JP4499582B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置100を略図で示したものである。装置100は、少なくとも放射システム102(例えばEX、IL(例えばAM、IN、CO等)等)、個別制御可能要素PPM104のアレイ、対物テーブルWT106(例えば基板テーブル)及び投影システム(「レンズ」)PL108を備えている。
1.ステップ・モード:個別制御可能要素104のアレイ上のパターン全体が目標部分120に1回の露光で投影される(すなわち単一「フラッシュ」)。次に、基板テーブル106がx及び/又はy方向を異なる位置に移動し、異なる目標部分120が投影ビーム110によって露光される。
2.走査モード:所与の目標部分120が単一フラッシュで露光されない点を除き、基本的にステップ・モードと同じである。走査モードでは、個別制御可能要素104のアレイを速度vで所与の方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に移動させることができるため、投影ビーム110を使用して個別制御可能要素104のアレイが走査される。同時に、基板テーブル106が速度V=Mvで同じ方向若しくは反対方向へ移動する。Mは投影システム108の倍率である。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分120を露光することができる。
3.パルス・モード:個別制御可能要素104のアレイが基本的に静止状態に維持され、パルス放射システム102を使用してパターン全体が基板114の目標部分120に投影される。投影ビーム110を使用して基板114の両端間のラインを走査することができるよう、基本的に一定の速度で基板テーブル106が移動する。個別制御可能要素104のアレイ上のパターンは、必要に応じて放射システム102のパルスとパルスの間に更新され、パルスは、連続する目標部分120が基板114上の必要な位置で露光されるように計時されている。したがって投影ビーム110は、細長い基板114の完全なパターンを露光するように基板114の両端間を走査することができる。このプロセスは、基板114全体がライン毎に露光されるまで繰り返される。
4.連続走査モード:パルス・モードと基本的に同じであるが、実質的に一定の放射システム102が使用され、投影ビーム110が基板114の両端間を走査し、基板114を露光すると、個別制御可能要素104のアレイ上のパターンが更新される点が異なっている。
図2は、本発明の一実施例による個別制御可能要素10を示したものである。例えば、一実施例では、個別制御可能要素10として格子光バルブを使用することができる。格子光バルブの概要については、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許第5,661,592号を参照されたい。個別制御可能要素10は、照明システム124によって提供される放射に対して反射性の複数の反射表面11、12、13、14、15及び16を有している。反射表面11〜16には細長いリボンを使用することができ、また、列を形成するように互いに隣接して配置することができるが、細長いリボン以外の形状を使用することも可能であることは理解されよう。反射表面は、実質的に互いに平行に配置することができる。第1の位置では、反射表面11〜16はすべて同じ平面内に位置しており、したがって個別制御可能要素10は、入射する放射に対して平面反射器として機能している。
以上、本発明の様々な実施例について説明したが、以上の説明が単なる実施例に過ぎず、本発明を何ら制限するものではないことを理解されたい。上で説明した実施例に、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく形態及び詳細における様々な変更を加えることができることは、関連する分野の技術者には明らかであろう。したがって本発明の見解及び範囲は、上で説明した例示的実施例に何ら制限されず、唯一、特許請求の範囲の各請求項及びそれらの均等物によってのみ定義されるものとする。
11、12、13、14、15、16、31、32、33、34、35、36 反射表面(反射器)
21 アクティブ領域
22 集束要素のアレイ
23 レンズ(集束要素)
24 放射ビームの一部
30 個別制御可能要素のアレイのベース
100 リソグラフィ投影装置
102 放射システム(パルス放射システム)
104 個別制御可能要素PPM
106 対物テーブルWT(基板テーブル)
108 投影システム(「レンズ」)PL
110 投影放射ビームPB
112 放射源LA
114 基板W
116 位置決めデバイスPW
118 ビーム・スプリッタ
120 目標部分C
122 放射ビーム
124 照明システム(イルミネータ)IL
126 調節デバイス
128 調整デバイスAM
130 インテグレータIN
132 コンデンサCO
134 干渉測定デバイスIF
136 ベース・プレートPB
138 干渉ビーム
140 ビーム・スプリッタ
Claims (2)
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームを供給する照明システムと、
前記放射ビームをパターン形成する、複数の個別制御可能要素を備えたパターン形成アレイであって、前記個別制御可能要素の各々が、
1列の実質的に平行な平面反射器と、
前記反射器の位置を、前記反射器に対して実質的に直角の駆動方向に移動させるアクチュエータ・システムとを備え、
前記アクチュエータ・システムが、1つ又は複数の反射器の第1のグループを、前記駆動方向に、前記パターン形成アレイのベースから第1の複数の距離のうちの対応する1つに移動させ、
前記アクチュエータ・システムが、1つ又は複数の反射器の第2のグループを、前記駆動方向に、前記第1のグループとは無関係に、前記ベースから第2の複数の距離のうちの対応する1つに移動させるパターン形成アレイと、
基板を支持する基板テーブルと、
パターン形成されたビームを前記基板の目標部分に投射する投影システムと、
前記個別制御可能要素のうちの1つの個別制御可能要素に伴って設けられる集束要素のアレイと、を備え、
前記集束要素のそれぞれは、対応する前記1つの個別制御可能要素に含まれる前記平面反射器上に前記ビームの一部を集束し、
前記集束要素のそれぞれは、前記関連する個別制御可能要素で反射若しくは回折した放射を集光し、かつ、隣接する個別制御可能要素からの放射が互いに隣接して前記基板に投射されるよう、集光した放射を前記投影システムに導き、
隣接する個別制御可能要素からの放射の位相差が制御されることを特徴とするリソグラフィ装置。 - デバイス製造方法であって、
照明源からの光ビームを、1列の実質的に平行な平面反射器と前記反射器の位置を前記反射器に対して実質的に直角の駆動方向にセットするアクチュエータ・システムとを有する複数の個別制御可能要素を使用して前記ビームの断面にパターンを付与するパターン形成アレイを使用してパターン形成するステップと、
前記個別制御可能要素のうちの1つの個別制御可能要素に伴って設けられる集束要素のアレイの集束要素のそれぞれが、対応する前記1つの個別制御可能要素に含まれる前記平面反射器上に前記ビームの一部を集束するステップと、
パターン形成された放射ビームを基板の目標部分に投射するステップと、
1つ又は複数の反射器の第1のグループを、前記駆動方向に、前記パターン形成アレイのベースから第1の複数の距離のうちの所望の1つに移動させるために前記アクチュエータ・システムを使用するステップと、
1つ又は複数の反射器の第2のグループを、前記駆動方向に、前記第1のグループとは無関係に、前記ベースから第2の複数の距離のうちの所望の1つに移動させるために前記アクチュエータ・システムを使用するステップとを含み、
前記集束要素のそれぞれは、関連する個別制御可能要素で反射若しくは回折した放射を集光し、かつ、隣接する個別制御可能要素からの放射が互いに隣接して前記基板に投射されるよう、集光した放射を投射し、
隣接する個別制御可能要素からの放射の位相差が制御されることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/788,256 US7016014B2 (en) | 2004-02-27 | 2004-02-27 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005244239A JP2005244239A (ja) | 2005-09-08 |
JP4499582B2 true JP4499582B2 (ja) | 2010-07-07 |
Family
ID=34750527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005050847A Expired - Fee Related JP4499582B2 (ja) | 2004-02-27 | 2005-02-25 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7016014B2 (ja) |
EP (1) | EP1569034A1 (ja) |
JP (1) | JP4499582B2 (ja) |
KR (1) | KR100598636B1 (ja) |
CN (1) | CN100498535C (ja) |
SG (1) | SG114756A1 (ja) |
TW (1) | TWI278003B (ja) |
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- 2005-02-18 TW TW094104931A patent/TWI278003B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-24 EP EP05251078A patent/EP1569034A1/en not_active Withdrawn
- 2005-02-24 SG SG200501102A patent/SG114756A1/en unknown
- 2005-02-25 JP JP2005050847A patent/JP4499582B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-25 KR KR1020050015811A patent/KR100598636B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-02-28 CN CNB2005100529798A patent/CN100498535C/zh not_active Expired - Fee Related
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CN100498535C (zh) | 2009-06-10 |
US20050190354A1 (en) | 2005-09-01 |
TW200539238A (en) | 2005-12-01 |
TWI278003B (en) | 2007-04-01 |
SG114756A1 (en) | 2005-09-28 |
KR100598636B1 (ko) | 2006-07-10 |
JP2005244239A (ja) | 2005-09-08 |
EP1569034A1 (en) | 2005-08-31 |
KR20060045332A (ko) | 2006-05-17 |
CN1661481A (zh) | 2005-08-31 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061128 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A521 | Written amendment |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100308 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100415 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423 Year of fee payment: 4 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |