JP4528034B2 - シールド材の製造方法 - Google Patents

Description

本発明はシールド材の製造方法に係り、さらに詳しくは、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）から漏洩する電磁波を遮断できるシールド材の製造方法に関する。

近年、広い視野角をもち、表示品質がよく、大画面化ができるなどの特徴をもつＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）は、マルチメディアディスプレイ機器などに急速にその用途を拡大している。

ＰＤＰはその駆動により電磁波を発生するので、ＰＤＰの前方にはＰＤＰからの電磁波を遮蔽するためのシールド材が配置される。

従来のシールド材は、透明基板とその上に形成されたメッシュ状の導電層パターンとにより基本構成されている（例えば特許文献１）。

導電層パターンはフォトリソグラフィ及びエッチングにより導電層がパターニングされて形成される。図１には、シールド材の導電層パターンを形成するためのフォトリソグラフィで使用されるネガ型のフォトマスクの一例が示されている。このフォトマスクでは、透明なガラス基板１００上の中央部に導電層パターンに対応する白抜き部１０２がメッシュ状に設けられており、それ以外の部分には遮光層１０４が形成されている。また、導電層パターンに繋がる外枠部（接地電極）に対応する部分に外枠部用白抜き部１０２ａがリング状に設けられており、そこから外側領域にはリング状の遮光層１０４ａが形成されている。さらに、リング状の遮光層１０４ａ内の４つコーナー部には、アライメントマークを形成するためのアライメントマーク用白抜き部１０２ｂがそれぞれ設けられている。

そして、透明基材上に形成された導電層上にネガ型のレジストが塗布され、上記したフォトマスクを介してレジストが露光・現像される。次いで、そのレジストをマスクにして導電層がエッチングされた後に、レジストが除去される。

これにより、図２に示すように、透明基材２００上の中央部にメッシュ状の導電層パターン２０２が形成されると同時に、透明基材２００上の周縁側に導電層パターン２０２に繋がるリング状の外枠部２０２ａ（接地電極）が形成される。さらに同時に、外枠部の４つのコーナー部の近傍にアライメントマーク２０６がそれぞれ形成される。

導電層パターン２０２は、ＰＤＰ画面との間でのモアレ（干渉縞）の発生を防止するために、外枠部２０２ａの一辺に対して非垂直な配置角度θ（図２）をもって形成される。
特開平１１−３３７７０２号公報

ところで、シールド材は各種のＰＤＰに対応させる必要があることから、外枠部２０２ａの一辺に対する導電層パターン２０２の配置角度θは多種多様である。異なる配置角度θをもつ導電層パターンを形成するためには、それらの配置角度θにそれぞれ対応するフォトマスクを用意する必要がある。増してや、さらに多種多様な配置角度をもった導電層パターンを形成するには、膨大な数の高価なフォトマスクを作成する必要があるので、シールド材の製造コストが大幅に上昇してしまうという問題がある。

本発明は以上の問題点を鑑みて創作されたものであり、シールド材ごとに多種多様な配置角度をもつ導電層パターンをそれぞれ備えたシールド材を低コストで製造できるシールド材の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明はシールド材の製造方法に係り、透明基材上に、導電層及びレジストを順に形成する工程と、配置角度を調整できる第１のフォトマスクを介して、前記レジストに対して導電層パターンを形成するための露光を行う工程と、前記導電層パターンを形成するための露光を行う工程の前又は後に、第２のフォトマスクを介して、前記レジストに対して、前記導電層パターンに繋がる外枠部を形成するための露光を行う工程と、前記レジストを現像することにより、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記導電層をパターニングすることにより、前記導電層パターンと、該導電層パターンに繋がる前記外枠部とを形成する工程とを有することを特徴とする。

本発明では、まず、透明基材上の導電層上に形成されたレジストに対して第１のフォトマスクを介して導電層パターンを形成するための露光を行う。このとき、第１のフォトマスクは、その中心部を軸にして基準位置から所要角度まで回転可能になっており、第１のフォトマスクを使用して形成される導電層パターンの配置角度を調整できるようになっている。

次いで、第２のフォトマスクを介して、レジストに対して導電層パターンに繋がる外枠部を形成するための露光を行う。なお、導電層パターンを形成するための露光の前に、外枠部を形成するための露光を行ってもよい。

