JP4892462B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

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Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、基板上、通常、基板のターゲット部分上に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。その事例では、パターニングデバイス（あるいは、マスクまたはレチクルと呼ばれる）を使用して、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンが生成されてもよい。このパターンは、基板（たとえば、シリコンウェーハ）上の（たとえば、ダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）ターゲット部分上に転写されることができる。パターンの転写は、通常、基板上に設けられる放射感応性材料（レジスト）層上でのイメージングによる。一般に、単一基板は、連続してパターニングされる隣接ターゲット部分のネットワークを含むであろう。知られているリソグラフィ装置は、各ターゲット部分が、全パターンをターゲット部分に一度に露光することによって照射される、いわゆるステッパ、および、各ターゲット部分が、所与の方向（「スキャニング」方向）に放射ビームを通るパターンをスキャンし、一方、基板を、この方向と平行または反平行に同期してスキャンすることによって照射される、いわゆるスキャナを含む。パターンを基板上にインプリントすることによって、パターニングデバイスからのパターンを基板に転写することも可能である。
[0003] フォトリソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。現在、どの代替の技術も、同じ精度、速度、および経済的な生産性を持つ所望のパターンアーキテクチャを提供するようには思われない。しかし、フォトリソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、フォトリソグラフィは、小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造が、真に大量に製造されることを可能にする、最大の、最大でないとすれば、クリティカルなゲーティング因子の１つになりつつある。
[0004] パターン印刷の限界の理論的推定は、式（１）、すなわち、
Figure 0004892462
 に示す解像度についてのレイリー基準によって与えられることができる。ここで、λは使用される放射の波長であり、ＮＡＰＳは、パターンを印刷するのに使用される投影システムの開口数であり、ｋ１は、レイリー定数とも呼ぶ、プロセス従属調整因子であり、ＣＤは、１：１デューティサイクルを有するアレイ内に配置されたフィーチャのフィーチャサイズである（すなわち、ピッチの半分に等しいサイズを有する等しい線および空間またはホール）。そのため、フィーチャが、アレイ内で離間される一定のピッチを特徴とするフィーチャのアレイにおいて、式（１）内のクリティカルな寸法ＣＤは、以降で「ハーフピッチ（ｈａｌｆ−ｐｉｔｃｈ）」と呼ぶ、印刷することができる最小ピッチの半分の値を表す。
[0005] 結果として、式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの減少が、３つの方法で、すなわち、露光波長λを短くすることによって、開口数ＮＡＰＳを増加させることによって、または、ｋ１の値を減少させることによって得ることができることになる。
[0006] レイリー定数ｋ１を小さくし、それにより、パターン解像度を改善するために、リソグラフィにおいて広く使用されてきた現行の解像度向上技法は、たとえば、減衰またはレベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスクおよび／または解像度以下のアシストフィーチャ（ＳＲＡＦ）および／またはオフアクシスイルミネーションの使用を含む。これらの解像度向上技法は、ＩＣデバイスの配線レベル間の接続を画定するコンタクトホールまたはビアのリソグラフィ印刷および処理について特に重要である。それは、コンタクトホールが、他のＩＣフィーチャと比較して、比較的小さい面積を持つからである。コンタクトホールは、たとえば、位相シフトマスクおよびポジティブレジストと組み合わせた従来のオンアクシスイルミネーションを使用して印刷されてもよい。
[0007] しかし、（λ＝１９３ｎｍ、ＮＡＰＳ＝０．９３、およびｋ１＝０．４における）約８５ｎｍ未満の小さなフィーチャおよびコンタクトホールをパターニングするのに、これらの解像度向上技法を使用することが可能でない場合がある。これらの技法は、機能が制限され、ｋ１＝０．４で動作するときに得られるＣＤ未満のハーフピッチを印刷するのに十分なプロセスラチチュード（すなわち、クリティカルな寸法における所与の許容度についての、合成された使用可能な焦点深度および許容可能な露光量変動）を提供しない場合がある。１９３ｎｍリソグラフィシステムを用いて３２ｎｍ ｌｉｎｅ／ｓｐａｃｅパターンを達成するのに必要とされる開口数およびｋ１係数値は、現行のレンズ技術を超えている。
[0008] 高いパターン幅制御と均一性を有して小さなパターンをイメージングするように構成されたリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
[0009] ある実施形態では、リソグラフィ装置が提供され、リソグラフィ装置は、放射ビームを複数の放射ビームに分割するように構成されたビームスプリッタと、基板を支持するように構成された基板ステージと、複数の放射ビームの少なくともある部分を向け直し、結合して、基板上に干渉パターンを形成するようになっているビームコンバイナと、基板ステージおよび放射ビームを出力するように構成された放射源とつながる制御ユニットとを含み、制御ユニットは、基板ステージの運動を、放射ビームが放射源によって出力される繰り返しレートに同期させるように構成される。
[0010] 本発明の別の実施形態では、リソグラフィ装置が提供され、リソグラフィ装置は、回折格子であって、回折格子が放射ビームによって入射されると、複数の放射ビームを生成するように構成される、回折格子と、基板を支持するように構成された基板ステージと、複数の放射ビームの少なくともある部分を向け直し、結合して、基板の表面上に干渉パターンを形成するようになっているビームコンバイナと、基板ステージおよび放射ビームを出力するように構成された放射源とつながる制御ユニットとを含み、放射源によって出力される２つの連続するビームの間で、基板ステージが、干渉パターンの整数のピッチにわたって移動するように、制御ユニットが、基板ステージの運動を、放射ビームが放射源によって出力される繰り返しレートに同期させるように構成される。
