液晶用表示装置やプラズマディスプレイ装置の実用化は盛んで、ますます、その量産化が要求されており、大型化の要求も強い。
これに伴い、液晶用表示装置用のカラーフィルタを形成したガラス基板からなる液晶表示パネルおよびプラズマディスプレイ装置用の表示パネル等に用いられるガラス基板からなる表示パネルの作製も、大サイズ化したガラス基板での量産化対応が必要となってきた。
大サイズ化したガラス基板へのフォトリソ法によるパターニングは、量産性や品質面（歩留り面）から投影露光が前提となるが、以下のような制約や問題がある。
（１）原版（マスク）から直接、等倍で、転写露光して大サイズのガラス基板へパターニングを行う場合には、大サイズの原版用のガラス基板が必要となるが、このガラス基板としてはＱＺ（石英ガラス）のような高価な低膨張ガラス基板であることが必要で、且つ、フラットネス（平坦性）が良いことが要求され、大サイズ化に伴いガラス基板の製造自体に時間や費用が大幅にかかるようになるため、従来は生産の対象とはならずガラス基板の入手自体が難しかった。
（２）また、大サイズの原版の作製を精度良く短時間で作製することは基本的に困難である。
精度良く描画するには、温度、位置精度を精度良く管理できる大サイズ描画用のＥＢ（電子ビーム）描画機等等の高価な描画装置が必要で、且つ、大サイズ描画であるため描画時間がかかり、パターン描画のコストアップにもつながってしまう。
（３）そして、投影露光による転写では原版は、その周囲を保持して固定されるため、原版が大サイズになるにしたがい自重による原版自身のベンド（たわみ）量が増大し、サイズが大き過ぎると適性な転写画像を得ることが難しくなる。
そして、原版のサイズが大型化するにしたがい原版と露光される基板（ガラス基板）とのギヤップを原版全面で使用できる範囲で保持することが難しくなり、原版の大サイズ化にも限界がある。
（４）レンズ投影ステッパー及びミラープロジエクションステッパー（ＭＰＡ：Ｍｉｒｒｏｒ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ａｌｉｇｎｅｒとも言う）を用いて大サイズのガラス基板へパターニングを行う場合には、スループットが低くなり、且つ、装置が高価となってしまうという問題がある。

このため、従来は、例えば、ステップ露光方式で、且つ、近接露光（プロキシミティ露光）方式を採り入れた、特開平９−１２７７０２号公報に記載される、図６に示すような露光装置を用い、近接露光（プロキシミティ露光とも言う）により、相対的に原版とパターニングされる大サイズのガラス基板との位置を移動させ、原版の絵柄をずらして露光、即ちステップ露光して、パターニングを行なっていた。
特開平９−１２７７０２号公報 この方法は、原版と大サイズのガラス基板とを、それぞれの面が水平方向になるようにし、所定のギャップを保った状態で、原版の背面から平行光を当てる露光方法であるが、原版のサイズは、そのたわみ（ベントとも言う）の影響を考慮したものである。 尚、図６において、図６（ａ）は露光装置の断面図で、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＥ１−Ｅ２から見た上面図の概略図であり、図７は光源部の概略構成図である。 図６、図７中、６００は露光装置、６１０はステージ、６１１はＸ駆動部、６１２はＹ駆動部、６１３はＺ駆動部、６１４はθ駆動部、６１５は基板保持部、６１５Ａは３点アオリ調整部、６１５Ｂは基板リフトアップ部、６１６はマスク保持部、６１６Ａはマスクの落下防止、６２０はガラス基板供給ロボット、６２０Ａはハンド部、６２１はガラス基板排用ロボット、６２１Ａはハンド部、６３０はガラス基板（ワーク）、６４０はマスク（原版）、６５０は光源部、６５０Ａは光源、６７０はギヤップセンサー、６８０はスコープ、６９０はエッジセンサー、ｍ１、ｍ２、ｍ３は反射鏡、ｓはシヤッター、ｌはフライアイレンズである。 尚、全体を分かり易くするため、図６（ａ）、図６（ｂ）においては光学系を簡略ないし省略して示している。 また、図６に示す露光装置は、Ｙ方向に平行にその開口境界を設け、それぞれ、独立してＸ方向移動できる１対のＸ方向移動マスキングアパーチャ（遮光板とも言う、図示していない）を備えたシャッターである。

更に詳しくは、図６に示す装置は、ガラス基板６３０を、感光材面を上にして保持して、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸方向及びθ方向に微動制御でき、且つ、少なくともＸ、Ｙ方向の１方向に所定の距離だけステップ移動できるステージと、ガラス基板６３０上側にマスク（原版）６４０をマスク面を下にして保持するマスク保持部６１６と、マスク（原版）６４０の裏面かガラス基板６３０側へ露光光を照射するための光源部６５０（詳細は図６に示す）とを有し、マスク（原版）６３０の絵柄を等倍にて、露光する位置をずらして複数回、露光転写するための露光装置であり、ステージ６１０上のガラス基板６３０と、マスク（原版）６４０との位置合せを自動で行う自動アライメント機構と、原版の絵柄領域を遮蔽することにより露光領域を制御する露光領域制御機構と、該基板と原版とのギヤップを制御するギヤップ制御機構とを備えている。
そして、ガラス基板６３０とマスク（原版）６４０とを近接させ、間隔を所定のギヤップに保ちながら露光を行う近接露光にて、ガラス基板６３０を所定のピッチでステップ移動させ、複数の位置にてマスク（原版）６４０を介してガラス基板６３０への露光を行い、マスク原版６４０の絵柄をガラス基板６３０に転写露光するものである。
尚、マスク（原版）６４０は、転写に際してのたわみが許容範囲内となるサイズである。

あるいは、特開平０９−１４１８０４号公報に記載されるような、マスク原版の自重によるたわみを考慮し、上記図６に示す露光装置を、マスク原版やガラス基板の面が鉛直方向に沿うように回転して配した露光装置が用いられるようになってきた。
特開平０９−１４１８０４号公報 実用レベルでは、先の図６に示す露光装置が用いられているのが実際である。

