JP2009105385A - リソグラフィシステム、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の個々の範囲上にパターンの連続部分を露光するように基板をスキャニングすることが可能となる、基板上にパターンの最も高密度な部分を生成するために使用し得る干渉リソグラフィ装置を内蔵するリソグラフィシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィシステムが２つのリソグラフィ装置を含む。第１のリソグラフィ装置が、基板の第１のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する。第２のリソグラフィ装置が、放射ビームをスプリットし、スプリットビームを再結合して、干渉パターンを生成する干渉アレンジを含む。マスキングアレンジアレンジが、干渉パターンの一部分を選択的に送り、投影システムが、基板の第２のターゲット部分上に干渉パターンの選択的に送られた部分を投影する。
【選択図】図１

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィシステム、リソグラフィシステムの一部を形成するリソグラフィ装置、およびデバイスを製造するための方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に、所望のパターンを与える機械である。例えば、リソグラフィ装置は、集積回路（ＩＣ）の製造において使用することが可能である。その場合、マスクまたはレチクルと代替的に呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば一部の、１つのまたはいくつかのダイを含む）上に転写することが可能である。典型的には、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層の上に像を形成することによる。一般的には、単一の基板は、次々にパターニングされる隣接し合うターゲット部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置は、各ターゲット部分がターゲット部分上への全パターンの一度の露光により照射されるいわゆるステッパ、ならびに各ターゲット部分が放射ビームによるパターンの所与の方向（「スキャニング」方向）へのスキャニングと同時に、この方向に対して平行なまたは逆平行な基板の同期的なスキャニングとによって照射されるいわゆるスキャナを含む。

[0003] 可能な最高の解像度で基板上に所望のパターンの一部をプリントすることが求められ、所望のパターンの他の部分をはるかに低い解像度でプリントすることが可能な場合に、問題が生じる。例えばこの状況は、所望のＩＣパターンの中心部が高密度の平行なゲートラインを含む一方で、このパターンの外縁部がゲートラインに接触するはるかに大型の構造を含む、ＩＣの層において生じる。

[0004] 単一の高解像度リソグラフィ装置を使用して、単一の露光において、パターンの中心部およびパターンの外縁部を共にプリントすることが可能である。リソグラフィ装置は、放射ビームでパターニングデバイスを照射するように構成される照明システムを備える。典型的な照明システム内で、ビームは、照明システムの瞳面で所望の空間強度分布を有するように成形され制御される。瞳面における空間強度分布は、パターニングデバイスレベルで照明放射を与えるように、事実上の放射源として効果的に作用する。「標準照明（conventional illumination）」（瞳におけるトップハットディスク形状の強度分布）および／または「変形照明（off-axis illumination）」（例えば輪帯、２重極、４重極またはさらに複雑な形状の構成の照明瞳の強度分布）など、多様な照明モード（すなわち強度分布の形）を使用することが可能である。より大きな構造を含む外縁部のプリントについては、標準照明が望ましいが、パターンの中心部における高密度のラインのプリントについては、２重極照明モードが望ましい。これら２つの照明モードの非相容性のために、所望の照明モードのいずれからも外れた照明モードを実施せざるを得ないという問題が存在する。

[0005] より低密度の構造により囲まれる高密度の構造という組合せをプリントするための１つの可能性は、パターンの中心部をプリントするための高解像度リソグラフィ装置に加えて、パターンの外縁部をプリントするために使用される低解像度リソグラフィ装置を使用することである。特に、１／４の縮小率での結像によって基板上にパターニングデバイスのパターンを転写するように構成される高開口数（ＮＡ）対物レンズを含むリソグラフィ装置を、パターニングデバイスの２重極照明を実施するように構成される対応する高ＮＡ照明システムと共に使用して、高密度のライン構造の像を形成することができる一方で、より低開口数を有する１／４の縮小率の対物レンズを含むリソグラフィ装置を、対応するより低ＮＡの照明システムと共に使用して、外縁部構造の像を形成することができる。しかし、このような構成は、２つの高価なリソグラフィ装置を使用するという欠点を持つ。高解像度リソグラフィ装置は、非効率的な機械の使用という点からみて、外縁部の比較的大きな構造のプリントには適さないことがある。