[0011] 本発明のさらに別の実施形態では、デバイス製造方法が提供され、デバイス製造方法は、複数の放射ビームを形成するように放射ビームを分割すること、干渉パターンを形成するように、基板上で複数の放射ビームの少なくともある部分を向け直し、結合すること、および、基板を支持するように構成された基板テーブルの運動を、放射ビームが放射源によって出力される繰り返しレートに同期させることを含む。
[0012] 本発明の実施形態は、ここで、添付略図を参照して、例としてだけ述べられるであろう。略図では、対応する参照シンボルは、対応するパーツを示す。
[0022] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置は、高い印刷解像度を達成し、印刷パターンの高い制御および均一性を提供するように構成される。ある実施態様では、リソグラフィ装置は、基板の全表面にわたって静的フィールドのスキャン複製を生成するために、静的な、干渉的に生成されたイメージフィールドを通して基板を連続して移動させるように構成された干渉計リソグラフィ装置である。
[0023] 図１は、本発明の実施形態によるリソグラフィ装置１００を示す。装置１００は、一般に、放射ビームＢ（たとえば、ＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調節するイルミネーションシステム（ＩＬ）１０５、ビームスプリッタ１１０、コンバイナ１１５、および基板Ｗを支持するように構成された基板支持体１２０を含む。
[0024] イルミネーションシステム１０５は、放射を誘導し、成形し、制御するための、屈折式の、反射式の、磁気式の、電磁式の、静電式の、または他のタイプの光学部品、あるいはその任意の組合せなどの種々のタイプの光学部品を含んでもよい。
[0025] 基板支持体１２０は、機械式、負圧式、静電式、または他のクランプ技法を使用して基板Ｗを支持するように構成される。基板支持体１２０は、たとえば、必要に応じて、固定されるか、または、可動であってよい、フレームまたはテーブルであってよい。基板支持体１２０は、基板Ｗが、たとえば、コンバイナ１１５に対して所望位置にあることを確保してもよい。
[0026] イルミネーションシステム１０５は、放射源１０１から放射ビームＢを受け取るようになっている。源１０１およびリソグラフィ装置１００は、別々の実体であってよい。こうした場合、源１０１は、リソグラフィ装置１００の一部を形成すると考えられず、たとえば、適した誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステム（図１に示さず）を使って、放射ビームＢが、源１０１からイルミネーションシステム１０５へ通される。他の場合では、源１０１は、リソグラフィ装置１００の一体部分であってよい。源１０１およびイルミネーションシステム１０５は、必要である場合、ビームデリバリシステムと一緒に、放射システムと呼ばれてもよい。
[0027] 図１の実施形態では、放射源１０１は、所定のレートで、かつ、所定の放射波長で放射ビームＢを出力するように構成される。源が放射ビームＢを放出する／出力する繰り返しレートは、以降で、放射源１０１のパルスと呼ばれることもある。たとえば、放射源１０１はエキシマレーザであってよく、放射波長は１９３ｎｍであってよい。調整可能な放射繰り返しレート（または放射パルス）および／または放射波長を有するさらなる放射源は、本発明の他の実施形態で使用されてもよい。
[0028] ある実施形態では、ビームスプリッタ１１０は、回折次数ビーム１１１を発生する回折格子である。回折次数ビーム１１１は、空間的にかつ時間的にコヒーレントなビームである。ビームスプリッタ１１０は、１次元または２次元の回折格子である。干渉パターンを形成するのに使用することができる回折格子の例は、チェッカーボード格子を有するガラス板を含む。格子は、位相シフトマスク格子またはバイナリ格子であることができる。種々の構成では、ビームスプリッタまたは格子１１０は、クロムチェッカーボードパターン、エッチング式位相パターン、クロムバスケットウィーブパターン、またはエッチング式ウィーブパターンを含む。
[0029] 戻って図１を参照すると、ビームスプリッタ１１０によって発生する複数のビーム１１１の少なくともある部分は、コンバイナ１１５に入り、コンバイナの表面（図１において表面１１６ａ〜１１６ｂ）のうちの１つから内部反射する。ビーム１１１は、その後、基板Ｗ上で干渉縞を形成する。
[0030] 図１のリソグラフィ装置１００において、複数のビーム１１１が、基板Ｗの上部表面に干渉パターンを生成する。干渉パターンは、フォトレジスト層（図１に示さず）を露光し、格子パターンを形成する。干渉パターンは、複数のビーム１１１の建設的干渉によって形成される最大強度の縞を含む。縞は、複数のビーム１１１の破壊的干渉によって生じる最小強度のゾーンによって分離される。
[0031] 基板Ｗ上に生成されるパターンは繰り返しパターンである。繰り返しパターンユニットの詳細は、干渉するコヒーレントな放射ビームの数に依存する。最も単純な形態では、２つの回折ビームが、干渉して、ｌｉｎｅ／ｓｐａｃｅを生成する。この構成では、一方向（たとえば、ＸまたはＹ）におけるプラスおよびマイナスの１次回折次数（＋１Ｘおよび−１Ｘまたは＋１Ｙおよび−１Ｙ）に相当する回折ビームが、集光され、基板Ｗ上で干渉する。３つまたは４つの放射ビームを使用することは、コンタクトウィンドウまたはレジストパイラーのアレイを生成する。この構成では、２つの方向におけるプラスおよびマイナスの１次回折次数（＋１Ｘ、−１Ｘ、＋１Ｙおよび−１Ｙ）に相当するビームが、集光され、基板Ｗ上で干渉する。回折ビームの実際の角度は、特定のビーム方向におけるピッチを構成する。６つの回折ビームを使用することは、六角形タイプのパターンレイアウトを与える。８つの回折ビームを使用することは、八角形タイプのパターンレイアウトを与える。一般に、ビームスプリッタ１１０を通して放射ビームＢを通し、回折ビーム１１１の全てを集光し、それらのビームを再合成して、干渉パターンを生成することによって、任意のパターニングデバイスのパターンがエミュレートされてもよい。
[0032] 図１のコンバイナ１１５は、多面プリズムである。図１に示すようなプリズムを使用する利点は、プリズムが製造されると、アライメントの困難さが存在しないことである。図１では、ビームコンバイナ１１５は、ビームスプリッタ１１０によって発生する複数のビーム１１１の少なくともある部分を向け直すようになっている。ある実施形態では、ビームコンバイナ１１５は、ビームスプリッタ１１０によって発生する複数のビーム１１１の実質的に全てを向け直すようになっている。
[0033] 図１のプリズムは、Ｎ方向対称を有するように一般化されてもよい。たとえば、一構成では、プリズムは、図２に示すように、６方向対照（六角形プリズム）を有してもよい。この図は、本発明の実施形態による六角形プリズムの端面図を示す。プリズム２００は、プリズムの中心ＣＥの周りに分配された、６つの高角度ゾーン２０５および６つの低角度ゾーン２１０を含む。図２では、プリズム２００は、６つのビーム２１５ａ〜２１５ｆを合成して、基板Ｗの表面に干渉縞を形成するようになっている。六角形プリズム２００は、ＤＲＡＭタイプ構造を作るのに使用されてもよい。あるいは、多面コンバイナ１１５は、図３に示すように、４方向対称（正方形プリズム）を有することができる。図３の正方形プリズム３００は、中心ＣＥの周りに分配された、４つの高角度ゾーン３０５および４つの低角度ゾーン３１０を含む。図３では、プリズム３００は、４つのビーム３１５ａ〜３１５ｄを合成するようになっている。プリズムの設計は、図２および図３に示す設計に限定されないこと、および、数字Ｎは、偶数である必要がないことが理解されるであろう。たとえば、３方向または５方向対称もまた、本発明の他の実施形態で使用されることができる。一構成では、図１のビームコンバイナ１１５は、約２〜８のビーム間で合成して、干渉パターンを形成するようになっている。
[0034] 図２に示す実施形態では、ビーム２１５ａ、２１５ｄおよび２１５ｂ、２１５ｃ、２１５ｆ、２１５ｅは、六角形プリズム２００の異なる角度ゾーンによって反射される。同様に、図３の実施形態では、ビーム３１５ａ〜３１５ｃおよびビーム３１５ｂ〜３１５ｄは、正方形プリズム３００の異なる角度ゾーンによって反射される。しかし、図２〜３に示すビームは、本発明の他の実施形態では同じ角度ゾーンによって反射されてもよいことが理解されるであろう。たとえば、ビーム２１５ａ〜２１５ｄは、角度ゾーン２０５によって反射され、ビーム３１５ａ〜３１５ｃは、角度ゾーン３０５によって反射されることができる。
[0035] コンバイナ１１５の典型的な寸法は、上面１１７においてほぼ５０ｃｍ未満である（図１を参照されたい）。一実施形態では、コンバイナ１１５の上面１１７の直径は、約２０〜３０ｃｍの範囲にあってもよい。
[0036] コンバイナ１１５は、図１に示す多面プリズムに限定されないことが理解されるであろう。たとえば、図１に示す実施形態では、リソグラフィ装置１００は、複数の回折ビーム１１１を反射させるようになっている湾曲した下部表面を含むコンバイナを含んでもよい。本発明の別の実施形態では、コンバイナ１１５は、複数の回折ビーム１１１を基板Ｗの表面の方へ向け直すために、独立して移動可能である複数のミラーからなる。この後者の実施形態では、ミラーの向きは、コントローラによって制御されてもよい。
[0037] プリズムまたは複数のミラーの向きは、パターン幾何形状に基づいて選択される。ある実施形態では、シミュレーションプログラムを使用して、所望のパターンを生成するビームスプリッタの幾何形状が選択される。シミュレーションプログラムは、ビームスプリッタ１１０によって生成される回折ビーム１１１の瞳マップを生成し、瞳マップは放射ビーム位置を表す。瞳マップ内の放射ビーム位置に基づいて、回折ビーム１１１の全てまたは一部を捕捉するように、ミラーの向きまたはプリズムの側面の傾斜が選択される。
[0038] 戻って図１を参照すると、リソグラフィ装置１００は、基板ステージ１２０の運動を、放射源１０１の放射パルスに同期させるようになっている制御ユニット１２５を含む。制御ユニット１２５は、放射源１０１および基板テーブル１２０につながっている。放射源１０１の放射パルスに対する基板ステージ１２０の運動の同期は、より長い未処理放射パルスの選択された部分をトリガーすることによって達成されることができる。
[0039] 特に、放射源１０１が放射ビームＢを出力する／放出するたびに（すなわち源１０１の各放射パルスについて）、複数の回折ビーム１１１が、ビームスプリッタ１１０によって生成される。複数の回折ビーム１１１の少なくとも一部は、集光されて、基板Ｗ上に静的干渉パターンが印刷される。放射ビームＢの２つの連続する放出の間で、後続の放射パルスによって生成される干渉パターンが、前の干渉パターンに実質的に完全に重なり合うように、制御ユニット１２５が、基板テーブル１２０の移動方向に、整数（すなわち、インテジャ）のパターンピッチだけ基板を移動させるようになっている。基板テーブル１２０と放射源１０１の放射パルスの同期運動は、全イルミネーションスリット幅を通して継続する。こうしたプロセスによって、基板スキャン長とスリット高さによってだけ制限されてもよい、２次元パターニングを有するイメージングの連続したスキャンによる長いストリップを生成することができる。
[0040] 基板テーブル１２０と源１０１の放射パルスの同期運動は、動的アクションにおけるイメージ平均化の効果を有する。イメージングフィールドの異なる部分からのイメージが重なり合うため、フィールドにわたるいずれの光学デバイスベース収差も均等にされることができる。光学列の異なる部分からのイメージは平均化される。これらは、パターン幅制御と均一性を提供する。
[0041] ここで図４を参照すると、この図は、基板ステージ１２０と源１０１の放射パルスの同期運動中に、基板Ｗ上で画定される干渉パターンを示す。図４で露光されるパターン４００は、ピッチｐで配置された幅ｄを有するライン４０５の繰り返しパターンである。このラインのパターンは、ラインの長さが、その幅よりずっと大きいため１次元パターンであると考えることができる。図４では、２つの隣接するラインを分離する距離は、ピッチｐの半分に相当する。本発明の他の実施形態では、さらなる繰り返しパターンおよび／またはピッチを使用することができることが理解されるであろう。たとえば、一実施態様では、２次元の繰り返しパターン（たとえば、長方形または短いストラップ）またはホールの繰り返しパターンが、基板Ｗ上に作られることができる。
[0042] 図４は、３つの連続する放射パルス（Ｐｎ、Ｐｎ＋１、およびＰｎ＋２）に相当する露光フィールドを示す。露光フィールドは、その長さＬとその高さＨによって画定される。一実施態様では、典型的な露光フィールドは、約５ｍｍ（Ｌ）×２６ｍｍ（Ｈ）である。図４では、露光フィールド内の４つのラインだけが示される。しかし、ピッチとパターンサイズに応じて、何百万というパターンフィーチャが、各放射パルス中に露光されることが理解されるであろう。露光フィールドサイズは、他の実施態様では異なってもよいことも理解されるであろう。
[0043] 各放射パルス中に、また、２つの連続する放射パルスの間で、基板テーブル１２０は、露光フィールドの長さＬに実質的に平行である、スキャン方向（ＳＣ）に沿って連続して移動する。制御ユニット１２５は、基板テーブル１２０の速度を制御し、それにより、後続の放射中に露光されるパターンのラインＰｎ＋１が、前に露光されたパターンラインＰｎ上に重なり合う。たとえば、図４の実施形態では、基板テーブル１２０の速度は、放射パルスＰｎとＰｎ＋１との間で、また、放射パルスＰｎ＋１とＰｎ＋２との間で、ある数のピッチ２ｐに相当する距離にわたって、基板Ｗが移動するようなものである。