一方、液晶表示装置においては、ますます、その画像品質の向上、精細化が求められており、最近では、液晶表示装置用のカラーフィルタ基板においては、ブラックストライプあるいはブラックマトリクスのラインパターンの幅も６μｍレベルが要求されるようになってきた。
しかしながら、従来の近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法では、ブラックマトリクスのラインパターンの幅を６μｍレベル線幅と微細化することができず問題となっていた。
尚、レンズ投影ステッパー及びミラープロジエクションステッパー（ＭＰＡ：Ｍｉｒｒｏｒ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ａｌｉｇｎｅｒとも言う）を用いた場合には、６μｍレベル線幅と微細化することはできるが、スループットが低くなり、且つ、装置が高価となってしまうという問題がある。
このため、近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅を６μｍレベル線幅と微細化して形成することが求められていた。
尚、ここでは、６μｍレベルとは、６μｍ±１μｍの範囲のことを言っている。

上記のように、最近では、液晶表示装置用のカラーフィルタ基板においては、ブラックストライプあるいはブラックマトリクスのラインパターンの幅も６μｍレベルが要求されるようになってきたため、近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅を６μｍレベル線幅と微細化して形成することが求められていた。
本発明は、これに対応するもので、近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅を後処理（ＰＢ処理のこと、ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｉｎｇ）後において６μｍレベル線幅と微細化して形成することができるパターニング方法を提供しようとするものである。
同時に、そのようなパターニング方法に用いられる原版マスク、および、そのようなパターニング方法により、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンが形成された液晶表示装置用のカラーフィルタ基板を提供しようとするものである。

本発明のパターンニング方法は、基板の一面に配設されたネガ型の感光材でフォトリソ法により、ラインパターンを形成するためのパターンニング方法であって、原版マスクを用いて、近接露光により、前記ネガ型の感光材を露光し、所定の現像処理を行い、更に必要に応じて後処理（ＰＢ処理）を行うことにより、前記ラインパターンを形成するものであり、前記原版マスクは、前記ラインパターン形成領域を、ライン状の開口の中に、該開口の幅より狭く、現像処理後において解像されない、遮光性あるいは半遮光性（ハーフトーンとも言う）の補助パターンを配設した形状のパターンとするもので、現像処理後において、前記ライン状の開口の幅よりも小さい幅の前記ラインパターンを形成するものであることを特徴とするものである。
そして、上記のパターンニング方法であって、基板がカラーフィルタ形成用基板で、前記ラインパターンがブラックストライプあるいはブラックマトリクスを形成するためのラインパターンであることを特徴とするものである。

また、上記いずれかのパターンニング方法であって、前記補助パターンは、遮光性の１本のライン状のパターンで、前記ライン状の開口の幅方向中央に配置されていることを特徴とするものであり、前記ライン状の開口の幅をＷ０とし、前記遮光性の補助パターンの幅をＷｃとし、現像処理後、形成されるラインパターンの幅をＷ１として、予め、所定のプロセス条件において、各種値のＷ０、Ｗｃに対し、それぞれ、対応するＷ１の値を求めて、これらの値を関連付けてデータ化したデータベースを求めておき、該データベースから、所望のＷ１の値を得るための、好適な値のＷ０、Ｗｃの組を求め、該好適な値のＷ０、Ｗｃの組でラインパターンを形成した原版マスクを用いて、前期所定のプロセス条件においてパターニングを行うことを特徴とするものである。
あるいは、上記いずれかのパターンニング方法であって、前記補助パターンは、遮光性の２本あるいは３本のライン状のパターンで、前記ライン状の開口の幅方向に配列して配置されていることを特徴とするものであり、更に、補助パターンの本数をｎ本（ｎ＝２、３）とした場合、該補助パターンの幅を、請求項４におけるＷｃの１／Ｎとしたことを特徴とするものである。
あるいは、上記いずれかのパターンニング方法であって、前記補助パターンは、遮光性の、破線状のパターンであることを特徴とするものである。
あるいは、上記いずれかのパターンニング方法であって、前記補助パターンは、半遮光性のライン状のパターンあるいは半遮光性の破線状のパターンであることを特徴とするものである。
また、上記いずれか１項に記載のパターンニング方法であって、形成されるラインパターンは後処理（ＰＢ処理）後において、ライン幅が６μｍレベルであることを特徴とするものである。
尚、ここでは、ライン状とは一方向に連続する直線形状を意味する。
また、ここでの後処理とは、単にＰＢ処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｉｎｇ）とも言われるものである。

本発明のカラーフィルタ基板は、カラーフィルタ基板であって、ブラックストライプあるいはブラックマトリクスのラインパターンが、請求項２ないし９のパターンニング方法により形成されていることを特徴とするものである。

本発明の近接露光用の原版マスクは、基板の一面に配設されたネガ型の感光材でフォトリソ法により、ラインパターンを形成するためのパターンニング方法で、且つ、原版マスクを用いて、近接露光により、前記ネガ型の感光材を露光し、所定の現像処理を行い、更に必要に応じて後処理（ＰＢ処理）を行うことにより、前記ラインパターンを形成するパターンニングに、用いられる原版マスクであって、前記ラインパターンを形成する領域を、ライン状の開口の中に、該開口の幅より狭く、現像処理後において解像されない、遮光性あるいは半遮光性（ハーフトーンとも言う）の補助パターンを配設した形状のパターンとするものであることを特徴とするものである。
そして、上記の近接露光用の原版マスクであって、前記補助パターンは、遮光性の１本のライン状のパターンで、前記ライン状の開口の幅方向中央に配置されていることを特徴とするものであり、前記ライン状の開口の幅をＷ０とし、前記遮光性の補助パターンの幅をＷｃとし、現像処理後、形成されるラインパターンの幅をＷ１として、予め、所定のプロセス条件において、各種値のＷ０、Ｗｃに対し、それぞれ、対応するＷ１の値を求めて、これらの値を関連付けてデータ化したデータベースを求めておき、該データベースから、所望のＷ１の値を得るための、好適な値のＷ０、Ｗｃの組を求め、該好適な値のＷ０、Ｗｃの組でラインパターンを形成していることを特徴とするものである。
あるいは、上記の近接露光用の原版マスクであって、前記補助パターンは、遮光性の２本あるいは３本のライン状のパターンで、前記ライン状の開口の幅方向に配列して配置されていることを特徴とするものであり、補助パターンの本数をｎ本（ｎ＝２、３）とした場合、該補助パターンの幅を、請求項１３における好適な値のＷｃの１／Ｎとしたことを特徴とするものである。
あるいはまた、上記の近接露光用の原版マスクであって、前記補助パターンは、遮光性の、破線状のパターンであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記の近接露光用の原版マスクであって、前記補助パターンは、半遮光性のライン状のパターンあるいは半遮光性の破線状のパターンであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの近接露光用の原版マスクであって、ライン幅が６μｍレベルのラインパターン形成用であることを特徴とするものである。
上記いずれかの近接露光用の原版マスクであって、前記ラインパターンを第１のラインパターンとして、該第１のラインパターンと、これに直交する方向に設けられた十分に幅広のライン状の開口を有する第２ラインパターンとは、交差して交差部を有するもので、前記交差部の各コーナー部に対応する、現像処理後の前記ネガ型の感光材の形状が、前記交差部に対応する交差部相当部の外側に、該交差部相当部側に凹状に出っ張り、なめらかなＲ状になる、パターン補正を、前記交差部の各コーナー部に入れていることを特徴とするものであり、前記交差部の各コーナー部に、各ラインパターンに繋がる三角状の開口部を付加したパターン補正がなされていることを特徴とするものである。
尚、ここで、「十分に幅広のライン状の開口」とは、第１のラインパターンのように遮光性の補助パターンを配設した形状とする必要がない程度に、幅広の開口を意味する。

