KR100606491B1 - 리소그래피를 위한 파라미터를 판정하는 방법,컴퓨터시스템 및 이를 위한 컴퓨터 프로그램, 디바이스제조방법 및 그에 따라 제조된 디바이스 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 방법은, 묘화될 패턴의 피처를 선택하는 단계; 상기 소스를 복수의 소스요소로 개념적으로 분할하는 단계; 각각의 소스요소에 대하여, 각각의 선택된 피처에 대한 상기 공정윈도우를 계산하고 상기 계산된 공정윈도우의 오버랩(overlap)을 최적화시키는 상기 OPC 룰을 결정하는 단계를 포함한다. 결국, 상기 공정윈도우의 오버래핑 및 상기 OPC 룰이 특정 기준을 만족하도록 상기 소스요소를 선택한다. 선택된 소스요소는 상기 소스 세기분포를 한정한다.

Description

리소그래피를 위한 파라미터를 판정하는 방법, 컴퓨터시스템 및 이를 위한 컴퓨터 프로그램, 디바이스 제조방법 및 그에 따라 제조된 디바이스 {A method for determining parameters for lithographic projection, a computer system and computer program therefor, a method of manufacturing a device and a device manufactured thereby}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 투영장치;

도 2는 본 발명을 구현하는 방법의 아우트라인을 나타내는 흐름도;

도 3은 묘화될 패턴의 피처를 개략적으로 나타내는 도면;

도 4a, 4b 및 4c는 상기 방사선소스를 소스요소로 분할하기 위한 상이한 방법을 나타내는 도면;

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라, 상기 방사선요소를 요소들로 분할하기 위한 또 다른 구조의 개략적인 도면;

도 6a, 6b 및 도 6c는 특정 패턴피처들에 대한 공정윈도우 및 오버래핑 공정윈도우의 최적화를 개략적으로 나타내는 도면;

도 7은 오버래핑 공정윈도우 및 동시에 광학근접성보정을 토대로 최적화된 방사선소스를 위한 상기 소스요소의 선택을 개략적으로 나타내는 도면이다.

본 발명은,

- 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;

- 필요한 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;

- 기판을 잡아주는 기판테이블;

- 기판의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피장치에 관한 것이다.

"패터닝수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.

- 마스크. 이 마스크의 개념은 리소그래피분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크형식과 다양한 하이브리드 마스크형식을 포함한다. 방사빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크로 입사되는 방사선의 선택 적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에는, 일반적으로 지지구조체는 마스크테이블이 되고, 상기 마스크테이블은 입사되는 투영빔내의 어떤 위치에 마스크가 고정될 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 한다.

- 프로그래밍 가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층 (viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어)반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 반면, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그래밍 가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 작은 거울의 매트릭스 배치를 채택하는 것인데, 상기 각각의 작은 거울은 국부화된 적절한 전기장을 가하거나 또는 압전작동수단(piezoelectric actuation means)을 채택하여 축선에 대하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 또한, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이고, 이러한 어드레싱된 거울은 입사하는 방사빔을 어드레싱되지 않은 거울에 대하여 다른 방향으로 반사할 것이다. 이러한 방식으로, 반사된 빔은 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적당한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상술된 두가지 상황 모두에 있어서, 패터닝수단은 1이상의 프로그래밍가능한 거울배열로 이루어질 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호와 PCT특허출원 WO 98/38597호 및 WO 98/33096호로부터 얻을 수 있다. 프로그래밍 가능한 거울배열의 경우에, 상기 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.

- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 경우에서의 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.

설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크와 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 특정적으로 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.

예를 들어, 리소그래피투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝수단은 IC의 각각의 층에 대응되는 회로패턴을 형성할 수 있으며, 이 패턴은 감응재(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(예를 들어, 1이상의 다이로 구성되는)상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 인접해 있는 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함하고, 이들 타겟부는 투영시스템에 의하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 상이한 형식 의 기계로 구분될 수 있다. 어느 한 형식의 리소그래피투영장치에서는 타겟부상으로 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 소정의 기준방향("스캐닝방향")으로 투영빔 하의 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝방향과 평행으로 또는 반평행(anti-parallel)으로 기판테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로, 투영시스템은 배율인자 M(일반적으로 < 1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 M배가 된다. 본 명세서에 참조자료로 채택되고, 여기서 서술된 리소그래피장치에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 미국특허 US 6,046,792호에서 얻을 수 있다.

리소그래피투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선 감응재(레지스트)층에 의하여 적어도 부분적으로 도포되는 기판상으로 묘화된다. 이 묘화단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피쳐(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC와 같은 디바이스의 각각의 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온 주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 각각의 층을 마무리하기 위한 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층 마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 집적회로 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 집적회로 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 본 명세서에서 참조자료로 채택되고 있는 이와 같은 공정에 관한 추가정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.

