JP2010113268A - シールド材の製造方法及びフォトマスク - Google Patents

Abstract

【課題】フォトマスクを介して露光を繰り返し行うことに基づいて連続的にパターンを形成する際に、前後の露光領域の境界部に信頼性よくパターンを形成することができるネガレジスト用のフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板４２と、その中央主要部Ｍに配置され、垂直軸から相互に逆方向に傾いて配置された複数の第１ラインパターン６２と第２ラインパターン６４とが交差して構成されるメッシュ状パターン６０と、透明基板４２上の右端部Ｐ１に第１ラインパターン６２が延在して形成された第１延出ラインパターン６２ａと、透明基板４２上の左端部Ｐ２に第２ラインパターン６４が延在して形成された第２延出ラインパターン６４ａとを含む。レジストの露光領域Ｅ１の右端部Ｐ１にフォトマスク４０の左端部Ｐ２が重なるように順次露光される。フォトマスクはシールド材の導電パターン層の形成に好適に使用される。
【選択図】図９

Description

本発明はシールド材の製造方法及びフォトマスクに係り、さらに詳しくは、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）から漏洩する電磁波を遮蔽するシールド材の製造方法及びその方法で好適に使用できるフォトマスクに関する。

近年、広い視野角をもち、表示品質がよく、大画面化ができるなどの特徴をもつＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）は、マルチメディアディスプレイ機器などに急速にその用途を拡大している。ＰＤＰはその駆動により電磁波を発生するので、ＰＤＰの前方にはＰＤＰからの電磁波を遮蔽するためにシールド材が配置される。

従来のシールド材には、金属層をフォトリソグラフィによってパターニングして得られる金属パターン層を電磁波遮蔽層として利用するものがある。

特許文献１には、ロールから巻きだされた高分子フィルムの片面に連続的に幾何学パターンの導電部を形成し、任意の幅に裁断してガラスに貼り合せることにより、電磁波シールド材を製造することが記載されている。
ＷＯ２００６−８８０５９

後述する関連技術の欄で説明するように、ロールから引き出されてくる銅箔付フィルムの銅箔をパターニングして連続的にメッシュ状の導電パターン層を形成し、そのフィルムを任意の長さに切断することに基づいてシールド材を製造する方法がある。

そのような製造方法では、銅箔付フィルムの上にレジストを形成し、フィルムの搬送方向にフォトマスクを介して露光を順次繰り返して行う必要がある。

前後の露光領域の境界部において、２つの露光領域が重なってしまうと、導電パターン層の配線密度が高くなって他の領域より黒っぽくみえてしまい、視覚的に好ましくない不具合が発生する。

これとは逆に、前後の露光領域の境界部において、２つの露光領域が離れてしまうと、導電パターン層が断線してしまうので、シールド材として機能しなくなってしまう。

本発明は以上の問題点を鑑みて創作されたものであり、フォトマスクを介して露光を繰り返し行うことに基づいて連続的に導電パターン層を形成する際に、前後の露光領域の境界部に信頼性よく導電パターン層を形成することができるシールド材の製造方法及びその方法で好適に使用できるフォトマスクを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明はフォトマスクに係り、透明基板と、前記透明基板上の中央主要部に配置され、垂直軸に対して相互に逆方向に傾いて配置された複数の第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交差して構成されるメッシュ状パターンと、前記透明基板上の右端部に配置され、前記第１ラインパターン及び第２ラインパターンのうちの一方が延在して形成された第１延出ラインパターンと、前記透明基板上の左端部に配置され、前記第１ラインパターン及び第２ラインパターンのうちの他方が延在して形成された第２延出ラインパターンとを有し、前記パターンは白抜きパターンからなることを特徴とする。

本発明のフォトマスクを使用してシールド材を製造する場合、まず、基材の上に形成された金属層の上にネガ型のレジストを形成する。さらに、本発明のフォトマスクを介してレジストを連続的に順次露光することにより、連続的なメッシュ状のレジストパターンを形成する。

本発明のフォトマスクでは、その中央主要部に相互に逆方向に傾いた第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交差して構成されるメッシュ状パターンが配置されている。