[0006] 高解像度で高密度のラインをプリントするための１つの可能性は、干渉リソグラフィを使用することであり、これは、２つ以上のコヒーレント光ビームの干渉により生成される顕著な波形を生成するように構成される装置を使用して、基板上にパターンを生成する。

[0007] 米国特許第６，２３３，０４４号が、ある空間周波数成分が従来型の光リソグラフィにより得られ、ある成分が干渉リソグラフィ技術により得られる、半導体ウェーハ上にパターンを生成するためのリソグラフィ装置を開示する。

[0008] この装置は、マスク照明の手前のビームスプリッタ（すなわちマスクの上流に配設されるビームスプリッタ）および２つの光路と、第１の結像光学システムを横断する第１の結像光路とを備え、この第１の結像光学システムは、ウェーハダイ上に高周波サブセットのマスク像に対応する回折ビームの像を形成する。この装置は、（干渉を生じさせるために）ウェーハダイまたはターゲット部分に参照光を与える第２の参照光路をさらに含む。参照光は、第１の結像光路に対して軸外で基板に入射する。隣接するウェーハ領域の露光を避けるために、参照光は、露光領域を限定するためのフィールド絞りを含む第２の結像システムによって成形される。この成形は、フィールド絞りの非点収差補正縮小で結像を実施するように、フィールド絞りおよび第２の結像システムを構成することにより達成される。しかし、このような構成は、非点収差補正縮小で使用するのに適したフィールド絞りの構成の実現が困難であるという欠点がある。

[0009] 例えば、基板の個々の範囲上にパターンの連続部分を露光するように基板をスキャニングすることが可能となる、基板上にパターンの最も高密度な部分を生成するために使用し得る干渉リソグラフィ装置を内蔵するリソグラフィシステムを提供することが望ましい。

[0010] 本発明の一態様によれば、
基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する第１のリソグラフィ装置、ならびに
第２のリソグラフィ装置であって、
放射ビームを調整する照明システムと、
放射ビームをスプリットビームに分けるビームスプリットアレンジおよびスプリットビームを再結合する再結合アレンジを備え、フィールド面で干渉パターンを生成する干渉アレンジと、
干渉パターンの一部分を選択的に送るマスキングアレンジと、
基板を保持する基板テーブルと、
基板のターゲット部分の選択領域上に干渉パターンの選択的に送られた部分を投影する投影システムと
を備える第２のリソグラフィ装置
を備えるリソグラフィシステムが提供される。

[0011] 本発明の一態様によれば、
放射ビームを調整する照明システムと、
放射ビームをスプリットし、スプリットビームを再結合して、フィールド面で干渉パターンを生成する干渉アレンジと、
干渉パターンの一部分を選択的に送るマスキングアレンジと、
基板を保持する基板テーブルと、
基板のターゲット部分上に干渉パターンの選択的に送られた部分を投影する投影システムと
を備える装置が提供される。

[0012] 本発明の一態様によれば、
第１のリソグラフィ装置を使用して、
放射ビームを調整し、
放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成し、
基板の第１のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するステップと、
第２のリソグラフィ装置を使用して、
放射ビームを調整し、
放射ビームをスプリットし、スプリットビームを再結合して、フィールド面で干渉パターンを生成し、
干渉パターンの一部分を選択的に送り、
基板の第２のターゲット部分上に干渉パターンの選択的に送られた部分を投影するステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。

[0013] 以下、対応する参照符号が対応する部分を表す添付の概略図を参照して、本発明の実施形態が、単なる例示として説明される。

[0018] 本発明の一実施形態によれば、リソグラフィ装置が、ターゲット部分の外縁部上にパターニングデバイスの第１のパターンの像を形成するために使用されるが、このパターンは、比較的大きなフィーチャに対応し、これは、例えばＩＣの層パターンの外縁部に比較的低い解像度でプリントすることが可能である。さらに、干渉リソグラフィ装置が、ターゲット部分の中心部に、例えばＩＣの層パターンの中心部の比較的小さなフィーチャに対応するより細密な構造をプリントするために使用される。

[0019] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィシステムにおいて使用するための光リソグラフィ装置を概略的に示し、この装置は、ターゲット部分の外縁部上に所望のパターン（すなわち前記の第１のパターン）の像を形成するために使用される。