（作用）
原版マスクを用いて、近接露光により、前記ネガ型の感光材を露光し、所定の現像処理を行い、更に必要に応じて後処理（ＰＢ処理）を行うことにより、前記ラインパターンを形成するものであり、前記原版マスクは、前記ラインパターン形成領域を、ライン状の開口の中に、該開口の幅より狭く、現像処理後において解像されない、遮光性の補助パターンを配設した形状のパターンとするもので、現像処理後において、前記ライン状の開口の幅よりも小さい幅のラインパターンを形成するものである請求項１の構成とすることにより、近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ラインパターンの精細化に対応できるものとしている。
詳しくは、現像処理後において、前記補助パターンの形状は解像されない条件下で、このような補助パターンをこれより広幅のライン状の開口の中に、配設した原版マスクを用いて近接露光を行うことにより、現像後に形成されるラインパターンの幅を広げずに、且つ、前記形成されるラインパターンの開口の両エッジライン位置における前記感光材に照射される光強度の傾きを大きいものとするもので、結局、補助パターンを配設したことにより、感光材に照射される光強度分布を変化させて、補助パターンを用いない従来の近接露光方法に比べて、解像性を向上させている。
そして、基板がカラーフィルタ形成用基板で、前記ラインパターンがブラックストライプあるいはブラックマトリクスを形成するためのラインパターンである請求項２の構成とすることにより、特に、近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法で、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅を後処理（ＰＢ処理）後において６μｍレベル線幅と微細化して形成することができるパターニング方法の提供を可能としている。

補助パターンとしては、遮光性の１本のラインパターンで、前記ライン状の開口の幅方向中央に配置されているものが挙げられるが、このような形状のものはパターン形成が容易で汎用性がある。
この場合、遮光性の補助パターンの幅をＷｃとし、現像処理後、形成されるラインパターンの幅をＷ１として、予め、所定のプロセス条件において、各種値のＷ０、Ｗｃに対し、それぞれ、対応するＷ１の値を求めて、これらの値を関連付けてデータ化したデータベースを求めておき、該データベースから、所望のＷ１の値を得るための、好適な値のＷ０、Ｗｃの組を求め、該好適な値のＷ０、Ｗｃの組でラインパターンを形成した原版マスクを用いて、前期所定のプロセス条件においてパターニングを行う請求項４の構成とすることにより、所望のＷ１の値に対し、確実に、早く、好適な値のＷ０、Ｗｃの組を、簡単に得ることができるものとしている。
特に、形成されるラインパターンが後処理（ＰＢ処理）においてライン幅が６μｍレベルである場合には、生産性、品質面から有用である。
また、補助パターンは、遮光性の２本あるいは３本のライン状のパターンで、ライン状の開口の幅方向に配列して配置されている、請求項５の構成とする形態も挙げられる。
遮光性の補助パターンを１本とした請求項１の構成の場合には、ライン幅方向の光強度分布には、図３に示すように、その相対強度のメインピークＰ０ではないサブピークＰ１１、Ｐ１２があり、プロセス条件のばらつきによっては、この部分にパターンが形成されてしまうことがあるが、遮光性の２本あるいは３本のライン状のパターンを補助パターンとして設けることにより、サブピークのない光強度分布とし、このような余分なパターンの発生をないものとできる。
特に、補助パターンの本数をｎ本（ｎ＝２、３）とした場合、該補助パターンの幅を、請求項４におけるＷｃの１／Ｎとした、請求項６の構成とすることにより、ライン幅方向の光強度分布において、メインピークの形状を、請求項４の場合とほとんど変えずに、サブピークをなくすことができる。
また、補助パターンは、遮光性の、破線状のパターンである、請求項７の構成とすることにより、あるいは、半遮光性のライン状のパターンあるいは半遮光性の破線状のパターンである、請求項８の構成とすることにより、補助パターンが遮光性のパターンである場合に比べて、パターン幅を大きくすることを可能としている。
特に、形成されるラインパターンは後処理（ＰＢ処理）後において、ライン幅が６μｍレベルである場合には、有効である。
尚、ライン幅方向の光強度分布を調整するために、特に、サブピークのない光強度分布とするために、補助パターンを４本以上としても良い。

本発明のカラーフィルター基板は、このような構成にすることにより、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅を６μｍレベル線幅と微細化して、且つ、量産性に向いたものとしている。

