JP2000174020A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2000174020A JP2000174020A JP10343082A JP34308298A JP2000174020A JP 2000174020 A JP2000174020 A JP 2000174020A JP 10343082 A JP10343082 A JP 10343082A JP 34308298 A JP34308298 A JP 34308298A JP 2000174020 A JP2000174020 A JP 2000174020A
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- pattern
- wiring pattern
- wiring
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の表面に形成される配線用パター
ンの引き回しに粗密が生じても、当該粗密により配線用
パターンの幅が異なることがない半導体装置の製造方法
を提供する。 【解決手段】 半導体装置１０の表面にレジスト膜１４
を形成した後、当該レジスト膜１４への露光を行い配線
用パターン２４を形成するとともに、前記露光にて当該
配線用パターン２４に近接するダミーパターン２６も同
時に形成することとした。このようにダミーパターン２
６を形成したことにより、配線用パターン２４が疎の部
分にも光の干渉が生じ、レジスト膜１４に照射した紫外
線２８の二次光３２の光量を低減させることができる。
よって配線用パターン２４の密疎にかかわらず均一のパ
ターン幅を形成することが可能になる。
ンの引き回しに粗密が生じても、当該粗密により配線用
パターンの幅が異なることがない半導体装置の製造方法
を提供する。 【解決手段】 半導体装置１０の表面にレジスト膜１４
を形成した後、当該レジスト膜１４への露光を行い配線
用パターン２４を形成するとともに、前記露光にて当該
配線用パターン２４に近接するダミーパターン２６も同
時に形成することとした。このようにダミーパターン２
６を形成したことにより、配線用パターン２４が疎の部
分にも光の干渉が生じ、レジスト膜１４に照射した紫外
線２８の二次光３２の光量を低減させることができる。
よって配線用パターン２４の密疎にかかわらず均一のパ
ターン幅を形成することが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ表面に形成
された半導体装置に配線用パターン若しくは不純物拡散
用パターンを形成していくのに好適な半導体装置の製造
方法に関する。
された半導体装置に配線用パターン若しくは不純物拡散
用パターンを形成していくのに好適な半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンインゴットを薄くスライ
スしたシリコンウェハの表面に、不純物のドーピングを
施したり、あるいは酸化物を堆積させたりして、その表
面に半導体装置を製造していく工程が知られている。
スしたシリコンウェハの表面に、不純物のドーピングを
施したり、あるいは酸化物を堆積させたりして、その表
面に半導体装置を製造していく工程が知られている。
【０００３】こうした製造工程においては、製造途中の
半導体装置の表面にレジスト感光剤（フォトレジスト）
を塗布した後、その上方からレチクル（マスク）を介し
て紫外線又はレーザー光を照射するとともに、当該レチ
クルを透過した紫外線又はレーザー光を投影レンズにて
集光させ（約１／５程度縮小させる）、ウェハ表面に照
射する。そして紫外線が照射されたレジスト膜の部分を
溶かすことで、半導体装置の表面に目的のパターンを形
成していく手法が知られている。なお同手法において使
用するレジスト感光剤は 上述したような紫外線が照射
されると溶けやすくなるもの（ポジ型）と、その反対に
溶けにくくなるもの（ネガ型）とが存在し、これらは用
途に応じて適宜選択されている。
半導体装置の表面にレジスト感光剤（フォトレジスト）
を塗布した後、その上方からレチクル（マスク）を介し
て紫外線又はレーザー光を照射するとともに、当該レチ
クルを透過した紫外線又はレーザー光を投影レンズにて
集光させ（約１／５程度縮小させる）、ウェハ表面に照
射する。そして紫外線が照射されたレジスト膜の部分を
溶かすことで、半導体装置の表面に目的のパターンを形
成していく手法が知られている。なお同手法において使
用するレジスト感光剤は 上述したような紫外線が照射
されると溶けやすくなるもの（ポジ型）と、その反対に
溶けにくくなるもの（ネガ型）とが存在し、これらは用
途に応じて適宜選択されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで年々半導体装
置における配線用パターンの引き回しには微細化が要求
