JPH11339329A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法Info
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- JPH11339329A JPH11339329A JP14637598A JP14637598A JPH11339329A JP H11339329 A JPH11339329 A JP H11339329A JP 14637598 A JP14637598 A JP 14637598A JP 14637598 A JP14637598 A JP 14637598A JP H11339329 A JPH11339329 A JP H11339329A
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- Japan
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- beams
- beam diameter
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 幅の異なる複数のパターンの潜像を適切に形
成し、各種フォーマットのディスク原盤を簡便かつ容易
に製造することができる露光方法及び露光装置を提供す
る。 【解決手段】 光源11から出射されたレーザビームを
第1乃至第3のビームスプリッタ12,13,14によ
り第1乃至第3の3つの露光ビームに分割し、第1の露
光ビームが通過する第1の集光レンズ24又は第1のコ
リメートレンズ26の焦点距離を、第2の露光ビームが
通過する第2の集光レンズ31又は第2のコリメートレ
ンズ33の焦点距離及び第3の露光ビームが通過する第
3の集光レンズ36又は第3のコリメートレンズ38の
焦点距離と異ならせることにより、第1の露光ビームの
ビーム径が第2及び第3の露光ビームのビーム系と異な
る値となるようにしている。
成し、各種フォーマットのディスク原盤を簡便かつ容易
に製造することができる露光方法及び露光装置を提供す
る。 【解決手段】 光源11から出射されたレーザビームを
第1乃至第3のビームスプリッタ12,13,14によ
り第1乃至第3の3つの露光ビームに分割し、第1の露
光ビームが通過する第1の集光レンズ24又は第1のコ
リメートレンズ26の焦点距離を、第2の露光ビームが
通過する第2の集光レンズ31又は第2のコリメートレ
ンズ33の焦点距離及び第3の露光ビームが通過する第
3の集光レンズ36又は第3のコリメートレンズ38の
焦点距離と異ならせることにより、第1の露光ビームの
ビーム径が第2及び第3の露光ビームのビーム系と異な
る値となるようにしている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば基板上に形
成されたフォトレジスト層に対してレーザビームを照射
することにより、フォトレジスト層にレーザビームの照
射軌跡に応じた潜像を形成する露光装置及び露光方法に
関する。
成されたフォトレジスト層に対してレーザビームを照射
することにより、フォトレジスト層にレーザビームの照
射軌跡に応じた潜像を形成する露光装置及び露光方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、記録媒体として、磁気光学効
果を利用してデータの記録が行われる光磁気ディスクが
普及している。この光磁気ディスクには、TOC(Tabl
e Of Contents)情報等を示すエンボスピットや、記録
用又は再生用レーザビームを記録トラックに追従させる
ための案内溝(以下、グルーブという。)が予め形成さ
れたタイプのものがある。
果を利用してデータの記録が行われる光磁気ディスクが
普及している。この光磁気ディスクには、TOC(Tabl
e Of Contents)情報等を示すエンボスピットや、記録
用又は再生用レーザビームを記録トラックに追従させる
ための案内溝(以下、グルーブという。)が予め形成さ
れたタイプのものがある。
【0003】このタイプの光磁気ディスクは、エンボス
ピットやグルーブが予め形成されたディスク基板上に、
光磁気記録がなされる記録層と、この記録層を保護する
ための保護層とが積層されてなる。
ピットやグルーブが予め形成されたディスク基板上に、
光磁気記録がなされる記録層と、この記録層を保護する
ための保護層とが積層されてなる。
【0004】この光磁気ディスクのディスク基板は、主
として、射出成形法により成形されている。射出成形法
は、例えば一対の金型のキャビティ内に、ディスク基板
のピット等とは反転パターンの凹凸形状が形成されたス
タンパを配設し、この金型のキャビティに加熱溶融した
ディスク材料を射出し、ディスク基板を成形する方法で
ある。
として、射出成形法により成形されている。射出成形法
は、例えば一対の金型のキャビティ内に、ディスク基板
のピット等とは反転パターンの凹凸形状が形成されたス
タンパを配設し、この金型のキャビティに加熱溶融した
ディスク材料を射出し、ディスク基板を成形する方法で
ある。
【0005】そして、この射出成形法に用いられるスタ
ンパは、以下に示すように形成される。
ンパは、以下に示すように形成される。
【0006】先ず、例えば、直径が約200mm、厚さ
が数mmの表面が精密研磨された円盤状のガラス基板の
主面に、密着補強剤等を介して、記録用レーザビーム源
の波長に十分な感度を有するフォトレジストが、膜厚
0.1μm程度で均一に塗布される。そして、このフォ
トレジストの有機溶剤が揮発され、ガラス基板上にフォ
トレジスト層が形成される。
が数mmの表面が精密研磨された円盤状のガラス基板の
主面に、密着補強剤等を介して、記録用レーザビーム源
の波長に十分な感度を有するフォトレジストが、膜厚
0.1μm程度で均一に塗布される。そして、このフォ
トレジストの有機溶剤が揮発され、ガラス基板上にフォ
トレジスト層が形成される。
【0007】次に、フォトレジスト層が形成されたガラ
ス基板が、露光装置にセットされる。そして、この露光
装置により、レーザビームがガラス基板のフォトレジス
ト上にスパイラル状に照射され、レジスト層に、所定の
エンボスピットやグルーブに対応した潜像が形成され
る。
ス基板が、露光装置にセットされる。そして、この露光
装置により、レーザビームがガラス基板のフォトレジス
ト上にスパイラル状に照射され、レジスト層に、所定の
エンボスピットやグルーブに対応した潜像が形成され
る。
【0008】次に、潜像が形成されたレジスト層が、ア
ルカリ性の現像液により現像され、所定のエンボスピッ
トやグルーブに対応した凹凸パターンを有するレジスト
原盤が形成される。
ルカリ性の現像液により現像され、所定のエンボスピッ
トやグルーブに対応した凹凸パターンを有するレジスト
原盤が形成される。
【0009】次に、レジスト原盤の凹凸パターンを有す
る主面に、スパッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法
等の方法で、銀またはニッケル等の金属被膜が形成され
る。
る主面に、スパッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法
等の方法で、銀またはニッケル等の金属被膜が形成され
る。
【0010】次に、金属被膜が形成されたレジスト原盤
が、電気メッキ装置にセットされ、金属被膜を電極とし
て、電気メッキが行われることにより、レジスト原盤の
主面上に、電気メッキ層が形成される。
が、電気メッキ装置にセットされ、金属被膜を電極とし
て、電気メッキが行われることにより、レジスト原盤の
主面上に、電気メッキ層が形成される。
【0011】次に、金属被膜及び電気メッキ層からレジ
スト原盤が剥離され、余分な金属被膜がプレス除去さ
れ、スタンパが完成する。
スト原盤が剥離され、余分な金属被膜がプレス除去さ
れ、スタンパが完成する。
【0012】ところで、近年、光磁気ディスクとして
は、様々なフォーマットのものが提案されている。例え
ば、ディスクの内周側に設定された再生専用領域にシン
グルスパイラル形状のエンボスピットパターンを有し、