フォトマスクの右端部には、メッシュ状パターンの第１ラインパターン及び第２ラインパターンのうちの一方が延在する第１延出ラインパターンが形成されている。また、フォトマスクの左端部には、第１ラインパターン及び第２ラインパターンのうちの他方が延在する第２延出ラインパターンが形成されている。

つまり、第１延出ラインパターンと第２延出ラインパターンとは線対称的な方向（例えば右上方向と左上方向の関係）に延在している。

このようなフォマスクを使用して、レジストに第１露光領域を形成し、第１露光領域の右端部にフォトマスクの左端部を重ねるようにしてレジストに第２露光領域を形成する。

これによって、前後の露光領域の境界部では第１延出ラインパターンと第２延出ラインパターンが交差するように露光されるため、中央主要部と同様なメッシュ状のレジストパターンが境界部に形成される。

その結果、導電パターン層の配線密度が高くなって局所的に黒っぽくみえる部分や導電パターン層が断線している部分が発生するおそれがなくなり、信頼性の高いメッシュ状の導電パターンを連続的に形成することができる。

そして、基材を所要の長さで切断することにより多数のシールド部材を得ることができる。

本発明の好適な態様では、第１露光領域の右端部（フォトマスクの左端部に対応）にフォトマスクの左端部が重なるように前記フォトマスクを配置する際に、第１露光領域の左端部の最内側部と、フォトマスクの左端部の先端との間に間隔が設けられる。

このようにすることにより、フォトマスクが位置ずれする場合であっても、第１露光領域のメッシュ状露光部にフォトマスクの左端部が重ならないので、導電パターン層の配線密度が高くなって黒っぽく見える不具合が発生することが回避される。

以上説明したように、本発明では、前後の露光領域の境界部に信頼性よく導電パターン層を形成することができる。

本発明の実施の形態について、図を参照しながら説明する。

（関連技術）
図１は本発明に関連する関連技術のシールド材の製造方法を示す断面図である。関連技術のシールド材の製造方法では、図１（ａ）に示すように、ロールから引き出される長尺状の銅箔付きフィルム１００を用意する。銅箔付きフィルム１００はＰＥＴフィルム１２０の上に銅箔２００ａが接着されて構成される。さらに、図１（ｂ）に示すように、銅箔２００ａの上にネガ型のレジスト３００を形成する。

そして、図２に示すように、銅箔２００ａをパターニングするためのフォトリソグラフィで使用されるフォトマスク４００を用意する。図２の部分拡大図に示すように、フォトマスク４００では、ガラス板５００の上に遮光パターン４２０が形成され、これによってメッシュ状の白抜きパターン４４０が画定されている。

フォトマスク４００は全体にわたって同一のメッシュ状の露光パターンを備えている。フォトマスク４００はネガレジスト用のマスクであり、白抜きパターン４４０に対応する部分にレジストパターンが残される。

次いで、上記した図１（ｂ）の銅箔付きフィルム１００上のレジスト３００の１番目のショット領域に対してフォトマスク４００を介して１回目の露光を行う。さらに、銅箔付きフィルム１００を搬送させ、２番目のショット領域のレジスト３００に対してフォトマスク４００を介して２回目の露光を行う。

このようにして、銅箔付きフィルム１００が搬送されて、レジスト３００の多数のショット領域に順次露光が行われる。その後に、図１（ｃ）に示すように、レジスト３００を現像してレジストパターン３００ａを形成する。さらに、図１（ｄ）に示すように、レジストパターン３００ａをマスクにして銅箔２００ａをウェットエッチングすることにより導電パターン層２００を得る。

図３〜図５には、１回目及び２回目の露光領域Ｅ１，Ｅ２において、銅箔付きフィルム１００の銅箔２００ａがパターン化されて導電パターン層２００が形成された様子が示されている。

図３に示すように、露光ピッチがマスクサイズより小さくなる位置ずれが発生する場合は、１回目及び２回目の露光領域Ｅ１，Ｅ２の境界部Ａでは露光が２回行われることから、境界部Ａに形成される導電パターン層２００の配置密度が局所的に高くなる。