설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급 될 것이다; 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학기, 반사광학기, 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서 폭 넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사선시스템은 방사투영빔의 지향, 성형 또는 제어하는 이들 설계형식 중의 어느 하나에 따라 동작하는 성분를 포함할 수 있고, 이후에 설명에서는 이러한 성분들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블 (및/또는 2이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서, 추가테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 스테이지가 노광에 사용되고 있는 동안, 1이상의 다른 스테이지에서는 준비작업단계가 수행될 수 있다. 본 명세서에서 참조자료로 채택되는 듀얼 스테이지 리소그래피장치는, 예를 들어, 미국특허 US 5,969,441호 및 국제특허출원 WO 98/40791호에 개시되어 있다.

리소그래피에는 광근접성효과로 알려진 문제가 존재한다. 이것은, 조밀한 피처에 비해 격리된 피처에 대하여 회절패턴내의 특성차에 의하여 발생된다. 조밀한 피처는 네스팅 패턴(nested pattern) 및 근접하게 이격된 주기적인 피처를 포함할 수 있다. 광근접성효과는, 조밀한 라인들 보다 격리된 라인들이 동시에 인쇄될 때 임계치수(CD)의 차이를 발생시킨다. 마스크상에서는 라인들이 동일하다고 하더라도, 인쇄된 경우에는 라인들은 상이하다.

광근접성효과는 또한 사용된 조명세팅에 따라 달라질 수 있다. 처음에는, 투영렌즈의 퓨필에서 조명방사선의 디스크형 세기분포를 갖는 소위 종래의 조명모드가 사용되었었다. 그러나, 보다 작은 피처를 묘화시키는 추세에 따라, 공정윈도우(process window) 즉, 노광 및/또는 초점관용도를 개선하기 위하여 작은 피처들에 대하여 오프액시스 조명모드가 표준이 되었다. 그러나, 광근접성효과는 고리모양 조명과 같은 오프액시스 조명모드에서 보다 심해질 수 있다.

이러한 문제에 대한 한 해결책으로 레티클상에 상이한 피처들을 바이어싱시켜 광근접성보정(OPC)을 제공하는 방법이 있다. 바이어싱의 한 형태에 따르면, 기판상의 이미지에서 격리된 라인들이 조밀한 라인과 동일한 가로치수(transverse dimension)로 인쇄될 수 있도록 예를 들어, 레티클상의 보다 격리된 라인들을 다소 두껍게 만들어서 피처가 바이어싱된다. 바이어싱의 또 다른 형태에서는, 격리되어 있거나 조밀하거나 상관없이 라인이 정확한 길이로 인쇄될 수 있도록 단부보정(end correction)이 적용된다. 그러나, 보다 작은 피치와 오프액시스조명에서는, 피치의 함수로서 CD가 보다 크게 변하고 따라서, 보다 많은 라인 바이어싱이 적용되어야 하므로 바이어싱이 보다 복잡해진다. 광학근접성보정(OPC)의 또 다른 형태는 예를 들어, 격리된 피처의 회절을 변화시키기 위하여, "스캐터링 바아"로도 알려져 있는 소위 "보조피처"를 레티클 상에 사용하여 이들이 정확한 치수로 인쇄되도록 하는 것이다. OPC는 예를 들어, US 5,821, 014호 및 SPIE Vol. 4000, 1015 내지 1023페이지 까지의 "Automatic parallel optical proximity correction and verification system"(와타나베 외)에 논의되어 있다.

묘화되는 패턴에 의존적인 방사선소스의 공간 세기분포를 최적화시키기 위한 기술 또한 잘 알려져 있다. 한 방법에 따르면, 방사선소스가 블럭으로 나뉘고 시스템이 각각의 블럭에서 온되거나 오프되는 포인트소스(point source)와 동일하게 모델링된다. 각 소스지점에 대하여, 기판상에 선택된 지점에서의 결과물의 세기가 계산된다. 그런 다음, 기판에서 계산된 세기와 패턴의 최상의 인쇄를 위한 기판에서의 이상적인 세기 사이의 차이를 최소화하기 위하여 복수의 조명소스블럭을 포함하는 최적 소스분포를 계산하는데 최적화 루틴(optimization routine)이 사용된다. 또 다른 기술은, 방사선소스의 각각의 블럭에 대한 실제 세기와 이상적인 세기간의 차를 계산하고 그들을 계급순으로 배치시키는 것이다. 전반적인 조명의 세기분포는, 조명이 문턱값에 도달할 때까지 소스블럭을 계급순으로 받아들임으로써 얻어진다. 이들 기술에 대한 보다 상세한 설명은, 본 명세서에서도 참고자료로 채택되고 있는 US 6,045,976호에서 얻을 수 있다.