され、当該配線用パターンの幅は狭いところで０．３μ
ｍ程度となっている。そしてこのような狭い幅でレジス
トパターンを形成しなくてはならないことから、投影レ
ンズの解像度を上げる必要がある。ここで投影レンズの
解像度は、
置における配線用パターンの引き回しには微細化が要求
され、当該配線用パターンの幅は狭いところで０．３μ
ｍ程度となっている。そしてこのような狭い幅でレジス
トパターンを形成しなくてはならないことから、投影レ
ンズの解像度を上げる必要がある。ここで投影レンズの
解像度は、
【０００５】
【式１】解像度＝レンズの絞り／（レンズの開口率）2 で示されるが、同式から解るように解像度を上げるため
には、レンズの開口率を大きくする必要がある。しかし
解像度の向上に反比例して、焦点深度（いわゆるフォー
カスマージン）が浅くなり、この結果半導体ウェハ表面
のうねりやそりを許容することが難しくなってしまう。
すなわち半導体装置において段差の異なる箇所に配線用
パターンが存在した場合、これら配線用パターンの焦点
を同時に満足させるための焦点深度のマージンが少なく
なってしまうといった問題点があった。
には、レンズの開口率を大きくする必要がある。しかし
解像度の向上に反比例して、焦点深度（いわゆるフォー
カスマージン）が浅くなり、この結果半導体ウェハ表面
のうねりやそりを許容することが難しくなってしまう。
すなわち半導体装置において段差の異なる箇所に配線用
パターンが存在した場合、これら配線用パターンの焦点
を同時に満足させるための焦点深度のマージンが少なく
なってしまうといった問題点があった。
【０００６】そして半導体装置において、一方の箇所で
は配線用パターンが密集しており、他方側の箇所では配
線用パターンが疎である場合、ウェハ表面に紫外線を照
射すると、レチクルを介してウェハ表面に照射された紫
外線は、当該ウェハ表面に形成された各膜質によって反
射し、反射した紫外線はレチクル（クロム製）にて再び
反射し、二次光となって再びウェハ表面に照射される。
しかし配線用パターンが密である場合は、光の干渉によ
りレジスト膜から反射する紫外線は少なくなり、当該レ
ジスト膜に照射される二次光は少なくなる。一方配線用
パターンが疎である場合は、周囲に配線用パターンが無
いため光の干渉が生じることがなく、レジスト膜に照射
される二次光の光量は多くなる。このため二次光の光量
の差により、感光領域に差が生じ、もって配線用パター
ンの幅が異なるという問題点があった（レジスト感光剤
がポジ型である場合、疎側の配線用パターンの幅が小さ
くなる）。
は配線用パターンが密集しており、他方側の箇所では配
線用パターンが疎である場合、ウェハ表面に紫外線を照
射すると、レチクルを介してウェハ表面に照射された紫
外線は、当該ウェハ表面に形成された各膜質によって反
射し、反射した紫外線はレチクル（クロム製）にて再び
反射し、二次光となって再びウェハ表面に照射される。
しかし配線用パターンが密である場合は、光の干渉によ
りレジスト膜から反射する紫外線は少なくなり、当該レ
ジスト膜に照射される二次光は少なくなる。一方配線用
パターンが疎である場合は、周囲に配線用パターンが無
いため光の干渉が生じることがなく、レジスト膜に照射
される二次光の光量は多くなる。このため二次光の光量
の差により、感光領域に差が生じ、もって配線用パター
ンの幅が異なるという問題点があった（レジスト感光剤
がポジ型である場合、疎側の配線用パターンの幅が小さ
くなる）。
【０００７】本発明は上記従来の問題点に着目し、半導
体装置の表面に形成される配線用パターンの引き回しに
粗密が生じても、当該粗密により配線用パターンの幅が
異なることがない半導体装置の製造方法を提供するこを
目的とする。
体装置の表面に形成される配線用パターンの引き回しに
粗密が生じても、当該粗密により配線用パターンの幅が
異なることがない半導体装置の製造方法を提供するこを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
装置の製造方法は、半導体装置の表面にレジスト膜を塗
布した後、当該レジスト膜への露光を行い配線用パター
ンを形成するとともに、前記露光にて当該配線用パター
ンに近接するダミーパターンも同時に形成することを特
徴としている。請求項１に記載の半導体装置の製造方法
によれば、ダミーパターンを設けたことにより、レジス
ト膜に紫外線を照射し、レジストパターンを形成する
際、配線用パターンが疎の部分にも光の干渉が生じ、レ
ジスト膜に照射した紫外線の二次光の光量を低減させる
ことができる。このため配線用パターンの密疎にかかわ
らず均一のパターン幅を形成することが可能になる。
装置の製造方法は、半導体装置の表面にレジスト膜を塗
布した後、当該レジスト膜への露光を行い配線用パター
ンを形成するとともに、前記露光にて当該配線用パター
ンに近接するダミーパターンも同時に形成することを特
徴としている。請求項１に記載の半導体装置の製造方法