図３の部分拡大図に示すように、１回目及び２回目の露光においてフォトマスク４００の位置ずれが生じるため、正規のメッシュ状の導電パターン層２００に別のパターンがさらに繋がるからである。

その結果、１回目及び２回目の露光領域Ｅ１，Ｅ２の境界部Ａに配置される導電パターン層２００は配線密度が高いことから他の領域よりも黒っぽくみえてしまい、視覚的に好ましくない状態になってしまう。

また、図４に示すように、図３と逆に、露光ピッチがマスクサイズより大きくなる位置ずれが発生する場合は、１回目及び２回目の露光領域Ｅ１，Ｅ２の境界部Ａが未露光部となるため、導電パターン層２００が形成されずその領域で断線してしまう。

あるいは、図５に示すように、フォトマスク４００が回転方向に位置ずれする場合は、１回目及び２回目の露光領域Ｅ１，Ｅ２の境界部Ａに、導電パターン層２００の配線密度が局所的に高くなる部分と導電パターン層２００が断線する部分とが発生する。

このように、関連技術では、銅箔付きフィルム１００上のレジスト３００にフォトマスク４００を介して露光を連続的に行う際に、前後の露光領域Ｅ１，Ｅ２の境界部Ａに配置される導電パターン層２００を信頼性よく形成することは困難を極める。

このため、連続的にメッシュ状の導電パターン層２００が形成されたＰＥＴフィルム１２０を任意の長さに切断してシールド部材を得る際に、導電パターン層２００が局所的に黒っぽくみえる部分や導電パターン層２００が断線している部分が含まれてしまうことが多く、歩留りの低下を招く問題がある。

以下に説明する本発明の実施形態は上記した不具合を解消することができる。

（実施の形態）
図６〜図８は本発明の実施形態のシールド材の製造方法を示す断面図、図９及び図１０は同じくその製造方法で使用されるフォトマスクを示す平面図である。

本発明の実施形態のシールド材の製造方法では、図６（ａ）に示すように、銅箔付フィルム１０が巻かれたロール５が用意され、そのロール５から銅箔付フィルム１０が長尺状に引き出されて各種の製造装置６（露光装置やエッチング装置など）に搬送される（ロールツーロール方式）。

図６（ｂ）に示すように、銅箔付フィルム１０は、ＰＥＴフィルム１２の上に接着剤１４によって銅箔２０ａが貼着されて構成される。本実施形態では、銅箔付フィルム１０の銅箔２０ａ（金属層）をパターニングして導電パターン層（電磁波遮蔽層）を形成するが、ロールツーロール方式で搬送可能な各種のフレキシブル層（各種の透明基材）の上に金属層が形成された積層体を使用することができる。

次いで、図６（ｃ）に示すように、銅箔付フィルム１０の銅箔２０ａの上にネガ型のレジスト３０を形成する。レジスト３０は、ドライフィルムレジストを貼着して形成してもよいし、あるいは液状のレジストを塗布してもよい。

次に、ネガ型のレジスト３０をパターニングするためのフォトリソグラフィで使用されるフォトマスクについて説明する。

図９に示すように、本実施形態のフォトマスク４０では、ガラス板４２（透明基板）の上に遮光パターン５０が形成され、それによってメッシュ状白抜きパターン６０が画定されて露光パターンが構成されている。ガラス板４２には、中央主要部Ｍとその両端側の右端部Ｐ１及び左端部Ｐ２が画定されている。

メッシュ状白抜きパターン６０はフォトマスク４０の右端部Ｐ１及び左端部Ｐ２を除く中央主要部Ｍに配置されている。メッシュ状白抜きパターン６０は、垂直軸Ｖに対して所要の傾斜角θで右側に傾いて配置された第１白抜きラインパターン６２と、同じく傾斜角θで左側に傾いて配置された第２白抜きラインパターン６４とが交差して構成される。

第１白抜きラインパターン６２と第２白抜きラインパターン６４の傾斜角θは、０°を超え、９０°未満の範囲で任意に設定することができる。第１白抜きラインパターン６２と第２白抜きラインパターン６４は垂直軸Ｖから相互に逆方向に傾いて配置されていればよく、各傾斜角θは同一であってもよいし、異なっていてもよい。

