JP5010830B2 - サイドローブのプリントを避けるための最適化 - Google Patents
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Description
第2のシナリオ(ケース2)では、選択されたピッチ100〜600nmに対して最小の限界寸法変動を与えるために、全バイアス及び照明形状も最適化する。
BD ビーム送出系
IL 照明系
IN 積算器
CO 集積器
B ビーム
MA パターニング装置
M1、M2 マスク位置合わせマーク
MT 支持構造
PM 第1の位置決め装置
PS 投影系
W 基板
P1、P2 基板位置合わせマーク
WT 基板テーブル
IF 位置センサ
PW 第2の位置決め装置
Claims (14)
- リソグラフィ装置を使用して、基板上へのマスク・パターンの光学的転写を構成する方法であって、
前記マスク・パターンのピッチ範囲を含む複数の初期リソグラフィ・パラメータを定義する段階と、
各ピッチに対して前記マスク・パターンのラチチュードを計算する段階と、
各ピッチに対して前記基板上に前記マスク・パターンを光学的に転写することによって生じるプリンテッド・サイドローブのサイズを計算する段階と、
各ピッチに対して最も低いラチチュード又は最も大きいプリンテッド・サイドローブのサイズをもたらすマスク・パターンを識別する段階と、
前記計算されたラチチュード、前記計算されたプリンテッド・サイドローブのサイズ、及び前記識別されたマスク・パターンを考慮して、各ピッチに対して所定値以上のラチチュード及び所定サイズより小さいプリンテッド・サイドローブのサイズをもたらす複数のリソグラフィ・パラメータの解を決定する段階と、
を備える方法。 - 前記所定値以上のラチチュードは、0.3μmよりも大きい焦点深度、及び20%未満の前記マスク・パターンの半区画限界寸法変動のうち1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プリンテッド・サイドローブのサイズを計算する前に、複数の初期リソグラフィ・パラメータに基づき、前記マスク・パターンの像を計算する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の初期リソグラフィ・パラメータが、前記リソグラフィ装置のマスク・パターンのバイアス、放射波長、開口率、照明形状のパラメータ、又はこれらのあらゆる組合せを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記複数のリソグラフィ・パラメータを決める前記段階が、リソグラフィ・シミュレータを使用して、所定値以上のラチチュード及び所定サイズより小さいプリンテッド・サイドローブのサイズを与える解を見つけるために、さまざまなリソグラフィ・パラメータを繰り返す段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記決められた複数のリソグラフィ・パラメータの解に基づき、前記リソグラフィ装置の照明構成を決める段階さらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数のリソグラフィ・パラメータが、前記リソグラフィ装置の放射波長、開口率、露光量、照明形状パラメータ又はこれらのあらゆる組合せ含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プリンテッド・サイドローブのサイズを計算する前記段階が、前記プリンテッド・サイドローブの深さを計算する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ラチチュードが、限界寸法均一性の分析法を使用して求められる、請求項8に記載の方法。
- 前記所定値以上のラチチュードは、目標サイズ変動を最小化するラチチュードである、請求項1に記載の方法。
- リソグラフィ装置を使用した、基板上へのマスク・パターンの光学的転写を構成する方法を実行するための機械によって実施可能な指示を有するコンピュータ・プログラムであって、前記方法は、
前記マスク・パターンのピッチ範囲を含む複数の初期リソグラフィ・パラメータを定義する段階と、
各ピッチに対して前記マスク・パターンのラチチュードを計算する段階と、
各ピッチに対して前記基板上に前記マスク・パターンを光学的に転写することによって生じるプリンテッド・サイドローブのサイズを計算する段階と、
各ピッチに対して最も低いラチチュード又は最も大きいプリンテッド・サイドローブのサイズをもたらすマスク・パターンを識別する段階と、
前記計算されたラチチュード、前記計算されたプリンテッド・サイドローブのサイズ、及び前記識別されたマスク・パターンを考慮して、各ピッチに対して所定値以上のラチチュード及び所定サイズより小さいプリンテッド・サイドローブのサイズをもたらす複数のリソグラフィ・パラメータの解を決定する段階と、
を備える、コンピュータ・プログラム。 - リソグラフィ投影装置であって、
所望のパターンに従って放射ビームをパターニングするパターニング装置を支持するように構成された支持構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板の目標部分上に前記パターニングされたビームを投影するように構成された投影系と、
前記パターニング装置のピッチ範囲を含む複数の初期リソグラフィ・パラメータを定義し、各ピッチに対して前記パターニング装置のラチチュードを計算し、各ピッチに対して前記基板上に前記パターニング装置を光学的に転写することによって生じるプリンテッド・サイドローブのサイズを計算し、各ピッチに対して最も低いラチチュード又は最も大きいプリンテッド・サイドローブのサイズをもたらすマスク・パターンを識別し、前記計算されたラチチュード、前記計算されたプリンテッド・サイドローブのサイズ、及び前記識別されたマスク・パターンを考慮して、各ピッチに対して所定値以上のラチチュード及び所定サイズより小さいプリンテッド・サイドローブのサイズをもたらす複数のリソグラフィ・パラメータの解を決定し、前記決定された複数のリソグラフィ・パラメータの解に基づいて照明形状を決定する演算処理装置と、
前記放射ビームが前記パターニング装置に到達する前に、前記放射ビーム内の断面強度分布を、前記演算処理装置によって決定された前記照明形状に従って変更する選択可能可変ビーム・コントローラと、
を含むリソグラフィ投影装置。 - 前記マスク・パターンの像は、シミュレーションモデルを用いて計算される、請求項3に記載の方法。
- 前記所定サイズより小さいプリンテッド・サイドローブのサイズは、前記マスク・パターンの2つの形体間の最短距離より狭い、請求項1に記載の方法。
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