によれば、ダミーパターンを設けたことにより、レジス
ト膜に紫外線を照射し、レジストパターンを形成する
際、配線用パターンが疎の部分にも光の干渉が生じ、レ
ジスト膜に照射した紫外線の二次光の光量を低減させる
ことができる。このため配線用パターンの密疎にかかわ
らず均一のパターン幅を形成することが可能になる。
【０００９】請求項２に記載の半導体装置の製造方法
は、前記配線用パターンの周囲にパターン密度を略均一
にするよう前記ダミーパターンを形成することを特徴と
している。請求項２に記載の半導体装置の製造方法によ
れば、配線用パターンの密疎にかかわらずレジスト膜に
照射した紫外線の二次光の光量を均一にすることがで
き、配線用パターンの密疎にかかわらず均一のパターン
幅を形成することが可能になる。
は、前記配線用パターンの周囲にパターン密度を略均一
にするよう前記ダミーパターンを形成することを特徴と
している。請求項２に記載の半導体装置の製造方法によ
れば、配線用パターンの密疎にかかわらずレジスト膜に
照射した紫外線の二次光の光量を均一にすることがで
き、配線用パターンの密疎にかかわらず均一のパターン
幅を形成することが可能になる。
【００１０】請求項３に記載の半導体装置の製造方法
は、前記ダミーパターンの形状を十文字にしたことを特
徴としている。請求項３に記載の半導体装置の製造方法
によれば、外観上で配線用パターンとダミーパターンと
の識別が可能になる。このためパターンを形成した後、
当該パターンに形状異常の不具合が有ったとしても、そ
の配線用パターンが半導体装置の配線用なのか単なるダ
ミーパターンなのかを容易に把握することができる。
は、前記ダミーパターンの形状を十文字にしたことを特
徴としている。請求項３に記載の半導体装置の製造方法
によれば、外観上で配線用パターンとダミーパターンと
の識別が可能になる。このためパターンを形成した後、
当該パターンに形状異常の不具合が有ったとしても、そ
の配線用パターンが半導体装置の配線用なのか単なるダ
ミーパターンなのかを容易に把握することができる。
【００１１】請求項４に記載の半導体装置の製造方法
は、前記ダミーパターンには前記配線用パターンとの識
別をなすマーキングを施したことを特徴としている。請
求項４に記載の半導体装置の製造方法によれば、外観上
で配線用パターンとダミーパターンとの識別が容易にな
る。
は、前記ダミーパターンには前記配線用パターンとの識
別をなすマーキングを施したことを特徴としている。請
求項４に記載の半導体装置の製造方法によれば、外観上
で配線用パターンとダミーパターンとの識別が容易にな
る。
【００１２】請求項５に記載の半導体装置の製造方法
は、前記マーキングは文字からなることを特徴としてい
る。請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、
さらに外観上で配線用パターンとダミーパターンとの識
別が容易になる。
は、前記マーキングは文字からなることを特徴としてい
る。請求項５に記載の半導体装置の製造方法によれば、
さらに外観上で配線用パターンとダミーパターンとの識
別が容易になる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る半導体装置の
製造方法に好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳
細に説明する。
製造方法に好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳
細に説明する。
【００１４】図１は本実施の形態に係る半導体装置の製
造工程により形成されたレジストパターンを示す外観拡
大図であり、図３は半導体装置が形成された半導体ウェ
ハの表面状態図を示す。これらの図に示すように半導体
装置１０は、単結晶シリコンのインゴットをスライスし
たシリコン基板１２の表面に多数形成されており、これ
ら多数の半導体装置１０に一度に不純物のドーピングを
施したり、あるいは酸化物を堆積させたりして半導体装
置１０の製造効率の向上を図るようにしている。
造工程により形成されたレジストパターンを示す外観拡
大図であり、図３は半導体装置が形成された半導体ウェ
ハの表面状態図を示す。これらの図に示すように半導体
装置１０は、単結晶シリコンのインゴットをスライスし
たシリコン基板１２の表面に多数形成されており、これ
ら多数の半導体装置１０に一度に不純物のドーピングを
施したり、あるいは酸化物を堆積させたりして半導体装
置１０の製造効率の向上を図るようにしている。
【００１５】ところでこうした半導体装置１０の製造工
程においては、配線用パターンを形成する工程が知られ
ている。図２は、シリコン基板１２の表面にレジストパ
ターンを形成するための感光装置の側面図を示す。シリ
コン基板１２の表面にスピンコート等でレジスト感光剤
（ポジ型）１４を塗布した後は、同図に示すようにシリ
コン基板１２を感光装置１６側へと移動させる。ここで
感光装置１６は、シリコン基板１２を保持するステージ
１８と、当該ステージ１８の直上に設けられた投影レン
ズ２０と、当該投影レンズ２０の上方に設けられ配線用
パターンが形成されたレチクル２２（いわゆるマスク）
と、当該レチクル２２の上方に設けられ紫外線をシリコ
ン基板１２に向かって照射可能とする図示しない紫外線
照射光源（光の波長が４３６ｎｍのｇ線、光の波長が３
６５ｎｍのｉ線、光の波長が２４８ｎｍのエキシマレー
ザなどを使用）とで構成されている。レチクル２２は、
半導体装置１０の表面に形成されるパターンと同一模様
のスリットを有しているとともに、レチクル２２自体の
大きさは、シリコン基板１２の大きさの約５倍となって
いる。そしてレチクル２２の上方に設置された紫外線照
射光源を点灯させ、レチクル２２を介して紫外線を投影
レンズ２０に導入させると、当該投影レンズの縮小投影
機能により、レチクル２２を通過した紫外線は縮小され
シリコン基板１２の表面に照射される。そして当該シリ
コン基板１２の表面に紫外線が照射されると、レジスト
膜１４が感光され、その後当該レジスト膜１４を現像工
程に投入することによりレジスト膜１４の感光された部
分のみ除去することが可能となり、半導体装置１０の表
面に配線用パターンを形成することができる。
程においては、配線用パターンを形成する工程が知られ
ている。図２は、シリコン基板１２の表面にレジストパ
ターンを形成するための感光装置の側面図を示す。シリ
コン基板１２の表面にスピンコート等でレジスト感光剤
（ポジ型）１４を塗布した後は、同図に示すようにシリ
コン基板１２を感光装置１６側へと移動させる。ここで
感光装置１６は、シリコン基板１２を保持するステージ
１８と、当該ステージ１８の直上に設けられた投影レン
ズ２０と、当該投影レンズ２０の上方に設けられ配線用
パターンが形成されたレチクル２２（いわゆるマスク）
と、当該レチクル２２の上方に設けられ紫外線をシリコ
ン基板１２に向かって照射可能とする図示しない紫外線
照射光源（光の波長が４３６ｎｍのｇ線、光の波長が３
６５ｎｍのｉ線、光の波長が２４８ｎｍのエキシマレー
ザなどを使用）とで構成されている。レチクル２２は、
半導体装置１０の表面に形成されるパターンと同一模様
のスリットを有しているとともに、レチクル２２自体の
大きさは、シリコン基板１２の大きさの約５倍となって
いる。そしてレチクル２２の上方に設置された紫外線照
射光源を点灯させ、レチクル２２を介して紫外線を投影
レンズ２０に導入させると、当該投影レンズの縮小投影
機能により、レチクル２２を通過した紫外線は縮小され
シリコン基板１２の表面に照射される。そして当該シリ
コン基板１２の表面に紫外線が照射されると、レジスト
膜１４が感光され、その後当該レジスト膜１４を現像工
程に投入することによりレジスト膜１４の感光された部
分のみ除去することが可能となり、半導体装置１０の表
面に配線用パターンを形成することができる。
【００１６】
【実施例】次に上述した感光装置１６を用いてシリコン
基板１２の表面に配線用パターンを形成する手順を説明
する。
基板１２の表面に配線用パターンを形成する手順を説明
する。
【００１７】半導体製造装置１０の表面に配線用パター
ンを形成するためには、前述の通り配線用パターンと同
一模様のスリットを有したレチクル２２が必要となる
が、ここでレチクル２２におけるスリットの形状を、配
線用パターンが密になっている部分と、疎になっている
部分との間にダミーパターンが形成されるようにし、レ
チクル２２を通過した紫外線が半導体装置１０の表面に
照射された場合、単位面積あたりの照射率が略等しくな
るようにする。なお配線パターン２４の疎密の判断基準
としては、当該配線パターン２４同士間の距離（最小あ
き寸法）がダミーパターン２６の幅の１．５倍より狭け
れば密であると判断し、ダミーパターン２６の幅の１．
５倍以上であれば疎であると判断する。すなわち本実施
例では（図１に示すように）ダミーパターン２６は長さ
１０ミクロンのパターンを十字に重ねた形態となってい
るので、配線パターン２４の疎密は隣り合う配線パター
ン２４間の距離が１５ミクロンを境にして判定される。
ンを形成するためには、前述の通り配線用パターンと同
一模様のスリットを有したレチクル２２が必要となる
が、ここでレチクル２２におけるスリットの形状を、配
線用パターンが密になっている部分と、疎になっている
部分との間にダミーパターンが形成されるようにし、レ
チクル２２を通過した紫外線が半導体装置１０の表面に
照射された場合、単位面積あたりの照射率が略等しくな
るようにする。なお配線パターン２４の疎密の判断基準
としては、当該配線パターン２４同士間の距離（最小あ
き寸法）がダミーパターン２６の幅の１．５倍より狭け
れば密であると判断し、ダミーパターン２６の幅の１．
５倍以上であれば疎であると判断する。すなわち本実施