再生専用領域よりも外周側に設定された書き込み可能領
域に、ダブルスパイラル形状のウォブリンググルーブ及
びストレートグルーブを有し、ウォブリンググルーブと
ストレートグルーブとの間のランドの部分に、光磁気記
録によるデータの記録が行われる光磁気ディスクが提案
されている。
は、様々なフォーマットのものが提案されている。例え
ば、ディスクの内周側に設定された再生専用領域にシン
グルスパイラル形状のエンボスピットパターンを有し、
再生専用領域よりも外周側に設定された書き込み可能領
域に、ダブルスパイラル形状のウォブリンググルーブ及
びストレートグルーブを有し、ウォブリンググルーブと
ストレートグルーブとの間のランドの部分に、光磁気記
録によるデータの記録が行われる光磁気ディスクが提案
されている。
【0013】このようなフォーマットの光磁気ディスク
のディスク基板を作製する際は、スタンパの作製工程
に、光源から出射されたレーザビームを2つの露光ビー
ムに分割し、それぞれの露光ビームを個別に強度変調す
るようにした露光装置を用いることが考えられる。
のディスク基板を作製する際は、スタンパの作製工程
に、光源から出射されたレーザビームを2つの露光ビー
ムに分割し、それぞれの露光ビームを個別に強度変調す
るようにした露光装置を用いることが考えられる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したフ
ォーマットの光磁気ディスクにおいては、エンボスピッ
トのピット幅をウォブリンググルーブやストレートグル
ーブのグルーブ幅と同じに設定すると、エンボスピット
のサーボ信号量が、ウォブリンググルーブやストレート
グルーブのサーボ信号量のほぼ半分となる。したがっ
て、適切なサーボ信号を得るためには、エンボスピット
のピット幅をウォブリンググルーブやストレートグルー
ブのグルーブ幅よりも十分に大きな値に設定することが
望ましい。
ォーマットの光磁気ディスクにおいては、エンボスピッ
トのピット幅をウォブリンググルーブやストレートグル
ーブのグルーブ幅と同じに設定すると、エンボスピット
のサーボ信号量が、ウォブリンググルーブやストレート
グルーブのサーボ信号量のほぼ半分となる。したがっ
て、適切なサーボ信号を得るためには、エンボスピット
のピット幅をウォブリンググルーブやストレートグルー
ブのグルーブ幅よりも十分に大きな値に設定することが
望ましい。
【0015】しかしながら、ディスク基板の作製に上記
露光装置を用いた場合は、エンボスピットのピット幅を
ウォブリンググルーブやストレートグルーブのグルーブ
幅よりも大きく設定することが困難であるとの問題があ
る。
露光装置を用いた場合は、エンボスピットのピット幅を
ウォブリンググルーブやストレートグルーブのグルーブ
幅よりも大きく設定することが困難であるとの問題があ
る。
【0016】すなわち、上記露光装置を用いた場合は、
一方の露光ビームによりダブルスパイラル形状の2つの
グルーブのうち一方のグルーブに対応した潜像を形成
し、他方の露光ビームによりダブルスパイラル形状の2
つのグルーブのうち他方のグルーブに対応した潜像及び
エンボスピットに対応した潜像を形成する必要がある。
したがって、エンボスピットのピット幅をウォブリング
グルーブやストレートグルーブのグルーブ幅よりも大き
く設定するには、他方の露光ビームの露光量をエンボス
ピットに対応した潜像を形成する場合とグルーブに対応
した潜像を形成する場合とで変化させる必要があるが、
露光ビームの露光量を変化させることにより得られる潜
像の幅の変化量は僅かであり、ウォブリンググルーブや
ストレートグルーブのグルーブ幅に対してエンボスピッ
トのピット幅を適切なサーボ信号を得るのに十分なだけ
大きくすることができない。
一方の露光ビームによりダブルスパイラル形状の2つの
グルーブのうち一方のグルーブに対応した潜像を形成
し、他方の露光ビームによりダブルスパイラル形状の2
つのグルーブのうち他方のグルーブに対応した潜像及び
エンボスピットに対応した潜像を形成する必要がある。
したがって、エンボスピットのピット幅をウォブリング
グルーブやストレートグルーブのグルーブ幅よりも大き
く設定するには、他方の露光ビームの露光量をエンボス
ピットに対応した潜像を形成する場合とグルーブに対応
した潜像を形成する場合とで変化させる必要があるが、
露光ビームの露光量を変化させることにより得られる潜
像の幅の変化量は僅かであり、ウォブリンググルーブや
ストレートグルーブのグルーブ幅に対してエンボスピッ
トのピット幅を適切なサーボ信号を得るのに十分なだけ
大きくすることができない。
【0017】そこで、本発明は、幅の異なる複数のパタ
ーンの潜像を適切に形成し、各種フォーマットのディス
ク原盤を簡便かつ容易に製造することができる露光方法
及び露光装置を提供することを目的とする。
ーンの潜像を適切に形成し、各種フォーマットのディス
ク原盤を簡便かつ容易に製造することができる露光方法
及び露光装置を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明に係る露光装置
は、上述した従来の実情に鑑みて創案されたものであ
り、光源から出射されたレーザビームを感光剤層に照射
し、この感光剤層に所定のパターンの潜像を形成する露
光装置において、光源から出射されたレーザビームを3
つ以上の露光ビームに分割するビーム分割手段と、この
ビーム分割手段により分割された3つ以上の露光ビーム
のビーム径を各々設定するビーム径設定手段とを備えて
いる。そしてこの露光装置は、ビーム径設定手段が、上
記分割された3つ以上の露光ビームのうち少なくとも一
つの露光ビームのビーム径を他の露光ビームのビーム径
と異なるビーム径に設定するようにしている。
は、上述した従来の実情に鑑みて創案されたものであ
り、光源から出射されたレーザビームを感光剤層に照射
し、この感光剤層に所定のパターンの潜像を形成する露
光装置において、光源から出射されたレーザビームを3
つ以上の露光ビームに分割するビーム分割手段と、この
ビーム分割手段により分割された3つ以上の露光ビーム
のビーム径を各々設定するビーム径設定手段とを備えて
いる。そしてこの露光装置は、ビーム径設定手段が、上
記分割された3つ以上の露光ビームのうち少なくとも一
つの露光ビームのビーム径を他の露光ビームのビーム径
と異なるビーム径に設定するようにしている。
【0019】この露光装置によれば、3つ以上の露光ビ
ームにより形成される潜像の幅をそれぞれ任意に設定で
きるので、各種フォーマットのディスク原盤を簡便かつ
容易に製造することができる。
ームにより形成される潜像の幅をそれぞれ任意に設定で
きるので、各種フォーマットのディスク原盤を簡便かつ
容易に製造することができる。
【0020】また、本発明に係る露光方法は、上述した
従来の実情に鑑みて創案されたものであり、光源から出
射されたレーザビームを3つ以上の露光ビームに分割
し、この分割された3つ以上の露光ビームのうち少なく
とも一つの露光ビームのビーム径を他の露光ビームのビ
ーム径と異ならせ、ビーム径の異なる3つ以上の露光ビ
ームをそれぞれ感光剤層に照射して、この感光剤層に幅
の異なる複数のパターンの潜像を形成することを特徴と
している。
従来の実情に鑑みて創案されたものであり、光源から出
射されたレーザビームを3つ以上の露光ビームに分割
し、この分割された3つ以上の露光ビームのうち少なく
とも一つの露光ビームのビーム径を他の露光ビームのビ
ーム径と異ならせ、ビーム径の異なる3つ以上の露光ビ
ームをそれぞれ感光剤層に照射して、この感光剤層に幅
の異なる複数のパターンの潜像を形成することを特徴と
している。
【0021】この露光方法によれば、感光剤層に幅の異
なる複数のパターンの潜像が簡便かつ容易に形成され、
各種フォーマットのディスク原盤の製造が容易となる。
なる複数のパターンの潜像が簡便かつ容易に形成され、
各種フォーマットのディスク原盤の製造が容易となる。
【0022】
【発明の実施の形態】本発明に係る露光装置は、例え
ば、エンボスピットやグルーブ等を有する光磁気ディス
ク等のディスク状記録媒体のディスク基板を射出成形す
る際に用いられるスタンパを作製するためのものであ