続いて、露光されたレジストを現像することにより、導電層パターン及び外枠部に対応するレジストパターンを形成する。その後に、レジストパターンをマスクにして導電層をパターニングすることにより、導電層パターンとそれに繋がる外枠部（接地電極）が得られる。

そのような製造方法を採用することにより、多種多様な配置角度をもつ導電層パターンを形成するために膨大な数のフォトマスクを作成する必要はなく、少なくとも２枚のフォトマスクを使用することにより、シールド材ごとに多種多様な配置角度をもつ導電層パターンを形成することができる。このように、多種多様な配置角度をもつ導電層パターンを備えたシールド材を製造する際に、フォトマスクの作成に係るコストを大幅に低減することができるので、シールド材のコスト低減を図ることができる。

また、上記課題を解決するため、本発明は露光装置に係り、表示装置からの電磁波を遮蔽する導電層パターンを備えたシールド材の該導電層パターンを形成するための露光装置であって、光照射部と、前記光照射部から照射される光が透過するフォトマスクが載置されるフォトマスクステージと、前記フォトマスクを透過する光によって露光されるワークが載置されるワークステージとを有し、前記フォトマスクステージは回転機能を備えていることを特徴とする。

本発明の露光装置を使用することにより、上記したシールド材の製造法を容易に遂行することができる。

以上説明したように、本発明では、シールド材ごとに多種多様の配置角度をもつ導電層パターンを備えたシールド材を低コストで形成することができる。

本発明の実施の形態について、図を参照しながら説明する。

図３（ａ）及び（ｂ）は本発明のシールド材の製造方法で使用される第１のフォトマスクの一例を示す図、図４（ａ）及び（ｂ）は同じく第２のフォトマスクの一例を示す図、図５は本発明の実施形態の露光装置を示す構成図である。

図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る第１のフォトマスク１は、透明なガラス基板１０上に遮光層１２がパターニングされて構成されている。遮光層１２としては、クロム（Ｃｒ）層又はエマルジョン（乳剤）層などが使用される。本実施形態では、ネガ型のレジストをパターニングするためのネガ型のフォトマスクが示されており、遮光層１２が形成されていないメッシュ状の白抜き部１４は、シールド材の導電層パターンに対応し、遮光層１２及び白抜き部１４は第１のフォトマスク１の全面にわたってパターニングされている。ネガ型のレジストでは、露光された部分が選択的に架橋することに基づいて現像液に不溶となるので、メッシュ状の白抜き部１４に対応する部分にレジストパターンが残される。

図４（ａ）及び（ｂ）には、本実施形態に係る第２のフォトマスク２が示されている。第２のフォトマスク２では、透明なガラス基板１０上の周縁側にリング状白抜き部１４ａが設けられており、このリング状白抜き部１４ａはシールド材の導電層パターンに繋がる外枠部（接地電極）に対応するように配置されている。さらに、リング状白抜き部１４ａの４つの外側コーナー部の近傍には、アライメントマーク用白抜き部１４ｂがそれぞれ設けられている。そして、第２のフォトマスク２では、リング状白抜き部１４ａ及びアライメントマーク用白抜き部１４ｂ以外の部分は遮光層１２によって被覆されている。

このように、本実施形態では、第１及び第２のフォトマスク１，２が使用され、第１のフォトマスク１がメッシュ状の導電層パターンを形成するためのものであり、第２のフォトマスク２が導電層パターンに繋がるリング状の外枠部を形成するためのものである。

本実施形態では、後述するように、シールド材の導電層パターン及びそれに繋がる外枠部を形成するためのネガ型のレジストに対して、まず、第１のフォトマスク１を介して導電層パターン用の第１の露光を行い、続いて第２のフォトマスク２を介して外枠部用の第２露光を行った後に、一括してレジストを現像することによって、レジストパターンを形成する。

しかも、後述するように、本実施形態で使用される露光装置はフォトマスクを回転するための回転機能を備えており、外枠部の一辺に対する導電層パターンの配置角度θ（図３参照）を所要角度に設定できるようになっている。このため、第１のフォトマスク１を使用することにより、シールド材ごとに多種多様な配置角度θをもつ導電層パターンを形成することができる。