例では（図１に示すように）ダミーパターン２６は長さ
１０ミクロンのパターンを十字に重ねた形態となってい
るので、配線パターン２４の疎密は隣り合う配線パター
ン２４間の距離が１５ミクロンを境にして判定される。
【００１８】このようにレチクル２２を形成すると、感
光装置１６を稼働させることで、半導体装置１０におけ
るレジスト膜１４に、配線用パターン２４とともにダミ
ーパターン２６を形成することができる。ここでダミー
パターン２６は、紫外線が半導体装置１０の表面に照射
された場合、単位面積あたりの照射率が略等しくなるよ
うに配置されていることから、レジスト膜１４への紫外
線２８の照射により当該紫外線２８がレジスト膜１４か
ら反射しようとしても、隣接する配線用パターン２４お
よびダミーパターン２６における紫外線の反射光３０と
干渉が起こり、当該反射光３０がレチクル２２にて反射
する二次光３２の光量を均一且つ低減させることができ
る。このため配線用パターン２４配列の密疎により二次
光３２の光量が変化し配線用パターン２４の幅が変動す
ることを防止することができる。
光装置１６を稼働させることで、半導体装置１０におけ
るレジスト膜１４に、配線用パターン２４とともにダミ
ーパターン２６を形成することができる。ここでダミー
パターン２６は、紫外線が半導体装置１０の表面に照射
された場合、単位面積あたりの照射率が略等しくなるよ
うに配置されていることから、レジスト膜１４への紫外
線２８の照射により当該紫外線２８がレジスト膜１４か
ら反射しようとしても、隣接する配線用パターン２４お
よびダミーパターン２６における紫外線の反射光３０と
干渉が起こり、当該反射光３０がレチクル２２にて反射
する二次光３２の光量を均一且つ低減させることができ
る。このため配線用パターン２４配列の密疎により二次
光３２の光量が変化し配線用パターン２４の幅が変動す
ることを防止することができる。
【００１９】またダミーパターン２６は、半導体装置１
０の性能自体に影響しないことから、形状異常等の不良
があっても構わないが、半導体装置１０の機械検査にお
いては、シリコン基板１２における隣接する半導体装置
１０（１０Ａと１０Ｂ、１０Ｂと１０Ｃ・・・）同士の
配線用パターンを比較しながら検査をしていくのでダミ
ーパターン２６の形状不良等で不良として扱われる場合
がある。しかしダミーパターン２６は半導体装置１０の
性能に寄与しないことから、当該ダミーパターン２６の
形状を視認し易い十文字やその他の形状等にし、検査装
置が不良として除外したものを作業者がＣＣＤカメラと
モニタとを備えた拡大装置を用いて不良個所がダミーパ
ターン２６であるか配線用パターン２４であるかを容易
に判定できれば、作業効率の向上と当該作業の確実性を
向上させることができる。
０の性能自体に影響しないことから、形状異常等の不良
があっても構わないが、半導体装置１０の機械検査にお
いては、シリコン基板１２における隣接する半導体装置
１０（１０Ａと１０Ｂ、１０Ｂと１０Ｃ・・・）同士の
配線用パターンを比較しながら検査をしていくのでダミ
ーパターン２６の形状不良等で不良として扱われる場合
がある。しかしダミーパターン２６は半導体装置１０の
性能に寄与しないことから、当該ダミーパターン２６の
形状を視認し易い十文字やその他の形状等にし、検査装
置が不良として除外したものを作業者がＣＣＤカメラと
モニタとを備えた拡大装置を用いて不良個所がダミーパ
ターン２６であるか配線用パターン２４であるかを容易
に判定できれば、作業効率の向上と当該作業の確実性を
向上させることができる。
【００２０】なお十文字やその他の形状としたダミーパ
ターン２６の内部にマーキングを施し、判定作業の視認
度を向上させてもよく、さらに当該マーキングを文字と
すれは配線用パターン２４とダミーパターン２６との識
別度が向上することはいうまでもない（図３（２）参
照）。また本実施の形態では、ポジ型のレジスト感光剤
を用いることとしたが、ネガ型のレジスト感光剤を用い
ても同様の効果を得ることができる。さらに本実施の形
態ではダミーパターン２６の形状を十文字としたが、配
線パターン２４との識別が明確にできればよいことか
ら、識別度の高い四角形状やひし型形状を用いてもよい
ことはいうまでもない。
ターン２６の内部にマーキングを施し、判定作業の視認
度を向上させてもよく、さらに当該マーキングを文字と
すれは配線用パターン２４とダミーパターン２６との識
別度が向上することはいうまでもない（図３（２）参
照）。また本実施の形態では、ポジ型のレジスト感光剤
を用いることとしたが、ネガ型のレジスト感光剤を用い
ても同様の効果を得ることができる。さらに本実施の形
態ではダミーパターン２６の形状を十文字としたが、配
線パターン２４との識別が明確にできればよいことか
ら、識別度の高い四角形状やひし型形状を用いてもよい
ことはいうまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体装置の表面にレジスト膜を塗布した後、当該レジス