알 수 있듯이, OPC를 위해서는 진보된 소프트웨어 알고리즘 및 매우 복잡한 마스크제조가 필요하고 또한 이와 유사하게 상급의 소프트웨어가 소스최적화를 위해 필요하다. 조명의 세기분포를 최적화시키면서 동시에 OPC를 만족할 만하게 결 합시키고, 피처 또는 피처그룹의 범위에 대하여 충분한 공정관용도를 갖는 적절한 공정윈도우를 제공하는데는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은, 상기의 문제점들을 적어도 부분적으로 경감시키는 것이다.

본 발명에 따르면,

- 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;

- 필요한 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;

- 기판을 잡아주는 기판테이블; 및

- 기판의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치에 사용되는 패터닝수단을 위한 광학근접성보정 룰(rule) 및 투영빔소스 세기분포를 결정하기 위한 방법이 제공되며,

상기 방법은,

묘화될 소정의 패턴의 복수의 피처를 선택하는 단계;

상기 방사선시스템내의 상기 방사선을 복수의 소스요소로 개념적으로(notionally) 분할하는 단계;

각각의 소스요소에 대하여: 각각의 선택된 피처에 대한 공정윈도우를 계산하고 계산된 공정윈도우의 오버랩을 최적화시키는 광학근접성보정 룰을 결정하는 단 계;

상기 공정윈도우의 오버래핑 및 광학근접성보정 룰이 특정 기준을 만족하도록 상기 소스요소를 선택하는 단계; 및

상기 소스 세기분포 및 광학근접성보정 룰을 형성하는 상기 선택된 소스요소에 대한 데이터를 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 형태는, 데이터 프로세서 및 데이터 저장수단을 포함하는 컴퓨터시스템을 제공하고, 상기 데이터프로세서는 상기 데이터저장수단에 저장된 실행가능한 프로그램에 따라 데이터를 처리하도록 되어 있으며, 상기 실행가능한 프로그램은 상기 방법을 수행하도록 되어 있다.

본 발명은 또한, 상기 방법을 컴퓨터상에서 실행하기 위한 프로그램코드수단을 포함하는 컴퓨터프로그램 및 상기 컴퓨터프로그램을 수행하는 컴퓨터프로그램물(computer program product)을 제공한다.

본 발명의 또 다른 형태는,

- 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;

- 필요한 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;

- 기판을 잡아주는 기판테이블; 및

- 기판의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치를 이용하는 디바이스 제조방법이 제공되며,

상기 방법은,

에너지감응재(energy-sensitive material)의 층으로 부분적으로 덮혀진 기판을 제공하는 단계;

상기 기판상에 생성되어야 하는 패턴을 제공하는 단계;

상기 지지구조체상에 패터닝수단을 제공하는 단계;

상기 방법에 의하여 출력된 상기 선택된 소스요소들의 합에 실질적으로 대응하는 상기 방사선시스템내의 소스 세기분포를 생성하는 단계;

상기 방법에 의하여 출력된 상기 광학근접성보정 룰에 따라 수정된 기판상에 묘화되어야 할 패턴에 따라 패터닝수단의 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 생성된 소스 세기분포 및 상기 형성된 패터닝수단을 이용하여, 상기 방법에 의하여 출력된 공정윈도우내에서 상기 패터닝된 방사선빔을 이용하여 상기 기판상에 에너지감응재층의 타겟부를 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 또한, 상기 디바이스 제조방법에 따라 제조된 디바이스를 제공한다.

본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.

본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔 뿐만 아니라, (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인)자외선 및 EUV(예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인 극자외선)을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.

이제, 첨부된 개략적인 도면을 참조하여, 단지 예시의 방식으로 본 발명의 실시예가 서술된다.

도면에서, 대응하는 참조부호는 대응하는 부분을 나타낸다.

제1실시예

도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,

ㆍ방사선(예를 들어, EUV방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사선소스(LA)도 포함한다);

ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 포지셔닝하는 제1포지셔닝수단(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);

ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 포지셔닝하는 제2포지셔닝수단(PW)에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및

ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 반사 렌즈시스템)을 포 함하여 이루어진다.

도시된 바와 같이, 상기 장치는 (투과마스크를 구비한)투과형이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (반사마스크를 구비한)반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.

상기 소스(LA)(Hg램프, 엑시머레이저, 방전소스, 레이저생성 플라즈마(LPP), 스토리지 링 또는 싱크로트론내의 전자빔의 경로 주위에 제공된 언듈레이터)가 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔익스팬더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라고 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.

도 1과 관련하여, 상기 방사선소스(LA)는 리소그패피투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사선소스(LA)가 흔히 수은 램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사선소스(LA)가 엑시머레이저인 때에 흔한 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이들 시나리오를 모두 포괄하고 있다.

이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 거친다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2포지셔닝수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1포지셔닝수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략적인 포지셔닝) 및 짧은 행정모듈(미세 포지셔닝)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정액츄에어터에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다.

상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.

1. 스텝모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.

2. 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.

도 2는 도 1의 리소그래피 투영장치에 이용하기 위하여 본 발명을 구현하는 방법의 흐름도이다. 단계(S10)에서는, 기판상으로 묘화되어야 할 패턴에 대하여, 복수의 피처들이 선택되고, 그것의 허용 크기마진(allowed size margin) 즉, 임계치수가 지정된다. 도 3은 묘화될 패턴의 부분을 개략적으로 나타낸 도면으로, 링으로 표시된 3개의 피처(11, 12, 13)는 선택된 피처의 예이다. 또한 단계(S10)에서는, 허용된 광학근접성보정(OPC)범위 즉, 허용가능한 피처의 바이어싱(예를 들어, 폭넓힘이나 길이늘임) 양의 한계 및 보조피처크기에 대한 한계를 정하고, 허용될 수 있는 최소 오버래핑 공정윈도우(OPW)를 선택하기 위한 초기화가 이루어진다. 여전히 어떠한 허용가능한가를 나타내는 하한(lower limit)은, 1) OPW의 최대 초점관용도; 2) OPW의 최대 노광관용도; 3) 예를 들어, 2개의 제품에 대한 1) 및 2)의 함수; 4) OPW의 면적; 또는 5) 예를 들어, AND 또는 OR와 같은 로직연산자(logic operator)를 이용하여 조합된 상기 인자들의 조합의 표현으로 정의될 수 있다.

선행 단계 및 단계(S20) 내지 단계(S40)는 도 1에 도시된 바와 같은 실재의 리소그래피 투영장치상에서 수행되어야 할 필요는 없지만, 물리적인 장치를 시뮬레이션하는 컴퓨터모델을 이용하여 수행되며, 이에 따라 패턴, 조명시스템, 투영렌즈 등등이 디지털 데이터로 표현된다. 따라서, 이들 아이템들에 대한 참조(reference)는 당연히 컴퓨터모델내의 대응하는 가상 아이템을 포함하는 것으로 판독되어야만 한다.

단계(20)에서는, 방사선소스가 가상으로 요소들로 분할된다. 본 명세서에서 사용된 "방사선 소스" 또는 동등한 "투영빔 소스"라는 표현은, 레이저와 같은 방사선을 생성하는 실제 소스이거나, 인티그레이터 또는 여타의 수단과 같이, 방사선을 컨디셔닝하는 가상 또는 "2차"소스로서 작용하고, 방사선경로내의 연 이은 아이템을 위한 "소스"로서 효과적으로 작용하는 방사선경로내의 한 부분을 나타내기도 한다. 이하의 실시예에서, 방사선소스는 조명시스템내의 퓨필에 빔을 포함한다. 퓨필은 일반적으로 원형이며 도 4a의 원(14)으로 개략적으로 표현된다. 완전한 방사선소스는 퓨필(14)내의 위치함수로서 세기분포를 가지며, 이는 마스크상에 입사하는 방사선의 고리모양의 세기분포에 대응한다.

상술된 바와 같이, 본 실시예의 방법에 따른 계산에 있어서, 방사선소스는 복수의 요소로 분할되며, 각각의 요소들은 소스의 픽셀 또는 영역에 대응한다. 각각의 소스요소는 "온" 또는 "오프"될 수 있다. 전체 소스는 "온"상태인 요소들의 합으로 간주될 수 있다. 계산을 간소화하기 위하여, 각각의 소스요소는 도 4a에 십자형(15)으로 표시된 바와 같이, 포인트소스에 의하여 근사될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 단계(S20)에 대하여 후술되는 계산은 완전한 퓨필을 재기 위하여, 소스가 분할되는 모든 요소영역 즉, 도 4a의 그리드상의 모든 포인트에 대하여 차례로 수행된다.

그러나, 바람직하게는 퓨필에서 소스는 텔레센트리서티(telecentricity)로 인해 어떤 대칭성을 가지는 즉, 무게중심의 분포가 퓨필의 중심에 있어야 할 필요가 종종 있다. 따라서, 도 4b에 도시된 또 다른 실시예에 따르면, 각각의 반에 2개의 하위요소(15, 16)를 하나씩 포함하는 계산용의 각각의 소스요소를 갖는 2개의 반으로 퓨필(14)을 분할하여 대칭적인 소스를 구성하기에 충분하며 각각의 반은 광학축선(퓨필의 중심)에 대하여 서로 정반대로 대항한다. 따라서, 계산을 위하여 단일 소스"요소"가 다수의 하위요소(15, 16)로 이루어질 수 있다. 본 예시에서는, 한쪽 반에서만 소스를 고려하고 나머지 반의 소스를 생성하는 데는 대칭성을 이용하므로, 계산량이 절반으로 감소된다.