本発明の近接露光用の原版マスクは、このような構成にすることにより、上記、本発明の近接露光方法に供される原版マスクの提供を可能としている。
特に、第１のラインパターンと、これに直交する方向に設けられた十分に幅広のライン状の開口を有する第２ラインパターンとは、交差して交差部を有するもので、前記交差部の各コーナー部に対応する、現像処理後の前記ネガ型の感光材の形状が、前記交差部に対応する交差部相当部の外側に、該交差部相当部側に凹状に出っ張り、なめらかなＲ状になる、パターン補正を、前記交差部の各コーナー部に入れていることにより、露光の際、補正を入れない場合に比べて、該コーナー相当部側の露光量は大きくなり、また、該コーナー相当部側に凹のなめらかなＲ状になるようにしているため、剥れにくいものできる。
具体的には、前記交差部の各コーナー部に、各ラインパターンに繋がる三角状の開口部を付加したパターン補正がなされている形態が挙げられる。
このような原版マスクを用いることにより、結局、１方ラインが６μｍレベルで他方のラインが十分に幅広のブラックマトリクスを近接露光方法により形成する場合において、１方のラインを６μｍレベルで形成でき、且つ、形成されるブラックマトリクスの交差部のコーナー部における剥れがおき難くすることを可能としている。

本発明は、上記のように、近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅を、後処理（ＰＢ処理）において６μｍレベル線幅と微細化して形成することができるパターニング方法の提供を可能とした。
更に、一方ラインが６μｍレベルで他方のラインが十分に幅広のブラックマトリクスを近接露光方法により形成する場合において、一方のラインを６μｍレベルで形成でき、且つ、形成されるブラックマトリクスの交差部のコーナー部における剥れがおき難くすることを可能とした。
同時に、そのようなパターニング方法により、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンが形成された液晶表示装置用のカラーフィルタ基板の提供を可能とした。

本発明の実施の形態例を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明のパターニング方法の実施の形態例の露光工程断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す原版マスクをＡ０側から見たラインパターン図で、図１（ｃ）は現像後のラインパターンの断面形状を示した図で、図２は本発明のパターニング方法の実施の形態例の処理フロー図で、図３は図１における原版マスクのラインパターン形成用パターンにおけるＷ０、Ｗｃの各寸法におけるライン幅方向の光強度分布を計算（シュミレーション計算）により求めて、それぞれ、相対強度で示した図で、図４（ａ）は従来の露光工程断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）に示す原版マスクをＢ０側から見たラインパターン図で、図４（ｃ）は現像後のラインパターンの断面形状を示した図で、図５は図４における原版マスクのラインパターン形成用パターンにおけるＷ０１の各寸法におけるライン幅方向の光強度分布を計算（シュミレーション計算）により求めて、それぞれ、相対強度で示した図で、図８は、基板上での光強度分布の計算を説明するための図で、マスク開口３１１の任意の点Ｑと基板上の任意の点Ｐの位置関係を示した概略図で、図９（ａ）は原版マスクを示した平面図で、図９（ｂ）は図９（ａ）に示す原版マスクを用いた場合の、現像後の感光材層のパターニング状態を示した平面図で、図１０（ａ）は原版マスクを示した平面図で、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示す原版マスクを用いた場合の、現像後の感光材層のパターニング状態を示した平面図で、図１１（ａ）は本発明のパターニング方法の他の実施の形態例の露光工程断面図で、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示す原版マスクをＤ０側から見たラインパターン図で、図１２（ａ）〜図１２（ｆ）は各種の補助パターンを示した図で、図１３は図１２（ｄ）、図１２（ｆ）に対応するライン幅方向の光強度分布を計算（シュミレーション計算）により求めて示したグラフの図である。
尚、図１（ａ）は図１（ｂ）におけるＡ１−Ａ２方向での断面図で、図４（ａ）は図４（ｂ）におけるＢ１−Ｂ２方向での断面図である。
また、図２におけるＳ１１〜Ｓ１８、Ｓ２１〜Ｓ２２は処理ステップを示す。
また、図３、図５における相対強度はｉ線（波長３５６ｎｍ）換算による。
図１〜図５、図８〜図１０中、１１０、１１０ａ、１１０ｂは原版マスク（単にマスクとも言う）、１１１は基板、１１２は遮光膜、１１５、１１６は開口パターン部（ライン状の開口パターン部とも言う）、１１７、１１７ａ、１１７ｂは（遮光性のライン状の）補助パターン部、１１７Ａ、１１７Ａａ、１１７Ａｂは（遮光性の破線状の）補助パターン部、１１７Ｂ、１１７Ｂａ、１１７Ｂｂは（半遮光性のライン状の）補助パターン部、１２０は被露光基板（単に基板とも言う）、１２１は透明基板（基材とも言う）、１２２は感光材、１３０は露光光、１５０は第１のライン状のパターン、１６０は第２のライン状のパターン、１７０は交差部、１７５はコーナー部、２１０は感光材、２２０は透明基板部、２５０は（第１のライン状のパターンに対応する）感光材パターン、２６０は（第２のライン状のパターンに対応する）感光材パターン、２７０は交差部対応部、２７５、２７５ａはコーナー部、３１０は原版マスク（単にマスクとも言う）、３１１はマスク開口、３１２は遮光部、３２０は基板、３３０は露光光、Ｗ０、Ｗｃ、Ｗ１は幅、Ｗ０１、Ｗ１１は幅、Ｗｅは幅、Ｌ０は長さである。

本発明のパターニング方法の実施の形態の１例を図１、図２に基づいて説明する。
本例のパターニング方法は、液晶表示装置用のカラーフィルタ形成用基板である被露光基板（図１の１２０）の一面に配設されたネガ型の感光材１２２でフォトリソ法により、ＰＢ処理後（図２のにおいて６μｍライン幅レベルのブラックストライプあるいはブラックマトリクスを形成するためのラインパターンを形成するためのパターンニング方法である。
ここでは、図２にその処理フローを示すように、簡単には、先ず、透明基板（Ｓ１１）上に感光材を塗布し（Ｓ１２）、ネガ型の感光材が塗布された基板に前処理（プリベーキング処理）を行った（Ｓ１３）後、所定の原版マスク（Ｓ２２）を用いて、水銀灯を光源とした平行光にて、近接露光方法により所定のギャップＧｐ（ここでは１００μｍ）で露光し（Ｓ１５）、次いで現像し（Ｓ１６）、更に後処理（ＰＢ処理）を施して（Ｓ１７）、目的とするラインパターンが形成された基板を得る。（Ｓ１８）

本例における近接露光は、先に述べた図６、図７に示すような近接露光用の露光装置を用いて行うが、図１（ａ）に示すように、原版マスク１１０とネガ型の感光材が塗布された被露光基板１２０との間隔を所定のギャップＧｐとして、原版マスク１１０の背面側から平行光を露光光として当て、遮光膜１１２が形成されていない遮光膜のライン状の開口１１５、１１６を通過した光により、感光材を照射する。
原版マスク１１０のラインパターン形成領域は、開口パターン部１１５と、補助パターン部１１７と、開口パターン部１１６とからなり、換言すると、広幅Ｗ０（７μｍ〜８μｍ）のライン状開口の幅方向、中央に、該開口幅Ｗ０より狭い幅Ｗｃ（１．０μｍ〜１．５μｍ）の、現像処理後において解像されない、遮光性の補助パターン１１７を１本、配設した形状のパターンからなる。
そして、本例は、図１（ｃ）に示すように、現像処理後において、補助パターン１１７の形状を解像せずに、前記幅Ｗ０よりも小さい幅Ｗ１のラインパターンを形成する。
本例は、このような原版マスクを用いて近接露光を行うことにより、現像処理後において、補助パターンを用いない、図４にその露光方法を示す従来の近接露光方法によるパターニング法比べて、解像性を向上させるものである。
尚、従来の近接露光方法によるパターニング法も処理フローは図２に示す本例の処理フロー（Ｓ１１〜Ｓ１８）と同じで、露光方法以外の処理は本例と同じである。

このようにして、現像後、幅Ｗ０よりも小さい幅Ｗ１のラインパターンを形成するが、本例においては、現像後、更に、ＰＢ処理を行い、ＰＢ処理後において６μｍレベル（６μｍ±１μｍの範囲）のラインパターンを形成するものである。
尚、ＰＢ処理を行うことにより、通常、現像後のライン幅Ｗ１が４μｍ程度のものが、５μｍ〜６μｍと大きくなるため、本例では、現像後、ＰＢ処理前のライン幅を４μｍ〜５μｍとする。

本例は、このようにすることにより、近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ＰＢ処理後において６μｍレベルのラインパターンの形成を可能とし、液晶表示装置用としての精細化に対応できるものとしているが、本例のパターニング方法におけるライン幅方向の強度分布を計算（シュミレーション計算）により求め示した図３と、図４に示す従来の近接露光方法におけるライン幅方向の強度分布を計算（シュミレーション計算）により求め示した図５とを、対比させながら、ＰＢ処理後において６μｍレベルのラインパターンの形成が可能であることを、以下、簡単に説明しておく。
尚、図３、図５における計算（シミュレーション計算）結果は、公知のフレネル回折に基づく、下記の数式（１）により、基板上の点Ｐでの光の振幅Ｅｐを、対応するマスク開口の各点からの球面波の積分値として計算により求め、更に、下記の数式（２）により、点Ｐでの光強度Ｉを、計算により求めたものである。
尚、図８は、数式（１）による基板３２０上の点Ｐでの光強度分布の計算を説明するための図で、マスク開口３１１の任意の点Ｑと基板３２０上の任意の点Ｐの位置関係を示した概略図であり、点Ｓは点Ｑを通過した露光光３３０が直進した場合の基板３２０上の位置である。

但し、ｋ＝２π／λで、Ｑはマスク開口の任意の点、Ｅｐは基板上の点Ｐにおける光の振幅、Ａは入射光の強度によって決まる定数、λは入射光の波長、δは線分ＱＳと線分ＱＰのなす角、ｒは点Ｑから点Ｐまでの距離、ｉは虚数単位である。
Ｉ＝Ｅｐ×Ｅｐ＊ （２）
数式（２）中のＥｐ＊はＥｐの共役複素数である。
尚、上記計算は、マスク開口部と基板上を有限の微小区間に区切り、計算機により行った。
図３に示す各光強度分布を示すグラフＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４は、それぞれ、Ｗ０−Ｗｃの組を、７μｍ−１．０μｍ、７μｍ−１．５μｍ、８μｍ−１．０μｍ、８μｍ−１．５μｍ、とし、近接露光のギャップＧｐを１００μｍ、光源を水銀ランプとし、露光光を平行光とし、露光量をｉ線（３４０ｎｍ以下をカット、３６５ｎｍ）換算で６０ｍＪとしとした場合のもので、感光材をｉ線（３６５ｎｍ）に感光波長を持つネガ型の感光材で、残膜光強度レベルを２４ｍＪとしている。
尚、ここでは、残膜光強度レベルとは、所定の現像処理にて、その光強度レベル以上の領域だけ、残膜してラインパターンが得られる、各光強度分布における相対的な光強度レベルを意味する。
本発明のパターニング方法の場合、残膜光強度レベルを相対強度で０．４と設定すれば、図３の各グラフＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４からは、現像後に、ライン幅６μｍ以下の、ライン幅４μｍ〜５μｍ程度となり、且つ、Ｗ０が７μｍ、８μｍでも、両ラインエッジ位置における光強度分布の傾きが充分に大きいものが得られることが分かる。
これに対し、図４に示す補助パターンを用いない、従来の近接露光方法を用いたパターニング方法の場合、残膜光強度レベルを相対強度で０．４と設定すると、図５の各グラフＬ２１、Ｌ２２、Ｌ２３、Ｌ２４からは、現像後に、ライン幅６μｍ程度となり、且つ、ライン幅６μｍ解像程度ですでにＷ０１が７μｍ、８μｍでも、両ラインエッジ位置における光強度分布の傾きが、図１にその特徴を示す本発明のパターニング方法と同程度であることが分かる。
更に、露光量を相対的に減らして、４μｍ〜５μｍ幅解像を行う場合には、両端のラインエッジ位置における光強度分布の傾きが、図１にその特徴工程の断面図を示す本発明のパターニング方法よりも小さくなることが分かる。

これより、図１にその特徴工程の断面図を示す本例のパターニングにおいては、現像後、ＰＢ処理を行う場合、４μｍ〜５μｍのライン幅は５μｍ〜６μｍとなることが一般的であることを考慮して、ＰＢ処理後における６μｍレベルのパターン幅のブラックストライプあるいはブラックマトリクスを形成において、品質的に問題なく適用できることが分かる。
また、図４に示す補助パターンを用いない、従来の近接露光方法を用いたパターニング方法の場合には、露光量を相対的に減らして、現像後に４μｍ〜５μｍ幅解像を得たとしても、両端のラインエッジ位置における光強度分布の傾きから、実質的に良品質のラインパターンを形成することができないことが分かる。
結局、本例のパターニング方法は、補助パターンを配設したことにより、補助パターンを用いない従来の近接露光方法を用いたパターニング方法の場合の感光材に照射される光強度分布から、その光強度分布が変化して、解像性が向上し、ＰＢ処理後において６μｍレベルのラインパターンの形成を可能とするものであることが分かる。

尚、実用レベルでは、図２に示すように、予め、所定のプロセス条件において、各種値のＷ０、Ｗｃに対し、それぞれ、対応するＷ１の値を求めて、これらの値を関連付けたデータをデータベース化したデータベースを求めておく。（Ｓ２１）
そして、該データベースから、所定のプロセス条件において、所望のＷ１の値を得るための、好適な値Ｗ０、Ｗｃの組を求め、該値Ｗ０、Ｗｃの組でラインパターンを形成した原版マスク（Ｓ２２）を用いて、前期所定のプロセス条件においてパターニングを行う。

本例におけるネガ型の感光材１１２のパターニング方法は、顔料を分散した感光性樹脂層をネガ型の感光材として用いるもので、すでに顔料分散法によるパターニングとして公知なもので、ここでは、その詳細は省く。
簡単には、ネガ型の感光材１１２としては、着色剤と、反応性官能基を有するモノマーおよびまたはポリマーと、溶剤を含有し、重合禁止剤及び／又は顔料分散剤及び／又は重合開始剤等を配合することが好ましい。
更に、他にも、界面活性剤、架橋剤等を配合しても良い。
着色剤としては、種々の有機又は無機顔料を用いる。
また、原版マスク１２０としては、所定のサイズの乾板やクロム等の遮光膜、感光剤をこの順に配設したガラス基板基板等に、データを用いて露光を行う露光装置にて露光描画し、現像され、ないし、現像、エッチングされ、パターニングされたもの（オリジナルとも言う）、あるいは、該オリジナルから別の乾板やクロム等の遮光膜、感光剤をこの順に配設したガラス基板基板に密着露光により転写する工程を１回以上用いて、パターニング形成されたもの（コピーとも言う）を用いる。

本例においては、１本の遮光性のライン状のパターンを用いたが、これに代え、図１２（ｂ）に示す、その幅２Ｗｅが図１に示す２Ｗｃに相当する１本の破線状のパターンや、図１２（ｃ）に示す、その幅２Ｗｅが図１に示す２Ｗｃに相当する１本の反遮光性のライン状のパターンを用いる、形態を挙げることができる。
これらの形態の場合、上記図１、図２に示す例と用いる原版マスクのみを異とするものでそれ以外は同じで、ほぼ上記図１、図２に示す例の場合と同様な効果を得ることができる。
尚、図１２（ａ）は、図１（ｂ）に相当する図である。

また、図１に示す例の原版マスクにおける１本の遮光性のライン状の線幅Ｗｃの補助パターン部１１７に代え、図１１に示すように２本の遮光性のライン状の線幅Ｗｅ＝Ｗｃ／２の補助パターン部１１７ａ、１１７ｂを配したパターンを用いる形態も挙げることができる
この形態の場合、上記図１、図２に示す例と用いる原版マスクのみを異とするものでそれ以外は同じで、ほぼ上記図１、図２に示す例の場合と同様な効果を得ることができ、更に、図３に示すサブピークＰ１１、Ｐ１２がない光強度分布を可能としている。
図１１における幅Ｗ０２は図１における幅Ｗ０と同じ大きさである。
上記、図１、図２に示す例においては、図３に示すようにサブピークＰ１１、Ｐ１２があり、プロセスの変化があった場合、余分なパターンを発生し易いが、図１１に示す例においては、その光強度分布を図１３のＬ３１として示すように、サブピークのない光強度分布とすることができ、余分なパターンを発生し難いものとしている。
先にも述べたが、図１２（ａ）は図１（ｂ）に相当する図で、図１２（ｄ）は図１１（ｂ）に相当する図である。
尚、図１３に示すＬ３１は、幅Ｗ０が７μｍで、遮光性のライン状のパターン１１７ｂの線幅Ｗｅを０．５μｍとした場合において、そのライン幅方向の光強度分布をシミュレーションにより求めて示したものである。

このような、サブピークのない光強度分布とするためには、この他に、図１に示す例の原版マスクにおける１本の遮光性のライン状の線幅Ｗｃの補助パターン部１１７に代え、図１２（ｅ）に示す、その幅Ｗｅが図１に示すＷｃに相当する２本の破線状のパターンや、図１２（ｆ）に示す、その幅Ｗｅが図１に示すＷｃに相当する２本の反遮光性のライン状のパターンを用いる、形態を挙げることができる。
尚、図１３に示すＬ３２は、幅Ｗ０が７μｍで、半遮光性のライン状のパターン１１７Ｂａ、１１７Ｂｂの線幅Ｗｅを１．０μｍとした場合において、そのライン幅方向の光強度分布をシミュレーションにより求めて示したものである。

上記のように、図１、図２基いて説明した本発明のパターニング方法の実施の形態例は、近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅を後処理（ＰＢ処理のこと、ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｉｎｇ）後において６μｍレベル線幅に微細化して形成することができるパターニング方法である。
しかし、この方法において、ブラックマトリクスを形成する際、図１０（ａ）に示すように、原版マスク１１０ｂとして，６μｍレベル線幅形成用の遮光性の補助パターン部１１７を設けた第１のライン状のパターン１５０と、これに直交する方向に設けられた十分に幅広のライン状の開口を有する第２のライン状のパターン１６０とを、露光用のパターンとして用いる場合、第１のライン状のパターン１５０と、これに直交する方向に設けられた十分に幅広のライン状の開口を有する第２ライン状のパターン１６０とは、交差して交差部１７０を有しているが、前記交差部１７０の各コーナー部１７５に対応する、現像処理後の前記ネガ型の感光材は、図１０（ｂ）に示すように、原版マスク１１０の交差部１７０に対応する交差部相当部２７０の外側に、該交差部相当部２７０側に凹状に出っ張り、なめらかでなく形成される。
その境界形状は、若干段部（屈曲部）を持つため、この段部（屈曲部）箇所で、現像後の感光材２１０に剥れが生じ易い。
これに対し、図９（ａ）に示すように、原版マスク１１０ａとして、第１のラインパターンと第２ラインパターンとの交差部１７０の各コーナー部１７５に、各ラインパターンに繋がる三角状の開口部を付加したパターン補正がなされているものを用いた場合、図９（ｂ）に示すように、前記原版マスク１１０の交差部１７０の各コーナー部１７５に対応する、現像処理後の前記ネガ型の感光材は、原版マスク１１０の交差部１７０に対応する交差部相当部２７０の外側に、該交差部相当部２７０側に凹状に出っ張り、なめらかなＲ状に形成される。
その境界形状は、若干段部（屈曲部）を持たないため、現像後の感光材２１０に剥れが生じ難い。
このようにすることにより、ブラックマトリクスの交差部相当部のコーナー部において現像後の感光材２１０に剥れが生じ難く、パターン形成を行うことができる。
図９（ａ）のように、パターン補正することにより、感光材に照射される光強度分布を変化させて、パターン補正をしない場合に比べて、形成されるブラックマトリクスの交差部のコーナー部における剥れがおき難くすることができる。
これにより、結局、１方ラインが６μｍレベルで他方のラインが十分に幅広のブラックマトリクスを近接露光方法により形成する場合において、１方のラインを６μｍレベルで形成でき、且つ、形成されるブラックマトリクスの交差部のコーナー部における剥れがおき難くすることを可能としている。

ここでは、その中に１本の遮光性のライン状の補助パターン部１１７を配した、図１２（ａ）に相当する第１のライン状のパターン１５０に代え、図１２（ｂ）〜図１２（ｆ）に示す各種のパターンを用いた場合についても、同様に、上記の補正を適用できる。

尚、上記は、液晶表示装置用のカラーフィルタ形成用基板をその処理対象としたものであるが、これに限定されるものではない。
液晶表示方式以外の、他の表示方式の表示装置、例えば、ＰＤＰ等におけるカラーフィルタ形成用基板をその処理対象としても良い。

図１（ａ）は本発明のパターニング方法の実施の形態例の露光工程断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す原版マスクをＡ０側から見たラインパターン図で、図１（ｃ）は現像後のラインパターンの断面形状を示した図である。 本発明のパターニング方法の実施の形態例の処理フロー図である。 図１における原版マスクのラインパターン形成用パターンにおけるＷ０、Ｗｃの各寸法におけるライン幅方向の光強度分布を計算（シュミレーション計算）により求めて、それぞれ、相対強度で示した図である。 図４（ａ）は従来のパターニング方法の露光工程断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）に示す原版マスクをＢ０側から見たラインパターン図で、図４（ｃ）は現像後のラインパターンの断面形状を示した図である。 図４における原版マスクのラインパターン形成用パターンにおけるＷ０１の各寸法におけるライン幅方向の光強度分布を計算（シュミレーション計算）により求めて、それぞれ、相対強度で示した図である。 図６（ａ）は露光装置の断面図で、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＥ１−Ｅ２から見た上面図の概略図である。 光源部の概略構成図である。 基板上での光強度分布の計算を説明するための図で、マスク開口の任意の点Ｑと基板上の任意の点Ｐの位置関係を示した概略図である。 図９（ａ）は原版マスクを示した平面図で、図９（ｂ）は図９（ａ）に示す原版マスクを用いた場合の、現像後の感光材層のパターニング状態を示した平面図である。 図１０（ａ）は原版マスクを示した平面図で、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示す原版マスクを用いた場合の、現像後の感光材層のパターニング状態を示した平面図である。 図１１（ａ）は本発明のパターニング方法の他の実施の形態例の露光工程断面図で、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示す原版マスクをＤ０側から見たラインパターン図である。 図１２（ａ）〜図１２（ｆ）は各種の補助パターンを示した図である。 図１２（ｄ）、図１２（ｆ）に対応するライン幅方向の光強度分布を計算（シュミレーション計算）により求めて示したグラフの図である。

符号の説明

１１０、１１０ａ、１１０ｂ 原版マスク（単にマスクとも言う）
１１１ 基板
１１２ 遮光膜
１１５、１１６ 開口パターン部（ライン状の開口パターン部とも言う）
１１７、１１７ａ、１１７ｂ （遮光性のライン状の）補助パターン部
１１７Ａ、１１７Ａａ、１１７Ａｂ （遮光性の破線状の）補助パターン部
１１７Ｂ、１１７Ｂａ、１１７Ｂｂ （半遮光性のライン状の）補助パターン部
１２０ 被露光基板（単に基板とも言う）
１２１ 透明基板（基材とも言う）
１２２ 感光材
１３０ 露光光
１５０ 第１のライン状のパターン
１６０ 第２のライン状のパターン
１７０ 交差部
１７５ コーナー部
２１０ 感光材
２２０ 透明基板部
２５０ （第１のライン状のパターンに対応する）感光材パターン
２６０ （第２のライン状のパターンに対応する）感光材パターン
２７０ 交差部対応部
２７５、２７５ａ コーナー部
３１０ 原版マスク（単にマスクとも言う）
３１１ マスク開口
３１２ 遮光部
３２０ 基板
３３０ 露光光
Ｗ０、Ｗｃ、Ｗ１ 幅
Ｗ０１、Ｗ１１ 幅
Ｗｅ 幅
Ｌ０ 長さ

Claims (20)

1. 基板の一面に配設されたネガ型の感光材でフォトリソ法により、ラインパターンを形成するためのパターンニング方法であって、原版マスクを用いて、近接露光により、前記ネガ型の感光材を露光し、所定の現像処理を行い、更に必要に応じて後処理（ＰＢ処理）を行うことにより、前記ラインパターンを形成するものであり、前記原版マスクは、前記ラインパターン形成領域を、ライン状の開口の中に、該開口の幅より狭く、現像処理後において解像されない、遮光性あるいは半遮光性（ハーフトーンとも言う）の補助パターンを配設した形状のパターンとするもので、現像処理後において、前記ライン状の開口の幅よりも小さい幅の前記ラインパターンを形成するものであることを特徴とするパターンニング方法。
2. 請求項１に記載のパターンニング方法であって、基板がカラーフィルタ形成用基板で、前記ラインパターンがブラックストライプあるいはブラックマトリクスを形成するためのラインパターンであることを特徴とするパターンニング方法。
3. 請求項１ないし２のいずれか１項に記載のパターンニング方法であって、前記補助パターンは、遮光性の１本のライン状のパターンで、前記ライン状の開口の幅方向中央に配置されていることを特徴とするパターンニング方法。
4. 請求項３に記載のパターンニング方法であって、前記ライン状の開口の幅をＷ０とし、前記遮光性の補助パターンの幅をＷｃとし、現像処理後、形成されるラインパターンの幅をＷ１として、予め、所定のプロセス条件において、各種値のＷ０、Ｗｃに対し、それぞれ、対応するＷ１の値を求めて、これらの値を関連付けてデータ化したデータベースを求めておき、該データベースから、所望のＷ１の値を得るための、好適な値のＷ０、Ｗｃの組を求め、該好適な値のＷ０、Ｗｃの組でラインパターンを形成した原版マスクを用いて、前期所定のプロセス条件においてパターニングを行うことを特徴とするパターンニング方法。
5. 請求項１ないし２のいずれか１項に記載のパターンニング方法であって、前記補助パターンは、遮光性の２本あるいは３本のライン状のパターンで、前記ライン状の開口の幅方向に配列して配置されていることを特徴とするパターンニング方法。
6. 請求項５に記載のパターンニング方法であって、補助パターンの本数をｎ本（ｎ＝２、３）とした場合、該補助パターンの幅を、請求項４における好適な値のＷｃの１／Ｎとしたことを特徴とするパターンニング方法。
7. 請求項１ないし２のいずれか１項に記載のパターンニング方法であって、前記補助パターンは、遮光性の、破線状のパターンであることを特徴とするパターンニング方法。
8. 請求項１ないし２のいずれか１項に記載のパターンニング方法であって、前記補助パターンは、半遮光性のライン状のパターンあるいは半遮光性の破線状のパターンであることを特徴とするパターンニング方法。
9. 請求項１ないし８のいずれか１項に記載のパターンニング方法であって、形成されるラインパターンは後処理（ＰＢ処理）後において、ライン幅が６μｍレベルであることを特徴とするパターンニング方法。
10. カラーフィルタ基板であって、ブラックストライプあるいはブラックマトリクスのラインパターンが、請求項２ないし９のパターンニング方法により形成されていることを特徴とするカラーフィルタ基板。
11. 基板の一面に配設されたネガ型の感光材でフォトリソ法により、ラインパターンを形成するためのパターンニング方法で、且つ、原版マスクを用いて、近接露光により、前記ネガ型の感光材を露光し、所定の現像処理を行い、更に必要に応じて後処理（ＰＢ処理）を行うことにより、前記ラインパターンを形成するパターンニングに、用いられる原版マスクであって、前記ラインパターンを形成する領域を、ライン状の開口の中に、該開口の幅より狭く、現像処理後において解像されない、遮光性あるいは半遮光性（ハーフトーンとも言う）の補助パターンを配設した形状のパターンとするものであることを特徴とする近接露光用の原版マスク。
12. 請求項１１に記載の近接露光用の原版マスクであって、前記補助パターンは、遮光性の１本のライン状のパターンで、前記ライン状の開口の幅方向中央に配置されていることを特徴とする近接露光用の原版マスク。
13. 請求項１２に記載の近接露光用の原版マスクであって、前記ライン状の開口の幅をＷ０とし、前記遮光性の補助パターンの幅をＷｃとし、現像処理後、形成されるラインパターンの幅をＷ１として、予め、所定のプロセス条件において、各種値のＷ０、Ｗｃに対し、それぞれ、対応するＷ１の値を求めて、これらの値を関連付けてデータ化したデータベースを求めておき、該データベースから、所望のＷ１の値を得るための、好適な値のＷ０、Ｗｃの組を求め、該好適な値のＷ０、Ｗｃの組でラインパターンを形成していることを特徴とする近接露光用の原版マスク。
14. 請求項１１に記載の近接露光用の原版マスクであって、前記補助パターンは、遮光性の２本あるいは３本のライン状のパターンで、前記ライン状の開口の幅方向に配列して配置されていることを特徴とする近接露光用の原版マスク。
15. 請求項１４に記載の近接露光用の原版マスクであって、補助パターンの本数をｎ本（ｎ＝２、３）とした場合、該補助パターンの幅を、請求項１３における好適な値のＷｃの１／Ｎとしたことを特徴とする近接露光用の原版マスク。
16. 請求項１１に記載の近接露光用の原版マスクであって、前記補助パターンは、遮光性の、破線状のパターンであることを特徴とする近接露光用の原版マスク。
17. 請求項１１に記載の近接露光用の原版マスクであって、前記補助パターンは、半遮光性のライン状のパターンあるいは半遮光性の破線状のパターンであることを特徴とする近接露光用の原版マスク。
18. 請求項１１ないし１７のいずれか１項に記載の近接露光用の原版マスクであって、ライン幅が６μｍレベルのラインパターン形成用であることを特徴とする近接露光用の原版マスク。
19. 請求項１１ないし１８のいずれか１項に記載の近接露光用の原版マスクであって、
    前記ラインパターンを第１のラインパターンとして、該第１のラインパターンと、これに直交する方向に設けられた十分に幅広のライン状の開口を有する第２ラインパターンとは、交差して交差部を有するもので、前記交差部の各コーナー部に対応する、現像処理後の前記ネガ型の感光材の形状が、前記交差部に対応する交差部相当部の外側に、該交差部相当部側に凹状に出っ張り、なめらかなＲ状になる、パターン補正を、前記交差部の各コーナー部に入れていることを特徴とする近接露光用の原版マスク。
20. 請求項１９に記載の近接露光用の原版マスクであって、前記交差部の各コーナー部に、各ラインパターンに繋がる三角状の開口部を付加したパターン補正がなされていることを特徴とする近接露光用の原版マスク。
    
    

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