ト膜への露光を行い配線用パターンを形成するととも
に、前記露光にて当該配線用パターンに近接するダミー
パターンも同時に形成したことから、半導体装置の表面
に形成される配線用パターンの引き回しに粗密が生じて
も、当該粗密により配線用パターンの幅が異なることを
防止することができる。
導体装置の表面にレジスト膜を塗布した後、当該レジス
ト膜への露光を行い配線用パターンを形成するととも
に、前記露光にて当該配線用パターンに近接するダミー
パターンも同時に形成したことから、半導体装置の表面
に形成される配線用パターンの引き回しに粗密が生じて
も、当該粗密により配線用パターンの幅が異なることを
防止することができる。
【図１】本実施の形態に係る半導体装置の製造工程によ
り形成されたレジストパターンを示す外観拡大図であ
る。
り形成されたレジストパターンを示す外観拡大図であ
る。
【図２】半導体装置の表面にレジストパターンを形成す
るための感光装置の側面図を示す。
るための感光装置の側面図を示す。
【図３】半導体装置が形成された半導体ウェハの表面状
態図を示す。
態図を示す。
１０ 半導体装置 １２ シリコン基板 １４ レジスト感光剤 １６ 感光装置 １８ ステージ ２０ 投影レンズ ２２ レチクル ２４ 配線用パターン ２６ ダミーパターン ２８ 紫外線 ３０ 反射光 ３２ 二次光
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体装置の表面にレジスト膜を塗布し
た後、当該レジスト膜への露光を行い配線用パターンを
形成するとともに、前記露光にて当該配線用パターンに
近接するダミーパターンも同時に形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記配線用パターンの周囲にパターン密
度を略均一にするよう前記ダミーパターンを形成するこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記ダミーパターンの形状を十文字にし
たことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記ダミーパターンには前記配線用パタ
ーンとの識別をなすマーキングを施したことを特徴とす
る請求項１乃至請求項３に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】 前記マーキングは文字からなることを特
徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10343082A JP2000174020A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10343082A JP2000174020A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174020A true JP2000174020A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18358811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10343082A Withdrawn JP2000174020A (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000174020A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007148300A (ja) * | 2004-12-21 | 2007-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | パターンニング方法とこれに用いられる近接露光用の原版マスク、およびカラーフィルタ基板 |
-
1998
- 1998-12-02 JP JP10343082A patent/JP2000174020A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007148300A (ja) * | 2004-12-21 | 2007-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | パターンニング方法とこれに用いられる近接露光用の原版マスク、およびカラーフィルタ基板 |
| JP4697960B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2011-06-08 | 大日本印刷株式会社 | パターンニング方法とこれに用いられる近接露光用の原版マスク |
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