り、ガラス基板上に形成されたレジスト層上にレーザビ
ームを照射させて、レジスト層にエンボスピットやグル
ーブに対応した所定パターンの潜像を形成するためのも
のである。
ば、エンボスピットやグルーブ等を有する光磁気ディス
ク等のディスク状記録媒体のディスク基板を射出成形す
る際に用いられるスタンパを作製するためのものであ
り、ガラス基板上に形成されたレジスト層上にレーザビ
ームを照射させて、レジスト層にエンボスピットやグル
ーブに対応した所定パターンの潜像を形成するためのも
のである。
【0023】以下、この露光装置の実施の形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【0024】実施の形態の露光装置は、例えば、図1及
び図2に示すような光磁気ディスク1を形成するために
構成されたものであって、光源から出射されたレーザビ
ームを3つの露光ビームに分割するようにしている。
び図2に示すような光磁気ディスク1を形成するために
構成されたものであって、光源から出射されたレーザビ
ームを3つの露光ビームに分割するようにしている。
【0025】ここで、実施の形態の露光装置の説明に先
立ち、図1及び図2に示す光磁気ディスク1について説
明する。なお、図1は、この光磁気ディスク1の要部を
拡大した断面図であり、図2は、この光磁気ディスク1
の記録領域の一部を拡大した平面図である。
立ち、図1及び図2に示す光磁気ディスク1について説
明する。なお、図1は、この光磁気ディスク1の要部を
拡大した断面図であり、図2は、この光磁気ディスク1
の記録領域の一部を拡大した平面図である。
【0026】この光磁気ディスク1は、円盤状に形成さ
れてなり、磁気光学効果を利用してデータの記録が行わ
れる。そして、この光磁気ディスク1は、図1に示すよ
うに、ポリメチルメタクリレート(PMMA)やポリカ
ーボネート(PC)等からなるディスク基板2上に、光
磁気記録がなされる記録層3と、当該記録層3を保護す
る保護層4とが形成されてなる。ここで、記録層3は、
例えば、SiN等からなる誘電体膜と、TeFeCo合
金等からなる垂直磁気記録膜と、SiN等からなる誘電
体膜と、Al等からなる反射膜とが積層されてなる。ま
た、保護層4は、例えば、記録層3の上に紫外線硬化樹
脂がスピンコートされてなる。
れてなり、磁気光学効果を利用してデータの記録が行わ
れる。そして、この光磁気ディスク1は、図1に示すよ
うに、ポリメチルメタクリレート(PMMA)やポリカ
ーボネート(PC)等からなるディスク基板2上に、光
磁気記録がなされる記録層3と、当該記録層3を保護す
る保護層4とが形成されてなる。ここで、記録層3は、
例えば、SiN等からなる誘電体膜と、TeFeCo合
金等からなる垂直磁気記録膜と、SiN等からなる誘電
体膜と、Al等からなる反射膜とが積層されてなる。ま
た、保護層4は、例えば、記録層3の上に紫外線硬化樹
脂がスピンコートされてなる。
【0027】この光磁気ディスク1は、図2に示すよう
に、記録領域の一部が、TOC(Table Of Contents)
情報等がエンボスピット5によって予め書き込まれた再
生専用の領域B1とされており、その他の領域が、光磁
気記録によるデータの書き込みが可能な領域B2となっ
ている。
に、記録領域の一部が、TOC(Table Of Contents)
情報等がエンボスピット5によって予め書き込まれた再
生専用の領域B1とされており、その他の領域が、光磁
気記録によるデータの書き込みが可能な領域B2となっ
ている。
【0028】なお、エンボスピット5によってTOC情
報等が書き込まれている領域B1は、再生専用のデータ
領域であり、以下の説明では、このデータ領域のことを
再生専用領域B1と称する。また、光磁気記録によるデ
ータの書き込みが可能となっている領域B2のことを、
以下の説明では、書き込み可能領域B2と称する。
報等が書き込まれている領域B1は、再生専用のデータ
領域であり、以下の説明では、このデータ領域のことを
再生専用領域B1と称する。また、光磁気記録によるデ
ータの書き込みが可能となっている領域B2のことを、
以下の説明では、書き込み可能領域B2と称する。
【0029】この光磁気ディスク1において、再生専用
領域B1に形成されたエンボスピット5は、例えば2−
8変調が施されてなるピットパターンが、シングルスパ
イラル状に形成されている。すなわち、記録トラックに
沿ってシングルスパイラル状に形成されたピット列によ
り、再生専用領域B1にTOC情報等が書き込まれてい
る。
領域B1に形成されたエンボスピット5は、例えば2−
8変調が施されてなるピットパターンが、シングルスパ
イラル状に形成されている。すなわち、記録トラックに
沿ってシングルスパイラル状に形成されたピット列によ
り、再生専用領域B1にTOC情報等が書き込まれてい
る。
【0030】一方、書き込み可能領域B2には、ウォブ
リンググルーブ6とストレートグルーブ7とがダブルス
パイラル状に形成されており、ウォブリンググルーブ6
とストレートグルーブ7との間のランドの部分に、光磁
気記録によるデータの記録が行われる。すなわち、図2
に示すように、ウォブリンググルーブ6とストレートグ
ルーブ7の間であって、ディスク内周側がストレートグ
ルーブ7となっている部分が、情報信号が記録される第
1の記録トラックTrackAとなり、また、ウォブリング
グルーブ6とストレートグルーブ7の間であって、ディ
スク内周側がウォブリンググルーブ6となっている部分
が、情報信号が記録される第2の記録トラックTrackB
となる。
リンググルーブ6とストレートグルーブ7とがダブルス
パイラル状に形成されており、ウォブリンググルーブ6
とストレートグルーブ7との間のランドの部分に、光磁
気記録によるデータの記録が行われる。すなわち、図2
に示すように、ウォブリンググルーブ6とストレートグ
ルーブ7の間であって、ディスク内周側がストレートグ
ルーブ7となっている部分が、情報信号が記録される第
1の記録トラックTrackAとなり、また、ウォブリング
グルーブ6とストレートグルーブ7の間であって、ディ
スク内周側がウォブリンググルーブ6となっている部分
が、情報信号が記録される第2の記録トラックTrackB
となる。
【0031】ここで、ウォブリンググルーブ6は、±1
0nmの振幅にて一定の周期で蛇行するように形成され
ている。すなわち、この光磁気ディスク1では、一方の
グルーブ(すなわちウォブリンググルーブ6)を±10
nmの振幅にてウォブリングさせることにより、グルー
ブにアドレス情報を付加している。
0nmの振幅にて一定の周期で蛇行するように形成され
ている。すなわち、この光磁気ディスク1では、一方の
グルーブ(すなわちウォブリンググルーブ6)を±10
nmの振幅にてウォブリングさせることにより、グルー
ブにアドレス情報を付加している。
【0032】また、この光磁気ディスク1において、再
生専用領域B1のトラックピッチTPitchは0.95μm
とされ、同様に、書き込み可能領域B2のトラックピッ
チTPitchは0.95μmとされている。
生専用領域B1のトラックピッチTPitchは0.95μm
とされ、同様に、書き込み可能領域B2のトラックピッ
チTPitchは0.95μmとされている。
【0033】ここで、再生専用領域B1のトラックピッ
チTPitchは、隣接するピット列の中心位置の間隔に相当
する。すなわち、この光磁気ディスク1において、隣接
するピット列の中心位置の間隔は、0.95μmとされ
ている。また、書き込み可能領域B2のトラックピッチ
は、ウォブリンググルーブ6とストレートグルーブ7の
中心位置の間隔に相当する。すなわち、この光磁気ディ
スク1において、ウォブリンググルーブ6とストレート
グルーブ7の中心位置の間隔は、0.95μmとされ
る。
チTPitchは、隣接するピット列の中心位置の間隔に相当
する。すなわち、この光磁気ディスク1において、隣接
するピット列の中心位置の間隔は、0.95μmとされ
ている。また、書き込み可能領域B2のトラックピッチ
は、ウォブリンググルーブ6とストレートグルーブ7の
中心位置の間隔に相当する。すなわち、この光磁気ディ
スク1において、ウォブリンググルーブ6とストレート
グルーブ7の中心位置の間隔は、0.95μmとされ
る。
【0034】なお、以下の説明では、隣接するストレー
トグルーブ7の中心位置の間隔のことをトラックピリオ
ドTPeriodと称する。トラックピリオドTPeriodは、トラ
ックピッチTPitchの2倍に相当するものであり、この光
磁気ディスク1においてトラックピリオドTPeriodは、
1.90μmとされている。
トグルーブ7の中心位置の間隔のことをトラックピリオ
ドTPeriodと称する。トラックピリオドTPeriodは、トラ
ックピッチTPitchの2倍に相当するものであり、この光
磁気ディスク1においてトラックピリオドTPeriodは、
1.90μmとされている。
【0035】また、この光磁気ディスク1において、ウ
ォブリンググルーブ6のグルーブ幅W1とストレートグ
ルーブ7のグルーブ幅W2はほぼ等しい幅に設定されて
おり、例えば約0.34μmとされている。そして、こ
の光磁気ディスク1において、エンボスピット5のピッ
ト幅W3は、ウォブリンググルーブ6のグルーブ幅W1
及びストレートグルーブ7のグルーブ幅W2よりも大き
く設定されており、例えば約0.44μmとされてい
る。この光磁気ディスク1は、エンボスピット5のピッ
ト幅W3がウォブリンググルーブ6のグルーブ幅W1及
びストレートグルーブ7のグルーブ幅W2よりも十分に
大きな値に設定されていることにより、適切なサーボ信
号を得ることが可能となる。
ォブリンググルーブ6のグルーブ幅W1とストレートグ
ルーブ7のグルーブ幅W2はほぼ等しい幅に設定されて
おり、例えば約0.34μmとされている。そして、こ
の光磁気ディスク1において、エンボスピット5のピッ
ト幅W3は、ウォブリンググルーブ6のグルーブ幅W1
及びストレートグルーブ7のグルーブ幅W2よりも大き
く設定されており、例えば約0.44μmとされてい
る。この光磁気ディスク1は、エンボスピット5のピッ
ト幅W3がウォブリンググルーブ6のグルーブ幅W1及
びストレートグルーブ7のグルーブ幅W2よりも十分に
大きな値に設定されていることにより、適切なサーボ信
号を得ることが可能となる。
【0036】また、この光磁気ディスク1において、再
生専用領域B1と書き込み可能領域B2との間の領域を
遷移領域B3と称する。そして、この光磁気ディスク1
では、再生専用領域B1と書き込み可能領域B2とのデ
ィスク半径方向における間隔、すなわち遷移領域B3の
幅t1を20μm以内とする。このように遷移領域B3
の幅t1を十分に小さくしておくことにより、記録再生
時に、記録再生位置が再生専用領域B1から書き込み可
能領域B2に遷移したり、或いは、記録再生位置が書き
込み可能領域B2から再生専用領域B1に遷移したりし
た場合にも、記録トラックを見失うことなく、連続して
記録再生を安定に行うことが可能となる。
生専用領域B1と書き込み可能領域B2との間の領域を
遷移領域B3と称する。そして、この光磁気ディスク1
では、再生専用領域B1と書き込み可能領域B2とのデ
ィスク半径方向における間隔、すなわち遷移領域B3の
幅t1を20μm以内とする。このように遷移領域B3
の幅t1を十分に小さくしておくことにより、記録再生
時に、記録再生位置が再生専用領域B1から書き込み可
能領域B2に遷移したり、或いは、記録再生位置が書き
込み可能領域B2から再生専用領域B1に遷移したりし
た場合にも、記録トラックを見失うことなく、連続して
記録再生を安定に行うことが可能となる。
【0037】以上のように構成される光磁気ディスク1
のスタンパを作製する工程においては、図3に示すよう
な露光装置10が用いられる。
のスタンパを作製する工程においては、図3に示すよう
な露光装置10が用いられる。
【0038】この図3に示す露光装置10は、レーザビ
ームを出射する光源11と、光源11から出射されたレ
ーザビームの一部を透過し、他の一部を反射させる第1
のビームスプリッタ12と、第1のビームスプリッタ1
2を透過したレーザビームの一部を透過し、他の一部を
反射させる第2のビームスプリッタ13と、第2のビー
ムスプリッタ13を透過したレーザビームの一部を透過
し、他の一部を反射させる第3のビームスプリッタ14
とを備えており、光源11から出射されたレーザビーム
が、第1のビームスプリッタ12、第2のビームスプリ
ッタ13、第3のビームスプリッタ14により3つの露
光ビームに分割されるようになされている。
ームを出射する光源11と、光源11から出射されたレ
ーザビームの一部を透過し、他の一部を反射させる第1
のビームスプリッタ12と、第1のビームスプリッタ1
2を透過したレーザビームの一部を透過し、他の一部を
反射させる第2のビームスプリッタ13と、第2のビー
ムスプリッタ13を透過したレーザビームの一部を透過
し、他の一部を反射させる第3のビームスプリッタ14
とを備えており、光源11から出射されたレーザビーム
が、第1のビームスプリッタ12、第2のビームスプリ
ッタ13、第3のビームスプリッタ14により3つの露
光ビームに分割されるようになされている。
【0039】以下、第1のビームスプリッタ12により
反射されたレーザビームを第1の露光ビームと呼び、第
2のビームスプリッタ13により反射されたレーザビー
ムを第2の露光ビームと呼び、第3のビームスプリッタ
14により反射されたレーザビームを第3の露光ビーム
と呼ぶ。
反射されたレーザビームを第1の露光ビームと呼び、第
2のビームスプリッタ13により反射されたレーザビー
ムを第2の露光ビームと呼び、第3のビームスプリッタ
14により反射されたレーザビームを第3の露光ビーム
と呼ぶ。
【0040】光源11としては、使用するレジスト材料
の感光波長のレーザビームを出射するガスレーザが用い
られる。具体的には、例えば、使用するレジスト材料が
ポジ型の場合、波長が458nmのArレーザや、波長
が442nmのHe−Cdレーザ、波長が413nmの
Krレーザ等を出射するイオンレーザ型のガスレーザ等
が用いられる。
の感光波長のレーザビームを出射するガスレーザが用い
られる。具体的には、例えば、使用するレジスト材料が
ポジ型の場合、波長が458nmのArレーザや、波長
が442nmのHe−Cdレーザ、波長が413nmの
Krレーザ等を出射するイオンレーザ型のガスレーザ等
が用いられる。
【0041】光源11から出射されるレーザビームの光
路上には、レーザビームを入力される信号電界に応じて
強度変調する電気光学変調器(EOM:Electro Optic
Modulator)15と、EOM15を透過したレーザビー
ムのS偏光成分だけを透過する検光子16とが配設され
ている。また、第3のビームスプリッタ14を透過した
レーザビームの光路上には、光検出器17が配設されて
いる。
路上には、レーザビームを入力される信号電界に応じて
強度変調する電気光学変調器(EOM:Electro Optic
Modulator)15と、EOM15を透過したレーザビー
ムのS偏光成分だけを透過する検光子16とが配設され
ている。また、第3のビームスプリッタ14を透過した
レーザビームの光路上には、光検出器17が配設されて
いる。
【0042】光源11から出射されたレーザビームは、
EOM15により強度変調され検光子16を透過してS
偏光とされた後、一部が第1乃至第3のビームスプリッ
タ12,13,14を透過し、光検出器17に入射す
る。
EOM15により強度変調され検光子16を透過してS
偏光とされた後、一部が第1乃至第3のビームスプリッ
タ12,13,14を透過し、光検出器17に入射す
る。
【0043】光検出器17とEOM15との間には、光
出力制御部(APC:Auto Power Controller)18が
接続されており、光検出器17に入射した記録用レーザ
光は、光検出器17により電気信号に変換されてAPC
18に供給される。
出力制御部(APC:Auto Power Controller)18が
接続されており、光検出器17に入射した記録用レーザ
光は、光検出器17により電気信号に変換されてAPC
18に供給される。
【0044】APC18は、光検出器17より供給され
る信号に基づいて制御信号を生成し、この制御信号をE
OM15に供給する。EOM15は、このAPC18よ
り供給される制御信号の信号電界に応じて、光源11か
ら出射されるレーザビームの強度変調を行う。
る信号に基づいて制御信号を生成し、この制御信号をE
OM15に供給する。EOM15は、このAPC18よ
り供給される制御信号の信号電界に応じて、光源11か
ら出射されるレーザビームの強度変調を行う。
【0045】この露光装置1は、以上のように、記録用
レーザ光の一部を光検出器17により検出し、これに基
づいてAPC18によりEOM15に対してフィードバ
ック制御を行うことにより、EOM15を透過する記録
用レーザ光の光出力を安定させるようになされている。
具体的には、APC18は、光検出器17により受光さ
れるレーザビームの光強度が所定のレベルにて一定にな
るように、EOM15に対して印加する信号電界を調整
する。これにより、EOM15を透過するレーザビーム
の光強度が一定となるように自動光量制御がなされ、ノ
イズの少ない安定した露光ビームが得られる。
レーザ光の一部を光検出器17により検出し、これに基
づいてAPC18によりEOM15に対してフィードバ
ック制御を行うことにより、EOM15を透過する記録
用レーザ光の光出力を安定させるようになされている。
具体的には、APC18は、光検出器17により受光さ
れるレーザビームの光強度が所定のレベルにて一定にな
るように、EOM15に対して印加する信号電界を調整
する。これにより、EOM15を透過するレーザビーム
の光強度が一定となるように自動光量制御がなされ、ノ
イズの少ない安定した露光ビームが得られる。
【0046】また、この露光装置1において、第1のビ
ームスプリッタ12により反射された第1の露光ビーム
の光路上には、第1の露光ビームに対して強度変調を行
う第1の変調光学系19が設けられている。また、第2
のビームスプリッタ13により反射された第2の露光ビ
ームの光路上には、第2の露光ビームに対して強度変調
を行う第2の変調光学系20が設けられている。また、
第3のビームスプリッタ14により反射された第3の露
光ビームの光路上には、第3の露光ビームに対して強度
変調を行う第3の変調光学系21が設けられている。
ームスプリッタ12により反射された第1の露光ビーム
の光路上には、第1の露光ビームに対して強度変調を行
う第1の変調光学系19が設けられている。また、第2
のビームスプリッタ13により反射された第2の露光ビ
ームの光路上には、第2の露光ビームに対して強度変調
を行う第2の変調光学系20が設けられている。また、
第3のビームスプリッタ14により反射された第3の露
光ビームの光路上には、第3の露光ビームに対して強度
変調を行う第3の変調光学系21が設けられている。
【0047】更に、この露光装置1において、第2の変
調光学系20により強度変調された第2の露光ビームの
光路上には、第2の露光ビームに対して光学偏向を施す
偏向光学系22が設けられている。
調光学系20により強度変調された第2の露光ビームの
光路上には、第2の露光ビームに対して光学偏向を施す
偏向光学系22が設けられている。
【0048】更に、この露光装置1において、第1の変
調光学系19により強度変調された第1の露光ビーム及
び偏向光学系22により光学偏向が施された第2の露光
ビーム及び第3の変調光学系21により強度変調された
第3の露光ビームの光路上には、第1乃至第3の露光ビ
ームを略同一光路上に導き、これら露光ビームを集光し
てガラス基板50上に形成されたレジスト層51に照射
させる照射光学系23が設けられている。
調光学系19により強度変調された第1の露光ビーム及
び偏向光学系22により光学偏向が施された第2の露光
ビーム及び第3の変調光学系21により強度変調された
第3の露光ビームの光路上には、第1乃至第3の露光ビ
ームを略同一光路上に導き、これら露光ビームを集光し
てガラス基板50上に形成されたレジスト層51に照射
させる照射光学系23が設けられている。
【0049】第1の変調光学系19は、第1のビームス
プリッタ12により反射された第1の露光ビームを集光
する第1の集光レンズ24と、第1の集光レンズ24に
より集光された第1の露光ビームに対して記録信号に応
じて強度変調を施す第1の音響光学変調器(AOM:Ac
ousto Optical Modulator)25と、第1のAOM25
により強度変調された第1の露光ビームを平行光にする
第1のコリメートレンズ26と、第1のAOM25を駆
動する第1の駆動ドライバ27とにより構成される。こ
こで、第1のAOM25としては、例えば、酸化テルル
(TeO2)からなる音響光学素子が好適である。
プリッタ12により反射された第1の露光ビームを集光
する第1の集光レンズ24と、第1の集光レンズ24に
より集光された第1の露光ビームに対して記録信号に応
じて強度変調を施す第1の音響光学変調器(AOM:Ac
ousto Optical Modulator)25と、第1のAOM25
により強度変調された第1の露光ビームを平行光にする
第1のコリメートレンズ26と、第1のAOM25を駆
動する第1の駆動ドライバ27とにより構成される。こ
こで、第1のAOM25としては、例えば、酸化テルル
(TeO2)からなる音響光学素子が好適である。
【0050】第1のビームスプリッタ12により反射さ
れた第1の露光ビームは、第1の集光レンズ24により
集光された状態で、第1のAOM25に入射する。そし
て、第1の露光ビームは、第1の駆動ドライバ27によ
り駆動される第1のAOM25によって、所望する露光
パターンに対応するように強度変調される。
れた第1の露光ビームは、第1の集光レンズ24により
集光された状態で、第1のAOM25に入射する。そし
て、第1の露光ビームは、第1の駆動ドライバ27によ
り駆動される第1のAOM25によって、所望する露光
パターンに対応するように強度変調される。
【0051】第1の駆動ドライバ27には、所望する露
光パターンに応じた信号S1が入力される。具体的に
は、例えば、2−8変調が施されたピットパターンの潜
像をレジスト層51に形成する場合には、2−8変調が
施されたピットパターンに対応した変調信号が第1の駆
動ドライバ27に入力される。第1の駆動ドライバ27
は、この信号S1に基づいて第1のAOM25を駆動す
る。これにより、第1のAOM25に入射した第1の露
光ビームは、例えば2−8変調が施されたピットパター
ンに対応するように、第1のAOM25によって強度変
調が施される。
光パターンに応じた信号S1が入力される。具体的に
は、例えば、2−8変調が施されたピットパターンの潜
像をレジスト層51に形成する場合には、2−8変調が
施されたピットパターンに対応した変調信号が第1の駆
動ドライバ27に入力される。第1の駆動ドライバ27
は、この信号S1に基づいて第1のAOM25を駆動す
る。これにより、第1のAOM25に入射した第1の露
光ビームは、例えば2−8変調が施されたピットパター
ンに対応するように、第1のAOM25によって強度変
調が施される。
【0052】また、第1のビームスプリッタ12により
反射された第1の露光ビームは、この第1の変調光学系
19を通過する際に、そのビーム径が決定される。具体
的には、第1の露光ビームのビーム径は、第1の集光レ
ンズ24の焦点距離と第1のコリメートレンズ26の焦
点距離とによって決まる。ここでは、第1の集光レンズ
24の焦点距離は約80mmとされ、第1のコリメート
レンズ26の焦点距離は約65mmとされている。これ
により、最終的に第1の露光ビームがレジスト層51に
照射されたときに、レジスト層51にピット幅が約0.
44μmのピットパターンの潜像が形成されることにな
る。
反射された第1の露光ビームは、この第1の変調光学系
19を通過する際に、そのビーム径が決定される。具体
的には、第1の露光ビームのビーム径は、第1の集光レ
ンズ24の焦点距離と第1のコリメートレンズ26の焦
点距離とによって決まる。ここでは、第1の集光レンズ
24の焦点距離は約80mmとされ、第1のコリメート
レンズ26の焦点距離は約65mmとされている。これ
により、最終的に第1の露光ビームがレジスト層51に
照射されたときに、レジスト層51にピット幅が約0.
44μmのピットパターンの潜像が形成されることにな
る。
【0053】第1の変調光学系19により強度変調が施
され、ビーム径が決定された第1の露光ビームは、反射
ミラー28,29により光路が折り曲げられ、ハーフミ
ラー30を透過して照射光学系23に向かう。
され、ビーム径が決定された第1の露光ビームは、反射
ミラー28,29により光路が折り曲げられ、ハーフミ
ラー30を透過して照射光学系23に向かう。
【0054】第2の変調光学系20は、第2のビームス
プリッタ13を透過した第2の露光ビームを集光する第
2の集光レンズ31と、第2の集光レンズ31により集
光された第2の露光ビームに対して記録信号に応じて強
度変調を施す第2のAOM32と、第2のAOM32に
より強度変調された第2の露光ビームを平行光にする第
2のコリメートレンズ33と、第2のAOM32を駆動
する第2の駆動ドライバ34とにより構成される。ここ
で、第2のAOM32としては、例えば、酸化テルル
(TeO2)からなる音響光学素子が好適である。
プリッタ13を透過した第2の露光ビームを集光する第
2の集光レンズ31と、第2の集光レンズ31により集
光された第2の露光ビームに対して記録信号に応じて強
度変調を施す第2のAOM32と、第2のAOM32に
より強度変調された第2の露光ビームを平行光にする第
2のコリメートレンズ33と、第2のAOM32を駆動
する第2の駆動ドライバ34とにより構成される。ここ
で、第2のAOM32としては、例えば、酸化テルル
(TeO2)からなる音響光学素子が好適である。
【0055】第2のビームスプリッタ13により反射さ
れた第2の露光ビームは、第2の集光レンズ31により
集光された状態で、第2のAOM32に入射する。そし
て、第2の露光ビームは、第2の駆動ドライバ34によ
り駆動される第2のAOM32によって、所望する露光
パターンに対応するように強度変調される。
れた第2の露光ビームは、第2の集光レンズ31により
集光された状態で、第2のAOM32に入射する。そし
て、第2の露光ビームは、第2の駆動ドライバ34によ
り駆動される第2のAOM32によって、所望する露光
パターンに対応するように強度変調される。
【0056】第2の駆動ドライバ34には、所望する露
光パターンに応じた信号S2が入力される。具体的に
は、例えば、一定の深さのウォブリンググルーブに対応
したグルーブパターンの潜像をレジスト層51に形成す
る場合には、一定レベルのDC信号が第2の駆動ドライ
バ34に入力される。第2の駆動ドライバ34は、この
信号S2に基づいて第2のAOM32を駆動する。これ
により、第2のAOM32に入射した第2の露光ビーム
は、所望するグルーブパターンに対応するように、第2
のAOM32によって強度変調が施される。
光パターンに応じた信号S2が入力される。具体的に
は、例えば、一定の深さのウォブリンググルーブに対応
したグルーブパターンの潜像をレジスト層51に形成す
る場合には、一定レベルのDC信号が第2の駆動ドライ
バ34に入力される。第2の駆動ドライバ34は、この
信号S2に基づいて第2のAOM32を駆動する。これ
により、第2のAOM32に入射した第2の露光ビーム
は、所望するグルーブパターンに対応するように、第2
のAOM32によって強度変調が施される。
【0057】また、第2のビームスプリッタ13により
反射された第2の露光ビームは、この第2の変調光学系
20を通過する際に、そのビーム径が決定される。具体
的には、第2の露光ビームのビーム径は、第2の集光レ
ンズ31の焦点距離と第2のコリメートレンズ33の焦
点距離とによって決まる。ここでは、第2の集光レンズ
31の焦点距離は約80mmとされ、第2のコリメート
レンズ33の焦点距離は約120mmとされている。こ
れにより、最終的に第2の露光ビームがレジスト層51
に照射されたときに、レジスト層51にグルーブ幅が約
0.34μmのグルーブパターンの潜像が形成されるこ
とになる。
反射された第2の露光ビームは、この第2の変調光学系
20を通過する際に、そのビーム径が決定される。具体
的には、第2の露光ビームのビーム径は、第2の集光レ
ンズ31の焦点距離と第2のコリメートレンズ33の焦
点距離とによって決まる。ここでは、第2の集光レンズ
31の焦点距離は約80mmとされ、第2のコリメート
レンズ33の焦点距離は約120mmとされている。こ
れにより、最終的に第2の露光ビームがレジスト層51
に照射されたときに、レジスト層51にグルーブ幅が約
0.34μmのグルーブパターンの潜像が形成されるこ
とになる。
【0058】第2の変調光学系20により強度変調が施
され、ビーム径が決定された第2の露光ビームは、反射
ミラー35により光路が折り曲げられて偏向光学系22
に向かう。
され、ビーム径が決定された第2の露光ビームは、反射
ミラー35により光路が折り曲げられて偏向光学系22
に向かう。
【0059】第3の変調光学系21は、第3のビームス
プリッタ14により反射された第3の露光ビームを集光
する第3の集光レンズ36と、第3の集光レンズ36に
より集光された第3の露光ビームに対して記録信号に応
じて強度変調を施す第3のAOM37と、第3のAOM
37により強度変調された第3の露光ビームを平行光に
する第3のコリメートレンズ38と、第3のAOM37
を駆動する第3の駆動ドライバ39とにより構成され
る。ここで、第3のAOM37としては、例えば、酸化
テルル(TeO2)からなる音響光学素子が好適であ
る。
プリッタ14により反射された第3の露光ビームを集光
する第3の集光レンズ36と、第3の集光レンズ36に
より集光された第3の露光ビームに対して記録信号に応
じて強度変調を施す第3のAOM37と、第3のAOM
37により強度変調された第3の露光ビームを平行光に
する第3のコリメートレンズ38と、第3のAOM37
を駆動する第3の駆動ドライバ39とにより構成され
る。ここで、第3のAOM37としては、例えば、酸化
テルル(TeO2)からなる音響光学素子が好適であ
る。
【0060】第3のビームスプリッタ14により反射さ
れた第3の露光ビームは、第3の集光レンズ36により
集光された状態で、第3のAOM37に入射する。そし
て、第3の露光ビームは、第3の駆動ドライバ39によ
り駆動される第3のAOM37によって、所望する露光
パターンに対応するように強度変調される。
れた第3の露光ビームは、第3の集光レンズ36により
集光された状態で、第3のAOM37に入射する。そし
て、第3の露光ビームは、第3の駆動ドライバ39によ
り駆動される第3のAOM37によって、所望する露光
パターンに対応するように強度変調される。
【0061】第3の駆動ドライバ39には、所望する露
光パターンに応じた信号S3が入力される。具体的に
は、例えば、一定の深さのストレートグルーブに対応し
たグルーブパターンの潜像をレジスト層51に形成する
場合には、一定レベルのDC信号が第3の駆動ドライバ
39に入力される。第3の駆動ドライバ39は、この信
号S3に基づいて第3のAOM37を駆動する。これに
より、第3のAOM37に入射した第3の露光ビーム
は、所望するグルーブパターンに対応するように、第3
のAOM37によって強度変調が施される。
光パターンに応じた信号S3が入力される。具体的に
は、例えば、一定の深さのストレートグルーブに対応し
たグルーブパターンの潜像をレジスト層51に形成する
場合には、一定レベルのDC信号が第3の駆動ドライバ
39に入力される。第3の駆動ドライバ39は、この信
号S3に基づいて第3のAOM37を駆動する。これに
より、第3のAOM37に入射した第3の露光ビーム
は、所望するグルーブパターンに対応するように、第3
のAOM37によって強度変調が施される。
【0062】また、第3のビームスプリッタ14により
反射された第3の露光ビームは、この第3の変調光学系
21を通過する際に、そのビーム径が決定される。具体
的には、第3の露光ビームのビーム径は、第3の集光レ
ンズ36の焦点距離と第3のコリメートレンズ38の焦
点距離とによって決まる。ここでは、第3の集光レンズ
36の焦点距離は約80mmとされ、第3のコリメート
レンズ38の焦点距離は約120mmとされている。こ
れにより、最終的に第3の露光ビームがレジスト層51
に照射されたときに、レジスト層51にグルーブ幅が約
0.34μmのグルーブパターンの潜像が形成されるこ
とになる。
反射された第3の露光ビームは、この第3の変調光学系
21を通過する際に、そのビーム径が決定される。具体
的には、第3の露光ビームのビーム径は、第3の集光レ
ンズ36の焦点距離と第3のコリメートレンズ38の焦
点距離とによって決まる。ここでは、第3の集光レンズ
36の焦点距離は約80mmとされ、第3のコリメート
レンズ38の焦点距離は約120mmとされている。こ
れにより、最終的に第3の露光ビームがレジスト層51
に照射されたときに、レジスト層51にグルーブ幅が約
0.34μmのグルーブパターンの潜像が形成されるこ
とになる。
【0063】第3の変調光学系21により強度変調が施
され、ビーム径が決定された第3の露光ビームは、1/
2波長板40を透過することにより偏光方向が90°回
転させられP偏光とされた後、反射ミラー41により光
路が折り曲げられて照射光学系23に向かう。
され、ビーム径が決定された第3の露光ビームは、1/
2波長板40を透過することにより偏光方向が90°回
転させられP偏光とされた後、反射ミラー41により光
路が折り曲げられて照射光学系23に向かう。
【0064】偏向光学系22は、第2の露光ビームに対
して光学偏向を施すことにより、レジスト層51に照射
される第2の露光ビームの照射軌跡を蛇行させ、いわゆ
るウォブリンググルーブを形成するためのものであり、
AOD42と、AOD42の前後に配された一対のウェ
ッジプリズム43,44と、AOD42を駆動させる第
4の駆動ドライバ45とにより構成される。
して光学偏向を施すことにより、レジスト層51に照射
される第2の露光ビームの照射軌跡を蛇行させ、いわゆ
るウォブリンググルーブを形成するためのものであり、
AOD42と、AOD42の前後に配された一対のウェ
ッジプリズム43,44と、AOD42を駆動させる第
4の駆動ドライバ45とにより構成される。
【0065】第4の駆動ドライバ45には、VCO46
が接続されており、このVCO46より高周波信号が供
給されるようになされている。
が接続されており、このVCO46より高周波信号が供
給されるようになされている。
【0066】偏向光学系22に入射した第2の露光ビー
ムは、ウェッジプリズム43を介して、第4の駆動ドラ
イバ45により駆動されるAOD42に入射する。第4
の駆動ドライバ45には、VCO46からの高周波信号
が、アドレス情報を含む制御信号S4によりFM変調さ
れ供給される。第4の駆動用ドライバ45は、この信号
に応じてAOD42を駆動する。これにより、AOD4
2に入射した第2の露光ビームは、所望する露光パター
ンに対応するように光学偏向が施される。
ムは、ウェッジプリズム43を介して、第4の駆動ドラ
イバ45により駆動されるAOD42に入射する。第4
の駆動ドライバ45には、VCO46からの高周波信号
が、アドレス情報を含む制御信号S4によりFM変調さ
れ供給される。第4の駆動用ドライバ45は、この信号
に応じてAOD42を駆動する。これにより、AOD4
2に入射した第2の露光ビームは、所望する露光パター
ンに対応するように光学偏向が施される。
【0067】偏向光学系22により光学偏向が施された
第2の露光ビームは、ハーフミラー30により光路が折
り曲げられて、照射光学系23に向かう。
第2の露光ビームは、ハーフミラー30により光路が折
り曲げられて、照射光学系23に向かう。
【0068】照射光学系23は、第1及び第2のの露光
ビームを反射し、第3の露光ビームを透過するPBS4
7と、PBS47により反射された第1及び第2の露光
ビーム及びPBS47を透過した第3の露光ビームのビ
ーム径を一様に拡大させる拡大レンズ48と、拡大レン
ズ48によりビーム径が拡大され、反射ミラー49によ
り光路が折り曲げられた第1乃至第3の露光ビームをそ
れぞれ集光し、ガラス基板50上に形成されたレジスト
層51に照射させる対物レンズ52とにより構成され
る。そして、これら照射光学系23を構成する各光学素
子は、レジスト層51が形成されたガラス基板50の径
方向に移動操作される移動光学テーブル上に支持されて
いる。
ビームを反射し、第3の露光ビームを透過するPBS4
7と、PBS47により反射された第1及び第2の露光
ビーム及びPBS47を透過した第3の露光ビームのビ
ーム径を一様に拡大させる拡大レンズ48と、拡大レン
ズ48によりビーム径が拡大され、反射ミラー49によ
り光路が折り曲げられた第1乃至第3の露光ビームをそ
れぞれ集光し、ガラス基板50上に形成されたレジスト
層51に照射させる対物レンズ52とにより構成され
る。そして、これら照射光学系23を構成する各光学素
子は、レジスト層51が形成されたガラス基板50の径
方向に移動操作される移動光学テーブル上に支持されて
いる。
【0069】また、レジスト層51が形成されたガラス
基板50は、高回転精度で回転するエアースピンドル上
にチャッキングされている。
基板50は、高回転精度で回転するエアースピンドル上
にチャッキングされている。
【0070】PBS47は、P偏光成分を透過し、S偏
光成分を反射するようになされている。したがって、P
BS47に入射する第3の露光ビームは、1/2波長板
40によりP偏光とされているので、このPBS47を
透過することになる。一方、PBS47に入射する第1
及び第2の露光ビームはS偏光のままであるので、PB
S47により反射される。これにより、第1の露光ビー
ムと第2の露光ビームと第3の露光ビームとは、略同一
の光軸上に導かれることになる。
光成分を反射するようになされている。したがって、P
BS47に入射する第3の露光ビームは、1/2波長板
40によりP偏光とされているので、このPBS47を
透過することになる。一方、PBS47に入射する第1
及び第2の露光ビームはS偏光のままであるので、PB
S47により反射される。これにより、第1の露光ビー
ムと第2の露光ビームと第3の露光ビームとは、略同一
の光軸上に導かれることになる。
【0071】PBS47により反射された第1及び第2
のの露光ビームと、PBS47を透過した第3の露光ビ
ームは、それぞれ拡大レンズ48を透過することにより
一様にビーム径が拡大され、反射ミラー49により光路
が折り曲げられて、対物レンズ52に入射する。なお、
対物レンズ52の焦点距離は、約90mmとされてい
る。
のの露光ビームと、PBS47を透過した第3の露光ビ
ームは、それぞれ拡大レンズ48を透過することにより
一様にビーム径が拡大され、反射ミラー49により光路
が折り曲げられて、対物レンズ52に入射する。なお、
対物レンズ52の焦点距離は、約90mmとされてい
る。
【0072】対物レンズ52に入射した第1乃至第3の
露光ビームは、それぞれ対物レンズ52により集光され
て、エアースピンドルにより回転操作されるガラス基板
50上に形成されたレジスト層51に照射される。
露光ビームは、それぞれ対物レンズ52により集光され
て、エアースピンドルにより回転操作されるガラス基板
50上に形成されたレジスト層51に照射される。
【0073】これにより、第1乃至第3の露光ビームの
照射軌跡に応じた潜像が、レジスト層38に形成され
る。
照射軌跡に応じた潜像が、レジスト層38に形成され
る。
【0074】以上説明した露光装置10を用いることに
より、先に図1及び図2に示した光磁気ディスク1用の
スタンパを作製することができる。この露光装置10を
用いて光磁気ディスク1用のスタンパを作製する際は、
第1の露光ビームによりエンボスピット5に対応した潜
像を形成し、第2の露光ビームによりウォブリンググル
ーブ6に対応した潜像を形成し、第3の露光ビームによ
りストレートグルーブ7に対応した潜像を形成するよう
にする。
より、先に図1及び図2に示した光磁気ディスク1用の
スタンパを作製することができる。この露光装置10を
用いて光磁気ディスク1用のスタンパを作製する際は、
第1の露光ビームによりエンボスピット5に対応した潜
像を形成し、第2の露光ビームによりウォブリンググル
ーブ6に対応した潜像を形成し、第3の露光ビームによ
りストレートグルーブ7に対応した潜像を形成するよう
にする。
【0075】なお、上述したように、光磁気ディスク1
においては、エンボスピット5は、光磁気ディスク1の
内周側の再生専用領域B1に形成され、ウォブリンググ
ルーブ6及びストレートグルーブ7は、遷移領域B3を
挟んで再生専用領域B1よりも外周側の書き込み可能領
域B2にダブルスパイラル形状をなすように形成され
る。したがって、露光装置10を用いて光磁気ディスク
1用のスタンパを作製する際は、まず、第1の露光ビー
ムのみを用いて、ガラス基板50上のレジスト層51の
内周側にエンボスピット5に対応したパターンの潜像を
形成する。そして、遷移領域B3となる箇所で第1の露
光ビームと第2及び第3の露光ビームの切り換えを行
う。次いで、第2及び第3の露光ビームを用いて、レジ
スト層51の外周側にダブルスパイラル形状をなすウォ
ブリンググルーブ6及びストレートグルーブ7に対応し
たパターンの潜像を形成するようにする。これにより、
レジスト層51に、光磁気ディスク1に対応した潜像を
適切に形成することができる。
においては、エンボスピット5は、光磁気ディスク1の
内周側の再生専用領域B1に形成され、ウォブリンググ
ルーブ6及びストレートグルーブ7は、遷移領域B3を
挟んで再生専用領域B1よりも外周側の書き込み可能領
域B2にダブルスパイラル形状をなすように形成され
る。したがって、露光装置10を用いて光磁気ディスク
1用のスタンパを作製する際は、まず、第1の露光ビー
ムのみを用いて、ガラス基板50上のレジスト層51の
内周側にエンボスピット5に対応したパターンの潜像を
形成する。そして、遷移領域B3となる箇所で第1の露
光ビームと第2及び第3の露光ビームの切り換えを行
う。次いで、第2及び第3の露光ビームを用いて、レジ
スト層51の外周側にダブルスパイラル形状をなすウォ
ブリンググルーブ6及びストレートグルーブ7に対応し
たパターンの潜像を形成するようにする。これにより、
レジスト層51に、光磁気ディスク1に対応した潜像を
適切に形成することができる。
【0076】以上説明したように、この露光装置10
は、光源11から出射されるレーザビームを第1乃至第
3の3つの露光ビームに分割し、エンボスピット5に対
応したパターンの潜像を形成する第1の露光ビームのビ
ーム径を、ダブルスパイラル形状をなすウォブリンググ
ルーブ6及びストレートグルーブ7に対応したパターン
の潜像を形成する第2及び第3の露光ビームのビーム径
と異なるビーム径に設定するようにしている。したがっ
て、この露光装置10を用いてスタンパを作製するよう
にすれば、エンボスピットのピット幅がウォブリンググ
ルーブやストレートグルーブのグルーブ幅よりも十分に
大きな値に設定されて適切なサーボ信号が得られる光磁
気ディスク1のディスク基板2用のスタンパを簡便かつ
容易に作製することができる。
は、光源11から出射されるレーザビームを第1乃至第
3の3つの露光ビームに分割し、エンボスピット5に対
応したパターンの潜像を形成する第1の露光ビームのビ
ーム径を、ダブルスパイラル形状をなすウォブリンググ
ルーブ6及びストレートグルーブ7に対応したパターン
の潜像を形成する第2及び第3の露光ビームのビーム径
と異なるビーム径に設定するようにしている。したがっ
て、この露光装置10を用いてスタンパを作製するよう
にすれば、エンボスピットのピット幅がウォブリンググ
ルーブやストレートグルーブのグルーブ幅よりも十分に
大きな値に設定されて適切なサーボ信号が得られる光磁
気ディスク1のディスク基板2用のスタンパを簡便かつ
容易に作製することができる。
【0077】なお、以上は、光源11から出射されるレ
ーザビームを3つの露光ビームに分割するようにした露
光装置10について説明したが、本発明に係る露光装置
