JP5210333B2 - ピクセルグリッド描画と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
1.ステップモードにおいては、個々に制御可能なエレメントのアレイおよび基板は、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が1回で目標部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に基板テーブルWTがX方向および/あるいはY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードにおいては、個々に制御可能なエレメントのアレイおよび基板を同期走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。個々に制御可能なエレメントのアレイに対する基板の速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の(非走査方向における)幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の(走査方向における)高さを決定する。
3.パルスモードでは、個々に制御可能なエレメントのアレイが基本的に静止状態に維持され、パルス状放射線ソースを使用して、パターン全体を基板Wの目標部分Cに投影する。基板テーブルWTは、基本的に一定の速度で動作し、したがって投影ビームBが基板W全体で線を走査する。基板Wの必要な位置で連続的な目標部分Cが露光されるように、放射線システムのパルスの間に、必要に応じて個々に制御可能なエレメントのアレイ上にあるパターンを更新し、パルスのタイミングをとる。その結果、投影ビームBは基板Wを走査し、1片の基板で完全なパターンを露光することができる。完全な基板Wが線1本ずつ露光されるまで、このプロセスを繰り返す。
4.連続走査モードでは、基本的にパルスモードと同じであるが、変調した放射線のビームBに対して基板Wをほぼ一定の速度で走査し、投影ビームBが基板Wを走査して、それを露光するにつれ、個々に制御可能なエレメントのアレイ上にあるパターンを更新する。ほぼ一定の放射線ソース、または個々に制御可能なエレメントのアレイ上にあるパターンの更新と同期したパルス状放射線ソースを使用することができる。
5.図2のリソグラフィ装置を使用して実行可能なピクセルグリッド描像モードでは、基板W上に形成されるパターンは、パターニングデバイスPDへと配向されたスポット生成器によって形成されたスポットを、その後に露光することによって実現される。基板W上には、スポットがほぼグリッド状に印刷される。一例では、スポットのサイズは、印刷されたピクセルグリッドのピッチより大きいが、露光スポットグリッドより非常に小さい。印刷されるスポットの強度を変更することによって、パターンが実現される。露光フラッシュとフラッシュの間で、スポットの強度分布を変更する。
以上、本発明の様々な実施形態を説明したが、これは例示によってのみ提示されたもので、制限的ではないことを理解されたい。本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形態および細部の様々な変更が可能であることが、当業者には明白である。したがって、本発明の幅および範囲は、上述した例示的実施形態のいずれにも制限されず、請求の範囲およびその同等物によってのみ定義されるものとする。
Claims (5)
- リソグラフィ装置であって、
個々に制御可能なエレメントのアレイと、
前記個々に制御可能なエレメントのアレイからのパターン形成した放射線ビームに対して第一方向に基板を連続的に移動させる基板ムーバと、
前記パターン形成した放射線ビームを、ある面に配置構成された集束エレメントのアレイを使用して、前記基板の目標部分に投影する投影システムとを有し、
前記各集束エレメントが前記パターン形成した放射線ビームの異なる部分を前記基板に投影し、該異なる各部分が放射線のサブビームを形成し、
前記集束エレメントのアレイにある集束エレメントの少なくとも1つの焦点において、前記放射線のサブビームのうち対応するサブビームの断面の最大長が、第一方向では第一方向に対して直角である第二方向より短くなるように、前記放射線ビームの角度分布が変更される、リソグラフィ装置。 - 前記個々に制御可能なエレメントが、個々に制御可能なレーザダイオードのアレイである、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記個々に制御可能なエレメントが、個々に制御可能なミラーのアレイである、請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
- デバイス製造方法であって、
個々に制御可能なエレメントのアレイを使用して、パターン形成した放射線ビームを提供することと、
集束エレメントのアレイにある各集束エレメントが前記パターン形成した放射線ビームの異なる部分を基板上に投影し、該異なる部分がそれぞれサブビームを形成するように、ある面に配置構成された前記集束エレメントの少なくとも1つのアレイを使用して、前記パターン形成した放射線ビームを前記基板の目標部分に投影することと、
前記基板を連続的に第一方向に移動させることとを含み、
前記パターン形成した放射線ビームは、前記集束エレメントのアレイにある集束エレメントの少なくとも1つの焦点にて、前記放射線のサブビームの対応するサブビームの断面の最大長が、第一方向では第一方向に対して直角である第二方向より短くなるように、その角度分布が変更されて、投影される、デバイス製造方法。 - 前記個々に制御可能なエレメントのアレイの一部の状態を順番に設定する、請求項4に記載のデバイス製造方法。
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