次に、本実施形態で使用される露光装置について説明する。図５にはプロキシミティ型の露光装置が例示されている。本実施形態の露光装置３は、光照射部２０とフォトマスクステージ３０とワークステージ４０とにより基本構成されている。

光照射部２０では、集光器２１の中に超高圧水銀灯などから構成される紫外線ランプ２２が格納されており、その下側に第１ミラー２３が配置されている。また、第１ミラー２３の横方向にはインテグレータレンズ２４が配置され、その横方向に第２ミラー２５が配置されている。さらに、第２ミラー２５の下方にコリメータレンズ２６が配置されている。上記２１〜２６によって光照射部２０が構成されている。

そして、紫外線ランプ２２から照射される光は集光器２１で集光され、第１ミラー２３で反射した後にインテグレータレンズ２４に入射する。インテグレータレンズ２４に入射した光は均一な強度分布になって放出され、さらに第２ミラー２５で反射されて、コリメータレンズ２６に入射する。コリメータレンズ２６を透過した光は平行光となって下側のフォトマスクＭ側に均一な照度で出射される。

また、光照射部２０の下方にはフォトマスクＭを載置するためのマスクステージ３０が設けられている。マスクステージ３０は円状板よりなり、フォトマスクＭの露光領域に対応する中央主要部には四角状の開口部３１ｘが設けられている。また、マスクステージ３０はフォトマスクＭを固定するための固定手段（不図示）を備えている。

さらに、図６（平面図）を加えて参照すると、マスクステージ３０の外周部には３つの回転体３２が装着されており、一つの回転体３２の下にはサーボモータ３４が連結されている。マスクステージ３０を回転させる場合は、サーボモータ３４が駆動し、回転体３２の回転に連動してマスクステージ３０が回転するようになっている。このようにして、マスクステージ３０上に載置されたフォトマスクＭを、その中心部を軸にして基準位置から所要角度まで回転させて配置させることができる。

なお、特に、横長の表示画面を備えたＰＤＰに対応するシールド材を製造する場合は、フォトマスクＭを回転させる際にフォトマスクＭの露光領域からワークＷがはみ出さないように、フォトマスクＭの大きさをワークＷよりも大きく設定することが肝要である。フォトマスクＭの露光領域からはみ出したワークＷの部分には、ネガ型レジストの場合はパターンが形成されなくなるからである。

さらに、マスクステージ３０の下方には、ワークＷが載置されるワークステージ４０が設けられている。ワークステージ４０にはワークステージ移動手段４２が接続されており、水平方向（Ｘ−Ｙ方向）、垂直方向（Ｚ方向）に移動可能になっていると共に、回転機能を備えている。また、ワークステージ４０は真空チャックなどの吸着機能を備えており、ワークＷがワークステージ４０上に固定されるようになっている。

ワークステージ４０の水平方向（Ｘ−Ｙ方向）の移動によってフォトマスクＭとワークＷとの微小な位置合わせが行われ、さらにワークステージ４０の垂直方向（Ｚ方向）の移動によってフォトマスクＭとワークＷとの間隔が調整される。

また、フォトマスクステージ３０を原点復帰させた状態で、ワークステージ４０を回転させてもよいし、あるいは、フォトマスクステージ３０の回転とワークステージ４０の回転とを組み合わせることによってフォトマスクの配置角度を調整してもよい。

次に、前述した第１及び第２のフォトマスク１，２と上記した露光装置３とを用いて、シールド材の導電層パターンを形成する方法について説明する。

図７に示すように、まず、プラスチックフィルムなどの透明基材５０上に銅などよりなる導電層５２を形成した後に、導電層５２上にネガ型のレジスト５４を形成する。次いで、この透明基材５０を上記した構成の第１露光装置３のワークステージ４０上に載置して固定する。さらに、前述した第１のフォトマスク１を露光装置３のフォトマスクステージ３０上に載置して固定する。このとき、フォトマスクステージ３０は原点復帰した状態となっており、第１フォトマスク１が所定の基準位置に位置合わせされた状態で固定される。

最初に、第１のフォトマスク１を基準位置に配置して、配置角度θ（図３参照）をもつ導電層パターンを形成する第１の方法について説明する。第１の方法では、第１のフォトマスク１の配置角度を変える必要はないので、フォトマスクステージ３０を回転させる必要はない。このとき、ワークステージ４０の移動により、第１フォトマスク１と透明基材５０との微小な位置合わせや間隔調整が行われる。