はこの例に限定されるものではなく、光源11から出射
されるレーザビームをさらに多数の露光ビームに分割
し、そのうちの少なくとも一つの露光ビームのビーム径
を他の露光ビームのビーム径と異ならせるように構成さ
れていてもよい。
ーザビームを3つの露光ビームに分割するようにした露
光装置10について説明したが、本発明に係る露光装置
はこの例に限定されるものではなく、光源11から出射
されるレーザビームをさらに多数の露光ビームに分割
し、そのうちの少なくとも一つの露光ビームのビーム径
を他の露光ビームのビーム径と異ならせるように構成さ
れていてもよい。
【0078】また、以上は、露光装置10を用いて光磁
気ディスク1のディスク基板2用のスタンパを作製する
例について説明したが、この露光装置10は、光磁気デ
ィスク1以外にもエンボスピットやグルーブを有するデ
ィスク状記録媒体用のスタンパを作製するために用いて
も同様の効果が得られることは勿論である。
気ディスク1のディスク基板2用のスタンパを作製する
例について説明したが、この露光装置10は、光磁気デ
ィスク1以外にもエンボスピットやグルーブを有するデ
ィスク状記録媒体用のスタンパを作製するために用いて
も同様の効果が得られることは勿論である。
【0079】
【発明の効果】本発明に係る露光装置によれば、光源か
ら出射されたレーザビームがビーム分割手段により3つ
以上の露光ビームに分割され、ビーム径設定手段によ
り、分割された3つ以上の露光ビームのうち少なくとも
一つの露光ビームのビーム径が他の露光ビームのビーム
径と異なるビーム径に設定されるので、幅の異なる複数
のパターンの潜像を適切に形成し、各種フォーマットの
ディスク原盤を簡便かつ容易に製造することができる。
ら出射されたレーザビームがビーム分割手段により3つ
以上の露光ビームに分割され、ビーム径設定手段によ
り、分割された3つ以上の露光ビームのうち少なくとも
一つの露光ビームのビーム径が他の露光ビームのビーム
径と異なるビーム径に設定されるので、幅の異なる複数
のパターンの潜像を適切に形成し、各種フォーマットの
ディスク原盤を簡便かつ容易に製造することができる。
【0080】また、本発明に係る露光方法によれば、光
源から出射されたレーザビームが3つ以上の露光ビーム
に分割され、この分割された3つ以上の露光ビームのう
ち少なくとも一つの露光ビームのビーム径が他の露光ビ
ームのビーム径と異なる値に設定されるので、感光剤層
に幅の異なる複数のパターンの潜像を簡便かつ容易に形
成することができ、各種フォーマットのディスク原盤の
製造が容易となる。
源から出射されたレーザビームが3つ以上の露光ビーム
に分割され、この分割された3つ以上の露光ビームのう
ち少なくとも一つの露光ビームのビーム径が他の露光ビ
ームのビーム径と異なる値に設定されるので、感光剤層
に幅の異なる複数のパターンの潜像を簡便かつ容易に形
成することができ、各種フォーマットのディスク原盤の
製造が容易となる。
【図1】光磁気ディスクの要部断面図である。
【図2】上記光磁気ディスクの記録領域の一部を拡大し
て示す平面図である。
て示す平面図である。
【図3】本発明に係る露光装置の概略構成を示す構成図
である。
である。
1 光磁気ディスク、2 ディスク基板、5 エンボス
ピット、6 ウォブリンググルーブ、7 ストレートグ
ルーブ、10 露光装置、11 光源、12第1のビー
ムスプリッタ、13 第2のビームスプリッタ、14
第3のビームスプリッタ、19 第1の変調光学系、2
0 第2の変調光学系、21 第3の変調光学系、24
第1の集光レンズ、26 第1のコリメートレンズ、
31第2の集光レンズ、33 第2のコリメートレン
ズ、36 第3の集光レンズ、38 第3のコリメート
レンズ、52 対物レンズ、50 ガラス基板、51レ
ジスト層
ピット、6 ウォブリンググルーブ、7 ストレートグ
ルーブ、10 露光装置、11 光源、12第1のビー
ムスプリッタ、13 第2のビームスプリッタ、14
第3のビームスプリッタ、19 第1の変調光学系、2
0 第2の変調光学系、21 第3の変調光学系、24
第1の集光レンズ、26 第1のコリメートレンズ、
31第2の集光レンズ、33 第2のコリメートレン
ズ、36 第3の集光レンズ、38 第3のコリメート
レンズ、52 対物レンズ、50 ガラス基板、51レ
ジスト層
フロントページの続き (72)発明者 小澤 代隆 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 光源から出射されたレーザビームを感光
剤層に照射し、この感光剤層に所定のパターンの潜像を
形成する露光装置において、 上記光源から出射されたレーザビームを3つ以上の露光
ビームに分割するビーム分割手段と、 上記ビーム分割手段により分割された3つ以上の露光ビ
ームのビーム径を各々設定するビーム径設定手段とを備
え、 上記ビーム径設定手段は、上記分割された3つ以上の露
光ビームのうち少なくとも一つの露光ビームのビーム径
を他の露光ビームのビーム径と異なるビーム径に設定す
ることを特徴とする露光装置。 - 【請求項2】 上記ビーム径設定手段は、上記ビーム分
割手段により分割された3つ以上の露光ビームの光路上
にそれぞれ配設され、供給される記録信号に基づいて上
記露光ビームを強度変調する複数の強度変調手段と、こ
の強度変調手段に向かう露光ビームを集光する複数の集
光レンズと、上記強度変調手段から出射される露光ビー
ムを平行光にする複数のコリメートレンズとを備え、 上記複数の集光レンズ及びコリメートレンズの焦点距離
を異ならせることにより、上記分割された3つ以上の露
光ビームのうち少なくとも一つの露光ビームのビーム径
を他の露光ビームのビーム径と異なるビーム径に設定す
ることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 【請求項3】 上記分割された3つ以上の露光ビームを
略同一の光路上に導く光路合成手段を備えることを特徴
とする請求項1記載の露光装置。 - 【請求項4】 上記ビーム分割手段により分割された3
つ以上の露光ビームのうち少なくとも一つの露光ビーム
の光路上に配設され、供給される制御信号に基づいて上
記露光ビームを偏向する少なくとも一つの光偏向手段を
備えることを特徴とする請求項1記載の露光装置。 - 【請求項5】 光源から出射されたレーザビームを3つ
以上の露光ビームに分割し、 上記分割された3つ以上の露光ビームのうち少なくとも
一つの露光ビームのビーム径を他の露光ビームのビーム
径と異ならせ、 上記ビーム径の異なる3つ以上の露光ビームをそれぞれ
感光剤層に照射して、この感光剤層に幅の異なる複数の
パターンの潜像を形成することを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14637598A JPH11339329A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14637598A JPH11339329A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11339329A true JPH11339329A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15406301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14637598A Withdrawn JPH11339329A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11339329A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030076185A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-09-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
US6697578B2 (en) | 2000-08-25 | 2004-02-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Memory member, unit, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
-
1998
- 1998-05-27 JP JP14637598A patent/JPH11339329A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6697578B2 (en) | 2000-08-25 | 2004-02-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Memory member, unit, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
US6782213B2 (en) | 2000-08-25 | 2004-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Memory member, unit, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
US6832056B2 (en) | 2000-08-25 | 2004-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Memory member, unit, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
KR20030076185A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-09-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |