JP2004005872A - 光ディスク原盤作製方法および光ディスクとその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子線記録装置で化学増幅型レジストを使用してＰＷＭ信号ピットを記録する場合において、ピットエッジ形状を改善するＰＥＢ条件を設定すると、露光部に発生した酸の拡散量の違いから長短ピットの形状にずれが生じるという課題があった。
【解決手段】マルチパルス信号で露光記録することによって、ピットエッジ形状を改善するＰＥＢ条件で、かつピット形状を所定の形状に調整する。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学増幅型レジストを使用し記録する光ディスク原盤作製方法、およびその光ディスク原盤を使用し作製した光ディスクとその製造方法に関し、特に高密度光ディスク原盤作製方法、および光ディスクとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、光ディスクは、レーザや電子線などを光源とした光ディスク原盤記録装置を使用し、フォトレジストが塗布された原盤を露光し、現像することによって表面に情報ピットや溝などの凹凸パターンが形成された光ディスク原盤を作製する工程と、光ディスク原盤から凹凸パターンを転写したスタンパと呼ばれる金属金型を作製する工程と、スタンパを使用して樹脂製の成形基板を作製する工程と、成形基板に記録膜や反射膜などを成膜し、貼りあわせる工程からなる。
【０００３】
近年、光ディスクの高密度化が進み、光ディスク原盤記録装置に使われる光源の短波長化が著しい。現在開発が行われている高密度ディスクでは、電子線による記録の必要性も高まってきている。本発明では、電子線記録についての一例を用いて説明を行う。
【０００４】
電子線を用いて、光ディスク原盤を作製するとき、露光に使用する電子線記録装置は、一般的に次のような構成からなっている。図２に電子線記録装置の装置構成を示す。電子線記録装置は、電子線を発生させる電子線源と、放出された電子線をレジスト原盤に収束させ、入力される情報信号に応じてレジスト原盤上に情報パターンを記録するための電子光学系からなる。
【０００５】
電子線源は、電流を流すことで電子を放出させるフィラメント２０１、放出された電子を閉じ込めるサプレッサ電極２０２、サプレッサ２０２に設けられたピンホールから電子線を引き出し、加速するエクストラクタ電極２０３から構成されている。
【０００６】
電子光学系は、次の構成からなる。電子線を収束させるレンズ２０４、電子線のビーム径を決定するアパーチャ２０５、情報信号に応じて電子線の方向を任意の方向に曲げる電極２０６、遮蔽板２０７、レジスト原盤２１０表面に電子線を収束させるレンズ２０８、電子線の収差成分を補正する収差補正電極２０９からなっている。また、レジスト原盤２１０は回転ステージ２１１上に固定されており、スライダ２１２によって、回転ステージ２１１ごと移動できるようになっている。電極２０６では、供給される情報信号２１３に応じて、露光するときは、電子線をレジスト原盤に向かって照射するように、そして露光しないときは、電子線の進行方向を遮蔽板２０７側に曲げ、電子線を遮蔽させるように動作させている。
【０００７】
電子線はレンズ２０４で、電極２０６の中心に向かって収束され、レンズ２０８でレジスト原盤２１０に向かって収束される。電極２０６に電圧を供給し、電子線の進行方向を変化させたとしても、レジスト原盤２１０上では、電子線の照射位置が変化しないようにしている。
【０００８】
情報信号２１３として、図３に示すような信号が電極２０６に入力される。所望の長さのピット３０４を記録するため、回転するレジスト原盤の線速にあわせて長さが決定されたパルス３０１を情報信号として用いる。電極２０６には信号３０２が入力される。この信号は、スレッショルド電圧３０３以上のとき、電子線は電極２０６で曲げられることなく、レジスト原盤に照射される。また、スレッショルド電圧３０３以下の電圧が電極２０６に入力されると、電子線は遮蔽板２０７側に曲げられ、遮蔽板２０７で遮蔽される。
【０００９】
また、電子線記録で使用されるフォトレジストとしては、遠紫外線レーザなどで使用されるレジストも用いることができるが、一般的に電子線露光用の感光材料からなるレジストが用いられることが多い。そして、シリコンウェハなどの原盤の上に、電子線用レジストを所望の厚みに塗布し、図２に示すような電子線記録装置内に投入され、露光記録される。
【００１０】
露光された原盤は、現像され、情報ピットや溝などの凹凸形状が形成される。凹凸形状が形成されたレジスト原盤にスパッタなどによってニッケルなどの導電材料薄膜を形成し、これを電極としてメッキされ、スタンパと呼ばれる樹脂成形用の金型が作製される。このスタンパを金型として、射出成形などによって、凹凸パターンが転写された樹脂基板を作製し、これに成膜や貼り合わせなどをすることによってディスクが完成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従来の電子線記録で用いられている一般的な電子線用フォトレジストは、照射された電子線のビーム形状を良く再現し得るが、一般的に露光感度が弱く、例えば記録容量２０ＧＢ以上の再生専用次世代ＤＶＤなどで用いられる所望のピットパターンを作製するためには、単位面積あたりにかなりの量の電子線がレジスト面に照射される必要がある。電子顕微鏡などに比べ１０倍以上の電子線量が一般的には必要となる。電子線記録装置では、単位面積あたりのレジスト面に照射する電子線量を増やすためには、電子線を引き出すエクストラクタ電極に加える電圧を高めるなど、発生した電子をできるだけ多く引き出し、レジスト面に照射する電子線量を高める方法や、または引き出される電子線量は同じ、すなわち、レジスト面に照射される電子線量は同じにした状態で、レジスト原盤の回転速度をおとすことによって、記録線速を遅くし、相対的に単位面積あたりに照射される電子線量を増やすなどの方法がある。しかし、エクストラクタ電極に加える電圧を高める方法は、電子線源において異常放電などのトラブルを誘発する確率を高め、装置の安定動作の妨げとなる。また、レジスト原盤の回転速度を落とし、記録線速を遅くすることは、露光記録時間を長くすることにつながり、生産性を著しく低下させるため、光ディスクの量産を考慮すると好ましくない。また、露光時間が長くなると１枚の原盤の中で、最初に露光された部分と最後に露光された部分とで、レジスト材料の変質などにより状態が変化する可能性も考えられ、記録の再現性も低下する可能性がある。また、一般的な電子線用レジストは、現像液として、特殊な溶剤を用いるものも有り、従来のレーザ記録装置などで使用されるノボラック系レジストの現像に用いられる現像装置などを使用できないことも多い。
【００１２】
電子線用に用いられるフォトレジストとして、一般的な電子線用レジストを用いたもの以外に化学増幅型レジストと呼ばれるレジスト材料が用いられることもある。この材料は、電子線や遠紫外線レーザなどの短波長レーザなどで用いることができるもので、従来のレジストに比べ、露光感度が高く、単位面積あたりの電子線の照射量は少なくてすむ特徴を有している。そのため、電子線記録装置への負担も小さく、また、記録線速を高めることができ、生産性を高めることができる。
【００１３】
化学増幅型レジストは、電子線が照射された部分に酸が発生し、露光後の熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）によって、発生した酸を触媒として、レジスト反応が進行する特徴をもつ。露光部に発生した酸はＰＥＢ時に露光部から周辺部に拡散していき、レジスト反応を行う。そのため、現像後に現れるパターンは、露光した部分の形状そのものではなく、酸の拡散運動にともなって露光部の周辺へ広がった形状となる。
【００１４】
従来の図３に示すような、１つのピットを１つのパルスで露光記録する情報パターンを使用し、レジスト原盤上に電子線を照射した場合、短ピットを形成するために照射される短いパルスパターンと、長ピットを形成するために照射される長いパルスパターンとでは、レジスト原盤の露光部に発生する酸の総量が大きく異なってしまう。露光後のＰＥＢ処理時に発生した酸が露光部から周辺部へ拡散していくが、短ピットと長ピットでは露光部に発生した総量が異なることから、ＰＥＢ処理による酸の拡散量が異なり、短ピット露光部の酸の拡散量に比べ、長ピット露光部の酸の拡散量が大きくなる。したがって、ＰＥＢ処理後、現像によって凹凸形状を形成すると、短ピットに対して長ピットが結果的に大きくなり、ピットの長さも、幅も、目的のものからずれてしまうという課題がある。ピットの長さが情報として認識されるＰＷＭ信号の場合、目的のピットの長さからのずれは、信号ジッタの悪化につながる。そのため、化学増幅型レジストを使用する場合、通常、ＰＥＢ時に使用する温度は、酸の拡散量があまり大きくならないレベルに設定される。ここでは、この温度を標準仕様温度と名付けることにする。しかし、標準仕様温度では、酸の拡散が均一性を失い、形成されるピット形状がばらつく、またはエッジにがたつきが残る傾向があり、同じパターンのピットを形成するとき、再現性が取りづらいという課題があった。
【００１５】
また、ＵＶ硬化樹脂によって、転写を繰り返し多層ディスクを作製する場合、再生光から見て一番奥となる第１情報層は、射出成形によって形成された第１基板上のピットに対して、反射膜がスパッタリングされて構成されるため、元の基板のピット形状に対して、反射膜が形成される分だけピットが小さくなる。
【００１６】
また、転写して構成される転写ピットは、ＵＶ樹脂の転写性などによって、転写スタンパのピット形状に対して、小さくなる傾向にある。特に短いピットなどは顕著に小さくなってしまうため、短いピットと長いピットの間でピット幅などのバランスが大きくくずれてしまうこともある。
【００１７】
本発明は従来の課題に鑑み、生産性の向上と電子線記録装置への負担を小さくするため、レジスト材料として、化学増幅型レジストを用い、かつピット形状の再現性を確保しつつ、所望のピットパターンを記録することを目的とする。
【００１８】
また、多層ディスクを作製する場合に、転写ピットの形状が最適となるように、転写スタンパ上の転写用情報面のピット形状を最適化する、または、各層のピット形状がほぼ同じとなるように、基板上のピット形状を最適化し合わせ込むことを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の光ディスク原盤作製方法は、化学増幅型レジストを塗布し、レジスト原盤を作製する工程と、情報信号を時間的に対称なマルチパルス信号に変換する工程と、前記マルチパルス信号に応じて前記レジスト原盤を露光記録する工程と、露光された前記レジスト原盤を加熱処理する工程と、前記レジスト原盤を現像することによって信号ピットを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２０】
次に本発明の光ディスクは、化学増幅型レジストを塗布し、レジスト原盤を作製し、情報信号を時間的に対称なマルチパルス信号に変換し、前記マルチパルス信号に応じて前記レジスト原盤を露光記録し、露光された前記レジスト原盤を加熱処理し、前記レジスト原盤を現像することによって信号ピットを形成して作製された光ディスク原盤を用いて作製された光ディスクであって、転写した情報面の各ピット幅が略同じであることを特徴とする。
【００２１】
次に本発明の光ディスクの製造方法は、少なくとも片面に少なくとも凹形状のピットを含む信号層からなる転写用情報面が形成された転写スタンパを作成する工程と、前記転写用情報面に光硬化樹脂が接した状態で、ベース基板と前記転写スタンパを、前記転写用情報面とベース基板が向かい合うように貼り合せる工程と、前記転写スタンパを前記光硬化樹脂との界面で剥離して前記転写スタンパの前記転写用情報面を前記光硬化樹脂に転写する工程を含む光ディスクの製造方法であって、前記転写スタンパにより、転写した情報面の各ピット幅が略同じとなるように形成することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明では、ピット形状の再現性を確保するため、またはエッジ形状の改善を図るため、ＰＥＢ時の温度設定を標準仕様温度以上に設定し、酸の拡散量が十分大きくなるようにした。また、酸の拡散量が大きくなることによって、長さの異なるピットの長さ、および幅が目的の形状からずれてしまう課題については、従来長さの異なる各ピットをそれぞれ所定の長さの１つのパルスで露光するのに対して、それぞれを複数のパルスに分割、つまりマルチパルス信号で露光することによって、露光面積を調整し、目的のピット形状が形成できるようにした。特に、時間的に対称なマルチパルス信号パターンを採用することによって、所望のピット形状が得られるようにした。
【００２３】
また、多層ディスクを作製する場合に、ＵＶ硬化樹脂によって転写された転写ピットがピットの長さによって、バランスが崩れることに対して、転写スタンパを作製するときにマルチパルス信号によって、転写後のピットのバランスが取れるように記録を最適化した。
【００２４】
また、第１基板上のピットが反射膜が構成されることによって小さくなることと、転写ピットがＵＶ樹脂の転写性などによって転写スタンパ上のピットから大きさが変化することに対して、各層のピット形状が同じになるように転写スタンパのピット形状をマルチパルス信号によって最適化した。
【００２５】
具体的には、以下のとおりである。
【００２６】
光ディスク原盤製造方法は、化学増幅型レジストを塗布し、レジスト原盤を作製する工程と、情報信号を時間的に対称なマルチパルス信号に変換する工程と、前記マルチパルス信号に応じて前記レジスト原盤を露光記録する工程と、露光された前記レジスト原盤を加熱処理する工程と、前記レジスト原盤を現像することによって信号ピットを形成する工程を少なくとも含む工程からなる。これにより上記目的が達成される。
【００２７】
前記マルチパルス信号は、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの２個のパルスを始端パルス、終端パルスにし、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から４番目の第４ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなっていてもよい。
前記第１ピットが、２Ｔピットであってもよい。
【００２８】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、１３０％以下であってもよい。
前記始端パルス、および前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１３０％以下であってもよい。
【００２９】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、１３０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１３０％以下であってもよい。
【００３０】
前記第１ピットが、３Ｔピットであってもよい。
【００３１】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、８０％以下であってもよい。
前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１００％以下であってもよい。
【００３２】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、８０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１００％以下であってもよい。
【００３３】
前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの始端パルス、終端パルスの２個のパルスからなり、短い方から４番目の第４ピットに対しては、略同じ長さの前記始端パルスと前記終端パルスと、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から５番目の第５ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなっていてもよい。
【００３４】
前記第１ピットが、３Ｔピットであってもよい。
【００３５】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、８０％以下であってもよい。
【００３６】
前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、９０％以上、１１０％以下であってもよい。
【００３７】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、８０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、９０％以上、１１０％以下であってもよい。
【００３８】
前記中間パルスのデューティ比が、４５％以上、６５％以下であってもよい。
【００３９】
前記前パルスと前記後パルスの間のスペース部、または前記始端パルスと前記終端パルスの間のスペース部の出力レベルが、各パルスの最大出力の５０％以下であってもよい。
【００４０】
前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらしてもよい。
【００４１】
前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらしてもよい。
【００４２】
前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらし、同時に、前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらしてもよい。
【００４３】
露光された前記レジスト原盤を加熱する温度が、標準仕様温度以上、かつ変質温度以下であってもよい。また、電子線記録装置で露光記録してもよい。
【００４４】
また、次のように作製された光ディスク原盤を用いて、作製された光ディスクであって、化学増幅型レジストを塗布し、レジスト原盤を作製する工程と、情報信号を時間的に対称なマルチパルス信号に変換する工程と、前記マルチパルス信号に応じて前記レジスト原盤を露光記録する工程と、露光された前記レジスト原盤を加熱処理する工程と、前記レジスト原盤を現像することによって信号ピットを形成する工程を少なくとも含む工程で作製された光ディスク原盤を用いてもよい。
【００４５】
前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの２個のパルスを始端パルス、終端パルスにし、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から４番目の第４ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなっている光ディスク原盤を用いてもよい。
【００４６】
前記第１ピットが、２Ｔピットである光ディスク原盤を用いてもよい。
【００４７】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、１３０％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。
前記始端パルス、および前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１３０％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。
【００４８】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、１３０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１３０％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。
【００４９】
前記第１ピットが、３Ｔピットである光ディスク原盤を用いてもよい。
【００５０】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、８０％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１００％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。
【００５１】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、８０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１００％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。
【００５２】
前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの始端パルス、終端パルスの２個のパルスからなり、短い方から４番目の第４ピットに対しては、略同じ長さの前記始端パルスと前記終端パルスと、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から５番目の第５ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなる光ディスク原盤を用いてもよい。
【００５３】
前記第１ピットが、３Ｔピットである光ディスク原盤を用いてもよい。
【００５４】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、８０％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、９０％以上、１１０％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。
【００５５】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、８０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、９０％以上、１１０％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。
【００５６】
前記中間パルスのデューティ比が、４５％以上、６５％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。
【００５７】
前記前パルスと前記後パルスの間のスペース部、または前記始端パルスと前記終端パルスの間のスペース部の出力レベルが、各パルスの最大出力の５０％以下である光ディスク原盤を用いてもよい。
【００５８】
前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらした光ディスク原盤を用いてもよい。
【００５９】
前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらした光ディスク原盤を用いてもよい。
【００６０】
前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらし、同時に、前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらした光ディスク原盤を用いてもよい。
【００６１】
露光された前記レジスト原盤を加熱する温度が、標準仕様温度以上、かつ変質温度以下である光ディスク原盤を用いてもよい。
【００６２】
電子線記録装置で露光記録する光ディスク原盤を用いてもよい。
また、少なくとも片面に少なくとも凹形状のピットを含む信号層からなる転写用情報面が形成された転写スタンパを作成する工程と、前記転写用情報面にＵＶ硬化樹脂が接した状態で、ベース基板と前記転写スタンパを、前記転写用情報面とベース基板が向かい合うように貼り合せる工程と、前記転写スタンパを前記ＵＶ硬化樹脂との界面で剥離して前記転写スタンパの前記転写用情報面を前記ＵＶ硬化樹脂に転写する工程を、少なくとも含む光ディスク製造方法であって、転写した情報面の各ピット幅が略同じとなるように前記転写スタンパを作製する。これにより上記目的が達成される。
【００６３】
片面に少なくともピットを含む第１信号層と第１反射膜によって第１情報面が形成された第１基板上に、再生光に対して略透明な樹脂からなる信号層を転写スタンパによって形成された多層光ディスクの製造方法であって、少なくとも片面にピットを含む信号層からなる転写用情報面が形成された、少なくとも１種類の転写スタンパを作製する工程と、前記転写用情報面にＵＶ硬化樹脂が接した状態で、前記第１基板と前記転写スタンパとの情報面が向かい合うように貼り合せる工程と、前記転写スタンパを前記ＵＶ硬化樹脂との界面で剥離して前記転写スタンパの前記転写用情報面を前記ＵＶ硬化樹脂に転写する工程と、からなり少なくとも１種類の転写スタンパを用いて、前記転写を前記第１基板上に少なくとも１回以上行う方法であって、前記第１情報面の信号ピット形状と、転写した情報面のピット形状が略同じになるように、前記転写スタンパを作製する。これにより上記目的が達成される。
【００６４】
片面に少なくともピットを含む第１信号層と第１反射膜によって第１情報面が形成された第１基板上に、再生光に対して略透明な樹脂からなる信号層を転写スタンパによって形成された多層光ディスクの製造方法であって、少なくとも片面にピットを含む信号層からなる転写用情報面が形成された、少なくとも１種類の転写スタンパを作製する工程と、再生光に対して略透明な樹脂からなる第２基板上に、前記転写用情報面にＵＶ硬化樹脂が接した状態で、前記転写スタンパの情報面が向かい合うように貼り合せる工程と、前記転写スタンパを前記ＵＶ硬化樹脂との界面で剥離して前記転写スタンパの前記転写用情報面を前記ＵＶ硬化樹脂に転写する工程と、前記第２基板上に少なくとも１種類の転写スタンパを用いて、前記転写を少なくとも１回以上行った後に前記第２基板の転写情報面と前記第１基板の前記第１情報面とが対向するように再生光に対して略透明な樹脂によって貼り合わせる工程と、からなり前記第１情報面の信号ピット形状と、転写した情報面のピット形状が略同じになるように、前記転写スタンパを作製する。これにより上記目的が達成される。
【００６５】
前記ＵＶ硬化樹脂の粘度が４０ｍＰａ・ｓから５００ｍＰａ・ｓであってもよい。前記第１反射膜の膜厚が、４０ｎｍから１００ｎｍであってもよい。
【００６６】
前記第１基板に形成された前記第１信号ピットのうち、最短ピットを除く、その他のピット幅に対して、前記ＵＶ硬化樹脂で転写した情報面のピットのうち、最短ピットを除く、その他のピット幅が、７０％から９５％であってもよい。
【００６７】
化学増幅型レジストを塗布し、レジスト原盤を作製する工程と、情報信号を時間的に対称なマルチパルス信号に変換する工程と、前記マルチパルス信号に応じて前記レジスト原盤を露光記録する工程と、露光された前記レジスト原盤を加熱処理する工程と、前記レジスト原盤を現像することによって信号ピットを形成する工程を少なくとも含む工程で作製された光ディスク原盤を用いて前記転写スタンパを作製してもよい。
【００６８】
前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの２個のパルスを始端パルス、終端パルスにし、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から４番目の第４ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなっていてもよい。
前記第１ピットが、２Ｔピットであってもよい。
【００６９】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上、１００％以下であってもよい。
前記始端パルス、および前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１１０％以下であってもよい。
【００７０】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上、１００％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１１０％以下であってもよい。
【００７１】
前記第１ピットが、３Ｔピットであってもよい。
【００７２】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上、８０％以下であってもよい。
【００７３】
前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１００％以下であってもよい。
【００７４】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上、８０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上、１００％以下であってもよい。
【００７５】
前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの始端パルス、終端パルスの２個のパルスからなり、短い方から４番目の第４ピットに対しては、略同じ長さの前記始端パルスと前記終端パルスと、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から５番目の第５ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなっていてもよい。
【００７６】
前記第１ピットが、３Ｔピットであってもよい。
【００７７】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上、８０％以下であってもよい。
【００７８】
前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、７０％以上、１１０％以下であってもよい。
【００７９】
前記前パルス、および前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上、８０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、７０％以上、１１０％以下であってもよい。
【００８０】
前記中間パルスのデューティ比が、４５％以上、６５％以下であってもよい。前記前パルスと前記後パルスの間のスペース部、または前記始端パルスと前記終端パルスの間のスペース部の出力レベルが、各パルスの最大出力の５０％以下であってもよい。
【００８１】
前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらしてもよい。
【００８２】
前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらしてもよい。
【００８３】
前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらし、同時に、前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらしてもよい。
【００８４】
露光された前記レジスト原盤を加熱する温度が、標準仕様温度以上、かつ変質温度以下であってもよい。
【００８５】
前記第１情報面の信号ピット、および前記転写した情報面のピットのうち、最短ピット長が０．３μｍ以下、０．１μｍ以上であってもよい。
電子線記録装置で露光記録していてもよい。
【００８６】
前記第１信号層と前記転写した情報面の密度が略同じであってもよい。
【００８７】
以下に、本発明の具体的実施の形態について説明する。
【００８８】
（実施の形態１）
本実施の形態１で使用される電子線記録装置の模式図を図４に示す。
【００８９】
電子線記録装置は、電子線を発生させる電子線源と、放出された電子線をレジスト原盤に収束させ、情報信号に応じてレジスト原盤上に情報パターンを記録するための電子光学系からなる。
【００９０】
電子線源は、電流を流すことで電子を放出させるフィラメント４０１、放出された電子を閉じ込めるサプレッサ電極４０２、サプレッサ４０２に設けられたピンホールから電子線を引き出し、加速するエクストラクタ電極４０３から構成されている。サプレッサ電極４０２には、電子を閉じ込めるために負の電圧が加えられ、対してエクストラクタ電極４０３には、正電圧が加えられる。サプレッサ電極４０２とエクストラクタ電極４０３によって生成される電場によって、フィラメント４０１から放出された電子は、電子線源から電子光学系に向かって電子線となって放出される。
【００９１】
電子線源から放出された電子線は、電子光学系に入力される。電子光学系は、次の構成からなる。電子線を収束させるレンズ４０４、電子線のビーム径を決定するアパーチャ４０５、情報信号に応じて電子線の方向を任意の方向に曲げる電極４０６、遮蔽板４０７、レジスト原盤４１０表面に電子線を収束させるレンズ４０８、電子線の収差成分を補正する補正電極４０９からなっている。またレジスト原盤４１０は回転テーブル４１１とスライダ４１２上に固定されており、任意の回転速度で回転しながら、一定方向に移動し、スパイラルに情報ピットや溝を記録できるようになっている。また、遮蔽板４０７は、電子線がまっすぐレジスト原盤４１０に照射されているときの電子線にエッジ部分が接するように配置されている。そして、電極４０６に供給される信号に応じて、露光するときは電子線をレジスト原盤に向かって照射し、露光しないときは電子線の進行方向を遮蔽板４０７側に曲げ、電子線を遮蔽させる。これによって、電極４０６に入力される信号パターンに応じて、レジスト原盤４１０に電子線を断続的に照射できることになる。また、電子線はレンズ４０４で、電極４０６の中心に向かって収束され、レンズ４０８でレジスト原盤４１０に向かって収束されるようになっており、電極４０６に電圧を供給し、電子線の進行方向を変化させたとしても、レジスト原盤４１０上では、電子線の照射位置が変化しないようにしている。
【００９２】
光ディスクの信号ピットは、信号クロックの周期Ｔの整数倍の長さのさまざまなピット列から構成されている。従来、電極４０６に入力される信号は、図３に示すように、記録線速に応じて計算される、それぞれのピットの長さに対応した長さの信号パルス列が用いられる。例えば、クロックの周期Ｔの２倍の長さに相当する２Ｔピットを露光記録する場合、所望のピット長ＰＬ（２Ｔ）（ｎｍ）と記録線速ＬＶ（ｍ／ｓ）から計算される信号パルス幅Ｌ（２Ｔ）は、Ｌ（２Ｔ）＝ＰＬ（２Ｔ）／ＬＶ（ｎｓ）となり、この時間Ｌ（２Ｔ）だけ、線速ＬＶで回転するレジスト原盤に電子線が照射されるようにする。それは、長ピットも同じで、それぞれのピット長と記録線速から計算される長さのパルスが１つのピットに対して、１つのパルスが電極４０６に入力される。しかし、本実施の形態１では、情報信号４１４は、マルチパルス変換装置４１３を通して信号変換され、元々１つのピットに対して１つのパルスであった情報信号は複数の時間的に対称なパルスに分割されたマルチパルス信号として電極４０６に入力される。
【００９３】
化学増幅型レジストは、露光記録後の熱処理（ＰＥＢ）によって、露光部に発生した酸を触媒として露光部の周辺に拡散させながら、レジスト反応を進行させる材料である。通常、化学増幅型レジスト材料にはそれぞれ特有のＰＥＢ温度が設定されており、ここでは標準仕様温度と呼ぶことにする。例えば、ＳＨＩＰＬＥＹ社製化学増幅レジストＵＶ３の場合、レジストを塗布する基板としてシリコンウェハを使用したとき、標準仕様温度として１３０度という値が設定されている。
【００９４】
化学増幅型レジストは、一般的に半導体プロセス用途に作製されているレジスト材料である。半導体プロセスでは、光ディスク用途で使用する場合に対して、約１０倍程度厚く塗布した原盤を露光記録し、レジストの厚み方向に均一にパターンが形成されれば良く、レジスト材料はそのようなパターンが形成されるように調合されていることが多い。また、標準仕様温度もその用途を考慮し、設定されている。しかし、光ディスク用途で使用した場合、半導体用途に対して、要求される形状仕様が異なってくる。標準仕様温度では、露光部に発生した酸は大きく拡散せず、露光部の形状が再現されるかわりに、ピット形状はエッジ部にがたつきが残ることが多い。これは、酸の拡散量が小さくなり、酸の拡散の均一性にばらつきが生じるためと考えられる。このエッジ部のがたつきは半導体用途では容認されても、光ディスク用途では、信号品質の悪化につながるため、容認できなくなってくる。
【００９５】
本発明では、標準仕様温度以上にＰＥＢ温度を設定してみた。図１０に標準仕様温度におけるピット形状と、標準仕様温度から約２０℃温度を高くした場合のピット形状の様子を示す模式図を示す。符号１００１は、露光に使用するパルスパターン、符号１００２はＰＥＢ温度として、標準仕様温度を使用した場合のピット形状を示す模式図、符号１００３は、ＰＥＢ温度として標準仕様温度から約２０℃温度を高く設定した場合のピット形状の模式図である。ＰＥＢ温度を標準仕様温度から上げていくと、露光部に発生する酸の拡散量が大きくなり、それに伴い、拡散の均一性が高まるため、露光部に対して大きなピット形状となってしまうが、ピットエッジのがたつきは解消される。また、ＰＥＢ温度を標準仕様温度以上に高く設定するのと同様に、ＰＥＢ時間を長く設定することによっても同じ効果が得られることがある。しかし、設定温度は、標準仕様温度、またはそれ以上の温度に設定する必要がある。
【００９６】
また、ＰＥＢ温度は上げすぎると、レジスト材料の変質が生じ、レジスト材料としての性能を失ってしまう。この温度をここでは変質温度と呼ぶことにする。図５にＰＥＢ温度と酸の拡散量の関係を簡単に表したグラフを示す。ＰＥＢ温度の条件を、図５に示す、標準仕様温度以上で、変質温度以下に設定することによって、ピットエッジ形状を良化することが可能である。
【００９７】
図６のように、１つの信号ピットに対して、符号６０１に示す通り１つのパルスで露光記録した場合、短いピットの露光部と、長いピットの露光部の露光面積の違いから、露光部に発生する酸の総量が異なり、ＰＥＢ温度を標準仕様温度以上、変質温度以下に設定すると、十分酸が拡散された結果、符号６０２に示す露光部に対して、符号６０３に示すように形成されるピットは、短ピットと長ピットのピット幅およびピット長の差違が顕著となり、所定のピット長、ピット幅からずれが生じてしまう。
【００９８】
図４に示した電子線記録装置と化学増幅型レジストを用い、本実施の形態１では、再生波長４００ｎｍ程度の青紫レーザで再生される容量２０ＧＢ以上の再生専用ＤＶＤディスクの作製を試みた。変調方式は１−７ＰＰ変調、トラックピッチは０．３２μｍ、最短ピットである２Ｔピット長は０．１４９μｍとした。なお、Ｔはクロックの周期を示す。ここでは、最短ピットである２Ｔピットを第１ピット、３Ｔピットを第２ピット、それ以降ピット長が短い側から順に、第３ピット、第４ピットと呼ぶことにする。
【００９９】
化学増幅レジストは約１００ｎｍの厚みで、シリコンウェハ原盤の上に塗布した。また、記録線速は３ｍ／ｓとして、光ディスク原盤の作製を試みた。露光記録されたレジスト原盤はＰＥＢ処理の後、現像され、凹凸形状が表面に形成されたレジスト原盤が作製される。作製されたレジストパターンにニッケル薄膜をスパッタ処理し、ニッケル薄膜を電極として、ニッケルメッキを約０．３ｍｍの厚みに行った。メッキされた金属板をレジスト原盤から剥離し、表面に付着したレジスト材料を除去した後、内外径加工を施した後、射出成形機によって、樹脂成形を行った。それによって作製された樹脂基板に反射膜を成膜し、保護層を形成することによって光ディスクを作成した。
【０１００】
図６のように、１つの信号ピットに対して信号６０２のように１つのパルスで露光すると、最短ピット（第１ピット）である２Ｔを記録するためには、実際に露光する時間は２Ｔの半分以下の０．６Ｔ程度に設定する必要がある。これは、ピットエッジ形状良化のため、今回使用した化学増幅型レジストの標準仕様温度である１３０℃に対して、ＰＥＢ温度を約２０℃高く設定したとき、酸の拡散によって、２Ｔピット長が露光部の長さの約２倍以上に膨れあがるためである。この条件において、ディスクを作製し、再生評価した結果、再生後の２Ｔ信号のアシンメトリが、約８％となることが確認された。
【０１０１】
このとき、２Ｔ以外のピットは、２Ｔピットから、Ｔ分だけ、長さが長くなっていき、３Ｔピットは１．６Ｔ長、４Ｔピットは２．６Ｔ長のパルスで露光することになるが、図６のように従来信号で記録し、電子顕微鏡によって形状確認を行うと、３Ｔピットは２Ｔピットに対して約１．２倍のピット幅となり、４Ｔピットは約１．５倍程度のピット幅となっていることを確認した。また、長さの異なるピットごとに酸の拡散量が異なるため、特に長いピットは所定のピット長から長くなる方向に大きくずれてしまい、それぞれ所定のピット長からピットのエッジ位置にずれが生じていることを確認した。
【０１０２】
本実施の形態１では、図４に示すようにマルチパルス変換装置４１３を設け、入力される情報信号をマルチパルス信号に変換し、電極４０６に電圧を加える。マルチパルス変換装置４１３では、元の情報信号パルスを次のように変換を行っている。図１に変換前後の信号パターンと形成されるピット形状の関係を示す。信号１０１は、従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン、信号１０２はマルチパルス変換装置４１３によって、変換されたマルチパルス信号パターン、１０３は形成されるピット形状を示している。
【０１０３】
従来、マルチパルス信号は、記録型ＤＶＤなどのように熱記録によってピットを形成する場合においてよく用いられ、ピットの始端の熱が終端側に伝わっていくため、マルチパルス信号は、前半部が広く、後半部にパルス幅が狭くなっていく時間的に非対称なパターンが用いられている。しかし、本発明では、従来の熱記録の場合のパターンとは異なり、露光部を中心に酸が拡散してピットが形成されるため、ピットの始端と終端の露光部が時間的に対称となるパターンで記録する必要がある。そのため、３Ｔピットは、前パルス１０４、後パルス１０５の略同じ長さの２個のパルスに分割され、時間的に対称なパターンとなっている。前パルスの頭のエッジから後パルスの最後のエッジまでの長さは、１．８Ｔとなるように設定し、前パルスと後パルスの幅の条件を振ったときの、アシンメトリの動きを確認した。図８に、前パルスおよび後パルスのパルス幅と３Ｔ信号のアシンメトリの動きを示す。前パルス幅が０．７Ｔのとき、アシンメトリが、約８％となり、先に説明した２Ｔ信号とアシンメトリが一致する。０．７８Ｔ（２Ｔピットの露光パルスの約１３０％）以上に設定するとアシンメトリが１５％程度となり、２Ｔピットとのピット長のずれが顕著になってくる。そのため、再生評価した結果、ジッタも７％以上に悪化していることが確認され、容認することができない信号品質となった。また逆に、０．３６Ｔ（２Ｔ露光パルスの約６０％）以下に設定すると、前パルスと後パルス間のスペースが長くなりすぎるため、ピットの中間部が記録できず、ピットが２つに分離していることを電子顕微鏡で確認した。
【０１０４】
次に、４Ｔピットは、始端パルス１０６、終端パルス１０７の略同じ長さの２個のパルスの間に周期Ｔの中間パルス１０８を配置したパターンとした。始端パルスと終端パルスの幅は、３Ｔピットと同様にアシンメトリの動きから決定した。始端パルスおよび終端パルス幅を２Ｔ露光パルスの１３０％に当たる０．７８Ｔ以上とすると、アシンメトリが１５％以上になってしまい、２Ｔまたは３Ｔ信号とのピットエッジの位置ずれが顕著となってしまう。そのため、ジッタ値も７％以上となり、実際に使用するのは難しい。また、始端パルスおよび終端パルス幅を０．２４Ｔ（２Ｔ露光パルスの約４０％）以下とすると、ピットエッジが先細りし、ジッタ値も７％以上となってしまった。
【０１０５】
また、中間パルスのデューティ比を変化させ、ピット形状の確認を行った。ここで説明するデューティ比は、中間パルス部分における、パルスのハイレベルとローレベルの比を示している。デューティ比を６５％以上としたとき、２Ｔピットのピット幅に対して４Ｔピット幅は約１．５倍の幅となり、マルチパルス記録とした効果がなくなることを確認した。また、デューティ比を４５％以下としたとき、長ピットの中間部が十分露光されず、途中で分離しているピットが確認できた。
【０１０６】
また、図９に示すようにマルチパルス間のスペース部を完全にローレベルとしないようなパターンにおいても、マルチパルス記録の効果が得られる。例えば、マルチパルス間のスペース部が完全にローレベルのとき、中間パルスのデューティ比は約５０％程度に設定すると、良好な形状が得られたのは上記に説明した通りだが、マルチパルス間のスペース部が完全にローレベルではなく、符号９０２に示すように、ハイレベルの約５０％以下の信号の場合は、同様のピット形状が得られていることを確認した。しかし、５０％以上のレベルの場合、長ピットと短ピットのピット幅の差が顕著となり、マルチパルス記録の効果が得られていないことを確認した。
【０１０７】
また、さらに次のような方法を用いて、さらなるジッタ良化の条件を設定できる。
【０１０８】
前パルスと後パルスの位置を、中心方向に同じだけずらすことによって、ピット長の長さを調整することができる。本実施の形態１の場合、３Ｔピットの前パルス、後パルスを０．６８Ｔとした時に、前パルスを約０．０２Ｔ分前側に、また後パルスを約０．０２Ｔ分後側に、パルス位置を移動させても、アシンメトリを約８％程度にすることができた。また、前パルス、後ろパルスが別の長さの場合でも同様の動作によって補正できる。また、ここでは前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしたが、逆に、前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしても問題はない。
【０１０９】
また、４Ｔ以上のピットに関しても同様で、始端パルスを前側に、終端パルス後側に同じだけ移動させることによって、再生時のジッタも約１％程度良化することを確認した。これに関しても、始端パルスを後側に、終端パルスを前側にずらしてもよい。
【０１１０】
本実施の形態１で作製したピット形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で、確認したところ、２Ｔピット幅に対して、３Ｔ以上のピット幅がほぼ同じ幅に形成されていることを確認できた。
【０１１１】
また、作製したディスクの再生評価を行った。再生波長は４０５ｎｍ、再生線速を４．９ｍ／ｓとし、リミットイコライザによるランダムパターンの評価を行ったところ、アシンメトリは約８％近傍で、各Ｔがそろっており、約５％のジッタが得られ、良好な再生特性が確認された。これは同じＰＥＢ条件で作製した従来信号での作製サンプルに対して、約３％のジッタ改善に相当している。
【０１１２】
また、露光後のＰＥＢ条件を検討した。レジスト本来のＰＥＢ温度に対して、上下に温度設定を変化させ、ピット形状の確認を行った。温度を低下させていくと、酸の拡散量は少なくなり、短ピットと長ピットの幅や長さの変化量は少なくなるが、ピットエッジのがたつき成分が大きくなった。特に標準仕様温度以下となると、１つ１つのピットが持つジッタ値が悪化してしまい、実際に使用するのは難しい。また、高温にすると一定の温度までは、エッジのがたつきが改善するように動作するが、ある温度を超えるとレジスト材料の変質が生じ、ピット形状に乱れが生じた。化学増幅型レジストＵＶ３を使用した場合、標準仕様温度１３０℃から、変質温度２５０℃までで、マルチパルス信号パターンの最適化を行うことによって、問題無く原盤作製が出来ていることを確認した。
【０１１３】
また、ここではピット列のみによって構成されているディスクを作製し、評価を行ったが、ピットおよび溝などが混在しているディスクにおいても同様のプロセスを用いることができる。
【０１１４】
本実施の形態１では、電子線記録装置を用いて記録を行っているが、本発明は化学増幅型レジストを用いて記録する装置に対しては同様の効果を有し、遠紫外線レーザを用いたＬＢＲ（Ｌａｓｅｒ　Ｂｅａｍ　Ｒｅｃｏｒｄｅｒ）などで、化学増幅型レジストを用いて記録をした場合などにも同様の効果がある。
【０１１５】
（実施の形態２）
化学増幅型レジストと電子線記録装置を使用して、再生波長４００ｎｍ程度の青紫レーザで再生される容量２０ＧＢ以上の再生専用ＤＶＤディスクの作製を試みた。変調方式は最短ピットが、信号クロックＴの３倍の長さに相当する３Ｔピットである８−１５変調を採用した。トラックピッチは０．３２μｍ、最短ピットである３Ｔピット長は０．１８５μｍとした。ここでは、最短ピットである３Ｔピットを第１ピット、４Ｔピットを第２ピット、それ以降ピット長が短い側から順に、第３ピット、第４ピットと呼ぶことにする。
【０１１６】
化学増幅レジストは約１００ｎｍの厚みで、シリコンウェハ原盤の上に塗布した。
【０１１７】
図１２のように、１つの信号ピットに対して信号１２０２のように１つのパルスで露光すると、最短ピット（第１ピット）である３Ｔを記録するためには、実際に露光する時間は３Ｔの半分の１．５Ｔ程度に設定する必要がある。これは、ピットエッジ形状良化のため、今回使用した化学増幅型レジストの標準仕様温度である１３０℃に対して、ＰＥＢ温度を約２０℃高く設定したとき、酸の拡散によって、３Ｔピット長が露光部の長さの約２倍程度に膨れあがるためである。このとき、４Ｔピットは２．５Ｔ長、５Ｔピットは３．５Ｔ長で露光することになるが、このとき４Ｔピットは３Ｔピットに対して約１．２倍のピット幅となり、５Ｔピットは約１．５倍程度のピット幅となっていることを確認した。また、長さの異なるピットごとに酸の拡散量が異なるため、特に長いピットは所定のピット長から長くなる方向に大きくずれてしまい、それぞれ所定のピット長からピットのエッジ位置にずれが生じていることを確認した。
【０１１８】
そのため、本実施の形態２では、図４に示すようにマルチパルス変換装置４１３を設け、入力される情報信号をマルチパルス信号に変換し、電極４０６に電圧を加える。マルチパルス変換装置路４１３では、元の情報信号パルスを次のように変換を行っている。図７に変換前後の信号パターンと形成されるピット形状の関係を示す。信号７０１は、従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン、信号７０２はマルチパルス変換装置４１３によって、変換されたマルチパルス信号パターン、７０３は形成されるピット形状を示している。ピット列は、３Ｔから１４Ｔまでの長さのパルスによって構成される。また、露光記録線速として約４ｍ／ｓを設定し記録を行った。
【０１１９】
実施の形態１で説明したものと同様の方法を用いて、各パルスの条件を設定した。
【０１２０】
最短ピットである３Ｔピットは、元の信号パルスと同じ１個のパルスで出力される。ＰＥＢ温度を標準仕様温度に対して約２０℃高く設定したため、３Ｔピットは、約１．５Ｔだけ、露光するようにパルスの長さを設定した。
【０１２１】
３Ｔピットを１．５Ｔ長で露光したディスクを作製し、アシンメトリを確認したところ、約８％という値が得られた。
【０１２２】
第２に短いピットである４Ｔは、パルスを中央で分割し、前パルス７０４と後パルス７０５の２個のパルスに変換した。前パルス７０４と後パルス７０５は略同じ長さのパルスで、時間的に対称なパルスとすることで、ピット形状が始端、終端で歪まないようにしている。
【０１２３】
４Ｔピットに対して、前パルス、後パルスの幅を変化させたときのアシンメトリの動きを確認した。３Ｔピットを記録した１．５Ｔパルスの約８０％にあたる１．２Ｔ以上とするとピットの長さズレが大きくなり、アシンメトリが１５％以上となることを確認した。また、３Ｔピットとのアシンメトリのズレによる、ジッタ値の悪化を確認した。また、パルス幅を３Ｔピットの記録に用いた１．５Ｔパルスの６０％以下とすると、ピットの始端、終端部分の露光強度が小さくなることにより、ピットの中心部分が露光不足となり、ピットが２つに分離していることを確認した。
【０１２４】
ここでは、前パルス、後パルス幅を１．５Ｔの約７０％となる約１．１Ｔ程度とすることで、３Ｔピットに対して、ほぼ同じアシンメトリとなることを確認した。
【０１２５】
また、５Ｔピットは、始端パルス７０６、終端パルス７０７と、その中央部に周期がＴとなる中間パルス７０８を配置した３個のパルスに変換した。６Ｔ以上のピットに関しては、中央部の中間パルスの個数を１つずつ増やしていく構成とした。なお、始端パルス７０６と終端パルス７０７は略同じ長さに設定し、中間パルス７０８は、始端パルス７０６と終端パルス７０７の略中央に配置している。こうすることで、ピット形状が歪まないようにしている。始端パルス、および終端パルス幅は、ＰＥＢ後に形成されるピットエッジの位置に大きく影響を与え、始端パルス、終端パルスを、３Ｔピット記録時に用いた１．５Ｔパルスに対して、１００％の幅にすると、ピット長さは、大きく拡大し、長ピットのエッジ位置が、３Ｔピットに対してずれてしまった。アシンメトリも１５％以上と大きくずれていることを確認した。また、４０％以下の幅とするとピットの先細りが確認され、ジッタ値も７％以上と悪化が確認された。
【０１２６】
また、中間パルスの幅を変化させたときのピット形状の動きを確認すると、デューティ比が４５％以下となると、ピットの中央部がつながらず、形成できていないピットが確認された。また、デューティ比が６５％以上となると、長ピットが、３Ｔピットに対して、大きく拡大するのが確認され、ジッタも７％以上と悪化した。
【０１２７】
また、さらに次のような方法を用いて、さらなるジッタ良化の条件を設定できる。
【０１２８】
前パルスと後パルスの位置を、中心方向に同じだけずらすことによって、ピット長の長さを調整することができる。本実施の形態２の場合、４Ｔピットの前パルス、後パルスを１．０Ｔとした時に、前パルスを約０．１Ｔ分前側に、また後パルスを約０．１Ｔ分後側に、パルス位置を移動させても、アシンメトリを約８％程度にすることができた。また、前パルス、後ろパルスが別の長さの場合でも同様の動作によって補正できる。また、ここでは前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしたが、逆に、前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしても問題はない。
【０１２９】
また、５Ｔ以上のピットに関しても同様で、始端パルスを前側に、終端パルス後側に同じだけ移動させることによって、再生時のジッタも約１％程度良化することを確認した。これに関しても、始端パルスを後側に、終端パルスを前側にずらしてもよい。
【０１３０】
本実施の形態１で作製したピット形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で、確認したところ、３Ｔピット幅に対して、４Ｔ以上のピット幅がほぼ同じ幅に形成されていることを確認できた。
【０１３１】
本実施の形態２で作製した成形基板上に形成されたピット形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で、確認したところ、３Ｔピット幅に対して、４Ｔ以上のピット幅がほぼ同じ幅に形成されていることを確認できた。
【０１３２】
また、作製したディスクの再生評価を行った。再生波長は４０５ｎｍ、再生線速を４．６ｍ／ｓとし、リミットイコライザによるランダムパターンの評価を行ったところ、アシンメトリは約８％近傍で各Ｔがそろい、約５％のジッタが得られ、良好な再生特性が確認された。これは同じＰＥＢ条件で作製した従来信号での作製サンプルに対して、約３％のジッタ改善に相当している。
【０１３３】
また、露光後のＰＥＢ条件を検討した。レジスト本来のＰＥＢ温度に対して、上下に温度設定を変化させ、ピット形状の確認を行った。温度を低下させていくと、酸の拡散量は少なくなり、短ピットと長ピットの幅や長さの変化量は少なくなるが、ピットエッジのがたつき成分が大きくなり、結果として各ピット自身がもつジッタが悪化した。また、高温にすると一定の温度までは、エッジのがたつきが改善するように動作するが、ある温度を超えるとレジスト材料の変質が生じ、ピット形状に乱れが生じた。化学増幅型レジストＵＶ３を使用した場合、標準仕様温度１３０℃から、変質温度２５０℃までで、マルチパルス信号パターンの最適化を行うことによって、問題無く原盤作製が出来ていることを確認した。
【０１３４】
本実施の形態２では、電子線記録装置を用いて記録を行っているが、本発明は化学増幅型レジストを用いて記録する装置に対しては同様の効果を有し、遠紫外線レーザを用いたＬＢＲ（Ｌａｓｅｒ　Ｂｅａｍ　Ｒｅｃｏｒｄｅｒ）などで、化学増幅型レジストを用いて記録をした場合などにも効果がある。
【０１３５】
（実施の形態３）
化学増幅型レジストと電子線記録装置を使用して、再生波長４００ｎｍ程度の青紫レーザで再生される容量２０ＧＢ以上の再生専用ＤＶＤディスクの作製を試みた。変調方式は最短ピットが、信号クロックの３倍の３Ｔピットである８−１５変調を採用した。トラックピッチは０．３２μｍ、最短ピットである３Ｔピット長は０．１８５μｍとした。ここでは、最短ピットである３Ｔピットを第１ピット、４Ｔピットを第２ピット、それ以降ピット長が短い側から順に、第３ピット、第４ピットと呼ぶことにする。なお、Ｔはディスクの再生クロックの周期を意味している。
【０１３６】
化学増幅レジストは約１００ｎｍの厚みで、シリコンウェハ原盤の上に塗布した。
【０１３７】
図１２のように、１つの信号ピットに対して信号１２０２のように１つのパルスで露光すると、最短ピット（第１ピット）である３Ｔを記録するためには、実際に露光する時間は３Ｔの半分の１．５Ｔ程度に設定する必要がある。これは、ピットエッジ形状良化のため、今回使用した化学増幅型レジストの標準仕様温度である１３０℃に対して、ＰＥＢ温度を約２０℃高く設定したとき、酸の拡散によって、３Ｔピット長が露光部の長さの約２倍に膨れあがるためである。このとき、４Ｔピットは２．５Ｔ長、５Ｔピットは３．５Ｔ長で露光することになるが、このとき４Ｔピットは３Ｔピットに対して約１．２倍のピット幅となり、５Ｔピットは約１．５倍程度のピット幅となっていることを確認した。また、長さの異なるピットごとに酸の拡散量が異なるため、特に長いピットは所定のピット長から長くなる方向に大きくずれてしまい、それぞれ所定のピット長からピットのエッジ位置にずれが生じていることを確認した。
【０１３８】
そのため、本実施の形態３では、図４に示すようにマルチパルス変換装置４１３を設け、入力される情報信号をマルチパルス信号に変換し、電極４０６に電圧を加える。マルチパルス変換装置路４１３では、元の情報信号パルスを次のように変換を行っている。図１１に変換前後の信号パターンと形成されるピット形状の関係を示す。信号１１０１は、従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン、信号１１０２はマルチパルス変換装置４１３によって、変換されたマルチパルス信号パターン、１１０３は形成されるピット形状を示している。また、露光記録線速として約４ｍ／ｓを設定し記録を行った。
【０１３９】
実施の形態１で説明したものと同様の方法を用いて、各パルスの条件を設定した。
【０１４０】
最短ピットである３Ｔピットは、元の信号パルスと同じ１個のパルスで出力される。ＰＥＢ温度を標準仕様温度に対して約２０℃高く設定したため、３Ｔピットは、約１．５Ｔだけ、露光するようにパルスの長さを設定した。
３Ｔピットを１．５Ｔ長で露光したディスクを作製し、アシンメトリを確認したところ、約８％という値が得られた。
【０１４１】
第２に短いピットである４Ｔは、パルスを中央で分割し、前パルス１１０４と後パルス１１０５の２個のパルスに変換した。前パルス１１０４と後パルス１１０５は略同じ長さのパルスで、ピット形状が始端、終端で歪まないようにしている。
【０１４２】
４Ｔピットに対して、前パルス、後パルスの幅を変化させたときのアシンメトリの動きを確認した。３Ｔピットを記録した１．５Ｔパルスの約８０％にあたる１．２Ｔ以上とするとピットの長さズレが大きくなり、アシンメトリが１５％以上となることを確認した。また、３Ｔピットとのアシンメトリのズレによる、ジッタ値の悪化を確認した。また、パルス幅を３Ｔピットの記録に用いた１．５Ｔパルスの６０％以下とすると、ピットの始端、終端部分の露光強度が小さくなることにより、ピットの中心部分が露光不足となり、ピットが２つに分離していることを確認した。
【０１４３】
ここでは、前パルス、後パルス幅を１．５Ｔの約７０％となる約１．１Ｔ程度とすることで、３Ｔピットに対して、ほぼ同じアシンメトリとなることを確認した。
【０１４４】
また、５Ｔピットも同様に中央で始端パルス１１０６と終端パルス１１０７の２つのパルスに分割したパターンを採用した。始端パルス１１０６、終端パルス１１０７の幅を変化させたときの動きを確認すると、始端パルス幅、および終端パルス幅を、３Ｔピット露光時に使用した１．５Ｔパルスの１１０％に相当する１．６５Ｔ以上に設定すると、ピット長さのズレが大きくなり、アシンメトリが１５％以上となることを確認した。また、３Ｔピットの記録に用いた１．５Ｔパルスの９０％に相当する１．３５Ｔ以下に設定すると、ピット中央部が記録できなくなり、ピットが２つに分離していることを確認した。
【０１４５】
６Ｔピットは始端パルス、終端パルスと、その中央部に周期がＴとなる中間パルス１１０８を配置した３個のパルスに変換した。７Ｔ以上のピットに関しては、中央部の中間パルスの個数を１つずつ増やしていく構成とした。なお、始端パルス１１０６と終端パルス１１０７は略同じ長さに設定し、中間パルス１１０８は、始端パルス１１０６と終端パルス１１０７の略中央に配置している。こうすることで、ピット形状が歪まないようにしている。
【０１４６】
始端パルス、および終端パルス幅は、ＰＥＢ後に形成されるピットエッジの位置に大きく影響を与え、始端パルス、終端パルスを、３Ｔピット記録時に用いた１．５Ｔパルスに対して、１１０％の幅にすると、ピット長さは、大きく拡大し、長ピットのエッジ位置が、３Ｔピットに対してずれてしまった。アシンメトリも１５％以上と大きくずれていることを確認した。また、４０％以下の幅とするとピットの先細りが確認され、ジッタ値も７％以上と悪化が確認された。
【０１４７】
また、中間パルスの幅を変化させたときのピット形状の動きを確認すると、デューティ比が４５％以下となると、ピットの中央部がつながらず、形成できていないピットが確認された。また、デューティ比が６５％以上となると、長ピットが、３Ｔピットに対して、大きく拡大するのが確認され、ジッタ悪化の要因となった。
【０１４８】
また、さらに次のような方法を用いて、さらなるジッタ良化の条件を設定できる。
【０１４９】
前パルスと後パルスの位置を、中心方向に同じだけずらすことによって、ピット長の長さを調整することができる。本実施の形態２の場合、４Ｔピットの前パルス、後パルスを１．０Ｔとした時に、前パルスを約０．１Ｔ分前側に、また後パルスを約０．１Ｔ分後側に、パルス位置を移動させても、アシンメトリを約８％程度にすることができた。また、前パルス、後ろパルスが別の長さの場合でも同様の動作によって補正できる。また、ここでは前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしたが、逆に、前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしても問題はない。
【０１５０】
また、５Ｔ以上のピットに関しても同様で、始端パルスを前側に、終端パルス後側に同じだけ移動させることによって、再生時のジッタも約１％程度良化することを確認した。これに関しても、始端パルスを後側に、終端パルスを前側にずらしてもよい。
【０１５１】
本実施の形態３で作製したピット形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で、確認したところ、３Ｔピット幅に対して、４Ｔ以上のピット幅がほぼ同じ幅に形成されていることを確認できた。
【０１５２】
成形基板上に形成されたピット形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で、確認したところ、３Ｔピット幅に対して、４Ｔ以上のピット幅がほぼ同じ幅に形成されていることを確認できた。
【０１５３】
また、作製したディスクの再生評価を行った。再生波長は４０５ｎｍ、再生線速を４．６ｍ／ｓとし、ランダムパターンの評価を行ったところ、約７％のジッタが得られ、良好な再生特性が確認された。
【０１５４】
（実施の形態４）
化学増幅型レジストと電子線記録装置を使用して、再生波長４００ｎｍ程度の青紫レーザで再生される１層の容量が２０ＧＢ以上となる多層再生専用ディスクの作製を試みた。
【０１５５】
本実施の形態４における光ディスク作製方法について説明を行う。図２３Ａ−Ｄに作製方法を示す。
【０１５６】
まず、化学増幅型レジストを、シリコンウェハ原盤の上に塗布を行った。塗布されたシリコンウェハは、ベーキングされた後、電子線記録装置内に投入される。電子線記録装置での記録方法は、実施の形態１で説明したものと同様の方法でマルチパルス信号による記録を実施した。露光記録されたレジスト原盤はＰＥＢ処理の後、現像され、凹凸形状が表面に形成されたレジスト原盤が作製される。次に、作製されたレジストパターンにニッケルなどの金属薄膜をスパッタ処理し、形成された金属薄膜を電極として、約０．３ｍｍの厚みまでメッキ処理を行った。メッキされた金属板をレジスト原盤から剥離し、表面に付着したレジスト材料を除去した後、内外径加工を施され、射出成形用の金属スタンパが作製される。その金属スタンパを使用して、射出成形機によって、樹脂成形を行った。これによって、厚みが約１．１ｍｍの第１基板２３０１が作製される。ただし、樹脂の厚みは、ここでは約１．１ｍｍとしたが、それ以外の厚みであっても問題はない。
また、これとは別に化学増幅型レジストを塗布したシリコンウェハを準備し、電子線記録装置によって露光記録を行い、レジスト原盤を作製した。電子線記録装置での記録条件については、本実施の形態４で、後程詳細に説明を行う。
【０１５７】
このレジスト原盤を元に、上記で述べた方法により金属スタンパが作製され、射出成形機によって、樹脂成形を行った。これによって、厚みが約１．１ｍｍの樹脂基板２３０２が作製される。この基板をここでは、転写スタンパと呼ぶことにする。また、転写スタンパ上に形成された信号ピット層をここでは転写用情報面２３０４と呼ぶ。
【０１５８】
上記第１基板のピットが形成された面に、第１反射膜２３０３をスパッタリング法によって形成し、第１反射膜によって構成された第１情報面２３０５が作成される（図２３Ａ）。
【０１５９】
この第１基板の第１情報面２３０５と、上記転写スタンパの転写用情報面２３０４とを向かい合わせにして、ＵＶ硬化樹脂２３０６によって、貼り合０せる（図２３Ｂ）。ここでは、ＵＶ硬化樹脂でそのまま貼り合せたが、転写用情報面２３０４にＵＶ硬化樹脂をコーティングした後に、第１基板と別の接着材で貼り合わせることもある。
【０１６０】
次に、転写スタンパをＵＶ硬化樹脂との接着界面で剥離する。ＵＶ硬化樹脂は、樹脂基板との剥離性能に優れた材料を用いており、転写スタンパとＵＶ硬化樹脂との界面で剥離できる。転写スタンパを剥離することによって、第１基板の第１情報面２３０５上に、ＵＶ硬化樹脂によって、転写用情報面の形状が転写された転写ピット２３０７が形成される（図２３Ｃ）。
【０１６１】
次に、転写ピット上に、再生光に対して半透明な第２反射膜２３０８をスパッタリング法によって形成し、第２反射膜によって形成された第２情報面２３０９が作成される（図２３Ｄ）。
【０１６２】
その後、第２情報面上に、厚み約０．１ｍｍのシート基板２３１０を、ＵＶ硬化樹脂で、スピン工法によって、貼り合せる。これによって、シート基板側から片面読み取り可能な２層ディスクが作製される（図２３Ｄ）。また、シート基板の厚みはここでは約０．１ｍｍとしたが、それ以外の厚みであっても問題はない。
【０１６３】
この方法によって、作製された２層ディスクの断面形状を示す模式図を図１３に示す。符号１３０１は第１基板、１３０２は第１信号ピット、１３０３は第１反射膜、１３０４は第１情報面、１３０５は転写ピット、１３０６は第２反射膜、１３０７は第２情報面、１３０８はシート基板、１３０９ａ，１３０９ｂはＵＶ硬化樹脂、１３１０は再生レーザ光である。
【０１６４】
図１３に示すように、再生光から見て検出される第１情報面のピット形状は、第１反射膜表面でのピット形状であるため、射出成形によって形成された第１ピットの大きさに対して、第１反射膜によって覆われる分小さくなる。
【０１６５】
また、第２情報面は、転写ピット上に形成された第２反射膜によってなるため、第２情報面のピット形状は、転写ピットの大きさに比べ、大きくなる。しかし、第２反射膜は、半透明であって、第１情報面からの反射光量と、第２情報面からの反射光量がほぼ同じになるように厚みが調整されているため、第２反射膜の膜厚は薄く構成され、第２反射膜によって形成されるピット形状は、転写ピットの形状とほぼ同じ大きさとなる。ここでは、第２反射膜の膜厚は約２０ｎｍ程度に設定した。そのため、第１基板上の第１ピットの形状が、第１反射膜によって小さくなったときに、転写ピット形状がほぼ同じ形状となるように転写スタンパ上の転写用情報面が記録されなければならない。
【０１６６】
次に、第１反射膜の膜厚変化に対する影響について説明を行う。第１基板を作製する際、記録条件として、変調方式は最短ピットが信号クロックの２倍の２Ｔピットである１−７ＰＰ変調を採用した。トラックピッチは０．３２μｍ、最短ピットである２Ｔピット長は０．１４９μｍとした。これは２５ＧＢ容量相当の記録条件である。なお、Ｔはディスクの再生クロックの周期を意味している。この基板を用いて、上記で説明した２層ディスクを作製し、波長４０５ｎｍの青紫レーザを光源とし、開口数（ＮＡ）０．８５の対物レンズを持った光学ヘッドを使用した評価機で、再生線速を４．９ｍ／ｓとし、信号の再生評価を行うことで、評価した。
【０１６７】
図１４に、第１反射膜の膜厚変化と再生信号のジッタ値との関係を示す。ディスク性能としては、ディスクチルトなどのマージンなどを考えると、ボトムジッタとして、約７％以下のジッタが必要となる。測定結果によると、第１反射膜の膜厚を４０ｎｍ未満とすると、ジッタが７％以下に悪化し、また逆に第１反射膜の膜厚が１００ｎｍを超えると、ジッタが７％以上に悪化するという結果となった。したがって、第１反射膜の膜厚を４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましかった。
【０１６８】
次に、第１反射膜が形成されることによる第１基板上のピット形状変化について説明する。図１５に第１反射膜の膜厚変化に対する第１基板上のピット幅と第１反射膜が成膜された後のピット幅の変化率との関係を示す。上記、第１反射膜の膜厚を変化させたとき、ピット幅の大きさは図の通り変化し、第１反射膜の膜厚が４０ｎｍのとき、ピット幅の大きさは約９５％となり、膜厚が１００ｎｍのとき、ピット幅の大きさは約７０％となった。
【０１６９】
次に、転写した情報面について記録条件の説明を行う。転写した情報面のピット形状は、第１情報面のピット形状とほぼ同じになるように形成されなければならないため、次のようにして転写スタンパの記録条件を設定した。
【０１７０】
転写用情報面２３０４の信号パターンのなかで、凹形状のピットを含んでいる転写スタンパを用いて、ＵＶ硬化樹脂によって、形状を転写し、転写ピット２３０７（１３０５）を作製し、情報面を形成する工程が含まれる光ディスクの場合、樹脂の転写の状態によって、長さ、または幅の異なるピットの形状が、転写用情報面での形状から、転写後の転写ピットでの形状で大きく変化することが有り得る。そのため、転写性を考慮しての形状設定が必要である。
【０１７１】
まず、ＵＶ樹脂の粘度を変化させたときの、転写ピットの形状の確認を行った。粘度が５００ｍＰａ・ｓより大きくなると、この大きさの２Ｔピットは十分転写されず、ほとんど２Ｔピットが形成されていない状態になった。また、樹脂粘度が４０ｍＰａ・ｓより小さくなると、転写性は向上するが、転写スタンパを剥離する際、ピット形状の変形がみられ、必要なピット形状が得られていないことが確認された。ここでは、粘度約２００ｍＰａ・ｓのＵＶ硬化樹脂を使用して、２層ディスクの作製を試みた。
【０１７２】
次に、転写スタンパの記録条件について説明を行う。
【０１７３】
図４に示すようにマルチパルス変換装置４１３を設け、入力される情報信号をマルチパルス信号に変換し、電極４０６に電圧を加える。マルチパルス変換装置路４１３では、元の情報信号パルスを次のように変換を行っている。図１７に変換前後の信号パターンと形成されるピット形状の関係を示す。信号１７０１は、従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン、信号１７０２はマルチパルス変換装置４１３によって、変換されたマルチパルス信号パターン、１７０３は形成されるピット形状を示している。
【０１７４】
従来、マルチパルス信号は、記録型ＤＶＤなどのように熱記録によってピットを形成する場合において用いられ、ピットの始端の熱が終端側に伝わっていくため、マルチパルス信号は、前半部が広く、後半部にパルス幅が狭くなっていく時間的に非対称なパターンが用いられる。しかし、本発明では、従来のパターンとは異なり、露光部を中心に酸が拡散してピットが形成されるため、ピットの始端と終端の露光部が時間的に対称となるパターンで記録する必要がある。
【０１７５】
まず、最短ピットである２Ｔピットの記録条件を調整した。第１基板と同じ記録条件で、２Ｔピットを形成し、ＵＶ硬化樹脂による転写を行うと、転写率に応じて転写ピットが小さくなる。第１基板を作製したときに採用した記録パワーに対する、記録パワーを比べると、約１０％程度強いパワーを用いることによって、転写後の２Ｔピットが、第１基板上の２Ｔピットに対して、ほぼ同じ形状となることを確認した。
【０１７６】
この条件での再生信号を確認すると２Ｔ信号のアシンメトリは約８％となっていることを確認した。
【０１７７】
次に３Ｔ以上の長さをもつピットの記録条件を調整した。３Ｔ以上のピットは、２Ｔピットとほぼ同じ幅を持つように調整して、転写後に各ピットが同じ幅を持つように調整される。そして、各ピットの長さ方向のずれは、マルチパルス信号の調整によってなされる。
【０１７８】
３Ｔピットは、前パルス１７０４、後パルス１７０５の略同じ長さの２個のパルスに分割され、時間的に対称なパターンを採用した。前パルスの頭から後パルスの最後のエッジまでの長さは、２．０Ｔとなるように設定し、前パルスと後パルスの幅の条件を振ったときの、転写ピットを再生したときのアシンメトリの動きを確認した。図１８に、前パルスおよび後パルスのパルス幅と３Ｔ信号のアシンメトリの動きを示す。前パルス幅が０．８Ｔのとき、アシンメトリが、約８％となり、２Ｔ信号とアシンメトリが一致する。１．０Ｔ（２Ｔピットの露光パルスの約１００％）以上に設定するとアシンメトリが１５％程度となり、２Ｔピットとのピット長のずれが顕著になってくる。そのため、ジッタが７％以上に悪化してしまい、使用することができなくなった。また、０．５Ｔ（２Ｔ露光パルスの約５０％）以下に設定すると、前パルスと後パルス間のスペースが長くなりすぎるため、形状を確認したところ、ピットの中間部が記録できず、ピットが２つに分離してしまった。
【０１７９】
４Ｔピットは、始端パルス１７０６、終端パルス１７０７の略同じ長さの２個のパルスの間に周期Ｔの中間パルス１７０８を配置したパターンとした。始端パルスと終端パルスの幅は、３Ｔピットと同様に転写ピットを再生したときのアシンメトリの動きから決定される。始端パルスおよび終端パルス幅を２Ｔ露光パルスの約１１０％に当たる１．０Ｔ以上とすると、アシンメトリが１５％以上になってしまい、２Ｔまたは３Ｔ信号とのピットエッジの位置ずれが顕著となってしまう。そのため、ジッタ値は７％以上となり、実際に使用するのは難しい。また、始端パルスおよび終端パルス幅を０．３５Ｔ（２Ｔ露光パルスの約４０％）以下とすると、ピットエッジが先細りし、ジッタが７％以上となってしまった。
【０１８０】
また、中間パルスのデューティ比を変化させ、ピット形状の確認を行った。デューティ比を６５％以上としたとき、転写ピットにおける２Ｔピットのピット幅に対してする４Ｔピット幅は約１．４倍の幅となり、マルチパルス記録とした効果がなくなることを確認した。また、デューティ比を４５％以下としたとき、長ピットの中間部が十分露光されず、途中で分離しているピットが確認できた。
【０１８１】
また、図１９に示すようにマルチパルス間のスペース部を完全にローレベルとしないようなパターンにおいても、マルチパルス記録の効果が得られる。例えば、マルチパルス間のスペース部が完全にローレベルのとき、中間パルスのデューティ比は約５０％程度に設定すると、良好な形状が得られたのは上記に説明した通りだが、マルチパルス間のスペース部が完全にローレベルではなく、符号１９０２に示すように、ハイレベルの約５０％以下の信号の場合は、同様のピット形状が得られていることを確認した。しかし、５０％以上のレベルの場合、長ピットと短ピットのピット幅の差が顕著となり、マルチパルス記録の効果が得られていないことを確認した。
【０１８２】
また、さらに次のような方法を用いて、さらなるジッタ良化の条件を設定できる。
【０１８３】
前パルスと後パルスの位置を、中心方向に同じだけずらすことによって、ピット長の長さを調整することができる。本実施の形態４の場合、３Ｔピットの前パルス、後パルスを０．８５Ｔとした時に、前パルスを約０．０２Ｔ分後側に、また後パルスを約０．０２Ｔ分前側に、パルス位置を移動させても、アシンメトリを約８％程度にすることができた。また、前パルス、後ろパルスが別の長さの場合でも同様の動作によって補正できる。また、ここでは前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしたが、逆に、前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしても問題はない。
【０１８４】
また、４Ｔ以上のピットに関しても同様で、始端パルスを前側に、終端パルス後側に同じだけ移動させることによって、再生時のジッタも約１％程度良化することを確認した。これに関しても、始端パルスを後側に、終端パルスを前側にずらしてもよい。
【０１８５】
また、転写性が最も困難なピットは最短ピットである。ここでは、最短ピット長を０．１４９μｍとしているが、最短ピットが０．１μｍより短くなると極端にＵＶ硬化樹脂の転写性が悪化し、ほとんど転写できなくなる。また、逆に０．３μｍ以上となると、長ピットと短ピットの転写性の差は小さくなるため、本発明の効果が小さくなる。
【０１８６】
本実施の形態４で作製した転写ピット形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で、確認したところ、２Ｔピット幅に対して、３Ｔ以上のピット幅がほぼ同じ幅に形成されていることを確認できた。また、第１情報面のピット形状とほぼ同じ形状が得られていることを確認した。
【０１８７】
また、作製したディスクの再生評価を行った。再生波長は４０５ｎｍ、再生線速を４．９ｍ／ｓとし、ランダムパターンの評価を行ったところ、各層とも、約５％のジッタが得られ、良好な再生特性が確認された。
【０１８８】
また、露光後のＰＥＢ条件を検討した。レジスト本来のＰＥＢ温度に対して、上下に温度設定を変化させ、転写スタンパのピット形状の確認を行った。温度を低下させていくと、酸の拡散量は少なくなり、短ピットと長ピットの幅や長さの変化量は少なくなるが、ピットエッジのがたつき成分が大きくなった。これは転写後も同様にがたつきが見られた。特に標準仕様温度以下となると、ジッタ値の悪化が大きくなり、実際に使用するのは難しい。また、高温にすると一定の温度までは、エッジのがたつきが改善するように動作するが、ある温度を超えるとレジスト材料の変質が生じ、ピット形状に乱れが生じた。化学増幅型レジストＵＶ３を使用した場合、標準仕様温度１３０℃から、変質温度２５０℃までで使用することによって問題無く原盤作製が出来ていることを確認した。
【０１８９】
また、ここではピット列のみによって構成されているディスクを作製し、評価を行ったが、ピットおよび溝などが混在しているディスクにおいても同様のプロセスを用いることができる。
【０１９０】
また、ここでは、２層ディスクに関しての実験結果を説明したが、転写スタンパを用いて順にＵＶ硬化樹脂によって転写ピットを積層して作られる多層ディスクにおいても、同じ効果が得られ、同様の方法で各層のピット形状の最適化が可能である。
【０１９１】
また、再生信号からみて、樹脂で形成されたピットに対して、反射膜が奥側につくか、手前につくかによって、各層のピットの大きさに差が出るが、その場合に対しても、この発明は有効であり、各層のピットの大きさがほぼ同じになるように、ピット形状を調整することが可能である。
【０１９２】
本実施の形態４では、電子線記録装置を用いて記録を行っているが、本発明は化学増幅型レジストを用いて記録する装置に対しては同様の効果を有し、遠紫外線レーザを用いたＬＢＲ（Ｌａｓｅｒ　Ｂｅａｍ　Ｒｅｃｏｒｄｅｒ）などで、化学増幅型レジストを用いて記録をした場合などにも効果がある。
【０１９３】
（実施の形態５）
実施の形態４で説明した２層ディスクの構造において、３Ｔ系のランダムピットパターンを記録したときの場合について説明を行う。転写スタンパの形状の最適化は、実施の形態４で説明したものと同じ手順を用いた。
【０１９４】
転写した情報面の作製方法、および転写スタンパの記録条件について説明する。転写スタンパの記録密度は、第１基板と同じ密度である２５ＧＢ容量を採用した。トラックピッチは０．３２μｍ、最短ピットである３Ｔピット長は０．１８５μｍとした。
【０１９５】
最短ピット（第１ピット）である３Ｔを記録するためには、実際に露光する時間は３Ｔの約半分の１．５Ｔ程度に設定する必要がある。これは、ピットエッジ形状良化のため、今回使用した化学増幅型レジストの標準仕様温度である１３０℃に対して、ＰＥＢ温度を約２０℃高く設定したとき、酸の拡散によって、３Ｔピット長が露光部の長さの約２倍に膨れあがるためである。このとき、４Ｔピットは２．５Ｔ長、５Ｔピットは３．５Ｔ長のパルスで露光することになるが、マルチパルスを使用せずに記録すると、成形基板でピット形状を確認すると、４Ｔピットは３Ｔピットに対して約１．２倍のピット幅となり、５Ｔピットは約１．５倍程度のピット幅となっていることを確認した。この転写スタンパを使用し、粘度約２００ｍＰａ・ｓのＵＶ硬化樹脂によって転写を行い、転写ピットの形状を確認した。最短ピットである３Ｔピット幅は、それ以外の長ピット幅に対して、約６０％程度のピット幅となっており、３Ｔピットと長ピットとの形状の差が顕著になっていることが確認された。
【０１９６】
そのため、マルチパルス信号によってピット形状の最適化を行った。
【０１９７】
次に、転写スタンパの記録条件について説明を行う。
【０１９８】
図４に示すようにマルチパルス変換装置４１３を設け、入力される情報信号をマルチパルス信号に変換し、電極４０６に電圧を加える。マルチパルス変換装置路４１３では、元の情報信号パルスを次のように変換を行っている。図２０に変換前後の信号パターンと形成されるピット形状の関係を示す。信号２００１は、従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン、信号２００２はマルチパルス変換装置４１３によって、変換されたマルチパルス信号パターン、２００３は形成されるピット形状を示している。
【０１９９】
まず、最短ピットである３Ｔピットの記録条件を調整した。第１基板と同じ記録条件で、３Ｔピットを形成し、ＵＶ硬化樹脂による転写を行うと、転写率に応じて転写ピットが小さくなる。第１基板を作製したときに採用した記録パワーに対する、記録パワーを比べると、約１０％程度強いパワーを用いることによって、転写後の３Ｔピットが、第１基板上の３Ｔピットに対して、ほぼ同じ形状となることを確認した。
【０２００】
次に４Ｔ以上の長さをもつピットの記録条件を調整した。４Ｔ以上のピットは、３Ｔピットとほぼ同じ幅を持つように調整して、転写後に各ピットが同じ幅を持つように調整される。そして、各ピットの長さ方向のずれは、マルチパルス信号の調整によってなされる。
【０２０１】
第２に短いピットである４Ｔは、パルスを中央で分割し、前パルス２００４と後パルス２００５の２個のパルスに変換した。前パルス２００４と後パルス２００５は略同じ長さのパルスで、時間的に対称なパルスとすることで、ピット形状が始端、終端で歪まないようにしている。
【０２０２】
４Ｔピットに対して、前パルス、後パルスの幅を変化させたときのアシンメトリの動きを確認した。３Ｔピットを記録した１．５Ｔパルスの約８０％にあたる１．２Ｔ以上とするとピットの長さズレが大きくなり、アシンメトリが１５％以上となることを確認した。また、３Ｔピットとのアシンメトリのズレによる、ジッタ値の悪化を確認した。また、パルス幅を３Ｔピットの記録に用いた１．５Ｔパルスの５０％以下とすると、ピットの始端、終端部分の露光強度が小さくなることにより、ピットの中心部分が露光不足となり、ピットが２つに分離していることを確認した。
【０２０３】
ここでは、前パルス、後パルス幅を１．５Ｔの約７０％となる約１．１Ｔ程度とすることで、３Ｔピットに対して、ほぼ同じアシンメトリとなることを確認した。
【０２０４】
また、５Ｔピットは、始端パルス２００６、終端パルス２００７と、その中央部に周期がＴとなる中間パルス２００８を配置した３個のパルスに変換した。６Ｔ以上のピットに関しては、中央部の中間パルスの個数を１つずつ増やしていく構成とした。なお、始端パルス２００６と終端パルス２００７は略同じ長さに設定し、中間パルス２００８は、始端パルス７０６と終端パルス７０７の略中央に配置している。こうすることで、ピット形状が歪まないようにしている。始端パルス、および終端パルス幅は、ＰＥＢ後に形成されるピットエッジの位置に大きく影響を与え、始端パルス、終端パルスを、３Ｔピット記録時に用いた１．５Ｔパルスに対して、１００％の幅にすると、ピット長さは、大きく拡大し、長ピットのエッジ位置が、３Ｔピットに対してずれてしまった。アシンメトリも１５％以上と大きくずれていることを確認した。また、４０％以下の幅とするとピットの先細りが確認され、ジッタ値も７％以上と悪化が確認された。
【０２０５】
また、中間パルスの幅を変化させたときのピット形状の動きを確認すると、デューティ比が４５％以下となると、ピットの中央部がつながらず、形成できていないピットが確認された。また、デューティ比が６５％以上となると、長ピットが、３Ｔピットに対して、大きく拡大するのが確認され、ジッタ悪化の要因となった。
【０２０６】
また、さらに次のような方法を用いて、さらなるジッタ良化の条件を設定できる。
【０２０７】
前パルスと後パルスの位置を、中心方向に同じだけずらすことによって、ピット長の長さを調整することができる。本実施の形態５の場合、４Ｔピットの前パルス、後パルスを１．０Ｔとした時に、前パルスを約０．１Ｔ分前側に、また後パルスを約０．１Ｔ分後側に、パルス位置を移動させても、アシンメトリを約８％程度にすることができた。また、前パルス、後ろパルスが別の長さの場合でも同様の動作によって補正できる。また、ここでは前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしたが、逆に、前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしても問題はない。
【０２０８】
また、５Ｔ以上のピットに関しても同様で、始端パルスを前側に、終端パルス後側に同じだけ移動させることによって、再生時のジッタも約１％程度良化することを確認した。これに関しても、始端パルスを後側に、終端パルスを前側にずらしてもよい。
【０２０９】
本実施の形態５で作製した転写ピット形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で、確認したところ、３Ｔピット幅に対して、４Ｔ以上のピット幅がほぼ同じ幅に形成されていることを確認できた。また、第１情報面のピット形状とほぼ同じ形状が得られていることを確認した。
【０２１０】
また、作製したディスクの再生評価を行った。再生波長は４０５ｎｍ、再生線速を５．１ｍ／ｓとし、ランダムパターンの評価を行ったところ、各層とも、約５％のジッタが得られ、良好な再生特性が確認された。
【０２１１】
また、露光後のＰＥＢ条件を検討した。レジスト本来のＰＥＢ温度に対して、上下に温度設定を変化させ、転写スタンパのピット形状の確認を行った。温度を低下させていくと、酸の拡散量は少なくなり、短ピットと長ピットの幅や長さの変化量は少なくなるが、ピットエッジのがたつき成分が大きくなった。これは転写後も同様にがたつきが見られた。特に標準仕様温度以下となると、ジッタ値の悪化が大きくなり、実際に使用するのは難しい。また、高温にすると一定の温度までは、エッジのがたつきが改善するように動作するが、ある温度を超えるとレジスト材料の変質が生じ、ピット形状に乱れが生じた。化学増幅型レジストＵＶ３を使用した場合、標準仕様温度１３０℃から、変質温度２５０℃までで使用することによって問題無く原盤作製が出来ていることを確認した。
【０２１２】
また、ここではピット列のみによって構成されているディスクを作製し、評価を行ったが、ピットおよび溝などが混在しているディスクにおいても同様のプロセスを用いることができる。
【０２１３】
また、ここでは、２層ディスクに関しての実験結果を説明したが、転写スタンパを用いて順にＵＶ硬化樹脂によって転写ピットを積層して作られる多層ディスクにおいても、同じ効果が得られ、同様の方法で各層のピット形状の最適化が可能である。
【０２１４】
また、再生信号からみて、樹脂で形成されたピットに対して、反射膜が奥側につくか、手前につくかによって、各層のピットの大きさに差が出るが、その場合に対しても、この発明は有効であり、各層のピットの大きさがほぼ同じになるように、ピット形状を調整することが可能である。
【０２１５】
本実施の形態５では、電子線記録装置を用いて記録を行っているが、本発明は化学増幅型レジストを用いて記録する装置に対しては同様の効果を有し、遠紫外線レーザを用いたＬＢＲ（Ｌａｓｅｒ　Ｂｅａｍ　Ｒｅｃｏｒｄｅｒ）などで、化学増幅型レジストを用いて記録をした場合などにも効果がある。
【０２１６】
（実施の形態６）
実施の形態４で説明した２層ディスクの構造において、３Ｔ系のランダムピットパターンを記録したときの場合について説明を行う。転写スタンパの形状の最適化は、実施の形態４で説明したものと同じ手順を用いた。
【０２１７】
転写した情報面の作製方法、および転写スタンパの記録条件について説明する。転写スタンパの記録密度は、第１基板と同じ密度である２５ＧＢ容量を採用した。トラックピッチは０．３２μｍ、最短ピットである３Ｔピット長は０．１８５μｍとした。
【０２１８】
最短ピット（第１ピット）である３Ｔを記録するためには、実際に露光する時間は３Ｔの約半分の１．５Ｔ程度に設定する必要がある。これは、ピットエッジ形状良化のため、今回使用した化学増幅型レジストの標準仕様温度である１３０℃に対して、ＰＥＢ温度を約２０℃高く設定したとき、酸の拡散によって、３Ｔピット長が露光部の長さの約２倍に膨れあがるためである。このとき、４Ｔピットは２．５Ｔ長、５Ｔピットは３．５Ｔ長のパルスで露光することになるが、マルチパルスを使用せずに記録すると、成形基板でピット形状を確認すると、４Ｔピットは３Ｔピットに対して約１．２倍のピット幅となり、５Ｔピットは約１．５倍程度のピット幅となっていることを確認した。この転写スタンパを使用し、粘度約２００ｍＰａ・ｓのＵＶ硬化樹脂によって転写を行い、転写ピットの形状を確認した。最短ピットである３Ｔピット幅は、それ以外の長ピット幅に対して、約６０％程度のピット幅となっており、３Ｔピットと長ピットとの形状の差が顕著になっていることが確認された。
【０２１９】
そのため、マルチパルス信号によってピット形状の最適化を行った。
【０２２０】
次に、転写スタンパの記録条件について説明を行う。
【０２２１】
図４に示すようにマルチパルス変換装置４１３を設け、入力される情報信号をマルチパルス信号に変換し、電極４０６に電圧を加える。マルチパルス変換装置路４１３では、元の情報信号パルスを次のように変換を行っている。図２１に変換前後の信号パターンと形成されるピット形状の関係を示す。信号２１０１は、従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン、信号２１０２はマルチパルス変換装置４１３によって、変換されたマルチパルス信号パターン、２１０３は形成されるピット形状を示している。
【０２２２】
まず、最短ピットである３Ｔピットの記録条件を調整した。第１基板と同じ記録条件で、３Ｔピットを形成し、ＵＶ硬化樹脂による転写を行うと、転写率に応じて転写ピットが小さくなる。第１基板を作製したときに採用した記録パワーに対する、記録パワーを比べると、約１０％程度強いパワーを用いることによって、転写後の３Ｔピットが、第１基板上の３Ｔピットに対して、ほぼ同じ形状となることを確認した。
【０２２３】
次に４Ｔ以上の長さをもつピットの記録条件を調整した。４Ｔ以上のピットは、３Ｔピットとほぼ同じ幅を持つように調整して、転写後に各ピットが同じ幅を持つように調整される。そして、各ピットの長さ方向のずれは、マルチパルス信号の調整によってなされる。
【０２２４】
第２に短いピットである４Ｔは、パルスを中央で分割し、前パルス２１０４と後パルス２１０５の２個のパルスに変換した。前パルス２１０４と後パルス２１０５は略同じ長さのパルスで、時間的に対称なパルスとすることで、ピット形状が始端、終端で歪まないようにしている。
【０２２５】
４Ｔピットに対して、前パルス、後パルスの幅を変化させたときのアシンメトリの動きを確認した。３Ｔピットを記録した１．５Ｔパルスの約８０％にあたる１．２Ｔ以上とするとピットの長さズレが大きくなり、アシンメトリが１５％以上となることを確認した。また、３Ｔピットとのアシンメトリのズレによる、ジッタ値の悪化を確認した。また、パルス幅を３Ｔピットの記録に用いた１．５Ｔパルスの５０％以下とすると、ピットの始端、終端部分の露光強度が小さくなることにより、ピットの中心部分が露光不足となり、ピットが２つに分離していることを確認した。
【０２２６】
ここでは、前パルス、後パルス幅を１．５Ｔの約７０％となる約１．１Ｔ程度とすることで、３Ｔピットに対して、ほぼ同じアシンメトリとなることを確認した。
【０２２７】
また、５Ｔピットも同様に中央で始端パルス２１０６と終端パルス２１０７の２つのパルスに分割したパターンを採用した。始端パルス２１０６、終端パルス２１０７の幅を変化させたときの動きを確認すると、始端パルス幅、および終端パルス幅を、３Ｔピット露光時に使用した１．５Ｔパルスの１１０％に相当する１．６５Ｔ以上に設定すると、ピット長さのズレが大きくなり、アシンメトリが１５％以上となることを確認した。また、３Ｔピットの記録に用いた１．５Ｔパルスの７０％に相当する１．０５Ｔ以下に設定すると、ピット中央部が記録できなくなり、ピットが２つに分離していることを確認した。
【０２２８】
６Ｔピットは始端パルス、終端パルスと、その中央部に周期がＴとなる中間パルス２１０８を配置した３個のパルスに変換した。７Ｔ以上のピットに関しては、中央部の中間パルスの個数を１つずつ増やしていく構成とした。なお、始端パルス２１０６と終端パルス２１０７は略同じ長さに設定し、中間パルス２１０８は、始端パルス２１０６と終端パルス２１０７の略中央に配置している。こうすることで、ピット形状が歪まないようにしている。
【０２２９】
始端パルス、および終端パルス幅は、ＰＥＢ後に形成されるピットエッジの位置に大きく影響を与え、始端パルス、終端パルスを、３Ｔピット記録時に用いた１．５Ｔパルスに対して、１１０％の幅にすると、ピット長さは、大きく拡大し、長ピットのエッジ位置が、３Ｔピットに対してずれてしまった。アシンメトリも１５％以上と大きくずれていることを確認した。また、７０％以下の幅とするとピットの先細りが確認され、ジッタ値も７％以上と悪化が確認された。
【０２３０】
また、中間パルスの幅を変化させたときのピット形状の動きを確認すると、デューティ比が４５％以下となると、ピットの中央部がつながらず、形成できていないピットが確認された。また、デューティ比が６５％以上となると、長ピットが、３Ｔピットに対して、大きく拡大するのが確認され、ジッタ悪化の要因となった。
【０２３１】
また、次のような方法でも、ジッタ良化の条件を設定できる。
４Ｔピットの前パルスを１．２Ｔとした場合、所定のピット長に対してピットが長くなってしまい、アシンメトリが約１５％となってしまったが、前パルスと後パルスの位置を、中心方向に同じだけずらすことによって、ピット長の長さを調整することができる。本実施の形態６の場合、４Ｔピットの前パルス、後パルスを１．０Ｔとした時に、前パルスを約０．１Ｔ分後側に、また後パルスを約０．１Ｔ分前側に、パルス位置を移動させると、アシンメトリを約８％程度まで抑えることができた。このとき、アシンメトリはほかの各Ｔのピットとほぼそろえることができ、また、前パルス、後パルスをしっかりと露光記録することができ、転写後のピット形状も良好なことを確認した。４Ｔ以上のピットに対しても同様に始端パルスを後ろ側に、終端パルスを前側に同じだけ位置を移動させることで、再生時のジッタも約１％程度良化することを確認した。
【０２３２】
本実施の形態６で作製した転写ピット形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で、確認したところ、３Ｔピット幅に対して、４Ｔ以上のピット幅がほぼ同じ幅に形成されていることを確認できた。また、第１情報面のピット形状とほぼ同じ形状が得られていることを確認した。
【０２３３】
また、作製したディスクの再生評価を行った。再生波長は４０５ｎｍ、再生線速を５．１ｍ／ｓとし、ランダムパターンの評価を行ったところ、各層とも、約５％のジッタが得られ、良好な再生特性が確認された。
【０２３４】
また、露光後のＰＥＢ条件を検討した。レジスト本来のＰＥＢ温度に対して、上下に温度設定を変化させ、転写スタンパのピット形状の確認を行った。温度を低下させていくと、酸の拡散量は少なくなり、短ピットと長ピットの幅や長さの変化量は少なくなるが、ピットエッジのがたつき成分が大きくなった。これは転写後も同様にがたつきが見られた。特に標準仕様温度以下となると、ジッタ値の悪化が大きくなり、実際に使用するのは難しい。また、高温にすると一定の温度までは、エッジのがたつきが改善するように動作するが、ある温度を超えるとレジスト材料の変質が生じ、ピット形状に乱れが生じた。化学増幅型レジストＵＶ３を使用した場合、標準仕様温度１３０℃から、変質温度２５０℃までで使用することによって問題無く原盤作製が出来ていることを確認した。
【０２３５】
また、ここではピット列のみによって構成されているディスクを作製し、評価を行ったが、ピットおよび溝などが混在しているディスクにおいても同様のプロセスを用いることができる。
【０２３６】
また、ここでは、２層ディスクに関しての実験結果を説明したが、転写スタンパを用いて順にＵＶ硬化樹脂によって転写ピットを積層して作られる多層ディスクにおいても、同じ効果が得られ、同様の方法で各層のピット形状の最適化が可能である。
【０２３７】
本実施の形態６では、電子線記録装置を用いて記録を行っているが、本発明は化学増幅型レジストを用いて記録する装置に対しては同様の効果を有し、遠紫外線レーザを用いたＬＢＲ（Ｌａｓｅｒ　Ｂｅａｍ　Ｒｅｃｏｒｄｅｒ）などで、化学増幅型レジストを用いて記録をした場合などにも効果がある。
【０２３８】
（実施の形態７）
化学増幅型レジストと電子線記録装置を使用して、再生波長４００ｎｍ程度の青紫レーザで再生される１層の容量が２０ＧＢ以上となる多層再生専用ディスクの作製を試みた。
【０２３９】
本実施の形態７における光ディスク作製方法について説明を行う。
【０２４０】
まず、化学増幅型レジストを、シリコンウェハ原盤の上に塗布を行った。塗布されたシリコンウェハは、ベーキングされた後、電子線記録装置内に投入される。電子線記録装置での記録方法は、実施の形態１で説明したものと同様の方法でマルチパルス信号による記録を実施した。露光記録されたレジスト原盤はＰＥＢ処理の後、現像され、凹凸形状が表面に形成されたレジスト原盤が作製される。
【０２４１】
次に、作製されたレジストパターンにニッケルなどの金属薄膜をスパッタ処理し、形成された金属薄膜を電極として、約０．３ｍｍの厚みまでメッキ処理を行った。メッキされた金属板をレジスト原盤から剥離し、表面に付着したレジスト材料を除去した後、内外径加工を施され、射出成形用の金属スタンパが作製される。その金属スタンパを使用して、射出成形機によって、樹脂成形を行った。これによって、厚みが約１．１ｍｍの第１基板が作製される。ただし、樹脂の厚みは、ここでは約１．１ｍｍとしたが、それ以外の厚みであっても問題はない。
【０２４２】
また、これとは別に化学増幅型レジストを塗布したシリコンウェハを準備し、電子線記録装置によって露光記録を行い、レジスト原盤を作製した。電子線記録装置での記録条件については、本実施の形態７で、後程詳細に説明を行う。
【０２４３】
このレジスト原盤を元に、上記で述べた方法により金属スタンパが作製され、射出成形機によって、樹脂成形を行った。これによって、厚みが約１．１ｍｍの樹脂基板が作製される。この基板をここでは、転写スタンパと呼ぶことにする。また、転写スタンパ上に形成された信号ピット層をここでは転写用情報面と呼ぶ。
【０２４４】
上記第１基板のピットが形成された面に、第１反射膜をスパッタリング法によって形成し、第１反射膜によって構成された第１情報面が作成される。
【０２４５】
厚み約０．１ｍｍの再生光に対して略透明なシート基板と、上記転写スタンパの転写用情報面とを、ＵＶ硬化樹脂によって貼り合せる。ここでは、厚み０．１ｍｍと規定したがそれ以外の厚みであっても問題は無い。
【０２４６】
次に、転写スタンパをＵＶ硬化樹脂との接着界面で剥離する。ＵＶ硬化樹脂は、樹脂基板との剥離性能に優れた材料を用いており、転写スタンパとＵＶ硬化樹脂との界面で剥離できる。転写スタンパを剥離することによって、シート基板上に、ＵＶ硬化樹脂によって、転写用情報面の形状が転写された転写ピットが形成される。転写ピット上に、再生光に対して半透明な第２反射膜をスパッタリング法によって形成し、シート基板上に第２情報面が作成される。
【０２４７】
次に、上記第１基板の第１情報面と、上記シート基板の第２情報面とを向かい合わせにＵＶ硬化樹脂によって貼り合せる。これによって、シート基板側から片面読み取り可能な２層ディスクが作製される。
【０２４８】
この方法によって、作製された２層ディスクの断面形状を示す模式図を図２２に示す。符号２２０１は第１基板、２２０２は第１信号ピット、２２０３は第１反射膜、２２０４は第１情報面、２２０５は転写ピット、２２０６は第２反射膜、２２０７は第２情報面、２２０８はシート基板、２２０９ａ，２２０９ｂはＵＶ硬化樹脂、２２１０は再生レーザ光である。
【０２４９】
図２２に示すように、再生光から見て検出される第１情報面のピット形状は、第１反射膜表面でのピット形状であるため、射出成形によって形成された第１ピットの大きさに対して、第１反射膜によって覆われる分小さくなる。第２反射膜は、半透明であって、第１情報面からの反射光量と、第２情報面からの反射光量がほぼ同じになるように厚みが調整されている。ここでは、第２反射膜の膜厚は約２０ｎｍ程度に設定した。第２情報面のピット形状は、転写ピット形状そのものとなる。そのため、第１基板上の第１ピットの形状が、第１反射膜によって小さくなったときに、転写ピット形状がほぼ同じ形状となるように転写スタンパ上の転写用情報面が記録されなければならない。
【０２５０】
また、このディスクの場合、転写ピットが実施の形態４から７に説明した各条件とは、再生光からみて凹凸が逆になっているが、第１反射膜の形成条件、樹脂粘度の設定、および転写スタンパの記録条件に関しては、実施の形態４から６に示すものと同じである。
【０２５１】
また、ここでは、２層ディスクに関して説明を行っているが、シート基板に対する１種類以上の転写スタンパの転写用情報面の転写を繰り返し行うことによって、情報面を積層した後、第１基板と貼り合せることによって、作成される多層ディスクにおいても、本発明の実施の形態７に示す各層のピット形状の最適化が可能である。
【０２５２】
（実施の形態８）
化学増幅型レジストと電子線記録装置を使用して、再生波長４００ｎｍ程度の青紫レーザで再生される１層の容量が２０ＧＢ以上となる多層再生専用ディスクの作製を試みた。
【０２５３】
本実施の形態８における光ディスク作製方法について説明を行う。図２３に作製方法を示す。
【０２５４】
まず、化学増幅型レジストを、シリコンウェハ原盤の上に塗布を行った。塗布されたシリコンウェハは、ベーキングされた後、電子線記録装置内に投入される。電子線記録装置での記録方法は、実施の形態１で説明したものと同様の方法でマルチパルス信号による記録を実施した。露光記録されたレジスト原盤はＰＥＢ処理の後、現像され、凹凸形状が表面に形成されたレジスト原盤が作製される。
【０２５５】
次に、作製されたレジストパターンにニッケルなどの金属薄膜をスパッタ処理し、形成された金属薄膜を電極として、約０．３ｍｍの厚みまでメッキ処理を行った。メッキされた金属板をレジスト原盤から剥離し、表面に付着したレジスト材料を除去した後、内外径加工を施され、射出成形用の金属スタンパが作製される。その金属スタンパを使用して、射出成形機によって、樹脂成形を行った。これによって、厚みが約１．１ｍｍの第１基板２３０１が作製される。ただし、樹脂の厚みは、ここでは約１．１ｍｍとしたが、それ以外の厚みであっても問題はない。
【０２５６】
また、これとは別に化学増幅型レジストを塗布したシリコンウェハを準備し、電子線記録装置によって露光記録を行い、レジスト原盤を作製した。電子線記録装置での記録条件については、本実施の形態８で、後程詳細に説明を行う。
【０２５７】
このレジスト原盤を元に、上記で述べた方法により金属スタンパが作製され、射出成形機によって、樹脂成形を行った。これによって、厚みが約１．１ｍｍの樹脂基板２３０２が作製される。この基板をここでは、転写スタンパと呼ぶことにする。また、転写スタンパ上に形成された信号ピット層をここでは転写用情報面２３０４と呼ぶ。
【０２５８】
上記第１基板のピットが形成された面に、第１反射膜２３０３をスパッタリング法によって形成し、第１反射膜によって構成された第１情報面２３０５が作成される。
【０２５９】
この第１基板の第１情報面２３０５と、上記転写スタンパの転写用情報面２３０４とを向かい合わせにして、ＵＶ硬化樹脂２３０６によって、貼り合せる。ここでは、ＵＶ硬化樹脂でそのまま貼り合せたが、転写用情報面２３０４にＵＶ硬化樹脂をコーティングした後に、第１基板と別の接着材で貼り合せることもある。
【０２６０】
次に、転写スタンパをＵＶ硬化樹脂との接着界面で剥離する。ＵＶ硬化樹脂は、樹脂基板との剥離性能に優れた材料を用いており、転写スタンパとＵＶ硬化樹脂との界面で剥離できる。転写スタンパを剥離することによって、第１基板の第１情報面２３０５上に、ＵＶ硬化樹脂によって、転写用情報面の形状が転写された転写ピット２３０７が形成される。
【０２６１】
次に、転写ピット上に、再生光に対して半透明な第２反射膜２３０８をスパッタリング法によって形成し、第２反射膜によって形成された第２情報面２３０９が作成される。
【０２６２】
その後、第２情報面上に、厚み約０．１ｍｍのシート基板２３１０を、ＵＶ硬化樹脂で、スピン工法によって、貼り合せる。これによって、シート基板側から片面読み取り可能な２層ディスクが作製される。また、シート基板の厚みはここでは約０．１ｍｍとしたが、それ以外の厚みであっても問題はない。
【０２６３】
この方法によって、作製された２層ディスクの断面形状を示す模式図を図１３に示す。符号１３０１は第１基板、１３０２は第１信号ピット、１３０３は第１反射膜、１３０４は第１情報面、１３０５は転写ピット、１３０６は第２反射膜、１３０７は第２情報面、１３０８はシート基板、１３０９はＵＶ硬化樹脂、１３１０は再生レーザ光である。
【０２６４】
このように作製されたディスクには、次のような課題が考えられる。
【０２６５】
転写用情報面２３０４の信号パターンのなかで、凹形状のピットを含んでいる転写スタンパを用いて、ＵＶ硬化樹脂によって、形状を転写し、転写ピット２３０７（１３０５）を作製し、情報面を形成する工程が含まれる光ディスクの場合、樹脂の転写の状態によって、長さ、または幅の異なるピットの形状が、転写用情報面での形状から、転写後の転写ピットでの形状で大きく変化することが有り得る。
【０２６６】
これは、図１３に示すような２層ディスクに限らず、図２４に示すような、単層ディスクであっても、情報面が、凹形状のピットを含む転写用情報面をもった転写スタンパからのＵＶ樹脂転写によって構成されたディスクにおいても同様のことが言える。
【０２６７】
図２４のディスクは、ディスクのベースとなるベース基板２４０１と、凹形状のピットを含む転写用情報面をもつ転写スタンパとを、ＵＶ樹脂２４０２で貼り合せた後に、転写スタンパを剥離して、情報面２４０８を構成しているディスクである。
【０２６８】
また、図２５に示すような、多層ディスクであって、情報面が、凹形状の転写スタンパからのＵＶ樹脂転写によって構成されているディスクにおいても同様のことが言える。
【０２６９】
図２５のディスクは、図２３で説明した方法で作製された第１基板２５０１に対して、凹形状のピットを含む転写用情報面をもつ転写スタンパをＵＶ硬化樹脂２５０４で貼り合せた後、剥離して形成した転写ピット２５０５と、もう一度、別の転写スタンパをＵＶ硬化樹脂２５０６で貼り合せた後、剥離して形成した転写ピット２５０７を含むディスクである。２５０２は第１転写ピットである。
【０２７０】
また、図２６に示すような多層ディスクであっても、同様である。
【０２７１】
図２６のディスクは、第１基板２６０１に対して、凹形状のピットを含む転写用情報面をもつ転写スタンパをＵＶ硬化樹脂２６０４で貼り合せた後、剥離して形成した転写ピット２６０５と、逆にシート基板２６０９に対して、別の転写スタンパをＵＶ硬化樹脂２６０８で貼り合せた後、剥離して形成した転写ピット２６０７を向かい合わせに、シート基板と第１基板をＵＶ硬化樹脂２６０６で貼り合せて作製したディスクである。
【０２７２】
少なくとも１つの情報面が、凹形状をもつ転写用情報面をもつ転写スタンパから、ＵＶ硬化樹脂によって、転写された転写ピットを含んでいるこれらのようなディスクは、樹脂の転写に合わせて、転写スタンパの転写用情報面のピット形状を最適化しなければならない。
【０２７３】
次に、転写ピット形状の最適化と、転写スタンパの記録条件について説明する。
転写スタンパの記録密度は、２５ＧＢ容量を採用した。トラックピッチは０．３２μｍ、最短ピットである２Ｔピット長は０．１４９μｍとした。
【０２７４】
まず、ＵＶ樹脂の粘度を変化させたときの、転写ピットの形状の確認を行った。粘度が５００ｍＰａ・ｓより大きくなると、この大きさの２Ｔピットは十分転写されず、ほとんど２Ｔピットが形成されていない状態になった。また、樹脂粘度が４０ｍＰａ・ｓより小さくなると、転写性は向上するが、転写スタンパを剥離する際、ピット形状の変形がみられ、必要なピット形状が得られていないことが確認された。ここでは、粘度約２００ｍＰａ・ｓのＵＶ硬化樹脂を使用して、２層ディスクの作製を試みた。
【０２７５】
次に転写スタンパの記録条件について説明を行う。
【０２７６】
化学増幅レジストを約１００ｎｍの厚みで、シリコンウェハ原盤の上に塗布し、電子線記録装置で記録を行った。
【０２７７】
図１６のように、１つの信号ピットに対して信号１６０２のように１つのパルスで露光した場合、ＵＶ樹脂転写した後の転写ピットのうち、最短ピット（第１ピット）である２Ｔを記録するためには、実際に露光する時間は２Ｔの約半分の１．０Ｔ程度に設定すればよい。これは、ピットエッジ形状良化のため、今回使用した化学増幅型レジストの標準仕様温度である１３０℃に対して、ＰＥＢ温度を約２０℃高く設定したとき、酸の拡散によって、２Ｔピット長が露光部の長さの約２倍に膨れあがり、かつＵＶ転写によって、ピットが小さくなることからきている。このとき、３Ｔピットは２．０Ｔ長、４Ｔピットは３．０Ｔ長のパルスで露光することになるが、図１６のように１つのピットに対して１つのパルスとなる従来信号で記録すると、成形基板でピット形状を確認したところ、３Ｔピットは２Ｔピットに対して約１．２倍のピット幅となり、４Ｔピットは約１．５倍程度のピット幅となっていることを確認した。この転写スタンパを使用し、粘度約２００ｍＰａ・ｓのＵＶ硬化樹脂によって転写を行い、転写ピットの形状を確認すると、さらにピット形状の差が大きくなり、最短ピットである２Ｔピット幅は、それ以外の長ピット幅に対して、約６０％以下のピット幅となっていることが確認された。
【０２７８】
そのため、転写スタンパ上のピット形状は、ＵＶ樹脂による転写後の２Ｔピットと長ピットとの形状差を補正するように記録されなければならない。
次に、転写スタンパの記録条件について説明を行う。
【０２７９】
図４に示すようにマルチパルス変換装置４１３を設け、入力される情報信号をマルチパルス信号に変換し、電極４０６に電圧を加える。マルチパルス変換装置路４１３では、元の情報信号パルスを次のように変換を行っている。図１７に変換前後の信号パターンと形成されるピット形状の関係を示す。信号１７０１は、従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン、信号１７０２はマルチパルス変換装置４１３によって、変換されたマルチパルス信号パターン、１７０３は形成されるピット形状を示している。
【０２８０】
従来、マルチパルス信号は、記録型ＤＶＤなどのように熱記録によってピットを形成する場合において用いられ、ピットの始端の熱が終端側に伝わっていくため、マルチパルス信号は、前半部が広く、後半部にパルス幅が狭くなっていく時間的に非対称なパターンが用いられる。しかし、本発明では、従来のパターンとは異なり、露光部を中心に酸が拡散してピットが形成されるため、ピットの始端と終端の露光部が時間的に対称となるパターンで記録する必要がある。
【０２８１】
最短ピットである２Ｔピットの記録条件は、先に説明した通り、１．０Ｔの１パルスで記録を行った。このとき、ＵＶ転写後の転写ピットを作製し、ディスク化したのち、アシンメトリを測定すると、２Ｔ信号は、アシンメトリ約８％程度となっていることを確認した。
【０２８２】
次に３Ｔ以上の長さをもつピットの記録条件を調整した。３Ｔ以上のピットは、２Ｔピットとほぼ同じ幅を持つように調整して、転写後に各ピットが同じ幅を持つように調整される。そして、各ピットの長さ方向のずれは、マルチパルス信号の調整によってなされる。
【０２８３】
３Ｔピットは、前パルス１７０４、後パルス１７０５の略同じ長さの２個のパルスに分割され、時間的に対称なパターンを採用した。前パルスの頭から後パルスの最後のエッジまでの長さは、２．０Ｔとなるように設定し、前パルスと後パルスの幅の条件を振ったときの、転写ピットを再生したときのアシンメトリの動きを確認した。図１８に、前パルスおよび後パルスのパルス幅と３Ｔ信号のアシンメトリの動きを示す。前パルス幅が０．８Ｔのとき、アシンメトリが、約８％となり、２Ｔ信号とアシンメトリが一致する。１．０Ｔ（２Ｔピットの露光パルスの約１００％）以上に設定するとアシンメトリが１５％程度となり、２Ｔピットとのピット長のずれが顕著になってくる。そのため、ジッタが７％以上に悪化してしまい、使用することが困難となった。また、０．５Ｔ（２Ｔ露光パルスの約５０％）以下に設定すると、前パルスと後パルス間のスペースが長くなりすぎるため、形状を確認したところ、転写用情報面上のピットで、すでにピットの中間部が記録できず、ピットが２つに分離していた。
【０２８４】
４Ｔピットは、始端パルス１７０６、終端パルス１７０７の略同じ長さの２個のパルスの間に周期Ｔの中間パルス１７０８を配置したパターンとした。始端パルスと終端パルスの幅は、３Ｔピットと同様に転写ピットを再生したときのアシンメトリの動きから決定される。始端パルスおよび終端パルス幅を２Ｔ露光パルスの約１１０％に当たる１．０Ｔ以上とすると、アシンメトリが１５％以上になってしまい、２Ｔまたは３Ｔ信号とのピットエッジの位置ずれが顕著となってしまう。そのため、ジッタ値は７％以上となり、実際に使用するのは難しい。また、始端パルスおよび終端パルス幅を０．３５Ｔ（２Ｔ露光パルスの約４０％）以下とすると、ピットエッジが先細りし、ジッタが７％以上となってしまった。
【０２８５】
また、中間パルスのデューティ比を変化させ、ピット形状の確認を行った。デューティ比を６５％以上としたとき、転写ピットにおける２Ｔピットのピット幅に対して４Ｔピット幅は約１．４倍の幅となり、マルチパルス記録とした効果がなくなることを確認した。また、デューティ比を４５％以下としたとき、長ピットの中間部が十分露光されず、途中で分離しているピットが確認できた。
【０２８６】
また、図１９に示すようにマルチパルス間のスペース部を完全にローレベルとしないようなパターンにおいても、マルチパルス記録の効果が得られる。例えば、マルチパルス間のスペース部が完全にローレベルのとき、中間パルスのデューティ比は約５０％程度に設定すると、良好な形状が得られたのは上記に説明した通りだが、マルチパルス間のスペース部が完全にローレベルではなく、符号１９０２に示すように、ハイレベルの約５０％以下の信号の場合は、同様のピット形状が得られていることを確認した。しかし、５０％以上のレベルの場合、長ピットと短ピットのピット幅の差が顕著となり、マルチパルス記録の効果が得られていないことを確認した。
【０２８７】
また、さらに次のような方法を用いて、さらなるジッタ良化の条件を設定できる。
【０２８８】
前パルスと後パルスの位置を、中心方向に同じだけずらすことによって、ピット長の長さを調整することができる。本実施の形態８の場合、３Ｔピットの前パルス、後パルスを０．８５Ｔとした時に、前パルスを約０．０２Ｔ分後側に、また後パルスを約０．０２Ｔ分前側に、パルス位置を移動させても、アシンメトリを約８％程度にすることができた。また、前パルス、後ろパルスが別の長さの場合でも同様の動作によって補正できる。また、ここでは前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしたが、逆に、前パルスを前側に、後パルスを後側にずらしても問題はない。
【０２８９】
また、４Ｔ以上のピットに関しても同様で、始端パルスを前側に、終端パルス後側に同じだけ移動させることによって、再生時のジッタも約１％程度良化することを確認した。これに関しても、始端パルスを後側に、終端パルスを前側にずらしてもよい。
【０２９０】
本実施の形態８で作製した転写ピット形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で、確認したところ、２Ｔピット幅に対して、３Ｔ以上のピット幅がほぼ同じ幅に形成されていることを確認できた。
【０２９１】
また、転写性が最も困難なピットは最短ピットである。ここでは、最短ピット長を０．１４９μｍとしているが、最短ピットが０．１μｍより短くなると極端にＵＶ硬化樹脂の転写性が悪化し、ほとんど転写できなくなる。また、逆に０．３μｍ以上となると、長ピットと短ピットの転写性の差は小さくなるため、本発明の効果が小さくなる。
【０２９２】
作製したディスクの再生評価を行った。再生波長は４０５ｎｍ、再生線速を４．９ｍ／ｓとし、ランダムパターンの評価を行ったところ、約５％のジッタが得られ、良好な再生特性が確認された。
【０２９３】
また、露光後のＰＥＢ条件を検討した。レジスト本来のＰＥＢ温度に対して、上下に温度設定を変化させ、転写スタンパのピット形状の確認を行った。温度を低下させていくと、酸の拡散量は少なくなり、短ピットと長ピットの幅や長さの変化量は少なくなるが、ピットエッジのがたつき成分が大きくなった。これは転写後も同様にがたつきが見られた。特に標準仕様温度以下となると、ジッタ値の悪化が大きくなり、実際に使用するのは難しい。また、高温にすると一定の温度までは、エッジのがたつきが改善するように動作するが、ある温度を超えるとレジスト材料の変質が生じ、ピット形状に乱れが生じた。化学増幅型レジストＵＶ３を使用した場合、標準仕様温度１３０℃から、変質温度２５０℃までで使用することによって問題無く原盤作製が出来ていることを確認した。
【０２９４】
また、ここではピット列のみによって構成されているディスクを作製し、評価を行ったが、ピットおよび溝などが混在しているディスクにおいても同様のプロセスを用いることができる。
【０２９５】
また、ここでは、２層ディスクに関しての実験結果を説明したが、転写スタンパを用いて順にＵＶ硬化樹脂によって転写ピットを積層して作られる多層ディスクにおいても、同じ効果が得られ、同様の方法で各層のピット形状の最適化が可能である。
【０２９６】
本実施の形態８では、電子線記録装置を用いて記録を行っているが、本発明は化学増幅型レジストを用いて記録する装置に対しては同様の効果を有し、遠紫外線レーザを用いたＬＢＲ（Ｌａｓｅｒ　Ｂｅａｍ　Ｒｅｃｏｒｄｅｒ）などで、化学増幅型レジストを用いて記録をした場合などにも効果がある。
【０２９７】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、レジスト材料として化学増幅型レジストを用い、ピット形状の再現性を確保するため、またはエッジ形状の改善を図るため、ＰＥＢ時の温度設定を標準仕様温度以上に設定し、酸の拡散量が十分大きくなるようにし、また、酸の拡散量が大きくなることによって、長さの異なるピットの長さ、および幅が目的の形状からずれてしまうものを、従来長さの異なる各ピットをそれぞれ所定の長さの１つのパルスで露光するのに対して、それぞれ時間的に対称な複数のパルスに分割、つまりマルチパルス信号で露光することによって、露光面積を調整し、所望のピット形状を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１におけるマルチパルス信号パターンとピット形状を示す図
【図２】従来の電子線記録装置の一例を示す模式図
【図３】従来の情報信号パターンとピット形状を示す模式図
【図４】本発明の実施の形態１〜６における電子線記録装置を示す模式図
【図５】本発明の実施の形態１におけるＰＥＢ温度と酸の拡散量の関係を示す図
【図６】従来の情報信号パターンで、標準仕様温度以上のＰＥＢの場合を示す図
【図７】本発明の実施の形態２における３Ｔ系信号のマルチパルス信号パターンとピット形状を示す図
【図８】本発明の実施の形態１における前（後）パルス幅とアシンメトリの動きを示す図
【図９】同、マルチパルス信号パターンとピット形状を示す図
【図１０】同、標準仕様温度と高温ＰＥＢでのピット形状の差を示す図
【図１１】本発明の実施の形態３で使用する信号パターンとピット形状を示す図
【図１２】従来の情報信号パターンで、標準仕様温度以上のＰＥＢの場合を示す図
【図１３】本発明の実施の形態４における２層ディスクの模式的断面図
【図１４】同、第１反射膜の膜厚変化と再生信号のジッタ値との関係
【図１５】同、第１反射膜の膜厚変化に対する第１基板上のピット幅の成膜前後の変化率との関係
【図１６】従来の情報信号パターンで、標準仕様温度以上のＰＥＢの場合を示す図
【図１７】本発明の実施の形態４におけるマルチパルス信号パターンと転写スタンパのピット形状を示す図
【図１８】本発明の実施の形態４における前パルスおよび後パルスのパルス幅と３Ｔ信号のアシンメトリの動きを示す図
【図１９】本発明の実施の形態４におけるマルチパルス信号パターンとピット形状を示す図
【図２０】本発明の実施の形態５におけるマルチパルス信号パターンと転写スタンパのピット形状を示す図
【図２１】本発明の実施の形態６で使用する信号パターンとピット形状を示す図
【図２２】本発明の実施の形態７における２層ディスクの模式的断面図
【図２３】本発明の実施の形態４および８における多層ディスクの製造方法の一例を示す図
【図２４】本発明の実施の形態８における転写ピットを含む光ディスクの一例を示す図
【図２５】本発明の実施の形態８における転写ピットを含む光ディスクの一例を示す図
【図２６】本発明の実施の形態８における転写ピットを含む光ディスクの一例を示す図
【符号の説明】
１０１　従来の記録に用る変換前の情報信号パターン
１０２　マルチパルス信号パターン
１０３　形成されるピット形状
１０４　３Ｔ前パルス
１０５　３Ｔ後パルス
１０６　４Ｔ以上の始端パルス
１０７　４Ｔ以上の終端パルス
１０８　中間パルス
２０１　フィラメント
２０２　サプレッサ電極
２０３　エクストラクタ電極
２０４　レンズ
２０５　アパーチャ
２０６　情報信号に応じて電子線を曲げる電極
２０７　遮蔽板
２０８　レンズ
２０９　収差補正電極
２１０　レジスト原盤
２１１　回転テーブル
２１２　スライダ
２１３　情報信号
３０１　情報信号
３０２　電極に加えられる信号
３０３　スレッショルド電圧
３０４　形成されるピット形状
４０１　フィラメント
４０２　サプレッサ電極
４０３　エクストラクタ電極
４０４　レンズ
４０５　アパーチャ
４０６　情報信号に応じて電子線を曲げる電極
４０７　遮蔽板
４０８　レンズ
４０９　収差補正電極
４１０　レジスト原盤
４１１　回転テーブル
４１２　スライダ
４１３　マルチパルス変換装置
４１４　情報信号
６０１　情報信号
６０２　電子線照射部
６０３　形成されるピット形状
７０１　従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン
７０２　マルチパルス信号パターン
７０３　形成されるピット形状
７０４　４Ｔ前パルス
７０５　４Ｔ後パルス
７０６　５Ｔ以上の始端パルス
７０７　５Ｔ以上の終端パルス
７０８　中間パルス
９０１　従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン
９０２　マルチパルス信号パターン
９０３　形成されるピット形状
９０４　３Ｔ前パルス
９０５　３Ｔ後パルス
９０６　４Ｔ以上の始端パルス
９０７　４Ｔ以上の終端パルス
９０８　中間パルス
１００１　露光パルスパターン
１００２　標準仕様温度におけるピット形状
１００３　標準仕様温度以上の温度におけるピット形状
１１０１　従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン
１１０２　マルチパルス信号パターン
１１０３　形成されるピット形状
１１０４　４Ｔ前パルス
１１０５　４Ｔ後パルス
１１０６　５Ｔ以上の始端パルス
１１０７　５Ｔ以上の終端パルス
１１０８　中間パルス
１２０１　情報信号
１２０２　電子線照射部
１２０３　形成されるピット形状
１３０１　第１基板
１３０２　第１信号ピット
１３０３　第１反射膜
１３０４　第１情報面
１３０５　転写ピット
１３０６　第２反射膜
１３０７　第２情報面
１３０８　シート基板
１３０９ａ，１３０９ｂ　ＵＶ硬化樹脂
１３１０　再生レーザ光
１６０１　情報信号
１６０２　電子線照射部
１６０３　形成されるピット形状
１７０１　従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン
１７０２　マルチパルス信号パターン
１７０３　形成されるピット形状
１７０４　３Ｔ前パルス
１７０５　３Ｔ後パルス
１７０６　４Ｔ以上の始端パルス
１７０７　４Ｔ以上の終端パルス
１７０８　中間パルス
１９０１　従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン
１９０２　マルチパルス信号パターン
１９０３　形成されるピット形状
１９０４　３Ｔ前パルス
１９０５　３Ｔ後パルス
１９０６　４Ｔ以上の始端パルス
１９０７　４Ｔ以上の終端パルス
１９０８　中間パルス
２００１　従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン
２００２　マルチパルス信号パターン
２００３　形成されるピット形状
２００４　４Ｔ前パルス
２００５　４Ｔ後パルス
２００６　５Ｔ以上の始端パルス
２００７　５Ｔ以上の終端パルス
２００８　中間パルス
２１０１　従来記録に用いていた変換前の情報信号パターン
２１０２　マルチパルス信号パターン
２１０３　形成されるピット形状
２１０４　４Ｔ前パルス
２１０５　４Ｔ後パルス
２１０６　５Ｔ以上の始端パルス
２１０７　５Ｔ以上の終端パルス
２１０８　中間パルス
２２０１　第１基板
２２０２　第１信号ピット
２２０３　第１反射膜
２２０４　第１情報面
２２０５　転写ピット
２２０６　第２反射膜
２２０７　第２情報面
２２０８　シート基板
２２０９ａ，２２０９ｂ　ＵＶ硬化樹脂
２２１０　再生レーザ光
２３０１　第１基板
２３０２　転写スタンパ
２３０３　第１反射膜
２３０４　転写用情報面
２３０５　第１情報面
２３０６　ＵＶ硬化樹脂
２３０７　転写ピット
２３０８　第２反射膜
２３０９　第２情報面
２３１０　シート基板
２３１１　ＵＶ硬化樹脂
２４０１　ベース基板
２４０２　ＵＶ硬化樹脂
２４０３　転写ピット
２４０４　反射膜
２４０５　ＵＶ硬化樹脂
２４０６　シート基板
２４０７　再生レーザ光
２４０８　情報面
２５０１　第１基板
２５０２　第１信号ピット
２５０３　第１反射膜
２５０４　ＵＶ硬化樹脂
２５０５　転写ピット
２５０６　ＵＶ硬化樹脂
２５０７　転写ピット
２５０８　ＵＶ硬化樹脂
２５０９　シート基板
２５１０　再生レーザ光
２６０１　第１基板
２６０２　第１ピット
２６０３　第１反射膜
２６０４　ＵＶ硬化樹脂
２６０５　転写ピット
２６０６　ＵＶ硬化樹脂
２６０７　転写ピット
２６０８　ＵＶ硬化樹脂
２６０９　シート基板
２６１０　再生レーザ光

Claims (74)

1. 化学増幅型レジストを塗布し、レジスト原盤を作製する工程と、
   情報信号を時間的に対称なマルチパルス信号に変換する工程と、
   前記マルチパルス信号に応じて前記レジスト原盤を露光記録する工程と、
   露光された前記レジスト原盤を加熱処理する工程と、
   前記レジスト原盤を現像することによって信号ピットを形成する工程を含む光ディスク原盤作製方法。
2. 前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの２個のパルスを始端パルス、終端パルスにし、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から４番目の第４ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなる請求項１に記載の光ディスク原盤作製方法。
3. 前記第１ピットが２Ｔピットである請求項２に記載の光ディスク原盤作製方法。
4. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上１３０％以下である請求項３に記載の光ディスク原盤作製方法。
5. 前記始端パルスおよび前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１３０％以下である請求項３に記載の光ディスク原盤作製方法。
6. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上１３０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１３０％以下である請求項３に記載の光ディスク原盤作製方法。
7. 前記第１ピットが３Ｔピットである請求項２に記載の光ディスク原盤作製方法。
8. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上、８０％以下である請求項７に記載の光ディスク原盤作製方法。
9. 前記始端パルスおよび前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１００％以下である請求項７に記載の光ディスク原盤作製方法。
10. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上８０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１００％以下である請求項７に記載の光ディスク原盤作製方法。
11. 前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの始端パルス、終端パルスの２個のパルスからなり、短い方から４番目の第４ピットに対しては、略同じ長さの前記始端パルスと前記終端パルスと、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から５番目の第５ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなる請求項１に記載の光ディスク原盤作製方法。
12. 前記第１ピットが３Ｔピットである請求項１１に記載の光ディスク原盤作製方法。
13. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上８０％以下である請求項１２に記載の光ディスク原盤作製方法。
14. 前記始端パルスおよび前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、９０％以上１１０％以下である請求項１２に記載の光ディスク原盤作製方法。
15. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上８０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、９０％以上、１１０％以下である請求項１２に記載の光ディスク原盤作製方法。
16. 前記中間パルスのデューティ比が、４５％以上６５％以下である請求項２から１５のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法。
17. 前記前パルスと前記後パルスの間のスペース部、または前記始端パルスと前記終端パルスの間のスペース部の出力レベルが、各パルスの最大出力の５０％以下である請求項２から１６のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法。
18. 前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらす請求項２から１７のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法。
19. 前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらす請求項２から１７のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法。
20. 前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらし、同時に、前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらす請求項２から１７のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法。
21. 露光された前記レジスト原盤を加熱する温度が、標準仕様温度以上、かつ変質温度以下である請求項１から２０のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法。
22. 電子線記録装置で露光記録する請求項１から２１のいずれかに記載の光ディスク原盤作製方法。
23. 化学増幅型レジストを塗布し、レジスト原盤を作製し、情報信号を時間的に対称なマルチパルス信号に変換し、前記マルチパルス信号に応じて前記レジスト原盤を露光記録し、露光された前記レジスト原盤を加熱処理し、前記レジスト原盤を現像することによって信号ピットを形成して作製された光ディスク原盤を用いて作製された光ディスクであって、
    転写した情報面の各ピット幅が略同じであることを特徴とする光ディスク。
24. 前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの２個のパルスを始端パルス、終端パルスにし、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から４番目の第４ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなる請求項２３に記載の光ディスク。
25. 前記第１ピットが２Ｔピットである請求項２４に記載の光ディスク。
26. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上１３０％以下である請求項２５に記載の光ディスク。
27. 前記始端パルスおよび前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１３０％以下である請求項２５に記載の光ディスク。
28. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上１３０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１３０％以下である請求項２５に記載の光ディスク。
29. 前記第１ピットが３Ｔピットである請求項２４に記載の光ディスク。
30. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上８０％以下である請求項２９に記載の光ディスク。
31. 前記始端パルスおよび前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１００％以下である請求項２９に記載の光ディスク。
32. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上８０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１００％以下である請求項２９に記載の光ディスク。
33. 前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの始端パルス、終端パルスの２個のパルスからなり、短い方から４番目の第４ピットに対しては、略同じ長さの前記始端パルスと前記終端パルスと、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から５番目の第５ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなる請求項２３に記載の光ディスク。
34. 前記第１ピットが３Ｔピットである請求項３３に記載の光ディスク。
35. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上８０％以下である請求項３４に記載の光ディスク。
36. 前記始端パルスおよび前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、９０％以上１１０％以下である請求項３４に記載の光ディスク。
37. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、６０％以上８０％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、９０％以上１１０％以下である請求項３４に記載の光ディスク。
38. 前記中間パルスのデューティ比が、４５％以上６５％以下である請求項２４から３７のいずれかに記載の光ディスク。
39. 前記前パルスと前記後パルスの間のスペース部、または前記始端パルスと前記終端パルスの間のスペース部の出力レベルが、各パルスの最大出力の５０％以下である請求項２４から３８のいずれかに記載の光ディスク。
40. 前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらす請求項２４から３９のいずれかに記載の光ディスク。
41. 前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらす、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらす請求項２４から３９のいずれかに記載の光ディスク。
42. 前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらし、同時に、前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらす請求項２４から３９のいずれかに記載の光ディスク。
43. 露光された前記レジスト原盤を加熱する温度が、標準仕様温度以上、かつ変質温度以下である請求項２３から４２のいずれかに記載の光ディスク。
44. 電子線記録装置で露光記録する請求項２３から４３のいずれかに記載の光ディスク。
45. 少なくとも片面に少なくとも凹形状のピットを含む信号層からなる転写用情報面が形成された転写スタンパを作成する工程と、
    前記転写用情報面に光硬化樹脂が接した状態で、
    ベース基板と前記転写スタンパを、前記転写用情報面とベース基板が向かい合うように貼り合せる工程と、
    前記転写スタンパを前記光硬化樹脂との界面で剥離して前記転写スタンパの前記転写用情報面を前記光硬化樹脂に転写する工程を含む光ディスクの製造方法であって、
    前記転写スタンパにより、転写した情報面の各ピット幅が略同じとなるように形成することを特徴とする光ディスクの製造方法。
46. 片面に少なくともピットを含む第１信号層と第１反射膜によって第１情報面が形成された第１基板上に、再生光に対して略透明な樹脂からなる信号層を転写スタンパによって形成された多層光ディスクの製造方法であって、
    少なくとも片面にピットを含む信号層からなる転写用情報面が形成された、少なくとも１種類の転写スタンパを作製する工程と、
    前記転写用情報面に光硬化樹脂が接した状態で、前記第１基板と前記転写スタンパとの情報面が向かい合うように貼り合せる工程と、
    前記転写スタンパを前記光硬化樹脂との界面で剥離して前記転写スタンパの前記転写用情報面を前記光硬化樹脂に転写する工程とを含み、
    少なくとも１種類の転写スタンパを用いて、前記転写を前記第１基板上に少なくとも１回以上行う際、前記第１情報面の信号ピット形状と、転写した情報面のピット形状が略同じになるように形成することを特徴とする光ディスクの製造方法。
47. 片面に少なくともピットを含む第１信号層と第１反射膜によって第１情報面が形成された第１基板上に、再生光に対して略透明な樹脂からなる信号層を転写スタンパによって形成された多層光ディスクの製造方法であって、
    少なくとも片面にピットを含む信号層からなる転写用情報面が形成された、少なくとも１種類の転写スタンパを作製する工程と、
    再生光に対して略透明な樹脂からなる第２基板上に、前記転写用情報面に光硬化樹脂が接した状態で、前記転写スタンパの情報面が向かい合うように貼り合せる工程と、
    前記転写スタンパを前記光硬化樹脂との界面で剥離して前記転写スタンパの前記転写用情報面を前記光硬化樹脂に転写する工程と、
    前記第２基板上に少なくとも１種類の転写スタンパを用いて、前記転写を少なくとも１回以上行った後に前記第２基板の転写情報面と前記第１基板の前記第１情報面とが対向するように再生光に対して略透明な樹脂によって貼り合わせる工程とを含み、
    前記転写スタンパにより、前記第１情報面の信号ピット形状と、転写した情報面のピット形状が略同じになるように形成することを特徴とする光ディスクの製造方法。
48. 前記光硬化樹脂の粘度が、４０ｍＰａ・ｓ以上５００ｍＰａ・ｓ以下の範囲である請求項４５から４７のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
49. 前記第１反射膜の膜厚が、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲である請求項４６から４８のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
50. 前記第１基板に形成された前記第１信号ピットのうち、最短ピットを除く、その他のピット幅に対して、前記光硬化樹脂で転写した情報面のピットのうち、最短ピットを除く、その他のピット幅が、７０％以上９５％以下の範囲である請求項４６から４９のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
51. 化学増幅型レジストを塗布し、レジスト原盤を作製する工程と、情報信号を時間的に対称なマルチパルス信号に変換する工程と、前記マルチパルス信号に応じて前記レジスト原盤を露光記録する工程と、露光された前記レジスト原盤を加熱処理する工程と、前記レジスト原盤を現像することによって信号ピットを形成する工程を少なくとも含む工程で作製された光ディスク原盤を用いて前記転写スタンパを作製する請求項４５から５０のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
52. 前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの２個のパルスを始端パルス、終端パルスにし、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から４番目の第４ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなる請求項５１に記載の光ディスクの製造方法。
53. 前記第１ピットが２Ｔピットである請求項５２に記載の光ディスクの製造方法。
54. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上１００％以下である請求項５３に記載の光ディスクの製造方法。
55. 前記始端パルスおよび前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１１０％以下である請求項５３に記載の光ディスクの製造方法。
56. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上１００％以下であり、かつ、前記始端パルス、および前記終端パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１１０％以下である請求項５３に記載の光ディスクの製造方法。
57. 前記第１ピットが３Ｔピットである請求項５２に記載の光ディスクの製造方法。
58. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上８０％以下である請求項５７に記載の光ディスクの製造方法。
59. 前記始端パルスおよび前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１００％以下である請求項５７に記載の光ディスクの製造方法。
60. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上８０％以下であり、かつ、前記始端パルスおよび前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、４０％以上１００％以下である請求項５７に記載の光ディスクの製造方法。
61. 前記マルチパルス信号が、前記信号ピットのうち最短長の第１ピットに対しては１個のパルスからなり、短い方から２番目の第２ピットに対しては略同じ長さの前パルス、後パルスの２個のパルスからなり、短い方から３番目の第３ピットに対しては略同じ長さの始端パルス、終端パルスの２個のパルスからなり、短い方から４番目の第４ピットに対しては、略同じ長さの前記始端パルスと前記終端パルスと、前記始端パルスと前記終端パルスの間に、前記情報信号のクロック信号と同じ周期の１個の中間パルスを配置したパルスからなり、短い方から５番目の第５ピット以降に対しては、前記中間パルスを１個ずつ追加したパルスからなる請求項５１に記載の光ディスクの製造方法。
62. 前記第１ピットが３Ｔピットである請求項６１に記載の光ディスクの製造方法。
63. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上８０％以下である請求項６２に記載の光ディスクの製造方法。
64. 前記始端パルスおよび前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、７０％以上１１０％以下である請求項６２に記載の光ディスクの製造方法。
65. 前記前パルスおよび前記後パルスのパルス幅が、前記第１ピットに対するパルスに対して、５０％以上８０％以下であり、かつ、前記始端パルスおよび前記終端パルスが、前記第１ピットに対するパルスに対して、７０％以上１１０％以下である請求項６２に記載の光ディスクの製造方法。
66. 前記中間パルスのデューティ比が、４５％以上６５％以下である請求項５２から６５のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
67. 前記前パルスと前記後パルスの間のスペース部、または前記始端パルスと前記終端パルスの間のスペース部の出力レベルが、各パルスの最大出力の５０％以下である請求項５２から６６のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
68. 前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらす請求項５２から６７のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
69. 前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらす請求項５２から６７のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
70. 前記第２ピットの長さが最適な長さとなるように、前記前パルスの位置を後に、かつ前記後パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記前パルスの位置を前に、かつ前記後パルスの位置を後に略同じだけずらし、同時に、前記第３ピット以降の長い前記信号ピットの長さが最適となるように、前記始端パルスの位置を後に、かつ前記終端パルスの位置を前に略同じだけずらすか、または前記始端パルスの位置を前に、かつ前記終端パルスの位置を後に略同じだけずらす請求項５２から６７のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
71. 露光された前記レジスト原盤を加熱する温度が、標準仕様温度以上、かつ変質温度以下である請求項５１から７０のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
72. 前記第１情報面の信号ピットおよび前記転写した情報面のピットのうち、最短ピット長が０．３μｍ以下０．１μｍ以上である請求項４５から７１のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
73. 電子線記録装置で露光記録する請求項５１から７２のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。
74. 前記第１信号層と前記転写した情報面の密度が略同じである請求項４５から７３のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。

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