JPH0963942A - 露光パターンの形成方法及び露光装置 - Google Patents
露光パターンの形成方法及び露光装置Info
- Publication number
- JPH0963942A JPH0963942A JP7237768A JP23776895A JPH0963942A JP H0963942 A JPH0963942 A JP H0963942A JP 7237768 A JP7237768 A JP 7237768A JP 23776895 A JP23776895 A JP 23776895A JP H0963942 A JPH0963942 A JP H0963942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- resist layer
- exposure
- exposure pattern
- predetermined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高密度記録に容易に対応し得る露光パターンの
形成方法及び露光装置を実現し難かつた。 【解決手段】第１の物質の所定面上に積層形成されたフ
オトレジストからなるレジスト層に第１のレーザビーム
を照射し、当該第１のレーザビームがレジスト層の表面
上に形成する第１のビームスポツトをレジスト層に対し
て相対的に所定方向に移動させながら第１のレーザビー
ムを記録情報に応じてオンオフするようにしてレジスト
層を露光することにより、当該レジスト層に記録情報に
応じた露光パターンを形成する際、第１のレーザビーム
として、第１のビームスポツトの同一エネルギー点間距
離が、当該第１のビームスポツトの移動方向の方が移動
方向と垂直な方向よりも長くなるような断面形状を有す
るレーザビームを用いるようにしたことにより、高密度
記録に対応し得る露光パターンの形成方法及び露光装置
を実現できる。
形成方法及び露光装置を実現し難かつた。 【解決手段】第１の物質の所定面上に積層形成されたフ
オトレジストからなるレジスト層に第１のレーザビーム
を照射し、当該第１のレーザビームがレジスト層の表面
上に形成する第１のビームスポツトをレジスト層に対し
て相対的に所定方向に移動させながら第１のレーザビー
ムを記録情報に応じてオンオフするようにしてレジスト
層を露光することにより、当該レジスト層に記録情報に
応じた露光パターンを形成する際、第１のレーザビーム
として、第１のビームスポツトの同一エネルギー点間距
離が、当該第１のビームスポツトの移動方向の方が移動
方向と垂直な方向よりも長くなるような断面形状を有す
るレーザビームを用いるようにしたことにより、高密度
記録に対応し得る露光パターンの形成方法及び露光装置
を実現できる。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図５） 発明が解決しようとする課題（図５） 課題を解決するための手段（図１〜図４） 発明の実施の形態 （１）原理（図１及び図２） （２）実施例による露光装置の構成（図３及び図４） （３）他の実施例（図３及び図４） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は露光パターンの形成
方法及び露光装置に関し、例えばコンパクトデイスク等
の光デイスク成形時に金型として使用されるスタンパの
製造時に適用して好適なものである。
方法及び露光装置に関し、例えばコンパクトデイスク等
の光デイスク成形時に金型として使用されるスタンパの
製造時に適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、この種のスタンパは、通常、図５
（Ａ）〜（Ｆ）に示す以下の手順により製造されてい
る。すなわち、まず一面１Ａが極めて平滑に研磨された
ガラス基板１の当該一面１Ａ上にホトレジストを例えば
スピンコート法等により所定厚で塗布することによりレ
ジスト層２を形成する（図５（Ａ））。
（Ａ）〜（Ｆ）に示す以下の手順により製造されてい
る。すなわち、まず一面１Ａが極めて平滑に研磨された
ガラス基板１の当該一面１Ａ上にホトレジストを例えば
スピンコート法等により所定厚で塗布することによりレ
ジスト層２を形成する（図５（Ａ））。
【０００４】次いでこのレジスト層２をプレベークした
後、当該レジスト層２を所定波長のレーザビームｈνを
用いて記録信号に応じて露光し（図５（Ｂ））、この後
これを現像することによりガラス基板１の一面１Ａ上に
残存するレジスト層２Ａからなる凹凸パターンを形成す
る（図５（Ｃ））。続いてこの凹凸パターンの表面上に
無電解メツキ法などによりニツケル等からなる導電化膜
層３を形成し（図５（Ｄ））、この後この導電化膜層３
上にメツキ法などによりニツケル等からなる電鋳層４を
形成する（図５（Ｅ））。
後、当該レジスト層２を所定波長のレーザビームｈνを
用いて記録信号に応じて露光し（図５（Ｂ））、この後
これを現像することによりガラス基板１の一面１Ａ上に
残存するレジスト層２Ａからなる凹凸パターンを形成す
る（図５（Ｃ））。続いてこの凹凸パターンの表面上に
無電解メツキ法などによりニツケル等からなる導電化膜