また、フォトマスク４０の右端部Ｐ１には、メッシュ状白抜きパターン６０の第１白抜きラインパターン６２が同じ傾斜角θで右上に延在する第１延出白抜きラインパターン６２ａが配置されている。

一方、フォトマスク２の左端部Ｐ２には、メッシュ状白抜きパターン６０の第２白抜きラインパターン６４が同じ傾斜角θで左上に延在する第２延出白抜きラインパターン６４ａが配置されている。

後述するように、フォトマスク４０を介して第１回目の露光を行った後に、フォトマスク４０の右端部Ｐ１に対応する露光部にフォトマスク４０の左端部Ｐ２が重なるように配置されて第２回目の露光が行われる。

これにより、前後の露光領域の境界部では第１延出白抜きラインパターン６２ａと第２延出白抜きラインパターン６４ａとが実質的に交差したことになり、その結果、メッシュ状露光部が構成されるようになっている。

図９のフォトマスク４０では、右端部Ｐ１に、右上に延びる第１延出白抜きラインパターン６２ａが配置され、左端部Ｐ２に、左上に延びる第２延出白抜きラインパターン６４ａが配置されており、両者は線対称的な方向に延在している。

図１０には変形例のフォトマスク４０ａが示されている。図１０に示すように、図９のフォトマスク４０と逆に、フォトマスク４０ａの右端部Ｐ１に、第２白抜きラインパターン６４を延在させて右下に延びる第２延出白抜きラインパターン６４ａを配置し、左端部Ｐ２に、第１白抜きラインパターン６２を延在させて左下に延びる第１延出白抜きラインパターン６２ａを配置してもよい。

第１白抜きラインパターン６２と第２白抜きラインパターン６４の角傾斜角θは、０°を超え、９０°未満の範囲で任意に設定することができる。

つまり、本実施形態のフォトマスク４０では、右端部Ｐ１に、メッシュ状白抜きパターン６０を構成する第１白抜きラインパターン６２及び第２白抜きラインパターン６４のうちの一方が延在して第１延出白抜きパターン６２ａ又は６４ａが配置される。

一方、左端部Ｐ２では、第１白抜きラインパターン６２及び第２白抜きラインパターン６４のうちの他方が延在して第２延出白抜きパターン６４ａ又は６２ａが配置される。

図９及び図１０の例では、第１延出白抜きパターン６２ａ又は６４ａと第２延出白抜きパターン６４ａ又は６２ａとは、フォトマスク４０の中心部を軸として線対称には配置されているが、傾斜角度は必ずしも一致している必要はない。両者は、右上方向と左上方向の関係、又は右下方向と左下方向の関係で配置されていればよい。

続いて、図１１に示すように、図６（ｃ）の銅箔付きフィルム１０上のレジスト３０の第１ショット領域に対して上記したフォトマスク４０（図９）を介して第１の露光を行うことにより第１露光領域Ｅ１を得る。これにより、第１露光領域Ｅ１の中央主要部Ｍのレジスト３０では、フォトマスク４０のメッシュ状白抜きパターン６０に対応する部分がメッシュ状露光部３２となる。

これと同時に、第１露光領域Ｅ１の右端部Ｐ１では、フォトマスク４０の右端部Ｐ１の第１延出白抜きラインパターン６２ａに対応する部分が第１ライン露光部３４となる（図１０の拡大図の黒塗り部）。第１ライン露光部３４は、第１露光領域Ｅ１のメッシュ状露光部３２に繋がって配置される。

さらに、銅箔付きフィルム１０を搬送させ、銅箔付きフィルム１０上のレジスト３０の第２ショット領域に対して上記したフォトマスク４０を介して第２の露光を行うことにより第２露光領域Ｅ２を得る。このとき、第２の露光を行う際に、第１露光領域Ｅ１の右端部Ｐ１にフォトマスク４０の左端部Ｐ２が重なるようにして露光が行われる。

これにより、第２露光領域Ｅ２の中央主要部Ｍのレジスト３０では、フォトマスク４０のメッシュ状白抜きパターン６０に対応する部分がメッシュ状露光部３２となる。これと同時に、第２露光領域Ｅ１の左端部Ｐ２では、フォトマスク４０の左端部Ｐ２の第２延出白抜きラインパターン６４ａに対応する部分が第２ライン露光部３６（図１０の拡大図の点ハッチング部）となる。第２ライン露光部３６は、第２露光領域Ｅ２のメッシュ状露光部３２に繋がって配置される。

つまり、第１の露光及び第２の露光が行われた後では、第１露光領域Ｅ１と第２露光領域Ｅ２の境界部Ａでは、前述した図９のフォトマスク４０の第１延出白抜きラインパターン６２ａと第２延出白抜きラインパターン６４ａとが実質的に交差するように露光される。

これにより、図１１に示すように、第１露光領域Ｅ１と第２露光領域Ｅ２との境界部Ａのレジスト３０に、第１ライン露光部３４及び第２ライン露光部３６とによってメッシュ状露光部３２ａが得られる。境界部Ａのメッシュ状露光部３２ａは、中央主要部Ｍのメッシュ露光部３２に繋がった状態で形成される。

なお、実施形態では説明を簡易にするためフォトマスク４０を介する露光を２回のみ行っているが、実際には、同様にして同じフォトマスク４０を介して順次露光を繰り返すことにより、連続的に第ｎ（ｎは２以上の整数）露光領域まで形成する。

また、前述した図１０のフォトマスク４０ａを使用する場合も、第１露光領域Ｅ１と第２露光領域Ｅ２との境界部Ａに、図１１と同様なメッシュ露光部を得ることができる。

その後に、図１２に示すように、レジスト３０を現像することによりレジストパターン３０ａを得る（図７（ａ）を同時に参照）。第１露光領域Ｅ１と第２露光領域Ｅ２の中央主要部Ｍにメッシュ状のレジストパターン３０ａが形成されると共に、それらの境界部Ａにも中央主要部のレジストパターン３０ａに繋がるメッシュ状のレジストパターン３０ｂが形成される。

ネガ型のレジスト３０では、露光された部分が選択的に架橋することに基づいて現像液に不溶となってパターンが残される。

続いて、図１３に示すように、レジストパターン３０ａ，３０ｂをマスクにして銅箔２０ａをウェットエッチングした後に、レジストパターン３０ａ，３０ｂを除去することにより、導電パターン層２０を得る（図７（ｂ）及び（ｃ）を同時に参照）。

これにより、第１露光領域Ｅ１及び第２露光領域Ｅ２の各中央主要部Ｍにメッシュ状の導電パターン層２０が形成されると共に、それらの境界部Ａにも中央主要部Ｍの導電パターン層２０に繋がるメッシュ状の導電パターン層２０ｘが形成される。

さらに、図７（ｄ）に示すように、連続的に繋がったメッシュ状の導電パターン層２０が形成されたＰＥＴフィルム１２を所要の長さで切断することにより個々シールド部材８を得る。

以上のように、本実施形態のシールド材の製造方法では、長尺状の銅箔付きフィルム１０の銅箔２０ａの上にレジスト３０を形成し、同じフォトマスク４０を介してレジスト３０を連続的に順次露光することにより、連続的なメッシュ状のレジストパターン３０ａ，３０ｂを形成する。

本実施形態で使用されるフォトマスク４０では、その中央主要部に第１白抜きラインパターン６２と第２白抜きラインパターン６４とが交差して構成されるメッシュ状白抜きパターン６０が配置されている。

また、フォトマスク４０の右端部Ｐ１には、第１白抜きラインパターン６２が同一方向に延在する第１延出白抜きラインパターン６２ａが形成されている。また、フォトマスク４０の左端部Ｐ２には、第２白抜きラインパターン６４が同一方向に延在する第２延出白抜きラインパターン６４ａが形成されている。

このようなフォマスク２０を使用して、レジスト３０に第１露光領域Ｅ１を形成し、第１露光領域Ｅ１の右端部Ｐ１にフォトマスク４０の左端部Ｐ２を重ねるようにしてレジスト３０に第２露光領域Ｅ２を形成する。

これによって、前後の露光領域Ｅ１，Ｅ２の境界部Ａのレジストパターン３０ｂを中央主要部Ｍのレジストパターン３０ａに繋げて同様にメッシュ状に形成することができる。従って、前後の露光領域Ｅ１，Ｅ２の境界部Ａに配置される導電パターン層２０ｘも中央主要部Ｍの導電パターン層２０に繋がって同様にメッシュ状に形成される。

このため、導電パターン層２０の配線密度が高くなって局所的に黒っぽくみえる部分や導電パターン層２０が断線している部分が発生するおそれがなくなる。その結果、信頼性の高いメッシュ状の導電パターン２０を長尺状のＰＥＴフィルム１２の上に連続的に形成することができる。

本実施形態では、第２の露光を行う際に、フォトマスク４０の位置ずれが発生していない場合について説明しているが、フォトマスク４０が上下、左右、回転方向に位置ずれする場合であっても、第１露光領域Ｅ１と第２露光領域Ｅ２との境界部Ａで断線するおそれがないことが理解される。

そして、ＰＥＴフィルム１２を所要の長さで切断することにより多数のシールド部材８を得ることができる。本実施形態では、連続的に形成された導電パターン層は全体にわたって信頼性よく形成されるので、歩留りよく多数のシールド部材８を得ることができる。

図１４には、他の露光方法が示されている。前述した図１１の露光方法では、第１露光領域Ｅ１の右端部Ｐ１の最内側部にフォトマスク４０の左端部Ｐ２の先端が配置されるようにフォトマスク４０を位置合わせしている。

このため、前述した図１１において、第２露光領域Ｅ２を得る際に、フォトマスク４０が第１露光領域Ｅ１のメッシュ露光部３２側に位置ずれする場合は、境界部Ａの近傍のメッシュ露光部３２がフォトマスク４０の左端部Ｐ２の第２延出白抜きラインパターン６４ａを介してさらに露光されることになる。

このような位置ずれが生じた場合は、前述した関連技術の図３で説明したように導電パターン層の密度が局所的に高くなり、黒っぽくみえる不具合が発生する。

この対策として、図１４に示すように、前述した図１１において第１露光領域Ｅ１を形成した後に、第１露光領域Ｅ１の右端部Ｐ１の最内側部とフォトマスク４０の左端部Ｐ２の先端との間に間隔ｄが設けられるように第２の露光を行うことが好ましい。

間隔ｄは、第２の露光を行う際にフォトマスク４０が最大で位置ずれする場合であっても、フォトマスク４０の左端部Ｐ２が第１露光領域Ｅ１のメッシュ露光部３２（図１１）に重ならないように設定される。

図１４には、上記した露光方法に基づいて導電パターン２０が形成された様子が示されている。

この場合、図１４に示すように、第１露光領域Ｅ１の右端部Ｐ１の最内側部Ｐｘと第２露光領域Ｅ２の左端部Ｐ２の先端Ｐｙとの間に対応する部分に間隔ｄをもつ細長領域が設けられる。

図１４の部分断面図に示すように、この間隔ｄに配置される導電パターン層２０ｙは局所的にストライプ状に形成されるので、メッシュ状の導電パターン層２０ｘが配置された部分より配線密度が低くなって白っぽくみえる。しかしながら、関連技術の図３の黒っぽくみえる不具合と違って視覚的に特に問題はなく、ＰＤＰのシールド材として十分に適用することができる。

これにより、第２露光領域Ｅ２を形成する際に、フォトマスク４０が第１露光領域Ｅ１側に最大で位置ずれする場合であっても、細幅領域に白っぽくみえる部分が残存するものの、視覚的に問題になる黒っぽくみえる部分が残存する不具合が回避される。

また、一般的に、長尺状のフィルムの上にかなり広い面積で連続したメッシュ状の導電パターン層を形成する場合は、大型のフォトマスクを使用する必要がある。大型のフォトマスクは、クロム層を遮光パターンとして使用する必要があることから高価であり、フォトマスクのコストが高くなる問題がある。しかも、大きさの異なるシールド材を得る場合は、寸法の異なるフォトマスクを複数用意する必要がある。

これ対して、本実施形態では、比較的小さな１つのフォトマスクを使用して露光領域を重ねることにより連続的な導電パターン層を信頼性よく形成できる。小さなマスクはエマルジョンを遮光パターンとして使用できることから廉価であり、フォトマスクのコストを低減できるメリットがある。

また、縦寸法をシールド材の最大値に設定してフォトマスクを作成しておけば、横方向に連続的に露光することにより各種の大きさのシールド材を得ることができるので、複数のフォトマスクを作成する必要もない。

また、従来、グラビア印刷などにより導電性ペースト（銀ペーストなど）を印刷することによって連続的な導電パターン層を形成する方法が知られている。導電性ペーストから形成される導電パターン層は電気抵抗が比較的高いため、電磁波シールドとしての十分な性能を引き出せない場合がある。

しかしながら、本実施形態の露光方法を採用することにより、フォトリソグラフィによって電気抵抗が十分に低い銅箔から導電パターン層を連続的に形成できるので、十分な電磁波遮蔽性を有するシールド材を容易に製造することができる。

次に、本実施形態の製造方法を利用して製造されるシールド材の一例について説明する。図８（ａ）に示すように、図７（ｄ）の個々に切断されたシールド部材８を用意し、そのＰＥＴフィルム１２の下面を下面周縁部に黒枠部７０ａが設けられたガラス板７０の上に粘着層７２を介して貼着する。

その後に、図８（ｂ）に示すように、導電パターン層２０の上に粘着層７２ａを介して反射防止／近赤外線吸収フィルム７４を貼着することによりシールド材１が得られる。

そのようなシールド材１は、ガラス板７０がＰＤＰ側になり、反射防止／近赤外線吸収フィルム７４が視聴者側になるように、ＰＤＰの前方に配置される。ガラス板４０の周縁部上にはメッシュ状の導電パターン（不図示）が露出しており、その領域に導電性ペーストなどによって接続電極（不図示）が設けられる。

そして、シールド材１の接続電極が導電性テープなどによってＰＤＰのアース端子に接続されて、電磁波遮蔽シール材となる。

あるいは、剥離可能なセパレータの上に粘着層、樹脂層及び銅箔が形成されたロール状の積層体を引き出し、同様に銅箔をパターニングして導電パターン層を形成し、切断する前又は後に導電パターン層の上に反射防止／近赤外線吸収フィルムを貼着してもよい。この場合は、最終的にセパレータが剥離され、露出する粘着層がガラス板に貼付されるか、ＰＤＰに直接貼付される。

なお、本実施形態のフォトマスク４０，４０ａを使用してシールド材１の導電パターン層２０を形成する例を説明したが、それ以外にも基材上の導電層又は絶縁層をフォトリソグラフィでパターニングして連続的に各種パターンを形成する方法に適用することが可能である。

図１（ａ）〜（ｄ）は関連技術のシールド材の製造方法を示す断面図である。 図２は関連技術のシールド材の製造方法で使用されるフォトマスクを示す断面図である。 図３は関連技術のシールド材の製造方法の問題点を示す平面図（その１）である。 図４は関連技術のシールド材の製造方法の問題点を示す平面図（その２）である。 図５は関連技術のシールド材の製造方法の問題点を示す平面図（その３）である。 図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態のシールド材の製造方法を示す断面図（その１）である。 図７（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態のシールド材の製造方法を示す断面図（その２）である。 図８（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態のシールド材の製造方法を示す断面図（その３）である。 図９は本発明の実施形態のシールド材の製造方法で使用されるフォトマスクを示す平面図である。 図１０は本発明の実施形態のシールド材の製造方法で使用される変形例のフォトマスクを示す平面図である。 図１１は本発明の実施形態のシールド材の製造方法におけるレジストが露光された様子を示す平面図である。 図１２は本発明の実施形態のシールド材の製造方法におけるレジストパターンが形成された様子を示す平面図である。 図１３は本発明の実施形態のシールド材の製造方法における導電パターン層が形成された様子を示す平面図である。 図１４は本発明の実施形態のシールド材の製造方法における別の露光方法を示す平面図である。

符号の説明

１…シールド材、５…ロール、６…製造装置、８…シールド部材、１０…銅箔付フィルム、１４…接着剤、２０ａ…銅箔、２０，２０ｘ，２０ｙ…導電パターン層、３０…レジスト、３０ａ，３０ｂ…レジストパターン、３２…メッシュ状露光部、３４…第１ライン露光部、３６…第２ライン露光部、４０，４０ａ…フォトマスク、４２…ガラス基板、５０…遮光パターン、６０…メッシュ状白抜きパターン、６２…第１白抜きラインパターン、６２ａ…第１延出白抜きラインパターン、６４…第２白抜きラインパターン、６４ａ…第２延出白抜きラインパターン、７０…ガラス板、７２、７２ａ…粘着層、７４…反射防止／近赤外線吸収フィルム、Ａ…境界部、Ｅ１…第１露光領域、Ｅ２…第２露光領域、Ｍ…中央主要部、Ｐ１…右端部、Ｐ２…左端部、ｄ…間隔。

Claims (7)

1. 透明基板と、
   前記透明基板上の中央主要部に配置され、垂直軸に対して相互に逆方向に傾いて配置された複数の第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交差して構成されるメッシュ状パターンと、
   前記透明基板上の右端部に配置され、前記第１ラインパターン及び第２ラインパターンのうちの一方が延在して形成された第１延出ラインパターンと、
   前記透明基板上の左端部に配置され、前記第１ラインパターン及び第２ラインパターンのうちの他方が延在して形成された第２延出ラインパターンとを有し、
   前記パターンは白抜きパターンからなることを特徴とするフォトマスク。
2. 前記第１延出ラインパターンと前記第２延出ラインパターンとは、前記フォトマスクの中心部を軸として線対称になって配置されていることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
3. 前記フォトマスクを介してレジストが順次露光されて複数の露光領域が連続的に形成され、前記フォトマスクの右端部に対応する前記露光領域の右端部に前記フォトマスクの左端部を重なるように順次露光されることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスク。
4. 基材の上に形成された金属層の上にネガ型のレジストを形成する工程と、
   透明基板と、前記透明基板上の中央主要部に配置され、垂直軸に対して相互に逆方向に傾いて配置された複数の第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交差して構成されるメッシュ状パターンと、前記透明基板上の右端部に配置され、前記第１ラインパターン及び第２ラインパターンのうちの一方が延在して形成された第１延出ラインパターンと、前記透明基板上の左端部に配置され、前記第１ラインパターン及び第２ラインパターンのうちの他方が延在して形成された第２延出ラインパターンとを有し、前記パターンが白抜きパターンからなるフォトマスクを用意し、
   前記レジストに対して前記フォトマスクを介して露光することにより第１露光領域を得る工程と、
   前記フォトマスクの右端部に対応する前記第１露光領域の右端部に前記フォトマスクの前記左端部が重なるように前記フォトマスクを配置し、前記フォトマスクを介して前記レジストに対して露光することにより第２露光領域を得る露光方法に基づいて、連続的に第ｎ（ｎは２以上の整数）露光領域まで得る工程と、
   前記レジストを現像することにより前記レジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクにして前記金属層をエッチングすることにより、導電パターン層を得る工程と、
   前記レジストパターンを除去する工程とを有することを特徴とするシールド材の製造方法。
5. 前記金属層が形成された基材は、ロールから引き出されてくる長尺状の銅箔付きフィルムであり、
   前記レジストパターンを除去する工程の後に、所要の長さに切断することにより、シールド部材を得る工程をさらに有することを特徴とする請求項４に記載のシールド材の製造方法。
6. 前記第１延出ラインパターンと前記第２延出ラインパターンとは、前記フォトマスクの中心部を軸として線対称になって配置されていることを特徴とする請求項４又は５に記載のシールド材の製造方法。
7. 前記第１露光領域の右端部に前記フォトマスクの前記左端部が重なるように前記フォトマスクを配置する際に、
   前記第１露光領域の左端部の最内側部と、前記フォトマスクの左端部の先端との間に間隔が設けられることを特徴とする請求項４又は５に記載のシールド材の製造方法。

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