도 4c에 도시된 또 다른 실시예에 따르면, 퓨필이 사분면으로 분할되고, 각각의 소스요소는, 나머지 3개의 사분면에 16, 17, 18에서 십자형으로 표시되는 소스를 생성하기 위하여 수직 및 수평축선을 중심으로 1사분면내의 소스포인트(15)를 반사시켜서 얻어진 4개의 하위요소를 포함한다. 실제로 이것은, 회절패턴의 양 및 음의 차수가 일반적으로 동일하다는 사실에 의하여 잘 적용될 수 있으며, 대략 1/4로 계산량을 감소시킬 수 있다.

도 4a, 4b 및 도 4c에 도시된 바와 같이, 소스요소는 직사각형 그리드상에 있지만, 이것은 단지 소스요소를 구성하는 일례이며; 여건에 따라 6각형 그리드 또는 극좌표에 따라 배치된 포인트소스와 같이 여타의 적절한 분할이 이용될 수 있다. 소스퓨필(14)은 또한 2 또는 4 이외에도 6 또는 여타의 개수의 영역으로 분할될 수 있다. 퓨필내에서 그리드영역의 정확한 위치는 순전히 임의적일 수 있다.

복합 소스요소 즉, 다수의 포인트소스로 이루어진 소스요소를 생성하기 위한 또 다른 개선된 실시예가 도 5를 참조하여 후술된다. (i) 도 5의 상부 좌측에 도시된 바와 같이, 퓨필의 좌측 절반이 N개의 포인트 그리드로 분할된다. 이들 포인트중의 하나는 2개의 십자형으로 표시된 바와 같이, 퓨필의 우측절반의 대응하는 대칭 포인트와 함께 선택된다. (ⅱ) 퓨필의 바닥부 절반은 M개의 포인트그리드(M은 N과 동일할 수 있다)로 분할되고, 도 5의 상부 중심도면내의 2개의 작은 정사각형으로 표시된 또 다른 쌍의 대칭 소스포인트가 선택된다. (ⅲ) 후술되는 단계(S20)의 계산에 사용되는 최종 선택된 소스요소는 (i)단계 및 (ⅱ)단계로부터 2개의 소스의 쌍을 합한 것이다. 즉, 소스요소는 도 5의 우측 상부에서 2개의 십자형 및 2개의 정사각형으로 표시된 4개의 하위요소를 포함한다. 그런 다음, (i)단계에서와 동일한 소스의 쌍을 유지하면서, 단계(ⅱ) 및 단계(ⅲ)가 M번 반복되어 모두 M개의 "최상부/바닥부"소스포인트 쌍을 만들어내고; 그런 다음, (i)단계로 되돌아가 "좌측/우측"소스쌍이 그 다음 쌍의 포인트들로 증대되고, 단계(ⅱ) 및 단계(ⅲ)가 다시 M번 반복된다. 이것은, 모든 N개의 "좌측/우측"소스의 쌍이 모든 M개의 "최상부/바닥부"소스의 쌍으로 구해질 때까지 반복되며, 도 5의 우측 열(column)에 개략적으로 도시된 바와 같이, 총 M*N개의 소스요소를 제공한다. 후술되는 OPC 및 OPW의 해석은 각각의 선택된 패턴피처를 위한 각각의 상기 M*N개의 소스요소에 대하여 수행된다.

수평 및 수직 분할선에 의한 소스퓨필의 좌측/우측 및 최상부/바닥부 반으로의 분할은, 도시된 것과 달리 예를 들어, 임의의 각도로 회전될 수 있으며 및/또는 서로에 대하여 반드시 직교할 필요가 없다. 분할선의 방향이 동일하지 않다는 것 이 유일한 기준이다. 본 실시예는 (도 4b에 도시된 바와 같이)퓨필을 반으로 나누는 것에 대하여 설명되었지만, 도 4a에 도시된 바와 같이 분할하지 않거나 도 4c에 도시된 바와 같이 4분원으로 분할하거나 여타의 개수로 분할하거나 동일하게 이루어질 수 있다.

연속하여 단계(S20)에서는, (예를 들어, 도 4c의 하위요소(15, 16, 17, 18)로 이루어진)각각의 소스요소에 대하여, 각각의 선택된 피처에 대한 공정윈도우가 예를 들어, "Inside Prolith"(Chris A Mack 저 1997(ISBN 0-9650922-0-8)) 특히, 10장에 개시된 바와 같이 계산된다.