[0020] この装置は、
‐ 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成配置される照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
‐ パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、いくつかのパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成配置される第１のポジショナＰＭに連結される、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
‐ 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、いくつかのパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするように構成配置される第２のポジショナＰＷに連結される、基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
‐ 基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに与えられたパターンを投影するように構成配置される投影システム（例えば屈折型投影レンズシステム）ＰＬと
を備える。

[0021] 照明システムは、放射を誘導、整形、または制御するために、屈折型、回折型または反射型の光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの、様々なタイプの光学コンポーネントを含んでよい。

[0022] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および、例えばパターニングデバイスが真空環境内に保持されるかどうかなどの他の条件に応じて、パターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を使用することが可能である。支持構造ＭＴは、フレームまたはテーブルであってよく、例えばこれらは、必要に応じて固定式または可動式のものであってよい。支持構造ＭＴにより、パターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に置くことを確実にすることができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という語はいずれも、より一般的な語である「パターニングデバイス」と同義であると見なしてよい。

[0023] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することが可能な任意のデバイスを指すものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフティングフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意すべきである。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分に生成されるデバイスにおける特定の機能層に一致する。

[0024] パターニングデバイスは、透過性または反射性のものであってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフトおよびハーフトーン型（attenuated）位相シフト、ならびに様々なハイブリッドのマスクタイプのようなマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例が、小さいミラーのマトリックス構成を使用し、各ミラーは、入射する放射ビームを個別の方向に反射するように個別に傾斜させることが可能である。傾斜ミラーはミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを与える。

[0025] 本明細書において使用される「投影システム」という語は、露光放射の使用に適したまたは、液浸液の使用もしくは真空室の使用などの他の要素に適した、屈折型、反射型または反射屈折型光学システム、あるいはそれらの組合せを含む任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という語はいずれも、より一般的な語である「投影システム」と同義であると見なしてよい。

[0026] 本明細書にて示されるように、装置は透過型のもの（例えば透過型マスクの使用）であってよい。代替として、装置は反射型のもの（例えば上記に参照されるタイプのプログラマブルミラーアレイの使用、または反射型マスクの使用）であってよい。

[0027] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイス支持構造）を有するタイプのものであってよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルおよび／または支持構造を同時に使用することができ、予備ステップを１つまたは複数のテーブルおよび／または支持構造上で実施する一方で、１つまたは複数の他のテーブルおよび／または支持構造を露光用に使用することができる。

[0028] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、基板の少なくとも一部分を比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって覆うことができるタイプのものであってよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という語は、基板などの構造体が液体中に浸漬されなければならないことを意味するのではなく、液体が露光の際に投影システムと基板との間に配置されることを意味するにすぎない。

[0029] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。この放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射原がエキシマレーザである場合には、分離されたものであってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤの補助により、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに進む。他の場合では、例えば放射原が水銀ランプである場合には、放射源はリソグラフィ装置の一体部分であってよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤを加えて放射システムと呼ぶことができる。

[0030] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するためにアジャスタＡＤを備えてよい。一般的には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）は、調節することが可能である。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを備えてよい。イルミネータは、放射ビームを調整して、その断面における所望の均一性および強度分布を得るために使用することができる。

[0031] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによりパターン付けされる。パターニングデバイスＭＡを横断すると、放射ビームＢは、投影システムＰＬを通過し、同システムは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束させる。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは静電容量センサ）の補助により、例えば放射ビームＢの経路中に個々のターゲット部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることが可能となる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１に明確には図示されない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械検索の後に、またはスキャンの最中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることが可能である。一般的には、パターニングデバイス支持構造ＭＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の補助により実現することができ、これらのモジュールが、第１のポジショナＰＭの一部を形成する。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、ロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができ、これらのモジュールが、第２のポジショナＰＷの一部を形成する。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイス支持構造ＭＴはショートストロークアクチュエータのみに連結することができ、または固定することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図示される基板アライメントマークは専用ターゲット部分に位置を占めているが、これらはターゲット部分間のスペースに配置することができる（これらはけがき線アライメントマークとして知られる）。同様に、２つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられる状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。

