KR20040087894A - 디바이스 제조방법, 상기 방법에 사용되는 마스크 세트,프로그램가능한 패터닝 디바이스를 제어하는 데이터 세트,마스크 패턴을 생성하는 방법 및 컴퓨터 프로그램 - Google Patents

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Abstract

고립된 어두운 피처, 예를 들어, 콘택 홀 또는 라인은 2개의 노광시에 상이한 조명세팅을 사용하여 이중 노광으로 노광된다.

Description

디바이스 제조방법, 상기 방법에 사용되는 마스크 세트, 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 제어하는 데이터 세트, 마스크 패턴을 생성하는 방법 및 컴퓨터 프로그램{Device Manufacturing Method, Mask Set for use in the Method, Data Set for Controlling a Programmable Patterning Device, Method of Generating a Mask Pattern and a Computer Program}
본 발명은 리소그래피 투영장치를 사용하는 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피장치는 기판의 타겟부상에 필요한 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피장치는, 예를 들어, 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 이러한 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝수단이 IC의 개별층에 대응하는 회로패턴을 생성하도록 사용될 수 있고, 이 패턴은 방사선감응재(레지스트)층을 가지는 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 노광되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피장치는, 한번에 하나씩 타겟부상의 전체패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스테퍼, 및 투영빔을 통하여 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반-평행 방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 리소그래피장치는, 방사선의 빔을 공급하고 패터닝 디바이스를 조명하도록 구성된 방사선시스템을 포함한다; 상기 장치는 상기 패턴을 타겟부상에 묘화하도록 구성된 투영시스템을 포함한다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만, 이 용어는 예를 들어, 굴절광학, 반사광학 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 상기 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어하기 위한 임의의 설계방식에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 일반적으로, 상기 방사선시스템은 조명시스템을 포함한다. 상기 조명시스템은 레이저와 같은 소스로부터 방사선을 수용하고 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크테이블상의 마스크)와 같은 물체를 조명하는 조명 빔을 생성한다. 통상적인 조명 시스템내에서, 상기 빔은 조명시스템의 퓨필 평면에서 상기 빔이 필요한 공간세기분포를 가지도록 성형되고 제어된다. 퓨필 평면에서의 이러한 공간세기분포는 조명 빔을 생성하는 실제 방사선 소스로서 효과적으로 작용한다. 어두운 배경에 (실질적으로 균일한) 밝은 영역으로 구성된 상기 세기분포의 다양한 형상이 사용될 수 있다. 이후, 이러한 여하한의 형상을 "조명모드"라 한다. 공지된 조명모드는, 종래의(상기 퓨필내에서의 톱-햇(top-hat) 형상의 세기 분포), 고리형, 2중극,4중극 및 보다 복잡하게 형상화된 조명 퓨필 세기 분포의 구성을 포함한다. 상기 퓨필 평면내의 가로 위치는 패터닝 디바이스에서의 입사각에 대응하며, 통상적으로 이러한 여하한의 입사각은 투영시스템의 개구수(NA)의 시그마(σ)분의 일로 표현된다. 그러므로, 조명시스템의 퓨필에서의 세기분포의 보다 복잡한 특성은, 조명모드의 표시(indication) 이외에도, 예를 들어, σ 및 NA와 같은 조명모드의 파라미터의 표시와 관련된다. 이후, 상기 조명모드의 대응하는 파라미터들과 조명모드의 조합을 "조명세팅"이라 한다. 공지된 조명세팅은, (조명 퓨필내의 세기 분포가 σ(여기서, 0 < σ < 1)의 파라미터 값 및 투영시스템의 개구수(NA)의 파라미터 값으로 정의된 소정 반경까지 실질적으로 균일한) "종래의" 조명세팅, 고리형 세팅(그것의 정의는 조명모드 파라미터인 σinner및 σouter를 포함함), 2중극 세팅, 4중극 세팅 및 보다 복잡한 구성들을 포함한다. 조명세팅은 다양한 방식으로 형성될 수 있다. 종래의 조명모드의 σ값은 주움 렌즈를 사용하여 제어될 수 있는 한편, 고리형 모드의 σinner및 σouter값은 주움-액시콘(zoom-axicon)을 사용하여 제어될 수 있다. NA 값은 투영시스템내의 세팅가능한 아이리스 다이어프램(settable iris diaphragm)을 사용하여 제어될 수 있다.
(상기 2중극 및 4중극 모드와 같은) 보다 복잡한 세팅은 퓨필 평면내에 적절한 어퍼처를 구비한 다이어프램을 사용하여 또는 회절광학요소에 의하여 형성될 수 있다. 통상적으로, 상기 회절광학요소는 조명시스템의 퓨필 평면의 상류에 미리선택된 각도세기분포를 생성하도록 구성된다. 이 각도세기분포는 조명시스템의 퓨필평면에서의 대응하는 공간세기분포로 변형된다.
라인 및 콘택 홀과 같은 고립된 피처들을 묘화하는 경우, 달성가능한 초점심도(DOF)는 일반적으로 작으므로, 이러한 피처들을 묘화시키는 경우 DOF를 개선하기 위한 다양한 기술들이 개발되고 있다. 고립된 라인의 경우, 다양한 형태의 어시스트 피처가 제안되었지만, 어시스트 피처의 크기는 원치 않는 잔여부들이 프린트되지 않도록 제한되어야 한다. 따라서, 이러한 피처들이 DOF를 개선할 수 있는 정도가 제한된다. 콘택 홀의 경우, 감쇠된 위상 시프트 마스크 및 3개의 톤 마스크(three tone mask)의 사용이 제안되었으나, 이들 방법도 DOF를 특별히 크게하지는 않는다.
"Innovative Imaging of Ultra-fine Line without Using Any Strong RET(Shuji Nakao외, Optical Microlithography XIV Proceedings of SPIE Vol 4346(2001년))"은 서브-100㎚ 라인 패턴이 2개의 노광에서 묘화되는 기술을 개시한다. 먼저, 2개의 밝은 라인들 사이에 어두운 라인이 묘화된 다음, 제2노광영역이 밝은 라인들의 쌍 사이에 있는 원치 않는 어두운 라인들을 제거하여, 어두운 라인들은 밝은 영역에서 고립된다. 종래의 조명은 여타의 큰 구조체가 동시에 묘화될 수 있도록 사용된다.
본 발명의 목적은 고립된 피처, 특히 밝은 배경상의 어두운 피처가 증가된 초점심도로 묘화되는 디바이스를 제조하는 방법을 제공하며, 또한, 그 방법에서 사용되는 마스크를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 도시하는 도면;
도 2a 내지 도 2g는 별도의 그리고 조합된 노광의 포커스 대 위치의 그래프와 함께, 본 발명에 따른 제1방법에 사용되는 조명모드 및 마스크 패턴을 예시하는 도면;
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 제2방법과 관련된 도 2a 내지 도 2g와 유사한 도면;
도 4a 내지 도 4c는 콘택 홀의 타겟 패턴, 및 고립된 그리고 조밀한 콘택 홀(도 4b) 및 준-조밀한 콘택 홀(도 4c)을 포함하는 2개의 구성 패턴을 예시하는 도면;
도 5는 조밀한 그리고 고립된 콘택 홀을 패터닝하도록 구성된 마스크를 예시하는 도면;
도 6은 준-조밀한 콘택 홀을 패터닝하도록 구성된 마스크를 예시하는 도면;
도 7a는 이중 노광으로 획득된 조밀한, 준-조밀한 그리고 고립된 콘택 홀의 프로세스 관용도를 도시하는 도면;
도 7b는 단일 노광으로 획득된 조밀한, 준-조밀한 그리고 고립된 콘택 홀의 프로세스 관용도를 도시하는 도면;
도 8은 단일 노광에 사용되는 조명세팅을 예시하는 도면; 및
도 9는 마스크 패턴을 기록하는 행위를 나타낸 플로우 차트.
본 발명에 따르면, 상기 목적 및 다른 목적들은,
- 방사선 빔의 단면에 제1패턴을 부여하도록 패터닝 디바이스를 사용함으로써 제1노광을 실행하는 단계를 포함하되, 상기 제1패턴은 밝은 국부영역내에 필요한 어두운 고립피처(dark isolated feature)를 포함하고 상기 밝은 국부영역의 주변은 어두우며; 방사선감응재층의 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하고, 및
- 상기 방사선 빔의 단면에 제2패턴을 부여하도록 패터닝 디바이스를 사용함으로써 제2노광을 실행하는 단계를 포함하되, 상기 제2패턴은 상기 밝은 국부영역에 대응하는 영역이 어둡고 상기 국부영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝으며, 상기 방사선감응재층의 상기 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법으로 달성되며,
제1조명세팅은 상기 제1노광에 사용되고 제2조명세팅은 상기 제2노광에 사용되며, 상기 제2조명세팅은 상기 제1조명세팅과 부분적으로 또는 전체적으로 상이한 것을 특징으로 한다.
2개의 노광을 위해 개별적으로 조명세팅을 최적화함으로써, 어두운 고립피처의 노광 관용도 및 DOF를 최대화할 수 있다. 몇몇 경우에서, 제2노광을 위한 조명모드는 제1노광시에 국부적인 밝은 영역에 대응하는 어두운 영역에 실질적으로 광이 들어가지 않도록 구성되는 것이 바람직하다. 그 이외의 경우에서는, 제1 및 제2노광의 아웃-오브-포커스 거동(out-of-focus behaviors)은 두 노광의 초점심도보다큰 조합된 초점심도를 개별적으로 제공하기 위해서 서로 상쇄(cancel)되도록 구성될 수 있다. 실험 또는 시뮬레이션은 어떤 접근법이 노광될 주어진 패턴에 가장 적절한지를 결정하는 데 사용될 수 있다.
고립된 피처들은, 예를 들어, 관련된 타겟 피처 치수, 예를 들어 선폭 또는 콘택 홀 직경의 3배보다 큰 거리만큼 그들의 가장 근접한 이웃으로부터 분리된 피처들이다. 여기서, 타겟 피처 치수는 조준된 현상 후의 레지스트의 피처의 치수이다. 회로 패턴의 제작은 피처들 사이의 공간 공차 및 피처 치수의 제어를 수반한다. 디바이스의 제작시 허용되는 이러한 가장 작은 공간 및/또는 치수의 제어는 특히 중요하다. 상기 가장 작은 공간 및/또는 가장 작은 폭은 임계 치수라 칭한다. 일반적으로, 타겟 피처 치수는 본 명세서에서 임계 치수이므로, 이후, 임계 치수, 또는 CD 또는 타겟 CD라 칭해질 수도 있다.
2개의 노광을 위해 최적화된 조명세팅은 조명모드(예를 들어 원형, 고리형, 2중극 및 4중극) 및 조명모드의 파라미터(예를 들어 Na, σ, σinner, σouter, 다중극 모드(multipole mode)의 방위, 극성(polarization), 도즈, 포커스, 렌즈 세팅 및 노광 파장 대역 등등)를 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 회절광학요소를 사용하여 2개의 노광을 위한 특별한 주문형 조명분포를 생성할 수도 있다.
본 발명은, 특히 네거티브 톤 레지스트(negative tone resist)를 사용하는 콘택 홀의 형성에 적용할 수 있으며, 어느 경우에는, 제1 및 제2노광이 대각선상에 극들(poles)을 가지지만 제2노광시 퓨필 평면의 중심에 더 가까운 극들을 갖는 4중극 조명모드를 채택하는 경우, 개선된 초점심도가 획득될 수 있다.
또한, 본 발명은 고립된 라인들의 형성에도 적용할 수 있으며, 어느 경우에는, 제1노광이 고립된 라인에 수직한 축선상에 극들을 갖는 2중극 조명모드를 사용하고, 제2노광이 고립된 라인에 평행한 축선상에 극들을 갖는 2중극 조명모드를 사용하는 경우에, 개선된 초점심도가 획득될 수 있다. 국부 영역의 절반-폭이 고립된 영역의 타겟 폭의 1.5 내지 5배인 경우에, 특히 양호한 결과들이 얻어질 수 있다.