層３を形成し（図５（Ｄ））、この後この導電化膜層３
上にメツキ法などによりニツケル等からなる電鋳層４を
形成する（図５（Ｅ））。
【０００５】さらにこの導電化膜層３及び電鋳層４を一
体にガラス基板１から剥離し、この後その表面を洗浄す
る。これにより図５（Ｆ）のようなスタンパを得ること
ができる。
体にガラス基板１から剥離し、この後その表面を洗浄す
る。これにより図５（Ｆ）のようなスタンパを得ること
ができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、多く
の企業において高密度光デイスクの開発検討が行われて
いる。この場合例えばＤＶＤ（Digital Video Disc）に
おいては、規格上、ピツト幅が0.4 〔mm〕以下、高さが
0.05〜0.15〔μm 〕、トラツクピツチが0.7 〜0.9 〔μ
m 〕程度と、コンパクトデイスク等に比べて大変厳しい
微細化が要求される。このためこれら企業では、スタン
パ製造工程においてより微細な露光パターンを形成し得
るよう、カツテイング工程（図５（Ｂ））時に使用する
レーザビームｈνの短波長化や露光装置（カツテイング
マシン）に使用する記録用対物レンズの高ＮＡ化、及び
γ特性の高い（すなわち解像度の高い）フオトレジスト
の利用の検討などが行われている。
の企業において高密度光デイスクの開発検討が行われて
いる。この場合例えばＤＶＤ（Digital Video Disc）に
おいては、規格上、ピツト幅が0.4 〔mm〕以下、高さが
0.05〜0.15〔μm 〕、トラツクピツチが0.7 〜0.9 〔μ
m 〕程度と、コンパクトデイスク等に比べて大変厳しい
微細化が要求される。このためこれら企業では、スタン
パ製造工程においてより微細な露光パターンを形成し得
るよう、カツテイング工程（図５（Ｂ））時に使用する
レーザビームｈνの短波長化や露光装置（カツテイング
マシン）に使用する記録用対物レンズの高ＮＡ化、及び
γ特性の高い（すなわち解像度の高い）フオトレジスト
の利用の検討などが行われている。
【０００７】しかしながらレーザビームｈνの短波長化
は、レーザビームｈν自体の高エネルギー化を招くた
め、露光装置の光学系（例えばレンズなど）に対する要
求スペツクが厳しくなり、露光装置のコストアツプを避
け得ない問題がある。また記録用対物レンズの高ＮＡ化
も露光装置のコストアツプを避け得ず、さらにγ特性の
高いフオトレジストの利用もスタンパの生産コストアツ
プを避け得ない問題があるなど、より高密度な光デイス
クの普及に大きな障害となつていた。
は、レーザビームｈν自体の高エネルギー化を招くた
め、露光装置の光学系（例えばレンズなど）に対する要
求スペツクが厳しくなり、露光装置のコストアツプを避
け得ない問題がある。また記録用対物レンズの高ＮＡ化
も露光装置のコストアツプを避け得ず、さらにγ特性の
高いフオトレジストの利用もスタンパの生産コストアツ
プを避け得ない問題があるなど、より高密度な光デイス
クの普及に大きな障害となつていた。
【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、高密度記録に容易に対応し得る露光パターンの形成
方法及び露光装置を提案しようとするものである。
で、高密度記録に容易に対応し得る露光パターンの形成
方法及び露光装置を提案しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、レジスト層を記録情報に応じて露
光する際、レジスト層に形成する第１のビームスポツト
の同一エネルギー点間距離が、当該第１のビームスポツ
トの移動方向の方が移動方向と垂直な方向よりも長くな
るような断面形状を有する第１のレーザビームを用いる
ようにした。すなわちレジスト層に形成する第１のビー
ムスポツトの同一エネルギー点間距離が、当該第１のビ
ームスポツトの移動方向の方が移動方向と垂直な方向よ
りも長くなるような断面形状を有する第１のレーザビー
ムを用いてレジスト層を露光する場合、第１のレーザビ
ームのパワーを制御するなどすることによつてレジスト
層に形成される潜像の幅を必要に応じて細くすることが
できる。
め本発明においては、レジスト層を記録情報に応じて露
光する際、レジスト層に形成する第１のビームスポツト
の同一エネルギー点間距離が、当該第１のビームスポツ
トの移動方向の方が移動方向と垂直な方向よりも長くな
るような断面形状を有する第１のレーザビームを用いる
ようにした。すなわちレジスト層に形成する第１のビー
ムスポツトの同一エネルギー点間距離が、当該第１のビ
ームスポツトの移動方向の方が移動方向と垂直な方向よ
りも長くなるような断面形状を有する第１のレーザビー
ムを用いてレジスト層を露光する場合、第１のレーザビ
ームのパワーを制御するなどすることによつてレジスト
層に形成される潜像の幅を必要に応じて細くすることが
できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１１】（１）原理 例えばスタンパの製造工程のうちのカツテイング工程に
おいて使用する露光用のレーザビームの波長をλ、記録
用対物レンズの開口率をＮＡとすると、ガラス基板上の
