JP3196270B2

JP3196270B2 - Ｒｏｍディスクの製造方法

Info

Publication number: JP3196270B2
Application number: JP33721791A
Authority: JP
Inventors: 渡辺　　哲; 秀嘉堀米
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-12-19
Filing date: 1991-12-19
Publication date: 2001-08-06
Anticipated expiration: 2016-08-06
Also published as: JPH05174428A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、記録ピットが予めカッ
ティングされたＣＤ（コンパクトディスク）等のＲＯＭ
ディスクの製造方法に係わる。

【０００２】

【従来の技術】例えばコンピュータのソフト、あるいは
コンピュータの操作、取扱い説明用におけるＲＯＭ型記
録媒体としては、量産性に富むピット型ＲＯＭディス
ク、例えばＣＤ（コンパクトディスク）におけるように
凹凸ピットに可干渉光を照射してその読出しを行う光デ
ィスクのＯＤ（オプティカルデータ）型のＲＯＭディス
クを用いることが有利である。

【０００３】この場合、対象とする機器、例えばコンピ
ュータにおいてＭＯ（光磁気）型ディスクが用いられて
いる場合、上述のＯＤ型ＲＯＭディスクにおいても互換
性の上から同じフォーマットにすることが望まれる。

【０００４】このＣＤ等のＯＤ−ＲＯＭディスクを作製
するには、通常所要の凹凸パターンが形成されたスタン
パを形成し、これを用いてインジェクションモールド、
あるいは２Ｐ（フォトポリマリゼーション・プロセス）
によって目的とするディスクを作製する。

【０００５】このスタンパ作製のマスタリングは、基板
上にフォトレジストを塗布し、これに書込み信号例えば
“１”，“０”信号に応じてオン・オフ変調された光ス
ポットをフォトレジスト層に照射してパターン露光すな
わち情報の記録を行い、これを現像し、凹凸パターンを
形成し、これの上にＮｉ等のメッキ層を形成し、これを
引き剥がしてこれ自体をスタンパとするか、さらにこれ
より互いにマザーを転写形成し、これよりさらに転写に
よってスタンパを作製する方法が採られる。

【０００６】すなわち、この場合の記録は、いわば光変
調記録によるものである。

【０００７】この光変調記録についてみると、この場合
図６Ａ，Ｂ及びＣにその記録光のスポットを示すよう
に、記録密度を上げていくに伴い、順次ＡからＣに向か
うように、記録光のスポットの径を小さくする必要があ
ることから、これによって得られた記録部の記録ピット
Ｐのトラック幅方向の幅Ｗについても漸次これが小とな
り再生出力が小さく、変調伝達関数ＭＴＦが悪くなる。
またこの場合図７Ａに示す小なるピットが連続するよう
な、ベースバンド記録即ちデータ“１”，“０”をその
まま記録する方法、つまり“１”，“０”が無限に続く
ような場合、露光スポットの連続照射による光のにじみ
によって図７Ｂに示すように後方に向かって幅広のピッ
トＰが形成される。また、仮に図７Ｃに示すように小な
るピットＰとして連続的に形成したとしても、この場
合、ピットＰのエッジの曲率が急峻であることからジッ
タが大きくなる。

【０００８】一方、記録の読出しを高い変調度ＭＴＦ
（モジュレーション・トランスファ・ファンクション）
をもって行うには、読み出し光の波長λを小さく、対物
レンズの開口数Ｎ．Ａ．を高めることになるが、実際上
再生光として一般に用いられる普及型の半導体レーザの
波長は、７８０ｎｍであり、Ｎ．Ａ．についてもこれが
あまり大きいとディスクの傾きによる収差が大きくなる
とか焦点深度が浅いことによってフォーカスが不安定に
なることなどから、この開口数Ｎ．Ａ．は、０．５５程
度とされている。

【０００９】そして、今、このＭＴＦの、例えば
“０”，“１”の繰返しパターンの密度Ｌｐ／ｍｍの依
存性をみると、図８に示すようになり、その記録密度の
限界はλ／２ＮＡで決まる周波数となるが、同図中各曲
線ａ，ｂ，ｃで示すように記録ピットの幅の減少に伴っ
てその変調度が低下する。

【００１０】したがって、このようないわば光変調記録
に対応するＲＯＭディスクにおいては、高変調度の高記
録密度によるＲＯＭディスクが得難い。

【００１１】これに対しＭＯ（光磁気）ディスクについ
てみると、これにおいて磁界変調記録が用いられるとき
は、図９Ａ，Ｂ及びＣで示すように、順次高密度化され
てもその磁気的ピットＰの配列方向に重ね書きができる
ことからトラック幅方向のピット幅Ｗをほとんど一定
に、即ち大なる幅に保持した状態で高密度記録を行うこ
とができる。

【００１２】このように磁界変調によるＭＯディスクに
おいては、高密度化されてもなお、そのピットが、トラ
ック幅方向に関して大なる幅を保持できることから大き
な変調度が得られる。

【００１３】そして、このように高密度化されたＭＯデ
ィスクの再生機に、上述したＯＤディスクとの互換性を
持たせるには、同じ信号処理、同じ回転数でその読出し
を行うことができるようにすなわち同じフォーマットの
ＯＤ−ＲＯＭディスクを作製することが望まれる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明においては、Ｍ
Ｏディスクと同程度の高密度記録化をはかることがで
き、しかも高変調度が得られるＯＤ−ＲＯＭディスクを
作製することができるようにする。

【００１５】すなわち、現状においてＭＯディスクにお
いては、０．４μｍに及ぶ小さいピットの形成が可能な
状態となっているものであるが、本発明は、これと同程
度の最短ピットを含み、ベースバンド情報を確実にピッ
トとして形成することができるようにする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその一
例の工程図を示すように、基体１上に被着形成したフォ
トレジスト層２（図１Ｂ）に対して記録情報に応じて光
変調された光スポットＳＰをもって露光を行う工程（図
１Ｃ）と、フォトレジスト層２の現像処理によって記録
情報に応じた凹凸パターン３を形成する工程（図１Ｄ）
と、この凹凸パターン３に基づいてＲＯＭディスクを作
製する工程とを少なくとも有するＲＯＭディスクの製造
方法において、フォトレジスト層２に対する露光を図３
Ａに示すように、トラック幅方向に長軸を有する長円形
スポット光ＳＰをもって１ビット当たり、１パルスの露
光によって行う。

【００１７】本発明の他の１は、上述の長円形スポット
光ＳＰを得る方法として露光光源からの円形スポット
を、アナモルフィックプリズムによって長円形スポット
化する。

【００１８】さらに、本発明の他の１は、上述の長円形
スポット光ＳＰを露光光源からの円形スポットをトラッ
ク幅方向に往復偏向させて長円形スポット化する。

【００１９】

【作用】本発明においては、フォトレジスト層２に対す
る露光スポットを、図３Ａに示すようにトラック幅方向
に長軸を有する長円形スポットＳＰとし、これをもって
記録情報、例えば“０”，“１”をオン・オフ変調させ
てフォトレジスト層２の露光を、特に１ビット当り、１
パルスをもって露光するので、ベースバンド情報つまり
“０”や“１”が続くようなデータが存在する場合にお
いても、図３Ｂに示すように、その露光部すなわちこれ
を基に形成された情報ピットは、個々に重なり合うこと
なく密にしかも曲率の緩かなピットを形成することがで
き、ジッタの改善がはかられる。また、上述したように
トラック幅方向の幅Ｗは、例えば１．２μｍ程度に大に
することができ、これによって出力の向上、ＭＴＦが良
好な高記録密度化向上をはかることができる。このよう
にして得たピットは、いわば光変調型構成を採るにも係
わらず、ＭＯにおける磁界変調の記録に対応して高ＭＴ
Ｆ、さらにジッタの低減化をはかることができることか
ら、ＭＯの再生器と同等のシステム、イコライザ設定等
において互換性を持たすことができる。

【００２０】

【実施例】本発明によるＲＯＭディスクの製造方法の一
実施例を説明する。まず、このＲＯＭディスクを得るた
めのスタンパの作製方法について図１及び図２を参照し
て詳細に説明する。この場合、図１Ａに示すように表面
が平滑に研磨されたガラス基板等よりなる基体１を用意
し、これの上に図１Ｂに示すように例えばポジ型のフォ
トレジスト層２をスピンコート等をもって一様の厚さに
被着塗布形成する。

【００２１】次に、図１Ｃに示すように、記録信号に応
じて変調された光スポットＳＰを照射してフォトレジス
ト層２をパターン露光する。

【００２２】図１Ｄに示すように、フォトレジスト層２
に対して現像処理を行って例えば最終的に得るピットに
対応する透孔２ａを形成してこれによって凹凸パターン
３を形成する。

【００２３】図１Ｅに示すように、この基体１上にフォ
トレジスト層２の表面を含んで全面的に無電解メッキ、
蒸着等による導電層を形成し、その後、例えばＮｉメッ
キ、電気メッキを施して、メタルマスタ１１を形成す
る。

【００２４】その後、図２Ａに示すように、このメタル
マスタ１１を基体１から剥離して、これ自体をスタンパ
とするか、あるいはこれをスタンパを得るためのマザー
としてこれをさらに転写してスタンパを形成し、このス
タンパを例えばインジェクションモールド用の成形金型
に設置してインジェクションモールドするとか、２Ｐ法
を適用して図２Ｂに示すように目的とするＲＯＭディス
ク基板１２を形成する。

【００２５】このように形成したＲＯＭディスク基板１
２は、図２Ｃに示すように上述した光スポットＳＰの記
録情報に応じた露光パターンに対応するピットＰによる
凹凸パターン１３が形成される。

【００２６】そして、このようなスタンパを用いてイン
ジェクションモールドあるいは２Ｐ法によって所要のピ
ットが形成されたディスク基板１２を成形して後、これ
の上に反射膜１４及び保護膜１５等の形成を行って目的
とするＲＯＭディスク１６を得る。

【００２７】上述の製造方法において、図１Ｃで説明し
たフォトレジスト層２に対する光スポットＳＰによる露
光は、図４に示す露光手段によって行うことができる。
図４において、１７はフォトレジスト層２を塗布した基
体１を、その中心軸を中心として回動させるスピンドル
モータを示す。１８はＨｅ−Ｃｄ、あるいはＡｒ等の３
８０〜３９０ｎｍのガスレーザ等の短波長の露光光源
で、これより円形スポット光が得られる。この光Ｌを、
記録信号源１９よりの信号によって変調する光変調器２
０によって光強度変調してこれをミラー２１によって反
射させて対物レンズ２２を通じてフォトレジスト層２上
に照射する。

【００２８】ミラー２１は、基体１の回転を行うスピン
ドルモータ１７の回転に応じてその半径方向に対物レン
ズ２２と共に移動して対物レンズの光軸上に光Ｌを導入
するように移動自在に構成されている。

【００２９】また、スピンドルモータ１７は、例えば光
照射手段すなわち対物レンズ２２の位置等の検出、さら
にその位置から回転数を計算するコンピュータ等の駆動
制御手段２３によってその回転制御が行われる。

【００３０】このような構成において、本発明において
は光源１８から対物レンズ２２の光路上、例えば光源１
８と光変調器２０との間、あるいはその後段にアナモル
フィックプリズム２４を配置して、図３Ａでそのスポッ
トＳＰを示すように、トラック幅方向とこれと直交する
ピットの配列方向に関して非対象の倍率とされた長円形
スポットＳＰを形成する。

【００３１】さらに、この記録は１ビット当たり１パル
スの露光によって行う。すなわち１ビット毎に独立した
露光を図３Ｂに示すように行う。

【００３２】このようにすることによって前述したよう
にベースバンド情報をピットとしてカッティングする場
合においても独立した不連続のピットＰとして、すなわ
ち、図３Ｂに示すように、隣り合う情報ピットＰの各肩
部間に間隙の発生、すなわち相互に重なり合わない部分
を生じさせて形成される。そして、この場合このピット
Ｐは最密状態に形成される。

【００３３】上述した例においては、長円形スポットＳ
Ｐを得る方法としてビーム整形プリズムに用いられるア
ナモルフィックプリズム２４によって縦横倍率の異なる
すなわち長円形のスポットＳＰを得るようにした場合で
あるが、この長円形スポットＳＰを得る方法としては、
例えば図４におけるミラー２１に換えてガルバノミラー
を設置し、これによって対物レンズに対する光軸を図５
に示すようにトラック幅方向に対応する一平面内で振る
ことによって例えば１．２μｍの長径ｄを有するスポッ
トＳＰを得ることができる。

【００３４】上述したように、本発明においては長円形
スポットＳＰを用いて露光処理を施し、これによってス
タンパを作製し、このスタンパによってＲＯＭディスク
を得るものであるが、このようにして得たＲＯＭディス
クのピットすなわち凹部は従来の円形スポットによって
得たピットの最端ピットが０．８７μｍであったもので
あるのに比し０．４５μｍ以下例えば０．４μｍに及ぶ
ピットの形成が可能となり磁界変調型におけると同等の
高密度化をはかることができる。

【００３５】また、１ビット、１パルスによる記録を行
ったことによって、ベースバンド情報の記録における場
合において、その光の滲みによる連続露光による場合の
図７Ｂで説明したピット幅の広がりが生じジッタ不良を
招来することの不都合を回避できる。

【００３６】

【発明の効果】本発明においては、フォトレジスト層２
に対する露光スポットを、図３Ａに示すようにトラック
幅方向に長軸を有する長円形スポットＳＰとし、これを
もって記録情報、例えば“０”，“１”をオン・オフ変
調させてフォトレジスト層２の露光を、特に１ビット１
パルスをもって露光するので、ベースバンド情報におい
てもその記録を確実に行うことができる。また、上述し
たようにトラック幅方向の幅Ｗは例えば１．２μｍ程度
に大にすることができ、これによって出力の向上、ＭＴ
Ｆの向上をはかることができる。このようにして得たピ
ットは、いわば光変調型構成を採るにも係わらずＭＯに
おける磁界変調の記録に対応して高ＭＴＦさらにジッタ
の低減化をはかることができることからＭＯの再生器と
同等のシステム、イコライザ設定等において互換性を持
たすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明製造方法の一例の製造工程図（その１）
である。

【図２】本発明製造方法の一例の製造工程図（その２）
である。

【図３】本発明製法に用いる光スポットとこれによるピ
ットを示す図である。

【図４】本発明製法のフォトレジスト層に対する露光装
置の一例の構成図である。

【図５】本発明方法の露光スポットを得る他の例の説明
図である。

【図６】従来の光変調記録の説明図である。

【図７】従来の光変調記録の説明図である。

【図８】ＭＦＴの特性曲線図である。

【図９】磁界変調の記録の説明図である。

【符号の説明】

１基体２フォトレジストＳＰ光スポットＰピット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭61−287038（ＪＰ，Ａ) 特開平２−64934（ＪＰ，Ａ) 特開平２−5236（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−285727（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/26 G11B 7/0045 G11B 7/135

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に被着形成したフォトレジスト層
に対して記録情報に応じて光変調された光スポットをも
って露光する露光工程と、上記フォトレジスト層の現像処理によって記録情報に応
じた凹凸パターンを形成する工程と、該凹凸パターンに基いてＲＯＭディスクを作製する工程
とを少なくとも有するＲＯＭディスクの製造方法におい
て、上記露光工程における上記フォトレジスト層に対して露
光する光スポットが、トラック幅方向に長軸を有する長
円形スポット化された光スポットであり、かつ、該光ス
ポットは、記録情報の１ビット当たり、１パルスとされ
て、上記フォトレジスト層において、互いに隣接する１
ビットに対応するピットが重なり合わない部分を形成す
ることを特徴とするＲＯＭディスクの製造方法。
【請求項２】請求項１に記載のＲＯＭディスクの製造
方法において、長円形スポット光を、露光光源からの円形スポットをア
ナモルフィックプリズムによって長円形スポット化して
得ることを特徴とするＲＯＭディスクの製造方法。
【請求項３】請求項１に記載のＲＯＭディスクの製造
方法において、長円形スポット光を、露光光源からの円形スポットをト
ラック幅方向に往復偏向させて長円形スポット化して得
ることを特徴とするＲＯＭディスクの製造方法。