IC의 개별층에 대응하는 피처들의 회로패턴은, 일반적으로 피처들간의 상이한 이격거리(spacing)를 갖는 복수의 피처를 포함한다. 그러므로, 피처들은 상이한 이웃하는 거리 또는 이웃하는 거리의 범위를 생기게 할 수 있으며, 이에 따라 분류될 수 있다. 일반적으로, "조밀한 피처(dense feature)"는 통상적으로 타겟 피처 치수의 1배 내지 2배 사이의 거리만큼 이격된다고 알려져 있으며; 이와 유사하게, "고립된 피처(isolated feature)"는 통상적으로 타겟 피처 치수의 2배보다 짧은 거리만큼 이격되지 않는다고 알려져 있다. 하지만, 통상적으로 허용되는 "조밀한 피처"의 정확한 정의는 없으며, 통상적으로 허용되는 "고립된 피처"의 정확한 정의도 없다. 본 발명은, 필요한 어두운, 고립된 피처를 밝은 국부 영역에 포함하되 상기 밝은 국부 영역 주변이 어두운 상기 제1패턴을 구비하여 고립된 피처와 조밀한 피처 둘 모두를 포함하고, 어두운, 조밀한 피처를 포함하는 연장된 밝은 국부 영역(extended bright local region)을 더 포함하는 콘택 홀의 회로 패턴의 형성에 적용가능하며, 상기 제1패턴은 상기 연장된 국부 영역의 주변이 어두우며, 상기 제2패턴은, 상기 밝은 국부 영역 및 상기 연장된 밝은 국부 영역에 실질적으로 대응하는 영역이 어두우며 상기 국부 영역과 상기 연장된 국부 영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝다. 고립된 피처가 매입된(embedded) 국부적인 밝은 영역의 존재로 인하여, 고립된 피처의 묘화에 사용되기에 적절한 조명세팅은, 상기 조밀한 피처를 묘화시키는 데 적절한 조명세팅과 매치되고, 그러므로 두 종류의 피처들을 동시에 조명하는 상기 제1노광시에 사용되는 것이 유익할 수 있다.
피처들의 종류들 간의 또 다른 구별은, 피처들간의 상호 거리의 3개의 연속되는 범위(consecutive range)에 따라, 피처들의 회로 패턴내의 3가지 종류의 피처들, 즉 조밀한 피처, 준-조밀한 피처(semi-dense feature) 및 고립된 피처의 을 식별함으로써 행해질 수 있다. 또한, 본 발명은, 필요한 어두운, 고립된 피처를 밝은 국부 영역에 포함하되 상기 밝은 국부 영역 주변이 어두운 상기 제1패턴을 구비하여 상기 3가지 피처를 포함하고, 어두운, 조밀한 피처를 포함하는 연장된 밝은 국부 영역을 더 포함하는 콘택 홀의 회로 패턴의 형성에 적용가능하며, 상기 제1패턴은 상기 연장된 국부 영역의 주변이 어둡고, 상기 밝은 국부 영역 및 상기 연장된 밝은 국부 영역에 실질적으로 대응하는 영역이 어두우며 상기 국부 영역 및 상기 연장된 국부 영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝은 상기 제2패턴을 구비하여, 상기 보다 넓은 영역은 어두운, 중간정도-조밀한 피처(medium-dense feature)를 더 포함한다.
제2노광시, (제1패턴의) 상기 밝은 국부 영역 및 상기 연장된 밝은 국부 영역에 실질적으로 대응하는 어두운 영역의 묘화에 사용되기에 적절한 조명세팅은 상기 준-조밀한 피처들을 묘화시키는 데 적절한 조명세팅과 매치된다. 이는 제2패턴에는 조밀한 피처에서는 통상적인, 높은 공간주파수가 없기 때문이다(제1패턴에는 존재한다). 그러므로, 단일, 최적의 조명세팅은 어두운 영역 및 어두운, 준-조밀한 피처를 동시에 조명하는 상기 제2노광시에 사용되는 것이 유익할 수 있다.
특히, 본 발명은, 조밀한 또는 고립된 콘택 홀 또는 조밀한, 준-조밀한 및 고립된 콘택 홀 중 어느 하나를 포함하는 패턴들의 형성에 적용가능하다.
또한, 본 발명은 상기 방법에 사용되고, 필요한 어두운 고립된 피처를 밝은 국부 영역에 포함하는 제1패턴; 및 상기 밝은 국부 영역에 대응하는 영역이 어둡고 상기 국부 영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝은 제2패턴을 구현하는 마스크 세트를 제공한다.
상기 제1 및 제2패턴은 노광될 패턴들이 마스크 크기의 절반보다 작은 경우 단일 마스크의 상이한 영역들로 구현될 수 있고 별도의 마스크들로 구현될 수 있다.
또한, 본 발명은, 필요한 어두운 고립된 피처를 밝은 국부 영역에 포함하는 제1패턴; 및 상기 밝은 국부 영역에 대응하는 영역이 어둡고 상기 국부 영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝은 제2패턴을 실행하기 위해 상기의 방법에 사용되고 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 제어하는 데이터 세트를 제공한다.
또한, 본 발명은,
- 콘택 홀의 타겟 패턴에서 고립된, 조밀한 그리고 준-조밀한 콘택 홀을 식별하는 단계,
- 밝은 국부 영역에 상기 어두운 고립된 콘택 홀을 포함하되 상기 밝은 국부영역 주변이 밝으며, 상기 조밀한 콘택 홀을 연장된 밝은 국부 영역에 더 포함하되 상기 연장된 국부 영역의 주변이 어두운 제1패턴을 나타내는 제1패턴 데이터 세트를 한정하는 단계,
- 상기 밝은 국부 영역과 상기 연장된 밝은 국부 영역에 실질적으로 대응하는 영역이 어둡고, 상기 국부 영역과 상기 연장된 국부 영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝으며, 상기 준-조밀한 콘택 홀을 더 포함하는 제2패턴을 나타내는 제2패턴 데이터 세트를 한정하는 단계,
- 상기 제1 및 제2패턴을 각각 묘화시키는 투영시스템 및 제1 및 제2조명세팅을 한정하는 단계,
- 상기 제1 및 제2조명세팅 및 투영시스템 세팅에 기초한 1이상의 콘택 홀에 상기 제1 및 제2패턴의 광 근접성 보정을 적용하여 상기 제1 및/또는 제2패턴 데이터 세트를 수정하는 단계,
- 수정된 상기 제1 및 제2 데이터 세트를 각각 사용하여 제1 및 제2마스크 패턴을 생성하는 단계를 포함하는 마스크 패턴 생성 방법을 제공한다.
또한, 본 발명에는 상기 방법을 실행하는 컴퓨터 프로그램이 제공된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 리소그래피장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정디스플레이(LCD), 박막자기헤드와 같은 여타의 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 각각 "기판" 또는"타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(통상적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 또는 검사툴에서 처리될 수 있다. 적용가능한 곳은, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서가 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다수층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인) 자외(UV)선 및 (예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인) 극자외(EUV)선을 포함한 모든 형태의 전자기방사선을 포괄한다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스" 이라는 용어는 기판의 타겟부 패턴을 생성하기 위해서, 패터닝된 단면을 입사하는 투영빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 투영빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부내의 바람직한 패턴에 정확히 일치하지 않을 수 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형이다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번위상시프트형 및 감쇠 위상시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 상이한 방향으로 입사하는 방사선을 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 이 방식으로, 반사된 빔이 패터닝된다.
지지구조체는 패터닝 디바이스의 무게를 지지한다. 즉 지탱한다. 예를 들어, 패터닝 디바이스가 진공 환경에 유지되어 있는지의 여부에 관계 없는 것과 같이, 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 여타의 조건들에 종속하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지체는 기계적인 클램핑, 진공 또는 여타의 클램핑 기술, 예를 들어 진공 상태하의 정전기 클램핑을 사용할 수 있다. 상기 지지체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있으며, 예를 들어 투영시스템에 대하여 필요한 위치에 있을 것을 확실히 보장할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어는 "패터닝 디바이스"과 같은 좀 더 일반적인 용어로도 사용될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는 예를 들어, 사용되는 노광방사선에, 또는 침지유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자들에 적절한 것으로서, 굴절광학시스템, 반사광학시스템 및 카타디옵트릭시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "렌즈"라는 용어의 사용은 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체될 될 수 있다.
또한, 조명시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어를 위하여 굴절, 반사 및 카타디옵트릭 광학구성요소를 포함하는 다양한 종류의 광학구성요소를 포괄할 수 있으며, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다.
리소그래피장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서, 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피장치는 투영시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우도록 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어 물에 기판이 침지되는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지액체는 리소그래피장치내의 여타의 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템의 제1요소 사이에 적용될 수 있다. 침지기술은 투영시스템의 개구수를 증가시키기 위한 기술분야에 잘 알려져 있다.
첨부된 도면을 참조하여, 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예를 서술한다.
리소그래피장치
도 1은 본 발명의 방법에 사용될 수 있는 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는;
ㆍ방사선(예를 들어, DUV 방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사원(LA)도 포함한다);
ㆍ마스크(예를 들어, 레티클)를 지지하는 마스크 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정디바이스에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 실리콘웨이퍼)을 유지하는 기판 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정디바이스에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함) 상으로 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화시키는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 굴절렌즈시스템)을 포함한다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과마스크를 채택한) 투과형이다. 하지만, 일반적으로 상기 장치는 (예를 들어, 반사마스크를 구비한) 반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 상기 언급한 바와 같은 형태의 프로그램 가능한 거울 어레이와 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
상기 소스(LA)(예를 들어, 엑시머 레이저)는 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기분포의 외측반경 및/또는 내측반경(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 조정하는 수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한, 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 소스(LA)는 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사선소스(LA)가 흔히 수은램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 흔히 방사선소스(LA)가 엑시머레이저인 경우이다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략위치설정) 및 짧은 행정모듈(미세위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정모듈에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔모드에서는, 소정타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때M은 렌즈(PL)의 배율(통상M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
제1실시예
본 발명의 제1방법에서, 고립된 콘택 영역은 네거티브 레지스트를 사용하여 프린트된다. 이는 2개의 노광에서 행해진다.
제1노광시, 도 2a에 개략적으로 도시된 4중극 조명모드는 마스크를 조명하는 데 사용되고, 그 관련된 부분은 도 2c에 도시되어 있으며, 이는 국부적인 밝은 영역(12)으로 둘러싸인 콘택 홀에 대응하는 불투명한 영역(11)을 가진다. 후속하여, 상기 밝은 영역(12)은 이웃하는 피처들의 근처(locality)로 연장되는 불투명한 영역(13)으로 둘러싸인다. 콘택 홀에 대응하는 불투명한 영역(11)은 필요한 콘택 홀의 타겟 직경, 예를 들어 100㎚ 더하기 예를 들어 0 내지 60㎚ 범위의 바이어스 값과 동일한 직경(D)을 가진다. 국부적인 밝은 영역의 폭(G)(G는 국부적인 밝은 영역의 전체 폭 또는 직경의 절반을 나타냄)은, 예를 들어 230 내지 260㎚와 같은 필요한 콘택 홀의 타겟 직경 더하기 바이어스 값의 약 2배 또는 3배이도록 설정된다.
여기서 주어진 치수들은 "기판 레벨에서의" 단위이나, 마스크에서의 실제 치수들은 투영시스템(PL)의 배율의 역수인 팩터(factor)만큼, 예를 들어 4 내지 5배 클 것임을 주의한다.
제2노광시에, 도 2b에 개략적으로 도시된 4중극 조명모드가 또한 사용되나, 퓨필 평면의 원점에 보다 근접한 극들을 가진다. 이는 그 일부가 도 2d에 도시된 패턴을 조명하고, 상기 패턴은 재1패턴내의 밝은 영역(12)에 대응하는 불투명한 영역(14)을 가지며, 제1노광시에 노광된 여타의 구조체들을 커버하는 어두운 영역(미도시됨)을 제외한 그 밖의 다른 곳은 밝다. 제2노광의 불투명한 영역은 제1노광시의 국부적인 밝은 영역과 정확히 동일한 크기를 가질 필요는 없음을 유의하여야 한다. 영역 12가 영역 14보다 큰 경우, 몇몇 곳은 이중 노광이 될 것이지만 치명적인 영향을 주지는 않을 것이다. 영역 12가 영역 14보다 작은 경우, 얇은 스퀘어 아웃라인(thin square outline)이 노광되지 않은 채로 남겨질 것이다. 이는 결과적인 레지스트 구조체가 레지스트이 현상 중에 씻겨져 나간다면 문제가 되지 않는다. 영역 14가 영역 12보다 큰 경우, 그 차이는 노광을 위해 타겟 CD의 절반보다 작아야 한다. 영역 12가 영역 14보다 큰 경우, 고립된 피처는 제2노광으로부터 보호가 덜 되지만 어느 정도까지 허용될 수 있다.