レジスト層に形成されるレーザビームのビームスポツト
の大きさは次式
おいて使用する露光用のレーザビームの波長をλ、記録
用対物レンズの開口率をＮＡとすると、ガラス基板上の
レジスト層に形成されるレーザビームのビームスポツト
の大きさは次式
【数１】 により与えられる。この場合「Const 」は、レーザビー
ムのうち、ガウシヤン分布の全エネルギーのどこを使用
したかで決まる定数を示す。
ムのうち、ガウシヤン分布の全エネルギーのどこを使用
したかで決まる定数を示す。
【００１２】この（１）式からも分かるように、レジス
ト層に形成される潜像（露光された部分）の大きさをよ
り小さくするためには、露光用のレーザビームの短波長
化や、露光装置に用いる記録用対物レンズの開口率ＮＡ
の向上、及び又はフオトレジストとしてγ特性の高いも
のを使用するなどの措置が必要であることが分かる。
ト層に形成される潜像（露光された部分）の大きさをよ
り小さくするためには、露光用のレーザビームの短波長
化や、露光装置に用いる記録用対物レンズの開口率ＮＡ
の向上、及び又はフオトレジストとしてγ特性の高いも
のを使用するなどの措置が必要であることが分かる。
【００１３】ここで上述のようなカツテイング工程にお
いて、露光装置（カツテイングマシン）に使用するレー
ザ光源の出力波長λ、記録用対物レンズの開口率ＮＡ及
びフオトレジストのγ特性値を同じ条件にし、かつ露光
用のレーザビームの出力パワー及び現像条件を同一にし
てレジスト層に形成されるレーザビームのビームスピツ
ト形状が丸型となる第１のレーザビームと、楕円型とな
る第２のレーザビームとで当該レジスト層を露光した場
合、形成される潜像はそれぞれ図１（Ａ）及び（Ｂ）の
ようになる。
いて、露光装置（カツテイングマシン）に使用するレー
ザ光源の出力波長λ、記録用対物レンズの開口率ＮＡ及
びフオトレジストのγ特性値を同じ条件にし、かつ露光
用のレーザビームの出力パワー及び現像条件を同一にし
てレジスト層に形成されるレーザビームのビームスピツ
ト形状が丸型となる第１のレーザビームと、楕円型とな
る第２のレーザビームとで当該レジスト層を露光した場
合、形成される潜像はそれぞれ図１（Ａ）及び（Ｂ）の
ようになる。
【００１４】この図１（Ａ）及び（Ｂ）からも明らかな
ように、第１のレーザビームにより形成されるトラツク
方向の露光された部分Ａ1 と露光されていない部分Ａ2
との比（アシンメトリ）がデユーテイ比50〔％〕であつ
ても、第２のレーザビームを用いた場合にはオーバー露
光状態（ａ＜ｃ）となつている。この場合第２のレーザ
ビームを用いてアシンメトリをデユーテイ比50〔％〕に
するためには、第２のレーザビームのカツテイング出力
を下げるか又は現像時間を短縮しなければならない。
ように、第１のレーザビームにより形成されるトラツク
方向の露光された部分Ａ1 と露光されていない部分Ａ2
との比（アシンメトリ）がデユーテイ比50〔％〕であつ
ても、第２のレーザビームを用いた場合にはオーバー露
光状態（ａ＜ｃ）となつている。この場合第２のレーザ
ビームを用いてアシンメトリをデユーテイ比50〔％〕に
するためには、第２のレーザビームのカツテイング出力
を下げるか又は現像時間を短縮しなければならない。
【００１５】このことは（１）式の定数Const を下げる
ことに他ならず、このようにした場合には図２に示すよ
うに、第２のレーザビームがレジスト層に形成する露光
部分Ａ3 の幅ｅが元の定数Const のときに第２のレーザ
ビームがレジスト層に形成する露光部分Ａ3 の幅ｂより
も小さくなるため、結果的に図１（Ｃ）に示すようにレ
ジスト層２に形成するピツト幅を狭くすることができる
（ｂ＜ｅ）。従つてカツテイング工程のレーザビームと
して光軸と垂直な断面形状が楕円形の第２のレーザビー
ムを用い、当該第２のレーザビームのカツテイング出力
を下げることによつて、第１のレーザビームを用いる場
合に比べて高密度記録に適した露光パターンを形成する
ことができるものと考えられる。
ことに他ならず、このようにした場合には図２に示すよ
うに、第２のレーザビームがレジスト層に形成する露光
部分Ａ3 の幅ｅが元の定数Const のときに第２のレーザ
ビームがレジスト層に形成する露光部分Ａ3 の幅ｂより
も小さくなるため、結果的に図１（Ｃ）に示すようにレ
ジスト層２に形成するピツト幅を狭くすることができる
（ｂ＜ｅ）。従つてカツテイング工程のレーザビームと
して光軸と垂直な断面形状が楕円形の第２のレーザビー
ムを用い、当該第２のレーザビームのカツテイング出力
を下げることによつて、第１のレーザビームを用いる場
合に比べて高密度記録に適した露光パターンを形成する
ことができるものと考えられる。
【００１６】（２）実施例による露光装置の構成 図３において、１０は全体として露光装置を示し、レー
ザ光源１１から発射された断面円形状のレーザビームｈ
ν1 をパワー制御用の電気光学変調器（ＥＯＭ：Electr
o-Optic Modulator ）１２と、偏光ビームスプリツタ１
３とを順次介してスポツト形状変形部１４に入射させ
る。
ザ光源１１から発射された断面円形状のレーザビームｈ
ν1 をパワー制御用の電気光学変調器（ＥＯＭ：Electr
o-Optic Modulator ）１２と、偏光ビームスプリツタ１
３とを順次介してスポツト形状変形部１４に入射させ
る。
【００１７】スポツト形状変形部１４は、図３及び図４
に示すように、第１及び第２の凸レンズ１５、１６と、
スイツチイング用の音響光学変調器（ＡＯＭ：Acousto-
Optic Modulator ）１７とで構成され、入射する露光用
レーザビームｈν1 を第１の凸レンズ１５を介してＡＯ
Ｍ１７に入射し、当該露光用レーザビームｈν1 をＡＯ
Ｍ１７において記録信号に応じてオンオフさせる。この
ときオン時に、ＡＯＭ１７を透過する露光用レーザビー
ムｈν1 は、当該ＡＯＭ１７によつてその光軸と垂直な
断面形状が、図４において紙面の上下方向に短軸、紙面
と垂直な方向に長軸を有する細長い楕円状の露光用レー
ザビームｈν2 に変換され、この後第２の凸レンズ１６
を介してスポツト形状変形部１４の外部に出射する。
に示すように、第１及び第２の凸レンズ１５、１６と、
スイツチイング用の音響光学変調器（ＡＯＭ：Acousto-
Optic Modulator ）１７とで構成され、入射する露光用
レーザビームｈν1 を第１の凸レンズ１５を介してＡＯ
Ｍ１７に入射し、当該露光用レーザビームｈν1 をＡＯ
Ｍ１７において記録信号に応じてオンオフさせる。この
ときオン時に、ＡＯＭ１７を透過する露光用レーザビー
ムｈν1 は、当該ＡＯＭ１７によつてその光軸と垂直な
断面形状が、図４において紙面の上下方向に短軸、紙面
と垂直な方向に長軸を有する細長い楕円状の露光用レー
ザビームｈν2 に変換され、この後第２の凸レンズ１６
を介してスポツト形状変形部１４の外部に出射する。
【００１８】この露光用レーザビームｈν2 は、この後
スリツト１８により断面の短軸方向の幅がさらに短くな
るように変形された後、対物レンズ１９を介して出力さ
れ、所定位置に回転の接続方向が露光用レーザビームｈ
ν2 の長軸方向と一致するようにセツトされた所定速度
で順次回転される図示しないガラス基板上のレジスト層
に照射される。これによりこの露光装置１０では、ビー
ムスポツト形状が進行方向に細長い断面楕円形状の露光
用レーザビームｈν2 によつてガラス基板上のレジスト
層に記録信号に応じた露光パターンを形成し得るように
なされている。
スリツト１８により断面の短軸方向の幅がさらに短くな
るように変形された後、対物レンズ１９を介して出力さ
れ、所定位置に回転の接続方向が露光用レーザビームｈ
ν2 の長軸方向と一致するようにセツトされた所定速度
で順次回転される図示しないガラス基板上のレジスト層
に照射される。これによりこの露光装置１０では、ビー
ムスポツト形状が進行方向に細長い断面楕円形状の露光
用レーザビームｈν2 によつてガラス基板上のレジスト
層に記録信号に応じた露光パターンを形成し得るように
なされている。
【００１９】この場合ＥＯＭ１２は、露光装置１０によ
り上述のレジスト層に形成される露光パターンのアシン
メトリのデユーテイ比と、当該露光装置１０からＥＯＭ
１２、スポツト形状変形部１４及びスリツト１８を除去
し、レーザ光源１１から発射された断面円形状の露光用
レーザビームｈν1 を同じ条件でオンオフしたときにこ
のレジスト層に形成される露光パターンのアシンメトリ
のデユーテイ比とが同じになるように露光用レーザビー
ムｈν1 のパワーを制御するようになされている。
り上述のレジスト層に形成される露光パターンのアシン
メトリのデユーテイ比と、当該露光装置１０からＥＯＭ
１２、スポツト形状変形部１４及びスリツト１８を除去
し、レーザ光源１１から発射された断面円形状の露光用
レーザビームｈν1 を同じ条件でオンオフしたときにこ
のレジスト層に形成される露光パターンのアシンメトリ
のデユーテイ比とが同じになるように露光用レーザビー
ムｈν1 のパワーを制御するようになされている。
【００２０】これによりこの露光装置１０においては、
所定位置に所定状態にセツトされたガラス基板上のレジ
スト層に形成される露光パターンのアシンメトリのデユ
ーテイ化を所定状態に保ちながら、レーザ光源１１から
発射された断面円形状の露光用レーザビームｈν1 で直
接露光する場合に比べてより幅の狭い潜像からなる露光
パターンを形成することができるようになされている。
所定位置に所定状態にセツトされたガラス基板上のレジ
スト層に形成される露光パターンのアシンメトリのデユ
ーテイ化を所定状態に保ちながら、レーザ光源１１から
発射された断面円形状の露光用レーザビームｈν1 で直
接露光する場合に比べてより幅の狭い潜像からなる露光
パターンを形成することができるようになされている。
【００２１】以上の構成において、この露光装置１０で
は、レーザ光源１１から発射された露光用レーザビーム
ｈν1 をＥＯＭ１２においてパワーを所定状態に制御
し、ＡＯＭ１７において記録信号に応じてスイツチング
しながらその断面形状を記録トラツク方向に細長い楕円
形に変形した後、これを対物レンズ１９を介して出力す
る。従つてこの露光装置１０では、所定位置に所定状態
にセツトされた加工対象のガラス基板上のレジスト層に
アシンメトリのデユーテイ比が所望状態に保たれた高密
