JPS62223837A - 光記録原盤の製造方法 - Google Patents
光記録原盤の製造方法Info
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Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
この発明は、光ビームで情報の記録、再生を行なう例え
ば光ディスク、光カード等の光記録原盤の製造方法に関
する。
ば光ディスク、光カード等の光記録原盤の製造方法に関
する。
[発明の技術的背印とその問題点コ
ユーザーにより記録、再生を行なうことのできる追記録
可能形の光ディスクには、通゛j;τ記録、再生ヘッド
の位置決めを行なうための案内溝、およびランダムアク
セスなどに使用する位置情報等を含むアドレス信号が記
録される。
可能形の光ディスクには、通゛j;τ記録、再生ヘッド
の位置決めを行なうための案内溝、およびランダムアク
セスなどに使用する位置情報等を含むアドレス信号が記
録される。
第2図は、このような光ディスクの原盤を示すもので、
同図中、11はガラス吊板、12はフォトレジスト層(
感光材m)、13はトラッキング用の案内溝、14はア
ドレス信号のビット、15はユーザーに使用される情報
記録fllIfiとなる部分である。
同図中、11はガラス吊板、12はフォトレジスト層(
感光材m)、13はトラッキング用の案内溝、14はア
ドレス信号のビット、15はユーザーに使用される情報
記録fllIfiとなる部分である。
情報の記録、再生用の光の波長をλ、ディスク基板の屈
折率をnとしたとき、案内溝13の深さは、トラッキン
グ用の差動出力信号を大きくするためにλ/8nに選ば
れ、またアドレス信号のビット14の深さは信号出力を
大きくするためにλ/4nに選ばれる。
折率をnとしたとき、案内溝13の深さは、トラッキン
グ用の差動出力信号を大きくするためにλ/8nに選ば
れ、またアドレス信号のビット14の深さは信号出力を
大きくするためにλ/4nに選ばれる。
第3図は、上記のような光ディスク原110の製造装置
を示すものである。第3図中、17は記録用レーザで、
Arレーデ、;にたはト1e−Cdレーザ等が用いられ
る。
を示すものである。第3図中、17は記録用レーザで、
Arレーデ、;にたはト1e−Cdレーザ等が用いられ
る。
18はビームスプリッタで、このビームスプリッタ18
により、記録用レーザ17からの光ビームは、案内溝1
3記録用の光ビームと、アドレス信号のビット14記録
用の光ビームとに分けられる。そして各光ビームの光路
に、光強度可変および信号変調のための光変調器2L2
2がそれぞれ配設されている。
により、記録用レーザ17からの光ビームは、案内溝1
3記録用の光ビームと、アドレス信号のビット14記録
用の光ビームとに分けられる。そして各光ビームの光路
に、光強度可変および信号変調のための光変調器2L2
2がそれぞれ配設されている。
19a〜19eはミラー、23は他のビームスプリッタ
、24は記録ヘッドである。
、24は記録ヘッドである。
そし′C2つの光ビームが、各光変調器21.22によ
り、案内溝13記録用の露光パワー、およびアドレス信
号のビット14記録用の露光パワーにそれぞれ制御され
て案内溝13、およびアドレス信舅のビット14が同時
に露光される。露光後、現象処理を行なうことにより所
要の案内溝13、およびアドレス信号のビット14が形
成される。
り、案内溝13記録用の露光パワー、およびアドレス信
号のビット14記録用の露光パワーにそれぞれ制御され
て案内溝13、およびアドレス信舅のビット14が同時
に露光される。露光後、現象処理を行なうことにより所
要の案内溝13、およびアドレス信号のビット14が形
成される。
しかしながら上記の光記録原盤の製造方法では、記録用
レーザ17からの光ビームを2系統に分け、案内溝13
とアドレス信号のビット14とを同時に露光するように
していたため、2つの光ビームの伶置合わせ、および各
露光パワーの制御が難しくなり、寸法精度の高い光記録
原盤を製造することが難しい。また光学系の構成が複雑
になるという問題点があった。
レーザ17からの光ビームを2系統に分け、案内溝13
とアドレス信号のビット14とを同時に露光するように
していたため、2つの光ビームの伶置合わせ、および各
露光パワーの制御が難しくなり、寸法精度の高い光記録
原盤を製造することが難しい。また光学系の構成が複雑
になるという問題点があった。
[発明の目的]
この発明は、上記事情に基づいてなされたもので、比較
的簡単な)°J造装賀で寸法精度の高い光記録原盤を製
造することのできる光記録原盤の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
的簡単な)°J造装賀で寸法精度の高い光記録原盤を製
造することのできる光記録原盤の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
[発明の概要]
上記目的を達成するために、この発明は基板上に設けた
感光材層に案内溝を形成した後、当該案内溝に沿って記
録ヘッドが追随するにうに1〜ラツク制御をかけながら
当該案内溝間に情報信号を記録することにより、単一の
光学系で案内iMおよび情報信号が記録できるとともに
、案内溝の間に精度よく情報信号が記録されるようにし
たものである。
感光材層に案内溝を形成した後、当該案内溝に沿って記
録ヘッドが追随するにうに1〜ラツク制御をかけながら
当該案内溝間に情報信号を記録することにより、単一の
光学系で案内iMおよび情報信号が記録できるとともに
、案内溝の間に精度よく情報信号が記録されるようにし
たものである。
[発明の実施例]
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。この
実施例は光デイスク原盤の製造方法に適用したものであ
る。
実施例は光デイスク原盤の製造方法に適用したものであ
る。
まず第1図を用いてこの発明に適用する製造装置を説明
すると、第1図中、1は記録用レーザ、2は光強度可変
、および信号変Ekiのための光変調器、3はミラー、
4は記録ヘッドで、記録ヘッドには、公知のトラッキン
グサーボ機構も内蔵されている。トラッキングサーボ機
構における光源としては、露光用のレーザ光源とは別途
にフォトレジストが感光しないような半導体レーザが用
いられる。
すると、第1図中、1は記録用レーザ、2は光強度可変
、および信号変Ekiのための光変調器、3はミラー、
4は記録ヘッドで、記録ヘッドには、公知のトラッキン
グサーボ機構も内蔵されている。トラッキングサーボ機
構における光源としては、露光用のレーザ光源とは別途
にフォトレジストが感光しないような半導体レーザが用
いられる。
次に上記の装置を用いて光デイスク原盤を製造する方法
を述べる。
を述べる。
まずガラス基板11上にスピンコード法によりフォトレ
ジス1−を塗布してフォトレジストN12を形成する。
ジス1−を塗布してフォトレジストN12を形成する。
フォトレジスト層12の厚さは、アドレス信号のビット
14の深さであるλ/4nに、さらに現像の際の膜減り
賞を加えた厚さにする。
14の深さであるλ/4nに、さらに現像の際の膜減り
賞を加えた厚さにする。
ディスク基板としてはPMMA (ポリメヂルアクリレ
ート)、またはPC(ポリカーボネート)等のプラスデ
ックが用いられるので、n=1.5である。また記録再
生光源としては半導体レーデが用いられるので、λ=3
3Qnmである。したがってλ/4n龜140nmとな
る。
ート)、またはPC(ポリカーボネート)等のプラスデ
ックが用いられるので、n=1.5である。また記録再
生光源としては半導体レーデが用いられるので、λ=3
3Qnmである。したがってλ/4n龜140nmとな
る。
一方、1回の現像の膜減り岳は、約20nmで、この実
施例では都合2回の現像を行なうので、2回の現像によ
る膜減りmをさらに加えると、フォトレジスト層12の
所要厚さは約180nmである。
施例では都合2回の現像を行なうので、2回の現像によ
る膜減りmをさらに加えると、フォトレジスト層12の
所要厚さは約180nmである。
上記のように基板を準備したのち、第1図の装置を用い
て、案内溝13の刻設、およびアドレス信号のビット1
4の刻設が順次行なわれる。
て、案内溝13の刻設、およびアドレス信号のビット1
4の刻設が順次行なわれる。
まず装置に基板を装着し、基板の回転と同時に記録ヘッ
ド4を半径方向に移動させて集束したレーザ光で露光す
ることにより、案内溝13の温性を記録する。次いで第
1回目の現像処理を行なって案内溝13を形成する。
ド4を半径方向に移動させて集束したレーザ光で露光す
ることにより、案内溝13の温性を記録する。次いで第
1回目の現像処理を行なって案内溝13を形成する。
案内溝13の深さはλ/8n=70nmとされるが、第
2回目の現像による膜減りを考慮して第1回目では5Q
nm程度の深さにする。
2回目の現像による膜減りを考慮して第1回目では5Q
nm程度の深さにする。
レーザ光の強度等の露光条件、および現条件を選ぶこと
により上記の5Qnm程度の深さが達成される。
により上記の5Qnm程度の深さが達成される。
次に第2回目の露光、現像によりアドレス信号のビット
14の刻設が行なわれる。
14の刻設が行なわれる。
第2回目の露光は第1回目で形成した案内溝13を利用
してトラック制御をかけながら行なわれる。即ち、記録
ヘッド4にトラッキング動作をさせ、相隣る案内溝13
間の中心に光ビームが照射されるように制御をかけなが
ら記録信号に従ってレーザ光を照射する。
してトラック制御をかけながら行なわれる。即ち、記録
ヘッド4にトラッキング動作をさせ、相隣る案内溝13
間の中心に光ビームが照射されるように制御をかけなが
ら記録信号に従ってレーザ光を照射する。
第2回目の露光、現像条件は、アドレス信号のビット1
4の深さがλ/4nに、また案内溝13の深さが最終的
にλ/8nになるように選ばれる。
4の深さがλ/4nに、また案内溝13の深さが最終的
にλ/8nになるように選ばれる。
なお上述の実施例では、この発明を光デイスク原盤の製
造方法に適用した場合について述べたが、この発明は光
ディスクと同様の方法により記録、再生が行なわれる光
カードの原盤の製造方法にも適用することができる。
造方法に適用した場合について述べたが、この発明は光
ディスクと同様の方法により記録、再生が行なわれる光
カードの原盤の製造方法にも適用することができる。
次に具体例を)ホベる。
具体例1
ガラス基板11上にスピンコード法によりフォトレジス
トを塗布して180nm厚さのフォト−ジスl一層12
を形成した。次に第1図の装置に基板を装着し、基板を
回転さ1!ながら記録ヘッド4を半径方向に移動させて
Arレーザからの光ビームで露光することにより、ピッ
チ1.6μmのスパイラル状の案内溝13を記録した。
トを塗布して180nm厚さのフォト−ジスl一層12
を形成した。次に第1図の装置に基板を装着し、基板を
回転さ1!ながら記録ヘッド4を半径方向に移動させて
Arレーザからの光ビームで露光することにより、ピッ
チ1.6μmのスパイラル状の案内溝13を記録した。
光ビームの露光パワーは、光変調器2で制御することに
より、基板の内、外周の線速に応じてほぼ一定となるよ
うにした。
より、基板の内、外周の線速に応じてほぼ一定となるよ
うにした。
記録後、基板を現像して案内?:/i 13を形成した
。
。
次に、再び基板を第1図の装置に装着し、案内溝13に
沿ってトラッキングをかけながら相隣る案内溝13間に
アドレス信号を記録した。
沿ってトラッキングをかけながら相隣る案内溝13間に
アドレス信号を記録した。
アドレス信号を記録する際の露光パワーは、前記の案内
溝13記録の際の2倍とした。
溝13記録の際の2倍とした。
アドレス信号の記録後、第2回目の現像処理をして光デ
イスク原盤10を得た。
イスク原盤10を得た。
上記のようにして製造した光ディスク原110を光学顕
微鏡およびSEMで観察したところ、所定の案内溝13
間の中心線上にアドレス信号のビット14が形成されて
J3す、案内溝13の溝幅は0.3μm1深さは7Qn
mであり、またアドレス信号のビット14の幅は0.6
μm、深さは14Qnmで、案内溝13、およびアドレ
ス信号のビット14ともに所定の寸法に形成された。
微鏡およびSEMで観察したところ、所定の案内溝13
間の中心線上にアドレス信号のビット14が形成されて
J3す、案内溝13の溝幅は0.3μm1深さは7Qn
mであり、またアドレス信号のビット14の幅は0.6
μm、深さは14Qnmで、案内溝13、およびアドレ
ス信号のビット14ともに所定の寸法に形成された。
製造した光ディスク原1lA10をマスター盤としてニ
ッケル電鋳によりスタンパを作製し、さらに射出成形に
よりPMMAEi板に案内溝13およびアドレス信号の
ビット14を転写したのち、記録膜として案内溝13お
よびビット14の形成面側にC82−Te薄膜をプラズ
マ重合法により形成し光ディスクを作製した。
ッケル電鋳によりスタンパを作製し、さらに射出成形に
よりPMMAEi板に案内溝13およびアドレス信号の
ビット14を転写したのち、記録膜として案内溝13お
よびビット14の形成面側にC82−Te薄膜をプラズ
マ重合法により形成し光ディスクを作製した。
このようにして得た光ディスクを半導体レーザを用いた
記録、再生装置に装着し、記録、再生をしたところ、所
定のアドレス信号の検出、および情報記録領域15での
記録、再生の動作を確認し、且つ良好な品質の再生信号
を得た。
記録、再生装置に装着し、記録、再生をしたところ、所
定のアドレス信号の検出、および情報記録領域15での
記録、再生の動作を確認し、且つ良好な品質の再生信号
を得た。
具体例2
ガラス基板上にスピンコード法によりフォトレジストを
孕布して180nmの厚さのフォトレジスト層を形成し
た。
孕布して180nmの厚さのフォトレジスト層を形成し
た。
次に第1図に示したものとほぼ同様の構成からなる光カ
ード用原盤の製造装置に基板を装着し、基板を平行移動
させなからArレー管アの光ビームにより露光し、次い
で現象することによりピッチ2μmの直線上の案内溝を
形成した。
ード用原盤の製造装置に基板を装着し、基板を平行移動
させなからArレー管アの光ビームにより露光し、次い
で現象することによりピッチ2μmの直線上の案内溝を
形成した。
再び製造装置に基板を装着し、案内溝に沿ってトラッキ
ングをかけながら、相隣る案内溝間にアドレス信号を記
録した。露光条件は線速換偉で前記具体例1と同じにな
るようにし、且つアドレス信号を記録する場合の露光パ
ワーは、案内溝を記録する場合の約2倍とした。
ングをかけながら、相隣る案内溝間にアドレス信号を記
録した。露光条件は線速換偉で前記具体例1と同じにな
るようにし、且つアドレス信号を記録する場合の露光パ
ワーは、案内溝を記録する場合の約2倍とした。
アドレス信号の記録後、第2回目の現像処理をして光カ
ード原盤を得た。
ード原盤を得た。
上記のようにして装造した光カード原盤を光学顕微鏡J
3よびSEMで観察したところ、所定の案内溝の中心に
アドレス信号のビットが形成されており、案内溝の溝幅
は0.3μm、深さは70nmであり、またアドレス信
号のビットの幅は0゜6μm、深さは1/IOnmで、
案内溝およびアドレス信号のビットともに所定の寸法と
なっていた。
3よびSEMで観察したところ、所定の案内溝の中心に
アドレス信号のビットが形成されており、案内溝の溝幅
は0.3μm、深さは70nmであり、またアドレス信
号のビットの幅は0゜6μm、深さは1/IOnmで、
案内溝およびアドレス信号のビットともに所定の寸法と
なっていた。
製造した光カード原盤をマスター板どじでニッケル電鋳
によりスタンパを作製し、さらに射出成形法によりPC
基板に案内溝およびアドレス信号のビットを転写したの
ち、案内溝およびピッ1〜の形成面側にC82−Ten
膜をプラズマ重合法により形成し、光カードを作製した
。
によりスタンパを作製し、さらに射出成形法によりPC
基板に案内溝およびアドレス信号のビットを転写したの
ち、案内溝およびピッ1〜の形成面側にC82−Ten
膜をプラズマ重合法により形成し、光カードを作製した
。
このようにして得た光カードを半導体レーザを用いた記
録、再生装置に装着し、記録、再生実験をしたところ、
所定のアドレス信すの検出、および情報記録領域での記
録、再生の動作を確認し、且つ良好な品7aの再生信号
を1qた。
録、再生装置に装着し、記録、再生実験をしたところ、
所定のアドレス信すの検出、および情報記録領域での記
録、再生の動作を確認し、且つ良好な品7aの再生信号
を1qた。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明の構成によれば、甲−の
光学系で案内溝および情報信号が記録できるとともに、
情報18号は案内溝にJζリドラック制ul+をかけな
がら記録されるので、比較的簡単な製造装置で寸法゛積
度の高い光記録原盤を製造することかでさるという利点
がある。
光学系で案内溝および情報信号が記録できるとともに、
情報18号は案内溝にJζリドラック制ul+をかけな
がら記録されるので、比較的簡単な製造装置で寸法゛積
度の高い光記録原盤を製造することかでさるという利点
がある。
第1図はこの発明に係わる光記録原盤の製造方法に適用
する装)4装置の一例を示す構成図、第2図は光記録原
盤の一例を部分的に示す斜視図、第3図は従来の光記録
原盤の製造方法に使用するツJj4装同を示ザ構成図で
ある。 1:記録用レーザ、 2:光変調器、4:記録ヘッ
ド、 10:記録原盤、11ニガラス基板、 12:フォトレジスト層、 13;案内溝、14ニアド
レス信号のビット、 15:情報記録領域。 第1図 第2図 第8図 =##弁
する装)4装置の一例を示す構成図、第2図は光記録原
盤の一例を部分的に示す斜視図、第3図は従来の光記録
原盤の製造方法に使用するツJj4装同を示ザ構成図で
ある。 1:記録用レーザ、 2:光変調器、4:記録ヘッ
ド、 10:記録原盤、11ニガラス基板、 12:フォトレジスト層、 13;案内溝、14ニアド
レス信号のビット、 15:情報記録領域。 第1図 第2図 第8図 =##弁
Claims (1)
- 基板上に設けた感光材層に案内溝を形成する工程と、該
工程の後当該案内溝に沿つて記録ヘッドが追随するよう
にトラック制御をかけながら当該案内溝間に情報信号を
記録する工程とを有することを特徴とする光記録原盤の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6483986A JPS62223837A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 光記録原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6483986A JPS62223837A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 光記録原盤の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62223837A true JPS62223837A (ja) | 1987-10-01 |
Family
ID=13269804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6483986A Pending JPS62223837A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 光記録原盤の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62223837A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100224810B1 (ko) * | 1994-07-28 | 1999-10-15 | 윤종용 | 광디스크 복제 생산용 원판의 정보신호 기록방법 |
-
1986
- 1986-03-25 JP JP6483986A patent/JPS62223837A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100224810B1 (ko) * | 1994-07-28 | 1999-10-15 | 윤종용 | 광디스크 복제 생산용 원판의 정보신호 기록방법 |
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