JPH04248145A - 高密度光ディスクの作製方法 - Google Patents
高密度光ディスクの作製方法Info
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- JPH04248145A JPH04248145A JP3023013A JP2301391A JPH04248145A JP H04248145 A JPH04248145 A JP H04248145A JP 3023013 A JP3023013 A JP 3023013A JP 2301391 A JP2301391 A JP 2301391A JP H04248145 A JPH04248145 A JP H04248145A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオディスク、コン
パクトディスク等の光ディスク、特に高密度記録の光デ
ィスクの作製方法に係わる。
パクトディスク等の光ディスク、特に高密度記録の光デ
ィスクの作製方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】情報の記録部を凹部、即ちピットの有無
によって形成する光ディスクを作製する場合、一般には
、記録情報に応じた凹凸面を有するスタンパーを作製し
、このスタンパーによって樹脂成型を行って、光ディス
クを得る。
によって形成する光ディスクを作製する場合、一般には
、記録情報に応じた凹凸面を有するスタンパーを作製し
、このスタンパーによって樹脂成型を行って、光ディス
クを得る。
【０００３】この光ディスクを成型する従来のスタンパ
ーの作製方法の一例を図１０の工程図を参照して説明す
る。
ーの作製方法の一例を図１０の工程図を参照して説明す
る。
【０００４】この場合図１０Ａに示すように平滑な面１
ａを有するガラス基板等の基板１の、その面１ａ上に、
全面的にフォトレジスト層２を塗布し、これに対し記録
しようとする情報例えば“０”、“１”の信号に応じて
変調されたレーザ光の走査によって順次露光をなし、そ
の後現像処理を行って記録情報に応じた所要のパターン
に配列された開口３を穿設する。
ａを有するガラス基板等の基板１の、その面１ａ上に、
全面的にフォトレジスト層２を塗布し、これに対し記録
しようとする情報例えば“０”、“１”の信号に応じて
変調されたレーザ光の走査によって順次露光をなし、そ
の後現像処理を行って記録情報に応じた所要のパターン
に配列された開口３を穿設する。
【０００５】次に、図１０Ｂに示すように、開口３内を
含んで全面的にＮｉ等の導電層を、無電解メッキ、蒸着
、スパッタ等によって形成し、これの上にＮｉ等の電気
メッキを行って厚い金属層４を形成する。
含んで全面的にＮｉ等の導電層を、無電解メッキ、蒸着
、スパッタ等によって形成し、これの上にＮｉ等の電気
メッキを行って厚い金属層４を形成する。
【０００６】この金属層４を、図１０Ｃに示すようにガ
ラス基板１から剥離してスタンパー５を作製する。
ラス基板１から剥離してスタンパー５を作製する。
【０００７】図１０Ｄに示すようにこのようにして得た
スタンパー５によって、例えばアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂等を成形してスタンパー５の凹凸面が転写
された逆パターンの凸凹面による凹部６すなわち情報ピ
ットが形成された光ディスク７を得る。
スタンパー５によって、例えばアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂等を成形してスタンパー５の凹凸面が転写
された逆パターンの凸凹面による凹部６すなわち情報ピ
ットが形成された光ディスク７を得る。
【０００８】ところが、このようにして得た光ディスク
７のピット、すなわち凹部６は、その側面がフォトレジ
スト層２の開口３の形状を踏襲して側面が傾斜面となる
断面台形状となり、再生特性に問題が生じて来る。
７のピット、すなわち凹部６は、その側面がフォトレジ
スト層２の開口３の形状を踏襲して側面が傾斜面となる
断面台形状となり、再生特性に問題が生じて来る。
【０００９】この傾きは、次のようにして発生する。図
１１を参照してフォトレジスト２に対するレーザ光によ
るパターン露光について説明する。
１１を参照してフォトレジスト２に対するレーザ光によ
るパターン露光について説明する。
【００１０】通常、レーザ光ｈνを、例えばガラス基板
１上のフォトレジスト層２に集光させて照射すると、レ
ーザ光ｈνは図１１Ａに示すような分布となり、またこ
のときのレーザ光ｈνの強度分布は、同図中一点鎖線ａ
で示す分布となる。このような条件で現像可能な状態に
露光される領域は、同図中破線ｂで囲まれる領域、すな
わちレーザ光ｈνの強度分布に応じた形となる。
１上のフォトレジスト層２に集光させて照射すると、レ
ーザ光ｈνは図１１Ａに示すような分布となり、またこ
のときのレーザ光ｈνの強度分布は、同図中一点鎖線ａ
で示す分布となる。このような条件で現像可能な状態に
露光される領域は、同図中破線ｂで囲まれる領域、すな
わちレーザ光ｈνの強度分布に応じた形となる。
【００１１】従って、これを現像すると、図１１Ｂに示
すように、露光された部分に形成される開口３は、レー
ザ光入射側端面における開口幅Ｗ１ がガラス基板１と
の境界部における開口幅Ｗ２ より大きい断面台形状と
なるものである。
すように、露光された部分に形成される開口３は、レー
ザ光入射側端面における開口幅Ｗ１ がガラス基板１と
の境界部における開口幅Ｗ２ より大きい断面台形状と
なるものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】このように光ディスク
の作製において、上述したように、断面台形状のピット
となることの問題点を回避するものとして、本出願人は
、先に、特願平１−２４４４６３号出願で高密度光ディ
スクの製造方法の提案をした。
の作製において、上述したように、断面台形状のピット
となることの問題点を回避するものとして、本出願人は
、先に、特願平１−２４４４６３号出願で高密度光ディ
スクの製造方法の提案をした。
【００１３】この光ディスクの作製方法は、図１２にそ
の工程図を示すように、先ず表面層８を有する基板１を
設ける。この基板１は、ガラス等の基板本体の表面に目
的とする光ディスクの情報ピット（凹部）の深さに対応
する厚さｔを有し、基板本体とは、異なるエッチング性
を示すＣｒ等の表面層８を、蒸着、或いはスパッタ等に
よって被着して成る。そしてこれの上にフォトレジスト
層２を形成し、前述したように、露光及び現像を行って
開口３を形成する。このようにして形成された開口３は
、図１２Ａに示すように、図１１Ｂで説明したように、
その開放側の幅Ｗ１ より底部側の幅Ｗ２ が小さい断
面台形状となる。
の工程図を示すように、先ず表面層８を有する基板１を
設ける。この基板１は、ガラス等の基板本体の表面に目
的とする光ディスクの情報ピット（凹部）の深さに対応
する厚さｔを有し、基板本体とは、異なるエッチング性
を示すＣｒ等の表面層８を、蒸着、或いはスパッタ等に
よって被着して成る。そしてこれの上にフォトレジスト
層２を形成し、前述したように、露光及び現像を行って
開口３を形成する。このようにして形成された開口３は
、図１２Ａに示すように、図１１Ｂで説明したように、
その開放側の幅Ｗ１ より底部側の幅Ｗ２ が小さい断
面台形状となる。
【００１４】次に、図１２Ｂに示すように、フォトレジ
スト層２をマスクとして表面層８を、ＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）による垂直異方性エッチングによって
全厚さに渡ってエッチングする。このとき、基板１の例
えばガラスより成る基板本体に対しては、エッチングが
なされないか、殆どなされないＲＩＥを適用することに
よって、表面層８のみを選択的にエッチングする。この
ようにすると、フォトレジスト層２の開口３の小なる開
口幅Ｗ２ に対応する開口幅を有し、側面がほぼ垂直の
凹部９が形成される。
スト層２をマスクとして表面層８を、ＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）による垂直異方性エッチングによって
全厚さに渡ってエッチングする。このとき、基板１の例
えばガラスより成る基板本体に対しては、エッチングが
なされないか、殆どなされないＲＩＥを適用することに
よって、表面層８のみを選択的にエッチングする。この
ようにすると、フォトレジスト層２の開口３の小なる開
口幅Ｗ２ に対応する開口幅を有し、側面がほぼ垂直の
凹部９が形成される。
【００１５】したがって、図１２Ｃに示すように、フォ
トレジスト層２を除去し、凹部９内を含んで、全面的に
図１０Ｂで説明したと同様にＮｉ等の金属層４を形成し
、図１２Ｄに示すように、これを剥離すれば記録情報に
応じた所要の凹凸面を有するスタンパー５を得ることが
できる。
トレジスト層２を除去し、凹部９内を含んで、全面的に
図１０Ｂで説明したと同様にＮｉ等の金属層４を形成し
、図１２Ｄに示すように、これを剥離すれば記録情報に
応じた所要の凹凸面を有するスタンパー５を得ることが
できる。
【００１６】このようにして得たスタンパー５は、その
凹凸の側面が、垂直面となるので、これによって成型し
て得た光ディスク７のピット即ち凹部６は、図１２Ｅに
示すように、垂直側面を有し、しかも、幅Ｗ２ に対応
する小なる幅をもった凹部として形成することができる
。
凹凸の側面が、垂直面となるので、これによって成型し
て得た光ディスク７のピット即ち凹部６は、図１２Ｅに
示すように、垂直側面を有し、しかも、幅Ｗ２ に対応
する小なる幅をもった凹部として形成することができる
。
【００１７】このようにして形成した光ディスク７は、
そのピット（凹部）６の微小化から高密度化をはかるこ
とができる。
そのピット（凹部）６の微小化から高密度化をはかるこ
とができる。
【００１８】上述した作製方法における記録情報に応じ
て変調されたレーザ光の光強度分布は、光軸に対し軸対
称に、即ち例えば図１１Ａで示した強度分布が光軸を含
むどの面においても一様な分布とされている。つまり、
光ディスクのピット（凹部）は、光ディスクドライブ装
置の再生光ヘッドとの相対的移行方向即ち記録トラック
に沿う方向（本明細書では周方向ないしはθ方向という
）と、これと直交する方向（本明細書では半径方向ない
しはｒ方向という）のいずれの方向に関してもＷ２ に
対応する同一の幅に形成される。
て変調されたレーザ光の光強度分布は、光軸に対し軸対
称に、即ち例えば図１１Ａで示した強度分布が光軸を含
むどの面においても一様な分布とされている。つまり、
光ディスクのピット（凹部）は、光ディスクドライブ装
置の再生光ヘッドとの相対的移行方向即ち記録トラック
に沿う方向（本明細書では周方向ないしはθ方向という
）と、これと直交する方向（本明細書では半径方向ない
しはｒ方向という）のいずれの方向に関してもＷ２ に
対応する同一の幅に形成される。
【００１９】そして、この場合上述した方法によってＷ
１ ＞Ｗ２をもって形成したフォトレジスト層２の開口
３は、エッチングのマスクとしての機能、そのほかの条
件から最小間隔に設定することによってそのピッチを小
にして高記録密度化をはかるものであるが、このように
した場合でも、図１２Ｅに示すように１つの信号に対応
する幅Ｐ即ち例えば“１”の情報の記録として凹部６を
形成したとき、その凹部６の幅ＷＰ とランド部の幅Ｗ
Ｌ の和Ｐを最小限にしたとき、ＷＰ ＜ＷＬ となる
。つまり、光ディスク上の読み出し光の走査の線方向（
θ方向）についてもＷＰ ＜ＷＬ となり、その凹凸の
幅の比が１：１に即ちデューティ５０％にならない。し
たがって、このようにして得た光ディスクに対し、読み
出し光を照射し、そのピット、即ち情報を読み出した光
情報によって得た信号“１”、“０”の電気信号はその
デューティが５０％にならないものであってＳ／Ｎ（Ｃ
／Ｎ）の低下を来す。
１ ＞Ｗ２をもって形成したフォトレジスト層２の開口
３は、エッチングのマスクとしての機能、そのほかの条
件から最小間隔に設定することによってそのピッチを小
にして高記録密度化をはかるものであるが、このように
した場合でも、図１２Ｅに示すように１つの信号に対応
する幅Ｐ即ち例えば“１”の情報の記録として凹部６を
形成したとき、その凹部６の幅ＷＰ とランド部の幅Ｗ
Ｌ の和Ｐを最小限にしたとき、ＷＰ ＜ＷＬ となる
。つまり、光ディスク上の読み出し光の走査の線方向（
θ方向）についてもＷＰ ＜ＷＬ となり、その凹凸の
幅の比が１：１に即ちデューティ５０％にならない。し
たがって、このようにして得た光ディスクに対し、読み
出し光を照射し、そのピット、即ち情報を読み出した光
情報によって得た信号“１”、“０”の電気信号はその
デューティが５０％にならないものであってＳ／Ｎ（Ｃ
／Ｎ）の低下を来す。
【００２０】本発明の解決しようとする問題点は、光ヘ
ッドとの相対的移行に基く光ディスク上の読み出し光の
走査方向、即ち周方向におけるピット形成部とランド部
のデューティを１：１即ち５０％に近づけることである
。
ッドとの相対的移行に基く光ディスク上の読み出し光の
走査方向、即ち周方向におけるピット形成部とランド部
のデューティを１：１即ち５０％に近づけることである
。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１及び図２
に示すように、基板１１上にフォトレジスト層１２を形
成し、このフォトレジスト層１２に記録情報に応じた選
択的露光及び現像を行って、フォトレジスト層１２に露
光入射側の面での開口幅に比して反対の基板側の開口幅
が小さい開口１３を形成してこの開口１３を通じて基板
１１に対してエッチングを行って凹部１９を形成する工
程を有する高密度光ディスクの作製方法において、この
方法をｒ方向に関して適用して、そのピッチの縮小化を
できるだけはかるものの、図３に開口を形成する露光ビ
ームスポットの光強度分布を、実線曲線と破線曲線で示
すように、光ディスクの半径ｒ方向と、周θ方向とで変
えて、フォトレジスト層２の開口１３が、基板側の開口
幅に関して半径方向で大に、周方向で小に選定する。
に示すように、基板１１上にフォトレジスト層１２を形
成し、このフォトレジスト層１２に記録情報に応じた選
択的露光及び現像を行って、フォトレジスト層１２に露
光入射側の面での開口幅に比して反対の基板側の開口幅
が小さい開口１３を形成してこの開口１３を通じて基板
１１に対してエッチングを行って凹部１９を形成する工
程を有する高密度光ディスクの作製方法において、この
方法をｒ方向に関して適用して、そのピッチの縮小化を
できるだけはかるものの、図３に開口を形成する露光ビ
ームスポットの光強度分布を、実線曲線と破線曲線で示
すように、光ディスクの半径ｒ方向と、周θ方向とで変
えて、フォトレジスト層２の開口１３が、基板側の開口
幅に関して半径方向で大に、周方向で小に選定する。
【００２２】そして図２に示すように、基板１１に形成
した凹部１９をθ方向に関して凹部１９の幅ＷＰ とラ
ンド部の幅ＷＬ とをほぼ等しくし、図４にその一部の
平面図を示すように、基板１１自体、或いはこれに基い
て得た光ディスク１７のピット（凹部）１６のθ方向の
ピットとランド部との幅をほぼ同一に、すなわちデュー
ティ１：１とする。
した凹部１９をθ方向に関して凹部１９の幅ＷＰ とラ
ンド部の幅ＷＬ とをほぼ等しくし、図４にその一部の
平面図を示すように、基板１１自体、或いはこれに基い
て得た光ディスク１７のピット（凹部）１６のθ方向の
ピットとランド部との幅をほぼ同一に、すなわちデュー
ティ１：１とする。
【００２３】
【作用】上述したように本発明製法では、図３に実線曲
線及び破線曲線で示すように、単にフォトレジスト層１
２に対する露光強度分布をｒ方向とθ方向とで変えて、
例えば鎖線Ｓで示す基板１１の面における光強度レベル
での幅がｒ方向で小、θ方向で大とすることによって、
図１及び図２で示すように、フォトレジスト層１２に形
成された開口１３の基板側での開口幅Ｗ２ｒ及びＷ２ｃ
を、Ｗ２ｒ＜Ｗ２ｃとする。
線及び破線曲線で示すように、単にフォトレジスト層１
２に対する露光強度分布をｒ方向とθ方向とで変えて、
例えば鎖線Ｓで示す基板１１の面における光強度レベル
での幅がｒ方向で小、θ方向で大とすることによって、
図１及び図２で示すように、フォトレジスト層１２に形
成された開口１３の基板側での開口幅Ｗ２ｒ及びＷ２ｃ
を、Ｗ２ｒ＜Ｗ２ｃとする。
【００２４】このようにして開口１３を通じて基板１１
をエッチングすることによって形成する凹部１９のθ方
向に関してのみ、この凹部１９の幅ＷＰを、ランド部の
幅ＷＬ と等しいか少くともほぼ等しくするのである。
をエッチングすることによって形成する凹部１９のθ方
向に関してのみ、この凹部１９の幅ＷＰを、ランド部の
幅ＷＬ と等しいか少くともほぼ等しくするのである。
【００２５】即ち、上述したように、図４に示すように
、光ディスク１７として例えば“１”または“０”の記
録部としての凹部（ピット）１６を形成する場合、フォ
トレジスト層１２への露光に際してのｒ方向とθ方向の
光強度分布の選定によって凹部１９の各幅ＷＰ とＷＬ
とを等しいかほぼ等しくし、即ちデューティ１：１（
５０％）とすることができるものである。
、光ディスク１７として例えば“１”または“０”の記
録部としての凹部（ピット）１６を形成する場合、フォ
トレジスト層１２への露光に際してのｒ方向とθ方向の
光強度分布の選定によって凹部１９の各幅ＷＰ とＷＬ
とを等しいかほぼ等しくし、即ちデューティ１：１（
５０％）とすることができるものである。
【００２６】実施例
図１及び図２にそれぞれｒ方向及びθ方向の断面図を示
すように、基板１１上に例えばポジ型のフォトレジスト
層１２を塗布し、後述する露光を行い現像処理して開口
１３を形成する。
すように、基板１１上に例えばポジ型のフォトレジスト
層１２を塗布し、後述する露光を行い現像処理して開口
１３を形成する。
【００２７】そして、この開口１３を通じて基板１１を
、垂直異方性を有するＲＩＥ等によってエッチングして
凹部１９を形成し、フォトレジスト層１２を排除してこ
の凹部１９を情報ピットとする光ディスクを得るか、或
いは、これの上にＮｉ等の金属層を例えば無電解メッキ
及び電気メッキを行って、この金属層を基板１１から剥
離してスタンパーを作製し、これより光ディスクを成型
するか、更に或る場合は、同様のメッキによってスタン
パー形成のマスターを形成し、これに基いて複数のスタ
ンパーを形成して目的とする光ディスク１７を成型する
。
、垂直異方性を有するＲＩＥ等によってエッチングして
凹部１９を形成し、フォトレジスト層１２を排除してこ
の凹部１９を情報ピットとする光ディスクを得るか、或
いは、これの上にＮｉ等の金属層を例えば無電解メッキ
及び電気メッキを行って、この金属層を基板１１から剥
離してスタンパーを作製し、これより光ディスクを成型
するか、更に或る場合は、同様のメッキによってスタン
パー形成のマスターを形成し、これに基いて複数のスタ
ンパーを形成して目的とする光ディスク１７を成型する
。
【００２８】基板１１は、例えばガラス基板より形成し
、その表面にシランカップリング処理することによって
フォトレジスト１２を良好に密着させる。
、その表面にシランカップリング処理することによって
フォトレジスト１２を良好に密着させる。
【００２９】そして特に本発明においては、フォトレジ
スト層１２に対する露光を、記録情報に応じて、オン・
オフないしは強度変調された光ビーム、例えはレーザ光
を、ｒ方向と、θ方向とで異なる光強度分布を有する光
とする。
スト層１２に対する露光を、記録情報に応じて、オン・
オフないしは強度変調された光ビーム、例えはレーザ光
を、ｒ方向と、θ方向とで異なる光強度分布を有する光
とする。
【００３０】例えば、図３に実線曲線で示すθ方向の強
度分布と、破線曲線で示すｒ方向の強度分布とが、例え
ば、その光量（図３中の各曲線で描かれる面積）及びピ
ーク値はほぼ同じであるが、ｒ方向分布に関してはピー
ク値近傍で急峻、即ち裾広がりで、θ方向分布に関して
はピーク値近傍で緩やかとする。
度分布と、破線曲線で示すｒ方向の強度分布とが、例え
ば、その光量（図３中の各曲線で描かれる面積）及びピ
ーク値はほぼ同じであるが、ｒ方向分布に関してはピー
ク値近傍で急峻、即ち裾広がりで、θ方向分布に関して
はピーク値近傍で緩やかとする。
【００３１】つまり、露光ビームの、フォトレジスト層
１２を浸透して基板１１の面に到る光強度レベルＳでの
幅がθ方向に関して大となるように図６で示す光強度の
等高線が生じるようにする。
１２を浸透して基板１１の面に到る光強度レベルＳでの
幅がθ方向に関して大となるように図６で示す光強度の
等高線が生じるようにする。
【００３２】図７に、基板１１上のフォトレジスト層１
２に対する露光手段の一例の略線的構成図を示す。
２に対する露光手段の一例の略線的構成図を示す。
【００３３】この例では露光光源としての例えばレーザ
２１からのレーザ光ｈνを集光レンズ系２２を介して光
音響変調器いわゆるＡＯＭ２３に導入し、これによって
、記録情報に応じてスイッチングさせ、これによって変
調された光を、コリメータレンズ系２４によって平行光
線として、これを、ｒ方向に対応する方向とθ方向に対
応する方向とで、異なるスポット系φｒ 及びφｃ と
する制御手段２５と、集光レンズ系２６と対物レンズ系
２７との共働によってｒ方向とθ方向とで異なる光強度
分布を生じさせ、例えば回転する基板１１上のフォトレ
ジスト層１２に照射し、これの上を渦巻状に、即ちｒ方
向及びθ方向に変位させて走査する。
２１からのレーザ光ｈνを集光レンズ系２２を介して光
音響変調器いわゆるＡＯＭ２３に導入し、これによって
、記録情報に応じてスイッチングさせ、これによって変
調された光を、コリメータレンズ系２４によって平行光
線として、これを、ｒ方向に対応する方向とθ方向に対
応する方向とで、異なるスポット系φｒ 及びφｃ と
する制御手段２５と、集光レンズ系２６と対物レンズ系
２７との共働によってｒ方向とθ方向とで異なる光強度
分布を生じさせ、例えば回転する基板１１上のフォトレ
ジスト層１２に照射し、これの上を渦巻状に、即ちｒ方
向及びθ方向に変位させて走査する。
【００３４】ｒ方向とθ方向とで光強度分布を異ならし
める態様の一例を図７の光路図を参照して説明する。図
７において、実線は、θ方向に対応する方向に沿う断面
での光路を示し、破線は、ｒ方向に対応する方向に沿う
断面での光路を示す。この場合、後に詳述する制御手段
２５によってθ方向に対応する方向のスポット系φｃ
と、ｒ方向に対応する方向のスポット系φｒ とが、φ
ｃ ＜φｒ とされた露光ビームが集光レンズ系２６に
入って来るものとする。
める態様の一例を図７の光路図を参照して説明する。図
７において、実線は、θ方向に対応する方向に沿う断面
での光路を示し、破線は、ｒ方向に対応する方向に沿う
断面での光路を示す。この場合、後に詳述する制御手段
２５によってθ方向に対応する方向のスポット系φｃ
と、ｒ方向に対応する方向のスポット系φｒ とが、φ
ｃ ＜φｒ とされた露光ビームが集光レンズ系２６に
入って来るものとする。
【００３５】集光レンズ系２６と対物レンズ系２７は通
常におけると同様に、光軸Ｏ−Ｏに関して軸対称性を有
する。
常におけると同様に、光軸Ｏ−Ｏに関して軸対称性を有
する。
【００３６】この場合、集光レンズ系２６に入る光の径
がφｃ ＜φｒ であることによって、対物レンズ系２
７に導入する光は、ｎｓｉｎｕ（ｎ：屈折率、ｕ入射光
の光軸となす入射角）で決まる開口数Ｎ．Ａ．がｒ方向
に対応する方向とθ方向に対応する方向とで異なること
からその出射光によるフォトレジスト層１２におけるビ
ームスポットはｒ方向に対応する方向とθ方向に対応す
る方向とで相違し、図３及び図５で示す分布とすること
ができる。
がφｃ ＜φｒ であることによって、対物レンズ系２
７に導入する光は、ｎｓｉｎｕ（ｎ：屈折率、ｕ入射光
の光軸となす入射角）で決まる開口数Ｎ．Ａ．がｒ方向
に対応する方向とθ方向に対応する方向とで異なること
からその出射光によるフォトレジスト層１２におけるビ
ームスポットはｒ方向に対応する方向とθ方向に対応す
る方向とで相違し、図３及び図５で示す分布とすること
ができる。
【００３７】また、この集光レンズ系２６に入射させる
ｒ方向とθ方向とで異なるスポット径を有するビームを
形成する制御手段２５としては、例えば、図８に示すよ
うに、ｒに対応する方向の幅Ｗｓｒと、θ方向に対応す
る方向の幅ＷｓｃとがＷｓｒ＞Ｗｓｃのスリット２８を
有する光遮蔽体２９によって構成することができる。
ｒ方向とθ方向とで異なるスポット径を有するビームを
形成する制御手段２５としては、例えば、図８に示すよ
うに、ｒに対応する方向の幅Ｗｓｒと、θ方向に対応す
る方向の幅ＷｓｃとがＷｓｒ＞Ｗｓｃのスリット２８を
有する光遮蔽体２９によって構成することができる。
【００３８】或いは図９に示すように、例えばｒ方向に
対応する方向に関してレンズ作用を有するシリンドリカ
ル集光レンズ３０とシリンドリカルコリメートレンズ３
１との組合せ、集光レンズ３０の焦点距離ｆ０ とコリ
メートレンズ３１の焦点距離ｆ１ とがｆ１ ＞ｆ０
とした構成とすることによって、集光レンズ３０に入射
する光の径をｒ方向に対応する方向に関してのみ大とす
ることができる。
対応する方向に関してレンズ作用を有するシリンドリカ
ル集光レンズ３０とシリンドリカルコリメートレンズ３
１との組合せ、集光レンズ３０の焦点距離ｆ０ とコリ
メートレンズ３１の焦点距離ｆ１ とがｆ１ ＞ｆ０
とした構成とすることによって、集光レンズ３０に入射
する光の径をｒ方向に対応する方向に関してのみ大とす
ることができる。
【００３９】更に、他の例としては、図示しないが、出
射光の断面がやや偏平となる特性を示すＡＯＭをシリン
ドリカル集光レンズとシリンドリカルコリメートレンズ
間に配し、集光レンズの焦点距離を、コレメートレンズ
の焦点距離より大とする構成として制御手段２５を構成
することもできる。
射光の断面がやや偏平となる特性を示すＡＯＭをシリン
ドリカル集光レンズとシリンドリカルコリメートレンズ
間に配し、集光レンズの焦点距離を、コレメートレンズ
の焦点距離より大とする構成として制御手段２５を構成
することもできる。
【００４０】上述した露光手段を用いてフォトレジスト
層１２への露光を行って現像処理を行えば、図１及び図
２に示したｒ方向とθ方向とで異なる幅を有する開口１
３を形成することができ、これをエッチングマスクとし
て異方性エッチングを行えば目的とする凹部１９の形成
を行うことができる。
層１２への露光を行って現像処理を行えば、図１及び図
２に示したｒ方向とθ方向とで異なる幅を有する開口１
３を形成することができ、これをエッチングマスクとし
て異方性エッチングを行えば目的とする凹部１９の形成
を行うことができる。
【００４１】即ち、凹部１９は、ｒ方向に関しては、図
１に示すように、充分小さい開口幅Ｗ２ｒによって形成
された小なる幅とされて、ピッチＰｒ が充分小さく選
ばれ、θ方向に関しては、一定のピッチＰｃ において
、開口幅Ｗ２ｃによってデューティ１：１とされる。
１に示すように、充分小さい開口幅Ｗ２ｒによって形成
された小なる幅とされて、ピッチＰｒ が充分小さく選
ばれ、θ方向に関しては、一定のピッチＰｃ において
、開口幅Ｗ２ｃによってデューティ１：１とされる。
【００４２】そして、この凹部１９を有する基板１１に
よって、或いはこれに基いて光ディスク１７を作製する
ことができる。尚、上述した例では、ガラス基板等より
成る基板１１に凹部１９を形成した場合であるが、図１
２で説明したと同様に、基板１１としてガラス基板本体
上に所要の厚さの金属層を表面層として有する基板を用
い、この金属層にフォトレジスト層１２の開口１３を通
じてのエッチングを行って金属層の厚さに相当する深さ
の凹部１９を形成することもできるなど、種々の変型変
更を行うことができる。
よって、或いはこれに基いて光ディスク１７を作製する
ことができる。尚、上述した例では、ガラス基板等より
成る基板１１に凹部１９を形成した場合であるが、図１
２で説明したと同様に、基板１１としてガラス基板本体
上に所要の厚さの金属層を表面層として有する基板を用
い、この金属層にフォトレジスト層１２の開口１３を通
じてのエッチングを行って金属層の厚さに相当する深さ
の凹部１９を形成することもできるなど、種々の変型変
更を行うことができる。
【００４３】
【発明の効果】上述したように、本発明方法によって得
た光ディスクは周方向、即ち、光ディスク上での読み出
し光の走査方向に関してデューティ５０％としたことに
よってＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）にすぐれた光ディスクを得るこ
とができる。
た光ディスクは周方向、即ち、光ディスク上での読み出
し光の走査方向に関してデューティ５０％としたことに
よってＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）にすぐれた光ディスクを得るこ
とができる。
【００４４】そして、本発明方法では、このように、ｒ
方向断面とθ方向断面とで相違する露光を行うものであ
るが、この露光を同一露光ビームで行うので、露光作業
が繁雑となることが回避される。
方向断面とθ方向断面とで相違する露光を行うものであ
るが、この露光を同一露光ビームで行うので、露光作業
が繁雑となることが回避される。
【図１】本発明製法の一工程における光ディスクの半径
ｒ方向の断面図である。
ｒ方向の断面図である。
【図２】本発明製法の一製法工程における光ディスクの
周θ方向の断面図である。
周θ方向の断面図である。
【図３】本発明製法における露光ビームの光強度分布図
である。
である。
【図４】本発明製法によって得た光ディスクの一例の要
部の平面図である。
部の平面図である。
【図５】露光ビームの等光強度線図である。
【図６】露光手段の一例の構成図である。
【図７】ｒ方向及びθ方向断面の光路図である。
【図８】露光ビームの制御手段の一例の正面図である。
【図９】露光ビームの制御手段の他の例の光路図である
。
。
【図１０】従来の作製方法の工程図である。
【図１１】フォトレジストへの開口形成の説明図である
。
。
【図１２】光ディスクの作製方法の工程図である。
１１ 基板
１２ フォトレジスト
１３ 開口
１９ 凹部
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にフォトレジスト層を形成し、
このフォトレジスト層に記録情報に応じた選択的露光及
び現像を行って、上記フォトレジスト層に露光入射側の
面での開口幅に比して反対の上記基板側の開口幅が小さ
い形状の開口を形成し、この開口を通じて上記基板に対
しエッチングを行う工程を有する高密度光ディスクの作
製方法において、上記開口を形成する露光ビームスポッ
トの光強度分布を、光ディスクの半径方向と、円周方向
とで変えて、上記開口の上記基板側の開口幅が、上記半
径方向で大に、上記円周方向で小にしたことを特徴とす
る高密度光ディスクの作製方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023013A JP2982328B2 (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 高密度光ディスクの作製方法 |
| EP92100940A EP0496358B1 (en) | 1991-01-23 | 1992-01-21 | Making method for high-density optical disk |
| DE69214851T DE69214851T2 (de) | 1991-01-23 | 1992-01-21 | Herstellungsverfahren für optische Platte mit hoher Schreibdichte |
| US07/824,568 US5230770A (en) | 1991-01-23 | 1992-01-23 | Making method for high-density optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023013A JP2982328B2 (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 高密度光ディスクの作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04248145A true JPH04248145A (ja) | 1992-09-03 |
| JP2982328B2 JP2982328B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=12098612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3023013A Expired - Fee Related JP2982328B2 (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 高密度光ディスクの作製方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5230770A (ja) |
| EP (1) | EP0496358B1 (ja) |
| JP (1) | JP2982328B2 (ja) |
| DE (1) | DE69214851T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228562B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-05-08 | Nec Corporation | Method for manufacturing recording original disc for optical information recording media |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2693289B2 (ja) * | 1991-08-09 | 1997-12-24 | シャープ株式会社 | 光メモリ |
| JPH05198016A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子用原盤及びその製造方法 |
| US5783371A (en) * | 1994-07-29 | 1998-07-21 | Trustees Of Boston University | Process for manufacturing optical data storage disk stamper |
| US5503963A (en) * | 1994-07-29 | 1996-04-02 | The Trustees Of Boston University | Process for manufacturing optical data storage disk stamper |
| US6321028B1 (en) * | 1995-06-12 | 2001-11-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical disk recording/reproduction apparatus for recording/reproducing information to/from optical disk of different standards |
| KR19990063832A (ko) * | 1995-09-29 | 1999-07-26 | 세이즈 테크놀러지, 인코오포레이티드 | 광학 디지탈 매체 기록 및 재생 시스템 |
| JPH10289475A (ja) * | 1997-04-16 | 1998-10-27 | Sony Corp | 露光装置 |
| WO1999012740A1 (fr) * | 1997-09-10 | 1999-03-18 | Seiko Epson Corporation | Structure poreuse, tete d'enregistrement par jet d'encre, procedes de fabrication et dispositif d'enregistrement par jet d'encre |
| JP3938253B2 (ja) | 1997-12-26 | 2007-06-27 | 日本板硝子株式会社 | 樹脂正立等倍レンズアレイおよびその製造方法 |
| US6583933B2 (en) | 2001-05-16 | 2003-06-24 | The Regents Of The University Of California | Reflective diffraction grating |
| WO2003020488A1 (de) * | 2001-08-30 | 2003-03-13 | Zeptosens Ag | Verfahren zur herstellung von abformkörpern, insbesondere optischen strukturen, und deren verwendung |
| JP4777313B2 (ja) * | 2007-08-16 | 2011-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 光学読取用の情報記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4544443A (en) * | 1983-05-13 | 1985-10-01 | Shap Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing an optical memory element |
| DE3583754D1 (de) * | 1984-03-16 | 1991-09-19 | Sharp Kk | Verfahren zur herstellung eines optischen speicherelements. |
| DE3503976A1 (de) * | 1985-02-06 | 1986-08-07 | VEGLA Vereinigte Glaswerke GmbH, 5100 Aachen | Flachglas-transportgestell fuer innenladerfahrzeuge |
| DE3511712C2 (de) * | 1985-03-29 | 1995-09-07 | Polygram Gmbh | Plattenförmiger Informationsträger und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JPS62128944A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-11 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| DE3719200A1 (de) * | 1987-06-09 | 1988-12-29 | Ibm Deutschland | Optische speicherplatte und verfahren zu ihrer herstellung |
| JPS6486344A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Victor Company Of Japan | Information recording carrier and production thereof |
| JP2723986B2 (ja) * | 1989-08-02 | 1998-03-09 | 株式会社日立製作所 | 光ディスク原盤の作製方法 |
| JP2754785B2 (ja) * | 1989-09-20 | 1998-05-20 | ソニー株式会社 | 高密度光ディスクの製造方法 |
-
1991
- 1991-01-23 JP JP3023013A patent/JP2982328B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-01-21 DE DE69214851T patent/DE69214851T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-21 EP EP92100940A patent/EP0496358B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-23 US US07/824,568 patent/US5230770A/en not_active Expired - Fee Related
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| US6228562B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-05-08 | Nec Corporation | Method for manufacturing recording original disc for optical information recording media |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0496358A1 (en) | 1992-07-29 |
| JP2982328B2 (ja) | 1999-11-22 |
| DE69214851D1 (de) | 1996-12-05 |
| DE69214851T2 (de) | 1997-05-15 |
| US5230770A (en) | 1993-07-27 |
| EP0496358B1 (en) | 1996-10-30 |
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|---|---|---|---|
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