제1노광은 조밀한 콘택 홀을 묘화시키는, 예를 들어 거의 250㎚의 피치에서의 100㎚ 홀들에 대하여 NA = 0.71인 NA 최적에서 193㎚의 노광 방사선으로 수행되며, 따라서 이는 동일한 단계에서 묘화될 수 있다. D 및 G의 최적 값은 최적의 노광 도즈 윈도우를 찾음으로써 발견될 수 있다.
또한, 193㎚의 노광 방사선을 이용하는 제2노광은, 모든 포커스 레벨에 대한콘택 홀의 중심에서 최소 외란(minimum disturbance)을 가지는 한편 외부 영역을 동시에 노광하도록 결정된 조명세팅에서 수행된다. 본 예시에서, 상기 기준으로 인해, 낮은 NA 세팅, 예를 들어 0.5 및 제2노광 구조체의 피치에 최적화된 4중극 세팅을 사용하게 된다. 그리하여, 극들의 위치는 제1노광에서의 세팅에 비해 퓨필 평면의 중심을 향하여 이동한다.
제2노광은 외부 영역을 유출시켜(flood), 제1노광에서 노광되지 않은 채로 남겨진 외부 부분을 노광시킨다. 또한, 내부 영역의 아웃-오브-포커스 영역내에 약간의 에너지를 주어 스루-포커스 거동(through-focus behavior)을 개선시킨다. 이는 제1 및 제2노광이 아웃-오브-포커스 거동과 반대이기 때문이다.
제1 및 제2노광의 효과는 X 위치와 Z(포커스)의 함수로서 에어리얼 이미지의 세기를 표준단위(normalized unit)로 도시하는 도 2e 및 도 도 2f에 각각 도시된다. 도 2g는 도 2e 및 도 2f의 합이다. 전달된 도즈의 X 분포는 큰 초점심도를 나타는 광범위한 Z 값에 대해 균일한 것을 알 수 있다.
제2실시예
본 발명에 따른 제2방법에서, 고립된 라인들은 2개의 노광을 이용하여 프린트된다. 제1노광에서, 도 3a에 개략적으로 도시된 2중극 조명모드는 마스크를 조명하는데 사용되며, 그 관련된 부분은 국부적인 밝은 영역(22)으로 둘러 싸인 고립된 라인에 대응하는 불투명한 영역(21)을 가진다. 상기 2중극의 극들은 상기 라인(21)에 수직한 축선상에 배치된다. 후속하여, 상기 밝은 영역(22)은 이웃하는 피처들의 지역으로 바람직하게 연장된 불투명한 영역(23)으로 둘러싸인다. 불투명한영역(23)은 가능한 한 커야 하지만, 개선된 결과는, 예를 들어 2배 또는 3배의 S의 거리에 대하여 연장되는 보다 작은 불투명한 영역(23)으로 달성될 수 있다. 고립된 라인에 대응하는 불투명한 영역(21)은, 예를 들어 75㎚와 같은 필요한 라인의 타겟 폭에 몇몇 경우에서 바이어스 값을 더한 것과 동일한 폭(L)을 가진다. 국부적인 밝은 영역의 절반폭(S)은 예를 들어 약 230㎚와 같은 라인의 전체 폭의 1.5배 내지 2.5배의 범위내에 있도록 설정된다.
제2노광시에는, 도 3b에 개략적으로 도시된 2중극 조명모드가 다시 사용되지만, 상기 조명모드는 라인(21)과 평행한 축선상에 극을 가진다. 이는, 제1패턴내의 밝은 영역(22)에 대응하는 불투명한 영역(24)을 가지고 제1노광시에 노광된 여타의 구조체들을 커버하는 어두운 영역(미도시됨)을 제외한 다른 부분은 밝은 패턴을 조명하고, 그 부분이 도 3d에 도시된다.
낮은 k1을 갖는 수평으로 조밀한 라인과 수직으로 조밀한 라인 둘 모두를 묘화하도록 실행되는 이중 2중극 노광(double dipole exposure)과 고립된 라인들에 이 이중 2중극 노광을 조합시키는 것이 매우 편리하다는 것을 이해할 것이다. 이 경우, 조밀한 라인에 대하여 최적인 공정 조건들은 2개의 노광시에 사용될 수 있다. 고립된 라인들의 중간 부근은 가장 적절한 조건들을 갖는 노광시에 노광되며, 개방된 영역의 잔여부는 다른 노광시에 노광된다.
제1 및 제2노광의 효과는 X 위치 및 Z (포커스)의 함수로서 표준단위로 에어리얼 이미지의 세기를 나타내는 도 3e 및 도 3f에 각각 도시되어 있다. 도 3g는 도 3e 및 도 3f의 합이다. 전달된 도즈의 X 분포는 광범위한 Z 값에 대하여 균일하므로 큰 초점심도를 나타낸다는 것을 알 수 있다.
제3실시예
IC의 개별층에 대응하는 콘택 홀의 회로패턴은 일반적으로 콘택 홀 사이의 상이한 간격을 갖는 복수의 콘택 홀을 포함한다. 따라서, 이러한 패턴내의 콘택 홀은 분류될 수 있다. 예를 들어, 이후 조밀한 콘택 홀, 준-조밀한 콘택 홀 및 고립된 콘택 홀이라 칭하는 3종류의 콘택 홀은, 타겟 피처 치수의 2배까지 서로 이웃하는 거리를 갖고, 타겟 피처 치수의 2배 내지 4배 사이의 이웃하는 거리를 가지며, 타겟 피처 치수의 4배보다 큰 이웃하는 거리를 가지는 콘택 홀로서 각각 정의될 수 있다. 상기 3개의 범위를 구별하는 대안적인 구성(schemes)이 가능하며 본 발명은 본 명세서에 주어진 예시로 제한되지 아니한다(조밀한 피처는 통상적으로 1이상의 타겟 피처 치수로 분리된 피처들을 포함하는 것으로 알려지고, 고립된 피처는 통상적으로 타겟 피처 치수의 2배보다 작게 분리된 피처들을 포함하지 않는 것으로 알려짐). 본 발명에 따른 제3방법은, 제2노광(및 제1노광시 고립된 그리고 조밀한 콘택 홀의 동시 묘화의 명백한 예시)을 제외하고 제1실시예의 방법과 동일하다. 조밀한, 준-조밀한 및 고립된 콘택 홀의 타겟 패턴을 조합하여 구성하는 제1 및 제2서브-패턴이 도 4에 예시된다. 도 4a는 타겟 패턴을 도시하고, 도 4b는 고립된 그리고 조밀한 콘택 홀을 포함하는 제1서브-패턴을 도시하며, 도 4c는 준-조밀한 콘택 홀을 포함하는 제2서브-패턴을 도시한다. 정사각형 타겟들이 도시되어 있지만, 기판상에 실제로 프린트되는 피처들은 투영렌즈의 로우 패스 필터링 영향(low pass filtering effects)으로 인해 원형(round)이 될 것이다.
제1노광시에, 도 2a에 개략적으로 도시된 4중극 조명모드는 국부적인 밝은 영역(12)으로 둘러싸인 고립된 콘택 홀에 대응하는 불투명한 영역(11)을 가지는 마스크를 조명하기 위해서 사용되며, 그 관련된 부분이 도 5에 도시되어 있다. 밝은 영역(12)은 조밀한 콘택 홀의 그룹(110)의 근처로 연장되는 불투명한 영역(13)으로 둘러싸인다. 이들 조밀한 콘택 홀은 연장된 밝은 국부 영역(120)에 위치된다. 연장된 영역의 에지와 이웃하는 콘택 홀간의 갭(H)은, 조밀한 것으로 정의된 콘택 홀의 최대 간격 및 콘택 홀의 타겟 폭의 범위에 있도록 설정된다.
제1노광은 조밀한 콘택 홀(110)의 그룹을 묘화하는 데 최적인 NA, 예를 들어 약 250㎚의 피치에서의 100㎚ 홀인 경우 NA=0.75에서 수행된다. 제1노광을 위한 최적의 조명세팅은 σinner=0.62 및 σouter=0.92에서 4중극이다. D 및 G의 최적값은 최적의 노광 도즈 윈도우를 찾음으로써 찾아낼 수 있다. 제노광과 제2노광 둘 모두는 파장이 193㎚인 방사선을 수반한다.
제2노광용 마스크가 도 6에 도시된다. 제2노광은 상기 콘택 홀과 관련된 밝은 영역(12)에 대응하는 불투명한 영역(14) 및 조밀한 콘택 홀의 그룹들로 필드를 커버하는 연장된 밝은 영역(120)에 대응하는 유사한 불투명한 영역(140)을 묘화하는 데 사용된다. 불투명한 영역(14, 140)은 보다 넓은 투과성("밝은") 영역(15)으로 둘러싸이며, 이 보다 넓은 영역(15)은 준-조밀한 콘택 홀의 그룹(130)을 포함한다. 제2노광에 대한 최적의 NA 및 조명세팅은 NA=0.52 및 σinner=0.65 및 σouter=0.89에서 4중극이다.
도 7에서, 본 방법의 본 실시예로 획득되는 조밀한, 준-조밀한 그리고 고립된 콘택 홀에서 각각 획득가능한 프로세스 관용도(71, 72, 73)는, 도 4에 도시된 타겟 패턴을 묘화시키는 선택적으로 선택된 단일 노광 공정으로 조밀한, 준-조밀한 그리고 고립된 콘택 홀에서 각각 획득가능한 프로세스 관용도(710, 720, 730)와 비교된다. 도 7은 필적할만한 노광 관용도에서의 초점심도의 증가를 도시하여, 본 방법의 장점을 예시한다. 본 이중 노광 방법에 대한 결과들은 네거티브 톤 레지스트의 사용에 기초한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 단일 노광 프로세스에 대한 결과는 반대 톤 마스크(reverse tone mask)(대체로 콘택 홀을 제외하고 불투명함), 포지티브 레지스트 및 조합된 4중극 및 종래의 조명세팅의 사용에 기초한다.
본 실시예에서, 조밀한 콘택 홀(110)은 콘택 홀의 타겟 폭의 2배인 피치로 정사각형 그리드 상에 이격되어 있다. 따라서, 2개의 콘택 홀 사이의 밝은 영역의 최대 거리는 1배의 CD이다. 그리드에서 대각선을 따른 2개의 콘택 홀 사이의 거리는 CD의 1.41배이다. 하지만, (본 발명에 따른 제1패턴과 결합된) 고립된 콘택 홀과 함께 조밀한 콘택 홀의 여타의 패턴의 동시 묘화에 충분한 프로세스 관용도를 제공하는 조명세팅 또한 가능하다. 이러한 여타의 패턴은, 예를 들어 콘택 홀의 타겟 패턴의 3배 또는 심지어 4배까지의 피치로 이격된 조밀한 콘택 홀의 그룹을 포함할 수 있다. 이와 유사하게, 제2패턴에 포함될 수 있는 상기 중간정도 조밀한 콘택 홀은, 본 실시예에서 콘택 홀 폭의 3배인 피치로 정사각형 그리드상에 이격되어 있지만, 예를 들어 CD의 3배 내지 6배 사이의 피치로 이격된 중간정도 조밀한 콘택 홀의 여타의 패턴 또한 가능하다.
제1 및 제2패턴을 획득하기 위해서, 본 실시예에서 사용하기 위해 구성된 마스크 패턴을 기록하는 프로세스가 사용될 수 있다. 상기 프로세스는 도 9에 개략적으로 나타나 있으며,
- 콘택 홀의 타겟 패턴에서 고립된, 조밀한 그리고 준-조밀한 콘택 홀을 식별하는 단계(도 9에서의 행위 S1),
- 밝은 국부 영역에 상기 어두운 고립된 콘택 홀을 포함하되 상기 밝은 국부 영역 주변이 밝으며, 상기 조밀한 콘택 홀을 연장된 밝은 국부 영역에 더 포함하되 상기 연장된 국부 영역의 주변이 어두운 제1패턴을 나타내는 제1패턴 데이터 세트를 한정하는 단계(도 9에서의 행위 S2),
- 상기 밝은 국부 영역과 상기 연장된 밝은 국부 영역에 실질적으로 대응하는 영역이 어둡고, 상기 국부 영역과 상기 연장된 국부 영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝으며, 상기 준-조밀한 콘택 홀을 더 포함하는 제2패턴을 나타내는 제2패턴 데이터 세트를 한정하는 단계(도 9에서의 행위 S3),
- 상기 제1 및 제2패턴을 각각 묘화시키는 투영시스템 및 제1 및 제2조명세팅을 한정하는 단계(도 9에서의 행위 S4),
- 상기 제1 및 제2조명세팅 및 투영시스템 세팅에 기초한 1이상의 콘택 홀에 상기 제1 및/또는 제2패턴의 광 근접성 보정을 적용하여 상기 제1 및/또는 제2패턴 데이터 세트를 수정하는 단계(도 9에서의 행위 S5),
- 수정된 상기 제1 및 제2 데이터 세트를 각각 사용하여 제1 및 제2마스크 패턴을 기록하는 단계(도 9에서의 행위 S6)를 포함한다.
행위 S5의 완료에 따라 획득된 수정된 데이터 세트들은, 예를 들어, e-빔 마스크-기록 장치를 제어하도록 구성된 컴퓨터의 입력으로서 사용될 수 있다. 타겟 패턴내의 조밀한, 준-조밀한 그리고 고립된 콘택 홀의 식별은, 콘택 홀이 타겟 패턴내에 존재하는 피치 범위에 기초할 수 있다(타겟 패턴은 조합된 제1 및 제2패턴임). 본 명세서 및 청구항에서, 피처의 크기는 피처가 기판 레벨(타겟 크기)에서 공칭적으로(nominally) 가지는 크기로 칭해진다. 일반적으로, 마스크에서의 추가 크기 편차는, 예를 들어 패턴의 투영 및 노광시에 발생하는 오차들을 보상하도록 도입된다; 이러한 대물 패턴의 피처들의 리-사이징(re-sizing)은 본 명세서 및 청구항에서 바이어싱 및/또는 광 근접성 보정("OPC")라 한다. 또한, 바이어싱 및/또는 OPC의 양은 기판 레벨에서 리-사이징의 대응하는 공칭 양과 관련하여 통상적으로 표현된다. 또한, 광 근접성 보정은 피처들의 인근지역(neighborhood)에 서브 분해능 어시스트 피처들을 제공함으로써 수행될 수 있다. 예를 들어, 고립된 그리고 조밀한 콘택 홀만의 식별 또는 준-조밀한 그리고 고립된 콘택 홀만의 식별에기초하여 제1 및 제2패턴 데이터 세트를 획득하는 유사한 공정들은 상기 언급된 공정들을 유추하여 한정될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예에 대하여 서술하였지만, 본 발명은 서술된 바와 다르게 실시될 수도 있다. 예를 들어, 네거티브 톤 레지스트를 이용한 콘택 홀의 형성이 설명되었지만, 본 발명은 포지티브 톤 레지스트를 이용하여 아일랜드(island), 필라(pillar) 또는 도트(dot)의 형성에 적용될 수 있다. 상기 서술내용은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.
본 발명에 따르면, 고립된 피처, 특히 밝은 배경상의 어두운 피처를 증가된 초점심도로 묘화시키는 디바이스를 제조하는 방법이 제공된다.

Claims (23)

  1. 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 방사선 빔의 단면에 제1패턴을 부여하도록 패터닝 디바이스를 사용함으로써 제1노광을 실행하는 단계를 포함하되, 상기 제1패턴은 밝은 국부영역내에 필요한 어두운 고립피처를 포함하고 상기 밝은 국부영역의 주변은 어두우며; 방사선감응재층의 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하고, 및
    - 상기 방사선 빔의 단면에 제2패턴을 부여하도록 패터닝 디바이스를 사용함으로써 제2노광을 실행하는 단계를 포함하되, 상기 제2패턴은 상기 밝은 국부영역에 대응하는 영역이 어둡고 상기 국부영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝으며, 상기 방사선감응재층의 상기 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하고,
    - 상기 제1노광 및 제2노광은 어떠한 순서로도 수행되며;
    제1조명세팅은 상기 제1노광에 사용되고 제2조명세팅은 상기 제2노광에 사용되며, 상기 제2조명세팅은 상기 제1조명세팅과 상이한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 조명세팅은 상기 제2노광시, 상기 제1노광시의 상기 국부적인 밝은 영역에 대응하는 어두운 영역에 방사선이 실질적으로 들어가지 않도록 구성되는 것을특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2조명세팅은 조명모드 및/또는 상기 조명모드의 1이상의 파라미터에서 상이한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 조명모드는 종래의, 고리형, 2중극 및 4중극 모드 중 하나인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 조명모드의 상기 1이상의 파라미터는 Na, σ, σinner, σouter, 다중극 모드의 방위, 극성, 도즈, 포커스, 렌즈 세팅 및 노광 파장 대역 중 하나인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 어두운 고립된 영역은 콘택 홀이고, 상기 방사선감응재는 네거티브 톤 레지스트인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 및 제2조명세팅은 대각선상에 극들을 가지나 상기 제2조명세팅시에 상기 극들이 광학 축선 근처에 더 가까운 4중극 조명모드인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2조명세팅은 투영시스템의 NA를 포함하고, NA의 값은 상기 제1조명세팅에서보다 상기 제2조명세팅시에 작은 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  9. 제1항 내지 제5항에 있어서,
    상기 어두운 고립된 피처는 상기 고립된 라인인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1조명세팅은 고립된 라인에 수직인 축선상에 극들을 갖는 2중극 조명모드를 포함하고, 상기 제2조명세팅은 상기 고립된 라인에 평행한 축선상에 극들을 가진 2중극 조명모드를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 국부 영역의 절반-폭은 상기 고립된 라인의 타겟 폭의 1.5 내지 5배의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1패턴은 어두운 조밀한 피처를 포함하는 연장된 밝은 국부 영역을 더 포함하고, 또한 상기 제1패턴은 상기 연장된 국부 영역 주변이 어둡고,
    상기 제2패턴은 상기 밝은 국부 영역 및 상기 연장된 밝은 국부 영역에 실질적으로 대응하는 영역이 어두우며, 상기 국부 영역 및 상기 연장된 국부 영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝은 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 조밀한 피처는 조밀한 콘택 홀인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 조밀한 콘택 홀은 상기 콘택 홀의 타겟 폭의 2배 내지 4배 사이인 피치로 이격되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  15. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2패턴의 상기 보다 넓은 영역은 어두운 중간정도-조밀한 피처를 더포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 중간정도 조밀한 피처는 콘택 홀인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 조밀한 콘택 홀은 상기 콘택 홀의 타겟 폭의 2배 내지 3배 사이인 피치로 이격되며, 상기 제2패턴의 상기 보다 넓은 영역은 상기 콘택 홀들의 타겟 폭의 3배 내지 6배 사이인 피치로 이격된 어두운 중간정도-조밀한 콘택 홀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  18. 밝은 국부 영역내에 필요한 어두운 고립된 피처를 포함하는 제1패턴; 및 상기 밝은 국부 영역에 실질적으로 대응하는 영역이 어둡고 상기 국부 영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝은 제2패턴을 구현하는 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 방법에 사용된 마스크 세트.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 마스크 세트는 상기 제1 및 제2패턴이 상이한 영역에 구현된 단일 마스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 세트.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 마스크 세트는 상기 제1 및 제2패턴을 각각 구현하는 제1 및 제2마스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 세트.
  21. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법에서 사용되고,
    밝은 국부 영역에 필요한 어두운 고립된 피처를 포함하는 제1패턴; 및 상기 밝은 국부 영역에 실질적으로 대응하는 영역이 어둡고 상기 국부 영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝은 제2패턴을 수행하도록 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 제어하는 데이터 세트.
  22. 마스크 패턴을 생성하는 방법에 있어서,
    - 콘택 홀의 타겟 패턴내에서 고립된, 조밀한 그리고 준-조밀한 콘택 홀을 식별하는 단계,
    - 밝은 국부 영역에 상기 어두운 고립된 콘택 홀을 포함하되 상기 밝은 국부 영역 주변이 어두우며, 상기 조밀한 콘택 홀을 연장된 밝은 국부 영역에 더 포함하되 상기 연장된 국부 영역의 주변이 어두운 제1패턴을 나타내는 제1패턴 데이터 세트를 한정하는 단계,
    - 상기 밝은 국부 영역과 상기 연장된 밝은 국부 영역에 실질적으로 대응하는 영역이 어둡고, 상기 국부 영역과 상기 연장된 국부 영역 주변의 보다 넓은 영역이 밝으며, 상기 준-조밀한 콘택 홀을 더 포함하는 제2패턴을 나타내는 제2패턴 데이터 세트를 한정하는 단계,
    - 상기 제1 및 제2패턴을 각각 묘화시키는 투영시스템 및 제1 및 제2조명세팅을 한정하는 단계,
    - 상기 제1 및 제2조명세팅 및 투영시스템 세팅에 기초한 1이상의 콘택 홀에 상기 제1 및 제2패턴의 광 근접성 보정을 적용하여 상기 제1 및/또는 제2패턴 데이터 세트를 수정하는 단계,
    - 수정된 상기 제1 및 제2 데이터 세트를 각각 사용하여 제1 및 제2마스크 패턴을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 컴퓨터 시스템상에서 수행되는 경우, 제22항의 방법을 수행하도록 컴퓨터 시스템에 명령하는 프로그램 코드 수단을 포함하는 컴퓨터 프로그램.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060146307A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7712064B2 (en) * 2005-05-20 2010-05-04 Cadence Design Systems, Inc. Manufacturing aware design of integrated circuit layouts
US7395516B2 (en) * 2005-05-20 2008-07-01 Cadence Design Systems, Inc. Manufacturing aware design and design aware manufacturing
JP4336671B2 (ja) * 2005-07-15 2009-09-30 キヤノン株式会社 露光パラメータの決定をコンピュータに実行させるプログラム、露光パラメータを決定する決定方法、露光方法及びデバイス製造方法。
JP4625779B2 (ja) * 2006-03-15 2011-02-02 株式会社東芝 パターン形成方法、レチクル補正方法及びレチクルパターンデータ補正方法
US7548315B2 (en) * 2006-07-27 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. System and method to compensate for critical dimension non-uniformity in a lithography system
JP2008071838A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
US7926000B2 (en) * 2007-03-08 2011-04-12 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Integrated circuit system employing dipole multiple exposure
US20090011370A1 (en) * 2007-06-11 2009-01-08 Hiroko Nakamura Pattern forming method using two layers of resist patterns stacked one on top of the other
CN101685261B (zh) * 2008-09-23 2011-04-06 力晶半导体股份有限公司 偏轴光源、遮光板及以单次曝光定义不同形态图案的方法
NL2003689A (en) 2008-11-26 2010-05-27 Asml Netherlands Bv Method for a lithographic apparatus.
US8945802B2 (en) * 2009-03-03 2015-02-03 Nikon Corporation Flare-measuring mask, flare-measuring method, and exposure method
JP5764364B2 (ja) 2011-03-31 2015-08-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置
CN103383524B (zh) * 2012-05-02 2015-06-17 上海微电子装备有限公司 用于光刻设备的离焦测量方法
US8815498B2 (en) * 2012-08-22 2014-08-26 Nanya Technology Corp. Method of forming tight-pitched pattern
KR20150024676A (ko) 2013-08-27 2015-03-09 (주) 아이씨티케이 반도체 프로세스의 포토 마스크를 변형하여 ｐｕｆ를 생성하는 방법 및 장치
CN113504706B (zh) * 2021-06-09 2023-07-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 存储器的光刻曝光方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63129619A (ja) 1986-11-20 1988-06-02 Toshiba Corp パタ−ン露光方法およびパタ−ン露光転写用マスク
US5652084A (en) * 1994-12-22 1997-07-29 Cypress Semiconductor Corporation Method for reduced pitch lithography
US5532090A (en) * 1995-03-01 1996-07-02 Intel Corporation Method and apparatus for enhanced contact and via lithography
US6534242B2 (en) * 1997-11-06 2003-03-18 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure device formation
US6528238B1 (en) * 2000-09-22 2003-03-04 David Seniuk Methods for making patterns in radiation sensitive polymers
US6701512B2 (en) * 2001-01-24 2004-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Focus monitoring method, exposure apparatus, and exposure mask
JP2003007598A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp フォーカスモニタ方法およびフォーカスモニタ用装置ならびに半導体装置の製造方法
JP2003075985A (ja) 2001-09-06 2003-03-12 Seiko Epson Corp 半導体装置製造用マスク、その製造方法及び露光方法
US6875545B2 (en) * 2001-11-28 2005-04-05 Asml Masktools B.V. Method of removing assist features utilized to improve process latitude
WO2003102696A2 (en) * 2002-05-29 2003-12-11 Massachusetts Institute Of Technology A method for photolithography using multiple illuminations and a single fine feature mask

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CN1275171C (zh) 2006-09-13
JP4034286B2 (ja) 2008-01-16
US7316870B2 (en) 2008-01-08
US20050005257A1 (en) 2005-01-06
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