도 6a는 하나의 소스요소에 대하여, 선택된 피처(11, 12, 13)를 위한 공정윈도우(21, 22, 23)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 공정윈도우는 정해진 크기마진내에서 허용가능한 피처의 인쇄를 가능하게 하는 도즈 및 초점의 범위(즉, 노광관용도(EL) 및 초점관용도(초첨심도; DOF))를 한정한다. 그런 다음, 공정윈도우의 오버래핑을 최적화시키는 OPC룰이 결정된다. 이것은, 국부적인 도즈를 효과적으로 감소시키기 위하여 예를 들어, 보다 큰 간격을 갖는 구조체에 바이어스를 적용함으로써 곧바로 이루어질 수 있다. 국부적인 도즈가 효과적으로 감소되면, 상기 피처에 대한 공정윈도우가 상승되어 상기 피처를 노광하는데 보다 높은 도즈가 필요하게 된다. 이것이 도 6b에 개략적으로 도시되며, 여기서 결정된 OPC룰을 적용한 결과, 도 6a로부터 공정윈도우(21, 22, 23)가 시프트되어 이들이 최대로 오버래핑된다. 바이어싱의 적용과 함께 또는 바이어싱을 적용하는 대신에, 보조피처를 사용하는 것도 공정윈도우의 오버래핑을 최적화시키는 OPC룰에 포함될 수 있다. OPC룰 의 결정에 관한 보다 상세한 정보는 "Silicon Processing"(S Wolf 및 R N Tauber공저(ISBN 0-9616721-6-1)) 및 그 안에 포함된 문헌에 대한 참조로부터 얻을 수 있다. 결정된 OPC룰을 적용한 상기 결과는, 도 6b의 도즈축선 및 초점축선을 따르는 공정윈도우의 위치 뿐만 아니라 도 6b의 공정윈도우의 형상 및/또는 크기도 영향을 받을 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 공정윈도우(21, 22, 23)의 형상 및/또는 크기의 변화를 계산하는 부가적인 단계에 후속하여 공정윈도우의 오버래핑을 최적화시키는 OPC룰을 결정하는 단계 및 결정된 OPC룰을 적용하는 단계가 상기 방법에 포함될 수 있다.

도 6c는, 계산된 OPC룰을 적용하여 선택된 피처가 주어진 소스요소에 대하여 성공적으로 인쇄될 수 있는 유용한 공정윈도우를 나타내는 생성된 오버래핑 공정윈도우 OPW를 나타낸다. 이것은, 각각의 소스요소에 대하여 세트의 OPC룰이 결정되고 최적의 OPW가 얻어지도록 반복된다.

도 7은 단계(S20)의 결과를 개략적으로 나타낸 도표이다. 각각의 십자형은 특정 소스요소에 대한 OPC 및 OPW의 도표를 나타낸다. 도 7은 단지 본 발명의 이해를 돕기 위한 개략적인 2차원 도표이다. 실제로, 각 세트의 OPC룰은 다차원 벡터(multidimensional vector)로 수학적으로 표현될 수 있고 십자형은 다차원 벡터공간에 놓여진다. 상술된 바와 같이, OPW는 예를 들어, 노광관용도, 초점관용도, 윈도우 영역 및 그 조합들과 같은 다수의 파라미터들로 특정지어질 수 있다. OPW기준은 도 7에 수직으로 도표화되는 하나의 값으로 조합될 수 있다. 예를 들어, 수직으로 도표화된 양은 ([OPW의 최대 DOF]에 대한 문턱값 AND [OPW의 최대 노광관 용도]에 대한 문턱값을 가지고 있는 [OPW의 최대 DOF])함수를 나타낼 수 있다. 이러한 함수는 수학적으로 MaxDOF & (MaxDOF > F & MaxEL > E)로 표기된다. 이것은, MaxDOF가 선택된 값 F보다 크고 동시에 MaxEL이 선택된 값 E보다 큰 상기 소스지점들에 대한 MaxDOF를 도표화한다. 이것은 단지 예시일 뿐이다. 여타의 많은 조합들에 대하여도 예상될 수 있다.

단계(S30)에 따라, 방사선소스요소가 평가되어야 하고 상기 선택된 요소들은 최적화된 소스 세기분포를 형성한다. 우선, 선택된 소스요소들은 단계(S10)에 지정된 최소 문턱값을 만족시키는 OPW를 가져야만 한다. 도 7에서 문턱값은 수평 점선으로 표시된다. 문턱값은 예를 들어, 최대 초점심도(DOF)가 0.3㎛이상이고 최대 노광관용도(EL)가 7%이상인 값일 수 있다. 본 예시에서는, 문턱값이 1이상의 파라미터를 이용한다. 상기 점선 아래의 십자형에 대응하는 소스요소들은 제거될 수 있다. 이것은 도 7에 점들을 표시하기 위하여 상술된 함수를 이용하여 수행될 수 있다.

두번째로, 마스크와 같은 패터닝수단을 디자인할 때 일치하도록 소스요소가 실질적으로 공통적인 세트의 OPC룰을 가져야만 한다. 본 발명을 구현하는 한 방법에 따라, 유사한 OPC를 갖는 고밀도의 십자형을 갖는 도 7의 도표영역을 식별하여 이것이 수행된다. 적절한 영역이 도 7의 점선 타원(30)으로 표시된다. 수학적으로 말하면, 상기 방법단계는, 다차원 OPC벡터공간내에서 고밀도 점들을 갖는 영역을 찾는 것이다. 그런 다음, 예를 들어, 실용적으로 소스퓨필의 적어도 10%의 영역이 조명되어야만 하므로, 전체적인 조명이 적절하게 밝혀질 수 있도록 충분한 소 스요소를 가져야 하는 1차기준을 구비한 고밀도 영역에서 시작하여, 점들이 선택된다. 따라서, 선택된 소스요소의 OPC값의 범위에 대한 어떠한 엄격한 제한이 반드시 필요하지는 않고; 이것은 어떤 특정 경우에 대한 점들의 밀도에 따라 달라지지만, 바람직한 기준은 물론, OPC값이 가능한 한 거의 동일하여, 선택된 소스요소지점의 OPC값의 산포(spread)가 최소화되는 것이다.

물론, 본 발명의 방법에 대하여, 도 7에서와 같이 소스요소지점을 반드시 도표화시킬 필요는 없으며 실제로는, 다차원 OPC벡터에 대하여 물리적으로 가능하지 않을 수 있음을 이해할 것이다. 대신에, 도 7은 본 발명의 이해를 돕기 위한 간단한 예시이다. 계산은 적절한 데이터를 처리하는 프로세서에 의하여 수행될 수 있다.

정해진 또는 상기 세트의 소스요소가 선택된 후에, 최종 세트의 OPC룰이 단계(S35)에서 결정된다. 세트의 OPC룰은, 상기 선택된 소스요소에 대하여 공통 OPC벡터에 근사되는 OPC벡터에 의하여 효과적으로 주어진다. 단계(S35)에서는, 소스요소들을 개별적으로 이용하기 보다는, 선택된 소스요소의 함을 포함하는 전체의 최적화된 요소를 이용하여 최종 세트의 OPC룰이 결정되는 것이 바람직하다. OPC룰은 상술된 바와 같이, OPW를 최적화시키는 알려진 소프트웨어 루틴을 이용하여 결정된다.

단계(S40)에서는, 최적 방법의 결과값이 출력된다. 결과값은 선택된 방사선소스 요소의 그룹 및 세트의 OPC룰을 나타내는 데이터를 포함한다. 선택적으로, 선택된 소스요소의 그룹에 대한 공정윈도우가 또한 출력될 수 있지만 이것은 필수 적인 것이 아니다. 도 7을 참조하면, 선택된 방사선소스요소의 그룹은 영역(30)내의 십자형에 대응하는 그룹이다. 최적화된 방사선소스 세기분포는 이들 요소들의 합으로 주어진다. 공정윈도우정보는 OPC룰 및 최적화된 소스를 이용하여 패턴의 올바른 노광을 보조할 수 있지만, 이 정보는 스태퍼 또는 스캐너와 같은 리소그래피장치를 셋업시키기 위한 필수적인 요소는 아니다.

단계(S10 내지 S40)의 방법을 수행하기 위한 장치는 도 1의 리소그래피 투영장치의 일부일 필요는 없으며, 묘화될 패턴 및 투영장치의 물리적인 성능(performance)을 나타내는 데이터에 접근하는 종래의 컴퓨터시스템일 수 있다. 물론, 장치는 리소그래피 투영장치에 전용으로 사용하기 위한 시스템일 수 있다. 최적 또는 최적에 근사한 방사선소스의 계산 및 OPC를 수행하는 컴퓨터 시스템은, 데이터저장소에 저장되고 프로세서에 의하여 실행되는 본 발명을 구현하는 방법을 수행하기 위한 소프트웨어를 포함할 수 있다.

선택적으로, 도 2의 또 다른 단계의 1이상의 부분이 수행될 수 있다. 바람직한 소스 세기분포를 포함하는 선택된 방사선 소스요소의 그룹에 대한 데이터출력은 상기의 세기분포를 갖는 실제의 방사선소스를 구성하는데 사용될 수 있다. 이것은 예를 들어, 그레이필터나 공간필터와 같은 광학수단 또는 세기분포를 형성하기 위한 여하한의 적절한 굴절, 반사, 회절 또는 필터링수단을 포함하는 투영장치의 일루미네이터(IL)내에 1이상의 빔형성부재를 포함하여 수행될 수 있다. 또한, 기판을 노광하는데 사용하기 위하여 마스크와 같은 패터닝수단을 설계하도록 세트의 최적화된 OPC룰에 대한 데이터가 필요한 패턴에 적용될 수 있다. 결국, 상기 방법은, 방사선소스 및 상기 패터닝수단을 이용하여 기판상에 패턴을 묘화시키고, 단계(S40)에서 얻어진 공정윈도우내에서 이미지를 노광시키는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 특정 실시예가 상술되었지만, 본 발명은 상술된 것과 다르게 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 상기 설명은 본 발명을 제한하지 않는다.

본 발명에 따르면, 상술된 문제점들을 적어도 부분적으로 경감시킬 수 있다.

Claims (15)

1. - 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;

   - 필요한 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;

   - 기판을 잡아주는 기판테이블; 및

   - 상기 기판의 타겟부상으로 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치에 사용되는 패터닝수단을 위한 광학근접성보정 룰(rule)들 및 투영빔소스 세기분포를 결정하기 위한 방법에 있어서,

   묘화될 상기 필요한 패턴의 복수의 피처를 선택하는 단계;

   상기 방사선시스템내의 상기 방사선을 복수의 소스요소로 개념적으로(notionally) 분할하는 단계;

   각각의 소스요소에 대하여: 각각의 선택된 피처에 대한 공정윈도우를 계산하고 상기 계산된 공정윈도우의 오버랩(overlap)을 최적화시키는 광학근접성보정 룰들을 결정하는 단계;

   상기 공정윈도우의 오버래핑 및 상기 광학근접성보정 룰들이 특정 기준들을 만족하는 상기 소스요소들을 선택하는 단계; 및

   소스 세기분포를 형성하는 상기 선택된 소스요소에 대한 데이터 및 광학근접성보정 룰들에 대한 데이터를 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 방법.
2. 제1항에 있어서,

   소스요소들을 선택하는 상기 단계에 대한 하나의 기준 또는 기준들의 조합은, 상기 오버래핑 공정윈도우가 사전설정된 문턱값(threshold)을 초과하는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제1항에 있어서,

   소스요소들을 선택하는 상기 단계에 대한 하나의 기준은, 상기 선택된 요소들에 대한 상기 광학근접성보정 룰들이 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제1항에 있어서,

   소스요소들을 선택하는 상기 단계는, 고밀도 소스요소를 갖는 상기 광학근접성보정 룰에 의하여 정해진 벡터공간내의 영역을 식별하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 선택된 소스요소들의 합에 대응하는 소스 세기분포를 토대로, 상기 출력된 광학근접성보정 룰들을 계산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제1항에 있어서,

   각각의 소스요소는 소스의 각각의 사분면에 하나씩, 대칭으로 배치되는 4개의 하위요소들을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제1항에 있어서,

   각각의 소스요소는 2개의 하위요소의 1이상의 세트를 포함하고, 상기 2개의 하위요소는 상기 소스의 대항하는 반쪽들에 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
8. 제1항에 있어서,

   상기 방사선을 복수의 소스요소로 분할하는 상기 단계는, 하위요소들의 제1세트를 선택하는 단계; 하위요소들의 제2세트를 선택하는 단계; 및 소스요소들 각각으로서 하위요소의 상기 제1 및 제2세트의 조합을 차례로 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
9. 제1항에 있어서,

   출력된 상기 선택된 소스요소들의 합에 실질적으로 대응하는 상기 방사선시스템내의 소스 세기분포를 생성하기 위하여 상기 방사선시스템으로 삽입가능한 빔형성부재를 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
10. 제1항에 있어서,

    상기 마스크와 같은 패터닝수단을 생성하는 단계를 더 포함하고, 상기 패터닝수단의 상기 패턴은, 상기 출력된 광학근접성보정 룰들에 따라 수정된 상기 기판상에 묘화되어야 하는 패턴에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
11. 데이터프로세서 및 데이터 저장수단을 포함하는 컴퓨터시스템에 있어서,

    상기 데이터프로세서는 상기 데이터저장수단에 저장된 실행가능한 프로그램에 따라 데이터를 처리하도록 되어 있고, 상기 실행가능한 프로그램은 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법을 실행하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터시스템.
12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법을 컴퓨터상에서 실행하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
13. 삭제
14. - 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;

    - 필요한 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;

    - 기판을 잡아주는 기판테이블; 및

    - 상기 기판의 타겟부상으로 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치를 이용하는 디바이스 제조방법에 있어서,

    에너지감응재(energy-sensitive material) 층으로 적어도 부분적으로 덮혀진 기판을 제공하는 단계;

    상기 기판상에 생성되어야 하는 패턴을 제공하는 단계;

    상기 지지구조체상에 패터닝수단을 제공하는 단계;

    제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 출력된 상기 선택된 소스요소들의 합에 실질적으로 대응하는 상기 방사선시스템내의 소스 세기분포를 생성하는 단계;

    제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 출력된 상기 광학근접성보정 룰에 따라 수정된 상기 기판상에 묘화되어야 할 패턴에 따라 상기 패터닝수단의 상기 패턴을 형성하는 단계; 및

    상기 생성된 소스 세기분포 및 상기 형성된 패터닝수단을 이용하여 생성된 패터닝된 방사선을 이용하여 상기 기판상에 상기 에너지감응재층의 타겟영역을 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 디바이스 제조방법.
15. 제14항의 방법에 따라 제조된 디바이스.

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