[0032] 図示される装置は、以下のモードの少なくとも１つにおいて使用することが可能である。

[0033] １． ステップモードでは、パターニングデバイス支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが、実質的に静止状態に保たれ、放射ビームに与えられた全パターンが、一度でターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一静止露光）。次いで、基板テーブルＷＴは、別のターゲット部分Ｃを露光することが可能となるようにＸ方向および／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静止露光において像を形成されるターゲット部分Ｃのサイズを限定する。

[0034] ２． スキャンモードでは、パターニングデバイス支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが、同期してスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。パターニングデバイス支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大率（縮小率）および像反転特性により決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャニング方向の）幅を限定し、スキャニング動作の長さが、ターゲット部分の（スキャニング方向の）高さを決定する。

[0035] ３． 別のモードでは、パターニングデバイス支持構造ＭＴが、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ実質的に静的状態に保たれ、基板テーブルＷＴが、移動されまたはスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後で、またはスキャン中の連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上記に参照されるタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することが可能である。

[0036] 上述のモードの使用もしくは全く異なるモードの使用の組合せおよび／または変形を使用することもできる。

[0037] 図２は、本発明の一実施形態によるリソグラフィシステムで使用するための干渉リソグラフィ装置を概略的に図示する。図において、図１に示される装置のフィーチャと概して均等であるフィーチャは、図１に応じて符号付けされる。しかし、放射源ＳＯ’、ビームデリバリシステムＢＤ’およびイルミネータＩＬ’は、低シグマコヒーレント照明システムを実現するように構成されるという点において、図１の装置に示されるＳＯ、ＢＤおよびＩＬの各コンポーネントとは異なる。低シグマコヒーレント照明システムは、例えばレーザおよび、０．０５未満のシグマσ値を有するレーザ放射の平行ビームを提供するレーザビーム成形光学系を含んでよい。このようなシステムは、従来の可変シグマ照明システムに比べてかなり安価に製造することができる。

[0038] また、図２のリソグラフィ装置は、パターニングデバイスＭＡが、グレーティングＧＲの形態のビームスプリッタを備える干渉システムと、グレーティングＧＲにより生成されるビームを再結合するためのミラーＭ１およびＭ２の形態のビーム再結合システムとにより置き換えられる点において、図１に示される装置とは異なる。干渉システムは、イルミネータＩＬ’により生成されるビームがフィールド面ＦＰで干渉パターンを生成し、同フィールド面ＦＰで再結合ビームＢＧ１およびＢＧ２が干渉し合い、フィールド面ＦＰの位置が図１の装置におけるパターニングデバイスＭＡの位置に対して光学軸に沿って（図２の点線で示される）変位するように、構成される。フィールド面ＦＰでの干渉パターンは、投影システムＰＬ’によって基板Ｗでターゲット部分の中心部上にその像を形成する。

[0039] （図２における角度Ａによる）フィールド面ＦＰでの放射ビームの開口数ＮＡ’の値は、０．８〜０．９の範囲であってよい。しかし、ＮＡ’の値は、この範囲に限定されず、ミラーＭ１およびミラーＭ２の、あるいはミラーＭ１だけのまたはミラーＭ２だけの、ミラー位置および配向の調節により任意の所望の値にすることが可能である。

[0040] マスキングブレードシステムＭＢの形態のフィールドマスキングシステムが、フィールド面ＦＰに、またはその付近に設けられる。残留ゼロ回折次数放射などの、グレーティングＧＲより生じる１またはそれ以上の望ましくない回折次数の放射をブロックするように構築され構成された絞りＳが、グレーティングＧＲに隣接して配置される。

[0041] 図３に図示されるように、マスキングブレードＭＢは、４つのブレードＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４を含んでよく、これらはそれぞれ、それらの間にアパーチャＡＰを画成するようにＸＹ平面内で移動可能である。ターゲット部分の露光中に、Ｙ方向に沿ってブレードＢ１およびＢ３を移動させるようになされたコントローラが、スキャニングステージと同期してアパーチャＡＰを開閉してＹ方向に沿い露光領域を限定するように、ブレードＢ１およびＢ３を移動させる。マスキングブレードシステムＭＢにより形状設定されたアパーチャＡＰは、ターゲット部分上にその像を形成し、干渉パターンがプリントされるターゲット部分の中心領域を限定する。フィールド面ＦＰで生成される干渉パターンの一部分のみが、投影システムＰＬ’に送られる。投影システムＰＬ’は、（上述のＮＡ’の範囲にしたがって）１．６〜１．８の範囲内の値を有し得る開口数ＮＡ’ ’で基板レベルでの結像を実現するように、１／２の縮小率を有するように構成される。投影システムＰＬ’は、投影システムと基板上の露光ターゲット部分との間に配設され１．５から２．０の範囲の屈折率を有する液浸液と共に使用するための液浸投影システムとして具現化されることが可能である。投影システムＰＬ’によりもたらされるマイナス２倍の縮小率ＤＭ、つまりＤＭ＝−２により、マスキングブレードシステムＭＢにおいて形成されるアパーチャＡＰを開閉するために、ブレードＢ１およびＢ３は、基板テーブルＷＴのスキャニング速度の２倍の速度で移動させなければならないことが理解されよう。通常は、干渉アレンジは、例えば５ｍｍ×５ｍｍの領域である基板Ｗのターゲット部分の比較的狭い中心領域にプリントするために使用されるにすぎないので、マスキングブレードシステムＭＢのブレードＢ１およびＢ３を所望の速度に加速するための時間はある。基板のスキャニング移動に、フィールド面での干渉パターン間の移動を同期させることを可能にするためのシステムが、例えば米国特許第６，８８２，４７７号で説明される。

[0042] 次に図４を参照すると、図１の従来式のリソグラフィ装置と図２の干渉アレンジとの使用の組合せによって、例えば基板Ｗ上のターゲット部分に完全なＩＣの層パターンをプリントすることが可能となることが理解されよう。例えば、図１のリソグラフィ装置を使用して、基板上の各ターゲット部分の外縁部を対応するパターンで露光することができる。次に、露光された基板が、基板移動システムによって図２に図示される干渉リソグラフィ装置へ移送される。その後、基板上の各ターゲット部分の中心部が、対応する中心部のパターンへ露光される（代替として、中心部を初めに露光し、外縁部を次に露光することが可能である）。次に、基板は、基板移動システムによって後露光処理およびレジスト現像のために基板トラック装置へ搬送される。

[0043] 図示され説明される特定の例では、投影システムＰＬの縮小率は、マイナス２倍に選択されることが理解されよう。しかし、投影システムＰＬ’の縮小率は、フィールド面ＦＰでの取得可能な最大開口数ＮＡ’と、基板レベルでの選択される開口数ＮＡ’ ’とにしたがって任意の適切な値をとることが可能である。

[0044] ビームスプリッタがグレーティングＧＲを含むと好都合であるが、ダイクロイック面など、ビームスプリッタに関する他の可能性があることが理解されよう。さらに、スプリットビームを再結合するための再結合機構Ｍ１、Ｍ２が、他の形態、例えばプリズム装置の形態を、ミラーの代替として、またはミラーに追加してとることができる。

[0045] また、光リソグラフィ装置および干渉リソグラフィ装置が完全に分離した装置として説明されたが、これら２つの装置を結合することが可能であり、結合された装置の適切な部分が必要な機能を果たすように調節可能であってよいことが理解されよう。

[0046] 本文では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して特定の参照をする場合があるが、本明細書で説明されるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途を有し得ることを理解すべきである。それらのような他の用途において、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という語はいずれも、より一般的な語である「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると見なしてよいことが、当業者には理解されよう。本明細書で言及される基板は、例えばトラック（典型的には、基板にレジスト層を与え、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツールにおいて、露光の前または後に処理されてよい。適用可能であれば、本明細書の開示は、それらのおよび他の基板処理ツールに適用してよい。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを製造するために２度以上処理されてよく、したがって本明細書で使用される基板という語は、複数の処理された層を既に含む基板を指してもよい。

[0047] 光リソグラフィにおける本発明の実施形態の使用に対して上述で特定の参照がなされたが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途において使用することができ、場合が許すならば、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス中のトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを画成する。パターニングデバイスの地勢的形状部を基板に付されたレジスト層中に押し付けることができ、同時にレジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えられることによって硬化される。パターニングデバイスがレジストから取り外され、レジストが硬化した後にレジスト中にパターンが残る。