[0044] 基板テーブル１２０の速度と源１０１の放射パルスまたは繰り返しレートは、本発明の他の実施形態では異なるように調整されることができることが理解されるであろう。さらに、パターンピッチの整数は、本発明の他の実施形態では異なることができる。使用されるパターンピッチの整数は、源１０１の放射パルスまたは繰り返しレート、放射エネルギー、基板テーブル１２０の速度に依存し、使用されるレジストのタイプおよびパターン繰り返し距離（すなわち、パターンピッチ）について、所望の露光量を送出することが望まれる。たとえば、露光プロセスは、各パターンユニットまたはラインが、５ｍｍのスキャン当たり約５０フラッシュを受けるように構成されてもよい。そのスキャン長は、露光フィールドの長さＬに相当する。ピッチｐが約５０ｎｍに設定される場合、基板テーブル速度および放射パルスレートは、２つの放射パルスの間で、基板が約１００μｍにわたって移動するように調整されてもよい。このプロセスを実施するために、基板テーブル１２０の速度は、約３００ｍｍ／ｓに設定され、源の放射パルスレートは、約３０００Ｈｚに設定される。使用される源のタイプ（たとえば、エキシマレーザまたは他のタイプのレーザ源）に応じて、繰り返しレートは、１００Ｈｚ〜１０，０００Ｈｚに調整することができる。ある実施形態では、放射パルスまたは繰り返しレートは、１，０００Ｈｚ〜６，０００Ｈｚの範囲にある。
[0045] 制御ユニット１２５は、基板Ｗを連続して移動させるように構成される。したがって、放射パルスの幅または継続時間は、パターン幅制御および均一性に影響を及ぼす場合がある。放射パルス幅が長過ぎる場合、スキャン方向ＳＣのイメージボケが発生する場合がある。たとえば、基板ステージ１２０の速度が、約３００ｍｍ／ｓであり、かつ、放射パルス幅または継続時間が、１０ｎｓである場合、基板ステージ１２０は、放射パルス幅の間に、約３ｎｍの距離にわたって移動するだけである。したがって、基板ステージ１２０の運動方向におけるイメージボケは、約３ｎｍ未満である。より小さいボケ値が望まれる場合、より短い放射パルス幅または継続時間が使用されてもよい。あるいは、光学部品（ｏｐｔｉｃｓ）１３０を使用して、１０ｎｓ放射パルス幅の中から、放射パルス幅の同期部分、たとえば、２ｎｓが選択されてもよい。２ｎｓの放射パルス幅が選択される場合、スキャン方向ＳＣにおけるイメージボケは、約０．６ｎｍに低減される。
[0046] 図１０ａ〜１０ｂは、本発明の異なる実施形態による光学部品１３０の２つの略図を示す。光学部品１３０は、放射ビームパルス幅を狭くするために、伸張した放射ビームパルスＢの一部を選択出力するように構成される。図１０ａでは、光学部品１３０は、回転ミラー１０００およびビーム開口１０１０を含む。回転ミラー１０００は、図１０ａの平面に垂直である軸Ｖを中心に振動する（ｏｓｃｉｌｌａｔｅ）。ミラー１０００の振動は、放射源１０１の放射ビームパルス繰り返しレートに同期する。動作時、放射ビームＢは、回転ミラー１０００によってビーム開口１０１０の方へ反射する。ミラー１０００の回転は、反射された放射ビームＢをビーム開口１０１０の周りにスキャンし、それにより、伸張放射ビームパルスＢの一部だけが、ビーム開口１０１０を通過することが可能になる。こうして、選択ステージ同期化放射ビームパルスが生成されてもよい。図１０ｂは、光学部品１３０の代替の配置構成を示す。図１０ｂでは、光学部品１３０は、回転多面要素１０２０およびビーム開口１０１０を含む。図１０ａと同様に、多面要素１０２０の回転は、放射源１０１の繰り返しレートに同期する。放射ビームＢは、回転多面要素１０２０によって反射される。多面要素１０２０の回転は、反射された放射ビームＢをビーム開口１０１０の周りにスキャンし、それにより、伸張放射ビームパルスＢの一部だけが、ビーム開口１０１０を通過することが可能になる。
[0047] 源１０１の繰り返しレートと基板ステージ１２０のスキャニングとの同期化は、各パターンユニットが、実質的に同じ総合の量またはエネルギーを受け取るように実施される。その結果、第１の露光フィールドの前端および最後の露光フィールドの後端に位置決めされるパターンユニットは、より少ない量またはエネルギーを受け取ることになる。たとえば、図４を参照すると、パターン露光が、２ピッチ、または、１００ｎｍおきに繰り返され、各ラインが、５０フラッシュを受け取るため、基板Ｗ上に印刷される最初の１００ラインは、５０フラッシュ未満を受け取る。そのため、各ラインまたはパターンが、同じ総合の量またはエネルギーを受け取ることを確保するために、制御ユニット１２５は、繰り返しパターンが生成されるべき、基板Ｗ上の所望のロケーションの外側でスキャニングアクションを始めるようになっている。各パターンが、そこにわたって所望の総量未満を受け取るスキャニング距離は、以降で、準備距離と呼ばれてもよい。
[0048] 図５を参照すると、この図は、本発明の実施形態による、基板上にパターンを印刷する方法を示す。方法は、ブロック５１０で始まり、基板テーブル１２０の速度および源１０１の放射パルスまたは繰り返しレートは、後続の放射パルスによって生成される干渉パターンが、前の干渉パターンに実質的に完全に重なり合うように選択される。基板ステージ１２０の速度および放射パルスまたは繰り返しレートの選択は、レジストのタイプ、各パターンユニットを現像するのに必要とされる放射パルスの数、パターンのピッチｐ、各パルスの放射ビームのエネルギーに基づく。方法は、その後、ブロック５１５に進み、初期スキャニング位置が決定される。この趣旨で、各パターンが、そこにわたって所望の総量未満を受け取る準備距離が決定される。この距離は、基板ステージの速度、レーザ繰り返しレート、およびパターンのピッチに基づいて計算される。準備距離を決定した後、方法は、その後、ブロック５２０に進み、基板ステージ１２０は、基板Ｗを初期スキャニング位置に位置決めする。準備距離は、基板Ｗ上で初期スキャニング位置をパターンの所望位置から分離する。パターンが、基板Ｗの縁に近接して印刷される場合、初期位置は、基板Ｗの外側に位置してもよい。次に、方法は、ブロック５２５にて終了し、基板テーブル１２０は、源１０１の放射パルスまたは放出レートに同期して、スキャニング方法に沿って移動する。
[0049] ある実施形態では、パターン解像度または約３５〜４０ｎｍのハーフピッチ（約７０〜８０ｎｍの最小ピッチに相当する）が、図５の方法によって得られることができる。
[0050] 図６は、本発明の実施形態によるリソグラフィ装置６００を示す。図１の実施形態と同様に、リソグラフィ装置６００は、第１ビームスプリッタ６１０、放射伝達デバイスまたはイルミネーションシステム６０５、ビームスプリッタ６１０、ビームコンバイナ６１５を含む。ビームコンバイナ６１５は、複数のビーム６１１を基板Ｗの表面の方に向け直すために、独立に移動可能である複数のミラー６１６ａ〜６１６ｆを含む。基板Ｗは、基板ステージ１２０によって支持される。ミラー６１６ａ〜６１６ｆの向きは、コントローラ６１７によって制御されてもよい。図１の装置と同様に、制御ユニット６２５は、基板ステージ６２０の運動を放射源１０１の繰り返しレートに同期させるようになっている。さらなるミラーまたはより少数のミラーが、本発明の他の実施形態で使用されることができることが理解されるであろう。
[0051] ある実施形態では、リソグラフィ装置は、液浸液システムと共に使用されてもよい。この実施形態によるリソグラフィ装置は、図７に示される。図６と同様に、リソグラフィ装置７００は、放射伝達デバイスまたはイルミネーションシステム７０５、格子７１０、およびビームコンバイナ７１５を含む。リソグラフィ装置７００はまた、ビームコンバイナ７１５と、基板ステージＷＴ上に位置決めされる基板Ｗとの間に配置される液体供給システム７３０を含む。液体供給システム７３０は、入口／出口ダクト７３６を介して提供される、比較的高い屈折率を有する液体７３５、たとえば、水、を充填されたリザーバ７３１を含む。入射する放射ビームＢの放射波長が、空気中または真空中に比べて、液体中で短いため、より小さなフィーチャを分解することができる。ある実施形態では、液体供給システム７３０の液体７３５は、ビームコンバイナ７１５の底面７１８に接触してもよい。図１の装置と同様に、制御ユニット７２５は、基板ステージ７２０の運動を放射源１０１の繰り返しレートに同期させるようになっている。
[0052] 本発明のある実施形態では、所望のパターンを印刷するために、複数回露光プロセスを使用することができる。図８を参照すると、この図は、本発明の実施形態による、所望のパターンを印刷する方法を示す。方法は、ブロック８１０で始まり、パターンのレイアウトが、第１と第２のサブレイアウトに分割される。レイアウトの分割は、第１サブレイアウトが、周期的パターンを含み、第２レイアウトが、（ａ）非周期的パターン、（ｂ）第１サブレイアウトに含まれるパターンと異なるパターン、および／または、（ｃ）一般に、レイアウトの周辺に含まれるパターンを含むように行われる。方法は、その後、ブロック８２０に進み、干渉リソグラフィを使用した第１露光が実施されて、基板上に第１サブレイアウトがイメージングされる。第１露光は、図５の方法に従って実施される。第１露光は、図１および６〜７に示すリソグラフィ装置の１つを使用して行うことができる。第１サブレイアウトを露光した後、方法は、ブロック８３０に進み、第２サブレイアウトが転写される。図８の方法を用いて、クリティカルな周期的パターンが、干渉リソグラフィによって印刷されることができる。
[0053] こうして、図８のプロセスにおいて、第１サブレイアウトの露光が、干渉リソグラフィを使用して実施され、第２サブレイアウトの露光が、干渉リソグラフィを使用せずに実施される。
[0054] 第１露光と第２サブレイアウトの転写の順序が、本発明の別の実施形態では逆になることができることが理解されるであろう。さらに、パターニングデバイスのレイアウトは、３つ以上のレイアウトに分割することができることが理解されるであろう。たとえば、一構成では、第１サブレイアウトは、第１周期的パターンを含み、第２サブレイアウトは、第２周期的パターン（第１周期的パターンと異なる）を含むことができる。この構成では、４つ以上の露光または転写を使用して、第１、第２、および第３サブレイアウトをイメージングするか、または、転写することができる。
[0055] 図８の第２サブレイアウト８３０の転写は、マスク無しリソグラフィ装置、図９に示すようなリソグラフィ装置、またはインプリント装置を用いて実施されてもよい。
[0056] たとえば、図９は、第２サブレイアウトを印刷するのに使用することができる本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。装置は、放射ビームＢ（たとえば、ＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調節するように構成されたイルミネーションシステム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、また、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続された支持構造（たとえば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（たとえば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、また、一定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえば、ウェーハテーブル）と、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば、１つまたは複数のダイを備える）上に投影するように構成された投影システム（たとえば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
[0057] イルミネーションシステムは、放射を誘導し、成形し、制御するための、屈折式の、反射式の、磁気式の、電磁気式の、静電式の、または他のタイプの光学部品、あるいは、それらの任意の組合せなどの種々のタイプの光学部品を含んでもよい。
[0058] 支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、たとえば、パターニングデバイスが真空環境で保持されるか否かなどの他の条件に依存する方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式、または、他のクランプ技法を使用することができる。支持構造は、たとえば、必要に応じて、固定されるかまたは可動であってよい、フレームまたはテーブルであってよい。支持構造は、パターニングデバイスが、たとえば、投影システムに対して所望の位置にあることを確実にしてもよい。本明細書における、用語「レチクル」または「マスク」の任意の使用は、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同意語であると考えられてもよい。
[0059] 本明細書で使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを作成するためなどで、放射ビームに、断面のパターンを与えるのに使用することができる任意のデバイスのことを指しているものと、幅広く解釈されるべきである。たとえば、パターンが位相シフトフィーチャ、あるいは、いわゆるアシストフィーチャを含む場合、放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しない場合があることが留意されるべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能層に相当するであろう。
[0060] パターニングデバイスは、透過式であってもよく、または、反射式であってもよい。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフト、およびハーフトーン型(ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ)減衰位相シフト、ならびに、種々のハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの例は、小さなミラーのマトリクス配置構成を使用し、ミラーはそれぞれ、入ってくる放射ビームを異なる方向へ反射するために個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビームにパターンを与える。
[0061] 本明細書で使用される用語「投影システム」は、使用される露光放射、あるいは、液浸液の使用または真空の使用などの、他の因子に適切である、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式、および静電式光学系、または、それらの任意の組合せを含む、任意のタイプの投影システムを包含するものと、幅広く解釈されるべきである。本明細書における、用語「投影レンズ」の任意の使用は、より一般的な用語「投影システム」と同意語であると考えられてもよい。
[0062] 本明細書で示すように、装置は、透過タイプ（たとえば、透過マスクを使用する）である。あるいは、装置は反射タイプ（たとえば、先に参照したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するか、または、反射式マスクを使用する）であってよい。
[0063] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上の支持構造）を有するタイプであってよい。こうした「複数ステージ」機械では、付加的なテーブル／支持構造が並列に使用されるか、または、１つまたは複数の他のテーブル／支持構造が露光のために使用される間に、準備ステップが、１つまたは複数のテーブル／支持構造上で実施されてもよい。
[0064] 図９を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯからの放射ビームを受け取る。たとえば、源がエキシマレーザであるとき、源およびリソグラフィ装置は、別々の実体であってもよい。こうした場合、源は、リソグラフィ装置の一部（ｐａｒｔ）を形成するとは考えられず、放射ビームは、たとえば、適した誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使用して、源ＳＯからイルミネータＩＬへ通される。他の場合では、たとえば、源が水銀ランプであるとき、源は、リソグラフィ装置の一体の部分であってよい。源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要である場合、ビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれてもよい。
[0065] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成された調整器ＡＤを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の、少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ぶ）の強度分布を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯなどの種々の他の部品を備えてもよい。イルミネータは、放射ビームの断面において所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを調節するのに使用されてもよい。
[0066] 放射ビームＢは、支持構造（たとえば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持される、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横切って、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを収束させる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を使用して、基板テーブルＷＴは、たとえば、放射ビームＢの経路内で異なるターゲット部分Ｃを位置決めするために、正確に移動することができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図９には明示的には示さず）を使用して、たとえば、マスクライブラリから機械的に取出した後か、または、スキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）とショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現されてもよい。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成する、ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールを使用して実現されてもよい。ステッパの場合（スキャナと対照的に）、支持構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続されるか、または、固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスマスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされてもよい。示される基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めるが、ターゲット部分間の空間内に位置してもよい（これらは、スクライブレーンアライメントマークとして知られる）。同様に、２つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられる状況では、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイの間に位置してもよい。
[0067] 示す装置を、以下のモードの少なくとも１つのモードで使用することができるであろう。
[0068] １．ステップモードでは、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられる全体のパターンが、ターゲット部分Ｃ上に１度で投影される間、実質的に静止したままにされる（すなわち、単一静的露光）。基板テーブルＷＴは、その後、異なるターゲット部分Ｃを露光できるようにＸおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光でイメージングされるターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
[0069] ２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられるパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間、同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小率）拡大率および画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光におけるターゲット部分の（スキャンしない方向の）幅を制限し、一方、スキャニング運動の長さは、ターゲット部分の（スキャニング方向の）高さを決める。
[0070] ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持する支持構造ＭＴは、実質的に静止したままにされ、基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられるパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間、移動するか、または、スキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴのそれぞれの移動後か、または、スキャン中における連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどの、プログラマブルパターニングデバイスを利用するマスク無しリソグラフィに容易に適用されることができる。
[0071] 上述した使用モードの組合せ、および／または、変形、あるいは、全く異なる使用モードが使用されてもよい。
[0072] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が特に参照される場合があるが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの他の適用形態を有してもよいことが理解されるべきである。こうした代替の適用形態において、本明細書における、用語「ウェーハ」または「ダイ」のいずれの使用も、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と、それぞれ同意語であると考えることができることを当業者は理解するであろう。本明細書で参照される基板は、露光の前または後で、たとえば、トラック（通常、レジスト層を基板に与え、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／または、インスペクションツールにおいて処理されてもよい。適用可能である場合、本明細書における開示を、こうした、また、他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば、多層ＩＣを作るために、２回以上処理されてもよいため、本明細書で使用される用語「基板」は、処理された複数の層を既に含む基板のことを言ってもよい。
[0073] リソグラフィ装置はまた、投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するために、基板のある表面が、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば、水によって浸されるタイプであってもよい。液浸液はまた、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえば、パターニングデバイスと投影システムの第１要素との間に与えられてもよい。液浸技法は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野でよく知られている。
[0074] 本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、紫外（ＵＶ）放射（たとえば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）、および、極端紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。
[0075] 状況が許す場合、用語「レンズ」は、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、および静電式光学部品を含む種々のタイプの光学部品の任意の１つ、または、その組合せを指してもよい。
[0076] 本発明の特定の実施形態を先に述べたが、本発明は、述べた以外の方法で実施されてもよいことが理解されるであろう。たとえば、本発明は、先に開示した方法を記述する機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または、こうしたコンピュータプログラムを内部に記憶しているデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスク、または、光ディスク）の形態をとってもよい。
[0077] 先の説明は、例示することを意図し、制限することを意図しない。そのため、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、述べられる本発明に対して変更を行ってもよいことが、当業者には明らかになるであろう。
[0013] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す図である。 [0014] 本発明の実施形態による六角形ビームコンバイナの端面図である。 本発明の実施形態による正方形ビームコンバイナの端面図である。 [0015] 図１に示すリソグラフィ装置の基板ステージと源の放射パルスの同期運動中の、基板上で画定される干渉パターンを示す図である。 [0016] 本発明の実施形態による、基板上にパターンを印刷する方法を示すフローチャートである。 [0017] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す図である。 [0018] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す図である。 [0019] 本発明の実施形態による、パターンを印刷する方法を示すフローチャートである。 [0020] 本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す図である。 [0021] 本発明の異なる実施形態による、放射パルスの同期化部分を選択するように構成された光学配置構成を示す図である。 本発明の異なる実施形態による、放射パルスの同期化部分を選択するように構成された光学配置構成を示す図である。

Claims (20)

  1. リソグラフィ装置であって、あるパルス幅の放射ビームの一部を選択出力するように構成された光学デバイスと、
    前記放射ビームを複数の放射ビームに分割するように構成されたビームスプリッタと、
    基板を支持するように構成された基板ステージと、
    前記複数の放射ビームの少なくともある部分を向け直し、結合して、前記基板上に干渉パターンを形成するようになっているビームコンバイナと、
    前記基板ステージおよび前記放射ビームを出力するように構成された放射源とつながる制御ユニットとを備え、
    前記制御ユニットが、前記基板ステージの運動を、前記放射ビームが前記放射源によって出力される繰り返しレートに同期させるように構成され、
    前記光学デバイスは、回転ミラーまたは回転多面要素と、ビーム開口とを含み、
    前記回転ミラーの振動または前記回転多面要素の回転は、前記繰り返しレートに同期し、前記放射ビームは、前記回転ミラーまたは前記回転多面要素により、前記ビーム開口の方へ反射する、装置。
  2. 前記放射源によって出力される２つの連続する放射ビームの間で、前記基板ステージが、前記干渉パターンの整数のピッチにわたって移動するように、前記制御ユニットが、前記基板ステージの運動を、前記放射源の繰り返しレートに同期させるように構成される、
    請求項１に記載の装置。
  3. ２つの連続する放射ビームによって生成される前記干渉パターンが、実質的に完全に重なり合うように、前記制御ユニットが、前記基板ステージの運動を、前記放射源の繰り返しレートに同期させるように構成される、
    請求項１に記載の装置。
  4. 前記ビームスプリッタは回折格子である、
    請求項１に記載の装置。
  5. 前記回折格子が、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフト格子またはバイナリ格子である、
    請求項４に記載の装置。
  6. 前記回折格子が、１次元または２次元格子である、
    請求項４に記載の装置。
  7. 前記ビームコンバイナが、多面プリズムを含む、
    請求項１に記載の装置。
  8. 前記複数の放射ビームの前記部分が、２〜８のビームを含む、
    請求項１に記載の装置。
  9. 前記ビームコンバイナの表面と前記基板の表面との間に液体を提供するように配置された液体供給システムをさらに備える、
    請求項１に記載の装置。
  10. 前記ビームコンバイナが、複数の独立に移動可能なミラーを含む、
    請求項１に記載の装置。
  11. 前記放射源の繰り返しレートが、１００Ｈｚ〜１０，０００Ｈｚの範囲である、
    請求項１に記載の装置。
  12. 前記干渉パターン上に生成されるボケが、約３ｎｍ未満であるように、前記制御ユニットが、前記基板ステージの運動を、前記放射源の繰り返しレートに同期させるように構成される、
    請求項１に記載の装置。
  13. 前記放射源がレーザである、
    請求項１に記載の装置。
  14. リソグラフィ装置であって、
    あるパルス幅の放射ビームの一部を選択出力するように構成された光学デバイスと、回折格子であって、回折格子が前記放射ビームによって入射されると、複数の放射ビームを生成するように構成される、回折格子と、
    基板を支持するように構成された基板ステージと、
    前記複数の放射ビームの少なくともある部分を向け直し、結合して、前記基板の表面上に干渉パターンを形成するようになっているビームコンバイナと、
    前記基板ステージおよび前記放射ビームを出力するように構成された放射源とつながる制御ユニットと、
    を備え、前記放射源によって出力される２つの連続する放射ビームの間で、前記基板ステージが、前記干渉パターンの整数のピッチにわたって移動するように、前記制御ユニットが、前記基板ステージの運動を、前記放射ビームが前記放射源によって出力される繰り返しレートに同期させるように構成され、
    前記光学デバイスは、回転ミラーまたは回転多面要素と、ビーム開口とを含み、
    前記回転ミラーの振動または前記回転多面要素の回転は、前記繰り返しレートに同期し、
    前記放射ビームは、前記回転ミラーまたは前記回転多面要素により、前記ビーム開口の方へ反射する、装置。
  15. デバイス製造方法であって、
    あるパルス幅の放射ビームの一部を選択出力することと、
    複数の放射ビームを形成するように前記放射ビームを分割すること、
    干渉パターンを形成するように、基板上で前記複数の放射ビームの少なくともある部分を向け直し、結合すること、および、
    前記基板を支持するように構成された基板テーブルの運動を、前記放射ビームが放射源によって出力される繰り返しレートに同期させること、を含み、
    前記あるパルス幅の放射ビームの一部を選択するように構成された光学デバイスは、回転ミラーまたは回転多面要素と、ビーム開口とを含み、
    前記回転ミラーの振動または前記回転多面要素の回転は、前記繰り返しレートに同期し、
    前記放射ビームは、前記回転ミラーまたは前記回転多面要素により、前記ビーム開口の方へ反射する、方法。
  16. 前記同期させることは、前記放射源によって出力される２つの連続する放射ビームの間で、前記基板ステージが、前記干渉パターンの整数のピッチにわたって移動するように、前記基板ステージの運動を、前記放射源の繰り返しレートに同期させることを含む、
    請求項１５に記載の方法。
  17. 前記同期させることは、２つの連続する放射ビームによって生成される前記干渉パターンが、実質的に完全に重なり合うように、前記基板ステージの運動を、前記放射源の前記繰り返しレートに同期させることを含む、
    請求項１５に記載の方法。
  18. 前記ビームスプリッタが、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフト格子またはバイナリ格子である、
    請求項１５に記載の方法。
  19. 前記回折格子が、１次元または２次元格子である、
    請求項１８に記載の方法。
  20. 前記複数の放射ビームの前記部分が、２〜８のビームを含む、
    請求項１８に記載の方法。
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