度記録に適した潜像からなる露光パターンを形成するこ
とができる。
は、レーザ光源１１から発射された露光用レーザビーム
ｈν1 をＥＯＭ１２においてパワーを所定状態に制御
し、ＡＯＭ１７において記録信号に応じてスイツチング
しながらその断面形状を記録トラツク方向に細長い楕円
形に変形した後、これを対物レンズ１９を介して出力す
る。従つてこの露光装置１０では、所定位置に所定状態
にセツトされた加工対象のガラス基板上のレジスト層に
アシンメトリのデユーテイ比が所望状態に保たれた高密
度記録に適した潜像からなる露光パターンを形成するこ
とができる。
【００２２】以上の構成によれば、レーザ光源１１から
発射された露光用レーザビームｈν1 を、ＥＯＭ１２に
よつてそのパワーを制御すると共に、ＡＯＭ１７によつ
て記録信号に応じてスイツチングしながらその断面形状
を記録トラツク方向に細長い楕円形に変形するようにし
たことにより、所定位置にセツトされた加工対象のガラ
ス基板上のレジスト層に記録信号に応じた、高密度タイ
プの光デイスクに対応した潜像からなる露光パターンを
形成することができ、かくして高密度記録に容易に対応
し得る露光パターンの形成方法及び露光装置を実現でき
る。
発射された露光用レーザビームｈν1 を、ＥＯＭ１２に
よつてそのパワーを制御すると共に、ＡＯＭ１７によつ
て記録信号に応じてスイツチングしながらその断面形状
を記録トラツク方向に細長い楕円形に変形するようにし
たことにより、所定位置にセツトされた加工対象のガラ
ス基板上のレジスト層に記録信号に応じた、高密度タイ
プの光デイスクに対応した潜像からなる露光パターンを
形成することができ、かくして高密度記録に容易に対応
し得る露光パターンの形成方法及び露光装置を実現でき
る。
【００２３】（３）他の実施例 なお上述の実施例においては、本発明をスタンパの製造
時に適用するようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、要は、第１の物質の所定面上に積層形
成されたフオトレジストからなるレジスト層に第１のレ
ーザビームを照射し、当該第１のレーザビームがレジス
ト層の表面上に形成する第１のビームスポツトをレジス
ト層に対して相対的に所定方向に移動させながら第１の
レーザビームを記録情報に応じてオンオフするようにし
てレジスト層を露光することにより、当該レジスト層に
記録情報に応じた露光パターンを形成するような場合に
適用して好適なものである。
時に適用するようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、要は、第１の物質の所定面上に積層形
成されたフオトレジストからなるレジスト層に第１のレ
ーザビームを照射し、当該第１のレーザビームがレジス
ト層の表面上に形成する第１のビームスポツトをレジス
ト層に対して相対的に所定方向に移動させながら第１の
レーザビームを記録情報に応じてオンオフするようにし
てレジスト層を露光することにより、当該レジスト層に
記録情報に応じた露光パターンを形成するような場合に
適用して好適なものである。
【００２４】また上述の実施例においては、レーザ光源
１１として断面円形状の露光用レーザビームｈν1 を発
射し得るようなものを適用するようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の断面形
状のレーザビームを発射し得るようなレーザ光源を適用
できる。
１１として断面円形状の露光用レーザビームｈν1 を発
射し得るようなものを適用するようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の断面形
状のレーザビームを発射し得るようなレーザ光源を適用
できる。
【００２５】さらに上述の実施例においては、レーザ光
源１１から発射された露光用レーザビームｈν1 を断面
楕円形状の露光用レーザビームｈν2 に変形する光学素
子としてＡＯＭ１７及びスリツト１８を適用するように
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要
は、光記録媒体の記録部に形成するビームスポツトの移
動方向の同一エネルギー点間距離が移動方向と垂直な方
向の同一エネルギー点間距離よりも長くなるように露光
用レーザビームｈν1 、ｈν2 を変形させることができ
るようなものであれば、この他シリンドリカルレンズや
プリズム等種々の光学素子を適用できる。
源１１から発射された露光用レーザビームｈν1 を断面
楕円形状の露光用レーザビームｈν2 に変形する光学素
子としてＡＯＭ１７及びスリツト１８を適用するように
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要
は、光記録媒体の記録部に形成するビームスポツトの移
動方向の同一エネルギー点間距離が移動方向と垂直な方
向の同一エネルギー点間距離よりも長くなるように露光
用レーザビームｈν1 、ｈν2 を変形させることができ
るようなものであれば、この他シリンドリカルレンズや
プリズム等種々の光学素子を適用できる。
【００２６】さらに上述の実施例においては、露光用レ
ーザビームｈν1 をＡＯＭ１７によつて記録信号に応じ
てオンオフするようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、この他種々のスイツチング手段を適
用でき、またそのスイツチング手段の配置位置として偏
光ビームスプリツタ１３及びスリツト１８間以外の種々
の配置位置を適用できる。
ーザビームｈν1 をＡＯＭ１７によつて記録信号に応じ
てオンオフするようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、この他種々のスイツチング手段を適
用でき、またそのスイツチング手段の配置位置として偏
光ビームスプリツタ１３及びスリツト１８間以外の種々
の配置位置を適用できる。
【００２７】さらに上述の実施例においては、所定位置
に所定状態にセツトされたガラス基板上のレジスト層に
入射させる露光用レーザビームｈν2 のパワーを制御す
るパワー制御手段としてＥＯＭ１２を適用するようにし
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ＡＯ
Ｍ１７においてもパワー制御を行うようにしても良く、
要は、所定のレーザ光源から発射された断面円形状の第
２のレーザビームを所定の光学素子により断面楕円形状
の第１のレーザビームに変形する際、第１のレーザビー
ムによつて光記録媒体のレジスト層に形成される露光パ
ターンのアシンメトリのデユーテイ比と、第２のレーザ
ビームの光路上から上述の光学素子を除去し、第２のレ
ーザビームを同じ条件でオンオフしたときに光記録媒体
のレジスト層に形成される露光パターンのアシンメトリ
のデユーテイ比とが同じになるように第１又は第２のレ
ーザビームのパワーを制御することができるのであれ
ば、上述の光記録媒体のレジスト層に入射する第１のレ
ーザビームのパワーを制御するパワー制御手段としては
この他種々のものを適用できる。
に所定状態にセツトされたガラス基板上のレジスト層に
入射させる露光用レーザビームｈν2 のパワーを制御す
るパワー制御手段としてＥＯＭ１２を適用するようにし
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ＡＯ
Ｍ１７においてもパワー制御を行うようにしても良く、
要は、所定のレーザ光源から発射された断面円形状の第
２のレーザビームを所定の光学素子により断面楕円形状
の第１のレーザビームに変形する際、第１のレーザビー
ムによつて光記録媒体のレジスト層に形成される露光パ
ターンのアシンメトリのデユーテイ比と、第２のレーザ
ビームの光路上から上述の光学素子を除去し、第２のレ
ーザビームを同じ条件でオンオフしたときに光記録媒体
のレジスト層に形成される露光パターンのアシンメトリ
のデユーテイ比とが同じになるように第１又は第２のレ
ーザビームのパワーを制御することができるのであれ
ば、上述の光記録媒体のレジスト層に入射する第１のレ
ーザビームのパワーを制御するパワー制御手段としては
この他種々のものを適用できる。
【００２８】さらに上述の実施例においては、露光用レ
ーザビームｈν1 、ｈν2 のパワーをＥＯＭ１２におい
て制御するようにして、所定位置に所定状態にセツトさ
れたガラス基板上のレジスト層に高密度タイプの光デイ
スクに対応した潜像からなる露光パターンを形成するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、露光用レーザビームｈν1 、ｈν2 のパワーを制御
せずにガラス基板上のレジスト層の現像時間を制御した
り、又はガラス基板上のレジスト層をカツテイング前に
予め低感度化させておくようにするなどしても良い。
ーザビームｈν1 、ｈν2 のパワーをＥＯＭ１２におい
て制御するようにして、所定位置に所定状態にセツトさ
れたガラス基板上のレジスト層に高密度タイプの光デイ
スクに対応した潜像からなる露光パターンを形成するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、露光用レーザビームｈν1 、ｈν2 のパワーを制御
せずにガラス基板上のレジスト層の現像時間を制御した
り、又はガラス基板上のレジスト層をカツテイング前に
予め低感度化させておくようにするなどしても良い。
【００２９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、第１の物
質の所定面上に積層形成されたフオトレジストからなる
レジスト層に第１のレーザビームを照射し、当該第１の
レーザビームがレジスト層の表面上に形成する第１のビ
ームスポツトをレジスト層に対して相対的に所定方向に
移動させながら第１のレーザビームを記録情報に応じて
オンオフするようにしてレジスト層を露光することによ
り、当該レジスト層に記録情報に応じた露光パターンを
形成する際、第１のレーザビームとして、第１のビーム
スポツトの同一エネルギー点間距離が、当該第１のビー
ムスポツトの移動方向の方が移動方向と垂直な方向より
も長くなるような断面形状を有するレーザビームを用い
るようにしたことにより、当該第１のレーザビームがレ
ジスト層に形成する潜像の幅を必要に応じて細くするこ
とができ、かくして高密度記録に対応し得る露光パター
ンの形成方法及び露光装置を実現できる。
質の所定面上に積層形成されたフオトレジストからなる
レジスト層に第１のレーザビームを照射し、当該第１の
レーザビームがレジスト層の表面上に形成する第１のビ
ームスポツトをレジスト層に対して相対的に所定方向に
移動させながら第１のレーザビームを記録情報に応じて
オンオフするようにしてレジスト層を露光することによ
り、当該レジスト層に記録情報に応じた露光パターンを
形成する際、第１のレーザビームとして、第１のビーム
スポツトの同一エネルギー点間距離が、当該第１のビー
ムスポツトの移動方向の方が移動方向と垂直な方向より
も長くなるような断面形状を有するレーザビームを用い
るようにしたことにより、当該第１のレーザビームがレ
ジスト層に形成する潜像の幅を必要に応じて細くするこ
とができ、かくして高密度記録に対応し得る露光パター
ンの形成方法及び露光装置を実現できる。
【図１】本発明の原理説明に供する略線図である。
【図２】本発明の原理説明に供する略線図である。
【図３】実施例による露光装置の構成を示すブロツク図
である。
である。
【図４】スポツト形状変形部の構成を示す略線的な側面
図である。
図である。
【図５】従来のスタンパ製造工程を示す断面図である。
１０……露光装置、１１……レーザ光源、１２……ＥＯ
Ｍ、１４……スポツト形状変形部、１７……ＡＯＭ、１
８……スリツト、ｈν1 、ｈν2 ……露光用レーザビー
ム。
Ｍ、１４……スポツト形状変形部、１７……ＡＯＭ、１
８……スリツト、ｈν1 、ｈν2 ……露光用レーザビー
ム。
Claims (4)
- 【請求項１】第１の物質の所定面上に積層形成されたフ
オトレジストからなるレジスト層に第１のレーザビーム
を照射し、当該第１のレーザビームが上記レジスト層の
表面上に形成する第１のビームスポツトを上記レジスト
層に対して相対的に所定方向に移動させながら上記第１
のレーザビームを記録情報に応じてオンオフするように
して上記レジスト層を露光することにより、当該レジス
ト層に上記記録情報に応じた露光パターンを形成する露
光パターンの形成方法において、 上記第１のレーザビームとして、上記第１のビームスポ
ツトの移動方向の同一エネルギー点間距離が上記第１の
ビームスポツトの上記移動方向と垂直な方向の同一エネ
ルギー点間距離よりも長くなるレーザビームを用いるよ
うにしたことを特徴とする露光パターンの形成方法。 - 【請求項２】所定のレーザ光源から発射された断面所定
形状の第２のレーザビームを所定の光学素子を通すこと
により断面楕円形状の上記第１のレーザビームを形成
し、 上記第１のレーザビームによつて上記レジスト層に形成
される上記露光パターンのアシンメトリのデユーテイ比
と、上記第２のレーザビームの上記光路上から上記光学
素子を除去し、上記第２のレーザビームを同じ条件でオ
ンオフしたときに上記レジスト層に形成される露光パタ
ーンのアシンメトリのデユーテイ比とが同じになるよう
に上記第１又は第２のレーザビームのパワーを制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の露光パターンの形成
方法。 - 【請求項３】第１の物質の所定面上に積層形成されたフ
オトレジストからなるレジスト層に第１のレーザビーム
を照射し、当該第１のレーザビームが上記レジスト層の
表面上に形成する第１のビームスポツトを上記レジスト
層に対して相対的に所定方向に移動させながら上記第１
のレーザビームを記録情報に応じてオンオフするように
して上記レジスト層を露光することにより、当該レジス
ト層に上記記録情報に応じた露光パターンを形成する露
光装置において、 断面所定形状の第２のレーザビームを発射するレーザ光
源と、 上記第２のレーザビームの光路上に配置され、上記第２
のビームスポツトの移動方向の同一エネルギー点間距離
が上記移動方向と垂直な方向の同一エネルギー点間距離
よりも長くなるように上記第２のレーザビームを変形さ
せることにより上記第１のレーザビームを形成する光学
素子と、 上記第１又は第２のレーザビームを上記記録情報に応じ
てオンオフさせるスイツチング手段とを具えることを特
徴とする露光装置。 - 【請求項４】上記第１のレーザビームによつて上記レジ
スト層に形成される上記露光パターンのアシンメトリの
デユーテイ比と、上記第２のレーザビームの上記光路上
から上記光学素子を除去し、上記第２のレーザビームを
同じ条件でオンオフしたときに上記レジスト層に形成さ
れる露光パターンのアシンメトリのデユーテイ比とが同
じになるように上記第１又は第２のレーザビームのパワ
ーを制御するパワー制御手段を具えることを特徴とする
請求項３に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7237768A JPH0963942A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 露光パターンの形成方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7237768A JPH0963942A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 露光パターンの形成方法及び露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963942A true JPH0963942A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=17020159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7237768A Pending JPH0963942A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 露光パターンの形成方法及び露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0963942A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010118683A (ja) * | 2005-07-20 | 2010-05-27 | Asml Netherlands Bv | ピクセルグリッド描画と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
-
1995
- 1995-08-22 JP JP7237768A patent/JPH0963942A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010118683A (ja) * | 2005-07-20 | 2010-05-27 | Asml Netherlands Bv | ピクセルグリッド描画と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0411525B1 (en) | A method of making optical disk master and an optical disk | |
| JPH05314538A (ja) | 光ディスクおよびその製造方法 | |
| JPH0628729A (ja) | 光ディスク | |
| JP2754785B2 (ja) | 高密度光ディスクの製造方法 | |
| US7643049B2 (en) | Method for manufacturing recording media, method for manufacturing production plate used when manufacturing recording media, apparatus for manufacturing recording media, and apparatus for manufacturing production plate used when manufacturing recording media | |
| JP2000357343A (ja) | 光記録媒体及び光記録媒体製造用原盤 | |
| JPH04248145A (ja) | 高密度光ディスクの作製方法 | |
| JPH11259910A (ja) | 光ディスクおよびその原盤製造方法 | |
| JPH0963942A (ja) | 露光パターンの形成方法及び露光装置 | |
| JP2000021033A (ja) | 光ディスク原盤 | |
| KR100629831B1 (ko) | 광디스크제조용원반을형성하는방법 | |
| JP2999994B2 (ja) | 光記録再生装置及び光記録媒体 | |
| JPH10308033A (ja) | 光ディスク原盤の露光方法 | |
| JP2000173094A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法及び光ディスク用原盤の製造装置 | |
| JPS6050733A (ja) | 光学式記録媒体及びその原盤の製造装置 | |
| JP2005032317A (ja) | 光学記録再生媒体、光学記録再生媒体製造用スタンパ及び光学記録方法 | |
| KR100207701B1 (ko) | 광디스크 제조방법 | |
| JP4560968B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH10302300A (ja) | 記録媒体原盤の製造方法、露光方法、記録及び／又は再生装置 | |
| JP4320915B2 (ja) | 光記録媒体、光記録媒体製造用原盤及び光記録再生装置 | |
| JP2000048409A (ja) | 光記録媒体、光記録媒体製造用原盤及び光記録再生装置 | |
| JP3046796B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH11149670A (ja) | 露光方法及びこれを用いた露光装置、ならびに原盤及び光ディスク | |
| JPH0793828A (ja) | 光ディスク原盤露光方法 | |
| KR100189891B1 (ko) | 광파이버를 이용한 마스터 디스크 제조장치 |