[0048] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という語は、紫外（ＵＶ）線およびＤＵＶ線（例えば３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの、あるいはその辺りの波長を有する）を含む全てのタイプの電磁放射を包含する。

[0049] 場合が許すならば、「レンズ」という語は、屈折型、反射型、磁気型、電磁型および静電型光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントの中の任意の１つまたはそれらの組合せを指してよい。

[0050] 本発明の特定の実施形態が上述で説明されたが、本発明は説明された以外の他の形態においても実施し得ることが理解されよう。例えば、本発明は、上記で開示された方法を記述する１つまたは複数の連続的な機械読取可能命令を含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとってよい。

[0051] 上記の説明は、限定的なものではなく、例示的なものとして意図される。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく説明された本発明に対して変更をなし得ることが、当業者には明らかであろう。

[0014]本発明の一実施形態によるリソグラフィシステムにおいて使用するための光リソグラフィ装置の図である。 [0015]リソグラフィシステムにおいて使用するための干渉リソグラフィ装置の図である。 [0016]図２の装置のフィールド面に組み込まれるマスキングアレンジの図である。 [0017]図１および図２に図示される装置を使用してパターニングされた基板を生成するために使用されるプロセスを開示する図である。

Claims (14)

1. 基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する第１のリソグラフィ装置、ならびに
   第２のリソグラフィ装置であって、
   放射ビームを調整する照明システムと、
   前記放射ビームをスプリットビームに分けるビームスプリットアレンジおよび前記スプリットビームを再結合する再結合アレンジを備え、フィールド面で干渉パターンを生成する干渉アレンジと、
   前記干渉パターンの一部分を選択的に送るマスキングアレンジと、
   前記基板を保持する基板テーブルと、
   前記基板の前記ターゲット部分の選択領域上に前記干渉パターンの前記選択的に送られた部分を投影する投影システムと
   を備える第２のリソグラフィ装置
   を備えるリソグラフィシステム。
2. 前記基板テーブルは、前記フィールド面上の前記干渉パターンの前記送られた部分の移動に対応して移動する、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
3. 前記再結合アレンジは、０．７から０．９５の範囲より選択される開口数で前記スプリットビームを再結合する、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
4. 前記投影システムは、１．４から１．８の範囲より選択される開口数で前記基板の前記ターゲット部分の選択領域上に前記干渉パターンの前記選択的に送られた部分を投影する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記投影システムは、マイナス２の縮小率を有する、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
6. 前記照明システムは、０．０５以下のσ値を有するビームを生成する、請求項１に記載のリソグラフィシステム。
7. 放射ビームを調整する照明システムと、
   前記放射ビームをスプリットし、スプリットビームを再結合して、フィールド面で干渉パターンを生成する干渉アレンジと、
   前記干渉パターンの一部分を選択的に送るマスキングアレンジと、
   基板を保持する基板テーブルと、
   前記基板のターゲット部分上に前記干渉パターンの前記選択的に送られた部分を投影する投影システムと
   を備える装置。
8. 前記基板テーブルは、前記フィールド面上の前記干渉パターンの前記送られた部分の移動に対応して移動する、請求項７に記載の装置。
9. 前記再結合アレンジは、０．７から０．９５の範囲より選択される開口数で前記スプリットビームを再結合する、請求項７に記載の装置。
10. 前記投影システムは、１．４から１．８の範囲より選択される開口数で前記基板の前記ターゲット部分の選択領域上に前記干渉パターンの前記選択的に送られた部分を投影する、請求項７に記載の装置。
11. 前記投影システムは、マイナス２の縮小率を有する、請求項７に記載の装置。
12. 前記照明システムは、０．０５以下のσ値を有するビームを生成する、請求項７に記載の装置。
13. 第１のリソグラフィ装置を使用して、
    放射ビームを調整し、
    前記放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成し、
    基板の第１のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影するステップと、
    第２のリソグラフィ装置を使用して、
    放射ビームを調整し、
    前記放射ビームをスプリットし、スプリットビームを再結合して、フィールド面で干渉パターンを生成し、
    前記干渉パターンの一部分を選択的に送り、
    前記基板の第２のターゲット部分上に前記干渉パターンの前記選択的に送られた部分を投影するステップと
    を含むデバイス製造方法。
14. 請求項１に記載の前記システムを使用して製造されるデバイス。

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