次いで、第１露光装置３の光照射部２０から光を照射させることにより、第１フォトマスク１を介して透明基材５０上のレジスト５４に対して第１の露光を行う。図８に示すように、第１の露光では、メッシュ状の導電層パターンが透明基材５０のシールド材となる全体領域に形成されるようにレジスト５４の部分が露光される。すなわち、図８のＡで示されるメッシュ状のパターンで描かれたレジスト５４の部分が露光される。

続いて、第１の露光装置３と同一構成の別の第２の露光装置３を用意し、上記した第２のフォトマスク２を第２の露光装置３のフォトマスクステージ３０上に載置する。そして、第１の露光が完了した上記透明基材５０を第２の露光装置３のワークステージ４０上に載置し、第２のフォトマスク２を介して透明基材５０上のレジスト５４に対して第２の露光を行う。第２の露光では、レジスト５４のシールド材の外枠部に対応する部分及びアライメントマークに対応する部分が露光される。すなわち、図９のＢで示されるリング状の領域及びＣで示される十字状の領域（共に太線で囲まれた領域）に第２の露光が行われる。外枠部に対応するレジスト５４の領域には第１の露光が行われた部分が既に存在するが、最終的には外枠部になる領域全体が露光されたことになる。

なお、外枠部を形成するための第２の露光が行われる第２の露光装置３では、第２のフォトマスク２を回転させる必要がないので、フォトマスクステージ３０は必ずしも回転機能を備えていなくてもよい。

次いで、第１、第２の露光が完了した透明基材５０を第２の露光装置３から搬出し、透明基材５０上のレジスト膜５４を現像する。このとき、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、レジスト５４の露光された部分が架橋することで現像液に不溶となり、未露光の部分のみが現像液に溶解することにより、レジストパターン５４ａが形成される。レジストパターン５４ａは、導電層パターンに対応するメッシュ状パターン５４ｘとそれに繋がる外枠部に対応するリング状の外枠パターン５４ｙとアライメントマーク用パターン５４ｚをもって形成される。

なお、最初に外枠部を形成するための露光を行い、その後に導電層パターンを形成するための露光を行う場合であっても、図１０と同様なレジストパターン５４ａが得られるので、前述した第１の露光及び第２の露光の順番を逆にしてもよい。

次いで、レジストパターン５４ａをマスクにして導電層５２をエッチングした後に、レジストパターン５４ａを除去する。これにより、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、中央部主要にメッシュ状の導電層パターン５２ａが形成され、周縁側に導電層パターン５２ａに繋がるリング状（四角状）の外枠部５２ｂが形成される。さらに同時に、外枠部５２ｂから外側周辺部にもそれに繋がるメッシュ状の導電層パターン５２ａが形成されると共に、四隅にアライメントマーク５２ｃがそれぞれ形成される。
このとき、導電層パターン５２ａは外枠部５２ｂの一辺に対して非垂直な配置角度θをもって繋がって形成される。

これにより、本実施形態に係る第１のシールド材５が得られる。本実施形態の第１のシールド材５は、ＰＤＰ（表示装置）の前方に配置され、外枠部５２ｂがＰＤＰの接地端子に電気的に接続される。なお、導電層パターン５２ａの上方に近赤外線吸収層や反射防止層などを形成してもよい。

次に、前述した第１、第２フォトマスク１，２と同一のマスクを使用して、基準配置角度θから角度αだけ傾いた配置角度θ＋αをもつ導電層パターンを形成する第２の方法について説明する。

第２の方法では、まず、第１のフォトマスク１を第１の露光装置３のフォトマスクステージ３０上の基準位置に載置すると共に、図７と同様な導電層５２及びレジスト５４が形成された透明基材５０を第１の露光装置３のワークステージ４０上に配置する。その後に、サーボモータ３４を駆動させてフォトマスクステージ３０を角度α分だけ回転させる。これにより、第１のフォトマスク１は、中心部を軸として基準配置角度θから角度α分だけ回転して配置され、メッシュ状の白抜き部１４も角度α分だけ傾いて配置される。

続いて、そのように配置された第１のフォトマスク１を介して透明基材５０上のレジスト５４に対して第１の露光を行う。第１の露光では、図１２のＡで示される部分のメッシュ状の部分に露光される。すなわち、前述した図９においてＡで示されるメッシュ状露光部が角度α分だけ全体的に左側に傾いた部分に露光される。

次いで、第１の露光が完了した透明基材５０を第２のフォトマスク２が装着された第２の露光装置３のワークステージ４０上に配置する。続いて、第２のフォトマスク２を介して透明基材５０上のレジスト膜５４に対して第２の露光を行う。第２の露光では、図１２のＢで示されるリング状の領域及びＣで示される十字状の領域（共に太線で囲まれた領域）に露光が行われる。

続いて、透明基材５０上のレジスト膜５４を現像することにより、前述した図１０（ａ）と同様な、メッシュ状パターン５４ｘ、それに繋がるリング状の外枠パターン５４ｙ及びアライメントマーク用パターン５４ｚよりなるレジストパターン５４ａが得られる。
なお、前述したように、第１の露光と第２の露光の順番を逆に行っても同様なレジストパターン５４ａを得ることができる。

次いで、レジストパターン５４ａをマスクにして導電層５２をエッチングした後に、レジストパターン５４ａを除去する。これにより、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、前述した図１１と同様な構成で、透明基材５０上にメッシュ状の導電層パターン５２ａとそれに繋がるリング状（四角状）の外枠部５２ｂとアライメントマーク５２ｃが形成される。このとき、導電層パターン５２ａは、図１１（ａ）のシールド材の導電層パターン５２ａの配置角度θから角度αで左側に傾いた配置角度（θ＋α）で外枠部５２ｂに繋がって形成される。この場合も、導電層パターン５２ａは外枠部５２ｂの一辺に対して非垂直な配置角度（θ＋α）をもって繋がって形成される。以上により、本実施形態に係る第２のシールド材５ａが得られる。

従来技術では、上記したような、異なる配置角度（θ及び（θ＋α））をもって外枠部に繋がる導電層パターンを備えたシール材をそれぞれ製造する場合、異なる２つのマスクを用意する必要がある。増してや、さらに多種多様な配置角度をもった導電層パターンを形成するには、膨大な数のフォトマスクを作成する必要があるので、大幅なコスト上昇を招いてしまう。

しかしながら、本実施形態では、配置角度を調整できる回転可能なフォトマスクステージ３０を備えた露光装置３を用いて、第１のフォトマスク１で導電膜パターンを形成するための第１の露光を行い、その後に、第２のフォトマスク２で導電層パターンに繋がる外枠部を形成するための第２の露光を行うようにしている。このため、第１のフォトマスク１を回転させて所要角度に傾けて露光することにより、多種多様な配置角度をもつ導電層パターンを形成することができる。さらに、外枠部は第２のフォトマスク２を使用して別途露光することにより形成されるので、外枠部が不必要に傾いて形成されることもない。

従って、多種多様な配置角度をもつ導電層パターンにそれぞれ対応する膨大な数のフォトマスクを作成する必要がなく、少なくとも２枚のフォトマスクを作成すればよいので、フォトマスクの作成に係るコストを大幅に低減することができ、シールド材のコスト低減を図ることができる。

なお、基準配置角度θから傾ける角度αまでの範囲が大きい場合、最終的な配置角度θ＋αの精度が悪くなるおそれがあるときは、基準配置角度θから傾ける角度αを分割して複数の第１のフォトマスクを作成してもよい。例えば、基準配置角度θから最大で９０°傾ける必要がある場合、基準配置角度θから傾ける角度αが０〜３０°用のフォトマスク、基準配置角度θ＋３０°とし、そこから傾ける角度αが０〜３０°用のフォトマスク、基準配置角度θ＋６０°とし、そこから傾ける角度αが０〜３０°用のフォトマスクを用意すればよい。このようにすることにより、配置角度が広範囲にわたる場合であっても高精度な配置角度をもった導電層パターンを形成することができる。

また、前述した形態では、第１、第２の露光を第１、第２の露光装置でそれぞれ行う形態を例示したが、１つの露光装置を使用し、フォトマスクを入れ替えて第１、第２の露光をそれぞれ行うようにしてもよい。なお、特に、透明基材５０としてロールに巻かれたプラスチックフィルムを引き出して製造工程に送り出すロールツーロール法を採用する場合は、第１、第２の露光を２つの露光装置で連続的に行う方が好ましい。

図１は従来技術に係るシールド材の導電層パターンを形成するためのフォトマスクを示す平面図である。 図２は従来技術に係るシールド材を示す平面図である。 図３（ａ）は本発明の実施形態に係る第１のフォトマスクを示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面図である。 図４（ａ）は本発明の実施形態に係る第２のフォトマスクを示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。 図５は本発明の実施形態の露光装置を示す構成図である。 図６は図５の露光装置のフォトマスクステージを上側からみた平面図である。 図７は本発明の実施形態に係るシールド材を製造するために透明基材上の導電層上にレジストが形成された様子を示す断面図である。 図８は第１の方法により図７のレジストに第１の露光が行われた様子を示す平面図である。 図９は図８のレジストに第２の露光が行われた様子を示す平面図である。 図１０（ａ）は本発明の実施形態に係る透明基材上の導電層上にレジストがパターニングされた様子を示す断面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。 図１１（ａ）は本発明の実施形態のシールド材の製造方法により製造されたシールド材を示す平面図（その１）、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。 図１２は第２の方法によりレジストに第１及び第２の露光が行われた様子を示す平面図である。 図１３（ａ）は本発明の実施形態のシールド材の製造方法により製造されたシールド材を示す平面図（その２）、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＶ−Ｖに沿った断面図である。

符号の説明

１…第１のフォトマスク、２…第２のフォトマスク、３…露光装置、１０…ガラス基板、１２…遮光層、１４ａ…リング状白抜き部、１４ｂ…アライメント用白抜き部、２０…光照射部、２１…集光器、２２…紫外線ランプ、２３…第１のミラー、２４…インテグレータレンズ、２５…第２のミラー、２６…コリメータレンズ、３０…フォトマスクステージ、３２…回転体、３４…サーボモータ、４０…ワークステージ、４２…ワークステージ移動手段、５０…透明基材、５２…導電層、５２ａ…導電層パターン、５２ｂ…外枠部、５２ｃ…アライメントマーク、５４…レジスト、５４ａ…レジストパターン、５４ｘ…メッシュ状パターン、５４ｙ…外枠パターン、５４ｚ…アライメントマーク用パターン。

Claims (6)

1. 透明基材上に、導電層及びレジストを順に形成する工程と、
   配置角度を調整できる第１のフォトマスクを介して、前記レジストに対して導電層パターンを形成するための露光を行う工程と、
   前記導電層パターンを形成するための露光を行う工程の前又は後に、第２のフォトマスクを介して、前記レジストに対して、前記導電層パターンに繋がる外枠部を形成するための露光を行う工程と、
   前記レジストを現像することにより、レジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクにして前記導電層をパターニングすることにより、前記導電層パターンと、該導電層パターンに繋がる前記外枠部とを形成する工程とを有することを特徴とするシールド材の製造方法。
2. 前記導電層パターンを形成するための露光を行う工程において、前記第１のフォトマスクを基準位置又は該基準位置から所要角度まで回転させた後に、前記第１のフォトマスクを介して露光を行うことを特徴とする請求項１に記載のシールド材の製造方法。
3. 前記レジストはネガ型であって、
   前記導電層パターンを形成するための露光を行う工程において、前記外枠部が形成される領域を含んで露光を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のシールド材の製造方法。
4. 前記第１のフォトマスクはメッシュ状の前記導電層パターンを形成するためのものであって、前記第２のフォトマスクは四角状の前記外枠部を形成するものであり、
   前記導電層パターンと前記外枠部とを形成する工程において、前記導電層パターンは前記外枠部の一辺に対して非垂直になって繋がって形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のシールド材の製造方法。
5. 前記導電層パターンと前記外枠部とを形成する工程において、前記シールド材の前記外枠部から外側周辺部に、該外枠部に繋がるメッシュ状の前記導電層パターンが形成されることを特徴とする請求項４に記載のシールド材の製造方法。
6. 前記透明基材はプラスチックフィルムであり、前記導電層は銅層であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のシールド材の製造方法。

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